JP5466963B2

JP5466963B2 - Grinding equipment

Info

Publication number: JP5466963B2
Application number: JP2010025522A
Authority: JP
Inventors: 宏太郎門田; 貴彦津野
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2010-02-08
Filing date: 2010-02-08
Publication date: 2014-04-09
Anticipated expiration: 2030-02-08
Also published as: JP2011161550A

Description

本発明は、研削装置に関し、特に、半導体ウェーハ等の被加工物を研削加工する研削装置に関する。 The present invention relates to a grinding apparatus, and more particularly to a grinding apparatus for grinding a workpiece such as a semiconductor wafer.

ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが分割予定ラインによって区画されてその表面に複数形成された半導体ウェーハや、樹脂基板、電子部品に使用される各種セラミック基板やガラス基板等の板状物は、裏面が研削・研磨されて所定の厚さに形成された後、ダイシング装置やレーザー加工装置によって個々のデバイスに分割され、分割された各デバイスは各種電子機器に利用されている。 IC, LSI and other devices are divided by the planned division lines, and the back surface of semiconductor wafers, resin substrates, various ceramic substrates used for electronic components, and glass substrates are ground. After being polished and formed to a predetermined thickness, it is divided into individual devices by a dicing apparatus or a laser processing apparatus, and each divided device is used in various electronic apparatuses.

近年、これらの板状物は１ワーク当たりのチップの取り量を増やすために大型化が進んでおり、特に半導体ウェーハにおいてはφ４５０ｍｍとする規格化が進められている。一方、これら板状物の裏面を研削・研磨する装置としては粗研削手段と仕上げ研削（研磨）手段とを備えたグラインダと称する研削・研磨装置が広く使用されている。 In recent years, these plate-like objects have been increased in size in order to increase the amount of chips taken per work, and in particular, standardization of φ450 mm has been advanced for semiconductor wafers. On the other hand, as a device for grinding and polishing the back surface of these plate-like objects, a grinding and polishing device called a grinder provided with rough grinding means and finish grinding (polishing) means is widely used.

これらの研削・研磨装置は、被加工物を保持する複数のチャックテーブルがターンテーブル上に周方向に等間隔離間して設けられており、被加工物がチャックテーブルに保持された状態でターンテーブルが回転していくことで、ターンテーブルに対峙して配設された研削手段又は研磨手段によって、順次粗研削から仕上げ研削又は研磨へと一連の加工が施される（例えば、特許文献１参照）。 In these grinding / polishing apparatuses, a plurality of chuck tables for holding a workpiece are provided on the turntable at equal intervals in the circumferential direction, and the workpiece is held on the chuck table. As a result of the rotation, a series of processing is sequentially performed from rough grinding to finish grinding or polishing by a grinding means or a polishing means arranged opposite to the turntable (see, for example, Patent Document 1). .

特開２００１−２８４３０３号公報JP 2001-284303 A

しかしながら、半導体ウェーハが、例えば、現在広く使用されているφ２００ｍｍやφ３００ｍｍからφ４５０ｍｍへ移行した場合においては、研削・研磨装置は非常に大型化することとなり、複数のチャックテーブルを搭載するターンテーブルの直径も非常に大きくなる。 However, when the semiconductor wafer is shifted from φ200 mm or φ300 mm, which is currently widely used, to φ450 mm, the grinding / polishing apparatus becomes very large, and the diameter of the turntable on which a plurality of chuck tables are mounted. Will also be very large.

本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、より省スペースな装置で、大型の板状物を研削・研磨することができる研削装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a grinding apparatus that can grind and polish a large plate-like object with a more space-saving apparatus.

本発明の研削装置は、ワークを保持する保持機構と、前記保持機構に保持されたワークを研削加工する研削機構とを有する研削装置であって、前記研削機構は、ワークを粗研削する粗研削部と、前記粗研削部で研削されたワークを仕上げ研削する仕上げ研削部と、前記仕上げ研削部で研削されたワークを研磨する第一の研磨部と、前記仕上げ研削部で研削されたワークを研磨する第二の研磨部とを有し、一方向に沿って前記第一の研磨部、粗研削部、仕上げ研削部及び第二の研磨部の順に配設されており、前記保持機構は、前記一方向に沿って二つ配設された保持テーブルを有し、当該一方向内において前記第一の研磨部側の前記保持テーブルを第一の保持テーブルとし、前記第二の研磨部側の前記保持テーブルを第二の保持テーブルとした場合に、前記保持機構を、前記第一の保持テーブルが前記第一の研磨部に対向し前記第二の保持テーブルが前記粗研削部に対向する位置である第一の加工位置と、前記第一の保持テーブルが前記粗研削部に対向し前記第二の保持テーブルが前記仕上げ研削部に対向する位置である第二の加工位置と、前記第一の保持テーブルが前記仕上げ研削部に対向し前記第二の保持テーブルが前記第二の研磨部に対向する位置である第三の加工位置とに順に位置付ける制御機構とを有することを特徴とする。 The grinding apparatus of the present invention is a grinding apparatus having a holding mechanism that holds a workpiece and a grinding mechanism that grinds the workpiece held by the holding mechanism, and the grinding mechanism performs rough grinding of the workpiece. A finish grinding portion for finish grinding the workpiece ground by the rough grinding portion, a first grinding portion for grinding the workpiece ground by the finish grinding portion, and a workpiece ground by the finish grinding portion. A second polishing part to be polished, and arranged in the order of the first polishing part, rough grinding part, finish grinding part and second polishing part along one direction, the holding mechanism, Two holding tables arranged along the one direction, the holding table on the first polishing unit side in the one direction as a first holding table, and on the second polishing unit side The holding table is a second holding table The first holding table is a position where the first holding table faces the first polishing section and the second holding table faces the rough grinding section; and A second processing position in which one holding table faces the rough grinding section and the second holding table faces the finish grinding section; and the first holding table faces the finish grinding section. The second holding table includes a control mechanism that is sequentially positioned at a third processing position that is a position facing the second polishing unit.

この構成によれば、第一の研摩部、粗研削部、仕上げ研削部及び第二の研摩部を一方向に沿って配設し、隣接する研摩部と研削部等で構成される第一〜第三の加工位置にワークを保持した保持機構を位置付けるようにしたことから、加工位置間のワークの搬送経路を直線状に構成することができ、研削装置における保持機構の占有面積を縮小することができるので、より省スペースな装置で、大型の板状物を研削・研磨することができる研削装置を提供することが可能となる。また、第一〜第三の加工位置において、第一、第二の保持テーブルをそれぞれ隣接する研摩部と研削部等に対向させていることから、第一、第二保持テーブルで保持した複数のワークに対して同時に加工処理を施すことができ、加工処理の効率化を図ることが可能となる。 According to this configuration, the first polishing portion, the rough grinding portion, the finish grinding portion, and the second polishing portion are arranged along one direction, and the first to the first polishing portions are configured by the adjacent polishing portion and the grinding portion. Since the holding mechanism that holds the workpiece is positioned at the third machining position, the workpiece conveyance path between the machining positions can be configured linearly, and the occupation area of the holding mechanism in the grinding device can be reduced. Therefore, it is possible to provide a grinding apparatus that can grind and polish a large plate-like object with a more space-saving apparatus. Moreover, in the first to third processing positions, the first and second holding tables are opposed to the adjacent polishing section and grinding section, respectively, so that a plurality of the first and second holding tables are held. The workpiece can be processed simultaneously, and the efficiency of the processing can be improved.

本発明の研削装置において、前記制御機構は、初めに位置付けられる前記第一の加工位置では前記第二の保持テーブルに搬入して保持された加工前のワークを前記粗研削部で研削し、初めに位置付けられる前記第二の加工位置では前記第一の保持テーブルに搬入して保持された加工前のワークを前記粗研削部で研削すると共に前記第二の保持テーブルに保持されたワークを前記仕上げ研削部で研削し、前記第三の加工位置では前記第一の保持テーブルに保持されたワークを前記仕上げ研削部で研削すると共に前記第二の保持テーブルに保持されたワークを前記第二の研磨部で研磨し、前記保持機構が前記第三の加工位置に位置付けられた後に再び前記第一の加工位置に位置付けて、二回目以降に位置付けられる前記第一の加工位置では前記第一の保持テーブルに保持されたワークを前記第一の研磨部で研磨すると共に前記第二の保持テーブルに保持された加工後のワークを搬出して加工前のワークを搬入した後に前記第二の保持テーブルに保持されたワークを前記粗研削部で研削し、二回目以降に位置付けられる前記第二の加工位置では前記第一の保持テーブルに保持された加工後のワークを搬出して加工前のワークを搬入した後に前記第一の保持テーブルに保持されたワークを前記粗研削部で研削すると共に前記第二の保持テーブルに保持されたワークを前記仕上げ研削部で研削することが好ましい。 In the grinding apparatus of the present invention, the control mechanism grinds the workpiece before being carried in and held on the second holding table at the first machining position, which is initially positioned, by the rough grinding section. In the second machining position positioned at the position, the workpiece before being carried in and held on the first holding table is ground by the rough grinding part and the workpiece held on the second holding table is finished. Grinding by the grinding unit, and grinding the workpiece held by the first holding table at the third processing position by the finish grinding unit and polishing the workpiece held by the second holding table by the second polishing And the holding mechanism is positioned at the third processing position and then positioned at the first processing position again. At the first processing position positioned at the second time and thereafter, the first processing position is The workpiece held on the holding table is polished by the first polishing section, the processed workpiece held on the second holding table is unloaded and the workpiece before processing is carried in, and then the second holding is performed. The workpiece held on the table is ground by the rough grinding section, and the workpiece after the processing held on the first holding table is unloaded at the second processing position that is positioned after the second time. It is preferable that the workpiece held on the first holding table is ground by the rough grinding portion and the workpiece held on the second holding table is ground by the finish grinding portion.

