KR102255728B1 - Wafer processing method - Google Patents

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노리히사 아리후쿠
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명은 이면에 링형 보강부를 구비하는 웨이퍼의 오목부를 연마함에 있어서, 생산성과 가공성을 향상시킬 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
표면에 복수의 디바이스가 형성된 디바이스 영역(W1)과 그 디바이스 영역(W1)을 둘러싸는 외주 잉여 영역(W2)을 구비하는 웨이퍼(W)의 가공 방법으로서, 웨이퍼(W)의 표면(WS)측을 척테이블(22)에 유지하고, 웨이퍼(W)의 이면(WR) 중 디바이스 영역에 해당하는 영역을 연삭하여 오목부(W3)를 형성함으로써, 그 오목부(W3)의 외주측에 그 외주 잉여 영역(W2)을 포함하는 링형 보강부(W4)를 형성하는 공정과, 이면(WR)에 연마액을 공급하면서 척테이블(22)과, 웨이퍼(W)와 동등 이상의 직경을 갖는 연마 패드(78b)를 회전시켜 연마 패드(78b)를 웨이퍼(W)의 이면에 압박함으로써 오목부(W3)를 연마하는 공정을 갖는다. An object of the present invention is to provide a wafer processing method capable of improving productivity and workability in polishing a concave portion of a wafer having a ring-shaped reinforcing portion on the back surface.
A method of processing a wafer W comprising a device region W1 in which a plurality of devices are formed on the surface and an outer circumferential redundant region W2 surrounding the device region W1, comprising: the surface WS side of the wafer W Is held on the chuck table 22, and the area corresponding to the device area of the back surface WR of the wafer W is ground to form a concave portion W3, thereby forming a concave portion W3 on the outer circumferential side of the concave portion W3. The process of forming the ring-shaped reinforcement portion W4 including the excess region W2, the chuck table 22 and a polishing pad having a diameter equal to or greater than that of the wafer W while supplying a polishing liquid to the back surface WR ( A step of polishing the concave portion W3 is performed by rotating 78b and pressing the polishing pad 78b against the back surface of the wafer W.

Description

웨이퍼의 가공 방법{WAFER PROCESSING METHOD}Wafer processing method {WAFER PROCESSING METHOD}

본 발명은 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of processing a wafer.

일반적으로, 디바이스의 제조 프로세스에 있어서는, 웨이퍼의 이면을 연삭하여 웨이퍼를 원하는 두께로 가공한 후, 그 평탄성이나 칩의 강도를 높이기 위해 연마 처리가 실시된다. 특히, 메모리 디바이스 등에 있어서는, 디바이스 형성후에 금속을 포착하는 게터링층의 형성이 필요하다. 연마 처리되는 웨이퍼는, 박화가 진행되고 있고, 두께가 수십 ㎛ 정도가 된다. 그 결과, 연마 공정 및 게터링층 형성 공정에 있어서 웨이퍼가 파손될 우려가 증대된다. 한편, 웨이퍼를 매우 얇게 연삭하면서, 핸드링성을 향상시키기 위한 가공으로서, 소위 TAIKO(등록상표) 연삭이 알려져 있다(예컨대 특허문헌 1 참조). TAIKO 연삭에서는, 웨이퍼의 이면 중, 디바이스가 설치된 영역에 해당하는 중앙부를 연삭하여 오목부를 형성하고, 외주부에 링형 보강부를 갖는 형상으로 연삭하는 수법이다. In general, in a device manufacturing process, the back surface of a wafer is ground to process the wafer to a desired thickness, and then a polishing treatment is performed in order to increase the flatness and strength of the chip. In particular, in a memory device or the like, it is necessary to form a gettering layer that captures metal after device formation. The wafer to be polished is thinning and has a thickness of about several tens of µm. As a result, there is an increased concern that the wafer may be damaged in the polishing step and the gettering layer forming step. On the other hand, a so-called TAIKO (registered trademark) grinding is known as a processing for improving the handling property while grinding the wafer very thinly (see, for example, Patent Document 1). TAIKO grinding is a method of grinding a central portion corresponding to a region in which a device is installed on the rear surface of a wafer to form a recessed portion, and grinding into a shape having a ring-shaped reinforcement portion on the outer peripheral portion.

특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2009-176896호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open No. 2009-176896

TAIKO 연삭된 웨이퍼에서는, 연삭후에 웨이퍼의 이면에 생기는 연삭 왜곡을 연마에 의해 제거할 필요가 있다. 예컨대, 오목부보다 직경이 작은 연마 패드를 이용하여 웨이퍼의 이면을 연마하는 경우, 연마 패드가 오목부 전면(全面)을 동시에 덮을 수는 없기 때문에, 생산성이 나쁘고, 링형 보강부를 따르는 오목부의 외주 가장자리에, 연마할 수 없거나 또는 충분히 연마할 수 없는 영역이 생기는 문제가 있다. In the TAIKO ground wafer, it is necessary to remove the grinding distortion that occurs on the back surface of the wafer after grinding by polishing. For example, when polishing the back surface of the wafer using a polishing pad having a smaller diameter than the concave portion, the polishing pad cannot cover the entire surface of the concave portion at the same time, resulting in poor productivity, and the outer peripheral edge of the concave portion along the ring-shaped reinforcement portion. In addition, there is a problem in that a region that cannot be polished or cannot be polished sufficiently occurs.

따라서, 본 발명에서는, 이면에 링형 보강부를 구비하는 웨이퍼의 오목부를 연마함에 있어서, 생산성과 가공성을 향상시킬 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a wafer processing method capable of improving productivity and workability in polishing a concave portion of a wafer having a ring-shaped reinforcing portion on its back surface.

