JP5466156B2 - 電流誘導構造を備えた縦型ｌｅｄ - Google Patents

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Description

一般に本発明の実施形態は半導体処理に関し、特には発光ダイオード（ＬＥＤ）構造体の形成に関する。
発光ダイオード（ＬＥＤ）の製作中に、例えばｐドープＧａＮ層およびｎドープＧａＮ層を含んだ“ＬＥＤスタック（積層体）”のエピタキシャル構造体が形成される。図１は多重量子井戸（ＭＱＷ）層１０８によって分離されているｎドープ層１０６とｐドープ層１１０とを有した従来型ＬＥＤ装置１０２の１例を図示する。一般的には装置１０２は、ｃ面炭化ケイ素（ＳｉＣ）またはｃ面サファイアのように適した材料で成るキャリア／成長支持基材（図示せず）上に堆積され、熱的および電気的に伝導性である基材１０１に接合層２０４を介して接合される。反射層２０２は輝度を高める。ｎ型電極１１７と伝導性基材１０１をそれぞれ介してｎドープ層１０６とｐドープ層１１０との間に電圧が印加される。
場合によっては、例えば、電力消費を制限し、及び／又は装置１０２に対する破損を防止するため、ｎ型電極１１７を介して基材１０１に流れる電流量を制御することが望ましい。従って、電気的に絶縁性である層２０６はｐドープ層１１０の下で反射層２０２内に形成され、ｎ型電極１１７の下でコンタクト（接触）抵抗を高め、電流を遮断する。絶縁層２０６は、Ｈ・カプランのフォトニクス・スペクトラ（１９９１年１２月、ページ６４〜６６）で解説されている電流遮断層と類似する。発明の名称が“発光ダイオード層のウェハ接合”であるキッシュ他の米国特許第５３７６５８０号では、窪部を形成するためにパターン加工された半導体ウェハをエッチングすることと、その窪部が組み合わせ構造体内に空隙を創出するように別のＬＥＤ構造体にそのウェハを接合することを教示する。その組み合わせ構造体が印加電圧によって順方向バイアスされると電流はＬＥＤ構造体を流れるが、空気が電気絶縁体であるため、その空隙部には電流は流れず、その空隙部直下の領域には電流は流れない。従って、この空気空隙部は別種の電流遮断構造として機能する。
米国特許第５３７６５８０号
残念ながら、電流誘導に関するこれらの方法にはいつかの欠点が存在する。例えば、電気絶縁層２０６、空気空隙部および他の従来型電流遮断構造は熱伝導を制限する。そのために作動温度が高まり、装置の信頼度及び／又は寿命が犠牲になる。
さらに、図１の装置１０２のような従来のＬＥＤ装置は、静電放電（ＥＳＤ）および他の高過渡電圧により破損することがある。ＥＳＤスパイク現象が、例えばＬＥＤ装置自体の製作中、その運送中あるいはプリント回路板（ＰＣＢ）上または電気接続のための他の搭載面への設置中、等々である装置の取扱い中に発生することがある。このような高過渡電圧は装置の半導体層を破損し、故障の原因となり、装置の寿命を短くし、ＬＥＤ装置の信頼性を損なう。
従って、ＬＥＤ装置を流れる電流を誘導する改良技術が望まれている。
本発明の実施形態は一般的に、発光ダイオード（ＬＥＤ）等である半導体装置内で電流を誘導する技術と装置とを提供する。
本発明の１実施形態はＬＥＤを提供する。このＬＥＤは一般的に金属基材と、その金属基材上に堆積されて発光するＬＥＤスタックとを含む。このＬＥＤスタックはｐ型半導体層とｎ型半導体層とを含む。このＬＥＤはさらにそのｎ型半導体層上に堆積されたｎ型電極と、その金属基材とｎ型半導体との間で結合され、ｎ型半導体層との非オーミックコンタクトを形成する導電材料とを含む。
本発明の別実施形態はＬＥＤを提供する。このＬＥＤは一般的に金属基材と、その金属基材上に堆積され、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とを含んだ発光のためのＬＥＤスタックと、そのｎ型半導体層上に堆積されたｎ型電極と、ｎ型半導体上に堆積された保護装置と、その金属基材と保護装置との間で結合された導電材料とを含む。
本発明の別実施形態はＬＥＤを提供する。このＬＥＤは一般的に金属基材と、その金属基材上に堆積され、第１コンタクトおよび第２コンタクトを有するｐ型電極とを含む。この第１コンタクトは第２コンタクトよりも電気抵抗が高い。このＬＥＤはそのｐ型電極上に堆積された発光用のＬＥＤスタックをさらに含む。このＬＥＤスタックはそのｐ型電極に結合されたｐ型半導体層、及びｎ型半導体層を含む。このＬＥＤはｎ型半導体層上に堆積されたｎ型電極をさらに含む。
本発明の前記特徴の詳細な理解のため、本発明について、添付図面を参照に付し、いくつかの実施例を利用して以下において詳細に説明する。しかしながら添付図面は本発明の代表的な実施例のみを示すものであり、本発明の範囲を限定するものではなく、それ以外の実施形態であっても実施が可能である。
電流誘導構造を備えた従来の発光ダイオード（ＬＥＤ）の１例を図示する。 本発明の実施形態による電流誘導構造を備えた例示的ＬＥＤ装置を図示する。 図２で示すＬＥＤ装置への等価回路を図示する。 本発明の実施形態による第２（別）電流経路を備えた例示的ＬＥＤ装置を図示する。 図４で示すＬＥＤ装置への等価回路を図示する。 本発明の実施形態による電流誘導構造と第２電流経路とを備えた例示的ＬＥＤを図示する。 図６で示すＬＥＤ装置への等価回路を図示する。 本発明の実施形態による保護装置を備えた第２電流経路を備えた例示的ＬＥＤ装置を図示する。 本発明の実施形態による電流誘導構造と、保護装置を有した第２電流経路とを備えた例示的ＬＥＤ装置を図示する。 本発明の実施形態によるチップ形態である第２電流経路を備えた例示的ＬＥＤ装置を図示する。 本発明の実施形態によるパッケージ形態である第２電流経路を備えた例示的ＬＥＤ装置を図示する。 第２電流経路を備えた、あるいは備えていないＬＥＤ装置と比較した電流と電圧（ＩＶ）の例示的グラフである。 第２電流経路を備えた、あるいは備えていないＬＥＤ装置の静電放電（ＥＳＤ）量と対応生存率（故障回避を表す）の例示的グラフである。
本発明の実施例は、発光ダイオード（ＬＥＤ）のような半導体装置内を流れる電流を制御する技術を提供する。
本明細書中にて使用される相対位置を表す用語である“上”、“下”、“隣接”および“下側”は説明と理解を容易にする目的でのみ使用されており、特定の配向性を表すものではない。
図２は本発明の実施形態による電流誘導構造を備えた発光ダイオード（ＬＥＤ）装置の１例である。この装置は、ＡｌＩｎＧａＮ等の適した発光半導体材料を含むＬＥＤスタックとして知られる装置構造を含む。ＬＥＤスタックは、ｐ型半導体層１１０と、発光用の活性層１０８と、ｎ型半導体層１０６とを含んだヘテロ接合を含む。ＬＥＤスタックは上面１１９を有している。この上面１１９は図２のように粗面化加工されている。ＬＥＤ装置はこの上面１１９上に形成されたｎ型電極１１７を含む。このｎ型電極１１７はｎ型半導体層１０６に電気的に結合されている。このＬＥＤ装置はさらにｐ型半導体層１１０上にｐ型電極（反射層２０２とバリア金属層２０８はｐ型電極として機能）を含む。
