JP5926042B2 - Method for detecting cracks in plate-like substrates - Google Patents

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Description

本発明は、半導体ウェーハ等の板状基板を研磨装置で研磨するにあたり、研磨加工中において板状基板に発生する割れを検知する板状基板の割れ検知方法に関する。   The present invention relates to a crack detection method for a plate-like substrate, which detects a crack generated in the plate-like substrate during polishing when a plate-like substrate such as a semiconductor wafer is polished by a polishing apparatus.

半導体デバイス製造工程においては、まず、シリコンや化合物半導体等からなる略円板状のウェーハの表面にストリートと呼ばれる分割予定ラインが格子状に形成されて多数の矩形領域が区画され、次いで、これら矩形領域に、ICやLSI等による電子回路が形成される。この後、ウェーハはストリートに沿って切断して個々の矩形領域に分割するダイシングが行われて、1枚のウェーハから多数の半導体チップが製造される。このような工程中においては、ウェーハを分割して得られる半導体チップの小型化および軽量化を図るために、通常、ウェーハを分割するに先立って、ウェーハの裏面を研削、研磨して、ウェーハを所定の厚さに加工することが行われている。   In the semiconductor device manufacturing process, first, divisional lines called streets are formed in a lattice shape on the surface of a substantially disk-shaped wafer made of silicon, a compound semiconductor, etc., and a large number of rectangular regions are defined. An electronic circuit such as an IC or LSI is formed in the region. Thereafter, the wafer is cut along the streets and divided into individual rectangular areas, and a large number of semiconductor chips are manufactured from one wafer. During such a process, in order to reduce the size and weight of the semiconductor chip obtained by dividing the wafer, the wafer is usually ground and polished before the wafer is divided, Processing to a predetermined thickness is performed.

ウェーハを研削した後に研磨する研磨装置としては、被加工物を保持するチャックテーブルに保持されたウェーハの裏面を研磨する砥石等を備えた円板状の研磨工具を具備し、チャックテーブルと研磨工具の双方を回転させながら、チャックテーブルに保持されて自転するウェーハの裏面に研磨工具を押し付けることにより、効率よく研磨することができるものが知られている(特許文献1)。   A polishing apparatus for polishing after grinding a wafer includes a disc-shaped polishing tool including a grindstone for polishing the back surface of the wafer held by a chuck table that holds a workpiece, and the chuck table and the polishing tool It is known that a polishing tool can be efficiently polished by pressing a polishing tool against the back surface of a wafer that is held on a chuck table and rotates while rotating both of them (Patent Document 1).

特開2010−221378公報JP 2010-221378 A

上記特許文献1に記載されるような研磨装置でウェーハを研磨する場合においては、研磨工具の砥石に目詰まりが生じるなどの現象に起因してウェーハに予測し得ない負荷がかかり、ウェーハに割れが発生することがある。研磨加工中にウェーハに割れが発生するとウェーハの研磨面と研磨工具の接触状態に変化が生じ、均一な研磨加工を行うことができないという問題も発生する。   In the case of polishing a wafer with a polishing apparatus as described in Patent Document 1, an unpredictable load is applied to the wafer due to a phenomenon such as clogging of a grindstone of a polishing tool, and the wafer is cracked. May occur. If cracks occur in the wafer during the polishing process, a change occurs in the contact state between the polishing surface of the wafer and the polishing tool, which causes a problem that uniform polishing cannot be performed.

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その主たる目的は、研磨加工中において板状基板に割れが発生したことを適確に判断することができ、板状基板の割れに速やかに対処することができる板状基板の割れ検知方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and its main purpose is to accurately determine that a crack has occurred in the plate-like substrate during the polishing process, and to promptly break the plate-like substrate. An object of the present invention is to provide a method for detecting cracks in a plate-like substrate that can be dealt with.

本発明の板状基板の割れ検知方法は、板状基板を研磨装置で研磨する研磨加工において、研磨加工中に発生した該板状基板の割れを検知する板状基板の割れ検知方法であって、前記板状基板の一方の面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、該保護テープ貼着工程で前記保護テープが貼着された前記板状基板の一方の面を前記研磨装置に配設されたチャックテーブル支持手段に回転可能に支持されたチャックテーブルに載置して保持する保持工程と、該保持工程で一方の面が前記チャックテーブルに保持された前記板状基板の他方の面に対向して研磨工具が回転可能に装着された研磨手段を配置し、該板状基板を保持した該チャックテーブルと該研磨工具を回転させるとともに、前記研磨装置に配設された加工送り手段によって該研磨手段を該板状基板の該他方の面に向けて垂直に加工送りすることによって該板状基板の該他方の面に該研磨工具を接触させて研磨加工を行う研磨工程と、該研磨工程において、前記研磨工具と前記板状基板との接触によって発生する荷重を前記加工送り手段または前記チャックテーブル支持手段のいずれかに配設された荷重測定手段によって連続的に測定する荷重測定工程と、該荷重測定工程で測定された前記荷重を前記研磨装置に配設された記憶手段に記憶する荷重記憶工程と、該荷重記憶工程で記憶された前記荷重が予め定められた所定の範囲を超えないように前記加工送り手段による前記研磨手段の加工送り量を制御する加工送り量制御工程と、該加工送り量制御工程において、前記荷重が前記予め定められた所定の範囲を超えて減少した時に研磨加工中の前記板状基板に割れが発生したと判断する判断工程とを少なくとも含み、前記判断工程で前記板状基板に割れが発生したと判断した場合は、該板状基板に割れが発生したことを前記記憶手段に記憶する割れ記憶工程と、前記加工送り手段による前記研磨手段の加工送りを停止し、次いで該加工送り手段によって該研磨手段を前記板状基板から離反する向きに移動させる研磨加工中止工程と、前記研磨装置に配設された表示手段に前記板状基板に割れが発生したことを表示する割れ発生表示工程と、前記チャックテーブルから割れの発生した前記板状基板を搬出する搬出工程とを少なくとも含むことを特徴とする。 The method for detecting cracks in a plate-like substrate of the present invention is a method for detecting cracks in a plate-like substrate that detects cracks in the plate-like substrate that occur during polishing in a polishing process for polishing a plate-like substrate with a polishing apparatus. A protective tape adhering step for adhering a protective tape to one surface of the plate substrate, and one surface of the plate substrate on which the protective tape is adhered in the protective tape adhering step. A holding step of mounting and holding on a chuck table rotatably supported by a chuck table supporting means disposed on the other side of the plate-like substrate having one surface held by the chuck table in the holding step A polishing means on which a polishing tool is rotatably mounted is disposed opposite to the surface of the substrate, and the chuck table holding the plate substrate and the polishing tool are rotated, and the processing feed provided in the polishing apparatus is rotated. By the means A polishing step in which polishing is performed by bringing the polishing tool into contact with the other surface of the plate-like substrate by processing and feeding means perpendicularly toward the other surface of the plate-like substrate; and in the polishing step A load measuring step of continuously measuring a load generated by contact between the polishing tool and the plate-like substrate by a load measuring means disposed on either the processing feed means or the chuck table support means; A load storage step for storing the load measured in the load measurement step in a storage means disposed in the polishing apparatus; and the load stored in the load storage step does not exceed a predetermined range. In the processing feed amount control step for controlling the processing feed amount of the polishing means by the processing feed means, and in the processing feed amount control step, the load is reduced beyond the predetermined range. A determination step of cracking the plate-shaped substrate during polishing when it is determined that occurred at least seen including, if cracks on the plate-like substrate in the determining step is determined to have occurred, the plate-like substrate A crack storing step for storing the occurrence of a crack in the storage means, and a direction in which the processing feed of the polishing means by the processing feed means is stopped, and then the polishing means is separated from the plate-like substrate by the processing feed means. A polishing process stopping step for moving the plate, a crack generation display step for displaying that a crack has occurred in the plate-like substrate on the display means disposed in the polishing apparatus, and the plate-like shape in which a crack has occurred from the chuck table And a carrying-out step of carrying out the substrate .