本発明によれば、第一の研摩部、粗研削部、仕上げ研削部及び第二の研摩部を一方向に沿って配設し、隣接する研摩部と研削部等で構成される第一〜第三の加工位置にワークを保持した保持機構を位置付けるようにしたことから、加工位置間のワークの搬送経路を直線状に構成することができ、研削装置における保持機構の占有面積を縮小することができるので、より省スペースな装置で、大型の板状物を研削・研磨することができる研削装置を提供することが可能となる。また、第一〜第三の加工位置において、第一、第二の保持テーブルをそれぞれ隣接する研摩部と研削部等に対向させていることから、第一、第二保持テーブルで保持した複数のワークに対して同時に加工処理を施すことができ、加工処理の効率化を図ることが可能となる。 According to the present invention, the first polishing section, the rough grinding section, the finish grinding section, and the second polishing section are arranged along one direction, and the first polishing section and the grinding section that are adjacent to each other. Since the holding mechanism that holds the workpiece is positioned at the third machining position, the workpiece conveyance path between the machining positions can be configured linearly, and the occupation area of the holding mechanism in the grinding device can be reduced. Therefore, it is possible to provide a grinding apparatus that can grind and polish a large plate-like object with a more space-saving apparatus. Moreover, in the first to third processing positions, the first and second holding tables are opposed to the adjacent polishing section and grinding section, respectively, so that a plurality of the first and second holding tables are held. The workpiece can be processed simultaneously, and the efficiency of the processing can be improved.

本発明の実施の形態１に係る研削装置の外観斜視図である。1 is an external perspective view of a grinding apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. 実施の形態１に係る研削装置のチャックテーブルがウェーハ搬入・搬出位置に配置された状態の平面模式図である。It is a plane schematic diagram in the state where the chuck table of the grinding device concerning Embodiment 1 has been arranged in the wafer carrying in / out position. 実施の形態１に係る研削装置のチャックテーブルが第一加工位置に配置された状態の平面模式図である。It is a plane schematic diagram in the state where the chuck table of the grinding device concerning Embodiment 1 is arranged in the 1st processing position. 実施の形態１に係る研削装置のチャックテーブルが第二加工位置に配置された状態の平面模式図である。It is a plane schematic diagram in the state where the chuck table of the grinding device concerning Embodiment 1 is arranged in the 2nd processing position. 実施の形態１に係る研削装置のチャックテーブルが第三加工位置に配置された状態の平面模式図である。It is a plane schematic diagram of the state by which the chuck table of the grinding device concerning Embodiment 1 is arranged in the 3rd processing position. 実施の形態１に係る研削装置の一方のチャックテーブルとの間で半導体ウェーハを搬出・搬入する状態の平面模式図である。FIG. 3 is a schematic plan view of a state in which a semiconductor wafer is unloaded / loaded into / from one chuck table of the grinding apparatus according to the first embodiment. 実施の形態１に係る研削装置の他方のチャックテーブルとの間で半導体ウェーハを搬出・搬入する状態の平面模式図である。FIG. 3 is a schematic plan view of a state in which a semiconductor wafer is carried out and carried in with the other chuck table of the grinding apparatus according to the first embodiment. 本発明の実施の形態２に係る研削装置の外観斜視図である。It is an external appearance perspective view of the grinding device concerning Embodiment 2 of the present invention. 実施の形態２に係る研削装置のチャックテーブルが第一加工位置に配置された状態の平面模式図である。It is a plane schematic diagram in the state where the chuck table of the grinding device concerning Embodiment 2 is arranged in the 1st processing position. 実施の形態２に係る研削装置のチャックテーブルが第二加工位置に配置された状態の平面模式図である。It is a plane schematic diagram in the state where the chuck table of the grinding device concerning Embodiment 2 is arranged in the 2nd processing position. 実施の形態２に係る研削装置のチャックテーブルが第三加工位置に配置された状態の平面模式図である。It is a plane schematic diagram of the state by which the chuck table of the grinding device concerning Embodiment 2 is arranged in the 3rd processing position. 実施の形態２に係る研削装置の一方のチャックテーブルとの間で半導体ウェーハを搬出・搬入する状態の平面模式図である。FIG. 6 is a schematic plan view of a state in which a semiconductor wafer is carried out and carried in between one chuck table of a grinding apparatus according to a second embodiment. 実施の形態２に係る研削装置の他方のチャックテーブルとの間で半導体ウェーハを搬出・搬入する状態の平面模式図である。It is a plane schematic diagram of the state which carries out and carries in a semiconductor wafer between the other chuck tables of the grinding device concerning Embodiment 2.

以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態に係る研削装置においては、被加工物（ワーク）としてシリコンウェーハ等の半導体ウェーハを例に挙げて説明するが、この構成に限定されるものではない。例えば、ＧａＡｓ等の半導体ウェーハ、セラミック、ガラス、サファイヤ（Al₂O₃）系の無機材料基板、板状金属や樹脂の延性材料、ミクロンオーダーからサブミクロンオーダーの平坦度（TTV: total thickness variation）が要求される各種加工材料が挙げられる。なお、ここでいう平坦度とは、ワークの被研削面を基準面として厚み方向を測定した高さのうち、最大値と最小値との差を示している。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the grinding apparatus according to the present embodiment, a semiconductor wafer such as a silicon wafer is described as an example of a workpiece (workpiece), but the present invention is not limited to this configuration. For example, semiconductor wafers such as GaAs, ceramic, glass, sapphire (Al ₂ O ₃ ) inorganic material substrates, ductile materials of sheet metal and resin, flatness on the order of micron to submicron (TTV: total thickness variation) There are various processing materials for which is required. The flatness referred to here indicates the difference between the maximum value and the minimum value among the heights measured in the thickness direction using the surface to be ground of the workpiece as a reference surface.

（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る研削装置の外観斜視図である。図１に示すように、研削装置１は、加工前の半導体ウェーハを搬入する他、加工後の半導体ウェーハを搬出する搬入搬出機構２と、搬入搬出機構２から搬入された半導体ウェーハを保持した状態で所定位置に移動する保持機構３と、保持機構３に保持された半導体ウェーハを研削加工して薄化する研削機構４とから構成されている。これらの搬入搬出機構２、保持機構３及び研削機構４は、基台５に配設されている。搬入搬出機構２は、基台５の前面５ａ側の位置に配置され、保持機構３及び研削機構４は、この搬入搬出機構２の後面５ｄ側の位置に配置されている。 (Embodiment 1)
FIG. 1 is an external perspective view of a grinding apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. As shown in FIG. 1, the grinding apparatus 1 holds a semiconductor wafer carried in from the carry-in / carry-out mechanism 2 and a carry-in / carry-out mechanism 2 for carrying out a semiconductor wafer after machining in addition to carrying in a semiconductor wafer before machining. The holding mechanism 3 moves to a predetermined position and the grinding mechanism 4 for grinding and thinning the semiconductor wafer held by the holding mechanism 3. These loading / unloading mechanism 2, holding mechanism 3 and grinding mechanism 4 are arranged on a base 5. The carry-in / carry-out mechanism 2 is disposed at a position on the front surface 5 a side of the base 5, and the holding mechanism 3 and the grinding mechanism 4 are disposed at a position on the rear surface 5 d side of the carry-in / carry-out mechanism 2.

搬入搬出機構２は、基台５の前面５ａ側の上面に配設されている。搬入搬出機構２は、搬入用カセット２１、搬出用カセット２２、搬入搬出アーム２３、位置決め部２４及びスピンナー洗浄部２５を有している。搬入用カセット２１、搬出用カセット２２は、それぞれ基台５の前面５ａから前方に突設されたカセット載置部５１、５２に載置されている。搬入用カセット２１には、加工前の半導体ウェーハが収容される。搬出用カセット２２には、加工後の半導体ウェーハが収容される。搬入搬出アーム２３は、カセット載置部５２の後面５ｄ側に配置され、カセット載置部５２に面して設けられている。位置決め部２４は、搬入搬出アーム２３に隣接して基台５の一方の側面５ｂ近傍に設けられ、スピンナー洗浄部２５は、搬入搬出アーム２３に隣接して基台５の他方の側面５ｃ近傍に設けられている。 The loading / unloading mechanism 2 is disposed on the upper surface of the base 5 on the front surface 5a side. The loading / unloading mechanism 2 includes a loading cassette 21, a loading cassette 22, a loading / unloading arm 23, a positioning unit 24, and a spinner cleaning unit 25. The carry-in cassette 21 and the carry-out cassette 22 are mounted on cassette mounting portions 51 and 52 that protrude forward from the front surface 5 a of the base 5, respectively. The carry-in cassette 21 accommodates a semiconductor wafer before processing. The unloading cassette 22 accommodates the processed semiconductor wafer. The carry-in / carry-out arm 23 is disposed on the rear surface 5 d side of the cassette placing part 52 and is provided facing the cassette placing part 52. The positioning unit 24 is provided in the vicinity of one side surface 5b of the base 5 adjacent to the carry-in / out arm 23, and the spinner cleaning unit 25 is provided in the vicinity of the other side surface 5c of the base 5 adjacent to the carry-in / out arm 23. Is provided.

搬入搬出アーム２３は、カセット載置部５１に載置された搬入用カセット２１から位置決め部２４に加工前の半導体ウェーハを搬入する他、スピンナー洗浄部２５からカセット載置部５２に載置された搬出用カセット２２に加工後の半導体ウェーハを収納する。また、搬入搬出アーム２３は、位置決め部２４により位置決めされた半導体ウェーハを後述するチャックテーブル３１に供給する一方、チャックテーブル３１上で加工された半導体ウェーハを回収してスピンナー洗浄部２５に移動する。 The loading / unloading arm 23 is loaded on the cassette mounting unit 52 from the spinner cleaning unit 25 in addition to loading the unprocessed semiconductor wafer from the loading cassette 21 mounted on the cassette mounting unit 51 to the positioning unit 24. The processed semiconductor wafer is stored in the unloading cassette 22. The carry-in / carry-out arm 23 supplies the semiconductor wafer positioned by the positioning unit 24 to a chuck table 31 described later, and collects the semiconductor wafer processed on the chuck table 31 and moves it to the spinner cleaning unit 25.