전술한 과제를 해결하여 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 표면에 복수의 디바이스가 형성된 디바이스 영역과 그 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 구비하는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 그 웨이퍼의 표면측을 척테이블에 유지하고, 그 웨이퍼의 이면 중 그 디바이스 영역에 해당하는 영역을 연삭하여 오목부를 형성함으로써, 그 오목부의 외주측에 그 외주 잉여 영역을 포함하는 링형 보강부를 형성하는 링형 보강부 형성 공정과, 그 웨이퍼의 표면측을 척테이블에 유지하고, 그 오목부를 노출시켜, 그 이면에 연마액을 공급하면서 척테이블과 그 웨이퍼와 동등 이상의 직경을 갖는 연마 패드를 회전시켜 그 연마 패드를 그 웨이퍼의 이면에 압박함으로써 그 오목부를 연마하는 연마 공정을 갖는 것이다. In order to solve the above-described problems and achieve the object, the present invention is a method of processing a wafer comprising a device region in which a plurality of devices are formed on a surface and an outer circumferential redundant region surrounding the device region, wherein the surface side of the wafer is A ring-shaped reinforcement portion forming step of forming a ring-shaped reinforcement portion including the outer circumferential surplus region on the outer circumferential side of the concave portion by grinding a region corresponding to the device region of the back surface of the wafer and holding it on the chuck table; and , Holding the surface side of the wafer on the chuck table, exposing the concave portion, supplying the polishing liquid to the back surface, rotating the chuck table and a polishing pad having a diameter equal to or greater than that of the wafer, and rotating the polishing pad of the wafer. It has a polishing step of polishing the concave portion by pressing it on the back surface.

이 구성에 의하면, 웨이퍼와 동등 이상의 직경을 갖는 연마 패드를 이용함으로써, 오목부와 링형 보강부를 동시에 연마할 수 있으므로, 링형 보강부를 따르는 오목부의 외주 가장자리 근방까지 충분히 연마할 수 있어, 웨이퍼의 생산성 향상을 도모할 수 있다. According to this configuration, by using a polishing pad having a diameter equal to or greater than that of the wafer, the concave portion and the ring-shaped reinforcement portion can be simultaneously polished, so that it can be sufficiently polished to the vicinity of the outer peripheral edge of the concave portion along the ring-shaped reinforcement portion, thereby improving productivity of the wafer You can plan.

또한, 이 구성에 있어서, 그 연마 공정을 실시한 후, 그 연마액과는 상이한 린스액을 회전하는 그 웨이퍼의 이면에 공급하면서 그 연마 패드를 회전시키면서 압박하여 그 오목부에 게터링층을 형성하는 게터링층 형성 공정을 구비해도 좋다. Further, in this configuration, after the polishing step is performed, a rinse liquid different from the polishing liquid is supplied to the back surface of the rotating wafer while pressing the polishing pad while rotating to form a gettering layer in the concave portion. A gettering layer forming step may be provided.

본 발명에 의하면, 웨이퍼와 동등 이상의 직경을 갖는 연마 패드를 이용함으로써, 오목부와 링형 보강부를 동시에 연마할 수 있으므로, 링형 보강부를 따르는 오목부의 외주 가장자리 근방까지 충분히 연마할 수 있어, 웨이퍼의 생산성 향상을 도모할 수 있다. According to the present invention, by using a polishing pad having a diameter equal to or greater than that of the wafer, the concave portion and the ring-shaped reinforcing portion can be simultaneously polished, so that sufficient polishing can be performed to the vicinity of the outer peripheral edge of the concave portion along the ring-shaped reinforcing portion, thereby improving productivity of the wafer You can plan.

도 1은, 본 실시형태에 관한 웨이퍼의 가공 방법의 가공 대상이 되는 디바이스 웨이퍼를 나타내는 사시도이다.
도 2는, 본 실시형태에 관한 웨이퍼의 가공 방법을 실행하는 연삭 연마 장치의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 3은, 연삭 유닛에 의해 웨이퍼의 이면을 연삭하고 있는 상태를 나타내는 사시도이다.
도 4는, 연삭된 웨이퍼를 나타내는 측단면도이다.
도 5는, 연마 유닛의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 6은, 연마 유닛의 주변 구성을 나타내는 모식도이다.
도 7은, 도 6의 구성에 있어서 웨이퍼의 이면을 연마하고 있는 상태를 나타내는 모식도이다.
도 8은, 웨이퍼의 이면측을 연마할 때의 연마 패드의 상태를 나타내는 모식도이다.
도 9는, 연삭흔의 관찰 위치를 나타내는 도면이다.
도 10은, 웨이퍼의 변형예를 나타내는 모식도이다.
도 11은, 웨이퍼의 변형예를 나타내는 모식도이다.
도 12는, 다른 형태에 관한 연마 유닛의 주변 구성을 나타내는 모식도이다. 1 is a perspective view showing a device wafer to be processed in a wafer processing method according to the present embodiment.
Fig. 2 is a perspective view showing an example of a grinding/polishing apparatus for performing the wafer processing method according to the present embodiment.
3 is a perspective view showing a state in which the back surface of a wafer is ground by a grinding unit.
4 is a side cross-sectional view showing a ground wafer.
5 is a perspective view showing the configuration of a polishing unit.
6 is a schematic diagram showing a peripheral configuration of a polishing unit.
7 is a schematic diagram showing a state in which the back surface of the wafer is polished in the configuration of FIG. 6.
8 is a schematic diagram showing a state of a polishing pad when polishing the back side of a wafer.
9 is a diagram showing an observation position of a grinding mark.
10 is a schematic diagram showing a modified example of the wafer.
11 is a schematic diagram showing a modified example of the wafer.
12 is a schematic diagram showing a peripheral configuration of a polishing unit according to another embodiment.