本発明によれば、研磨工程の最中に行われる加工送り量制御工程において、研磨工具と板状基板との接触によって発生する荷重が予め定められた所定の範囲を超えて減少した時に、板状基板に割れが発生したと判断される。したがって板状基板に割れが発生したことを適確に判断することができ、板状基板の割れに速やかに対処することができる。   According to the present invention, when the load generated by the contact between the polishing tool and the plate-like substrate decreases beyond a predetermined range in the processing feed amount control step performed during the polishing step, It is determined that a crack has occurred in the substrate. Therefore, it is possible to accurately determine that a crack has occurred in the plate-like substrate, and it is possible to quickly cope with the crack of the plate-like substrate.

また、板状基板に割れが発生したと判断された後には、研磨手段が板状基板から離反して研磨加工が中止されるとともに、割れの発生表示および割れが発生した板状基板の搬出がなされる。このため、割れが発生している板状基板への研磨加工の続行が回避され、その後の研磨工具による均一な研磨加工を確保することができる。また、次に研磨加工すべき板状基板を速やかに研磨装置に搬入することができ、生産性の向上を図ることができる。 In addition, after it is determined that a crack has occurred in the plate-like substrate, the polishing means is separated from the plate-like substrate and the polishing process is stopped, and the occurrence of the crack and the removal of the plate-like substrate in which the crack has occurred are removed. Made. For this reason, the continuation of the polishing process to the plate-like substrate in which the crack has occurred is avoided, and a uniform polishing process by the subsequent polishing tool can be ensured. In addition, the plate-like substrate to be polished next can be quickly carried into the polishing apparatus, and productivity can be improved.

本発明によれば、研磨加工中において板状基板に割れが発生したことを適確に判断することができ、板状基板の割れに速やかに対処することができる板状基板の割れ検知方法が提供されるといった効果を奏する。   According to the present invention, there is provided a method for detecting cracks in a plate-like substrate that can accurately determine that a crack has occurred in the plate-like substrate during polishing and can quickly cope with the crack in the plate-like substrate. There is an effect such as being provided.

(a)一実施形態に係る板状基板の割れ検知方法の保護テープ貼着工程を示す斜視図、(b)保護テープが貼着された基板の側面図である。(A) The perspective view which shows the protective tape sticking process of the crack detection method of the plate-shaped board | substrate which concerns on one Embodiment, (b) The side view of the board | substrate with which the protective tape was stuck. 一実施形態に係る研磨装置の斜視図である。It is a perspective view of the polish device concerning one embodiment. 同研磨装置の加工エリアの側面図および加工送り手段に対する制御手段の関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship of the control means with respect to the side view of the process area of the said grinding | polishing apparatus, and a process feed means. 同研磨装置が具備する研磨工具の斜視図であって、(a)上面側、(b)下面側である。It is a perspective view of the polishing tool which the polish device comprises, (a) upper surface side, (b) lower surface side. 加工位置の基板と研磨工具との位置関係を示す平面図である。It is a top view which shows the positional relationship of the board | substrate and grinding | polishing tool of a processing position. 研磨装置の加工エリアの側面図および加工送り手段に対する制御手段の関係を示す図であって、荷重測定手段が加工送り手段に配設されている変更例を示す図である。It is a figure which shows the relationship of the control means with respect to the side view of the process area of a grinding | polishing apparatus, and a process feed means, Comprising: It is a figure which shows the example of a change by which the load measurement means is arrange | positioned at the process feed means.

以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
[1]基板
図1の符号1は、板状の基板を示している。基板1は、例えばシリコンや化合物半導体等からなる略円板状の半導体ウェーハである。半導体ウェーハの場合には、基板1の表面1aに格子状に配列されたストリートによって複数の矩形状の領域が区画され、これら領域にICやLSI等による電子回路が形成されており、裏面1b側が研削、研磨されて所定厚さに加工される。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[1] Substrate Reference numeral 1 in FIG. 1 denotes a plate-like substrate. The substrate 1 is a substantially disk-shaped semiconductor wafer made of, for example, silicon or a compound semiconductor. In the case of a semiconductor wafer, a plurality of rectangular regions are defined by streets arranged in a lattice pattern on the front surface 1a of the substrate 1, and electronic circuits such as ICs and LSIs are formed in these regions, and the back surface 1b side is It is ground and polished to a predetermined thickness.

本実施形態では、基板1の裏面1bを研磨する研磨加工において、研磨加工中に発生した基板1の割れを検知する割れ検知方法であり、以下、その方法を工程順に説明する。   The present embodiment is a crack detection method for detecting cracks in the substrate 1 generated during the polishing process in the polishing process for polishing the back surface 1b of the substrate 1, and the method will be described below in the order of steps.

はじめに、図1に示すように、基板1の表面1aに、表面1a全体を覆う円形状の保護テープ9を貼着する(保護テープ貼着工程)。保護テープ9としては、例えば、厚さ100〜200μm程度のポリエチレン等の基材の片面に厚さ10〜20μm程度のアクリル系等の粘着剤を塗布したテープなどが好適に用いられ、その場合には粘着剤を介して基板1の表面1aに貼着される。   First, as shown in FIG. 1, a circular protective tape 9 covering the entire surface 1a is attached to the surface 1a of the substrate 1 (protective tape attaching step). As the protective tape 9, for example, a tape in which an acrylic adhesive having a thickness of about 10 to 20 μm is applied to one side of a base material such as polyethylene having a thickness of about 100 to 200 μm is preferably used. Is adhered to the surface 1a of the substrate 1 via an adhesive.