ｐ型層１１０に隣接して反射層２０２が堆積されている。この反射層２０２にはバリア金属層２０８が割り込んでおり、低抵抗コンタクト領域２１３（第２コンタクト）と高抵抗コンタクト領域２１１（第１コンタクト）とをそれぞれ形成している。実施例によっては、低抵抗コンタクト領域２１３の体積は高抵抗コンタクト領域２１１の体積よりも大きい。導電性ではあるが低抵抗コンタクト領域よりも高い電気抵抗を有した高抵抗コンタクト領域２１１は、下記のように金属材料を利用して形成される。異なるレベルのコンタクト抵抗を有した領域の使用および注意深い処理によって、発光を増強するため、例えばｎ型電極１１７の下側に堆積されていない領域内の活性層から主として発光させるように、所望領域内の活性層から発光させるべく電流を方向付けるように機能させる。
このように、十分に導電性である電流誘導構造を備えた図２のＬＥＤ装置は、電気絶縁層２０６を備えた図１のＬＥＤ装置のように従来の電流遮断または他の電流誘導構造を備えた従来型ＬＥＤ装置に較べて大きな熱伝導性を有する。従って図２で示すＬＥＤ装置および導電性電流誘導構造を備えた本発明の他の実施形態では従来のＬＥＤ装置よりも装置の作動温度が低下し、信頼度が高まり、及び／又は寿命が長くなる。
図３は図２で示すＬＥＤ装置のための等価回路３００を図示する。図示のようにこの等価回路３００は、図２で示す高抵抗コンタクト領域２１１及び低抵抗コンタクト領域２１３の等価抵抗を表した並列に配置されている抵抗ＲＬ３０２及びＲＨ３０４を含む。低抵抗コンタクト領域２１３においては１つのみの抵抗が図示されているが、この抵抗ＲＬ３０２は、図２で示す２つの領域２１３のような１以上の並列する低抵抗コンタクト領域がまとまった等価抵抗を表す。同様に、抵抗ＲＨ３０４は１以上の並列する高抵抗コンタクト領域２１１がまとまった等価抵抗を表す。実施形態によっては、高抵抗コンタクトの等価抵抗は低抵抗コンタクトの等価抵抗の少なくとも２倍である。図示のように並列抵抗であるＲＬ３０２及びＲＨ３０４は、直列抵抗が存在しない理想的なＬＥＤを表すダイオード３０６と直列である。
金属基材または合金基材２０１の１以上の層はｐ型電極（図２の反射層２０２とバリア金属層２０８を含んで成る）に隣接して堆積される。この導電層２０１は単層または多層であり、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ−Ｃｏ、Ｎｉ−Ｃｏ、Ｃｕ−Ｗ、Ｃｕ−Ｍｏ、Ｇｅ、Ｎｉ／ＣｕおよびＮｉ／Ｃｕ−Ｍｏのような金属または合金で成る。この導電基材２０１の厚みは約１０μｍから４００μｍである。導電基材２０１は、電解堆積（ＥＣＤ）、無電解堆積（ＥｌｅｓｓＣＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、有機金属ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ）および物理気相堆積（ＰＶＤ）のような、いかなる適した薄膜堆積技術によっても堆積できる。実施例によっては無電解堆積を利用してシード金属層が堆積され、続いて導電基材２０１の１以上の追加金属層がシード金属層の上に電気メッキによって堆積される。
反射層２０２は単層または多層であり、光を反射する材料であって、高抵抗コンタクト領域２１１を形成するのに使用される材料よりも相対的に低い電気抵抗を有した材料で成る。例えば、反射層２０２は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、Ａｇ−Ａｌ、Ｍｇ／Ａｇ、Ｍｇ／Ａｇ／Ｎｉ、Ｍｇ／Ａｇ／Ｎｉ／Ａｕ、ＡｇＮｉ、Ｎｉ／Ａｇ／Ｎｉ／Ａｕ、Ａｇ／Ｎｉ／Ａｕ、Ａｇ／Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｎｉ／Ａｌ、ＡｕＢｅ、ＡｕＧｅ、ＡｕＰｄ、ＡｕＰｔ、ＡｕＺｎまたはＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、マグネシウム（Ｍｇ）、プラチナ（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）もしくは銅（Ｃｕ）を含む合金のような金属で成る。
実施例によっては、低抵抗コンタクト領域２１３は全方向反射（ＯＤＲ）システムを含む。ＯＤＲは、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）のような材料で成る導電透明層と、反射層とを含む。このＯＤＲは電流を方向付ける目的で、電流遮断構造または他の構造に割り込まれている。代表的なＯＤＲシステムは２００７年３月６日出願の米国特許出願第１１／６８２７８０号「全方向反射器を備えた縦型ＬＥＤ構造」内にて開示されている。
ｎ型電極１１７（コンタクトパッドまたはｎ型パッドとも称する）は単層または多層であり、Ｃｒ／Ａｕ、Ｃｒ／Ａｌ、Ｃｒ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｃｒ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｃｒ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｃｒ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕ、Ａｌ、Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ、Ａｌ／Ｐｔ／Ａｌ、Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕ、Ａｌ／Ｎｉ／Ａｌ、Ａｌ／Ｗ／Ａｌ、Ａｌ／Ｗ／Ａｕ、Ａｌ／ＴａＮ／Ａｌ、Ａｌ／ＴａＮ／Ａｕ、Ａｌ／Ｍｏ／Ａｕのような導電性を有する任意の適した材料で成る。このｎ型電極１１７の厚みは約０．１μｍから５０μｍである。このｎ型電極はＬＥＤスタックの上面１１９上への堆積、スパッタリング、蒸着、電解メッキ、無電解メッキ、コーティング及び／又は印刷により形成できる。
バリア金属層２０８は単層または多層であり、高抵抗コンタクト領域２１１を形成する材料を含む。例えば、バリア金属層２０８は、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、Ｍｇ、亜鉛（Ｚｎ）、Ｎｉ、Ｐｔ、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、Ｗ−Ｓｉ、Ｗ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｃｕ、Ｔａ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｕ、Ｃｒ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｎｉ／Ａｌ、Ｃｒ／Ａｌ、ＡｕＧｅ、ＡｕＺｎ、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｗ−Ｓｉ／Ａｕ、Ｃｒ／Ｗ／Ａｕ、Ｃｒ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｃｒ／Ｗ−Ｓｉ／Ａｕ、Ｃｒ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔａ／Ｐｔ／Ａｕ、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）および酸化インジウム亜鉛のような材料で成る。