본 발명을 실시하기 위한 형태(실시형태)에 관해, 도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 이하의 실시형태에 기재한 내용에 의해 본 발명이 한정되는 것이 아니다. 또한, 이하에 기재한 구성요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 또한, 이하에 기재한 구성은 적절하게 조합하는 것이 가능하다. 또한, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성의 여러가지 생략, 치환 또는 변경을 할 수 있다. An embodiment (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited by the contents described in the following embodiments. In addition, the constituent elements described below include those that can be easily conceived by those skilled in the art, and those that are substantially the same. In addition, the structures described below can be appropriately combined. In addition, various omissions, substitutions, or changes in the configuration can be made without departing from the gist of the present invention.

도 1은, 본 실시형태에 관한 웨이퍼의 가공 방법의 가공 대상이 되는 디바이스 웨이퍼를 나타내는 사시도이다. 본 실시형태에 관한 웨이퍼의 가공 방법은, 디바이스 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 기재함)(W)에, 소위 TAIKO 연삭을 실시함과 함께, 연삭 왜곡을 연마에 의해 제거하는 것이다. 웨이퍼(W)는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 실리콘을 모재로 하는 원판형의 반도체 웨이퍼나 광디바이스 웨이퍼이다. 웨이퍼(W)는, 표면(WS)에 격자형으로 형성된 복수의 스트리트(분할 예정 라인)(S)에 의해 구획된 영역에 디바이스(DB)가 형성된 디바이스 영역(W1)과, 디바이스 영역(W1)을 둘러싸는 외주 잉여 영역(W2)을 구비하고 있다. 또, 도 1에서는, 편의적으로 디바이스 영역(W1)과 외주 잉여 영역(W2)의 경계를 일점쇄선으로 나타내고 있지만, 실제로는 경계에 선은 존재하지 않는다. 또한, 웨이퍼(W)의 외주 가장자리에는, 웨이퍼(W)의 결정 방위를 나타내는 노치(WA)가 형성되어 있다. 1 is a perspective view showing a device wafer to be processed in a wafer processing method according to the present embodiment. The wafer processing method according to the present embodiment is to perform so-called TAIKO grinding on the device wafer (hereinafter referred to as a wafer) W, and to remove grinding distortion by polishing. As shown in Fig. 1, the wafer W is a disk-shaped semiconductor wafer or an optical device wafer made of silicon as a base material. The wafer W includes a device region W1 in which a device DB is formed in a region partitioned by a plurality of streets (divided line) S formed in a grid shape on the surface WS, and a device region W1 It has an outer circumferential redundant area W2 surrounding it. In Fig. 1, for convenience, the boundary between the device region W1 and the outer circumferential redundant region W2 is indicated by a dashed-dotted line, but in reality there is no line at the boundary. Further, a notch WA indicating a crystal orientation of the wafer W is formed at the outer peripheral edge of the wafer W.

웨이퍼(W)는, 표면(WS) 뒤쪽의 이면(WR) 중, 디바이스 영역(W1)에 해당하는 영역을 소정 두께까지 연삭한 후 연마 가공을 행한다. 또, 웨이퍼(W)는, 연삭 및 연마 가공이 실시되는 판형의 워크이면 좋고, 실리콘 이외의 재료(예컨대 갈륨비소 등)의 반도체 기판이어도 좋다. The wafer W is polished to a predetermined thickness after grinding a region corresponding to the device region W1 of the rear surface WR behind the front surface WS to a predetermined thickness. In addition, the wafer W may be a plate-like work subjected to grinding and polishing processing, or may be a semiconductor substrate made of a material other than silicon (eg, gallium arsenide, etc.).

도 2는, 본 실시형태에 관한 웨이퍼의 가공 방법을 실행하는 연삭 연마 장치의 일례를 나타내는 사시도이다. 연삭 연마 장치(2)는, 풀오토 타입의 가공 장치이며, 제어부(100)의 제어하에, 웨이퍼(W)에 대하여 반입 처리, 조(粗)연삭 가공, 마무리 연삭 가공, 연마 가공, 게터링층 가공, 세정 처리, 반출 처리로 이루어진 일련의 작업을 전자동으로 실시하도록 구성되어 있다. Fig. 2 is a perspective view showing an example of a grinding/polishing apparatus for performing the wafer processing method according to the present embodiment. The grinding and polishing device 2 is a full-auto type processing device, and under the control of the control unit 100, the wafer W is carried in, rough grinding, finish grinding, polishing, gettering layer It is configured to perform a series of operations consisting of processing, cleaning treatment, and carrying out completely automatically.

연삭 연마 장치(2)는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 각 구성부를 지지하는 베이스(4)를 구비하고 있다. 베이스(4)의 상면의 전단측에는 개구(4a)가 형성되어 있고, 이 개구(4a) 내에는, 웨이퍼(W)를 반송하는 제1 반송 유닛(6)이 설치된다. 또한, 개구(4a)의 더욱 전단측의 영역에는, 각각 복수의 웨이퍼(W)를 수용 가능한 카세트(8a, 8b)를 얹는 배치대(10a, 10b)가 형성되어 있다. 웨이퍼(W)는, 카세트(8a, 8b)에 수용된 상태로 연삭 연마 장치(2)에 반입된다. The grinding/polishing apparatus 2 is provided with the base 4 which supports each structural part, as shown in FIG. An opening 4a is formed on the front end side of the upper surface of the base 4, and in this opening 4a, a first conveying unit 6 for conveying the wafer W is provided. Further, in a region further ahead of the opening 4a, mounting tables 10a and 10b on which cassettes 8a and 8b capable of accommodating a plurality of wafers W are respectively mounted are formed. The wafer W is carried into the grinding/polishing apparatus 2 in a state accommodated in the cassettes 8a and 8b.