次に、図2に示す研磨装置10に、表面1aに保護テープ9を貼着した基板1を搬入して裏面1bを研磨する。以下、研磨装置10の構成と、研磨装置10による研磨動作を説明する。研磨動作中には、一実施形態に係る検知方法が含まれる。   Next, the substrate 1 with the protective tape 9 attached to the front surface 1a is carried into the polishing apparatus 10 shown in FIG. 2 and the back surface 1b is polished. Hereinafter, the configuration of the polishing apparatus 10 and the polishing operation by the polishing apparatus 10 will be described. During the polishing operation, a detection method according to an embodiment is included.

[2]研磨装置の構成
研磨装置10は直方体状の基台11を有しており、基台11の長手方向一端部(図2の奥側の端部)には、壁部12が立設されている。図2では、基台11の長手方向、幅方向および鉛直方向を、それぞれY方向、X方向およびZ方向としている。
[2] Configuration of Polishing Apparatus The polishing apparatus 10 has a rectangular parallelepiped base 11, and a wall 12 is erected at one end in the longitudinal direction of the base 11 (the end on the back side in FIG. 2). Has been. In FIG. 2, the longitudinal direction, the width direction, and the vertical direction of the base 11 are set as the Y direction, the X direction, and the Z direction, respectively.

基台11上は、Y方向のほぼ中間部分から壁部12側が実際に研磨加工を行う加工エリア11Aとされ、反対側が、加工エリア11Aに加工前の基板1を搬入し、かつ、加工後の基板1を搬出する搬入・搬出エリア11Bとされている。   On the base 11, the wall 12 side from the substantially middle part in the Y direction is a processing area 11A where the polishing process is actually performed, and the opposite side carries the substrate 1 before processing into the processing area 11A, and after processing. A loading / unloading area 11B for unloading the substrate 1 is used.

(a)加工エリアの機構
加工エリア11Aには矩形状の凹所13が形成されており、この凹所13内には、移動台(チャックテーブル支持手段)14を介して、真空チャック式の円板状のチャックテーブル70がY方向に移動自在に設けられている。
(A) Mechanism of processing area A rectangular recess 13 is formed in the processing area 11A, and a vacuum chuck type circle is provided in the recess 13 via a moving table (chuck table support means) 14. A plate-like chuck table 70 is provided so as to be movable in the Y direction.

移動台14は、図3に示すように、ベース141上に複数の脚部142を介して円板状の支持板143が設けられたもので、基台11内に配されたY方向に延びる図示せぬガイドレールに、ベース141が摺動自在に取り付けられており、スライド機構15によってY方向に往復移動させられる。複数の脚部142は支持板143の外周部に、周方向に等間隔に配されている。   As shown in FIG. 3, the movable table 14 is provided with a disk-like support plate 143 on a base 141 via a plurality of legs 142, and extends in the Y direction arranged in the base 11. A base 141 is slidably attached to a guide rail (not shown), and is reciprocated in the Y direction by a slide mechanism 15. The plurality of leg portions 142 are arranged on the outer peripheral portion of the support plate 143 at equal intervals in the circumferential direction.

スライド機構15は、ベース141に螺合して連結されたY方向に延びるボールねじ151を図示せぬモータで回転させる構成であり、ボールねじ151がモータで回転することにより、移動台14はベース141とともにボールねじ151の回転方向に応じてY方向に移動するようになっている。ボールねじ151は、その両端部が基台11に固定された軸受152に回転可能に支持されている。   The slide mechanism 15 has a configuration in which a ball screw 151 extending in the Y direction and screwed to and coupled to the base 141 is rotated by a motor (not shown), and the moving table 14 is moved to the base by rotating the ball screw 151 by the motor. 141 and 141 move in the Y direction according to the rotation direction of the ball screw 151. Both ends of the ball screw 151 are rotatably supported by bearings 152 fixed to the base 11.

チャックテーブル70は、図3に示すように、移動台14の中央にベアリング71を介して回転可能に支持されており、移動台14に設けられた回転駆動機構72によって回転させられる。基板1の保持面であるチャックテーブル70の水平な上面701の直径は基板1よりもやや大きく、基板1はその保持面701に同心状に載置され、チャックテーブル70の回転により自転させられる。   As shown in FIG. 3, the chuck table 70 is rotatably supported at the center of the moving table 14 via a bearing 71 and is rotated by a rotation driving mechanism 72 provided on the moving table 14. The diameter of the horizontal upper surface 701 of the chuck table 70 that is the holding surface of the substrate 1 is slightly larger than that of the substrate 1, and the substrate 1 is placed concentrically on the holding surface 701, and is rotated by the rotation of the chuck table 70.

移動台14の移動方向の両側には、移動台14の移動路を覆う蛇腹状のカバー15,16が設けられている。これらカバー15,16は、移動台14の移動路に研磨屑等が落下することを防ぐもので、移動台14の移動に伴って伸縮する。   Bellows-shaped covers 15 and 16 that cover the moving path of the moving table 14 are provided on both sides of the moving table 14 in the moving direction. These covers 15 and 16 prevent the polishing dust and the like from falling on the moving path of the moving table 14 and expand and contract as the moving table 14 moves.

チャックテーブル70は、移動台14が壁部12側に移動することにより、所定の加工位置に位置付けられる。その加工位置の上方には、研磨手段20が配置されている。研磨手段20は、壁部12の前面側に、スライダ32およびガイドレール31を介して昇降可能に取り付けられており、加工送り手段30によって昇降させられるようになっている。   The chuck table 70 is positioned at a predetermined processing position when the movable table 14 moves to the wall 12 side. A polishing means 20 is disposed above the processing position. The polishing means 20 is attached to the front surface side of the wall portion 12 through a slider 32 and a guide rail 31 so as to be lifted and lowered by the processing feed means 30.

図3に示すように、研磨手段20は、軸方向が鉛直方向に延びる円筒状のスピンドルハウジング22と、スピンドルハウジング22内に同軸的、かつ回転自在に支持されたスピンドルシャフト23と、スピンドルシャフト23を回転駆動するモータ24と、スピンドルシャフト23の下端に同軸的に固定された円板状のマウント25と、マウント25に着脱可能に取り付けられた研磨工具26とから構成されている。   As shown in FIG. 3, the polishing means 20 includes a cylindrical spindle housing 22 whose axial direction extends in the vertical direction, a spindle shaft 23 coaxially and rotatably supported in the spindle housing 22, and a spindle shaft 23. Are configured by a motor 24 that rotates and rotates, a disk-like mount 25 that is coaxially fixed to the lower end of the spindle shaft 23, and a polishing tool 26 that is detachably attached to the mount 25.

