JP5461104B2

JP5461104B2 - Holding table and grinding device

Info

Publication number: JP5461104B2
Application number: JP2009191350A
Authority: JP
Inventors: 宏太郎門田
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2009-08-20
Filing date: 2009-08-20
Publication date: 2014-04-02
Anticipated expiration: 2029-08-20
Also published as: JP2011042003A

Description

本発明は、環状フレームの開口部に支持した半導体ウェーハを保持する保持テーブルおよび研削装置に関する。 The present invention relates to a holding table for holding a semiconductor wafer supported in an opening of an annular frame and a grinding apparatus.

ＩＣやＬＳＩ等のデバイスが表面に形成された半導体チップは、各種電子機器を小型化する上で必須のものとなっている。この半導体チップは、ワークとしての半導体ウェーハの表面を格子状の分割予定ライン（ストリート）により複数の矩形領域に区画し、区画された各矩形領域にデバイスを形成した後、分割予定ラインに沿って矩形領域が分割されることで製造される。 A semiconductor chip on which a device such as an IC or LSI is formed is indispensable for downsizing various electronic devices. In this semiconductor chip, the surface of a semiconductor wafer as a work is divided into a plurality of rectangular areas by grid-like division lines (streets), devices are formed in the divided rectangular areas, and then along the division lines It is manufactured by dividing the rectangular area.

このような半導体チップの製造工程において、分割に先だち、半導体ウェーハの一面が研削されて所定の厚さに薄化される。この研削装置においては、半導体ウェーハを保持する保持テーブルと、保持テーブルに保持された半導体ウェーハを研削加工する加工部と、加工中に半導体ウェーハの加工量を検出する接触式のセンサとを備え、この接触式のセンサによる検出結果に応じて加工部の駆動を制御するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。 In such a semiconductor chip manufacturing process, prior to division, one surface of the semiconductor wafer is ground and thinned to a predetermined thickness. The grinding apparatus includes a holding table for holding a semiconductor wafer, a processing unit for grinding the semiconductor wafer held on the holding table, and a contact sensor for detecting a processing amount of the semiconductor wafer during processing. A device that controls the driving of the machining unit in accordance with the detection result of the contact-type sensor is known (for example, see Patent Document 1).

この特許文献１に記載の接触式のセンサは、一対の接触子を有し、加工中に一方の接触子が半導体ウェーハの上面に接触され、他方の接触子が保持テーブルの上面に接触されている。接触式のセンサは、保持テーブルの上面を検出基準面として、半導体ウェーハの上面および検出基準面に接触された一対の接触子の高さの差分から半導体ウェーハの加工量を検出している。 The contact-type sensor described in Patent Document 1 has a pair of contacts. During processing, one contact is in contact with the upper surface of the semiconductor wafer, and the other contact is in contact with the upper surface of the holding table. Yes. The contact-type sensor detects the processing amount of the semiconductor wafer from the difference in height between a pair of contacts that are in contact with the upper surface of the semiconductor wafer and the detection reference surface, with the upper surface of the holding table as the detection reference surface.

特開２００７−２７６０９３号公報JP 2007-276093 A

ところで、近年、半導体チップの製造工程において、電子機器の小型化や軽量化の他、熱放散性の向上を目的として、半導体ウェーハの更なる薄化が望まれている。しかしながら、薄化された半導体ウェーハは、剛性が低下するため、搬送リスクが高くなるという問題があった。そこで、半導体ウェーハを環状フレームに貼着テープを介して支持させた状態で搬送することで、薄化された半導体ウェーハの搬送性を向上させることが考えられている。 Incidentally, in recent years, in the manufacturing process of semiconductor chips, in addition to miniaturization and weight reduction of electronic devices, further thinning of semiconductor wafers is desired for the purpose of improving heat dissipation. However, the thinned semiconductor wafer has a problem in that the rigidity is lowered and the transport risk is increased. Therefore, it is considered to improve the transportability of the thinned semiconductor wafer by transporting the semiconductor wafer in a state of being supported on the annular frame via the adhesive tape.

この環状フレームに支持された半導体ウェーハを特許文献１に記載の保持テーブルに保持すると、半導体ウェーハと環状フレームが同一平面上に保持されるため、加工部による研削加工時に環状フレームが妨害となる。このため、半導体ウェーハが保持されるテーブル部分の周囲に複数のクランプ部を設け、クランプ部により加工部の研削面に接触しないように環状フレームの上面を半導体ウェーハの上面よりも下げた位置で、環状フレームを保持する構成が考えられる。 When the semiconductor wafer supported by the annular frame is held on the holding table described in Patent Document 1, the semiconductor wafer and the annular frame are held on the same plane, and therefore the annular frame becomes an obstacle during grinding by the processing unit. For this reason, a plurality of clamp portions are provided around the table portion where the semiconductor wafer is held, and the upper surface of the annular frame is lowered from the upper surface of the semiconductor wafer so as not to contact the grinding surface of the processing portion by the clamp portions. A configuration for holding an annular frame is conceivable.

しかしながら、上記構成では、テーブル部分全体が環状フレームに設けられた貼着テープに覆われるため、接触式のセンサの検出基準面をテーブル部分の上面に設けることができず、半導体ウェーハの加工量を精度よく検出することができないという問題があった。 However, in the above configuration, since the entire table portion is covered with the adhesive tape provided on the annular frame, the detection reference surface of the contact type sensor cannot be provided on the upper surface of the table portion, and the processing amount of the semiconductor wafer is reduced. There was a problem that it could not be detected accurately.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、ワークを環状フレームに支持された状態で保持するものにおいて、センサにワークの加工量を精度よく検出させることができる保持テーブルおよび研削装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such a point, and in the case of holding a workpiece in a state of being supported by an annular frame, a holding table and a grinding apparatus capable of causing a sensor to detect the machining amount of the workpiece with high accuracy. The purpose is to provide.

本発明の保持テーブルは、貼着テープを介して環状フレームの開口部にワークを支持したワークユニットを保持する保持テーブルであって、前記ワークを研削加工または研磨加工する加工ユニットに対向して配置され、前記ワークを保持するワーク保持面と、冷却水が通る冷却路とが形成されたワーク保持部と、前記ワークの加工面より下方に前記環状フレームを保持するフレーム保持面が形成されたフレーム保持部と、該ワーク保持部から見て該フレーム保持部の外側に、前記加工ユニットによる加工中に前記ワークの加工量を検出するセンサの検出基準面が形成され、前記ワーク保持部を囲うように環状に形成された基準ブロック部とを備え、前記冷却路は、前記ワーク保持部の外周面に形成された開口を介して、前記ワーク保持部と環状の前記基準ブロック部とで形成される環状の中溝に連なることを特徴とする。 The holding table of the present invention is a holding table that holds a work unit that supports a work in an opening of an annular frame via an adhesive tape, and is disposed to face a processing unit that grinds or polishes the work. And a work holding part in which a work holding surface for holding the work, a cooling path through which cooling water passes are formed, and a frame in which a frame holding surface for holding the annular frame is formed below the processing surface of the work. A detection reference surface of a sensor that detects a processing amount of the workpiece during processing by the processing unit is formed outside the frame holding portion when viewed from the holding portion and the workpiece holding portion so as to surround the workpiece holding portion. and an annular formed in the reference block portion, the cooling passage through an opening formed in said outer peripheral surface of the workpiece holding portion, said workpiece holding portion and the ring Characterized in that connected to the groove in the annular be forming in said reference block unit.

この構成によれば、環状フレームは、ワークの加工面より下方に保持されるため、加工ユニットと接触することがなく、加工ユニットによるワーク加工時の妨害となることがない。また、基準ブロック部によって、ワーク保持部から見てフレーム保持部の外側にセンサの検出基準面が形成されるため、検出基準面がワークユニットに覆われることがない。したがって、基準ブロックの検出基準面を基準として、センサに加工ユニットによる加工中にワークの加工量を精度よく検出させることができる。 According to this configuration, since the annular frame is held below the workpiece processing surface, the annular frame does not come into contact with the processing unit and does not interfere with the processing of the workpiece by the processing unit. Further, since the reference block portion forms the detection reference surface of the sensor outside the frame holding portion when viewed from the work holding portion, the detection reference surface is not covered by the work unit. Therefore, the machining amount of the workpiece can be accurately detected by the sensor during machining by the machining unit with reference to the detection reference surface of the reference block.

また本発明は、上記保持テーブルにおいて、前記フレーム保持部に、前記環状フレームが保持されているか否かにより前記ワークユニットの有無を検出するワークユニット検出部を備え、前記フレーム保持部は、前記ワーク保持部の周囲に複数設けられ、前記環状フレームを吸着保持する吸着保持部を有し、前記ワークユニット検出部は、前記吸着保持部に吸着力を生じさせる負圧の変動に基づいて前記ワークユニットの有無を検出するように構成される。 In the holding table, the frame holding unit may further include a work unit detecting unit that detects the presence or absence of the work unit based on whether or not the annular frame is held. A plurality of suction holding units provided around the holding unit for sucking and holding the annular frame, and the work unit detection unit is configured to detect the work unit based on a negative pressure fluctuation that generates a suction force on the suction holding unit. It is comprised so that the presence or absence of may be detected.