搬入搬出アーム２３は、例えば、上下方向に移動可能な支持台と、この支持台上に設けられた多節リンク機構と、この多節リンク機構の先端に設けられ、半導体ウェーハを支持するウェーハ支持部とを含んで構成される。この場合、搬入搬出アーム２３においては、支持台によりウェーハ支持部の高さ方向の位置合わせが行われ、多節リンク機構によりウェーハ支持部の水平移動が行われる。これにより、搬入搬出アーム２３は、搬入用カセット２１、位置決め部２４、スピンナー洗浄テーブル２５１及び搬出用カセット２２の設置位置、並びに、後述するチャックテーブル３１のウェーハ搬入搬出位置を含む範囲でウェーハ支持部を移動可能に構成される。なお、ウェーハ支持部は、例えば、半導体ウェーハに対する支持部分に形成された孔を介して、基台５内部に設けられた負圧発生機構により発生した負圧により半導体ウェーハを支持することができる。 The carry-in / carry-out arm 23 is, for example, a support base that is movable in the vertical direction, a multi-node link mechanism provided on the support base, and a wafer support that is provided at the tip of the multi-node link mechanism and supports a semiconductor wafer Part. In this case, in the loading / unloading arm 23, the height of the wafer support portion is aligned by the support base, and the wafer support portion is horizontally moved by the multi-node link mechanism. Thereby, the carry-in / carry-out arm 23 has a wafer support unit within a range including the installation position of the carry-in cassette 21, the positioning unit 24, the spinner cleaning table 251 and the carry-out cassette 22, and the wafer carry-in / carry-out position of the chuck table 31 described later. Configured to be movable. In addition, the wafer support part can support a semiconductor wafer by the negative pressure which generate | occur | produced by the negative pressure generation mechanism provided in the base 5, for example through the hole formed in the support part with respect to a semiconductor wafer.

位置決め部２４は、位置決めテーブル２４１と、この位置決めテーブル２４１に放射状に形成された溝部２４２から突出する複数の位置決めピン２４３とを有している。複数の位置決めピン２４３は、不図示の駆動機構に接続され、溝部２４２に沿って位置決めテーブル２４１の中央に対して進退可能に構成されている。これらの複数の位置決めピン２４３は、位置決めテーブル２４１上に配置された半導体ウェーハの側面に外周側から当接して、半導体ウェーハを位置決めできるものとなっている。 The positioning unit 24 includes a positioning table 241 and a plurality of positioning pins 243 that protrude from grooves 242 that are radially formed on the positioning table 241. The plurality of positioning pins 243 are connected to a driving mechanism (not shown) and configured to be able to advance and retract with respect to the center of the positioning table 241 along the groove 242. The plurality of positioning pins 243 can contact the side surface of the semiconductor wafer disposed on the positioning table 241 from the outer peripheral side to position the semiconductor wafer.

スピンナー洗浄部２５は、チャックテーブル３１から回収された半導体ウェーハが載置されるスピンナー洗浄テーブル２５１と、上下方向に移動してスピンナー洗浄部２５内を開放、密閉するシャッター部２５２とを有している（図１においては、シャッター部２５２が開いた状態を示している）。スピンナー洗浄部２５においては、シャッター部２５２を閉じた状態において、スピンナー洗浄テーブル２５１に載置された半導体ウェーハを回転させ、洗浄水を噴射して洗浄できるものとなっている。 The spinner cleaning unit 25 includes a spinner cleaning table 251 on which a semiconductor wafer collected from the chuck table 31 is placed, and a shutter unit 252 that moves up and down to open and seal the inside of the spinner cleaning unit 25. (In FIG. 1, the shutter 252 is shown open). In the spinner cleaning unit 25, the semiconductor wafer placed on the spinner cleaning table 251 can be rotated and the cleaning water can be sprayed and cleaned while the shutter unit 252 is closed.

保持機構３は、基台５の上面の中央部近傍で側面５ｂ、５ｃ間に形成された凹部５３に配設されている。保持機構３は、半導体ウェーハを保持する２つのチャックテーブル３１と、これらのチャックテーブル３１を移動する移動機構の一部を構成する２本のシャフト３２１、３２２と、これらのチャックテーブル３１の移動をガイドするガイド部材３３とを有している。シャフト３２１、３２２及びガイド部材３３は、チャックテーブル３１の下方側領域にて基台５の前面５ａから後面５ｄに向かう前後方向に並べて配置されている。 The holding mechanism 3 is disposed in a concave portion 53 formed between the side surfaces 5 b and 5 c in the vicinity of the central portion of the upper surface of the base 5. The holding mechanism 3 includes two chuck tables 31 that hold a semiconductor wafer, two shafts 321 and 322 that constitute a part of a moving mechanism that moves the chuck tables 31, and movement of the chuck tables 31. And a guide member 33 for guiding. The shafts 321 and 322 and the guide member 33 are arranged side by side in the front-rear direction from the front surface 5 a to the rear surface 5 d of the base 5 in the lower region of the chuck table 31.

チャックテーブル３１は、基台５の側面５ｂ側に配置される第一の保持テーブルとしての第一チャックテーブル３１１と、基台５の側面５ｃ側に配置される第二の保持テーブルとしての第二チャックテーブル３１２とから構成される。これらの第一チャックテーブル３１１、第二チャックテーブル３１２は、それぞれ独立した基台３１３、３１４に設けられている（図１において、基台３１４は不図示）。第一チャックテーブル３１１、第二チャックテーブル３１２は、これらの基台３１３、３１４上において、半導体ウェーハを保持した状態で回転可能に構成されている。 The chuck table 31 includes a first chuck table 311 as a first holding table disposed on the side surface 5b side of the base 5 and a second as a second holding table disposed on the side surface 5c side of the base 5. And a chuck table 312. The first chuck table 311 and the second chuck table 312 are provided on independent bases 313 and 314, respectively (the base 314 is not shown in FIG. 1). The first chuck table 311 and the second chuck table 312 are configured to be rotatable on the bases 313 and 314 while holding the semiconductor wafer.

シャフト３２１、３２２は、基台５の側面５ｂ近傍から側面５ｃ近傍の位置まで延在し、その側面５ｂ側の端部で駆動モータ３２１ａ、３２２ａに接続されている。基台３１３、３１４は、ボールねじ構造によりそれぞれシャフト３２１、３２２に連結されている。駆動モータ３２１ａ、３２２ａによりシャフト３２１、３２２を回転させることで、基台３１３、３１４を基台５の側面５ｂ、５ｃ方向に移動可能に構成されている。ガイド部材３３は、シャフト３２１、３２２と同様に、側面５ｂ、５ｃ方向に延在し、基台３１３、３１４の下面に設けられた凹部３１３ａ、３１４ａに係合する位置に設けられている（図１において、凹部３１４ａは不図示）。なお、駆動モータ３２１ａ、３２２ａによるシャフト３２１、３２２の回転は、後述する制御機構６により制御される。研削装置１においては、この制御機構６の制御の下、基台５における所定位置に第一チャックテーブル３１１、第二チャックテーブル３１２を移動することが可能となっている。 The shafts 321 and 322 extend from the vicinity of the side surface 5b of the base 5 to a position near the side surface 5c, and are connected to the drive motors 321a and 322a at the end on the side surface 5b side. The bases 313 and 314 are connected to shafts 321 and 322, respectively, by a ball screw structure. The bases 313 and 314 are configured to be movable in the directions of the side surfaces 5b and 5c of the base 5 by rotating the shafts 321 and 322 by the drive motors 321a and 322a. Similar to the shafts 321 and 322, the guide member 33 extends in the direction of the side surfaces 5b and 5c, and is provided at a position where it engages with the recesses 313a and 314a provided on the lower surfaces of the bases 313 and 314 (see FIG. 1, the recess 314a is not shown). The rotation of the shafts 321 and 322 by the drive motors 321a and 322a is controlled by the control mechanism 6 described later. In the grinding apparatus 1, the first chuck table 311 and the second chuck table 312 can be moved to predetermined positions on the base 5 under the control of the control mechanism 6.

研削機構４は、基台５の後面５ｄ側に設けられる壁面部５４の前面５ａ側に配設されている。研削機構４は、粗研削部としての粗研削ユニット４１、仕上げ研削部としての仕上げ研削ユニット４２、第一の研磨部としての第一研摩ユニット４３及び第二の研磨部としての第二研摩ユニット４４を有している。粗研削ユニット４１は、半導体ウェーハを粗研削するものであり、仕上げ研削ユニット４２は、粗研削ユニット４１により粗研削された半導体ウェーハを仕上げ研削するものである。第一、第二研摩ユニット４３、４４は、同一の研摩機能を有し、仕上げ研削ユニット４２により仕上げ研削された半導体ウェーハを研摩するものである。 The grinding mechanism 4 is disposed on the front surface 5 a side of the wall surface portion 54 provided on the rear surface 5 d side of the base 5. The grinding mechanism 4 includes a rough grinding unit 41 as a rough grinding unit, a finish grinding unit 42 as a finish grinding unit, a first polishing unit 43 as a first polishing unit, and a second polishing unit 44 as a second polishing unit. have. The coarse grinding unit 41 coarsely grinds the semiconductor wafer, and the finish grinding unit 42 finish grinds the semiconductor wafer coarsely ground by the coarse grinding unit 41. The first and second polishing units 43 and 44 have the same polishing function, and polish the semiconductor wafer that has been finish ground by the finish grinding unit 42.

粗研削ユニット４１、仕上げ研削ユニット４２、第一研摩ユニット４３及び第二研摩ユニット４４は、それぞれチャックテーブル３１上に保持された半導体ウェーハを研削、研摩可能に保持機構３に対向して配置されている。すなわち、研削機構４における粗研削ユニット４１、仕上げ研削ユニット４２、第一研摩ユニット４３及び第二研摩ユニット４４は、保持機構３と上面視にてオーバーラップして配設されている。また、研削機構４においては、基台５の側面５ｂから側面５ｃに向かう一方向に沿って、第一研摩ユニット４３、粗研削ユニット４１、仕上げ研削ユニット４２及び第二研摩ユニット４４の順に配設されている。上述した第一チャックテーブル３１１は、第一研摩ユニット４３側に配置され、第二チャックテーブル３１２は、第二研摩ユニット４４側に配置されている。 The rough grinding unit 41, the finish grinding unit 42, the first polishing unit 43, and the second polishing unit 44 are arranged to face the holding mechanism 3 so as to grind and polish the semiconductor wafer held on the chuck table 31, respectively. Yes. That is, the rough grinding unit 41, the finish grinding unit 42, the first polishing unit 43, and the second polishing unit 44 in the grinding mechanism 4 are disposed so as to overlap the holding mechanism 3 in a top view. In the grinding mechanism 4, the first polishing unit 43, the rough grinding unit 41, the finish grinding unit 42, and the second polishing unit 44 are arranged in this order along one direction from the side surface 5 b to the side surface 5 c of the base 5. Has been. The first chuck table 311 described above is disposed on the first polishing unit 43 side, and the second chuck table 312 is disposed on the second polishing unit 44 side.