또한, 베이스(4)에는, 웨이퍼(W)의 위치 맞춤을 행하는 얼라인먼트 기구(12)가 설치된다. 이 얼라인먼트 기구(12)는, 웨이퍼(W)가 임시로 배치되는 임시 배치 테이블(14)을 포함하며, 예컨대 카세트(8a)로부터 제1 반송 유닛(6)에 의해 반송되어, 임시 배치 테이블(14)에 임시로 배치된 웨이퍼(W)의 중심을 위치 맞춤한다. Further, the base 4 is provided with an alignment mechanism 12 for aligning the wafers W. This alignment mechanism 12 includes a temporary placement table 14 on which wafers W are temporarily placed, and is conveyed by the first transfer unit 6 from the cassette 8a, for example, and the temporary placement table 14 Align the center of the wafer W temporarily placed on ).

베이스(4)에는, 얼라인먼트 기구(12)에 걸쳐 있는 도어형의 지지 구조(16)가 배치되어 있다. 이 지지 구조(16)에는, 웨이퍼(W)를 반송하는 제2 반송 유닛(18)이 설치된다. 제2 반송 유닛(18)은, 좌우 방향(X축 방향), 전후 방향(Y축 방향) 및 상하 방향(Z축 방향)으로 이동 가능하며, 예컨대, 얼라인먼트 기구(12)에 의해 위치 맞춤된 웨이퍼(W)를 후방(도 2 중 +Y 방향)으로 반송한다. On the base 4, a door-shaped support structure 16 that spans the alignment mechanism 12 is disposed. In this support structure 16, a 2nd conveyance unit 18 which conveys the wafer W is provided. The second transfer unit 18 is movable in the left-right direction (X-axis direction), the front-rear direction (Y-axis direction), and the vertical direction (Z-axis direction), for example, a wafer positioned by the alignment mechanism 12 (W) is conveyed backward (+Y direction in FIG. 2).

개구(4a) 및 얼라인먼트 기구(12)의 후방에는 개구(4b)가 형성되어 있다. 이 개구(4b) 내에는, 수직 방향으로 연장되는 회전축의 둘레에 회전하는 원반형의 턴테이블(20)이 배치되어 있다. 턴테이블(20)의 상면에는, 웨이퍼(W)를 흡인 유지하는 4개의 척테이블(유지부)(22)이 대략 등각도 간격으로 설치되어 있다. An opening 4b is formed behind the opening 4a and the alignment mechanism 12. In this opening 4b, a disk-shaped turntable 20 that rotates around a rotation shaft extending in the vertical direction is disposed. On the upper surface of the turntable 20, four chuck tables (holding portions) 22 that suck and hold the wafer W are provided at substantially equal angle intervals.

제2 반송 유닛(18)에 의해 얼라인먼트 기구(12)로부터 반출된 웨이퍼(W)는, 이면측이 상측에 노출되도록, 전방측의 반입 반출 위치(A)에 위치 부여된 척테이블(22)에 반입된다. 턴테이블(20)은 시계 방향(R)으로 회전하며, 척테이블(22)을, 반입 반출 위치(A), 조연삭 위치(B), 마무리 연삭 위치(C), 연마 위치(D)의 순으로 위치 부여한다. The wafer W carried out from the alignment mechanism 12 by the second transfer unit 18 is placed on the chuck table 22 positioned at the carry-in/out position A on the front side so that the back side is exposed to the upper side. It is brought in. The turntable 20 rotates in a clockwise direction (R), and the chuck table 22 is moved in the order of a carry-in/out position (A), a rough grinding position (B), a finish grinding position (C), and a polishing position (D). Give it a position.

각 척테이블(22)은, 각각 모터 등의 회전 구동원(도시하지 않음)과 연결되어 있고, 수직 방향으로 연장되는 회전축의 둘레에 회전 가능하게 구성되어 있고, 본 실시형태에서는, 각 척테이블(22)은, 제어부(100)의 제어에 의해 소정 속도(예컨대 300∼1000 rpm)로 회전 가능하게 되어 있다. 각 척테이블(22)의 상면은, 웨이퍼(W)를 흡인 유지하는 유지면으로 되어 있다. 이 유지면은, 척테이블(22)의 내부에 형성된 유로(도시하지 않음)를 통하여 흡인원(도시하지 않음)과 접속되어 있다. 척테이블(22)에 반입된 웨이퍼(W)는, 유지면에 작용하는 흡인원의 부압에 의해 표면측이 흡인된다. Each chuck table 22 is connected to a rotation drive source (not shown) such as a motor, and is configured to be rotatable around a rotation shaft extending in the vertical direction. In this embodiment, each chuck table 22 ) Can be rotated at a predetermined speed (for example, 300 to 1000 rpm) under the control of the control unit 100. The upper surface of each chuck table 22 is a holding surface that sucks and holds the wafer W. This holding surface is connected to a suction source (not shown) through a flow path (not shown) formed inside the chuck table 22. The wafer W carried in the chuck table 22 is sucked on the surface side by the negative pressure of the suction source acting on the holding surface.

턴테이블(20)의 후방에는, 상측으로 신장된 벽형의 지지 구조(24)가 세워져 있다. 지지 구조(24)의 전면(前面)에는, 2조의 승강 기구(26)가 설치된다. 각 승강 기구(26)는, 수직 방향(Z축 방향)으로 신장된 2개의 승강 가이드 레일(28)을 구비하고 있고, 이 승강 가이드 레일(28)에는, 승강 테이블(30)이 슬라이드 가능하게 설치되어 있다. At the rear of the turntable 20, a wall-shaped support structure 24 extending upward is erected. On the front surface of the support structure 24, two sets of lifting mechanisms 26 are provided. Each elevating mechanism 26 is provided with two elevating guide rails 28 extending in the vertical direction (Z-axis direction), and the elevating table 30 is slidably installed on the elevating guide rail 28. Has been.