また、スライダ32と壁部12との間には、研磨手段20の送り方向の位置、すなわち高さ位置を検出する研磨手段20の位置検出手段37が配設されている。位置検出手段37としては、例えばリニアスケールとスケールセンサとの組み合わせ等が挙げられる。   Further, a position detecting means 37 of the polishing means 20 for detecting the position in the feed direction of the polishing means 20, that is, the height position, is disposed between the slider 32 and the wall portion 12. Examples of the position detection unit 37 include a combination of a linear scale and a scale sensor.

研磨工具26は、図4に示すように円板状のフレーム261の下面に研磨パッド262が固着されてなるもので、フレーム261の上面に形成された複数のねじ孔263を利用してフレーム261がマウント25の下面に着脱可能に固定される。研磨パッド262は基板1に応じたものが選択され、例えば、フェルト中に砥粒を分散させて適宜なボンド剤で固着成形したフェルト砥石等が用いられる。   As shown in FIG. 4, the polishing tool 26 has a polishing pad 262 fixed to the lower surface of a disk-shaped frame 261, and the frame 261 uses a plurality of screw holes 263 formed on the upper surface of the frame 261. Is detachably fixed to the lower surface of the mount 25. The polishing pad 262 is selected according to the substrate 1. For example, a felt grindstone or the like in which abrasive grains are dispersed in a felt and fixed with an appropriate bonding agent is used.

加工送り手段30は、図3に示すように、スライダ32に螺合して連結されたボールねじ33をモータ34で回転させる構成であり、スライダ32の前面(図3の左側の面)にはホルダ35が固定されている。ボールねじ33は鉛直方向に延びており、その上下の端部が、壁部12に固定された軸受36に回転自在に支持されている。研磨手段20は、スピンドルハウジング22がホルダ35を介してスライダ32に固定されている。加工送り手段30によれば、ボールねじ33がモータ34で回転駆動されることにより、スライダ32が昇降駆動され、これにより研磨手段20がスライダ32と一体に昇降するようになっている。   As shown in FIG. 3, the processing feed means 30 is configured to rotate a ball screw 33 screwed and connected to the slider 32 with a motor 34, and on the front surface of the slider 32 (the left surface in FIG. 3). The holder 35 is fixed. The ball screw 33 extends in the vertical direction, and upper and lower ends thereof are rotatably supported by a bearing 36 fixed to the wall portion 12. In the polishing means 20, the spindle housing 22 is fixed to the slider 32 via a holder 35. According to the processing feed means 30, the ball screw 33 is rotationally driven by the motor 34, so that the slider 32 is driven up and down, whereby the polishing means 20 is moved up and down integrally with the slider 32.

基板1の研磨は、チャックテーブル70と研磨工具26の双方を回転させながら、加工送り手段30によって研磨手段20を垂直に下降させ、チャックテーブル70に保持されて自転する基板1の裏面1bに研磨パッド262を上から押し付けることによりなされる。研磨手段20による加工位置は、図5に示すように、研磨パッド262の外周縁が、自転する基板1の中心(Oで示す)を通過する位置に設定され、これにより裏面10b全面が研磨される。なお、図5の基板1および研磨パッド262に示す矢印はそれぞれの回転方向の一例であるが、回転方向はこれに限定はされない。   The substrate 1 is polished by rotating the chuck table 70 and the polishing tool 26 while lowering the polishing unit 20 vertically by the processing feed unit 30 and polishing the back surface 1b of the substrate 1 that is held by the chuck table 70 and rotates. This is done by pressing the pad 262 from above. As shown in FIG. 5, the processing position by the polishing means 20 is set to a position where the outer peripheral edge of the polishing pad 262 passes through the center (indicated by O) of the rotating substrate 1, and the entire back surface 10b is thereby polished. The In addition, although the arrow shown to the board | substrate 1 of FIG. 5 and the polishing pad 262 is an example of each rotation direction, a rotation direction is not limited to this.

基板1を研磨する際には、研磨パッド262が基板1の裏面1bに押し付けられて接触することにより、荷重が発生する。その荷重は、図3に示すチャックテーブル70を支持する移動台14の複数の脚部142に配設された荷重測定手段40によって連続的に測定される。荷重測定手段40は、垂直方向の圧縮荷重が作用すると荷重に対応した電圧信号を出力するように構成された一般周知の構成のものが用いられる。荷重測定手段40は、各脚部142の上端と支持板143との間に挟まれて配設されており、研磨工具26の研磨パッド262が基板1を押し付けて発生する荷重が、チャックテーブル70、ベアリング71、支持板143を経て荷重測定手段40に伝わる。   When the substrate 1 is polished, a load is generated when the polishing pad 262 is pressed against and contacts the back surface 1 b of the substrate 1. The load is continuously measured by the load measuring means 40 disposed on the plurality of legs 142 of the moving table 14 that supports the chuck table 70 shown in FIG. The load measuring means 40 is of a generally well-known configuration configured to output a voltage signal corresponding to the load when a vertical compressive load is applied. The load measuring means 40 is disposed so as to be sandwiched between the upper ends of the leg portions 142 and the support plate 143, and the load generated when the polishing pad 262 of the polishing tool 26 presses the substrate 1 is applied to the chuck table 70. Then, it is transmitted to the load measuring means 40 through the bearing 71 and the support plate 143.

荷重測定手段40で連続的に測定される荷重測定値は、制御手段50に供給される。この場合、荷重測定手段40の数は脚部142の数に対応しており(例えば3つ)、制御手段50には、複数の荷重測定手段40の測定値の合計値が供給される。制御手段50は、制御プログラムにしたがって演算処理するCPU51と、制御プログラム等を格納するROM52と、演算結果等を格納する読み書き可能なRAM(記憶手段)53と、入力インターフェイス54および出力インターフェイス55を備えている。   The load measurement value continuously measured by the load measuring means 40 is supplied to the control means 50. In this case, the number of the load measuring means 40 corresponds to the number of the leg portions 142 (for example, three), and the total value of the measured values of the plurality of load measuring means 40 is supplied to the control means 50. The control means 50 includes a CPU 51 that performs arithmetic processing according to a control program, a ROM 52 that stores a control program and the like, a readable / writable RAM (storage means) 53 that stores arithmetic results and the like, an input interface 54 and an output interface 55. ing.