また本発明は、上記保持テーブルにおいて、前記フレーム保持部は、前記ワーク保持部の周囲に複数設けられ、前記ワーク保持部に向かって突出する突出部を有し、前記環状フレームは、前記ワークユニットの特定の向きにおいて前記突出部を避けるように切欠部が形成されており、前記ワークユニットが特定の向きの状態のまま前記突出部を避けるように前記ワーク保持部側に下動され、前記ワークユニットが前記ワーク保持部に接触された後に、前記ワークユニットが前記特定の向きに対し相対的に所定量回転されることにより、前記複数の突出部に形成された下面により前記環状フレームの上面が押圧保持されるように構成される。 Also, in the holding table according to the present invention, a plurality of the frame holding portions are provided around the work holding portion, and have a protruding portion that protrudes toward the work holding portion, and the annular frame includes the work unit. A cutout portion is formed so as to avoid the protruding portion in a specific orientation of the workpiece, and the work unit is moved downward to the workpiece holding portion side so as to avoid the protruding portion in a specific orientation state, After the unit is brought into contact with the work holding part, the work unit is rotated by a predetermined amount relative to the specific direction, whereby the upper surface of the annular frame is formed by the lower surfaces formed in the plurality of projecting parts. It is configured to be pressed and held.

また本発明は、上記保持テーブルにおいて、前記フレーム保持部に、前記環状フレームが保持されているか否かにより前記ワークユニットの有無を検出するワークユニット検出部を備え、前記突出部の下面には、前記環状フレームに当接する位置に吸引口が開口され、前記ワークユニット検出部は、前記吸引口における負圧を測定し、前記吸引口における負圧の変動に基づいて前記ワークユニットの有無を検出するように構成される。 In the holding table, the frame holding unit includes a work unit detection unit that detects the presence or absence of the work unit based on whether or not the annular frame is held. A suction port is opened at a position in contact with the annular frame, and the work unit detection unit measures a negative pressure at the suction port and detects the presence or absence of the work unit based on a variation in the negative pressure at the suction port. Configured as follows.

本発明の研削装置は、上記の保持テーブルと、前記保持テーブルに保持された前記ワークユニットのワークを研削加工または研磨加工する加工ユニットとを備えて構成される。 A grinding apparatus according to the present invention includes the above holding table and a processing unit for grinding or polishing a work of the work unit held on the holding table.

本発明によれば、ワークを環状フレームに支持された状態で保持するものにおいて、センサにワークの加工量を精度よく検出させることができる。 According to the present invention, when the workpiece is held while being supported by the annular frame, the processing amount of the workpiece can be accurately detected by the sensor.

本発明に係る保持テーブルの第１の実施の形態を示す図であり、研削装置の外観斜視図である。It is a figure which shows 1st Embodiment of the holding table which concerns on this invention, and is an external appearance perspective view of a grinding device. 本発明に係る保持テーブルの第１の実施の形態を示す図であり、チャックテーブルの斜視図である。It is a figure which shows 1st Embodiment of the holding table which concerns on this invention, and is a perspective view of a chuck table. 本発明に係る保持テーブルの第１の実施の形態を示す図であり、チャックテーブルの部分断面図である。It is a figure which shows 1st Embodiment of the holding table which concerns on this invention, and is a fragmentary sectional view of a chuck table. 本発明に係る保持テーブルの第１の実施の形態を示す図であり、チャックテーブルに対するワークユニットの載置動作の一例を説明する説明図である。It is a figure which shows 1st Embodiment of the holding | maintenance table which concerns on this invention, and is explanatory drawing explaining an example of the mounting operation of the work unit with respect to a chuck | zipper table. 本発明に係る保持テーブルの第１の実施の形態を示す図であり、研削装置による半導体ウェーハの研削加工の一例を説明する説明図である。It is a figure which shows 1st Embodiment of the holding table which concerns on this invention, and is explanatory drawing explaining an example of the grinding process of the semiconductor wafer by a grinding device. 本発明に係る保持テーブルの第２の実施の形態を示す図であり、チャックテーブルの斜視図である。It is a figure which shows 2nd Embodiment of the holding table which concerns on this invention, and is a perspective view of a chuck table. 本発明に係る保持テーブルの第２の実施の形態を示す図であり、保持ブロックの斜視図である。It is a figure which shows 2nd Embodiment of the holding table which concerns on this invention, and is a perspective view of a holding block. 本発明に係る保持テーブルの第２の実施の形態を示す図であり、チャックテーブルに対するワークユニットの載置動作の一例を説明する説明図である。It is a figure which shows 2nd Embodiment of the holding table which concerns on this invention, and is explanatory drawing explaining an example of mounting operation | movement of the work unit with respect to a chuck | zipper table. 本発明に係る保持テーブルの第２の実施の形態を示す図であり、ワークユニット載置時のチャックテーブルの回転動作を説明する説明図である。It is a figure which shows 2nd Embodiment of the holding table which concerns on this invention, and is explanatory drawing explaining rotation operation of the chuck table at the time of work unit mounting. 本発明に係る保持テーブルの第１の実施の形態を示す図であり、ワークユニットの外観斜視図である。It is a figure which shows 1st Embodiment of the holding table which concerns on this invention, and is an external appearance perspective view of a work unit.

以下、本発明の第１の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。最初に、本発明の実施の形態に係る保持テーブルとしてのチャックテーブルについて説明する前に、加工対象となるワークユニットについて簡単に説明する。図１０は、本発明の第１の実施の形態に係るワークユニットの外観斜視図である。 Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. First, before describing a chuck table as a holding table according to an embodiment of the present invention, a work unit to be processed will be briefly described. FIG. 10 is an external perspective view of the work unit according to the first embodiment of the present invention.

図１０に示すように、ワークユニット１０１は、上面視略円形状の環状フレーム１０２の開口部に貼着テープ１０３を介して半導体ウェーハＷを支持している。半導体ウェーハＷは、上面視円形の板状に形成されており、貼着テープ１０３に貼着される下面が格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域に区画される。この区画された領域には、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１０４が形成される。 As shown in FIG. 10, the work unit 101 supports a semiconductor wafer W via an adhesive tape 103 in an opening of an annular frame 102 having a substantially circular shape when viewed from above. The semiconductor wafer W is formed in a circular plate shape when viewed from above, and is divided into a plurality of regions by division-scheduled lines in which the lower surface attached to the adhesive tape 103 is arranged in a grid pattern. A device 104 such as an IC or LSI is formed in the partitioned area.

環状フレーム１０２は、外周縁部側の四方が切り欠かれて面取り部１０５および弧状部１０６が形成されている。半導体ウェーハＷを挟んで対向する面取り部１０５は、それぞれ平行に形成されており、分割予定ラインの一方向と平行になっている。対向する面取り部１０５間の間隔は、後述するカセット５、６（図１参照）に形成された一対のガイドブロックの間隔に合わせて形成されている。したがって、面取り部１０５をガイドブロックに沿わせるように挿入することで、ワークユニット１０１が位置決め状態でカセット５、６に収納される。ワークユニット１０１は、カセット５、６内に収容された状態で研削装置１に搬入および搬出される。 The annular frame 102 has a chamfered portion 105 and an arcuate portion 106 formed by cutting off the four sides on the outer peripheral edge side. The chamfered portions 105 facing each other across the semiconductor wafer W are formed in parallel to each other, and are parallel to one direction of the planned dividing line. The interval between the facing chamfered portions 105 is formed in accordance with the interval between a pair of guide blocks formed in cassettes 5 and 6 (see FIG. 1) described later. Therefore, by inserting the chamfered portion 105 along the guide block, the work unit 101 is accommodated in the cassettes 5 and 6 in a positioned state. The work unit 101 is carried into and out of the grinding apparatus 1 while being accommodated in the cassettes 5 and 6.

なお、本実施の形態においては、ワークとしてシリコンウェーハ等の半導体ウェーハを例に挙げて説明するが、この構成に限定されるものではない。例えば、ＧａＡｓ等の半導体ウェーハ、セラミック、ガラス、サファイヤ（Al2O3）系の無機材料基板、板状金属や樹脂の延性材料、ミクロンオーダーからサブミクロンオーダーの平坦度（TTV: total thickness variation）が要求される各種加工材料が挙げられる。なお、ここでいう平坦度とは、ワークの被研削面を基準面として厚み方向を測定した高さのうち、最大値と最小値との差を示している。 In the present embodiment, a semiconductor wafer such as a silicon wafer will be described as an example of the workpiece, but the present invention is not limited to this configuration. For example, semiconductor wafers such as GaAs, ceramics, glass, sapphire (Al2O3) inorganic material substrates, ductile materials of sheet metal and resin, flatness (TTV: total thickness variation) from micron order to submicron order are required. And various processing materials. The flatness referred to here indicates the difference between the maximum value and the minimum value among the heights measured in the thickness direction using the surface to be ground of the workpiece as a reference surface.

次に、図１を参照して、研削装置の全体構成について説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態に係る研削装置の外観斜視図である。 Next, the overall configuration of the grinding apparatus will be described with reference to FIG. FIG. 1 is an external perspective view of a grinding apparatus according to a first embodiment of the present invention.

図１に示すように、研削装置１は、加工前のワークユニット１０１を搬入する他、加工後のワークユニット１０１を搬出する搬入搬出ユニット２と、搬入搬出ユニット２から搬入された半導体ウェーハＷを研削して薄化するウェーハ加工ユニット３とから構成されている。搬入搬出ユニット２は、直方体状の基台１１を有し、基台１１には搬入用カセット５、搬出用カセット６がそれぞれ載置されるカセット載置部１２、１３が前面１１ａから前方に突設されている。 As shown in FIG. 1, the grinding device 1 carries in a work unit 101 before processing, a loading / unloading unit 2 for unloading the processed work unit 101, and a semiconductor wafer W loaded from the loading / unloading unit 2. The wafer processing unit 3 is thinned by grinding. The carry-in / carry-out unit 2 has a rectangular parallelepiped base 11, on which the cassette placing portions 12 and 13 on which the carry-in cassette 5 and the carry-out cassette 6 are placed project forward from the front surface 11a. It is installed.