壁面部５４の前面５ａ側には、粗研削ユニット４１を移動させる研削ユニット移動機構４１１が設けられている。研削ユニット移動機構４１１は、壁面部５４に対してボールねじ式の移動機構により上下方向に移動するＺ軸テーブル４１２を有している。Ｚ軸テーブル４１２には、前面５ａ側に取り付けられた支持部４１３を介して粗研削ユニット４１が支持されている。同様に、壁面部５４には、仕上げ研削ユニット４２を移動させる研削ユニット移動機構４２１が設けられている。研削ユニット移動機構４２１は、研削ユニット移動機構４１１と同様に、Ｚ軸テーブル４２２及び支持部４２３を有し、仕上げ研削ユニット４２を支持している。 A grinding unit moving mechanism 411 that moves the rough grinding unit 41 is provided on the front surface 5 a side of the wall surface portion 54. The grinding unit moving mechanism 411 has a Z-axis table 412 that moves up and down with respect to the wall surface portion 54 by a ball screw type moving mechanism. The rough grinding unit 41 is supported on the Z-axis table 412 via a support portion 413 attached to the front surface 5a side. Similarly, the wall surface portion 54 is provided with a grinding unit moving mechanism 421 for moving the finish grinding unit 42. Similar to the grinding unit moving mechanism 411, the grinding unit moving mechanism 421 includes a Z-axis table 422 and a support portion 423, and supports the finish grinding unit 42.

さらに、壁面部５４には、第一研摩ユニット４３を移動させる研摩ユニット移動機構４３１が設けられている。研摩ユニット移動機構４３１は、壁面部５４に対してボールねじ式の移動機構により上下方向に移動するＺ軸テーブル４３２を有している。Ｚ軸テーブル４３２には、前面５ａ側に取り付けられた支持部４３３を介して第一研摩ユニット４３が支持されている。同様に、壁面部５４には、第二研摩ユニット４４を移動させる研摩ユニット移動機構４４１が設けられている。研削ユニット移動機構４４１は、研摩ユニット移動機構４３１と同様にＺ軸テーブル４４２及び支持部４４３を有し、第二研摩ユニット４４を支持している。 Further, the wall surface portion 54 is provided with a polishing unit moving mechanism 431 that moves the first polishing unit 43. The polishing unit moving mechanism 431 has a Z-axis table 432 that moves up and down with respect to the wall surface portion 54 by a ball screw type moving mechanism. The first polishing unit 43 is supported on the Z-axis table 432 via a support portion 433 attached to the front surface 5a side. Similarly, the wall surface portion 54 is provided with a polishing unit moving mechanism 441 that moves the second polishing unit 44. The grinding unit moving mechanism 441 has a Z-axis table 442 and a support portion 443 in the same manner as the polishing unit moving mechanism 431, and supports the second polishing unit 44.

粗研削ユニット４１は、図示しないスピンドルの下端に着脱自在に装着された研削砥石４１４を有している。研削砥石４１４は、ダイヤモンドの砥粒をメタルボンドやレジンボンド等の結合剤で固めたダイヤモンド砥石で構成されている。仕上げ研削ユニット４２は、粗研削ユニット４１と略同様の構成を有しているが、研削砥石４２４として粒度が細かいものを使用している。また、第一、第二研磨ユニット４３、４４は、粗研削ユニット４１と略同様の構成を有するが、ダイヤモンド砥石を有する研磨砥石４３４、４４４の代わりに発泡剤や繊維質等で形成された研磨砥石が使用される場合もある。 The rough grinding unit 41 has a grinding wheel 414 that is detachably attached to a lower end of a spindle (not shown). The grinding wheel 414 is composed of a diamond wheel in which diamond abrasive grains are hardened with a binder such as a metal bond or a resin bond. The finish grinding unit 42 has substantially the same configuration as that of the rough grinding unit 41, but a grinding grindstone 424 having a fine particle size is used. The first and second polishing units 43 and 44 have substantially the same configuration as that of the rough grinding unit 41, but are made of a foaming agent, a fiber, or the like instead of the polishing wheels 434 and 444 having diamond wheels. A grindstone may be used.

基台５の内部には、保持機構３に接続され、基台３１３、３１４を介して第一チャックテーブル３１１、第二チャックテーブル３１２を所定位置に移動させる制御機構６が設けられている。制御機構６は、駆動モータ３２１ａ、３２２ａに駆動信号を与えてシャフト３２１、３２２を回転させ、基台３１３、３１４を所定位置に移動させる。この場合、制御機構６は、駆動モータ３２１ａ、３２２ａに個別の駆動信号を与えることで、基台３１３、３１４を独立して移動させることができる。 Inside the base 5, there is provided a control mechanism 6 that is connected to the holding mechanism 3 and moves the first chuck table 311 and the second chuck table 312 to predetermined positions via the bases 313 and 314. The control mechanism 6 gives drive signals to the drive motors 321a and 322a to rotate the shafts 321 and 322 and move the bases 313 and 314 to predetermined positions. In this case, the control mechanism 6 can move the bases 313 and 314 independently by giving individual drive signals to the drive motors 321a and 322a.

以下、制御機構６により移動制御される第一チャックテーブル３１１、第二チャックテーブル３１２の所定位置について説明する。制御機構６は、第一チャックテーブル３１１、第二チャックテーブル３１２を、ウェーハ搬入搬出位置と、第一加工位置〜第三加工位置とに移動制御する。図２は、実施の形態１に係る研削装置１のチャックテーブル３１がウェーハ搬入搬出位置に配置された状態の平面模式図である。図３〜図５は、それぞれ実施の形態１に係る研削装置１のチャックテーブル３１が第一加工位置〜第三加工位置に配置された状態の平面模式図である。なお、図２〜図５においては環状に配設された研削砥石４１４、４２４、研磨砥石４３４、４４４が夫々のチャックテーブル３１の中心を通る様に配置された状態を示している。 Hereinafter, predetermined positions of the first chuck table 311 and the second chuck table 312 that are controlled to move by the control mechanism 6 will be described. The control mechanism 6 controls the movement of the first chuck table 311 and the second chuck table 312 between the wafer loading / unloading position and the first processing position to the third processing position. FIG. 2 is a schematic plan view showing a state where the chuck table 31 of the grinding apparatus 1 according to the first embodiment is arranged at the wafer carry-in / carry-out position. 3 to 5 are schematic plan views of the state in which the chuck table 31 of the grinding apparatus 1 according to Embodiment 1 is disposed at the first processing position to the third processing position, respectively. 2 to 5 show a state in which the grinding wheels 414 and 424 and the polishing wheels 434 and 444 arranged in an annular shape are arranged so as to pass through the centers of the respective chuck tables 31.

ウェーハ搬入搬出位置においては、図２に示すように、第一チャックテーブル３１１は、第一研摩ユニット４３に対向する位置に配置され、第二チャックテーブル３１２は、第二研摩ユニット４４に対向する位置に配置される。ウェーハ搬入搬出位置において、搬入搬出アーム２３は、第一チャックテーブル３１１、第二チャックテーブル３１２に加工前の半導体ウェーハを供給することが可能であり、第一チャックテーブル３１１、第二チャックテーブル３１２に保持された加工後の半導体ウェーハを回収することが可能である。 At the wafer loading / unloading position, as shown in FIG. 2, the first chuck table 311 is arranged at a position facing the first polishing unit 43, and the second chuck table 312 is a position facing the second polishing unit 44. Placed in. At the wafer loading / unloading position, the loading / unloading arm 23 can supply a semiconductor wafer before processing to the first chuck table 311 and the second chuck table 312. It is possible to collect the held semiconductor wafer after processing.

第一加工位置においては、図３に示すように、第一チャックテーブル３１１は、第一研摩ユニット４３に対向する位置に配置され、第二チャックテーブル３１２は、粗研削ユニット４１に対向する位置に配置される。すなわち、第一加工位置においては、第一チャックテーブル３１１に保持された半導体ウェーハを研摩することが可能であり、第二チャックテーブル３１２に保持された半導体ウェーハを粗研削することが可能である。 In the first processing position, as shown in FIG. 3, the first chuck table 311 is disposed at a position facing the first polishing unit 43, and the second chuck table 312 is disposed at a position facing the rough grinding unit 41. Be placed. That is, at the first processing position, the semiconductor wafer held on the first chuck table 311 can be polished, and the semiconductor wafer held on the second chuck table 312 can be roughly ground.

第二加工位置においては、図４に示すように、第一チャックテーブル３１１は、粗研削ユニット４１に対向する位置に配置され、第二チャックテーブル３１２は、仕上げ研削ユニット４２に対向する位置に配置される。すなわち、第二加工位置においては、第一チャックテーブル３１１に保持された半導体ウェーハを粗研削することが可能であり、第二チャックテーブル３１２に保持された半導体ウェーハを仕上げ研削することが可能である。 In the second machining position, as shown in FIG. 4, the first chuck table 311 is disposed at a position facing the rough grinding unit 41, and the second chuck table 312 is disposed at a position facing the finish grinding unit 42. Is done. That is, in the second processing position, the semiconductor wafer held on the first chuck table 311 can be roughly ground, and the semiconductor wafer held on the second chuck table 312 can be finish-ground. .

第三加工位置においては、図５に示すように、第一チャックテーブル３１１は、仕上げ研削ユニット４２に対向する位置に配置され、第二チャックテーブル３１２は、第二研摩ユニット４４に対向する位置に配置される。すなわち、第三加工位置においては、第一チャックテーブル３１１に保持された半導体ウェーハを仕上げ研削することが可能であり、第二チャックテーブル３１２に保持された半導体ウェーハを研摩することが可能である。 In the third machining position, as shown in FIG. 5, the first chuck table 311 is disposed at a position facing the finish grinding unit 42, and the second chuck table 312 is disposed at a position facing the second polishing unit 44. Be placed. That is, at the third processing position, the semiconductor wafer held on the first chuck table 311 can be finish-ground, and the semiconductor wafer held on the second chuck table 312 can be polished.