승강 테이블(30)의 후면측에는 너트부(도시하지 않음)가 고정되어 있고, 이 너트부에는, 승강 가이드 레일(28)과 평행한 승강 볼나사(32)가 나사 결합되어 있다. 승강 볼나사(32)의 일단부에는, 승강 펄스 모터(34)가 연결되어 있다. 승강 펄스 모터(34)에 의해 승강 볼나사(32)를 회전시킴으로써, 승강 테이블(30)은 승강 가이드 레일(28)을 따라서 상하로 이동한다. A nut portion (not shown) is fixed to the rear side of the elevating table 30, and an elevating ball screw 32 parallel to the elevating guide rail 28 is screwed to the nut portion. A lifting pulse motor 34 is connected to one end of the lifting ball screw 32. By rotating the lifting ball screw 32 by the lifting pulse motor 34, the lifting table 30 moves up and down along the lifting guide rail 28.

승강 테이블(30)의 전면(前面)에는 고정구(36)가 설치된다. 조연삭 위치(B)의 상측에 위치 부여된 승강 테이블(30)의 고정구(36)에는, 웨이퍼(W)를 조연삭하는 조연삭용의 연삭 유닛(38a)이 고정되어 있다. 한편, 마무리 연삭 위치(C)의 상측에 위치 부여된 승강 테이블(30)의 고정구(36)에는, 웨이퍼(W)를 마무리 연삭하는 마무리 연삭용의 연삭 유닛(38b)이 고정되어 있다. 연삭 유닛(38a, 38b)의 스핀들 하우징(40)에는, 각각 회전축을 구성하는 스핀들(42)이 수용되어 있고, 각 스핀들(42)의 하단부(선단부)에는 원반형의 휠마운트(44)가 고정되어 있다. 연삭 유닛(38a)의 휠마운트(44)의 하면에는, 조연삭용의 연삭 지석을 구비한 연삭휠(46a)이 장착되어 있고, 연삭 유닛(38b)의 휠마운트(44)의 하면에는, 마무리 연삭용의 연삭 지석을 구비한 연삭휠(46b)이 장착되어 있다. 각 스핀들(42)의 상단측에는 모터 등의 회전 구동원(도시하지 않음)이 연결되어 있고, 연삭휠(46a, 46b)은, 회전 구동원으로부터 전달되는 회전력에 의해 회전한다. A fixture 36 is installed on the front surface of the lifting table 30. To the fixture 36 of the lifting table 30 positioned above the rough grinding position B, a rough grinding grinding unit 38a for rough grinding the wafer W is fixed. On the other hand, to the fixture 36 of the lifting table 30 positioned above the finish grinding position C, a finish grinding grinding unit 38b for final grinding the wafer W is fixed. Spindles 42 constituting a rotational shaft are accommodated in the spindle housing 40 of the grinding units 38a and 38b, and a disc-shaped wheel mount 44 is fixed to the lower end (tip) of each spindle 42. have. On the lower surface of the wheel mount 44 of the grinding unit 38a, a grinding wheel 46a equipped with a grinding wheel for rough grinding is mounted, and on the lower surface of the wheel mount 44 of the grinding unit 38b, finish A grinding wheel 46b provided with a grinding wheel for grinding is mounted. A rotation drive source (not shown) such as a motor is connected to the upper end side of each spindle 42, and the grinding wheels 46a and 46b rotate by rotational force transmitted from the rotation drive source.

척테이블(22) 및 스핀들(42)을 회전시키면서 연삭휠(46a, 46b)을 하강시켜, 순수 등의 연삭액을 공급하면서 웨이퍼(W)의 이면측에 접촉시킴으로써, 웨이퍼(W)를 조연삭 또는 마무리 연삭할 수 있다. 또한, 연마 위치(D)의 근방에는, 연삭 유닛(38a, 38b)에 의해 연삭된 웨이퍼(W)의 이면을 연마함과 함께, 그 이면에 게터링층(G)(도 1)을 생성하는 연마 유닛(48)이 설치된다. The wafer W is roughly ground by lowering the grinding wheels 46a and 46b while rotating the chuck table 22 and the spindle 42 and contacting the back side of the wafer W while supplying a grinding liquid such as pure water. Alternatively, you can finish grinding. In addition, in the vicinity of the polishing position D, the back surface of the wafer W ground by the grinding units 38a and 38b is polished, and a gettering layer G (Fig. 1) is generated on the back surface. A polishing unit 48 is installed.

얼라인먼트 기구(12)의 전방에는 웨이퍼(W)를 세정하는 세정 유닛(52)이 설치되어 있고, 연마 및 게터링층(G)이 형성된 후의 웨이퍼(W)는, 제2 반송 유닛(18)에 의해 척테이블(22)로부터 세정 유닛(52)으로 반송된다. 세정 유닛(52)에 의해 세정된 웨이퍼(W)는, 제1 반송 유닛(6)에 의해 반송되어 카세트(8b)에 수용된다. A cleaning unit 52 that cleans the wafer W is installed in front of the alignment mechanism 12, and the wafer W after the polishing and gettering layer G is formed is transferred to the second transfer unit 18. By this, it is conveyed from the chuck table 22 to the cleaning unit 52. The wafer W cleaned by the cleaning unit 52 is transferred by the first transfer unit 6 and accommodated in the cassette 8b.