入力インターフェイス54には、荷重測定手段40で連続的に測定される荷重測定値の信号が入力される。また、入力インターフェイス54には、研磨手段20の位置検出手段37からの検知信号も入力される。また、出力インターフェイス55からは、加工送り手段30のモータ34と表示手段80に制御信号が送られる。表示手段80は、例えば点滅式の赤色灯等であって、ON信号が送られると点滅発光し、作業者がONになったことを認識できるようなものが用いられる。また、表示手段80の表示ONと同時に警報音を発する警報手段を併設してもよい。   A load measurement value signal continuously measured by the load measuring means 40 is input to the input interface 54. Further, a detection signal from the position detection unit 37 of the polishing unit 20 is also input to the input interface 54. Further, a control signal is sent from the output interface 55 to the motor 34 and the display means 80 of the processing feed means 30. The display means 80 is, for example, a flashing red light or the like, which emits flashing light when an ON signal is sent, and can recognize that the operator is turned on. Further, alarm means for generating an alarm sound at the same time when the display of the display means 80 is turned on may be provided.

(b)搬入・搬出エリアの機構
図1に示すように、搬入・搬出エリア11Bには矩形状の凹所18が形成されており、この凹所18内には、昇降自在とされた2節リンク式の水平旋回アーム60aの先端にフォーク60bが装着されたロボット60が設置されている。
(B) Mechanism of carry-in / carry-out area As shown in FIG. 1, a rectangular recess 18 is formed in the carry-in / carry-out area 11 </ b> B. A robot 60 having a fork 60b attached to the tip of a link-type horizontal turning arm 60a is installed.

そして、凹所18の周囲には、上から見た状態で、反時計回りに、カセット61、位置決め台62、水平旋回アーム63aの先端に吸着パッド63bが取り付けられた搬入アーム63、搬入アーム63と同じ構造で、水平旋回アーム64aおよび吸着パッド64bを有する搬出アーム64、スピンナ式の洗浄装置65、カセット66が、それぞれ配置されている。   Then, around the recess 18, as viewed from above, in a counterclockwise direction, the cassette 61, the positioning table 62, the carry-in arm 63 in which the suction pad 63 b is attached to the tip of the horizontal swivel arm 63 a, and the carry-in arm 63. , A carry-out arm 64 having a horizontal swivel arm 64a and a suction pad 64b, a spinner-type cleaning device 65, and a cassette 66 are arranged.

カセット61、位置決め台62および搬入アーム63は、基板1をチャックテーブル70に搬入する系統の手段であり、搬出アーム64、洗浄装置65およびカセット66は、加工後の基板1をチャックテーブル70から搬出する系統の手段である。2つのカセット61,66は同一の構造であるが、ここでは用途別に、搬入カセット61、搬出カセット66と称する。これらカセット61,66は、複数の基板1を積層した状態で収容して運搬可能とするもので、基台11の所定位置にセットされる。   The cassette 61, the positioning table 62, and the carry-in arm 63 are means of a system for carrying the substrate 1 into the chuck table 70. The carry-out arm 64, the cleaning device 65, and the cassette 66 carry out the processed substrate 1 from the chuck table 70. It is a means of the system to do. Although the two cassettes 61 and 66 have the same structure, they are referred to as a carry-in cassette 61 and a carry-out cassette 66 according to applications. The cassettes 61 and 66 are accommodated in a state where a plurality of substrates 1 are stacked and can be transported, and are set at predetermined positions on the base 11.

搬入カセット61には、上記のように表面に保護テープ9が貼着された研磨加工前の複数の基板1が収容される。ロボット60は、アーム60aの昇降・旋回とフォーク60bの把持動作によって搬入カセット61内から1枚の基板1を取り出し、その基板1を、裏面1bを上に向けた状態で位置決め台62上に載置する機能を有する。   The carry-in cassette 61 accommodates the plurality of substrates 1 before polishing, with the protective tape 9 attached to the surface as described above. The robot 60 takes out one substrate 1 from the carry-in cassette 61 by raising and lowering and turning the arm 60a and gripping the fork 60b, and places the substrate 1 on the positioning table 62 with the back surface 1b facing up. It has a function to place.

位置決め台62上に載置された基板1は、一定の搬入位置に位置決めされる。搬入アーム63は、位置決め台62上の基板1を吸着パッド63bに吸着し、アーム63aを旋回させて、チャックテーブル70に基板1を載置する機能を有する。一方、搬出アーム64は、チャックテーブル70上の加工後の基板1を吸着パッド64bに吸着し、アーム64aを旋回させて基板1を洗浄装置65内に移送する機能を有する。洗浄装置65は、基板1を水洗した後、基板1を回転させて水分を振り飛ばし乾燥させる機能を有する。そして、洗浄装置65によって洗浄、乾燥された基板1は、ロボット60によって搬出カセット66内に移送、収容される。   The substrate 1 placed on the positioning table 62 is positioned at a certain carry-in position. The carry-in arm 63 has a function of adsorbing the substrate 1 on the positioning table 62 to the adsorption pad 63 b and turning the arm 63 a to place the substrate 1 on the chuck table 70. On the other hand, the carry-out arm 64 has a function of sucking the processed substrate 1 on the chuck table 70 onto the suction pad 64b and rotating the arm 64a to transfer the substrate 1 into the cleaning device 65. The cleaning device 65 has a function of rotating the substrate 1 after the substrate 1 is washed with water, shaking off the moisture, and drying the substrate 1. Then, the substrate 1 cleaned and dried by the cleaning device 65 is transferred and accommodated in the carry-out cassette 66 by the robot 60.

搬入アーム63および搬出アーム64により、チャックテーブル70に対して基板1を搬入したり搬出したりする際には、移動台14は搬入・搬出エリア11B側に移動されて所定の搬入・搬出位置に位置付けられる。   When the substrate 1 is loaded into or unloaded from the chuck table 70 by the loading arm 63 and the unloading arm 64, the movable table 14 is moved to the loading / unloading area 11B side to a predetermined loading / unloading position. Positioned.

研磨手段20による基板1の加工位置は、搬入・搬出位置よりも壁部12側に所定距離移動した領域とされ、チャックテーブル70は、移動台14の移動によって、これら加工位置と搬入・搬出位置との間を行き来させられる。   The processing position of the substrate 1 by the polishing means 20 is an area moved by a predetermined distance from the loading / unloading position toward the wall 12, and the chuck table 70 is moved to the processing position and the loading / unloading position by the movement of the movable table 14. To and from.

[3]研磨装置の動作
次に、上記研磨装置10によって基板1の裏面1bを研磨する動作を説明する。この動作中に、本発明の研磨方法が含まれる。
[3] Operation of Polishing Apparatus Next, the operation of polishing the back surface 1b of the substrate 1 by the polishing apparatus 10 will be described. During this operation, the polishing method of the present invention is included.