図２で示すように保護層２２０はＬＥＤ装置の側面に隣接して形成される。これら保護層２２０はＬＥＤ装置、特にヘテロ接合を環境における電気的及び化学的な状況から保護するためのパッシベーション層（保護層）として機能する。
高抵抗コンタクト領域および低抵抗コンタクト領域は、例えば反射層２０２として機能する１以上の層を、電解堆積または無電解堆積等の適した方法によって堆積させることで形成される。反射層２０２において、高抵抗コンタクト領域２１１に指定された領域はウェットエッチングまたはドライエッチング等によって除去される。指定領域の除去後にバリア金属層２０８が反射層２０２内の間隙部（空スペース）に形成される。図２で示すような実施例によっては、高抵抗コンタクト領域２１１を構成するバリア金属層２０８は反射層２０２内の間隙部を充たし、反射層を被覆する。
実施例によっては、ＬＥＤスタック上面１１９はパターン加工され、あるいは粗面化され、滑らかな上面を有するＬＥＤよりも光抽出量を増加させる。上面１１９は適した任意の技術（例：ウェットエッチングまたはドライエッチング）によりパターン加工または粗面化されてもよい。
実施例によっては、本明細書で解説する電流誘導構造は図６及び図９で示す別第２電流経路と組み合わせてもよい。この第２電流経路は図４を利用して以下において詳細に説明する。
図４は本発明の実施例による第２電流経路４０２を有した例示的な発光ダイオード（ＬＥＤ）装置４００を図示する。図示のようにＬＥＤ装置４００は熱的および電気的に伝導性である基材２０１と、伝導性基材２０１上に堆積されたｐ型電極２０７と、ｐ型電極２０７上に堆積されたＬＥＤスタック１０４と、ＬＥＤスタック１０４上に堆積されたｎ型電極１１７とを含んでいる。ＬＥＤスタック１０４はヘテロ接合を含む。これはｐ型半導体層１１０と、発光用の活性層１０８と、ｎ型半導体層１０６とを含む。第２導電材料４１１が伝導性基材２０１およびｎ型半導体層１０６に結合され、伝導性基材２０１とｎ型半導体層１０６との間に第２電流経路４０２を提供すべくｎ型半導体層１０６を有した非オーミックコンタクト４１２を形成する。第２導電材料４１１は電子ビーム堆積、スパッタリング及び／又は印刷等の適した任意の技術によって形成される。
図示のように、電気絶縁層４０４が第２導電材料４１１とＬＥＤスタック１０４の少なくとも一部とを分離する。絶縁層４０４はＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、Ｔａ２Ｏ５、スピンオンガラス（ＳＯＧ）、ＭｇＯ、ポリマー、ポリイミド、フォトレジスト、パリレン、ＳＵ−８および熱可塑物質のような任意の適した電気絶縁材料で成る。実施例によっては、保護層２２０は絶縁層４０４として機能する。
前述のように、伝導性基材２０１は単層または多層であり、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ−Ｃｏ、Ｎｉ−Ｃｏ、Ｃｕ−Ｗ、Ｃｕ−Ｍｏ、Ｇｅ、Ｎｉ／ＣｕおよびＮｉ／Ｃｕ−Ｍｏのような金属または合金で成る。伝導性基材２１０の厚みは約１０μｍから４００μｍである。
図５は図４のＬＥＤ装置の等価回路５００を図示する。図示のように、等価回路５００は２つの並列電流経路を含む。第１電流経路は伝導性基材２０１からｎ型電極１１７へ順電流経路を形成する理想的なＬＥＤ５０４と直列である等価抵抗ＲＬ５０２を含む。第２電流経路４０２は双方向過渡電圧抑制（ＴＶＳ）ダイオード５０６で表されている。ＴＶＳダイオード５０６は、直列に接続された２つの対向するツェナーダイオードと同様に機能し、抵抗５０２と理想ＬＥＤ５０４を高過渡電圧から保護する。ＴＶＳダイオード５０６は過電圧に対して他の通常の過電圧保護コンポーネント（例：バリスタまたはガス放電管）よりも素早く反応し、ＴＶＳダイオード５０６を、非常に速く、しばしば損傷を及ぼす静電放電（ＥＳＤ）のような過渡電圧から保護する。図４の第２導電材料４１１は図５のＴＶＳダイオード５０６を形成する。第２導電材料４１１は、誘起電圧がツェナー破壊電圧を超えたとき、いずれかの方向に過電流を迂回させる。
図６は本発明の実施例による第２電流経路４０２を有した別例のＬＥＤ装置を図示する。図示のように第２電流経路４０２を有したＬＥＤ装置は分離された高抵抗コンタクト領域２１１と低抵抗コンタクト領域２１３とにより提供された電流誘導構造を含む。例えば、これら異なる抵抗コンタクト領域は図２に関して説明したようにバリア金属層２０８による反射層２０２への割り込みによって形成される。
図７は図６で示すＬＥＤ装置の等価回路７００を図示する。図示のように図５で示す単体の等価抵抗ＲＬ５０２は並列に組み合わされたＲＨ３０４とＲＬ３０２とにより置換され、それは、図６で示す隣接する高抵抗コンタクト領域２１１と低抵抗コンタクト領域２１３とを表す。等価回路７００の残りは図５で示す等価回路５００と同じである。換言すれば、図６で示すＬＥＤ装置は電流誘導および過渡電圧抑制の利点を有する。
図８は本発明の実施例による第２電流経路４０２を備えた別例のＬＥＤ装置を図示する。この実施例では保護装置８１０は第２電流経路４０２内に形成される。図示のように保護装置８１０はｎ型半導体層１０６上に形成され、過渡電圧保護または電流処理能力のレベルを向上させ、ＬＥＤ装置の信頼度及び／又は寿命を増加させる。保護装置８１０は、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＴｉＯ２、ＮｉＯ、ＳｒＴｉＯ３、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３およびポリメチル−メチルアクリレート（ＰＭＭＡ）のような任意の適した材料を含む。保護装置８１０の厚みは約１ｎｍから１０μｍである。
図９で図示するように、図８で示す第２電流経路４０２と保護装置８１０とを備えたＬＥＤ装置も、高抵抗コンタクト領域２１１と低抵抗コンタクト領域２１３とによる電流誘導構造を含む。例えば、これら異なる抵抗コンタクト領域は図２に関して説明したようにバリア金属層２０８による反射層２０２への割り込みにより形成されている。
図１０は本発明の実施例によるチップ形態の第２電流経路を備えた例示的なＬＥＤ装置を図示する。図示のように接合金属層１００２は第２電流経路内で保護装置８１０上にて電気接続のために堆積される。接合層１００２は、Ａｌ、Ａｕ、Ｔｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｃｒ／Ａｕ、Ｃｒ／Ａｌ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／ＡｌまたはＣｒ／Ｎｉ／Ａｕのような任意の電気接続に適した材料で成る。接合層１００２の厚みは０．５μｍから１０μｍである。実施例によっては、ｎ型電極１１７は図１１に関して解説するようにパッケージへの接合のために延伸される。
