JP2004039953A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体ウェハの熱処理を枚葉式で行う場合であっても、充分に汚染物質(重金属)を除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ヒータ1に半導体ウェハ2の裏面(素子形成面とは反対側の面)を接触させるようにして、半導体ウェハ2をヒータ1上に配置する。また、冷却材3に半導体ウェハ2の表面(素子形成面)を接触させるようにして、冷却材3を半導体ウェハ2上に配置する。このように半導体ウェハ2をヒータ1と冷却材3により挟むことで、半導体ウェハ2の厚さ方向に温度勾配を形成する。また、電極4に負電圧を印加し、電極5に正電圧を印加することにより、半導体ウェハ2の厚さ方向に電場を形成する。
【選択図】 図1
【解決手段】ヒータ1に半導体ウェハ2の裏面(素子形成面とは反対側の面)を接触させるようにして、半導体ウェハ2をヒータ1上に配置する。また、冷却材3に半導体ウェハ2の表面(素子形成面)を接触させるようにして、冷却材3を半導体ウェハ2上に配置する。このように半導体ウェハ2をヒータ1と冷却材3により挟むことで、半導体ウェハ2の厚さ方向に温度勾配を形成する。また、電極4に負電圧を印加し、電極5に正電圧を印加することにより、半導体ウェハ2の厚さ方向に電場を形成する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、半導体装置の製造工程において発生する重金属汚染を除去する工程に適用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程中に混入した重金属(汚染物質)を半導体ウェハの素子形成領域から除去する技術としてゲッタリングがある。ゲッタリングは以下のようなものが知られている。すなわち、ゲッタリングサイトとなる結晶欠陥、ひずみ層、応力場を半導体ウェハの内部、または半導体ウェハの素子形成面とは反対側の面に形成する。そして、熱処理により重金属を拡散させ、ゲッタリングサイトに汚染物質である重金属を捕獲することにより行われる。
【0003】
上記したゲッタリングは、イントリンシックゲッタリング(IG)とエクストリンシックゲッタリング(EG)の二種類に分類される。
【0004】
イントリンシックゲッタリングは、半導体ウェハ中の不純物格子間酸素を適当な熱処理によって析出させ、発生した酸素析出欠陥(酸素析出核)に重金属などの汚染物質を捕獲することにより、半導体ウェハの素子形成領域の汚染物質を除去する技術である。
【0005】
一方、エクストリンシックゲッタリングは、半導体ウェハの素子形成面とは反対側の面に機械的ダメージを施し、その後の熱処理により発生する転位や積層欠陥をゲッタリングサイトとして汚染物質を捕獲する技術や、半導体ウェハの素子形成面とは反対側の面にCVD法を使用して膜を形成することにより発生する応力場や結晶欠陥をゲッタリングサイトとして汚染物質を捕獲する技術などをいう。
【0006】
なお、ゲッタリングについては、例えばUCS半導体基盤技術研究会編の「シリコンの科学」p583〜p621などに記載がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
近年、半導体装置の製造工程は、半導体ウェハを一括して処理するバッチ式処理から半導体ウェハを一枚づつ処理する枚葉式に移行してきている。これは、熱処理における熱試算(Thermal Budget)の低下、すなわち、半導体ウェハ一枚当りの熱処理時間が短くなることを意味しており、半導体製造工程において発生した重金属などの汚染物質を、上記した従来のゲッタリングで捕獲することが困難となる問題点がある。
【0008】
例えば、酸素析出欠陥を利用したイントリンシックゲッタリングの場合、酸素析出欠陥を形成するために熱処理を施す必要がある。通常、半導体装置の製造工程中の熱処理によって酸素析出欠陥の形成を行うが、半導体ウェハの熱処理を枚葉式で行う場合、熱処理時間が短いため、充分な酸素析出欠陥を形成することができない。このため、ゲッタリングの能力が不足し、重金属などの汚染物質を充分捕獲することができないという問題点がある。
【0009】
予め、半導体装置の製造工程に入る前に半導体ウェハに熱処理を施し、充分な酸素析出欠陥を形成しておくことも考えられるが、製造コストが上昇する問題点やウェハのそりや汚染等が発生するという問題点がある。
【0010】
また、エクストリンシックゲッタリングの場合、重金属などの汚染物質を捕獲するために比較的長時間の熱処理が必要なため、半導体ウェハの熱処理を枚葉式で行う場合、汚染物質を充分に捕獲することができないという問題点がある。
【0011】
近年の半導体装置の製造工程においては、銅(Cu)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)等の重金属材料が多用されるため、重金属による製造工程中のクロスコンタミネーションの機会が増大する。この結果、今後ますます重金属による汚染によって、半導体装置の特性に悪影響を及ぼすことが考えられる。
【0012】
本発明の目的は、半導体ウェハの熱処理を枚葉式で行う場合であっても、充分に汚染物質を除去することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0013】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【0015】
本発明は、(a)半導体ウェハの素子形成面とは反対側の面を加熱、または前記素子形成面を冷却することにより、前記素子形成面とは反対側の面と前記素子形成面との間に温度勾配を形成する工程と、(b)前記(a)工程で形成した温度勾配により、前記半導体ウェハ内にある汚染物質を、前記素子形成面とは反対側の面に集積する工程と、(c)前記(b)工程で集積した前記汚染物質を除去する工程とを備えるものである。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。また、実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【0017】
(実施の形態1)
本実施の形態1における半導体装置の製造方法で使用されるゲッタリングを図面を参照しながら説明する。
【0018】
図1は、本実施の形態1におけるゲッタリングを行うための装置を示した断面図である。図1において、ゲッタリングを行うための装置は、ヒータ1、冷却材3、電極4、電極5より構成されている。
【0019】
ヒータ1は、熱源であり、ヒータ1上に配置された半導体ウェハ2の裏面(素子形成面とは反対側の面)を加熱できるように構成されている。一方、冷却材3は、冷却材3の下面に接触するように配置された半導体ウェハ2の表面(素子形成面)を冷却できるように構成され、例えばヒートシンク等から構成されている。したがって、半導体ウェハ2は、ヒータ1と冷却材3によって挟まれており、半導体ウェハ2の表面と裏面との間には、温度勾配が形成される。
【0020】
ここで、固体内に不純物原子が存在する場合、固体に温度分布を与えると、不純物原子は、低温領域から高温領域に拡散する性質がある。したがって、上記したようにヒータ1と冷却材3により、半導体ウェハ2の厚さ方向に温度勾配を持たせると、半導体ウェハ2内に存在する重金属などの汚染物質を高温領域に集積することができる。上記したように半導体ウェハ2を裏面側から加熱すると、汚染物質となる重金属は、高温領域となる半導体ウェハ2の裏面側に拡散する。このため、半導体ウェハ2の裏面において、重金属などの汚染物質を集積することが可能となる。
【0021】