カセット載置部１２は、搬入口として機能し、加工前のワークユニット１０１が収容された搬入用カセット５が載置される。カセット載置部１３は、搬出口として機能し、加工後のワークユニット１０１が収容される搬出用カセット６が載置される。基台１１の上面には、カセット載置部１２、１３に面して搬入搬出アーム１４が設けられ、搬入搬出アーム１４に隣接してウェーハ加工ユニット３側の一の角部に位置決め機構１５、他の角部にスピンナー洗浄部１６がそれぞれ設けられている。また、基台１１の上面において、位置決め機構１５とスピンナー洗浄部１６との間には、ウェーハ供給部１７およびウェーハ回収部１８が設けられている。 The cassette placement unit 12 functions as a carry-in entrance, and the carry-in cassette 5 in which the work unit 101 before processing is accommodated is placed. The cassette placing portion 13 functions as a carry-out port, and the carry-out cassette 6 in which the processed work unit 101 is accommodated is placed. A loading / unloading arm 14 is provided on the upper surface of the base 11 so as to face the cassette mounting portions 12 and 13, and a positioning mechanism 15 is provided at one corner of the wafer processing unit 3 adjacent to the loading / unloading arm 14. Spinner cleaning units 16 are provided at the other corners. Further, on the upper surface of the base 11, a wafer supply unit 17 and a wafer recovery unit 18 are provided between the positioning mechanism 15 and the spinner cleaning unit 16.

搬入搬出アーム１４は、搬入用カセット５から位置決め機構１５に加工前のワークユニット１０１を搬入する他、スピンナー洗浄部１６から搬出用カセット６に加工後のワークユニット１０１を収納する。位置決め機構１５は、載置台２１と、載置台２１上の四方に設けられた４つの突き当てブロック２２とを有している。４つの突き当てブロック２２は、ワークユニット１０１の環状フレーム１０２の面取り部１０５に四方から突き当り、ワークユニット１０１を位置決めするものであり、三方に位置する突き当てブロック２２の突き当て面が平坦面、残りの一方に位置する突き当てブロック２２の突き当て面が曲面にそれぞれ形成されている。 The carry-in / carry-out arm 14 carries the unprocessed work unit 101 from the carry-in cassette 5 to the positioning mechanism 15 and also stores the processed work unit 101 in the carry-out cassette 6 from the spinner cleaning unit 16. The positioning mechanism 15 includes a mounting table 21 and four abutting blocks 22 provided in four directions on the mounting table 21. The four abutting blocks 22 abut against the chamfered portion 105 of the annular frame 102 of the work unit 101 from four directions to position the work unit 101. The abutting surface of the abutting block 22 located in three directions is a flat surface, The butting surfaces of the butting blocks 22 located on the remaining one are formed as curved surfaces, respectively.

ウェーハ供給部１７は、載置台２１に載置された加工前のワークユニット１０１をピックアップし、ウェーハ加工ユニット３のチャックテーブル（保持テーブル）３７に載置する。ウェーハ回収部１８は、チャックテーブル３７に載置された加工後のワークユニット１０１をピックアップし、スピンナー洗浄部１６のスピンナー洗浄テーブル２４に載置する。スピンナー洗浄部１６は、基台１１内においてスピンナー洗浄テーブル２４に載置されたワークユニット１０１を回転させ、洗浄水を噴射して洗浄する。 The wafer supply unit 17 picks up the unprocessed work unit 101 mounted on the mounting table 21 and places it on the chuck table (holding table) 37 of the wafer processing unit 3. The wafer recovery unit 18 picks up the processed work unit 101 placed on the chuck table 37 and places it on the spinner cleaning table 24 of the spinner cleaning unit 16. The spinner cleaning unit 16 rotates the work unit 101 placed on the spinner cleaning table 24 in the base 11 and sprays cleaning water to perform cleaning.

ウェーハ加工ユニット３は、荒研削ユニット３３、仕上げ研削ユニット３４および研磨ユニット３５とワークユニット１０１を保持したチャックテーブル３７とを相対回転させて半導体ウェーハＷを加工するように構成されている。また、ウェーハ加工ユニット３は、直方体状の基台３１を有し、基台３１の前面には搬入搬出ユニット２が接続されている。基台３１の上面には、４つのチャックテーブル３７が配置されたターンテーブル３８が設けられ、ターンテーブル３８の周囲には支柱部４１、４２、４３が立設されている。 The wafer processing unit 3 is configured to process the semiconductor wafer W by relatively rotating the rough grinding unit 33, the finish grinding unit 34, the polishing unit 35, and the chuck table 37 holding the work unit 101. The wafer processing unit 3 has a rectangular parallelepiped base 31, and the loading / unloading unit 2 is connected to the front surface of the base 31. A turntable 38 on which four chuck tables 37 are arranged is provided on the upper surface of the base 31, and support columns 41, 42, and 43 are erected around the turntable 38.

ターンテーブル３８は、大径の円盤状に形成されており、上面には周方向に９０度間隔で４つのチャックテーブル３７が配置されている。そして、ターンテーブル３８は、図示しない回転駆動機構に接続され、回転駆動機構によりＤ１方向に９０度間隔で間欠回転される。これにより、４つのチャックテーブル３７は、ウェーハ供給部１７およびウェーハ回収部１８との間でワークユニット１０１を受け渡す載せ換え位置、荒研削ユニット３３に半導体ウェーハＷを対向させる荒研削位置、仕上げ研削ユニット３４に半導体ウェーハＷを対向させる仕上げ研削位置、研磨ユニット３５に半導体ウェーハＷを対向させる研磨位置の間を移動される。 The turntable 38 is formed in a large-diameter disk shape, and four chuck tables 37 are arranged on the upper surface at intervals of 90 degrees in the circumferential direction. The turntable 38 is connected to a rotation drive mechanism (not shown), and is intermittently rotated at intervals of 90 degrees in the direction D1 by the rotation drive mechanism. As a result, the four chuck tables 37 have a transfer position for transferring the work unit 101 between the wafer supply unit 17 and the wafer collection unit 18, a rough grinding position for facing the semiconductor wafer W to the rough grinding unit 33, and finish grinding. It is moved between a finish grinding position where the semiconductor wafer W is opposed to the unit 34 and a polishing position where the semiconductor wafer W is opposed to the polishing unit 35.

チャックテーブル３７は、ワークユニット１０１を保持するものであり、中央部分で半導体ウェーハＷを保持すると共に、周辺部分で環状フレーム１０２を保持している。この場合、チャックテーブル３７は、半導体ウェーハＷよりも環状フレーム１０２を低い位置で保持しており、加工ユニット３３、３４、３５による加工中に研削面（研磨面）と環状フレーム１０２との接触を防止している。なお、チャックテーブル３７の詳細については後述する。 The chuck table 37 holds the work unit 101, holds the semiconductor wafer W at the central portion, and holds the annular frame 102 at the peripheral portion. In this case, the chuck table 37 holds the annular frame 102 at a position lower than the semiconductor wafer W, and the grinding surface (polishing surface) and the annular frame 102 are brought into contact with each other during processing by the processing units 33, 34, and 35. It is preventing. The details of the chuck table 37 will be described later.

基台３１の上面において、ターンテーブル３８の荒研削位置、仕上げ研削位置および研磨位置の近傍にはそれぞれ接触式センサ４５が設けられている。接触式センサ４５は、２つの接触子を有し、研削加工中に一方の接触子が半導体ウェーハＷの上面に接触され、他方の接触子がチャックテーブル３７上の後述する検出基準面７４ａに接触されている。そして、２つの接触子の高さの差分から研削深さが制御される。 On the upper surface of the base 31, contact sensors 45 are provided in the vicinity of the rough grinding position, the finish grinding position, and the polishing position of the turntable 38, respectively. The contact sensor 45 has two contacts. One of the contacts comes into contact with the upper surface of the semiconductor wafer W during grinding, and the other contact comes into contact with a later-described detection reference surface 74a on the chuck table 37. Has been. The grinding depth is controlled from the difference in height between the two contacts.

支柱部４１には、前面に荒研削ユニット３３を移動させる研削ユニット移動機構５１が設けられている。研削ユニット移動機構５１は、支柱部４１に対してボールねじ式の移動機構により上下方向に移動するＺ軸テーブル５２を有している。Ｚ軸テーブル５２には、前面に取り付けられた支持部５３を介して荒研削ユニット３３が支持されている。支柱部４２には、前面に仕上げ研削ユニット３４を移動させる研削ユニット移動機構５５が設けられている。研削ユニット移動機構５５は、研削ユニット移動機構５１と同様の構成を有し、仕上げ研削ユニット３４を支持している。 The support portion 41 is provided with a grinding unit moving mechanism 51 for moving the rough grinding unit 33 on the front surface. The grinding unit moving mechanism 51 has a Z-axis table 52 that moves up and down with respect to the support column 41 by a ball screw type moving mechanism. A rough grinding unit 33 is supported on the Z-axis table 52 via a support portion 53 attached to the front surface. The support portion 42 is provided with a grinding unit moving mechanism 55 that moves the finish grinding unit 34 to the front surface. The grinding unit moving mechanism 55 has the same configuration as the grinding unit moving mechanism 51 and supports the finish grinding unit 34.

