JP5466479B2 - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Description
第1の膜及び半導体膜がこの順番に形成された積層基板の前記半導体膜の上に、マスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンをエッチングマスクとして、前記半導体膜をエッチングすることにより、凹部を形成するとともに、前記凹部の底面の一部の領域に前記第1の膜が露出し、他の領域には、前記半導体膜の残渣が残っている状態でエッチングを停止させる工程と、
前記凹部の底面に露出した前記第1の膜を厚さ方向及び横方向にエッチングすることにより、前記残渣の下に空洞を形成する工程と、
前記積層基板を浸漬させた液体に超音波を印加することにより、前記空洞の上に残留している前記残渣を前記積層基板から除去する工程と
を有する半導体素子の製造方法が提供される。
11 基板
12 第1の膜
13 半導体膜
13a 残渣
13b 凸部
14 マスクパターン
15 凹部
16 空洞
20 エッチャント
21 エッチング容器
22 超音波処理容器
23 超音波
25 超音波処理用液体
41 成長用基板
42 バッファ層
43 n型半導体層
44 発光層
45 p型中間層
46 p型半導体層
47 p側電極
48 バリア層
49 接合層
60 支持基板
61 バリア層
62 接合層
70 マスクパターン
71 ストリート領域
73 凹部
75 残渣
76 凸部
78 空洞
80 残渣が繋がった領域
85 保護膜
86 n側電極
Claims (6)
- 第1の膜及び半導体膜がこの順番に形成された積層基板の前記半導体膜の上に、マスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンをエッチングマスクとして、前記半導体膜をエッチングすることにより、凹部を形成するとともに、前記凹部の底面の一部の領域に前記第1の膜が露出し、他の領域には、前記半導体膜の残渣が残っている状態でエッチングを停止させる工程と、
前記凹部の底面に露出した前記第1の膜を厚さ方向及び横方向にエッチングすることにより、前記残渣の下に空洞を形成する工程と、
前記積層基板を浸漬させた液体に超音波を印加することにより、前記空洞の上に残留している前記残渣を前記積層基板から除去する工程と
を有する半導体素子の製造方法。 - 前記第1の膜をエッチングする工程、及び前記積層基板に液体中で超音波を印加する工程が、前記第1の膜のエッチャントに前記積層基板を浸漬させた状態で、前記エッチャントに超音波を印加することにより、同時に進行する請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1の膜をエッチングする工程と、前記超音波を印加する工程とを少なくとも2サイクル交互に繰り返す請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1の膜が金属、または導電性を持つ金属酸化物で形成されており、前記半導体膜が、n型半導体膜と、p型半導体膜と、両者の間に配置された発光層とを含む発光構造を有する請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記マスクパターンを形成する工程の前に、さらに、
成長用基板の上に、前記半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜の上に、電極膜として前記第1の膜を形成する工程と、
支持基板と前記成長用基板との間に前記第1の膜が挟まれる向きで、前記成長用基板を前記支持基板に貼り合わせる工程と、
前記成長用基板を除去することにより、前記支持基板、前記第1の膜、及び前記半導体膜を含む前記積層基板を得る工程と
を有する請求項4に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記半導体膜はc軸を厚さ方向と平行にする窒化物半導体で形成されており、前記半導体膜をエッチングする際に、窒化物半導体の−c極性の表面が露出している請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。
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