図１１は本発明の実施例に従ったパッケージ形態による図１０で示すＬＥＤ装置を図示する。図示のように、伝導性基材２０１は通常のパッケージの陽極リード（導体）１１０２に接合される。接合層１００２は、接合金属１００２に取り付けられた接合ワイヤ１１０４を介して陽極リード１１０２に結合されている。ｎ型電極１１７は、別の接合ワイヤ１１０８を介してパッケージの陰極リード１１０６に結合されている。
図１２は、第２電流経路を有するＬＥＤ装置及び第２電流経路を有さないＬＥＤ装置の例示的なＩ−Ｖ曲線１２０４及び１２０２を表すグラフ１２００である。Ｉ−Ｖ曲線１２０４で図示のように、第２電流経路はＬＥＤ装置に過剰電流を流すことなく高電圧に耐えさせ、破損を防止させ、及び／又は装置の寿命を引き延ばさせる。
図１３は、第２電流経路を有するＬＥＤ装置及び第２電流経路を有さないＬＥＤ装置のＥＳＤ電圧と、対応するＬＥＤ装置の生存率とを表す例示的なグラフを図示する。図示の場合には、第２電流経路を有さないＬＥＤ装置１３０４、１３０６、１３０８、１３１０および１３１２は、様々なＥＳＤ電圧において様々な生存率でテストをパスしている。これに対して、第２電流経路を備えたＬＥＤ装置は、２０００Ｖよりも高いＥＳＤ電圧レベルにおいても１００％またはその付近の生存率でテストをパスしている。
ここで説明する電流誘導構造は縦型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）に活用される利点を有するが、専門家であればこのような利点がほとんど全ての半導体装置において活用可能であることを理解するであろう。よって、ここで説明した構造は、ｐ−ｎ接合を有するいかなるタイプの半導体装置であっても、低抵抗コンタクト及び／又は過渡電圧抑制器の形成に利用できる。
前述の内容は本発明の実施形態を説明しているが、本発明の他の実施形態であっても、特許請求の範囲により定められる、本発明の技術的範囲内にて実施が可能である。

Claims (31)

  1. 発光ダイオード（ＬＥＤ）であって、
    金属基材と、
    前記金属基材上に配置されたｐ型半導体層と、当該ｐ型半導体層上に配置されたｎ型半導体層とを備える、前記金属基材上に堆積された発光のためのＬＥＤスタックと、
    前記ｎ型半導体層上に堆積されたｎ型電極と、
    前記金属基材と前記ｎ型半導体層との間で結合され、前記ｎ型半導体層との非オーミックコンタクトを形成する導電材料と、を備えることを特徴とするＬＥＤ。
  2. 前記金属基材は多重金属層を含むことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
  3. 前記金属基材は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ−Ｃｏ、Ｎｉ−Ｃｏ、Ｃｕ−Ｗ、Ｃｕ−Ｍｏ、Ｇｅ、Ｎｉ／Ｃｕ、Ｎｉ／Ｃｕ−Ｍｏ、または、それらの合金の少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１記載のＬＥＤ。
  4. 前記金属基材の厚みは１０μｍから４００μｍであることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
  5. 前記金属基材と前記ＬＥＤスタックの前記ｐ型半導体層との間に割り込んだｐ型電極をさらに備え、前記ｐ型電極は第１コンタクトと第２コンタクトとを有し、前記第１コンタクトは前記第２コンタクトよりも高い電気抵抗を有していることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
  6. 前記第２コンタクトは、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、Ａｇ−Ａｌ、Ｍｇ／Ａｇ、Ｍｇ／Ａｇ／Ｎｉ、Ｍｇ／Ａｇ／Ｎｉ／Ａｕ、ＡｇＮｉ、Ｎｉ／Ａｇ／Ｎｉ／Ａｕ、Ａｇ／Ｎｉ／Ａｕ、Ａｇ／Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｎｉ／Ａｌ、ＡｕＢｅ、ＡｕＧｅ、ＡｕＰｄ、ＡｕＰｔ、ＡｕＺｎ、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、または、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、ニッケル（Ｎｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、クロム（Ｃｒ）、プラチナ（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）もしくは銅（Ｃｕ）の少なくとも１種を含んだ合金、の少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項５に記載のＬＥＤ。
  7. 前記第２コンタクトは反射層を含むことを特徴とする請求項５に記載のＬＥＤ。
  8. 前記第１コンタクトはバリア金属層を含むことを特徴とする請求項５に記載のＬＥＤ。
  9. 前記第１コンタクトは多重金属層を含むことを特徴とする請求項５に記載のＬＥＤ。
  10. 前記第１コンタクトは、Ｐｔ、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、Ｗ−Ｓｉ、Ｎｉ、Ｃｒ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｗ／Ａｕ、Ｔａ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｗ−Ｓｉ／Ａｕ、Ｃｒ／Ｗ／Ａｕ、Ｃｒ／Ｗ−Ｓｉ／Ａｕ、Ｐｔ／Ａｕ、Ｃｒ／Ｐｔ／Ａｕ、または、Ｔａ／Ｐｔ／Ａｕの少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項５に記載のＬＥＤ。
  11. 前記ｐ型電極は全方向性反射（ＯＤＲ）システムを含むことを特徴とする請求項５に記載のＬＥＤ。
  12. 前記導電材料は多重金属層を含むことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
  13. 前記導電材料は、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｗ、Ｗ−Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｇｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｗ／Ａｕ、Ｔａ／Ａｕ、Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｔａ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｗ−Ｓｉ／Ａｕ、Ｃｒ／Ａｕ、Ｃｒ／Ａｌ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｌ、Ｎｉ／Ｃｕ、Ｃｒ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｃｒ／Ｗ／Ａｕ、Ｃｒ／Ｗ−Ｓｉ／Ａｕ、Ｃｒ／Ｐｔ／Ａｕ、ＡｕＧｅ、ＡｕＺｎ、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、または、酸化インジウム亜鉛の少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