半導体ウェハ2の表面と裏面との間の温度差は、大きければ大きいほどよいが、数℃の差でも充分汚染物質を集積することができる。
【0022】
次に、電極4および電極5は、互いに平行となるように配置された平板電極から構成され、電極4および電極5の間には、ヒータ1と冷却材3によって挟まれた半導体ウェハ2が配置されている。したがって、電源に接続された電極4および電極5によって、半導体ウェハ2に電場を印加できるようになっており、電極4が電極5に比べて低電位になるようにして電場が印加されている。すなわち、電極4には、負電圧が印加され、電極5には正電圧が印加されている。
【0023】
ここで、シリコン中にある重金属は、概ねプラスイオンで存在しているため、上述したように電極4が電極5に比べて低電位になるように電場を印加すると、シリコン中にある重金属は、負電圧である電極4側に移動することになる。すなわち、半導体ウェハ2の裏面側に移動することになる。このため、半導体ウェハ2の裏面側に汚染物質である重金属を集積することができる。
【0024】
本実施の形態1におけるゲッタリングを行う装置は、上記のように構成されており、以下に本実施の形態1におけるゲッタリングの動作について説明する。
【0025】
まず、図1に示すように、熱源であるヒータ1に、半導体装置を形成中の半導体ウェハ2の裏面(素子形成面とは反対側の面)を接触させるようにして、半導体ウェハ2をヒータ1上に配置する。次に、冷却材3に半導体ウェハ2の表面(素子形成面)を接触させるように、冷却材3を配置する。
【0026】
続いて、ヒータ1による加熱および冷却材3による冷却を開始する。すると、半導体ウェハ2の厚さ方向に温度勾配が形成される。すなわち、半導体ウェハ2の裏面側が高温領域となり、半導体ウェハ2の表面側が低温領域となる温度勾配が半導体ウェハ2の厚さ方向に形成される。
【0027】
すると、半導体ウェハ2内にある汚染物質である重金属2aは、高温領域である半導体ウェハ2の裏面に拡散し、集積される。
【0028】
また、互いに平行に配置されている電極4および電極5に電圧を印加して、電極4および電極5の間の領域に電場を発生させる。
【0029】
すると、半導体ウェハ2内にある汚染物質である重金属2aは、概ね正イオンであるため、負電圧が印加された電極4のある方向、すなわち半導体ウェハ2の裏面側に拡散し、集積される。
【0030】
集積された汚染物質である重金属2aは、図2に示すように、半導体ウェハ2の裏面を研磨することやエッチングすることにより除去される。
【0031】
このようにして、半導体ウェハ2内にある汚染物質である重金属2aを除去することができる。
【0032】
従来のゲッタリングは、捕獲領域であるゲッタリングサイトに拡散してきた重金属を捕獲する受動的なゲッタリングであった。これに対し、本実施の形態1におけるゲッタリングは、意図的に温度勾配や電場を印加して、汚染物質である重金属2aを集積領域に誘導して除去する能動的なゲッタリングである。したがって、従来のゲッタリングに比べて低温、短時間で効率良く汚染物質である重金属2aを除去することができる。すなわち、半導体ウェハの熱処理を枚葉式で行う場合であっても、充分に汚染物質を除去することができる。
【0033】
また、半導体装置の製造工程中に混入した汚染物質である重金属2aを、本実施の形態1におけるゲッタリングによって確実に除去することができるため、製造される半導体装置の電気特性の安定化および不良率の低減化を図ることができる。
【0034】
また、半導体装置の製造工程に入る前に熱処理を行って半導体ウェハ2に酸素析出欠陥を形成する必要がなくなるため、熱処理コストがかからず、低コストの半導体ウェハ2の適用が可能となる。つまり、本実施の形態1におけるゲッタリングによればコスト低減を図ることができる。
【0035】
次に、本実施の形態1におけるゲッタリングを行う半導体ウェハ2の具体的素子構造の一例を図3に示す。図3において、半導体ウェハ2に形成された具体的素子構造は、まず、シリコン基板10にMOS(Metal Oxide Semiconductor)型素子からなるトランジスタTr1、Tr2、Tr3が形成されている。
【0036】
トランジスタTr1、Tr2、Tr3は、不純物を導入したソース領域およびドレイン領域を有しており、また、酸化シリコン膜よりなるゲート絶縁膜およびこのゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極を有している。ゲート電極は、例えばポリシリコン膜およびこのポリシリコン膜上に形成されたコバルトシリサイド膜より形成されている。
【0037】
トランジスタTr1、Tr2、Tr3上には、例えば酸化シリコン膜よりなる層間絶縁膜と窒化シリコン膜よりなる層間絶縁膜が形成されており、これらの層間絶縁膜上には、第1層配線20が形成されている。第1層配線20は、層間絶縁膜を貫通する孔にタングステン膜を埋め込んで形成されたプラグと銅膜(Cu)を埋め込んで形成されたプラグとを介してトランジスタTr1、Tr2、Tr3と接続されている。
【0038】
第1層配線20は、孔にスパッタリング法などを使用して窒化チタン膜よりなるバリア膜を形成した後、めっき法を使用して銅膜を埋め込み、CMP(Chemical Mechanical Polishing)による研磨を施すことにより形成される。
【0039】
第1層配線20上には、例えば酸化シリコン膜よりなる層間絶縁膜と窒化シリコン膜よりなる層間絶縁膜が形成されており、これらの層間絶縁膜上には、第2層配線30が形成されている。
【0040】
第2層配線30は、層間絶縁膜を貫通する孔に銅膜を埋め込んで形成されたプラグによって、第1層配線20と接続されている。第2層配線30は、第1層配線20と同様に、孔にスパッタリング法などを使用して窒化チタン膜よりなるバリア膜を形成した後、めっき法を使用して銅膜を埋め込み、CMPによる研磨を施すことにより形成される。
【0041】
第2層配線30上には、例えば酸化シリコン膜よりなる層間絶縁膜と窒化シリコン膜よりなる層間絶縁膜が形成されており、これらの層間絶縁膜上には、第3層配線40が形成されている。第3層配線40は、層間絶縁膜を貫通する孔に銅膜を埋め込んで形成されたプラグによって、第2層配線30と接続されている。第3層配線は、第1層配線20や第2層配線30と同様に孔にスパッタリング法などを使用して窒化チタン膜よりなるバリア膜を形成後、めっき法を使用して銅膜を埋め込みCMPによる研磨を施すことにより形成される。
【0042】
第3層配線40上には、例えば酸化シリコン膜よりなる層間絶縁膜と窒化シリコン膜よりなる層間絶縁膜が形成されており、これらの層間絶縁膜上には、第4層配線50が形成されている。第4層配線50は、層間絶縁膜を貫通する孔にタングステン膜を埋め込んで形成されたプラグによって、第3層配線と接続されている。
【0043】
第4層配線50は、スパッタリング法を使用して窒化チタン膜よりなるバリア膜を形成した後、スパッタリング法を使用してアルミニウム膜を堆積し、その後再びスパッタリング法を使用して窒化チタン膜よりなるバリア膜を形成することによってできている。
【0044】
半導体ウェハ2に形成された半導体装置の具体的素子構造は、上記のように構成されており、配線を形成する配線工程においては、銅などの重金属が使用されている。したがって、第1層配線20、第2層配線30、第3層配線40または第4層配線50などを形成する前後の工程において、本実施の形態1におけるゲッタリングを行うことが有用であることがわかる。すなわち、配線工程の前後において、半導体ウェハ2の裏面をヒータ1によって加熱することにより、配線工程を経ることによって半導体ウェハ2内に拡散した銅を、半導体ウェハ2の裏面に集積して除去することができる。