次に、実施の形態１に係る研削装置１における半導体ウェーハに対する加工手順について図２〜図７を参照しながら説明する。図６は、実施の形態１に係る研削装置１の第二チャックテーブル３１２との間で半導体ウェーハを搬出・搬入する状態の平面模式図である。図７は、実施の形態１に係る研削装置１の第一チャックテーブル３１１との間で半導体ウェーハを搬出・搬入する状態の平面模式図である。なお、以下においては、説明の便宜上、加工が施される順序に応じて半導体ウェーハを半導体ウェーハＷ１〜半導体ウェーハＷ６と呼ぶものとする。 Next, a processing procedure for the semiconductor wafer in the grinding apparatus 1 according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a schematic plan view of a state in which a semiconductor wafer is unloaded / loaded into / from the second chuck table 312 of the grinding apparatus 1 according to the first embodiment. FIG. 7 is a schematic plan view of a state in which a semiconductor wafer is carried out and carried in with the first chuck table 311 of the grinding apparatus 1 according to the first embodiment. In the following, for convenience of explanation, the semiconductor wafers are referred to as semiconductor wafers W1 to W6 according to the order in which the processing is performed.

実施の形態１に係る研削装置１においては、半導体ウェーハを加工する場合、まず、制御機構６により第一チャックテーブル３１１を第一研摩ユニット４３に対向する位置に移動すると共に、第二チャックテーブル３１２を第二研摩ユニット４４に対向する位置に移動する。すなわち、第一チャックテーブル３１１、第二チャックテーブル３１２をウェーハ搬入搬出位置に移動する。そして、第二チャックテーブル３１２に最初に加工する半導体ウェーハＷ１を搬入し、第一チャックテーブル３１１に２番目に加工する半導体ウェーハＷ２を搬入する（図２に示す状態）。この場合、半導体ウェーハＷ１、Ｗ２は、それぞれ搬入用カセット２１から搬入搬出アーム２３により取り出され、位置決め部２４で位置決めされた後、第二チャックテーブル３１２、第一チャックテーブル３１１に搬入される。なお、この場合、第二研摩ユニット４４、第一研摩ユニット４３による半導体ウェーハＷ１、Ｗ２に対する研摩は行われない。 In the grinding apparatus 1 according to the first embodiment, when processing a semiconductor wafer, first, the control mechanism 6 moves the first chuck table 311 to a position facing the first polishing unit 43 and the second chuck table 312. Is moved to a position facing the second polishing unit 44. That is, the first chuck table 311 and the second chuck table 312 are moved to the wafer loading / unloading position. Then, the semiconductor wafer W1 to be processed first is carried into the second chuck table 312, and the semiconductor wafer W2 to be processed second is carried into the first chuck table 311 (state shown in FIG. 2). In this case, the semiconductor wafers W <b> 1 and W <b> 2 are taken out from the loading cassette 21 by the loading / unloading arm 23, positioned by the positioning unit 24, and then loaded into the second chuck table 312 and the first chuck table 311. In this case, the polishing of the semiconductor wafers W1 and W2 by the second polishing unit 44 and the first polishing unit 43 is not performed.

次に、制御機構６により第一チャックテーブル３１１を移動せず、第二チャックテーブル３１２を粗研削ユニット４１に対向する位置に移動する。すなわち、第一チャックテーブル３１１、第二チャックテーブル３１２を第一加工位置に配置する（図３に示す状態）。そして、粗研削ユニット４１で第二チャックテーブル３１２に保持された半導体ウェーハＷ１を粗研削する。なお、この場合、第一研摩ユニット４３による半導体ウェーハＷ２に対する研摩は行われない。 Next, the first chuck table 311 is not moved by the control mechanism 6, and the second chuck table 312 is moved to a position facing the rough grinding unit 41. That is, the first chuck table 311 and the second chuck table 312 are arranged at the first processing position (the state shown in FIG. 3). Then, the semiconductor wafer W1 held on the second chuck table 312 is roughly ground by the rough grinding unit 41. In this case, polishing of the semiconductor wafer W2 by the first polishing unit 43 is not performed.

次に、制御機構６により第一チャックテーブル３１１を粗研削ユニット４１に対向する位置に移動すると共に、第二チャックテーブル３１２を仕上げ研削ユニット４２に対向する位置に移動する。すなわち、第一チャックテーブル３１１、第二チャックテーブル３１２を第二加工位置に配置する（図４に示す状態）。そして、仕上げ研削ユニット４２で第二チャックテーブル３１２に保持された半導体ウェーハＷ１を仕上げ研削すると共に、粗研削ユニット４１で第一チャックテーブル３１１に保持された半導体ウェーハＷ２を粗研削する。 Next, the control mechanism 6 moves the first chuck table 311 to a position facing the rough grinding unit 41, and moves the second chuck table 312 to a position facing the finish grinding unit 42. That is, the first chuck table 311 and the second chuck table 312 are arranged at the second processing position (the state shown in FIG. 4). Then, the semiconductor wafer W1 held on the second chuck table 312 is finish-ground by the finish grinding unit 42, and the semiconductor wafer W2 held on the first chuck table 311 is roughly ground by the rough grinding unit 41.

次に、制御機構６により第一チャックテーブル３１１を仕上げ研削ユニット４２に対向する位置に移動すると共に、第二チャックテーブル３１２を第二研摩ユニット４４に対向する位置に移動する。すなわち、第一チャックテーブル３１１、第二チャックテーブル３１２を第三加工位置に配置する（図５に示す状態）。そして、第二研摩ユニット４４で第二チャックテーブル３１２に保持された半導体ウェーハＷ１を研摩すると共に、仕上げ研削ユニット４２で第一チャックテーブル３１１に保持された半導体ウェーハＷ２を仕上げ研削する。これにより、半導体ウェーハＷ１に対する加工処理が完了する。 Next, the control mechanism 6 moves the first chuck table 311 to a position facing the finish grinding unit 42 and moves the second chuck table 312 to a position facing the second polishing unit 44. That is, the first chuck table 311 and the second chuck table 312 are arranged at the third processing position (the state shown in FIG. 5). Then, the semiconductor wafer W1 held on the second chuck table 312 is polished by the second polishing unit 44, and the semiconductor wafer W2 held on the first chuck table 311 is finish-ground by the finish grinding unit. Thereby, the processing for the semiconductor wafer W1 is completed.

次に、制御機構６により第二チャックテーブル３１２を移動せず、第一チャックテーブル３１１を第一研摩ユニット４３に対向する位置に移動する。すなわち、第一チャックテーブル３１１、第二チャックテーブル３１２をウェーハ搬入搬出位置に配置する。そして、第一研摩ユニット４３で第一チャックテーブル３１１に保持された半導体ウェーハＷ２を研摩する。これにより、半導体ウェーハＷ２に対する加工処理が完了する。一方、搬入搬出アーム２３により第二チャックテーブル３１２に保持された半導体ウェーハＷ１を搬出すると共に、３番目に加工する半導体ウェーハＷ３を第二チャックテーブル３１２に搬入する（図６に示す状態）。なお、第一チャックテーブル３１１に保持された半導体ウェーハＷ２に対する研摩作業と、第二チャックテーブル３１２に対する半導体ウェーハＷ１、Ｗ３の搬出・搬入作業との順序は任意に選択可能であり、同時に行うことも可能である。 Next, the first chuck table 311 is moved to a position facing the first polishing unit 43 without moving the second chuck table 312 by the control mechanism 6. That is, the first chuck table 311 and the second chuck table 312 are arranged at the wafer carry-in / out position. Then, the semiconductor wafer W2 held on the first chuck table 311 is polished by the first polishing unit 43. Thereby, the processing for the semiconductor wafer W2 is completed. On the other hand, the semiconductor wafer W1 held on the second chuck table 312 is unloaded by the loading / unloading arm 23, and the semiconductor wafer W3 to be processed third is loaded on the second chuck table 312 (state shown in FIG. 6). The order of the polishing operation for the semiconductor wafer W2 held on the first chuck table 311 and the unloading / loading operation of the semiconductor wafers W1 and W3 with respect to the second chuck table 312 can be arbitrarily selected and can be performed simultaneously. Is possible.

次に、第一チャックテーブル３１１、第二チャックテーブル３１２をウェーハ搬入搬出位置に維持した状態で、搬入搬出アーム２３により第一チャックテーブル３１１に保持された半導体ウェーハＷ２を搬出すると共に、４番目に加工する半導体ウェーハＷ４を第一チャックテーブル３１１に搬入する（図７に示す状態）。この場合、第二研摩ユニット４４による半導体ウェーハＷ３に対する研摩は行われない。なお、第一チャックテーブル３１１に保持された半導体ウェーハＷ２に対する研摩作業と、第二チャックテーブル３１２に対する半導体ウェーハＷ１、Ｗ３の搬出・搬入作業との順序は任意に選択可能であり、同時に行うことも可能である。 Next, while the first chuck table 311 and the second chuck table 312 are maintained at the wafer loading / unloading position, the semiconductor wafer W2 held by the first chuck table 311 is unloaded by the loading / unloading arm 23 and is fourth. The semiconductor wafer W4 to be processed is carried into the first chuck table 311 (state shown in FIG. 7). In this case, polishing of the semiconductor wafer W3 by the second polishing unit 44 is not performed. The order of the polishing operation for the semiconductor wafer W2 held on the first chuck table 311 and the unloading / loading operation of the semiconductor wafers W1 and W3 with respect to the second chuck table 312 can be arbitrarily selected and can be performed simultaneously. Is possible.

第一チャックテーブル３１１に対して半導体ウェーハＷ４を搬入したならば、再び第一チャックテーブル３１１、第二チャックテーブル３１２を第一加工位置に配置し、上述した加工処理を繰り返す。そして、半導体ウェーハＷ３、Ｗ４に対する加工が完了したならば、上述した要領で半導体ウェーハＷ３、Ｗ４を搬出すると共に、新たな半導体ウェーハＷ５、Ｗ６を搬入し、その加工処理を行う。なお、加工処理が完了した半導体ウェーハは、搬入搬出アーム２３により第一チャックテーブル３１１、第二チャックテーブル３１２から搬出され、スピンナー洗浄部２５で洗浄された後、搬出用カセット２２に収容される。 When the semiconductor wafer W4 is loaded into the first chuck table 311, the first chuck table 311 and the second chuck table 312 are again arranged at the first processing position, and the above-described processing is repeated. When the processing for the semiconductor wafers W3 and W4 is completed, the semiconductor wafers W3 and W4 are unloaded in the manner described above, and new semiconductor wafers W5 and W6 are loaded and processed. The processed semiconductor wafer is unloaded from the first chuck table 311 and the second chuck table 312 by the loading / unloading arm 23, cleaned by the spinner cleaning unit 25, and then stored in the unloading cassette 22.