  14. 前記ｎ型半導体層の上面は、ＬＥＤからの光抽出量を増加させるためにパターン加工または粗面化されていることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
  15. 前記ＬＥＤスタックと前記導電材料との間に電気絶縁材料をさらに含んでいることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
  16. 前記電気絶縁材料は、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、Ｔａ２Ｏ５、スピンオンガラス（ＳＯＧ）、ＭｇＯ、ポリマー、ポリイミド、フォトレジスト、パリレン、ＳＵ−８、または、熱可塑物質の少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１５に記載のＬＥＤ。
  17. 発光ダイオード（ＬＥＤ）であって、
    金属基材と、
    前記金属基材上に配置されたｐ型半導体層と、当該ｐ型半導体層上に配置されたｎ型半導体層とを備え、前記金属基材上に堆積された発光のためのＬＥＤスタックと、
    前記ｎ型半導体層上に堆積されたｎ型電極と、
    前記ｎ型半導体層上に堆積された保護装置と、
    前記金属基材と前記保護装置との間で結合された導電材料と、を備えることを特徴とするＬＥＤ。
  18. 前記保護装置は、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＴｉＯ２、ＮｉＯ、ＳｒＴｉＯ３、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、または、ポリメチル−メチルアクリレート（ＰＭＭＡ）の少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１７に記載のＬＥＤ。
  19. 前記保護装置の厚みは１ｎｍから１０μｍであることを特徴とする請求項１７に記載のＬＥＤ。
  20. 前記金属基材と前記ＬＥＤスタックの前記ｐ型半導体層との間に割り込んだｐ型電極をさらに備え、前記ｐ型電極は第１コンタクトと第２コンタクトとを有し、前記第１コンタクトは前記第２コンタクトよりも高い抵抗を有していることを特徴とする請求項１７に記載のＬＥＤ。
  21. 前記ｐ型電極は全方向性反射（ＯＤＲ）システムを含むことを特徴とする請求項２０に記載のＬＥＤ。
  22. 前記導電材料は多重金属層を含むことを特徴とする請求項１７に記載のＬＥＤ。
  23. 前記導電材料は、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｗ、Ｗ−Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｇｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｗ／Ａｕ、Ｔａ／Ａｕ、Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｔａ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｗ−Ｓｉ／Ａｕ、Ｃｒ／Ａｕ、Ｃｒ／Ａｌ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｌ、Ｃｒ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｃｒ／Ｗ／Ａｕ、Ｃｒ／Ｗ−Ｓｉ／Ａｕ、Ｃｒ／Ｐｔ／Ａｕ、ＡｕＧｅ、ＡｕＺｎ、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛、または、Ｎｉ／Ｃｕの少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１７に記載のＬＥＤ。
  24. 前記ＬＥＤスタックと前記導電材料との間に電気絶縁材料をさらに含んでいることを特徴とする請求項１７に記載のＬＥＤ。
  25. 前記電気絶縁材料は、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、Ｔａ２Ｏ５、スピンオンガラス（ＳＯＧ）、ＭｇＯ、ポリマー、ポリイミド、フォトレジスト、パリレン、ＳＵ−８、または、熱可塑物質の少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項２４に記載のＬＥＤ。
  26. 前記導電材料と前記保護装置との間に割り込んだ接合層をさらに含んでいることを特徴とする請求項１７に記載のＬＥＤ。
  27. 前記導電材料は、前記金属基材と前記接合層との間で結合されたワイヤであることを特徴とする請求項２６に記載のＬＥＤ。
  28. 前記接合層は多重金属層を含むことを特徴とする請求項２６に記載のＬＥＤ。
  29. 前記接合層は、Ｔｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｃｒ／Ａｕ、Ｃｒ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｌ、または、Ｃｒ／Ｎｉ／Ａｕの少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項２６に記載のＬＥＤ。
  30. 前記接合層の厚みは０．５μｍから１０μｍであることを特徴とする請求項２６に記載のＬＥＤ。
  31. 前記ｎ型半導体層の上面は、ＬＥＤからの光抽出量を増加させるためにパターン加工または粗面化されていることを特徴とする請求項１７に記載のＬＥＤ。
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Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0489150A (ja) * 1990-07-31 1992-03-23 Nisshin Steel Co Ltd 金網の製造方法および金網
WO2007004115A2 (en) * 2005-06-30 2007-01-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Organic electronic device and method for manufacture thereof