【0045】
なお、配線工程の前後において、本実施の形態1におけるゲッタリングを行うとしたが、これに限らず、例えばトランジスタTr1、Tr2、Tr3を形成する工程であって、熱処理が必要な工程において、本実施の形態1におけるゲッタリングを行ってもよい。
【0046】
また、本実施の形態1におけるゲッタリングは、半導体装置の製造工程中に1回だけ行うのではなく、何回も行ってもよい。
【0047】
(実施の形態2)
前記実施の形態1における半導体装置の製造方法で使用するゲッタリングは、半導体ウェハの裏面側に集積した重金属を研磨やエッチングによって除去するものであった。これに対し、本実施の形態2における半導体装置の製造方法で使用するゲッタリングは、温度勾配を与えたり、電場を印加したりして重金属を集積領域に誘導した後、集積した重金属をゲッタリングサイトに捕獲させて固定するものである。
【0048】
図4は、本実施の形態2におけるゲッタリングを行うための装置を示した断面図である。図4において、ゲッタリングを行うための装置は、実施の形態1におけるゲッタリングを行うための装置と同様の構成をとっており、ヒータ1、冷却材3、電極4、電極5より構成されている。
【0049】
本実施の形態2においては、ヒータ1と冷却材3との間に挟まれた半導体ウェハ2の裏面(素子形成面とは反対側の面)近傍には、重金属2aを捕獲するためのゲッタリングサイト6が形成されている。このゲッタリングサイト6は、例えば予め半導体ウェハ2の裏面にCVD法を使用してポリシリコン膜を形成し、形成したポリシリコン膜によって発生する応力場や結晶欠陥から形成されている。
【0050】
このように半導体ウェハ2の裏面近傍にゲッタリングサイト6を形成することにより、温度勾配を与えたり、電場を印加したりして重金属2aを半導体ウェハ2の裏面に集積させた後、集積した重金属2aを予め形成したゲッタリングサイト6に固定することができる。
【0051】
(実施の形態3)
前記実施の形態1における半導体装置の製造方法で使用するゲッタリングは、半導体ウェハの裏面側に集積した重金属を研磨やエッチングによって除去するものであった。これに対し、本実施の形態3における半導体装置の製造方法で使用するゲッタリングは、温度勾配や電場を印加して重金属を集積領域に誘導した後、集積した重金属を半導体ウェハ2の外部領域に移すことによって除去するものである。
【0052】
図5は、本実施の形態3におけるゲッタリングを行うための装置を示した断面図である。図5において、ゲッタリングを行うための装置は、実施の形態1におけるゲッタリングを行うための装置とほぼ同様の構成をとっており、ヒータ1、冷却材3、電極4、電極5より構成されている。ヒータ1上にはシリコンプレート1aが配置されており、このシリコンプレート1a上に半導体ウェハ2が配置されている。したがって、シリコンプレート1aは、ヒータ1上に直接接するように配置されているため、シリコンプレート1a上に配置されている半導体ウェハ2より高温になっている。
【0053】
このようにシリコンプレート1aを設けることで、温度勾配を与えたり、電場を印加したりして重金属2aを半導体ウェハ2の裏面に集積させた後、さらに高温領域であるシリコンプレート1aに重金属2aが拡散する。このため、重金属2aを半導体ウェハ2から除去することができる。
【0054】
以上前記実施の形態1から本実施の形態3までにおいて、半導体ウェハ2の裏面に集積させた重金属2aを異なる方法で除去する場合について説明したが、これらを組み合わせた除去方法を使用してもよい。
【0055】
(実施の形態4)
前記実施の形態1から前記実施の形態3における半導体装置の製造方法で使用するゲッタリングでは、温度勾配を与えるとともに、電場を印加して重金属を集積領域に誘導して除去するものであったが、本実施の形態4における半導体装置の製造方法で使用するゲッタリングは、温度勾配を与えることによってのみ重金属を集積領域に誘導して除去するものである。
【0056】
図6は、本実施の形態4におけるゲッタリングを行うための装置を示した断面図である。図6において、ゲッタリングを行うための装置は、実施の形態1におけるゲッタリングを行うための装置より簡単な構成をとっており、ヒータ1、冷却材3より構成されている。ヒータ1上には、半導体ウェハ2が配置され、半導体ウェハ2の裏面(素子形成面とは反対側の面)がヒータ1に接触している。また、半導体ウェハ2上には、冷却材3が配置されており、半導体ウェハ2の表面(素子形成面)が冷却材3に接触している。
【0057】
このように構成することにより、半導体ウェハ2の表面と裏面との間に温度勾配を形成することができ、高温領域である裏面に重金属2aを集積させることができる。集積した重金属2aは、前記実施の形態1または3で述べたようにして除去する。また、集積した重金属2aを前記実施の形態2で述べたようにして固定してもよい。
【0058】
なお、本実施の形態4では、冷却材3を接触させるように構成したが、冷却材3を使用せず例えば不活性ガスからなる冷媒雰囲気を半導体ウェハ2の表面に導入するように構成してもよい。
【0059】
(実施の形態5)
前記実施の形態4は、温度勾配を与えることによってのみ重金属を集積領域に誘導して除去するものであった。これに対し本実施の形態5では、電場を印加することによってのみ重金属を集積領域に誘導して除去するものである。
【0060】
図7は、本実施の形態5におけるゲッタリングを行うための装置を示した断面図である。図7において、ゲッタリングを行うための装置は、電源に接続され、互いに平行になるように配置された電極4、電極5より構成されている。そして、この電極4と電極5との間には、素子形成面を電極5に相対するようにして半導体ウェハ2が配置されている。
【0061】
ここで、電極4には、負の電圧が印加されており、電極5には、正の電圧が印加されている。したがって、概ね正イオンの状態で半導体ウェハ2中に存在する重金属2aは、電極4側に引き付けられる。このため、半導体ウェハ2中に存在する重金属2aを半導体ウェハ2の裏面に集積することができる。集積した重金属2aは、前記実施の形態1で述べた方法により除去することができる。また、集積した重金属2aは、前記実施の形態2で述べた方法によりゲッタリングサイトに固定することができる。
【0062】
(実施の形態6)
前記実施の形態1におけるゲッタリングを行うための装置は、半導体ウェハ2の素子形成面に冷却材を接触させる構成をとったが、本実施の形態6は、半導体ウェハ2の素子形成面に冷却材を接触させることなく冷却する構成をとるものである。
【0063】
図8は、本実施の形態6におけるゲッタリングを行うための装置を示した断面図である。図8において、ゲッタリングを行うための装置は、ヒータ1、電極4、電極5、絶縁体7、および冷媒を吹き付ける冷却装置(図示せず)より構成されている。
【0064】
ヒータ1上には、電極4が配置されており、この電極4上には絶縁体7が配置されている。絶縁体7上には、半導体ウェハ2の裏面(素子形成面とは反対側の面)を絶縁体7に接触させるようにして、半導体ウェハ2が配置されている。半導体ウェハ2の表面(素子形成面)上には、冷媒を通過させる空間が設けてあり、この空間上に電極5が配置されている。
【0065】
このように構成することにより、半導体ウェハ2の表面は、冷媒により冷却される。一方、半導体ウェハ2の裏面は、ヒータ1によって加熱される。したがって、半導体ウェハ2の表面と裏面との間に温度勾配を形成することができ、高温領域である裏面に重金属2aを集積させることができる。集積した重金属2aは、前記実施の形態1または3で述べたようにして除去する。また、集積した重金属2aを前記実施の形態2で述べたようにして固定してもよい。
【0066】