다음으로, 연삭 유닛에 관해 설명한다. 도 3은, 연삭 유닛에 의해 웨이퍼의 이면을 연삭하고 있는 상태를 나타내는 사시도이며, 도 4는, 연삭된 웨이퍼를 나타내는 측단면도이다. 연삭 유닛(38a(38b))은, 전술한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 이면(WR)측을 연삭한다. 웨이퍼(W)는, 도 3에 나타낸 바와 같이, 표면(WS)측에 디바이스(DB)(도 1)를 보호하기 위해서 표면 보호 테이프(T)가 접착되고, 이 표면 보호 테이프(T)를 통해 척테이블(22)에 유지된다. 연삭 유닛(38a(38b))은, 조연삭용(마무리 연삭용)의 연삭 지석이 설치된 연삭휠(46a(46b))을 구비한다. 이 연삭휠(46a(46b))은, 외경이 웨이퍼(W)의 디바이스 영역(W1)의 반경보다 크고, 또한 디바이스 영역(W1)의 직경보다 작아지도록 형성되어 있다. Next, the grinding unit will be described. Fig. 3 is a perspective view showing a state in which the back surface of a wafer is being ground by a grinding unit, and Fig. 4 is a side cross-sectional view showing the ground wafer. The grinding unit 38a (38b) grinds the back surface WR side of the wafer W as described above. As shown in Fig. 3, the surface protection tape T is adhered to the surface WS side to protect the device DB (Fig. 1), and through the surface protection tape T It is held on the chuck table 22. The grinding unit 38a (38b) includes a grinding wheel 46a (46b) provided with a grinding wheel for rough grinding (for finish grinding). The grinding wheel 46a (46b) is formed so that the outer diameter is larger than the radius of the device region W1 of the wafer W and smaller than the diameter of the device region W1.

본 실시형태에서는, 척테이블(22)을 회전시킴과 함께, 연삭휠(46a)을 회전시키면서 하강시키는 것에 의해, 회전하는 연삭 지석이 회전하는 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 접촉하여 연삭이 행해진다. 이 때, 예컨대 연삭휠(46a)의 연삭 지석을, 웨이퍼(W)의 이면(WR)의 회전 중심에 항상 접촉시킴과 함께, 웨이퍼(W)의 외주 잉여 영역(W2)의 이면측에 접촉시키지 않도록 제어한다. 이러한 제어에 의해, 이면(WR) 중, 디바이스 영역(W1)에 해당하는 중앙부의 영역만이 연삭되어, 도 3 및 도 4에 나타낸 바와 같이, 이면(WR)에 오목부(W3)가 형성되고, 외주 잉여 영역(W2)에 해당하는 부분에는, 연삭전과 동일한 두께를 갖는 링형 보강부(W4)가 잔존하여 형성된다. 도 3 및 도 4에는 과장하여 그리고 있지만, 예컨대 웨이퍼(W)의 직경을 300 mm로 한 경우, 링형 보강부(W4)의 폭은 2∼3 mm 정도이면 된다. 또한, 링형 보강부(W4)의 두께는 수백 ㎛인 것이 바람직하다. 한편, 오목부(W3)의 두께는 10∼100 ㎛ 정도로 얇게 할 수 있다. In this embodiment, by rotating the chuck table 22 and lowering the grinding wheel 46a while rotating, the rotating grinding grindstone contacts the back surface WR of the rotating wafer W and grinding is performed. Done. At this time, for example, the grinding wheel of the grinding wheel 46a is always brought into contact with the rotational center of the rear surface WR of the wafer W, and is not brought into contact with the rear surface side of the outer circumferential redundant area W2 of the wafer W. Control to avoid. Under this control, only the central region corresponding to the device region W1 of the back surface WR is ground, and as shown in Figs. 3 and 4, a recess W3 is formed in the back surface WR. , In the portion corresponding to the outer circumferential surplus region W2, a ring-shaped reinforcing portion W4 having the same thickness as before grinding remains and is formed. 3 and 4 are exaggerated, for example, when the diameter of the wafer W is 300 mm, the width of the ring-shaped reinforcing portion W4 may be about 2 to 3 mm. In addition, it is preferable that the thickness of the ring-shaped reinforcing portion W4 is several hundred μm. On the other hand, the thickness of the concave portion W3 can be made as thin as about 10 to 100 μm.

도 5는, 연마 유닛의 구성을 나타내는 사시도이며, 도 6은, 연마 유닛의 주변 구성을 나타내는 모식도이다. 도 7은, 도 6의 구성에 있어서 웨이퍼의 이면을 연마하고 있는 상태를 나타내는 모식도이다. 베이스(4)(도 2)의 상면에는, 도 5에 나타낸 바와 같이, 블록형의 지지 구조(54)가 세워져 있다. 지지 구조(54)의 후면에는, 연마 유닛(48)을 수평 방향(여기서는, X축 방향)으로 이동시키는 수평 이동 유닛(56)이 설치된다. Fig. 5 is a perspective view showing a configuration of a polishing unit, and Fig. 6 is a schematic diagram showing a peripheral configuration of the polishing unit. 7 is a schematic diagram showing a state in which the back surface of the wafer is polished in the configuration of FIG. 6. On the upper surface of the base 4 (FIG. 2), as shown in FIG. 5, a block-shaped support structure 54 is erected. On the rear surface of the support structure 54, a horizontal moving unit 56 is provided for moving the polishing unit 48 in a horizontal direction (here, in the X-axis direction).

수평 이동 유닛(56)은, 지지 구조(54)의 후면에 고정되며 수평 방향(X축 방향)에 평행한 한쌍의 수평 가이드 레일(58)을 구비한다. 수평 가이드 레일(58)에는, 수평 이동 테이블(57)이 슬라이드 가능하게 설치되어 있다. 수평 이동 테이블(57)의 후면측에는 너트부(도시하지 않음)가 설치되어 있고, 이 너트부에는, 수평 가이드 레일(58)과 평행한 수평 볼나사(도시하지 않음)가 나사 결합되어 있다. The horizontal movement unit 56 is fixed to the rear surface of the support structure 54 and includes a pair of horizontal guide rails 58 parallel to the horizontal direction (X-axis direction). The horizontal guide rail 58 is provided with a horizontal movable table 57 so as to be slidable. A nut portion (not shown) is provided on the rear side of the horizontal movable table 57, and a horizontal ball screw (not shown) parallel to the horizontal guide rail 58 is screwed to the nut portion.