US8148733B2 (en) * 2007-06-12 2012-04-03 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Vertical LED with current guiding structure
US8546818B2 (en) 2007-06-12 2013-10-01 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Vertical LED with current-guiding structure
US8410510B2 (en) * 2007-07-03 2013-04-02 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device and method for fabricating the same
US8373152B2 (en) * 2008-03-27 2013-02-12 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting element and a production method therefor
US20090242929A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Chao-Kun Lin Light emitting diodes with patterned current blocking metal contact
DE102008022942A1 (de) * 2008-05-09 2009-11-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip
DE102008028345A1 (de) * 2008-06-13 2009-12-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers
KR101534848B1 (ko) 2008-07-21 2015-07-27 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법. 그리고 발광 소자 및 그발광 소자 제조방법
KR101064091B1 (ko) * 2009-02-23 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
TWI407596B (zh) * 2009-03-06 2013-09-01 Advanced Optoelectronic Tech 側邊散熱型發光二極體及其製程
KR100999726B1 (ko) 2009-05-04 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US8400064B2 (en) * 2009-09-09 2013-03-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Zener diode protection network in submount for LEDs connected in series
KR100986556B1 (ko) * 2009-10-22 2010-10-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US8502192B2 (en) * 2010-01-12 2013-08-06 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. LED with uniform current spreading and method of fabrication
KR100999692B1 (ko) * 2010-02-18 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101014155B1 (ko) 2010-03-10 2011-02-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
JP2011199006A (ja) * 2010-03-19 2011-10-06 Sharp Corp 窒化物半導体レーザ素子
KR101028206B1 (ko) * 2010-04-08 2011-04-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지
KR101007125B1 (ko) 2010-04-13 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
US20110260210A1 (en) * 2010-04-23 2011-10-27 Applied Materials, Inc. Gan-based leds on silicon substrates with monolithically integrated zener diodes
KR101020963B1 (ko) * 2010-04-23 2011-03-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101039880B1 (ko) * 2010-04-28 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 발광소자 패키지
KR100996446B1 (ko) * 2010-05-24 2010-11-25 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자의 제조방법 및 발광 소자 패키지
JP5281612B2 (ja) 2010-05-26 2013-09-04 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
US8552458B2 (en) * 2010-06-26 2013-10-08 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Side by side light emitting diode (LED) having separate electrical and heat transfer paths
KR101000311B1 (ko) * 2010-07-27 2010-12-13 (주)더리즈 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US8502244B2 (en) 2010-08-31 2013-08-06 Micron Technology, Inc. Solid state lighting devices with current routing and associated methods of manufacturing
KR101719623B1 (ko) * 2010-09-07 2017-03-24 엘지이노텍 주식회사 발광소자