このように実施の形態１に係る研削装置１においては、第一研摩ユニット４３、粗研削ユニット４１、仕上げ研削ユニット４２及び第二研摩ユニット４４を基台５の側面５ｂから側面５ｃに向かう一方向に沿って配設し、隣接する研摩ユニットと研削ユニット等で構成される第一〜第三加工位置に半導体ウェーハを保持したチャックテーブル３１を配置するようにしたことから、加工位置間の半導体ウェーハの搬送経路を直線状に構成することができ、研削装置１における保持機構３の占有面積を縮小することができるので、より省スペースな装置で、大型の板状物を研削・研磨することができる研削装置１を提供することが可能となる。 Thus, in the grinding apparatus 1 according to the first embodiment, the first polishing unit 43, the rough grinding unit 41, the finish grinding unit 42, and the second polishing unit 44 are unidirectionally directed from the side surface 5b to the side surface 5c. Since the chuck table 31 holding the semiconductor wafer is disposed at the first to third processing positions constituted by the adjacent polishing units and grinding units, the semiconductor wafer between the processing positions. Can be configured in a straight line, and the area occupied by the holding mechanism 3 in the grinding device 1 can be reduced, so that a large plate-like object can be ground and polished with a more space-saving device. It is possible to provide a grinding apparatus 1 that can be used.

また、実施の形態１に係る研削装置１においては、第一〜第三の加工位置において、第一、第二チャックテーブル３１１、３１２をそれぞれ隣接する研削ユニットと研摩ユニット等に対向させていることから、第一、第二チャックテーブル３１１、３１２で保持した複数の半導体ウェーハに対して同時に加工処理を施すことができ、加工処理の効率化を図ることが可能となる。 In the grinding apparatus 1 according to the first embodiment, the first and second chuck tables 311 and 312 are respectively opposed to the adjacent grinding unit and polishing unit at the first to third processing positions. Thus, the plurality of semiconductor wafers held by the first and second chuck tables 311 and 312 can be simultaneously processed, and the efficiency of the processing can be improved.

さらに、実施の形態１に係る研削装置１においては、第一チャックテーブル３１１及び第二チャックテーブル３１２をそれぞれ基台３１３、３１４に設け、これらの基台３１３、３１４を制御機構６によって独立して移動制御できるようにしたことから、それぞれ独立した任意の位置で第一チャックテーブル３１１及び第二チャックテーブル３１２との間で半導体ウェーハの搬入搬出を行うことが可能となる。 Furthermore, in the grinding apparatus 1 according to the first embodiment, the first chuck table 311 and the second chuck table 312 are provided on the bases 313 and 314, respectively, and these bases 313 and 314 are independently provided by the control mechanism 6. Since the movement can be controlled, the semiconductor wafer can be carried in and out between the first chuck table 311 and the second chuck table 312 at arbitrary independent positions.

（実施の形態２）
実施の形態２に係る研削装置は、保持機構３が有する構成のみにおいて実施の形態１に係る研削装置１と相違する。具体的には、第一チャックテーブル３１１及び第二チャックテーブル３１２が設けられる基台が一部材で構成されている点、並びに、この基台を介して第一チャックテーブル３１１及び第二チャックテーブル３１２を移動させるシャフトが１本である点で実施の形態１に係る研削装置１と相違する。 (Embodiment 2)
The grinding apparatus according to the second embodiment is different from the grinding apparatus 1 according to the first embodiment only in the configuration of the holding mechanism 3. Specifically, the base on which the first chuck table 311 and the second chuck table 312 are provided is formed of a single member, and the first chuck table 311 and the second chuck table 312 are provided via the base. Is different from the grinding apparatus 1 according to the first embodiment in that there is one shaft for moving the shaft.

以下、実施の形態１に係る研削装置１との相違点を中心に実施の形態２に係る研削装置の構成について説明する。図８は、本発明の実施の形態２に係る研削装置１０の外観斜視図である。なお、図８に示す研削装置１０において、図１と共通する構成要素については、同一の符号を付し、その説明を省略する。 Hereinafter, the configuration of the grinding apparatus according to the second embodiment will be described focusing on differences from the grinding apparatus 1 according to the first embodiment. FIG. 8 is an external perspective view of the grinding apparatus 10 according to Embodiment 2 of the present invention. In addition, in the grinding apparatus 10 shown in FIG. 8, the same code | symbol is attached | subjected about the component which is common in FIG. 1, and the description is abbreviate | omitted.

実施の形態２に係る研削装置１０の保持機構３において、第一チャックテーブル３１１及び第二チャックテーブル３１２は、一部材で構成される基台３１５に設けられている。この基台３１５上において、第一チャックテーブル３１１、第二チャックテーブル３１２は、研削機構４の隣接するユニットに対向する位置に配置されている。基台３１５は、その下方側に配置されたシャフト３２３にボールねじ構造により連結されている。研削装置１０においては、シャフト３２３の端部に設けられた駆動モータ３２３ａによってシャフト３２３を回転させることで、基台３１５を基台５の側面５ｂ、５ｃ方向に移動可能に構成されている。 In the holding mechanism 3 of the grinding apparatus 10 according to the second embodiment, the first chuck table 311 and the second chuck table 312 are provided on a base 315 formed of one member. On the base 315, the first chuck table 311 and the second chuck table 312 are disposed at positions facing adjacent units of the grinding mechanism 4. The base 315 is connected to a shaft 323 disposed on the lower side thereof by a ball screw structure. In the grinding apparatus 10, the base 315 is configured to be movable in the direction of the side surfaces 5 b and 5 c of the base 5 by rotating the shaft 323 by a drive motor 323 a provided at the end of the shaft 323.

制御機構６は、実施の形態１に係る研削装置１と同様に、駆動モータ３２３ａに駆動信号を与えてシャフト３２３を回転させ、基台３１５を所定位置に移動させる。この場合、実施の形態２に係る研削装置１０においては、同一の基台３１５に設けられていることから、第一チャックテーブル３１１及び第二チャックテーブル３１２は、隣接した状態を維持しながら移動することとなる。 As with the grinding apparatus 1 according to the first embodiment, the control mechanism 6 gives a drive signal to the drive motor 323a to rotate the shaft 323 and move the base 315 to a predetermined position. In this case, since the grinding apparatus 10 according to the second embodiment is provided on the same base 315, the first chuck table 311 and the second chuck table 312 move while maintaining an adjacent state. It will be.

以下、制御機構６により移動制御される第一チャックテーブル３１１、第二チャックテーブル３１２の所定位置について説明する。制御機構６は、第一チャックテーブル３１１、第二チャックテーブル３１２を、第一加工位置〜第三加工位置に移動制御する。図９〜図１１は、それぞれ実施の形態２に係る研削装置１０のチャックテーブル３１が第一加工位置〜第三加工位置に配置された状態の平面模式図である。なお、図９〜図１１においては環状に配設された研削砥石４１４、４２４、研磨砥石４３４、４４４が夫々のチャックテーブル３１の中心を通る様に配置された状態を示している。 Hereinafter, predetermined positions of the first chuck table 311 and the second chuck table 312 that are controlled to move by the control mechanism 6 will be described. The control mechanism 6 controls the movement of the first chuck table 311 and the second chuck table 312 from the first processing position to the third processing position. 9 to 11 are schematic plan views showing a state in which the chuck table 31 of the grinding apparatus 10 according to the second embodiment is disposed at the first processing position to the third processing position, respectively. 9 to 11 show a state in which the grinding wheels 414 and 424 and the grinding wheels 434 and 444 arranged in an annular shape are arranged so as to pass through the centers of the respective chuck tables 31.

実施の形態２に係る研削装置１０においても、第一加工位置〜第三加工位置における第一チャックテーブル３１１及び第二チャックテーブル３１２の配置は、実施の形態１に係る研削装置１と同一である。すなわち、第一加工位置においては、図９に示すように、第一チャックテーブル３１１は、第一研摩ユニット４３に対向する位置に配置され、第二チャックテーブル３１２は、粗研削ユニット４１に対向する位置に配置される。第二加工位置においては、図１０に示すように、第一チャックテーブル３１１は、粗研削ユニット４１に対向する位置に配置され、第二チャックテーブル３１２は、仕上げ研削ユニット４２に対向する位置に配置される。第三加工位置においては、図１１に示すように、第一チャックテーブル３１１は、仕上げ研削ユニット４２に対向する位置に配置され、第二チャックテーブル３１２は、第二研摩ユニット４４に対向する位置に配置される。 Also in the grinding apparatus 10 according to the second embodiment, the arrangement of the first chuck table 311 and the second chuck table 312 at the first processing position to the third processing position is the same as that of the grinding apparatus 1 according to the first embodiment. . That is, in the first processing position, as shown in FIG. 9, the first chuck table 311 is disposed at a position facing the first polishing unit 43, and the second chuck table 312 is facing the rough grinding unit 41. Placed in position. In the second machining position, as shown in FIG. 10, the first chuck table 311 is arranged at a position facing the rough grinding unit 41, and the second chuck table 312 is arranged at a position facing the finish grinding unit 42. Is done. In the third machining position, as shown in FIG. 11, the first chuck table 311 is disposed at a position facing the finish grinding unit 42, and the second chuck table 312 is disposed at a position facing the second polishing unit 44. Be placed.

なお、実施の形態２に係る研削装置１０において、加工前の半導体ウェーハは、粗研削ユニット４１に対向する位置に配置されたチャックテーブル３１に搬入される。一方、加工後の半導体ウェーハは、粗研削ユニット４１に対向する位置に配置されたチャックテーブル３１から搬出される。すなわち、第一加工位置に配置された場合に第二チャックテーブル３１２に対する半導体ウェーハの搬入・搬出が可能であり、第二加工位置に配置された場合に第一チャックテーブル３１１に対する半導体ウェーハの搬入・搬出が可能である。 In the grinding apparatus 10 according to the second embodiment, the unprocessed semiconductor wafer is carried into the chuck table 31 disposed at a position facing the rough grinding unit 41. On the other hand, the processed semiconductor wafer is unloaded from the chuck table 31 disposed at a position facing the rough grinding unit 41. That is, the semiconductor wafer can be carried in and out of the second chuck table 312 when it is arranged at the first machining position, and the semiconductor wafer can be carried in and out of the first chuck table 311 when arranged at the second machining position. Unloading is possible.