수평 볼나사의 일단부에는 펄스 모터(59)가 연결되어 있다. 펄스 모터(59)로 수평 볼나사를 회전시킴으로써, 수평 이동 테이블(57)은 수평 가이드 레일(58)을 따라서 수평 방향(X축 방향)으로 이동한다. 수평 이동 테이블(57)의 후면측에는, 연마 유닛(48)을 수직 방향(Z축 방향)으로 이동시키는 수직 이동 유닛(64)이 설치된다. 수직 이동 유닛(64)은, 수평 이동 테이블(57)의 후면에 고정되며 수직 방향(Z축 방향)에 평행한 한쌍의 수직 가이드 레일(66)을 구비한다. 수직 가이드 레일(66)에는, 수직 이동 테이블(68)이 슬라이드 가능하게 설치되어 있다. 수직 이동 테이블(68)의 전면측(이면측)에는 너트부(도시하지 않음)가 설치되어 있고, 이 너트부에는, 수직 가이드 레일(66)과 평행한 수직 볼나사(도시하지 않음)가 나사 결합되어 있다. A pulse motor 59 is connected to one end of the horizontal ball screw. By rotating the horizontal ball screw with the pulse motor 59, the horizontal movement table 57 moves in the horizontal direction (X-axis direction) along the horizontal guide rail 58. On the rear side of the horizontal movement table 57, a vertical movement unit 64 for moving the polishing unit 48 in the vertical direction (Z-axis direction) is provided. The vertical movement unit 64 is fixed to the rear surface of the horizontal movement table 57 and includes a pair of vertical guide rails 66 parallel to the vertical direction (Z-axis direction). The vertical guide rail 66 is provided with a vertical movable table 68 so as to be slidable. A nut portion (not shown) is provided on the front side (rear side) of the vertical movement table 68, and a vertical ball screw (not shown) parallel to the vertical guide rail 66 is screwed to the nut portion. Are combined.

수직 볼나사의 일단부에는 펄스 모터(70)가 연결되어 있다. 펄스 모터(70)로 수직 볼나사를 회전시킴으로써, 수직 이동 테이블(68)은 수직 가이드 레일(66)을 따라서 수직 방향(Z축 방향)으로 이동한다. 수직 이동 테이블(68)의 후면(표면)에는, 웨이퍼(W)의 상면을 연마하는 연마 유닛(48)이 고정되어 있다. 연마 유닛(48)의 스핀들 하우징(72)에는, 회전축을 구성하는 스핀들(74)이 수용되어 있고, 스핀들(74)의 하단부(선단부)에는 원반형의 휠마운트(76)가 고정되어 있다. 휠마운트(76)의 하면에는, 휠마운트(76)와 대략 직경이 동일한 연마휠(78)이 장착되어 있다. 연마휠(78)은, 스테인레스 등의 금속 재료로 형성된 휠베이스(78a)와, 이 휠베이스(78a)의 하면에 부착되는 원반형의 연마 패드(78b)를 구비한다. A pulse motor 70 is connected to one end of the vertical ball screw. By rotating the vertical ball screw with the pulse motor 70, the vertical movement table 68 moves along the vertical guide rail 66 in the vertical direction (Z-axis direction). A polishing unit 48 for polishing the upper surface of the wafer W is fixed to the rear surface (surface) of the vertical movement table 68. A spindle 74 constituting a rotating shaft is accommodated in the spindle housing 72 of the polishing unit 48, and a disc-shaped wheel mount 76 is fixed to the lower end (tip) of the spindle 74. On the lower surface of the wheel mount 76, a polishing wheel 78 having substantially the same diameter as the wheel mount 76 is mounted. The polishing wheel 78 includes a wheel base 78a made of a metal material such as stainless steel, and a disk-shaped polishing pad 78b attached to the lower surface of the wheel base 78a.

연마 패드(78b)는, 예컨대 우레탄 및/또는 부직포로 이루어진 기재 중에 지립을 분산시켜 적절한 액상의 결합제로 고정한 고정 지립형의 연마 패드를 적합하게 이용할 수 있다. 고정 지립형의 연마 패드로는, 예컨대 고상 반응 미립자로서 실리카(SiO2) 입자나, 실리카 입자에 더하여 GC(Green Carbide) 지립을 상기 기재 중에 함유시킨 것이 바람직하다. 고상 반응 미립자로는, 실리카에 한정되지 않고, 산화세륨(CeO2)이나 지르코니아(ZeO2) 등을 이용해도 좋다. 지립은, 웨이퍼(W)보다 모스 경도가 높고, 그 웨이퍼(W)를 연마할 수 있는 것이면 좋고, 예컨대 웨이퍼(W)가 실리콘 웨이퍼인 경우, 모스 경도 5 이상의 물질을 주재료로 한 지립재가 바람직하고, 예컨대 GC 지립 대신에 다이아몬드나 알루미나, 산화세륨, cBN(입방정 질화붕소) 등의 지립을 함유시키도록 해도 좋다. As the polishing pad 78b, for example, a fixed abrasive type polishing pad in which abrasive grains are dispersed in a substrate made of urethane and/or nonwoven fabric and fixed with an appropriate liquid binder can be suitably used. As the fixed abrasive type polishing pad, it is preferable that, for example, silica (SiO 2 ) particles as solid-state reactive fine particles or GC (Green Carbide) abrasive particles are contained in the substrate in addition to the silica particles. The solid reaction fine particles are not limited to silica, and cerium oxide (CeO 2 ), zirconia (ZeO 2 ), or the like may be used. The abrasive grains should have a higher Mohs hardness than the wafer W and capable of polishing the wafer W. For example, when the wafer W is a silicon wafer, an abrasive grain made of a material having a Mohs hardness of 5 or more as a main material is preferable. For example, instead of GC abrasives, abrasive grains such as diamond, alumina, cerium oxide, and cBN (cubic boron nitride) may be included.