US9076827B2 (en) 2010-09-14 2015-07-07 Applied Materials, Inc. Transfer chamber metrology for improved device yield
DE102010045390A1 (de) * 2010-09-15 2012-03-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronisches Halbleiterbauteils
BR112013014356B1 (pt) * 2010-12-08 2021-01-12 Nichia Corporation aparelho de emissão de luz semicondutor do grupo nitreto
US8686461B2 (en) 2011-01-03 2014-04-01 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) die having stepped substrates and method of fabrication
KR101933001B1 (ko) * 2011-03-14 2018-12-27 루미리즈 홀딩 비.브이. 플립 칩 설치를 위해 재배치된 수직 콘택들을 가진 led
JP5652373B2 (ja) * 2011-03-24 2015-01-14 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法
KR101803014B1 (ko) * 2011-08-24 2017-12-01 서울바이오시스 주식회사 발광다이오드
KR101865923B1 (ko) * 2011-10-12 2018-06-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
WO2013068878A1 (en) 2011-11-07 2013-05-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Improved p-contact with more uniform injection and lower optical loss
JP5768759B2 (ja) * 2012-04-27 2015-08-26 豊田合成株式会社 半導体発光素子
CN103383982A (zh) * 2012-05-03 2013-11-06 联胜光电股份有限公司 发光二极管的电极接触结构
US9437783B2 (en) * 2012-05-08 2016-09-06 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) contact structures and process for fabricating the same
KR101946917B1 (ko) * 2012-06-08 2019-02-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 제조방법
CN102709421B (zh) * 2012-06-21 2014-11-05 安徽三安光电有限公司 一种具有双反射层的氮化镓基发光二极管
US9269662B2 (en) * 2012-10-17 2016-02-23 Cree, Inc. Using stress reduction barrier sub-layers in a semiconductor die
CN103996774A (zh) * 2013-02-19 2014-08-20 旭明光电股份有限公司 具有电流引导结构的立式发光二极管
JP5818031B2 (ja) * 2013-03-21 2015-11-18 ウシオ電機株式会社 Ｌｅｄ素子
JP6136701B2 (ja) * 2013-07-24 2017-05-31 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102013112881A1 (de) * 2013-11-21 2015-05-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
JP6140101B2 (ja) * 2014-04-25 2017-05-31 ウシオオプトセミコンダクター株式会社 半導体光装置
US9673368B2 (en) * 2015-05-11 2017-06-06 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device having first and second electrodes on one side of a light emitting structure
US20210074880A1 (en) * 2018-12-18 2021-03-11 Bolb Inc. Light-output-power self-awareness light-emitting device

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2485810A1 (fr) * 1980-06-24 1981-12-31 Thomson Csf Procede de realisation d'une couche contenant du silicium et dispositif de conversion photo-electrique mettant en oeuvre ce procede
US5300791A (en) 1992-09-29 1994-04-05 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode
US5376580A (en) 1993-03-19 1994-12-27 Hewlett-Packard Company Wafer bonding of light emitting diode layers
ATE525755T1 (de) * 2001-10-12 2011-10-15 Nichia Corp Lichtemittierendes bauelement und verfahren zu seiner herstellung
EP1471583B1 (en) 2002-01-28 2009-10-07 Nichia Corporation Nitride semiconductor device having support substrate and its manufacturing method
US6841802B2 (en) * 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
KR101030068B1 (ko) * 2002-07-08 2011-04-19 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 반도체 소자의 제조방법 및 질화물 반도체 소자