搬入カセット61内の1枚の基板1がロボット60によって取り出され、位置決め台62上に載置されて所定の搬入位置に位置付けられ、次いで、搬入アーム63により、搬入・搬出位置に位置付けられたチャックテーブル70の保持面701上に保護テープ9を介して載置される。基板1は保持面701に同心状に載置され、この後、チャックテーブル70が真空運転されて基板1は保持面701に吸着して保持される(保持工程)。   One substrate 1 in the carry-in cassette 61 is taken out by the robot 60, placed on the positioning table 62 and positioned at a predetermined carry-in position, and then the chuck placed at the carry-in / out position by the carry-in arm 63. It is placed on the holding surface 701 of the table 70 via the protective tape 9. The substrate 1 is placed concentrically on the holding surface 701. Thereafter, the chuck table 70 is operated in vacuum, and the substrate 1 is sucked and held on the holding surface 701 (holding step).

次いで、移動台14が移動して基板1が加工位置まで送り込まれ、基板1の裏面1bが研磨手段20によって研磨される(研磨工程)。基板1の研磨は、上述したようにチャックテーブル70と研磨工具26の双方を回転させながら加工送り手段30によって研磨手段20を垂直に下降させ、チャックテーブル70に保持されて自転する基板1の裏面1bに研磨パッド262を上から押し付けることによりなされる。   Next, the moving table 14 moves and the substrate 1 is sent to the processing position, and the back surface 1b of the substrate 1 is polished by the polishing means 20 (polishing step). As described above, the polishing of the substrate 1 is performed by lowering the polishing means 20 vertically by the processing feeding means 30 while rotating both the chuck table 70 and the polishing tool 26 and holding the chuck table 70 to rotate. This is done by pressing the polishing pad 262 against 1b from above.

ここで、基板1を研磨している最中においては、常に次の動作がなされる。
まず、研磨工具26と基板1との接触によって発生する荷重が、移動台14に配設された荷重測定手段40によって連続的に測定される(荷重測定工程)。荷重測定手段40によって連続的に測定される荷重測定値は、制御手段50のRAM53に記憶される(荷重記憶工程)。さらに制御手段50では、RAM53に記憶された荷重が予め定められた所定の範囲を超えないようにモータ34に信号を送り、加工送り手段30による研磨手段20の下方への加工送り量を制御する(加工送り量制御工程)。例えば適正な研磨状態における荷重が100N程度であるとすると、予め定められた所定の範囲の荷重とは、例えば100±10Nと設定される。
Here, the following operation is always performed while the substrate 1 is being polished.
First, the load generated by the contact between the polishing tool 26 and the substrate 1 is continuously measured by the load measuring means 40 disposed on the moving table 14 (load measuring step). The load measurement value continuously measured by the load measurement means 40 is stored in the RAM 53 of the control means 50 (load storage process). Further, the control unit 50 sends a signal to the motor 34 so that the load stored in the RAM 53 does not exceed a predetermined range, and controls the machining feed amount of the machining feed unit 30 below the polishing unit 20. (Processing feed amount control process). For example, if the load in an appropriate polishing state is about 100 N, the predetermined range of load is set to 100 ± 10 N, for example.

このように制御手段50で加工送り手段30による研磨手段20の加工送り量が制御されることにより、研磨パッド262は適正な荷重で基板1に押し付けられる。所定の研磨時間が経過したら、加工送り手段30によって研磨手段20が上方に退避させられ、次いでチャックテーブル70の回転が停止されるとともにチャックテーブル70が搬入・搬出位置に戻される。そしてチャックテーブル70への基板1の吸着保持が解除されてから、搬出アーム64によって基板1がチャックテーブル70から取り上げられて洗浄装置65内に移送され、洗浄装置65内で水洗、乾燥処理される。次いで、基板1はロボット60によって搬出カセット66内に移送、収容される。   Thus, the control pad 50 presses the polishing pad 262 against the substrate 1 with an appropriate load by controlling the processing feed amount of the polishing means 20 by the processing feed means 30. When a predetermined polishing time has elapsed, the polishing means 20 is retracted upward by the processing feed means 30, and then the rotation of the chuck table 70 is stopped and the chuck table 70 is returned to the loading / unloading position. Then, after the suction and holding of the substrate 1 on the chuck table 70 is released, the substrate 1 is picked up from the chuck table 70 by the carry-out arm 64 and transferred into the cleaning device 65, and is washed and dried in the cleaning device 65. . Next, the substrate 1 is transferred and accommodated in the carry-out cassette 66 by the robot 60.

以上が1枚の基板1に対して研磨加工を施し、この後、洗浄して回収するサイクルであり、このサイクルが繰り返し行われる。そして搬入カセット61内の全ての基板1に対して処理が終わったら、基板1は搬出カセット66ごと次の工程に移される。   The above is a cycle in which a single substrate 1 is polished and then washed and collected. This cycle is repeated. When all the substrates 1 in the carry-in cassette 61 have been processed, the substrate 1 is moved to the next step together with the carry-out cassette 66.

以上が適切に研磨が終了する動作であるが、上記研磨工程において荷重測定手段40により測定されRAM53に記憶される荷重が、上記の予め定められた所定の範囲を超えて減少した時には、研磨加工中の基板1に割れが発生したと判断される(判断工程)。   The above is the operation to finish the polishing properly. When the load measured by the load measuring means 40 in the polishing step and stored in the RAM 53 decreases beyond the predetermined range, the polishing process is performed. It is determined that a crack has occurred in the inner substrate 1 (determination step).

基板1は保護テープ9を介してチャックテーブル70に保持されているため、基板1に割れが発生すると、割れて強度が減った部分が研磨手段20で部分的に押されて保護テープ9に沈み、そのため荷重が抜けるといった現象が起こり、測定される荷重が減少する。このような理由から、荷重が減少した時には基板1に割れが発生したと判断される。   Since the substrate 1 is held on the chuck table 70 via the protective tape 9, when a crack occurs in the substrate 1, the portion where the strength is reduced due to the crack is partially pushed by the polishing means 20 and sinks into the protective tape 9. As a result, the phenomenon that the load is lost occurs, and the measured load decreases. For these reasons, it is determined that a crack has occurred in the substrate 1 when the load decreases.