次に、実施の形態２に係る研削装置１０における半導体ウェーハに対する加工手順について図９〜図１３を参照しながら説明する。図１２は、実施の形態２に係る研削装置１０の第二チャックテーブル３１２との間で半導体ウェーハを搬出・搬入する状態の平面模式図である。図１３は、実施の形態２に係る研削装置１０の第一チャックテーブル３１１との間で半導体ウェーハを搬出・搬入する状態の平面模式図である。なお、以下においては、説明の便宜上、加工が施される順序に応じて半導体ウェーハを半導体ウェーハＷ１〜半導体ウェーハＷ６と呼ぶものとする。 Next, a processing procedure for the semiconductor wafer in the grinding apparatus 10 according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 12 is a schematic plan view of a state in which a semiconductor wafer is unloaded / loaded into / from the second chuck table 312 of the grinding apparatus 10 according to the second embodiment. FIG. 13 is a schematic plan view of a state in which a semiconductor wafer is unloaded / loaded into / from the first chuck table 311 of the grinding apparatus 10 according to the second embodiment. In the following, for convenience of explanation, the semiconductor wafers are referred to as semiconductor wafers W1 to W6 according to the order in which the processing is performed.

実施の形態２に係る研削装置１０においては、半導体ウェーハを加工する場合、まず、制御機構６により第一チャックテーブル３１１、第二チャックテーブル３１２をそれぞれ第一研摩ユニット４３、粗研削ユニット４１に対向する位置に移動する。すなわち、第一チャックテーブル３１１、第二チャックテーブル３１２を第一加工位置に配置する（図９に示す状態）。そして、第二チャックテーブル３１２に初めに加工する半導体ウェーハＷ１を搬入すると共に、粗研削ユニット４１で第二チャックテーブル３１２に保持された半導体ウェーハＷ１を粗研削する。この場合、半導体ウェーハＷ１は、搬入用カセット２１から搬入搬出アーム２３により取り出され、位置決め部２４で位置決めされた後、第二チャックテーブル３１２に搬入される。 In the grinding apparatus 10 according to the second embodiment, when processing a semiconductor wafer, first, the control mechanism 6 causes the first chuck table 311 and the second chuck table 312 to face the first polishing unit 43 and the rough grinding unit 41, respectively. Move to the position you want. That is, the first chuck table 311 and the second chuck table 312 are arranged at the first processing position (state shown in FIG. 9). Then, the semiconductor wafer W1 to be processed first is carried into the second chuck table 312, and the semiconductor wafer W1 held on the second chuck table 312 is roughly ground by the rough grinding unit 41. In this case, the semiconductor wafer W <b> 1 is taken out from the loading cassette 21 by the loading / unloading arm 23, positioned by the positioning unit 24, and then loaded onto the second chuck table 312.

次に、制御機構６により第一チャックテーブル３１１を粗研削ユニット４１に対向する位置に移動すると共に、第二チャックテーブル３１２を仕上げ研削ユニット４２に対向する位置に移動する。すなわち、第一チャックテーブル３１１、第二チャックテーブル３１２を第二加工位置に配置する（図１０に示す状態）。そして、第一チャックテーブル３１１に２番目に加工する半導体ウェーハＷ２を搬入すると共に、粗研削ユニット４１で第一チャックテーブル３１１に保持された半導体ウェーハＷ２を粗研削し、仕上げ研削ユニット４２で第二チャックテーブル３１２に保持された半導体ウェーハＷ１を仕上げ研削する。 Next, the control mechanism 6 moves the first chuck table 311 to a position facing the rough grinding unit 41, and moves the second chuck table 312 to a position facing the finish grinding unit 42. That is, the first chuck table 311 and the second chuck table 312 are arranged at the second processing position (the state shown in FIG. 10). Then, the semiconductor wafer W2 to be processed second is carried into the first chuck table 311 and the semiconductor wafer W2 held on the first chuck table 311 is roughly ground by the rough grinding unit 41, and the second grinding is performed by the finish grinding unit 42. The semiconductor wafer W1 held on the chuck table 312 is finish-ground.

次に、制御機構６により第一チャックテーブル３１１を仕上げ研削ユニット４２に対向する位置に移動すると共に、第二チャックテーブル３１２を第二研摩ユニット４４に対向する位置に移動する。すなわち、第一チャックテーブル３１１、第二チャックテーブル３１２を第三加工位置に配置する（図１１に示す状態）。そして、第二研摩ユニット４４で第二チャックテーブル３１２に保持された半導体ウェーハＷ１を研摩すると共に、仕上げ研削ユニット４２で第一チャックテーブル３１１に保持された半導体ウェーハＷ２を仕上げ研削する。これにより、半導体ウェーハＷ１に対する加工処理が完了する。 Next, the control mechanism 6 moves the first chuck table 311 to a position facing the finish grinding unit 42 and moves the second chuck table 312 to a position facing the second polishing unit 44. That is, the first chuck table 311 and the second chuck table 312 are arranged at the third processing position (the state shown in FIG. 11). Then, the semiconductor wafer W1 held on the second chuck table 312 is polished by the second polishing unit 44, and the semiconductor wafer W2 held on the first chuck table 311 is finish-ground by the finish grinding unit. Thereby, the processing for the semiconductor wafer W1 is completed.

次に、制御機構６により第一チャックテーブル３１１を第一研摩ユニット４３に対向する位置に移動すると共に、第二チャックテーブル３１２を粗研削ユニット４１に対向する位置に移動する。すなわち、第一チャックテーブル３１１、第二チャックテーブル３１２を再び第一加工位置に配置する。そして、第一研摩ユニット４３で第一チャックテーブル３１１に保持された半導体ウェーハＷ２を研摩する。これにより、半導体ウェーハＷ２に対する加工処理が完了する。一方、搬入搬出アーム２３により第二チャックテーブル３１２に保持された半導体ウェーハＷ１を搬出すると共に、３番目に加工する半導体ウェーハＷ３を第二チャックテーブル３１２に搬入する（図１２に示す状態）。なお、第一チャックテーブル３１１に保持された半導体ウェーハＷ２に対する研摩作業と、第二チャックテーブル３１２に対する半導体ウェーハＷ１、Ｗ３の搬出・搬入作業との順序は任意に選択可能であり、同時に行うことも可能である。 Next, the control mechanism 6 moves the first chuck table 311 to a position facing the first polishing unit 43 and moves the second chuck table 312 to a position facing the rough grinding unit 41. That is, the first chuck table 311 and the second chuck table 312 are again arranged at the first processing position. Then, the semiconductor wafer W2 held on the first chuck table 311 is polished by the first polishing unit 43. Thereby, the processing for the semiconductor wafer W2 is completed. On the other hand, the semiconductor wafer W1 held on the second chuck table 312 is unloaded by the loading / unloading arm 23, and the semiconductor wafer W3 to be processed third is loaded on the second chuck table 312 (state shown in FIG. 12). The order of the polishing operation for the semiconductor wafer W2 held on the first chuck table 311 and the unloading / loading operation of the semiconductor wafers W1 and W3 with respect to the second chuck table 312 can be arbitrarily selected and can be performed simultaneously. Is possible.

次に、制御機構６により第一チャックテーブル３１１を粗研削ユニット４１に対向する位置に移動すると共に、第二チャックテーブル３１２を仕上げ研削ユニット４２に対向する位置に移動する。すなわち、第一チャックテーブル３１１、第二チャックテーブル３１２を再び第二加工位置に配置する。そして、搬入搬出アーム２３により第一チャックテーブル３１１に保持された半導体ウェーハＷ２を搬出すると共に、４番目に加工する半導体ウェーハＷ４を第一チャックテーブル３１１に搬入する（図１３に示す状態）。さらに、粗研削ユニット４１で第一チャックテーブル３１１に保持された半導体ウェーハＷ４を粗研削すると共に、仕上げ研削ユニット４２で第二チャックテーブル３１２に保持された半導体ウェーハＷ３を仕上げ研削する。なお、第二チャックテーブル３１２に保持された半導体ウェーハＷ３に対する研摩作業と、第一チャックテーブル３１１に対する半導体ウェーハＷ２、Ｗ４の搬出・搬入作業との順序は任意に選択可能であり、同時に行うことも可能である。 Next, the control mechanism 6 moves the first chuck table 311 to a position facing the rough grinding unit 41, and moves the second chuck table 312 to a position facing the finish grinding unit 42. That is, the first chuck table 311 and the second chuck table 312 are again arranged at the second processing position. Then, the semiconductor wafer W2 held on the first chuck table 311 is unloaded by the loading / unloading arm 23, and the semiconductor wafer W4 to be processed fourth is loaded into the first chuck table 311 (state shown in FIG. 13). Further, the semiconductor wafer W4 held on the first chuck table 311 is roughly ground by the rough grinding unit 41, and the semiconductor wafer W3 held on the second chuck table 312 is finish ground by the finish grinding unit. The order of the polishing operation for the semiconductor wafer W3 held on the second chuck table 312 and the unloading / loading operation of the semiconductor wafers W2 and W4 with respect to the first chuck table 311 can be arbitrarily selected, and can be performed simultaneously. Is possible.

第一チャックテーブル３１１に保持された半導体ウェーハＷ４を粗研削したならば、再び第一チャックテーブル３１１、第二チャックテーブル３１２を第三加工位置に配置し、上述した加工処理を繰り返す。そして、半導体ウェーハＷ３、Ｗ４に対する加工が完了したならば、上述した要領で半導体ウェーハＷ３、Ｗ４を搬出すると共に、新たな半導体ウェーハＷ５、Ｗ６を搬入し、その加工処理を行う。なお、加工処理が完了した半導体ウェーハは、搬入搬出アーム２３により粗研削ユニット４１に対向する位置に配置された第一チャックテーブル３１１又は第二チャックテーブル３１２から搬出され、スピンナー洗浄部２５で洗浄された後、搬出用カセット２２に収容される。 If the semiconductor wafer W4 held on the first chuck table 311 is roughly ground, the first chuck table 311 and the second chuck table 312 are again arranged at the third processing position, and the above-described processing is repeated. When the processing for the semiconductor wafers W3 and W4 is completed, the semiconductor wafers W3 and W4 are unloaded in the manner described above, and new semiconductor wafers W5 and W6 are loaded and processed. The processed semiconductor wafer is unloaded from the first chuck table 311 or the second chuck table 312 disposed at the position facing the rough grinding unit 41 by the loading / unloading arm 23 and cleaned by the spinner cleaning unit 25. After that, it is accommodated in the carrying-out cassette 22.