支柱部４３には、前面に研磨ユニット３５を移動させる研磨ユニット移動機構６１が設けられている。研磨ユニット移動機構６１は、支柱部４３に対してボールねじ式の移動機構によりＹ軸方向に移動するＹ軸テーブル６２と、Ｙ軸テーブル６２に対してボールねじ式の移動機構により上下方向に移動するＺ軸テーブル６３とを有している。Ｚ軸テーブル６３には、前面に取り付けられた支持部６４を介して研磨ユニット３５が支持されている。 The support 43 is provided with a polishing unit moving mechanism 61 for moving the polishing unit 35 to the front surface. The polishing unit moving mechanism 61 is moved in the Y-axis direction with respect to the support 43 by a ball screw type moving mechanism, and is moved in the vertical direction with respect to the Y axis table 62 by a ball screw type moving mechanism. And a Z-axis table 63. The polishing unit 35 is supported on the Z-axis table 63 via a support portion 64 attached to the front surface.

荒研削ユニット３３は、図示しないスピンドルの下端に着脱自在に装着された研削砥石６６を有している。研削砥石６６は、ダイヤモンドの砥粒をメタルボンドやレジンボンド等の結合剤で固めたダイヤモンド砥石で構成されている。研削砥石６６は、スピンドルの駆動に伴い、Ｚ軸回りに回転される。仕上げ研削ユニット３４は、荒研削ユニット３３と略同様の構成を有しているが、研削砥石６７として粒度が細かいものを使用している。研磨ユニット３５は、荒研削ユニット３３と略同様の構成を有するが、研削砥石６６の代わりに発泡剤や繊維質等で形成された研磨砥石６８が使用される。 The rough grinding unit 33 has a grinding wheel 66 that is detachably attached to a lower end of a spindle (not shown). The grinding wheel 66 is composed of a diamond wheel in which diamond abrasive grains are hardened with a binder such as a metal bond or a resin bond. The grinding wheel 66 is rotated around the Z axis as the spindle is driven. The finish grinding unit 34 has substantially the same configuration as that of the rough grinding unit 33, but a grinding grindstone 67 having a fine particle size is used. The polishing unit 35 has substantially the same configuration as that of the rough grinding unit 33, but a polishing grindstone 68 formed of a foaming agent, fiber, or the like is used instead of the grinding grindstone 66.

次に、図２を参照して、チャックテーブルについて詳細構成に説明する。図２は、本発明の第１の実施の形態に係るチャックテーブルの斜視図である。 Next, the chuck table will be described in detail with reference to FIG. FIG. 2 is a perspective view of the chuck table according to the first embodiment of the present invention.

図２に示すように、チャックテーブル３７は、支持台７１と、支持台７１上に設けられ、上下方向に延びるＺ軸回りに回転可能な円板状のテーブル部７２とを有している。テーブル部７２の上面中央には、ワークユニット１０１の半導体ウェーハＷを吸着保持するワーク保持部７３が設けられている。ワーク保持部７３の周囲には、環状の基準ブロック部７４が設けられており、この基準ブロック部７４の内周面とワーク保持部７３の外周面とによりテーブル部７２上に環状の中溝７５が形成される。 As shown in FIG. 2, the chuck table 37 includes a support base 71 and a disk-shaped table portion 72 that is provided on the support base 71 and is rotatable about the Z axis extending in the vertical direction. In the center of the upper surface of the table unit 72, a work holding unit 73 for sucking and holding the semiconductor wafer W of the work unit 101 is provided. An annular reference block portion 74 is provided around the work holding portion 73, and an annular middle groove 75 is formed on the table portion 72 by the inner peripheral surface of the reference block portion 74 and the outer peripheral surface of the work holding portion 73. It is formed.

テーブル部７２上に形成された中溝７５には、周方向に等間隔で配置され、ワーク保持部７３の周囲において環状フレーム１０２を保持する４つの吸着パッド７６が配置されている。また、支持台７１の内部には、各吸着パッド７６に環状フレーム１０２が保持されているか否かにより、チャックテーブル３７上のワークユニット１０１の有無を検出するワークユニット検出部７７が設けられている。 In the middle groove 75 formed on the table portion 72, four suction pads 76 that are arranged at equal intervals in the circumferential direction and hold the annular frame 102 around the work holding portion 73 are arranged. In addition, a work unit detector 77 that detects the presence or absence of the work unit 101 on the chuck table 37 depending on whether or not the annular frame 102 is held by each suction pad 76 is provided inside the support base 71. .

ワーク保持部７３は、所定の厚みを有する円板状であり、上面にはポーラスセラミック材によりワーク保持面７３ａが形成されている。ワーク保持面７３ａは、負圧により貼着テープ１０３を介して半導体ウェーハＷを吸着する面であり、支持台７１の内部の配管を介して基台１１内の図示しない吸引源に接続されている。 The work holding portion 73 has a disk shape having a predetermined thickness, and a work holding surface 73a is formed on the upper surface by a porous ceramic material. The work holding surface 73 a is a surface that sucks the semiconductor wafer W through the adhesive tape 103 by negative pressure, and is connected to a suction source (not shown) in the base 11 through a pipe inside the support base 71. .

各吸着パッド７６は、パッド面７６ａを上方に向けてテーブル部７２上に立設されており、パッド面７６ａには吸引口が形成されている。パッド面７６ａは、吸引口の負圧により環状フレーム１０２を吸着する面であり、支持台７１の内部の配管を介して基台３１内の図示しない吸引源に接続されている。また、各パッド面７６ａは、ワーク保持面７３ａに平行なフレーム保持面を形成している。各パッド面７６ａにより形成されるフレーム保持面は、ワーク保持面７３ａよりも低い位置に形成されており、少なくとも環状フレーム１０２の上面が研削（研磨）加工後の半導体ウェーハＷの上面より下側に位置する様に環状フレーム１０２を保持する。 Each suction pad 76 is erected on the table portion 72 with the pad surface 76a facing upward, and a suction port is formed in the pad surface 76a. The pad surface 76 a is a surface that adsorbs the annular frame 102 due to the negative pressure of the suction port, and is connected to a suction source (not shown) in the base 31 via a pipe inside the support base 71. Each pad surface 76a forms a frame holding surface parallel to the work holding surface 73a. The frame holding surface formed by each pad surface 76a is formed at a position lower than the work holding surface 73a, and at least the upper surface of the annular frame 102 is below the upper surface of the semiconductor wafer W after grinding (polishing) processing. The annular frame 102 is held so as to be positioned.

基準ブロック部７４は、円環状に形成されており、ワーク保持部７３および各吸着パッド７６にワークユニット１０１が保持された場合に、ワークユニット１０１の外周を囲うようにテーブル部７２上に設けられている。基準ブロック部７４の上面は、ワーク保持面７３ａと同一平面内に位置されており、接触式センサ４５の検出基準面７４ａになっている。この検出基準面７４ａに接触式センサ４５の片側の接触子が接触されることで、接触式センサ４５により検出基準面７４ａを基準として半導体ウェーハＷの加工量が検出される。 The reference block part 74 is formed in an annular shape, and is provided on the table part 72 so as to surround the outer periphery of the work unit 101 when the work unit 101 is held by the work holding part 73 and each suction pad 76. ing. The upper surface of the reference block portion 74 is located in the same plane as the work holding surface 73 a and serves as a detection reference surface 74 a for the contact sensor 45. When the contact on one side of the contact sensor 45 is brought into contact with the detection reference surface 74a, the contact sensor 45 detects the processing amount of the semiconductor wafer W with reference to the detection reference surface 74a.

ワークユニット検出部７７は、吸着パッド７６の吸引口に連なる管路内の負圧を検出する図示しない圧力センサを有し、圧力センサの測定値に応じてチャックテーブル３７上のワークユニット１０１の有無を検出する。具体的には、ワークユニット検出部７７は、判定用の閾値を記憶しており、圧力センサに測定された負圧の大きさを閾値以上か否かを判定し、負圧の大きさを閾値以上と判定した場合にワークユニット１０１を検出する。 The work unit detection unit 77 has a pressure sensor (not shown) that detects a negative pressure in the pipe line connected to the suction port of the suction pad 76, and the presence or absence of the work unit 101 on the chuck table 37 according to the measurement value of the pressure sensor. Is detected. Specifically, the work unit detection unit 77 stores a threshold value for determination, determines whether or not the magnitude of the negative pressure measured by the pressure sensor is equal to or greater than the threshold value, and sets the magnitude of the negative pressure as the threshold value. When it is determined as above, the work unit 101 is detected.

例えば、環状フレーム１０２により吸着パッド７６の吸引口が覆われていない場合、管路内の負圧が閾値未満と判定され、ワークユニット検出部７７によりワークユニット１０１が検出されない。一方、ワークユニット１０１により吸着パッド７６の吸引口が覆われると、管路内の負圧が大きくなって閾値以上と判定され、ワークユニット検出部７７によりワークユニット１０１が検出される。 For example, when the suction port of the suction pad 76 is not covered by the annular frame 102, it is determined that the negative pressure in the pipe line is less than the threshold value, and the work unit detection unit 77 does not detect the work unit 101. On the other hand, when the suction port of the suction pad 76 is covered with the work unit 101, the negative pressure in the pipe line is increased and determined to be equal to or greater than the threshold value, and the work unit detection unit 77 detects the work unit 101.