このように基板1に割れが発生したと判断された場合は、基板1に割れが発生したことが制御手段50のRAM53に記憶され(割れ記憶工程)、これと同時に、加工送り手段30による研磨手段20の加工送りが停止し、研磨手段20が上方に移動して基板1から離反させられ、研磨動作が中止される(研磨加工中止工程)。また、制御手段50から表示手段80にON信号が送られて表示手段80が「表示」の状態となる(割れ発生表示工程)。例えば表示手段80が上記点滅式赤色灯であれば、点滅発光する。作業者はこの表示手段80の表示ONにより、基板1に割れが発生したことを認識する。   When it is determined that the substrate 1 has been cracked in this way, the fact that the substrate 1 has been cracked is stored in the RAM 53 of the control means 50 (crack storing step), and at the same time, polishing by the processing feed means 30 is performed. The processing feed of the means 20 is stopped, the polishing means 20 moves upward and is separated from the substrate 1, and the polishing operation is stopped (polishing processing stop step). Further, an ON signal is sent from the control means 50 to the display means 80, and the display means 80 is brought into a "display" state (crack generation display process). For example, if the display means 80 is the flashing red light, the flashing light is emitted. The operator recognizes that a crack has occurred in the substrate 1 by turning on the display of the display means 80.

一方、加工エリア11Aでは、研磨の中止に続いてチャックテーブル70が加工位置から搬入・搬出位置に戻され、チャックテーブル70への吸着、保持が解除された基板1が搬出アーム64によって取り上げられ、洗浄装置65内に移送される。そしてここでは洗浄装置65での洗浄は行われず、基板1はロボット60によって搬出カセット66内に移送、収容される。割れが発生した基板1は作業者により搬出カセット66のどこに収容されたかが確認され、次の工程に移される際に別の処理がなされる。   On the other hand, in the processing area 11A, the chuck table 70 is returned from the processing position to the loading / unloading position after the polishing is stopped, and the substrate 1 released from the chucking and holding of the chuck table 70 is taken up by the unloading arm 64. It is transferred into the cleaning device 65. Here, the cleaning by the cleaning device 65 is not performed, and the substrate 1 is transferred and accommodated in the carry-out cassette 66 by the robot 60. The operator confirms where the broken substrate 1 is stored in the carry-out cassette 66 by the operator, and performs another process when moving to the next step.

[4]割れ検知方法の作用効果
上記一実施形態によれば、研磨工程の最中に行われる加工送り量制御工程において、研磨工具26の研磨パッド262と基板1との接触によって発生する荷重が予め定められた所定の範囲を超えて減少した時に、基板1に割れが発生したと判断している。したがって基板1に割れが発生したことを適確に判断することができ、基板1の割れに速やかに対処することができる。
[4] Effects of Crack Detection Method According to the above-described embodiment, the load generated by the contact between the polishing pad 262 of the polishing tool 26 and the substrate 1 in the processing feed amount control step performed during the polishing step is performed. When it decreases beyond a predetermined range, it is determined that a crack has occurred in the substrate 1. Therefore, it is possible to accurately determine that a crack has occurred in the substrate 1 and to quickly deal with the crack in the substrate 1.

また、基板1に割れが発生したと判断された後には、研磨手段20が基板1から離反して研磨加工が中止されるとともに、割れの発生を表示手段80によって作業者が知ることができ、また、これと同時に割れが発生した基板1の搬出が行われる。このため、割れが発生している基板1への研磨加工の続行が回避される。仮に、そのまま割れが発生した基板1を研磨した場合には、割れた部分によって研磨パッド262が損傷し、損傷したまま次々に後続の基板1を研磨すると、基板1の均一な研磨加工ができないおそれがある。しかし、本実施形態では割れが発生したと判断されたら研磨は速やかに回避されて研磨パッド262は割れた基板1から離反するため、その後の研磨工具26による均一な研磨加工が確保される。また、次に研磨加工すべき基板1を速やかに研磨装置10に搬入することができるため、生産性の向上を図ることができる。   Further, after it is determined that a crack has occurred in the substrate 1, the polishing means 20 is separated from the substrate 1 and the polishing process is stopped, and the operator can know the occurrence of the crack by the display means 80, At the same time, the substrate 1 in which cracking has occurred is carried out. For this reason, the continuation of the polishing process on the substrate 1 in which the crack has occurred is avoided. If the substrate 1 that has been cracked is polished as it is, the polishing pad 262 is damaged by the cracked portion, and if subsequent substrates 1 are polished one after another while being damaged, the substrate 1 may not be uniformly polished. There is. However, in this embodiment, if it is determined that a crack has occurred, the polishing is quickly avoided and the polishing pad 262 separates from the cracked substrate 1, so that a uniform polishing process by the subsequent polishing tool 26 is ensured. Further, since the substrate 1 to be polished next can be quickly carried into the polishing apparatus 10, productivity can be improved.

上記実施形態の研磨装置10では、研磨工具26が基板1に押し付けられて発生する荷重を連続的に測定する荷重測定手段40は、チャックテーブル70に配設されているが、荷重測定手段40は、図6の変更例に示すように、チャックテーブル70ではなく加工送り手段30の方に配設されていても、同様にその荷重を測定することができる。   In the polishing apparatus 10 of the above embodiment, the load measuring means 40 for continuously measuring the load generated when the polishing tool 26 is pressed against the substrate 1 is disposed on the chuck table 70, but the load measuring means 40 is As shown in the modified example of FIG. 6, the load can be measured in the same manner even when the processing feed means 30 is arranged instead of the chuck table 70.

図6に示す加工送り手段30は、ホルダ35の下方に配設されてスピンドルシャフト23から荷重の反発を受ける円板状の荷重受け板38を有しており、この荷重受け板38とホルダ35との間に、複数(例えば3つ)の荷重測定手段40が挟まれて配設されている。複数の荷重測定手段40は、周方向に等間隔に配されている。   The processing feed means 30 shown in FIG. 6 has a disk-shaped load receiving plate 38 that is disposed below the holder 35 and receives a repulsion of the load from the spindle shaft 23. The load receiving plate 38 and the holder 35 are provided. A plurality of (for example, three) load measuring means 40 are sandwiched between the two. The plurality of load measuring means 40 are arranged at equal intervals in the circumferential direction.

この構成によると、研磨工具26の研磨パッド262が基板1を押し付けられて発生する荷重は、研磨工具26、マウント25、スピンドルシャフト23、荷重受け板38を経て荷重測定手段40に伝わる。そして各荷重測定手段40で連続的に測定される荷重測定値の合計値が、制御手段50の入力インターフェイス54に入力される。   According to this configuration, the load generated when the polishing pad 262 of the polishing tool 26 is pressed against the substrate 1 is transmitted to the load measuring means 40 through the polishing tool 26, the mount 25, the spindle shaft 23, and the load receiving plate 38. The total value of the load measurement values continuously measured by each load measuring means 40 is input to the input interface 54 of the control means 50.