本実施の形態6によれば、冷却材を接触させることなく、半導体ウェハ2の素子形成面を冷却することができるので、冷却材の接触による素子形成面へのダメージおよび汚染物質の付着や混入を防止することができる。
【0067】
なお、本実施の形態6では、電極4上に絶縁体7を配置したが、絶縁体7を配置せず、電極4と半導体ウェハ2との間に空間を設けても良い。
【0068】
(実施の形態7)
本実施の形態7では、半導体ウェハ2自体を電極とする場合について説明する。図9は、本実施の形態7におけるゲッタリングを行うための装置を示した断面図である。図9において、ゲッタリングを行うための装置は、ヒータ1、電極4、絶縁体7および冷媒を吹き付ける冷却装置(図示せず)より構成されている。ヒータ1上には、電極4が配置されており、この電極4上には、絶縁体7が配置されている。絶縁体7上には、半導体ウェハ2の裏面(素子形成面とは反対側の面)を接触させるようにして、半導体ウェハ2が配置されている。半導体ウェハ2は、直接電源に接続されており、電極を構成している。この半導体ウェハ2に正電圧を印加するとともに、電極4に負電圧を印加することにより、半導体ウェハ2に電場を印加することができる。また、この半導体ウェハ2の表面(素子形成面)には、冷媒が吹き付けられるようになっている。
【0069】
このように構成することにより、半導体ウェハ2の表面と裏面との間に温度勾配を形成することができ、高温領域である裏面に重金属2aを集積させることができる。また、半導体ウェハ2に電場を印加することによって、半導体ウェハ2の裏面側に重金属2aを集積することができる。ここで、半導体ウェハ2に直接電圧を印加しているため、電界密度が増し、より効率的に半導体ウェハ2の裏面に重金属2aを集積することができる。すなわち、ゲッタリング効率の向上を図ることができる。
【0070】
なお、集積した重金属2aは、前記実施の形態1または3で述べたようにして除去する。また、集積した重金属2aを前記実施の形態2で述べたようにして、ゲッタリングサイトに固定してもよい。
【0071】
(実施の形態8)
本実施の形態8では、熱を加える熱源が半導体ウェハと接触しない構造をしている場合について説明する。
【0072】
図10は、本実施の形態8におけるゲッタリングを行うための装置を示した断面図である。図10において、ゲッタリングを行うための装置は、電極4、ランプヒータ8、および冷媒を吹き付ける冷却装置(図示せず)より構成されている。
【0073】
ランプヒータ8は、輻射熱によって半導体ウェハ2の裏面(素子形成面とは反対側の面)を加熱できるように構成されており、このランプヒータ8上には、空間を挟んで電極4が配置されている。電極4は、電源に接続されており、負電圧が印加されるようになっている。この電極4上には、空間を挟んで半導体ウェハ2が配置されている。この半導体ウェハ2は、直接電源に接続されており、正電圧が印加される電極を構成している。また、半導体ウェハ2の表面(素子形成面)には、冷媒が吹き付けられるようになっている。
【0074】
このように構成することにより、半導体ウェハ2の表面と裏面との間に温度勾配を形成することができ、高温領域である裏面に重金属2aを集積させることができる。また、半導体ウェハ2に電場を印加することによって、半導体ウェハ2の裏面側に重金属2aを集積することができる。
【0075】
また、本実施の形態8では、半導体ウェハ2の加熱に輻射式のランプヒータ8を使用しているため、半導体ウェハ2とランプヒータ8の接触を回避することができる。したがって、熱源からの重金属2aの逆流による半導体ウェハ2の汚染を防止することができる。
【0076】
なお、集積した重金属2aは、前記実施の形態1で述べたようにして除去する。また、集積した重金属2aを前記実施の形態2で述べたようにして、ゲッタリングサイトに固定してもよい。
【0077】
以上、本発明者によってなされた発明を前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0078】
前記実施の形態では、冷却材を半導体ウェハの表面に接触させて半導体ウェハの表面を冷却する場合や、冷媒を半導体ウェハの表面に吹き付けて冷却する場合を説明したが、冷水を使用して冷却してもよい。また、冷却しなくてもよい。
【0079】
前記実施の形態で述べたゲッタリングを半導体ウェハ上に半導体装置を形成するウェハプロセス中に1回だけでなく何回も入れてよい。
【0080】
【発明の効果】
本願によって開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下の通りである。
【0081】
半導体装置の製造工程において、半導体ウェハの裏面(素子形成面とは反対側の面)を加熱、または表面(素子形成面)を冷却し、半導体ウェハの厚さ方向に温度勾配を形成することにより、高温領域である半導体ウェハの裏面に重金属を集積させた後、除去または固定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1におけるゲッタリングを行うための装置およびこの装置にセットされた半導体ウェハを示した断面図である。
【図2】本発明の実施の形態1におけるゲッタリングにより半導体ウェハの裏面に重金属が集積された状態を示す断面図である。
【図3】半導体ウェハに形成された具体的素子構造を示す断面図である。
【図4】本発明の実施の形態2におけるゲッタリングを行うための装置およびこの装置にセットされた半導体ウェハを示した断面図である。
【図5】本発明の実施の形態3におけるゲッタリングを行うための装置およびこの装置にセットされた半導体ウェハを示した断面図である。
【図6】本発明の実施の形態4におけるゲッタリングを行うための装置およびこの装置にセットされた半導体ウェハを示した断面図である。
【図7】本発明の実施の形態5におけるゲッタリングを行うための装置およびこの装置にセットされた半導体ウェハを示した断面図である。
【図8】本発明の実施の形態6におけるゲッタリングを行うための装置およびこの装置にセットされた半導体ウェハを示した断面図である。
【図9】本発明の実施の形態7におけるゲッタリングを行うための装置およびこの装置にセットされた半導体ウェハを示した断面図である。
【図10】本発明の実施の形態8におけるゲッタリングを行うための装置およびこの装置にセットされた半導体ウェハを示した断面図である。
【符号の説明】
1 ヒータ
1a シリコンプレート
2 半導体ウェハ
2a 重金属
3 冷却材
4 電極
5 電極
6 ゲッタリングサイト
7 絶縁体
8 ランプヒータ
10 シリコン基板
20 第1層配線
30 第2層配線
40 第3層配線
50 第4層配線
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、半導体装置の製造工程において発生する重金属汚染を除去する工程に適用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程中に混入した重金属(汚染物質)を半導体ウェハの素子形成領域から除去する技術としてゲッタリングがある。ゲッタリングは以下のようなものが知られている。すなわち、ゲッタリングサイトとなる結晶欠陥、ひずみ層、応力場を半導体ウェハの内部、または半導体ウェハの素子形成面とは反対側の面に形成する。そして、熱処理により重金属を拡散させ、ゲッタリングサイトに汚染物質である重金属を捕獲することにより行われる。
【0003】
上記したゲッタリングは、イントリンシックゲッタリング(IG)とエクストリンシックゲッタリング(EG)の二種類に分類される。
【0004】