すなわち、実施の形態２に係る研削装置１０においては、初めに位置付けられる第一加工位置では第二チャックテーブル３１２に搬入して保持された加工前の半導体ウェーハを粗研削ユニット４１で粗研削する。また、初めに位置付けられる第二加工位置では第一チャックテーブル３１１に搬入して保持された加工前の半導体ウェーハを粗研削ユニット４１で粗研削すると共に、第二チャックテーブル３１２に保持された半導体ウェーハを仕上げ研削ユニット４２で仕上げ研削する。そして、第三加工位置では第一チャックテーブル３１１に保持された半導体ウェーハを仕上げ研削ユニット４２で仕上げ研削すると共に、第二チャックテーブル３１２に保持された半導体ウェーハを第二研磨ユニット４４で研磨する。さらに、第三加工位置に配置した後に再び第一加工位置に配置して、二回目以降に位置付けられる第一加工位置では第一チャックテーブル３１１に保持された半導体ウェーハを第一研磨ユニット４１で研磨すると共に、第二チャックテーブル３１２に保持された加工後の半導体ウェーハを搬出して加工前の半導体ウェーハを搬入した後に第二チャックテーブル３１２に保持された半導体ウェーハを粗研削ユニット４１で研削する。さらに、二回目以降に位置付けられる第二加工位置では第一チャックテーブル３１１に保持された加工後の半導体ウェーハを搬出して加工前の半導体ウェーハを搬入した後に第一チャックテーブル３１１に保持された半導体ウェーハを粗研削ユニット４１で粗研削すると共に、第二チャックテーブル３１２に保持された半導体ウェーハを仕上げ研削ユニットで仕上げ研削する。 In other words, in the grinding apparatus 10 according to the second embodiment, the semiconductor wafer before processing carried in and held on the second chuck table 312 is roughly ground by the rough grinding unit 41 at the first processing position positioned first. In addition, in the second processing position that is initially positioned, the semiconductor wafer before being processed by being loaded onto the first chuck table 311 is roughly ground by the rough grinding unit 41 and the semiconductor wafer held by the second chuck table 312 is also processed. Is subjected to finish grinding by the finish grinding unit 42. At the third processing position, the semiconductor wafer held on the first chuck table 311 is finish-ground by the finish grinding unit 42, and the semiconductor wafer held on the second chuck table 312 is polished by the second polishing unit 44. Further, the semiconductor wafer held by the first chuck table 311 is polished by the first polishing unit 41 at the first processing position after the second processing position and then at the first processing position. At the same time, the processed semiconductor wafer held on the second chuck table 312 is unloaded and the unprocessed semiconductor wafer is loaded, and then the semiconductor wafer held on the second chuck table 312 is ground by the rough grinding unit 41. Further, in the second processing position positioned after the second time, the semiconductor wafer held by the first chuck table 311 after unloading the semiconductor wafer after processing held by the first chuck table 311 and carrying in the semiconductor wafer before processing. The wafer is roughly ground by the rough grinding unit 41 and the semiconductor wafer held on the second chuck table 312 is finish ground by the finish grinding unit.

このように実施の形態２に係る研削装置１０においては、第一チャックテーブル３１１及び第二チャックテーブル３１２を一部材である基台３１５に設け、この基台３１５上の第一チャックテーブル３１１及び第二チャックテーブル３１２を第一〜第三加工位置の順に配置するようにしたことから、実施の形態１に係る研削装置１と同様に、直線状に構成することができ、研削装置１における保持機構３の占有面積を縮小することができるので、より省スペースな装置で、大型の板状物を研削・研磨することができる研削装置１０を提供することが可能となる。 As described above, in the grinding apparatus 10 according to the second embodiment, the first chuck table 311 and the second chuck table 312 are provided on the base 315 as one member, and the first chuck table 311 and the second chuck table 311 on the base 315 are provided. Since the two chuck tables 312 are arranged in the order of the first to third machining positions, similarly to the grinding device 1 according to the first embodiment, the two chuck tables 312 can be configured linearly, and the holding mechanism in the grinding device 1 3 can be reduced, it is possible to provide the grinding apparatus 10 that can grind and polish a large plate-like object with a more space-saving apparatus.

また、実施の形態２に係る研削装置１０においては、第一〜第三の加工位置において、第一、第二チャックテーブル３１１、３１２をそれぞれ隣接する研削ユニットと研摩ユニット等に対向させていることから、実施の形態１に係る研削装置１と同様に、第一、第二チャックテーブル３１１、３１２で保持した複数の半導体ウェーハに対して同時に加工処理を施すことができ、加工処理の効率化を図ることが可能となる。 In the grinding apparatus 10 according to the second embodiment, the first and second chuck tables 311 and 312 are respectively opposed to the adjacent grinding unit and polishing unit at the first to third processing positions. Thus, similarly to the grinding apparatus 1 according to the first embodiment, a plurality of semiconductor wafers held by the first and second chuck tables 311 and 312 can be simultaneously processed, and the processing efficiency is improved. It becomes possible to plan.

さらに、実施の形態２に係る研削装置１０においては、第一加工位置に配置された場合の第二チャックテーブル３１２との間で半導体ウェーハの搬入搬出を行い、第二加工位置に配置された場合の第一チャックテーブル３１１との間で半導体ウェーハの搬入搬出を行うようにしたことから、第一チャックテーブル３１１と第二チャックテーブル３１２とを独立して移動制御する必要がなくなるので、単一のシャフト３２３でこれらを駆動することができ、研削装置１０の構成を簡素化すると共に、チャックテーブル３１の移動制御を簡素化することが可能となる。 Furthermore, in the grinding apparatus 10 according to the second embodiment, the semiconductor wafer is carried in and out of the second chuck table 312 when placed at the first machining position, and is placed at the second machining position. Since the semiconductor wafer is carried into and out of the first chuck table 311, it is not necessary to control the movement of the first chuck table 311 and the second chuck table 312 independently. These can be driven by the shaft 323, so that the configuration of the grinding apparatus 10 can be simplified and the movement control of the chuck table 31 can be simplified.

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment, It can change and implement variously. In the above-described embodiment, the size, shape, and the like illustrated in the accompanying drawings are not limited to this, and can be appropriately changed within a range in which the effect of the present invention is exhibited. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the object of the present invention.

以上説明したように、本発明は、省スペースな装置で大型の板状物を研削・研摩することができるという効果を有し、特に、大型の半導体ウェーハを連続して研削・研摩する研削装置に有用である。 As described above, the present invention has an effect that a large plate-like object can be ground and polished with a space-saving device, and in particular, a grinding device for continuously grinding and polishing a large semiconductor wafer. Useful for.

１、１０研削装置
２搬入搬出機構
２１搬入用カセット
２２搬出用カセット
２３搬入搬出アーム
２４位置決め部
２５スピンナー洗浄部
３保持機構
３１チャックテーブル
３１１第一チャックテーブル
３１２第二チャックテーブル
３１３、３１４、３１５基台
３２１、３２２、３２３シャフト
３２１ａ、３２２ａ、３２３ａ駆動モータ
４研削機構
４１粗研削ユニット
４２仕上げ研削ユニット
４３第一研摩ユニット
４４第二研摩ユニット
５基台
５１、５２カセット載置部
５３凹部
５４壁面部
６制御機構
Ｗ半導体ウェーハ（ワーク） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 10 Grinding apparatus 2 Carry-in / carry-out mechanism 21 Carry-in cassette 22 Carry-out cassette 23 Carry-in / carry-out arm 24 Positioning part 25 Spinner washing | cleaning part 3 Holding mechanism 31 Chuck table 311 1st chuck table 312 2nd chuck table 313,314,315 base Table 321, 322, 323 Shaft 321 a, 322 a, 323 a Drive motor 4 Grinding mechanism 41 Coarse grinding unit 42 Finish grinding unit 43 First grinding unit 44 Second grinding unit 5 Base 51, 52 Cassette mounting part 53 Concave part 54 Wall part 6 Control mechanism W Semiconductor wafer (work)

Claims

A grinding apparatus having a holding mechanism for holding a workpiece and a grinding mechanism for grinding the workpiece held by the holding mechanism,
The grinding mechanism includes a rough grinding unit for rough grinding a workpiece, a finish grinding unit for finish grinding the workpiece ground by the rough grinding unit, and a first polishing unit for polishing the workpiece ground by the finish grinding unit. And a second polishing unit that polishes the workpiece ground by the finish grinding unit, and the first polishing unit, the rough grinding unit, the finish grinding unit, and the second polishing unit along one direction. Are arranged in order,
The holding mechanism has two holding tables arranged along the one direction, the holding table on the first polishing section side in the one direction is a first holding table, and the second When the holding table on the polishing unit side is a second holding table,
The holding mechanism includes a first processing position in which the first holding table faces the first polishing section and the second holding table faces the rough grinding section, and the first holding A second machining position where the table faces the rough grinding section and the second holding table faces the finish grinding section; and the first holding table faces the finish grinding section and the second grinding table. And a control mechanism for sequentially positioning the holding table at a third processing position which is a position facing the second polishing section.

The control mechanism grinds the workpiece before being carried in and held on the second holding table at the first machining position positioned at the beginning by the rough grinding portion, and the second position positioned first. In the machining position, the workpiece before being carried in and held on the first holding table is ground by the rough grinding unit and the workpiece held on the second holding table is ground by the finish grinding unit, At the third processing position, the workpiece held on the first table is ground by the finish grinding unit and the workpiece held on the second holding table is polished by the second polishing unit,
After the holding mechanism is positioned at the third processing position, the workpiece is again positioned at the first processing position, and the workpiece held on the first holding table at the first processing position positioned after the second time. The workpiece held by the second holding table after carrying out the processed workpiece held on the second holding table and carrying in the workpiece before processing. Grinding with a rough grinding part, and at the second processing position positioned after the second time, the processed workpiece held on the first holding table is unloaded and the unprocessed workpiece is loaded. 2. The grinding according to claim 1, wherein the workpiece held on the holding table is ground by the rough grinding portion and the workpiece held on the second holding table is ground by the finish grinding portion. Location.