このように研磨手段20側に荷重測定手段40を配設する場合としては、例えばチャックテーブル70の移動量が大きかったり、複数のチャックテーブル70が回転式のターンテーブル上に設置されていたりして(特開2007−305628号参照)、荷重測定手段40への配線の取り回しが困難になる場合などが挙げられ、比較的配線を簡素化することができることから好適な構成とされる。   As described above, when the load measuring means 40 is disposed on the polishing means 20 side, for example, the movement amount of the chuck table 70 is large, or a plurality of chuck tables 70 are installed on a rotary turntable. (See Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-305628), cases where it is difficult to route the wiring to the load measuring means 40, and the wiring can be relatively simplified, which is a preferable configuration.

1…板状基板
9…保護テープ
10…研磨装置
14…移動台(チャックテーブル支持手段)
20…研磨手段
26…研磨工具
30…加工送り手段
40…荷重測定手段
53…RAM(記憶手段)
70…チャックテーブル
80…表示手段
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Plate-shaped board | substrate 9 ... Protection tape 10 ... Polishing apparatus 14 ... Moving stand (chuck table support means)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 20 ... Polishing means 26 ... Polishing tool 30 ... Processing feed means 40 ... Load measuring means 53 ... RAM (memory | storage means)
70 ... Chuck table 80 ... Display means

Claims (1)

板状基板を研磨装置で研磨する研磨加工において、研磨加工中に発生した該板状基板の割れを検知する板状基板の割れ検知方法であって、
前記板状基板の一方の面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
該保護テープ貼着工程で前記保護テープが貼着された前記板状基板の一方の面を前記研磨装置に配設されたチャックテーブル支持手段に回転可能に支持されたチャックテーブルに載置して保持する保持工程と、
該保持工程で一方の面が前記チャックテーブルに保持された前記板状基板の他方の面に対向して研磨工具が回転可能に装着された研磨手段を配置し、該板状基板を保持した該チャックテーブルと該研磨工具を回転させるとともに、前記研磨装置に配設された加工送り手段によって該研磨手段を該板状基板の該他方の面に向けて垂直に加工送りすることによって該板状基板の該他方の面に該研磨工具を接触させて研磨加工を行う研磨工程と、
該研磨工程において、前記研磨工具と前記板状基板との接触によって発生する荷重を前記加工送り手段または前記チャックテーブル支持手段のいずれかに配設された荷重測定手段によって連続的に測定する荷重測定工程と、
該荷重測定工程で測定された前記荷重を前記研磨装置に配設された記憶手段に記憶する荷重記憶工程と、
該荷重記憶工程で記憶された前記荷重が予め定められた所定の範囲を超えないように前記加工送り手段による前記研磨手段の加工送り量を制御する加工送り量制御工程と、
該加工送り量制御工程において、前記荷重が前記予め定められた所定の範囲を超えて減少した時に研磨加工中の前記板状基板に割れが発生したと判断する判断工程と、
を少なくとも含み、
前記判断工程で前記板状基板に割れが発生したと判断した場合は、
該板状基板に割れが発生したことを前記記憶手段に記憶する割れ記憶工程と、
前記加工送り手段による前記研磨手段の加工送りを停止し、次いで該加工送り手段によって該研磨手段を前記板状基板から離反する向きに移動させる研磨加工中止工程と、
前記研磨装置に配設された表示手段に前記板状基板に割れが発生したことを表示する割れ発生表示工程と、
前記チャックテーブルから割れの発生した前記板状基板を搬出する搬出工程と、
を少なくとも含むことを特徴とする板状基板の割れ検知方法。
In a polishing process for polishing a plate-like substrate with a polishing apparatus, a crack detection method for a plate-like substrate for detecting a crack in the plate-like substrate generated during the polishing process,
A protective tape attaching step of attaching a protective tape to one surface of the plate-like substrate;
One surface of the plate-like substrate to which the protective tape has been attached in the protective tape attaching step is placed on a chuck table that is rotatably supported by chuck table support means disposed in the polishing apparatus. Holding process to hold;
In the holding step, a polishing means on which a polishing tool is rotatably mounted so that one surface faces the other surface of the plate-like substrate held by the chuck table is disposed, and the plate-like substrate is held. The plate-like substrate is rotated by rotating the chuck table and the polishing tool and vertically feeding the polishing means toward the other surface of the plate-like substrate by the processing feed means provided in the polishing apparatus. A polishing step of performing polishing by bringing the polishing tool into contact with the other surface of
In the polishing step, load measurement is performed by continuously measuring the load generated by the contact between the polishing tool and the plate-like substrate by the load measuring means disposed on either the processing feed means or the chuck table support means. Process,
A load storage step of storing the load measured in the load measurement step in a storage means disposed in the polishing apparatus;
A processing feed amount control step of controlling a processing feed amount of the polishing means by the processing feed means so that the load stored in the load storage step does not exceed a predetermined range,
In the processing feed amount control step, a determination step of determining that a crack has occurred in the plate-like substrate during polishing when the load decreases beyond the predetermined range,
At least look at including the,
When it is determined that the crack has occurred in the plate-like substrate in the determination step,
A crack storing step of storing in the storage means that a crack has occurred in the plate-like substrate;
A polishing process stopping step of stopping the process feed of the polishing means by the process feed means, and then moving the polishing means away from the plate substrate by the process feed means;
A crack generation display step for displaying that a crack has occurred in the plate-like substrate on the display means disposed in the polishing apparatus;
An unloading step of unloading the plate-shaped substrate with cracks from the chuck table;
The crack detection method of the plate-shaped board | substrate characterized by including at least .
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JP6121283B2 (en) * 2013-08-13 2017-04-26 株式会社ディスコ Polishing equipment
CN112352303B (en) * 2018-07-09 2024-04-09 东京毅力科创株式会社 Processing device, processing method, and computer storage medium
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3740702B2 (en) * 1994-02-25 2006-02-01 旭硝子株式会社 Polishing device with breakage detection means
JP3705670B2 (en) * 1997-02-19 2005-10-12 株式会社荏原製作所 Polishing apparatus and method
JP3307854B2 (en) * 1997-05-14 2002-07-24 ソニー株式会社 Polishing apparatus, polishing material and polishing method
JPH10313038A (en) * 1997-05-09 1998-11-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Method for processing substrate and device therefor
JP2001096455A (en) * 1999-09-28 2001-04-10 Ebara Corp Polishing device
JP2003071715A (en) * 2001-09-05 2003-03-12 Disco Abrasive Syst Ltd Grinding apparatus
JP3874643B2 (en) * 2001-10-16 2007-01-31 セントラル硝子株式会社 Detection method for abnormal polishing on the periphery of glass plate
JP2011143516A (en) * 2010-01-15 2011-07-28 Disco Abrasive Syst Ltd Machining device
JP2011189411A (en) * 2010-03-11 2011-09-29 Renesas Electronics Corp Wafer grinding device, wafer grinding method, wafer grinding program and wafer grinding control device

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