このように、ワークユニット検出部７７は、負圧によりワークユニット１０１の有無を検出するため、電気的にワークユニット１０１の有無を検出する構成と比較して、部品点数を減らして安価に検出部を構成することができる。また、電気配線が必要なセンサをチャックテーブル３７のように回転するものに設置することは配線の関係上困難であるが、負圧によりワークユニット１０１の有無を検出する手法を用いた場合はチャックテーブル３７上の環状フレーム１０２の有無を容易に検出できる。 Thus, since the work unit detection unit 77 detects the presence or absence of the work unit 101 by negative pressure, the detection unit can be reduced in cost by reducing the number of parts compared to a configuration in which the presence or absence of the work unit 101 is electrically detected. Can be configured. In addition, it is difficult to install a sensor that requires electrical wiring on a rotating table such as the chuck table 37 because of wiring, but when using a method of detecting the presence or absence of the work unit 101 by negative pressure, the chuck The presence or absence of the annular frame 102 on the table 37 can be easily detected.

また、図３に示すように、ワーク保持部７３の内部には、ワーク保持面７３ａを冷却する冷却水が通る冷却路８１が形成されている。冷却路８１は、ワーク保持部７３の中心位置から四方に延び、ワーク保持部７３の外周面に形成された４つの開口８２を介して中溝７５に連通されている。ワーク保持部７３の中心に位置する冷却路８１の合流部分には、テーブル部７２および支持台７１の内部の流路を介して基台１１内に設けられた図示しない給水源が接続される。給水源から供給された冷却水は、冷却路８１を通過することにより、ワーク保持面７３ａを介して半導体ウェーハＷを冷却している。 As shown in FIG. 3, a cooling path 81 through which cooling water for cooling the work holding surface 73 a passes is formed inside the work holding portion 73. The cooling path 81 extends in four directions from the center position of the work holding portion 73 and communicates with the middle groove 75 through four openings 82 formed on the outer peripheral surface of the work holding portion 73. A water supply source (not shown) provided in the base 11 is connected to a confluence portion of the cooling path 81 located at the center of the work holding portion 73 via a flow path inside the table portion 72 and the support base 71. The cooling water supplied from the water supply source passes through the cooling path 81 to cool the semiconductor wafer W through the work holding surface 73a.

冷却路８１を通過した冷却水は、環状の中溝７５に流出され、中溝７５を洗浄する洗浄水として利用される。中溝７５に流出された冷却水は、半導体ウェーハＷの加工によって中溝７５に飛散された研削屑を洗い流し、基準ブロック部７４の内周面に形成された排水口８３を介して排出される。このように、中溝７５は、ワーク保持部７３の開口８２から流出される冷却水により洗浄されることにより、研削屑が堆積することなくクリーンに保たれている。また、冷却水を中溝７５の洗浄に用いることにより、冷却水を利用せずに中溝７５を洗浄水で洗浄する構成と比較して、節水することができる。 The cooling water that has passed through the cooling path 81 flows out into the annular middle groove 75 and is used as washing water for washing the middle groove 75. The cooling water that has flowed out into the intermediate groove 75 ishes away the grinding scraps scattered into the intermediate groove 75 by processing the semiconductor wafer W, and is discharged through a drain port 83 formed in the inner peripheral surface of the reference block portion 74. In this manner, the middle groove 75 is kept clean without being accumulated by grinding waste by being washed with the cooling water flowing out from the opening 82 of the work holding portion 73. Further, by using the cooling water for cleaning the middle groove 75, it is possible to save water compared to the configuration in which the middle groove 75 is washed with the washing water without using the cooling water.

図４を参照して、チャックテーブルに対するワークユニットの載置動作について説明する。図４は、本発明の第１の実施の形態に係るチャックテーブルに対するワークユニットの載置動作の一例を説明する説明図である。 With reference to FIG. 4, the operation of placing the work unit on the chuck table will be described. FIG. 4 is an explanatory view illustrating an example of the operation of placing the work unit on the chuck table according to the first embodiment of the present invention.

図４（ａ）に示すように、ウェーハ供給部１７は、載置台２１において位置決めされたワークユニット１０１を吸着保持し、チャックテーブル３７の上方に位置させる。この場合、ウェーハ供給部１７は、ワークユニット１０１の環状フレーム１０２の上面を保持している。そして、ウェーハ供給部１７は、チャックテーブル３７の上方からチャックテーブル３７に向かって下動し始める。 As shown in FIG. 4A, the wafer supply unit 17 sucks and holds the work unit 101 positioned on the mounting table 21 and positions it above the chuck table 37. In this case, the wafer supply unit 17 holds the upper surface of the annular frame 102 of the work unit 101. Then, the wafer supply unit 17 starts to move downward from the upper side of the chuck table 37 toward the chuck table 37.

ウェーハ供給部１７の下動により、最初にワークユニット１０１の半導体ウェーハＷの背面側がワーク保持部７３のワーク保持面７３ａに接触され、続いてワークユニット１０１の環状フレーム１０２の背面側が各吸着パッド７６のパッド面７６ａに接触される。そして、図４（ｂ）に示すように、半導体ウェーハＷの上面よりも低い位置に環状フレーム１０２の上面が位置される。この場合、環状フレーム１０２は、加工ユニット３３、３４、３５による半導体ウェーハＷの加工中に研削面（研磨面）と接触しない高さに位置されている。 By the downward movement of the wafer supply unit 17, the back side of the semiconductor wafer W of the work unit 101 is first brought into contact with the work holding surface 73 a of the work holding unit 73, and then the back side of the annular frame 102 of the work unit 101 is brought into contact with the suction pads 76. The pad surface 76a is contacted. 4B, the upper surface of the annular frame 102 is positioned at a position lower than the upper surface of the semiconductor wafer W. In this case, the annular frame 102 is positioned at a height that does not contact the grinding surface (polishing surface) during processing of the semiconductor wafer W by the processing units 33, 34, and 35.

そして、半導体ウェーハＷが貼着テープ１０３を介してワーク保持面７３ａに吸着保持されると共に、環状フレーム１０２が貼着テープ１０３を介して各吸着パッド７６に吸着保持される。このとき、環状フレーム１０２により各吸着パッド７６のパッド面７６ａが覆われるため、ワークユニット検出部７７によりチャックテーブル３７上のワークユニット１０１が検出される。このようにして、ワークユニット１０１がチャックテーブル３７に保持されると、ウェーハ供給部１７はワークユニット１０１の吸着を解除し、チャックテーブル３７から離間するように上動する。 The semiconductor wafer W is sucked and held on the work holding surface 73 a via the sticking tape 103, and the annular frame 102 is sucked and held on each suction pad 76 via the sticking tape 103. At this time, since the pad surface 76 a of each suction pad 76 is covered by the annular frame 102, the work unit 101 on the chuck table 37 is detected by the work unit detection unit 77. In this way, when the work unit 101 is held on the chuck table 37, the wafer supply unit 17 releases the suction of the work unit 101 and moves upward so as to be separated from the chuck table 37.

図５を参照して、研削装置による研削加工について説明する。図５は、本発明の第１の実施の形態に係る研削装置による半導体ウェーハの研削加工の一例を説明する説明図である。なお、図５においては、荒研削ユニットによる荒研削加工を例示して説明するが、仕上げ研削ユニットおよび研磨ユニットも同様の動作で加工を行う。 With reference to FIG. 5, the grinding process by a grinding apparatus is demonstrated. FIG. 5 is an explanatory view for explaining an example of the grinding process of the semiconductor wafer by the grinding apparatus according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 5, the rough grinding process by the rough grinding unit will be described as an example. However, the finish grinding unit and the polishing unit also perform the same operation.

図５（ａ）に示すように、ワークユニット１０１がチャックテーブル３７に保持されると、接触式センサ４５の一方の接触子４５ａが半導体ウェーハＷの加工面となる上面に接触され、他方の接触子４５ｂが基準ブロック部７４の検出基準面７４ａに接触される。そして、接触式センサ４５により２つの接触子４５ａ、４５ｂの高さの差分値の検出が開始される。 As shown in FIG. 5A, when the work unit 101 is held on the chuck table 37, one contact 45a of the contact sensor 45 is brought into contact with the upper surface serving as the processing surface of the semiconductor wafer W, and the other contact is made. The child 45b is brought into contact with the detection reference surface 74a of the reference block 74. And the detection of the difference value of the height of the two contactors 45a and 45b by the contact sensor 45 is started.

次に、図５（ｂ）に示すように、荒研削ユニット３３が駆動されると、スピンドルとチャックテーブル３７が回転され、スピンドルと共に回転された研削砥石６６の研削面がワーク保持部７３に保持された半導体ウェーハＷの上面に押し当てられて研削加工が行われる。この場合、研削砥石６６は、研削面が半導体ウェーハＷの中心を通過するように半導体ウェーハＷに押し当てられるため、半導体ウェーハＷ全体を覆うことがない。このように、半導体ウェーハＷの加工面が研削砥石６６から露出されるため、研削加工中に接触式センサ４５の接触子４５ａを半導体ウェーハＷの加工面に接触させることが可能となる。 Next, as shown in FIG. 5B, when the rough grinding unit 33 is driven, the spindle and the chuck table 37 are rotated, and the grinding surface of the grinding wheel 66 rotated together with the spindle is held by the work holding unit 73. Grinding is performed by pressing against the upper surface of the semiconductor wafer W. In this case, the grinding wheel 66 is pressed against the semiconductor wafer W so that the grinding surface passes through the center of the semiconductor wafer W, and therefore does not cover the entire semiconductor wafer W. Thus, since the processing surface of the semiconductor wafer W is exposed from the grinding wheel 66, the contact 45a of the contact sensor 45 can be brought into contact with the processing surface of the semiconductor wafer W during the grinding processing.