CA2492249A1 (en) * 2002-07-22 2004-01-29 Cree, Inc. Light emitting diode including barrier layers and manufacturing methods therefor
TW577184B (en) * 2002-12-26 2004-02-21 Epistar Corp Light emitting layer having voltage/resistance interdependent layer
TW578318B (en) 2002-12-31 2004-03-01 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and method of making the same
US7078743B2 (en) * 2003-05-15 2006-07-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Field effect transistor semiconductor device
TWI223460B (en) * 2003-09-23 2004-11-01 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diodes in series connection and method of making the same
JP4273928B2 (ja) * 2003-10-30 2009-06-03 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体素子
JP4439271B2 (ja) * 2004-01-16 2010-03-24 三洋電機株式会社 ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子用のｐ型電極とその製造方法
WO2005069388A1 (ja) * 2004-01-20 2005-07-28 Nichia Corporation 半導体発光素子
EP1709694B1 (de) * 2004-01-26 2017-03-15 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Dünnfilm-led mit einer stromaufweitungsstruktur
JP2005259820A (ja) * 2004-03-09 2005-09-22 Sharp Corp Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体発光素子とその製造方法
WO2005091388A1 (en) * 2004-03-18 2005-09-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Nitride based led with a p-type injection region
TWI299914B (en) * 2004-07-12 2008-08-11 Epistar Corp Light emitting diode with transparent electrically conductive layer and omni directional reflector
KR100616600B1 (ko) * 2004-08-24 2006-08-28 삼성전기주식회사 수직구조 질화물 반도체 발광소자
JP4710282B2 (ja) * 2004-09-06 2011-06-29 富士ゼロックス株式会社 多波長面発光レーザの製造方法
JP2006086300A (ja) * 2004-09-15 2006-03-30 Sanken Electric Co Ltd 保護素子を有する半導体発光装置及びその製造方法
TWI244748B (en) * 2004-10-08 2005-12-01 Epistar Corp A light-emitting device with a protecting structure
US7679097B2 (en) * 2004-10-21 2010-03-16 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
US7413918B2 (en) * 2005-01-11 2008-08-19 Semileds Corporation Method of making a light emitting diode
US20060154393A1 (en) * 2005-01-11 2006-07-13 Doan Trung T Systems and methods for removing operating heat from a light emitting diode
US7563625B2 (en) * 2005-01-11 2009-07-21 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method of making light-emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening
KR100593943B1 (ko) 2005-04-30 2006-06-30 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지의 제조 방법
KR100691177B1 (ko) * 2005-05-31 2007-03-09 삼성전기주식회사 백색 발광소자
JP2007081010A (ja) * 2005-09-13 2007-03-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子
US7829909B2 (en) * 2005-11-15 2010-11-09 Verticle, Inc. Light emitting diodes and fabrication methods thereof
US7452739B2 (en) * 2006-03-09 2008-11-18 Semi-Photonics Co., Ltd. Method of separating semiconductor dies
JP5486759B2 (ja) * 2006-04-14 2014-05-07 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子の製造方法
JP4929924B2 (ja) * 2006-08-25 2012-05-09 サンケン電気株式会社 半導体発光素子、その製造方法、及び複合半導体装置

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