イントリンシックゲッタリングは、半導体ウェハ中の不純物格子間酸素を適当な熱処理によって析出させ、発生した酸素析出欠陥(酸素析出核)に重金属などの汚染物質を捕獲することにより、半導体ウェハの素子形成領域の汚染物質を除去する技術である。
【0005】
一方、エクストリンシックゲッタリングは、半導体ウェハの素子形成面とは反対側の面に機械的ダメージを施し、その後の熱処理により発生する転位や積層欠陥をゲッタリングサイトとして汚染物質を捕獲する技術や、半導体ウェハの素子形成面とは反対側の面にCVD法を使用して膜を形成することにより発生する応力場や結晶欠陥をゲッタリングサイトとして汚染物質を捕獲する技術などをいう。
【0006】
なお、ゲッタリングについては、例えばUCS半導体基盤技術研究会編の「シリコンの科学」p583〜p621などに記載がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
近年、半導体装置の製造工程は、半導体ウェハを一括して処理するバッチ式処理から半導体ウェハを一枚づつ処理する枚葉式に移行してきている。これは、熱処理における熱試算(Thermal Budget)の低下、すなわち、半導体ウェハ一枚当りの熱処理時間が短くなることを意味しており、半導体製造工程において発生した重金属などの汚染物質を、上記した従来のゲッタリングで捕獲することが困難となる問題点がある。
【0008】
例えば、酸素析出欠陥を利用したイントリンシックゲッタリングの場合、酸素析出欠陥を形成するために熱処理を施す必要がある。通常、半導体装置の製造工程中の熱処理によって酸素析出欠陥の形成を行うが、半導体ウェハの熱処理を枚葉式で行う場合、熱処理時間が短いため、充分な酸素析出欠陥を形成することができない。このため、ゲッタリングの能力が不足し、重金属などの汚染物質を充分捕獲することができないという問題点がある。
【0009】
予め、半導体装置の製造工程に入る前に半導体ウェハに熱処理を施し、充分な酸素析出欠陥を形成しておくことも考えられるが、製造コストが上昇する問題点やウェハのそりや汚染等が発生するという問題点がある。
【0010】
また、エクストリンシックゲッタリングの場合、重金属などの汚染物質を捕獲するために比較的長時間の熱処理が必要なため、半導体ウェハの熱処理を枚葉式で行う場合、汚染物質を充分に捕獲することができないという問題点がある。
【0011】
近年の半導体装置の製造工程においては、銅(Cu)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)等の重金属材料が多用されるため、重金属による製造工程中のクロスコンタミネーションの機会が増大する。この結果、今後ますます重金属による汚染によって、半導体装置の特性に悪影響を及ぼすことが考えられる。
【0012】
本発明の目的は、半導体ウェハの熱処理を枚葉式で行う場合であっても、充分に汚染物質を除去することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0013】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【0015】
本発明は、(a)半導体ウェハの素子形成面とは反対側の面を加熱、または前記素子形成面を冷却することにより、前記素子形成面とは反対側の面と前記素子形成面との間に温度勾配を形成する工程と、(b)前記(a)工程で形成した温度勾配により、前記半導体ウェハ内にある汚染物質を、前記素子形成面とは反対側の面に集積する工程と、(c)前記(b)工程で集積した前記汚染物質を除去する工程とを備えるものである。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。また、実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【0017】
(実施の形態1)
本実施の形態1における半導体装置の製造方法で使用されるゲッタリングを図面を参照しながら説明する。
【0018】
図1は、本実施の形態1におけるゲッタリングを行うための装置を示した断面図である。図1において、ゲッタリングを行うための装置は、ヒータ1、冷却材3、電極4、電極5より構成されている。
【0019】
ヒータ1は、熱源であり、ヒータ1上に配置された半導体ウェハ2の裏面(素子形成面とは反対側の面)を加熱できるように構成されている。一方、冷却材3は、冷却材3の下面に接触するように配置された半導体ウェハ2の表面(素子形成面)を冷却できるように構成され、例えばヒートシンク等から構成されている。したがって、半導体ウェハ2は、ヒータ1と冷却材3によって挟まれており、半導体ウェハ2の表面と裏面との間には、温度勾配が形成される。
【0020】
ここで、固体内に不純物原子が存在する場合、固体に温度分布を与えると、不純物原子は、低温領域から高温領域に拡散する性質がある。したがって、上記したようにヒータ1と冷却材3により、半導体ウェハ2の厚さ方向に温度勾配を持たせると、半導体ウェハ2内に存在する重金属などの汚染物質を高温領域に集積することができる。上記したように半導体ウェハ2を裏面側から加熱すると、汚染物質となる重金属は、高温領域となる半導体ウェハ2の裏面側に拡散する。このため、半導体ウェハ2の裏面において、重金属などの汚染物質を集積することが可能となる。
【0021】
半導体ウェハ2の表面と裏面との間の温度差は、大きければ大きいほどよいが、数℃の差でも充分汚染物質を集積することができる。
【0022】
次に、電極4および電極5は、互いに平行となるように配置された平板電極から構成され、電極4および電極5の間には、ヒータ1と冷却材3によって挟まれた半導体ウェハ2が配置されている。したがって、電源に接続された電極4および電極5によって、半導体ウェハ2に電場を印加できるようになっており、電極4が電極5に比べて低電位になるようにして電場が印加されている。すなわち、電極4には、負電圧が印加され、電極5には正電圧が印加されている。
【0023】
ここで、シリコン中にある重金属は、概ねプラスイオンで存在しているため、上述したように電極4が電極5に比べて低電位になるように電場を印加すると、シリコン中にある重金属は、負電圧である電極4側に移動することになる。すなわち、半導体ウェハ2の裏面側に移動することになる。このため、半導体ウェハ2の裏面側に汚染物質である重金属を集積することができる。
【0024】
本実施の形態1におけるゲッタリングを行う装置は、上記のように構成されており、以下に本実施の形態1におけるゲッタリングの動作について説明する。
【0025】
まず、図1に示すように、熱源であるヒータ1に、半導体装置を形成中の半導体ウェハ2の裏面(素子形成面とは反対側の面)を接触させるようにして、半導体ウェハ2をヒータ1上に配置する。次に、冷却材3に半導体ウェハ2の表面(素子形成面)を接触させるように、冷却材3を配置する。
【0026】
続いて、ヒータ1による加熱および冷却材3による冷却を開始する。すると、半導体ウェハ2の厚さ方向に温度勾配が形成される。すなわち、半導体ウェハ2の裏面側が高温領域となり、半導体ウェハ2の表面側が低温領域となる温度勾配が半導体ウェハ2の厚さ方向に形成される。
【0027】
すると、半導体ウェハ2内にある汚染物質である重金属2aは、高温領域である半導体ウェハ2の裏面に拡散し、集積される。
【0028】
また、互いに平行に配置されている電極4および電極5に電圧を印加して、電極4および電極5の間の領域に電場を発生させる。
【0029】
すると、半導体ウェハ2内にある汚染物質である重金属2aは、概ね正イオンであるため、負電圧が印加された電極4のある方向、すなわち半導体ウェハ2の裏面側に拡散し、集積される。
【0030】
集積された汚染物質である重金属2aは、図2に示すように、半導体ウェハ2の裏面を研磨することやエッチングすることにより除去される。