また、基準ブロック部７４は、ワーク保持部７３を囲う環状に形成され、検出基準面７４ａが周方向に一定の高さとなるため、チャックテーブル３７の回転に伴って回転された場合でも、高さレベルを一定に保つことが可能となる。このように、基準ブロック部７４を環状とすることにより、研削加工中に接触式センサ４５の接触子４５ｂを、常に一定の高さレベルで基準ブロック部７４に接触させることが可能となる。 Further, the reference block portion 74 is formed in an annular shape surrounding the work holding portion 73, and the detection reference surface 74 a has a constant height in the circumferential direction. Therefore, even when the reference block portion 74 is rotated along with the rotation of the chuck table 37, the height is increased. It becomes possible to keep the level constant. In this way, by making the reference block portion 74 annular, the contact 45b of the contact sensor 45 can always be brought into contact with the reference block portion 74 at a constant height level during grinding.

そして、接触式センサ４５は、接触子４５ａおよび接触子４５ｂを介して、半導体ウェーハＷの加工面と検出基準面７４ａとの高さの差分値をリアルタイムで検出する。接触式センサ４５によって検出された差分値は、研削装置１内の図示しない制御部にフィードバックされる。制御部は、接触式センサ４５によりフィードバックされた差分値が目標値に近づくように荒研削ユニット３３の加工送り量を制御する。 The contact sensor 45 detects the difference in height between the processing surface of the semiconductor wafer W and the detection reference surface 74a in real time via the contact 45a and the contact 45b. The difference value detected by the contact sensor 45 is fed back to a control unit (not shown) in the grinding apparatus 1. The control unit controls the processing feed amount of the rough grinding unit 33 so that the difference value fed back by the contact sensor 45 approaches the target value.

なお、本実施の形態においては、検出基準面７４ａがワーク保持面７３ａと同一平面内にあるため、加工後の半導体ウェーハＷおよび貼着テープ１０３の厚みの合計値が目標値として制御部に設定されている。しかしながら、検出基準面７４ａがワーク保持面７３ａと同一平面内にある構成に限定されるものではない。半導体ウェーハＷの加工面と検出基準面７４ａとの差分から加工後の半導体ウェーハＷの厚みを正確に検出可能であれば、検出基準面７４ａをワーク保持面７３ａと異なる高さに設けるようにしてもよい。 In the present embodiment, since the detection reference surface 74a is in the same plane as the work holding surface 73a, the total thickness of the processed semiconductor wafer W and the adhesive tape 103 is set as a target value in the control unit. Has been. However, the configuration is not limited to the configuration in which the detection reference surface 74a is in the same plane as the work holding surface 73a. If the thickness of the processed semiconductor wafer W can be accurately detected from the difference between the processed surface of the semiconductor wafer W and the detection reference surface 74a, the detection reference surface 74a is provided at a height different from the workpiece holding surface 73a. Also good.

次に、研削装置による研削動作の流れについて説明する。 Next, the flow of the grinding operation by the grinding apparatus will be described.

搬入搬出アーム１４により搬入用カセット５から加工前のワークユニット１０１が取り出され、位置決め機構１５に載置される。次に、位置決め機構１５においてワークユニット１０１が４つの突き当てブロック２２により突き当てられて位置決めされる。次に、ウェーハ供給部１７によりワークユニット１０１がチャックテーブル３７に載置され、環状フレーム１０２が４つの吸着パッド７６に保持され、半導体ウェーハＷがワーク保持部７３に保持される。 The work unit 101 before processing is taken out from the carry-in cassette 5 by the carry-in / out arm 14 and placed on the positioning mechanism 15. Next, in the positioning mechanism 15, the work unit 101 is abutted by the four abutting blocks 22 and positioned. Next, the work unit 101 is placed on the chuck table 37 by the wafer supply unit 17, the annular frame 102 is held by the four suction pads 76, and the semiconductor wafer W is held by the work holding unit 73.

次に、ターンテーブル３８が９０度回転してチャックテーブル３７に保持されたワークユニット１０１が荒研削位置に移動され、荒研削ユニット３３により半導体ウェーハＷが荒研削される。このとき、接触式センサ４５に検出された半導体ウェーハＷの加工面と基準ブロック部７４の検出基準面７４ａとの差分値により荒研削ユニット３３の加工送り量が制御される。次に、ターンテーブル３８が９０度回転してチャックテーブル３７に保持されたワークユニット１０１が仕上げ研削位置に移動され、仕上げ研削ユニット３４により半導体ウェーハＷが仕上げ研削される。このとき、接触式センサ４５の検出値により仕上げ研削ユニット３４の加工送り量が制御される。 Next, the turn table 38 is rotated 90 degrees, the work unit 101 held on the chuck table 37 is moved to the rough grinding position, and the semiconductor wafer W is roughly ground by the rough grinding unit 33. At this time, the processing feed amount of the rough grinding unit 33 is controlled by the difference value between the processing surface of the semiconductor wafer W detected by the contact sensor 45 and the detection reference surface 74a of the reference block 74. Next, the turntable 38 rotates 90 degrees, the work unit 101 held on the chuck table 37 is moved to the finish grinding position, and the finish grinding unit 34 finish grinding the semiconductor wafer W. At this time, the processing feed amount of the finish grinding unit 34 is controlled by the detection value of the contact sensor 45.

次に、ターンテーブル３８が９０度回転してチャックテーブル３７に保持されたワークユニット１０１が研磨位置に移動され、研磨ユニット３５により半導体ウェーハＷが研磨される。このとき、接触式センサ４５の検出値により研磨ユニット３５の加工送り量が制御される。次に、ターンテーブル３８が９０度回転してチャックテーブル３７に載置されたワークユニット１０１がウェーハ載せ換え位置に移動される。 Next, the turn table 38 rotates 90 degrees, the work unit 101 held on the chuck table 37 is moved to the polishing position, and the semiconductor wafer W is polished by the polishing unit 35. At this time, the processing feed amount of the polishing unit 35 is controlled by the detection value of the contact sensor 45. Next, the turntable 38 is rotated 90 degrees and the work unit 101 placed on the chuck table 37 is moved to the wafer replacement position.

次に、ウェーハ回収部１８によりワークユニット１０１がスピンナー洗浄テーブル２４に載置され、スピンナー洗浄テーブル２４においてワークユニット１０１に付着した研削屑等が洗浄される。次に、搬入搬出アーム１４により洗浄後のワークユニット１０１が、スピンナー洗浄テーブル２４から搬出用カセット６に収容される。 Next, the work unit 101 is placed on the spinner cleaning table 24 by the wafer recovery unit 18, and grinding scraps and the like attached to the work unit 101 are cleaned on the spinner cleaning table 24. Next, the work unit 101 after being cleaned by the loading / unloading arm 14 is accommodated in the unloading cassette 6 from the spinner cleaning table 24.

以上のように、本実施の形態に係る研削装置１によれば、環状フレーム１０２は、半導体ウェーハＷの加工面より下方に保持されるため、加工ユニット３３、３４、３５と接触することがなく、加工ユニット３３、３４、３５による研削加工時および研磨加工時の妨害となることがない。また、基準ブロック部７４によって、ワーク保持部７３の中心から吸着パッド７６よりも離間した位置に検出基準面７４ａが形成されるため、検出基準面７４ａがワークユニット１０１に覆われることがない。したがって、基準ブロック部７４の検出基準面７４ａを基準として、接触式センサ４５に半導体ウェーハＷの加工量を精度よく検出させることができる。 As described above, according to the grinding apparatus 1 according to the present embodiment, the annular frame 102 is held below the processing surface of the semiconductor wafer W, so that it does not come into contact with the processing units 33, 34, and 35. There is no hindrance during grinding and polishing by the processing units 33, 34, and 35. Further, since the detection reference surface 74a is formed by the reference block portion 74 at a position separated from the suction pad 76 from the center of the work holding portion 73, the detection reference surface 74a is not covered by the work unit 101. Therefore, the processing amount of the semiconductor wafer W can be accurately detected by the contact sensor 45 with reference to the detection reference surface 74a of the reference block 74.

次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。本発明の第２の実施の形態に係るチャックテーブルは、上述した第１の実施の形態に係るチャックテーブルと環状フレームを保持する構成についてのみ相違する。したがって、特に相違点についてのみ説明する。図６は、本発明の第２の実施の形態に係るチャックテーブルの斜視図である。図７は、本発明の第２の実施の形態に係る保持ブロックの斜視図である。 Next, a second embodiment of the present invention will be described. The chuck table according to the second embodiment of the present invention differs from the chuck table according to the first embodiment described above only in the configuration for holding the annular frame. Therefore, only the differences will be particularly described. FIG. 6 is a perspective view of a chuck table according to the second embodiment of the present invention. FIG. 7 is a perspective view of a holding block according to the second embodiment of the present invention.

図６に示すように、本実施の形態に係るチャックテーブル９１は、ワーク保持部９７の周囲に４つの吸着パッド７６の代わりに４つの保持ブロック９２を設けて構成される。各保持ブロック９２は、ワーク保持部９７を中心として９０度間隔で配置されており、テーブル部９９上に立設した立設部９３と、立設部９３の上端部からワーク保持部９７側に突出した突出部９４とを有している。 As shown in FIG. 6, the chuck table 91 according to the present embodiment is configured by providing four holding blocks 92 around the work holding unit 97 instead of the four suction pads 76. Each holding block 92 is arranged at intervals of 90 degrees with the work holding portion 97 as the center, and a standing portion 93 standing on the table portion 99 and the upper end portion of the standing portion 93 toward the workpiece holding portion 97 side. And a protruding portion 94 that protrudes.