【0031】
このようにして、半導体ウェハ2内にある汚染物質である重金属2aを除去することができる。
【0032】
従来のゲッタリングは、捕獲領域であるゲッタリングサイトに拡散してきた重金属を捕獲する受動的なゲッタリングであった。これに対し、本実施の形態1におけるゲッタリングは、意図的に温度勾配や電場を印加して、汚染物質である重金属2aを集積領域に誘導して除去する能動的なゲッタリングである。したがって、従来のゲッタリングに比べて低温、短時間で効率良く汚染物質である重金属2aを除去することができる。すなわち、半導体ウェハの熱処理を枚葉式で行う場合であっても、充分に汚染物質を除去することができる。
【0033】
また、半導体装置の製造工程中に混入した汚染物質である重金属2aを、本実施の形態1におけるゲッタリングによって確実に除去することができるため、製造される半導体装置の電気特性の安定化および不良率の低減化を図ることができる。
【0034】
また、半導体装置の製造工程に入る前に熱処理を行って半導体ウェハ2に酸素析出欠陥を形成する必要がなくなるため、熱処理コストがかからず、低コストの半導体ウェハ2の適用が可能となる。つまり、本実施の形態1におけるゲッタリングによればコスト低減を図ることができる。
【0035】
次に、本実施の形態1におけるゲッタリングを行う半導体ウェハ2の具体的素子構造の一例を図3に示す。図3において、半導体ウェハ2に形成された具体的素子構造は、まず、シリコン基板10にMOS(Metal Oxide Semiconductor)型素子からなるトランジスタTr1、Tr2、Tr3が形成されている。
【0036】
トランジスタTr1、Tr2、Tr3は、不純物を導入したソース領域およびドレイン領域を有しており、また、酸化シリコン膜よりなるゲート絶縁膜およびこのゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極を有している。ゲート電極は、例えばポリシリコン膜およびこのポリシリコン膜上に形成されたコバルトシリサイド膜より形成されている。
【0037】
トランジスタTr1、Tr2、Tr3上には、例えば酸化シリコン膜よりなる層間絶縁膜と窒化シリコン膜よりなる層間絶縁膜が形成されており、これらの層間絶縁膜上には、第1層配線20が形成されている。第1層配線20は、層間絶縁膜を貫通する孔にタングステン膜を埋め込んで形成されたプラグと銅膜(Cu)を埋め込んで形成されたプラグとを介してトランジスタTr1、Tr2、Tr3と接続されている。
【0038】
第1層配線20は、孔にスパッタリング法などを使用して窒化チタン膜よりなるバリア膜を形成した後、めっき法を使用して銅膜を埋め込み、CMP(Chemical Mechanical Polishing)による研磨を施すことにより形成される。
【0039】
第1層配線20上には、例えば酸化シリコン膜よりなる層間絶縁膜と窒化シリコン膜よりなる層間絶縁膜が形成されており、これらの層間絶縁膜上には、第2層配線30が形成されている。
【0040】
第2層配線30は、層間絶縁膜を貫通する孔に銅膜を埋め込んで形成されたプラグによって、第1層配線20と接続されている。第2層配線30は、第1層配線20と同様に、孔にスパッタリング法などを使用して窒化チタン膜よりなるバリア膜を形成した後、めっき法を使用して銅膜を埋め込み、CMPによる研磨を施すことにより形成される。
【0041】
第2層配線30上には、例えば酸化シリコン膜よりなる層間絶縁膜と窒化シリコン膜よりなる層間絶縁膜が形成されており、これらの層間絶縁膜上には、第3層配線40が形成されている。第3層配線40は、層間絶縁膜を貫通する孔に銅膜を埋め込んで形成されたプラグによって、第2層配線30と接続されている。第3層配線は、第1層配線20や第2層配線30と同様に孔にスパッタリング法などを使用して窒化チタン膜よりなるバリア膜を形成後、めっき法を使用して銅膜を埋め込みCMPによる研磨を施すことにより形成される。
【0042】
第3層配線40上には、例えば酸化シリコン膜よりなる層間絶縁膜と窒化シリコン膜よりなる層間絶縁膜が形成されており、これらの層間絶縁膜上には、第4層配線50が形成されている。第4層配線50は、層間絶縁膜を貫通する孔にタングステン膜を埋め込んで形成されたプラグによって、第3層配線と接続されている。
【0043】
第4層配線50は、スパッタリング法を使用して窒化チタン膜よりなるバリア膜を形成した後、スパッタリング法を使用してアルミニウム膜を堆積し、その後再びスパッタリング法を使用して窒化チタン膜よりなるバリア膜を形成することによってできている。
【0044】
半導体ウェハ2に形成された半導体装置の具体的素子構造は、上記のように構成されており、配線を形成する配線工程においては、銅などの重金属が使用されている。したがって、第1層配線20、第2層配線30、第3層配線40または第4層配線50などを形成する前後の工程において、本実施の形態1におけるゲッタリングを行うことが有用であることがわかる。すなわち、配線工程の前後において、半導体ウェハ2の裏面をヒータ1によって加熱することにより、配線工程を経ることによって半導体ウェハ2内に拡散した銅を、半導体ウェハ2の裏面に集積して除去することができる。
【0045】
なお、配線工程の前後において、本実施の形態1におけるゲッタリングを行うとしたが、これに限らず、例えばトランジスタTr1、Tr2、Tr3を形成する工程であって、熱処理が必要な工程において、本実施の形態1におけるゲッタリングを行ってもよい。
【0046】
また、本実施の形態1におけるゲッタリングは、半導体装置の製造工程中に1回だけ行うのではなく、何回も行ってもよい。
【0047】
(実施の形態2)
前記実施の形態1における半導体装置の製造方法で使用するゲッタリングは、半導体ウェハの裏面側に集積した重金属を研磨やエッチングによって除去するものであった。これに対し、本実施の形態2における半導体装置の製造方法で使用するゲッタリングは、温度勾配を与えたり、電場を印加したりして重金属を集積領域に誘導した後、集積した重金属をゲッタリングサイトに捕獲させて固定するものである。
【0048】
図4は、本実施の形態2におけるゲッタリングを行うための装置を示した断面図である。図4において、ゲッタリングを行うための装置は、実施の形態1におけるゲッタリングを行うための装置と同様の構成をとっており、ヒータ1、冷却材3、電極4、電極5より構成されている。
【0049】
本実施の形態2においては、ヒータ1と冷却材3との間に挟まれた半導体ウェハ2の裏面(素子形成面とは反対側の面)近傍には、重金属2aを捕獲するためのゲッタリングサイト6が形成されている。このゲッタリングサイト6は、例えば予め半導体ウェハ2の裏面にCVD法を使用してポリシリコン膜を形成し、形成したポリシリコン膜によって発生する応力場や結晶欠陥から形成されている。
【0050】
このように半導体ウェハ2の裏面近傍にゲッタリングサイト6を形成することにより、温度勾配を与えたり、電場を印加したりして重金属2aを半導体ウェハ2の裏面に集積させた後、集積した重金属2aを予め形成したゲッタリングサイト6に固定することができる。
【0051】
(実施の形態3)
前記実施の形態1における半導体装置の製造方法で使用するゲッタリングは、半導体ウェハの裏面側に集積した重金属を研磨やエッチングによって除去するものであった。これに対し、本実施の形態3における半導体装置の製造方法で使用するゲッタリングは、温度勾配や電場を印加して重金属を集積領域に誘導した後、集積した重金属を半導体ウェハ2の外部領域に移すことによって除去するものである。
【0052】