各保持ブロック９２の向かい合う突出部９４の対向面９４ａ（図７参照）は、互いに平行に形成されており、環状フレーム１０２の対向する面取り部１０５の間隔よりも広く、かつ環状フレーム１０２の対向する弧状部１０６の間隔よりも狭く形成されている。したがって、各保持ブロック９２は、ワークユニット１０１が特定の方向に向いた場合のみ、上方からワーク保持部９７にワークユニット１０１の侵入を許容する。 Opposing surfaces 94a (see FIG. 7) of the projecting portions 94 of the holding blocks 92 facing each other are formed in parallel to each other, wider than the interval between the facing chamfered portions 105 of the annular frame 102, and opposed to the annular frame 102. It is formed narrower than the interval between the arcuate portions 106. Accordingly, each holding block 92 allows the work unit 101 to enter the work holding unit 97 from above only when the work unit 101 faces in a specific direction.

各保持ブロック９２の突出部９４の下面９４ｂは、ワーク保持面９７ａにおいてワークユニット１０１が上記した特定の向きから所定量回転された場合に、環状フレーム１０２の上面に当接する当接面となっており、ワーク保持面９７ａよりも低い位置に形成されている。また、各突出部９４には、突出方向に対して直交する方向に位置する両側面から下面９４ｂに向けて傾斜する傾斜面９４ｃが形成されている。この傾斜面９４ｃは、環状フレーム１０２のチャックテーブル９１に対する相対的な回転動を下動に変換し、環状フレーム１０２を下面９４ｂにガイドするように機能する。なお、ここでいう所定量とは、チャックテーブル９１が特定の向きからワークユニット１０１を保持可能な向きとなるまでの回転量のことをいう。 The lower surface 94b of the protruding portion 94 of each holding block 92 is a contact surface that contacts the upper surface of the annular frame 102 when the work unit 101 is rotated by a predetermined amount from the above-described specific direction on the work holding surface 97a. And formed at a position lower than the work holding surface 97a. Each protrusion 94 is formed with an inclined surface 94c inclined from both side surfaces located in a direction orthogonal to the protrusion direction toward the lower surface 94b. The inclined surface 94c functions to convert the relative rotational movement of the annular frame 102 with respect to the chuck table 91 into a downward movement and guide the annular frame 102 to the lower surface 94b. Here, the predetermined amount refers to the amount of rotation until the chuck table 91 reaches a direction in which the work unit 101 can be held from a specific direction.

また、各突出部９４の下面９４ｂには、ワークユニット１０１検出用の吸引口９５が形成されており、この吸引口９５は基台３１内の図示しない吸引源に接続されている。この場合、吸引口９５により発生する負圧は、突出部９４の下面９４ｂに保持されたワークユニット１０１の回転を規制しない程度に調整されており、ワークユニット１０１の取り付けおよび取り外しを阻害することがない。 Further, a suction port 95 for detecting the work unit 101 is formed on the lower surface 94b of each protrusion 94, and this suction port 95 is connected to a suction source (not shown) in the base 31. In this case, the negative pressure generated by the suction port 95 is adjusted to such an extent that the rotation of the work unit 101 held on the lower surface 94b of the projecting portion 94 is not restricted, and the attachment and removal of the work unit 101 may be hindered. Absent.

支持台１００の内部には、ワークユニット検出部９６が設けられている。ワークユニット検出部９６は、吸引口９５に連なる管路内の負圧を検出する図示しない圧力センサを有し、圧力センサの測定値に応じてチャックテーブル９１上のワークユニット１０１の有無を検出する。具体的には、ワークユニット検出部９６は、判定用の閾値を記憶しており、圧力センサに測定された負圧の大きさを閾値以上か否かを判定し、負圧の大きさを閾値以上と判定した場合にワークユニット１０１が検出する。 A work unit detection unit 96 is provided inside the support base 100. The work unit detection unit 96 includes a pressure sensor (not shown) that detects a negative pressure in a pipe line connected to the suction port 95, and detects the presence or absence of the work unit 101 on the chuck table 91 according to a measurement value of the pressure sensor. . Specifically, the work unit detection unit 96 stores a threshold value for determination, determines whether or not the magnitude of the negative pressure measured by the pressure sensor is equal to or greater than the threshold value, and sets the magnitude of the negative pressure as the threshold value. The work unit 101 detects when it determines with the above.

図８を参照して、チャックテーブルに対するワークユニットの載置動作について説明する。図８は、本発明の第２の実施の形態に係るチャックテーブルに対するワークユニットの載置動作の一例を説明する説明図である。 With reference to FIG. 8, the operation of placing the work unit on the chuck table will be described. FIG. 8 is an explanatory diagram for explaining an example of the operation of placing the work unit on the chuck table according to the second embodiment of the present invention.

図８（ａ）に示すように、ウェーハ供給部１７は、載置台２１において位置決めされたワークユニット１０１を吸着保持し、チャックテーブル９１の上方に位置させる。この場合、ワークユニット１０１の各面取り部１０５と各保持ブロック９２の突出部９４の対向面９４ａとが平行になるようにチャックテーブル９１の向きが調整される。 As shown in FIG. 8A, the wafer supply unit 17 sucks and holds the work unit 101 positioned on the mounting table 21 and positions it above the chuck table 91. In this case, the orientation of the chuck table 91 is adjusted so that each chamfered portion 105 of the work unit 101 and the facing surface 94a of the protruding portion 94 of each holding block 92 are parallel to each other.

次に、図８（ｂ）に示すように、ウェーハ供給部１７は、チャックテーブル９１の上方からチャックテーブル９１に向かって下動し始める。このとき、向かい合う突出部９４の対向面９４ａ間の間隔が、環状フレーム１０２の向かい合う面取り部１０５間の間隔より広いため、ワークユニット１０１のワーク保持面９７ａへの載置が許容され、環状フレーム１０２がワーク保持面９７ａの下方に位置される。 Next, as shown in FIG. 8B, the wafer supply unit 17 starts to move downward from the chuck table 91 toward the chuck table 91. At this time, since the interval between the opposing surfaces 94a of the projecting portions 94 facing each other is wider than the interval between the facing chamfered portions 105 of the annular frame 102, the work unit 101 is allowed to be placed on the workpiece holding surface 97a. Is positioned below the workpiece holding surface 97a.

次に、図８（ｃ）および図９に示すように、矢印Ａ方向にチャックテーブル９１が所定量回転し、環状フレーム１０２の弧状部１０６が各突出部９４の傾斜面９４ｃに押し下げられつつ、各突出部９４の下面９４ｂに向けてガイドされる。そして、環状フレーム１０２は、各突出部９４の下面９４ｂに当接されることにより、チャックテーブル９１に押圧保持される。 Next, as shown in FIGS. 8C and 9, the chuck table 91 rotates by a predetermined amount in the direction of arrow A, and the arcuate portion 106 of the annular frame 102 is pushed down by the inclined surface 94 c of each protruding portion 94. Guided toward the lower surface 94b of each protrusion 94. The annular frame 102 is pressed and held by the chuck table 91 by being brought into contact with the lower surface 94 b of each protrusion 94.

このとき、図８（ｄ）に示すように、環状フレーム１０２により突出部９４の吸引口９５が覆われるため、ワークユニット検出部９６によりチャックテーブル９１上のワークユニット１０１が検出される。このようにして、ワークユニット１０１がチャックテーブル９１に保持されると、ウェーハ供給部１７はワークユニット１０１の吸着を解除し、チャックテーブル９１から離間するように上動する。 At this time, as shown in FIG. 8D, the suction port 95 of the protruding portion 94 is covered by the annular frame 102, so that the work unit 101 on the chuck table 91 is detected by the work unit detection unit 96. In this way, when the work unit 101 is held on the chuck table 91, the wafer supply unit 17 releases the suction of the work unit 101 and moves upward so as to be separated from the chuck table 91.

以上のように、本実施の形態に係る研削装置によれば、第１の実施の形態に係るチャックテーブル３７の効果に加え、突出部９４の下面９４ｂにより環状フレーム１０２の上面を押圧保持する構成としたため、吸着パッドを使用する構成と比較して吸引源の吸引容量を小さくすることが可能となる。 As described above, according to the grinding apparatus according to the present embodiment, in addition to the effect of the chuck table 37 according to the first embodiment, the upper surface of the annular frame 102 is pressed and held by the lower surface 94b of the protruding portion 94. Therefore, the suction capacity of the suction source can be reduced as compared with the configuration using the suction pad.

なお、上記した各実施の形態においては、吸着保持部としての吸着パッドのパッド面および保持ブロックの下面により環状フレームを保持するフレーム保持面を形成する構成としたが、この構成に限定されるものではない。フレーム保持面は、ワーク保持面よりも下方に環状フレームを保持する構成であれば、どのように形成されていてもよい。 In each of the above-described embodiments, the frame holding surface for holding the annular frame is formed by the pad surface of the suction pad as the suction holding portion and the lower surface of the holding block. However, the configuration is limited to this configuration. is not. The frame holding surface may be formed in any manner as long as the annular frame is held below the workpiece holding surface.

また、上記した各実施の形態においては、吸着パッドや保持ブロック等のフレーム保持部を４つ設ける構成としたが、この構成に限定されるものではない。フレーム保持部は、環状フレームを保持可能であればよく、例えば、１つのフレーム保持部により環状フレームを保持する構成としてもよい。 In each of the above-described embodiments, four frame holding portions such as suction pads and holding blocks are provided. However, the present invention is not limited to this configuration. The frame holding part only needs to be able to hold the annular frame. For example, the frame holding part may be configured to hold the annular frame by one frame holding part.

また、上記した各実施の形態においては、接触式センサにより半導体ウェーハの加工量を検出する構成としたが、この構成に限定されるものではない。センサは、半導体ウェーハと検出基準面との高さの差分値から半導体ウェーハの加工量を検出するものであれば、どのような構成であってもよい。 In each of the above-described embodiments, the processing amount of the semiconductor wafer is detected by the contact sensor. However, the present invention is not limited to this configuration. The sensor may have any configuration as long as it detects the processing amount of the semiconductor wafer from the difference value in height between the semiconductor wafer and the detection reference surface.

また、上記した各実施の形態においては、基準ブロック部を環状に形成する構成としたが、この構成に限定されるものではない。基準ブロック部は、検出基準面を有していればよく、例えば、上面に検出基準面を有する柱状に形成してもよい。ただし、基準ブロック部が環状に形成されない場合には、チャックテーブルと共に回転しないように基台上に設けるようにする。 Further, in each of the above-described embodiments, the reference block portion is formed in an annular shape, but is not limited to this configuration. The reference block portion only needs to have a detection reference surface. For example, the reference block portion may be formed in a column shape having a detection reference surface on the upper surface. However, when the reference block portion is not formed in an annular shape, it is provided on the base so as not to rotate together with the chuck table.

また、上記した各実施の形態においては、ワーク保持部に冷却路を設け、冷却路を流れる冷却水を用いて中溝を洗浄する構成としたが、この構成に限定されるものではない。冷却水を中溝の洗浄水として利用しない構成としてもよい。 Further, in each of the embodiments described above, a cooling path is provided in the work holding unit and the middle groove is cleaned using cooling water flowing through the cooling path. However, the present invention is not limited to this configuration. It is good also as a structure which does not utilize a cooling water as a washing water of a middle groove.

また、上記した各実施の形態においては、ワークユニット検出部を支持台内に設ける構成としたが、この構成に限定されるものではない。ワークユニット検出部をどこに設けてもよく、ワークユニット検出部をウェーハ加工ユニットの基台内に設ける構成としてもよい。 In each of the above-described embodiments, the work unit detection unit is provided in the support base. However, the present invention is not limited to this configuration. The work unit detection unit may be provided anywhere, and the work unit detection unit may be provided in the base of the wafer processing unit.

また、上記した第２の実施の形態においては、環状フレームの半導体ウェーハを挟んだ対向位置を平行に切り欠くことにより、切欠部としての面取り部を形成する構成としたが、この構成に限定されるものではない。環状フレームは、特定の向きにおいてだけ保持ブロックの突出部を避けるように外周側が切り欠かれていればよい。 In the second embodiment described above, the chamfered portion as the cutout portion is formed by cutting out the opposed positions sandwiching the semiconductor wafer of the annular frame in parallel. However, the configuration is limited to this configuration. It is not something. The outer peripheral side of the annular frame only needs to be cut away so as to avoid the protrusion of the holding block only in a specific direction.

また、上記した第２の実施の形態においては、突出部の傾斜面により環状フレームが突出部の下面にガイドされる構成としたが、この構成に限定されるものではない。ウェーハ供給部の下動により、環状フレームを突出部の下面まで押し下げるようにしてもよい。 In the second embodiment described above, the annular frame is guided to the lower surface of the protruding portion by the inclined surface of the protruding portion. However, the present invention is not limited to this configuration. The annular frame may be pushed down to the lower surface of the protrusion by the downward movement of the wafer supply unit.

また、上記した第２の実施の形態においては、チャックテーブルを所定量回転させることにより、チャックテーブルにワークユニットを保持させる構成としたが、この構成に限定されるものではない。チャックテーブルとワークユニットとが相対的に回転することによりチャックテーブルにワークユニットを保持される構成であればよく、チャックテーブルの代わりにワークユニットを回転させてもよいし、チャックテーブルおよびワークユニットを回転させてもよい。 In the second embodiment described above, the work unit is held on the chuck table by rotating the chuck table by a predetermined amount. However, the present invention is not limited to this structure. Any structure may be used as long as the chuck table and the work unit rotate relative to each other so that the work unit is held on the chuck table. Instead of the chuck table, the work unit may be rotated. It may be rotated.

また、今回開示された実施の形態は、全ての点で例示であってこの実施の形態に制限されるものではない。本発明の範囲は、上記した実施の形態のみの説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。 The embodiment disclosed this time is illustrative in all respects and is not limited to this embodiment. The scope of the present invention is shown not by the above description of the embodiments but by the scope of the claims, and is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of the claims.

以上説明したように、本発明は、センサにワークの加工量を精度よく検出させることができるという効果を有し、特に、環状フレームの開口部に支持した半導体ウェーハを保持する保持テーブルおよび研削装置に有用である。 As described above, the present invention has an effect that the processing amount of the workpiece can be accurately detected by the sensor, and in particular, the holding table and the grinding device for holding the semiconductor wafer supported by the opening of the annular frame. Useful for.

１研削装置
２搬入搬出ユニット
３ウェーハ加工ユニット
１４搬入搬出アーム
１５位置決め機構
１６スピンナー洗浄部
１７ウェーハ供給部
１８ウェーハ回収部
３３荒研削ユニット（加工ユニット）
３４仕上げ研削ユニット（加工ユニット）
３５研磨ユニット（加工ユニット）
３７、９１チャックテーブル（保持テーブル）
４５接触式センサ（センサ）
４５ａ接触子
４５ｂ接触子
７１、１００支持台
７２、９９テーブル部
７３、９７ワーク保持部
７３ａ、９７ａワーク保持面
７４基準ブロック部
７４ａ検出基準面
７５中溝
７６吸着パッド（フレーム保持部、吸着保持部）
７６ａパッド面（フレーム保持面）
７７、９６ワークユニット検出部
８１冷却路
８２開口
８３排水口
９２保持ブロック（フレーム保持部）
９３立設部
９４突出部
９４ａ対向面
９４ｂ下面（フレーム保持面）
９４ｃ傾斜面
９５吸引口
１０１ワークユニット
１０２環状フレーム
１０３貼着テープ
１０４デバイス
１０５面取り部（切欠部）
Ｗ半導体ウェーハ（ワーク） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Grinding apparatus 2 Loading / unloading unit 3 Wafer processing unit 14 Loading / unloading arm 15 Positioning mechanism 16 Spinner washing | cleaning part 17 Wafer supply part 18 Wafer collection | recovery part 33 Rough grinding unit (processing unit)
34 Finishing grinding unit (processing unit)
35 Polishing unit (processing unit)
37, 91 Chuck table (holding table)
45 Contact type sensor (sensor)
45a Contact 45b Contact 71, 100 Support base 72, 99 Table 73, 97 Work holding part 73a, 97a Work holding surface 74 Reference block 74a Detection reference surface 75 Middle groove 76 Suction pad (frame holding part, suction holding part)
76a Pad surface (frame holding surface)
77, 96 Work unit detection part 81 Cooling path 82 Opening 83 Drain outlet 92 Holding block (frame holding part)
93 Standing portion 94 Protruding portion 94a Opposing surface 94b Bottom surface (frame holding surface)
94c Inclined surface 95 Suction port 101 Work unit 102 Annular frame 103 Adhesive tape 104 Device 105 Chamfer (notch)
W Semiconductor wafer (work)

Claims

A holding table that holds a work unit that supports a work in an opening of an annular frame via an adhesive tape,
A workpiece holding part, which is arranged facing a processing unit for grinding or polishing the workpiece , and formed with a workpiece holding surface for holding the workpiece, and a cooling path through which cooling water passes ;
A frame holding portion in which a frame holding surface for holding the annular frame is formed below the processing surface of the workpiece;
A detection reference surface of a sensor that detects the amount of machining of the workpiece during machining by the machining unit is formed outside the frame holding portion when viewed from the workpiece holding portion, and is formed in an annular shape so as to surround the workpiece holding portion. With a reference block portion ,
The holding table , wherein the cooling path is connected to an annular middle groove formed by the workpiece holding part and the annular reference block part through an opening formed on an outer peripheral surface of the work holding part .

The frame holding unit includes a work unit detection unit that detects the presence or absence of the work unit based on whether or not the annular frame is held.
A plurality of the frame holding parts are provided around the work holding part, and have a suction holding part that sucks and holds the annular frame;
2. The holding table according to claim 1 , wherein the work unit detection unit detects the presence or absence of the work unit based on a change in negative pressure that causes the suction holding unit to generate a suction force.

A plurality of the frame holding portions are provided around the work holding portion, and have a protruding portion that protrudes toward the work holding portion,
The annular frame is formed with a notch so as to avoid the protrusion in a specific direction of the work unit,
After the work unit is moved down to the work holding part side so as to avoid the protruding part in a state of a specific orientation, and the work unit is brought into contact with the work holding part, the work unit is in the specific direction. 2. The holding table according to claim 1 , wherein the upper surface of the annular frame is pressed and held by the lower surfaces formed on the plurality of projecting portions by being rotated by a predetermined amount relative to the first and second protrusions.

The frame holding unit includes a work unit detection unit that detects the presence or absence of the work unit based on whether or not the annular frame is held.
A suction port is opened at a position in contact with the annular frame on the lower surface of the protrusion,
The holding table according to claim 3 , wherein the work unit detection unit measures the negative pressure at the suction port and detects the presence or absence of the work unit based on a variation in the negative pressure at the suction port.

5. A grinding apparatus comprising: the holding table according to claim 1; and a processing unit for grinding or polishing a workpiece of the work unit held by the holding table.