図5は、本実施の形態3におけるゲッタリングを行うための装置を示した断面図である。図5において、ゲッタリングを行うための装置は、実施の形態1におけるゲッタリングを行うための装置とほぼ同様の構成をとっており、ヒータ1、冷却材3、電極4、電極5より構成されている。ヒータ1上にはシリコンプレート1aが配置されており、このシリコンプレート1a上に半導体ウェハ2が配置されている。したがって、シリコンプレート1aは、ヒータ1上に直接接するように配置されているため、シリコンプレート1a上に配置されている半導体ウェハ2より高温になっている。
【0053】
このようにシリコンプレート1aを設けることで、温度勾配を与えたり、電場を印加したりして重金属2aを半導体ウェハ2の裏面に集積させた後、さらに高温領域であるシリコンプレート1aに重金属2aが拡散する。このため、重金属2aを半導体ウェハ2から除去することができる。
【0054】
以上前記実施の形態1から本実施の形態3までにおいて、半導体ウェハ2の裏面に集積させた重金属2aを異なる方法で除去する場合について説明したが、これらを組み合わせた除去方法を使用してもよい。
【0055】
(実施の形態4)
前記実施の形態1から前記実施の形態3における半導体装置の製造方法で使用するゲッタリングでは、温度勾配を与えるとともに、電場を印加して重金属を集積領域に誘導して除去するものであったが、本実施の形態4における半導体装置の製造方法で使用するゲッタリングは、温度勾配を与えることによってのみ重金属を集積領域に誘導して除去するものである。
【0056】
図6は、本実施の形態4におけるゲッタリングを行うための装置を示した断面図である。図6において、ゲッタリングを行うための装置は、実施の形態1におけるゲッタリングを行うための装置より簡単な構成をとっており、ヒータ1、冷却材3より構成されている。ヒータ1上には、半導体ウェハ2が配置され、半導体ウェハ2の裏面(素子形成面とは反対側の面)がヒータ1に接触している。また、半導体ウェハ2上には、冷却材3が配置されており、半導体ウェハ2の表面(素子形成面)が冷却材3に接触している。
【0057】
このように構成することにより、半導体ウェハ2の表面と裏面との間に温度勾配を形成することができ、高温領域である裏面に重金属2aを集積させることができる。集積した重金属2aは、前記実施の形態1または3で述べたようにして除去する。また、集積した重金属2aを前記実施の形態2で述べたようにして固定してもよい。
【0058】
なお、本実施の形態4では、冷却材3を接触させるように構成したが、冷却材3を使用せず例えば不活性ガスからなる冷媒雰囲気を半導体ウェハ2の表面に導入するように構成してもよい。
【0059】
(実施の形態5)
前記実施の形態4は、温度勾配を与えることによってのみ重金属を集積領域に誘導して除去するものであった。これに対し本実施の形態5では、電場を印加することによってのみ重金属を集積領域に誘導して除去するものである。
【0060】
図7は、本実施の形態5におけるゲッタリングを行うための装置を示した断面図である。図7において、ゲッタリングを行うための装置は、電源に接続され、互いに平行になるように配置された電極4、電極5より構成されている。そして、この電極4と電極5との間には、素子形成面を電極5に相対するようにして半導体ウェハ2が配置されている。
【0061】
ここで、電極4には、負の電圧が印加されており、電極5には、正の電圧が印加されている。したがって、概ね正イオンの状態で半導体ウェハ2中に存在する重金属2aは、電極4側に引き付けられる。このため、半導体ウェハ2中に存在する重金属2aを半導体ウェハ2の裏面に集積することができる。集積した重金属2aは、前記実施の形態1で述べた方法により除去することができる。また、集積した重金属2aは、前記実施の形態2で述べた方法によりゲッタリングサイトに固定することができる。
【0062】
(実施の形態6)
前記実施の形態1におけるゲッタリングを行うための装置は、半導体ウェハ2の素子形成面に冷却材を接触させる構成をとったが、本実施の形態6は、半導体ウェハ2の素子形成面に冷却材を接触させることなく冷却する構成をとるものである。
【0063】
図8は、本実施の形態6におけるゲッタリングを行うための装置を示した断面図である。図8において、ゲッタリングを行うための装置は、ヒータ1、電極4、電極5、絶縁体7、および冷媒を吹き付ける冷却装置(図示せず)より構成されている。
【0064】
ヒータ1上には、電極4が配置されており、この電極4上には絶縁体7が配置されている。絶縁体7上には、半導体ウェハ2の裏面(素子形成面とは反対側の面)を絶縁体7に接触させるようにして、半導体ウェハ2が配置されている。半導体ウェハ2の表面(素子形成面)上には、冷媒を通過させる空間が設けてあり、この空間上に電極5が配置されている。
【0065】
このように構成することにより、半導体ウェハ2の表面は、冷媒により冷却される。一方、半導体ウェハ2の裏面は、ヒータ1によって加熱される。したがって、半導体ウェハ2の表面と裏面との間に温度勾配を形成することができ、高温領域である裏面に重金属2aを集積させることができる。集積した重金属2aは、前記実施の形態1または3で述べたようにして除去する。また、集積した重金属2aを前記実施の形態2で述べたようにして固定してもよい。
【0066】
本実施の形態6によれば、冷却材を接触させることなく、半導体ウェハ2の素子形成面を冷却することができるので、冷却材の接触による素子形成面へのダメージおよび汚染物質の付着や混入を防止することができる。
【0067】
なお、本実施の形態6では、電極4上に絶縁体7を配置したが、絶縁体7を配置せず、電極4と半導体ウェハ2との間に空間を設けても良い。
【0068】
(実施の形態7)
本実施の形態7では、半導体ウェハ2自体を電極とする場合について説明する。図9は、本実施の形態7におけるゲッタリングを行うための装置を示した断面図である。図9において、ゲッタリングを行うための装置は、ヒータ1、電極4、絶縁体7および冷媒を吹き付ける冷却装置(図示せず)より構成されている。ヒータ1上には、電極4が配置されており、この電極4上には、絶縁体7が配置されている。絶縁体7上には、半導体ウェハ2の裏面(素子形成面とは反対側の面)を接触させるようにして、半導体ウェハ2が配置されている。半導体ウェハ2は、直接電源に接続されており、電極を構成している。この半導体ウェハ2に正電圧を印加するとともに、電極4に負電圧を印加することにより、半導体ウェハ2に電場を印加することができる。また、この半導体ウェハ2の表面(素子形成面)には、冷媒が吹き付けられるようになっている。
【0069】
このように構成することにより、半導体ウェハ2の表面と裏面との間に温度勾配を形成することができ、高温領域である裏面に重金属2aを集積させることができる。また、半導体ウェハ2に電場を印加することによって、半導体ウェハ2の裏面側に重金属2aを集積することができる。ここで、半導体ウェハ2に直接電圧を印加しているため、電界密度が増し、より効率的に半導体ウェハ2の裏面に重金属2aを集積することができる。すなわち、ゲッタリング効率の向上を図ることができる。
【0070】
なお、集積した重金属2aは、前記実施の形態1または3で述べたようにして除去する。また、集積した重金属2aを前記実施の形態2で述べたようにして、ゲッタリングサイトに固定してもよい。
【0071】
(実施の形態8)
本実施の形態8では、熱を加える熱源が半導体ウェハと接触しない構造をしている場合について説明する。
【0072】
図10は、本実施の形態8におけるゲッタリングを行うための装置を示した断面図である。図10において、ゲッタリングを行うための装置は、電極4、ランプヒータ8、および冷媒を吹き付ける冷却装置(図示せず)より構成されている。
【0073】
ランプヒータ8は、輻射熱によって半導体ウェハ2の裏面(素子形成面とは反対側の面)を加熱できるように構成されており、このランプヒータ8上には、空間を挟んで電極4が配置されている。電極4は、電源に接続されており、負電圧が印加されるようになっている。この電極4上には、空間を挟んで半導体ウェハ2が配置されている。この半導体ウェハ2は、直接電源に接続されており、正電圧が印加される電極を構成している。また、半導体ウェハ2の表面(素子形成面)には、冷媒が吹き付けられるようになっている。
【0074】
このように構成することにより、半導体ウェハ2の表面と裏面との間に温度勾配を形成することができ、高温領域である裏面に重金属2aを集積させることができる。また、半導体ウェハ2に電場を印加することによって、半導体ウェハ2の裏面側に重金属2aを集積することができる。
【0075】
また、本実施の形態8では、半導体ウェハ2の加熱に輻射式のランプヒータ8を使用しているため、半導体ウェハ2とランプヒータ8の接触を回避することができる。したがって、熱源からの重金属2aの逆流による半導体ウェハ2の汚染を防止することができる。
【0076】
なお、集積した重金属2aは、前記実施の形態1で述べたようにして除去する。また、集積した重金属2aを前記実施の形態2で述べたようにして、ゲッタリングサイトに固定してもよい。
【0077】
以上、本発明者によってなされた発明を前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0078】
前記実施の形態では、冷却材を半導体ウェハの表面に接触させて半導体ウェハの表面を冷却する場合や、冷媒を半導体ウェハの表面に吹き付けて冷却する場合を説明したが、冷水を使用して冷却してもよい。また、冷却しなくてもよい。
【0079】
前記実施の形態で述べたゲッタリングを半導体ウェハ上に半導体装置を形成するウェハプロセス中に1回だけでなく何回も入れてよい。
【0080】
【発明の効果】
本願によって開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下の通りである。
【0081】
半導体装置の製造工程において、半導体ウェハの裏面(素子形成面とは反対側の面)を加熱、または表面(素子形成面)を冷却し、半導体ウェハの厚さ方向に温度勾配を形成することにより、高温領域である半導体ウェハの裏面に重金属を集積させた後、除去または固定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1におけるゲッタリングを行うための装置およびこの装置にセットされた半導体ウェハを示した断面図である。
【図2】本発明の実施の形態1におけるゲッタリングにより半導体ウェハの裏面に重金属が集積された状態を示す断面図である。
【図3】半導体ウェハに形成された具体的素子構造を示す断面図である。
【図4】本発明の実施の形態2におけるゲッタリングを行うための装置およびこの装置にセットされた半導体ウェハを示した断面図である。
【図5】本発明の実施の形態3におけるゲッタリングを行うための装置およびこの装置にセットされた半導体ウェハを示した断面図である。
【図6】本発明の実施の形態4におけるゲッタリングを行うための装置およびこの装置にセットされた半導体ウェハを示した断面図である。
【図7】本発明の実施の形態5におけるゲッタリングを行うための装置およびこの装置にセットされた半導体ウェハを示した断面図である。
【図8】本発明の実施の形態6におけるゲッタリングを行うための装置およびこの装置にセットされた半導体ウェハを示した断面図である。
【図9】本発明の実施の形態7におけるゲッタリングを行うための装置およびこの装置にセットされた半導体ウェハを示した断面図である。
【図10】本発明の実施の形態8におけるゲッタリングを行うための装置およびこの装置にセットされた半導体ウェハを示した断面図である。
【符号の説明】
1 ヒータ
1a シリコンプレート
2 半導体ウェハ
2a 重金属
3 冷却材
4 電極
5 電極
6 ゲッタリングサイト
7 絶縁体
8 ランプヒータ
10 シリコン基板
20 第1層配線
30 第2層配線
40 第3層配線
50 第4層配線
Claims (5)
- (a)半導体ウェハの素子形成面とは反対側の面を加熱、または前記素子形成面を冷却することにより、前記素子形成面とは反対側の面と前記素子形成面との間に温度勾配を形成する工程と、
(b)前記(a)工程で形成した温度勾配により、前記半導体ウェハ内にある汚染物質を、前記素子形成面とは反対側の面に集積する工程と、
(c)前記(b)工程で集積した前記汚染物質を除去する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - (a)半導体ウェハ内にある汚染物質を捕獲するためのゲッタリングサイトを前記半導体ウェハに形成する工程と、
(b)前記半導体ウェハの素子形成面とは反対側の面を加熱、または前記素子形成面を冷却することにより、前記素子形成面とは反対側の面と前記素子形成面との間に温度勾配を形成する工程と、
(c)前記(b)工程で形成した温度勾配により、前記半導体ウェハ内にある前記汚染物質を、前記素子形成面とは反対側の面に集積する工程と、
(d)前記(c)工程で集積した前記汚染物質を前記ゲッタリングサイトに固定する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - (a)半導体ウェハの素子形成面とは反対側の面を熱源に接触させることにより、前記素子形成面とは反対側の面と前記素子形成面との間に温度勾配を形成する工程と、
(b)前記(a)工程で形成した温度勾配により、前記半導体ウェハ内にある汚染物質を、前記素子形成面とは反対側の面に集積する工程と、
(c)前記(b)工程で集積した前記汚染物質を除去する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - (a)半導体ウェハの素子形成面とは反対側の面を熱源に接触させ、前記半導体ウェハの前記素子形成面を冷却材に接触させることにより、前記素子形成面とは反対側の面と前記素子形成面との間に温度勾配を形成する工程と、
(b)前記(a)工程で形成した温度勾配により、前記半導体ウェハ内にある汚染物質を、前記素子形成面とは反対側の面に集積する工程と、
(c)前記(b)工程で集積した前記汚染物質を除去する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - (a)半導体ウェハの素子形成面とは反対側の面を熱源に接触させ、前記半導体ウェハの前記素子形成面を冷却材に接触させることにより、前記素子形成面とは反対側の面と前記素子形成面との間に温度勾配を形成する工程と、
(b)前記半導体ウェハに電場を印加する工程と、
(c)前記(a)工程で形成した温度勾配と前記(b)工程で印加した電場により、前記半導体ウェハ内にある汚染物質を、前記素子形成面とは反対側の面に集積する工程と、
(d)前記(c)工程で集積した前記汚染物質を除去する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2011100996A (ja) * | 2009-10-09 | 2011-05-19 | Sumco Corp | 半導体基板内部の重金属の除去方法 |
-
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- 2002-07-05 JP JP2002196945A patent/JP2004039953A/ja active Pending
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