연마 유닛(48)은, 도 6에 나타낸 바와 같이, 스핀들(74), 휠마운트(76) 및 휠베이스(78a)를 관통하는 유체 공급로(79)를 구비한다. 이 유체 공급로(79)는, 척테이블(22)에 유지되고 노출된 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 연마액 혹은 린스액을 공급하는 유로이며, 이 유체 공급로(79)에는, 도시하지 않은 전자 전환 밸브를 통해 연마액 공급원 및 린스액 공급원이 선택적으로 접속되어 있다. 연마액은, 웨이퍼(W)의 이면(WR)을 연마 가공할 때에 공급되는 액체이며, 웨이퍼(W)와 화학 반응을 일으켜 CMP(화학 기계 연마; Chemical Mechanical Polishing)을 실시할 수 있는 물질이 포함된다. 본 실시형태에서는, 웨이퍼(W)가 실리콘 웨이퍼이므로, 예컨대 알칼리성의 연마액이 사용된다. 또한, 린스액은, 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 게터링층(G)(도 1)을 생성할 때에 공급되는 액체이고, 웨이퍼(W)와 실질적으로 화학 반응이 생기지 않는 물질만으로 구성되며, 예컨대 순수가 이용된다. The polishing unit 48 includes a spindle 74, a wheel mount 76, and a fluid supply path 79 passing through the wheel base 78a, as shown in FIG. 6. This fluid supply path 79 is a flow path for supplying a polishing liquid or a rinse liquid to the back surface WR of the wafer W held by the chuck table 22 and exposed, and the fluid supply path 79 is shown in the figure. The polishing liquid supply source and the rinse liquid supply source are selectively connected through an unused electromagnetic switching valve. The polishing liquid is a liquid supplied when polishing the back side (WR) of the wafer (W), and contains a substance capable of chemically reacting with the wafer (W) to perform CMP (Chemical Mechanical Polishing). do. In this embodiment, since the wafer W is a silicon wafer, an alkaline polishing liquid is used, for example. In addition, the rinse liquid is a liquid supplied when the gettering layer (G) (Fig. 1) is formed on the back surface (WR) of the wafer (W), and consists only of a substance that does not substantially undergo a chemical reaction with the wafer (W). And, for example, pure water is used.

본 실시형태에서는, 연마 패드(78b)는, 도 6 및 도 7에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)와 동등 이상의 큰 직경(예컨대, 웨이퍼(W); 300 mm, 연마 패드; 450 mm)으로 형성되며, 연마 유닛(48)은, 웨이퍼(W)의 이면(WR) 전면(全面)을 덮으면서, 척테이블(22)에 대하여 편심하여 배치된다. 구체적으로는, 연마 패드(78b)는, 웨이퍼(W)의 이면(WR)에서의 링형 보강부(W4) 및 오목부(W3)를 덮도록 배치되며, 단일 연마 패드(78b)에 의해, 링형 보강부(W4) 및 오목부(W3)를 동시에 연마한다. 본 실시형태에서는, 연마 패드(78b)와 웨이퍼(W)가 동일한 배치 관계에서, 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 게터링층(G)(도 1)이 생성된다. In this embodiment, the polishing pad 78b is formed with a larger diameter equal to or greater than that of the wafer W (eg, wafer W; 300 mm, polishing pad; 450 mm), as shown in FIGS. 6 and 7 The polishing unit 48 is disposed eccentrically with respect to the chuck table 22 while covering the entire surface of the back surface WR of the wafer W. Specifically, the polishing pad 78b is disposed so as to cover the ring-shaped reinforcement portion W4 and the concave portion W3 on the back surface WR of the wafer W, and is formed by a single polishing pad 78b. The reinforcing portion W4 and the concave portion W3 are polished at the same time. In this embodiment, the gettering layer G (FIG. 1) is formed on the back surface WR of the wafer W in the same arrangement relationship between the polishing pad 78b and the wafer W.

다음으로, 웨이퍼의 가공 방법에 관해 설명한다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 카세트(8a)에 수용된 웨이퍼(W)는, 제1 반송 유닛(6)에 의해 카세트(8a)로부터 인출되어 임시 배치 테이블(14)까지 반송되고, 임시 배치 테이블(14)에서 웨이퍼(W)의 중심을 위치 맞춤한다. Next, a wafer processing method will be described. As shown in FIG. 2, the wafer W accommodated in the cassette 8a is taken out from the cassette 8a by the first conveying unit 6 and conveyed to the temporary placement table 14, and the temporary placement table 14 Align the center of the wafer (W) in ).

계속해서, 제2 반송 유닛(18)은, 임시 배치 테이블(14)에서 위치 맞춤된 웨이퍼(W)를 반입 반출 위치(A)에 위치 부여된 척테이블(22)에 반송하고, 표면 보호 테이프(T)를 하측으로 하여 척테이블(22)에 의해 흡인 유지된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)는, 척테이블(22)에서 유지되고 이면(WR)이 노출된다. 이 웨이퍼(W)를 척테이블(22)에서 흡인 유지한 후, 턴테이블(20)을 화살표 R로 나타내는 시계 방향으로 90도 회전시킨다. 이에 따라, 척테이블(22)에 유지된 웨이퍼(W)는, 조연삭용의 연삭 유닛(38a)에 대향하는 조연삭 위치(B)에 위치 부여된다. Subsequently, the second transfer unit 18 transfers the wafer W aligned with the temporary placement table 14 to the chuck table 22 positioned at the carry-in/out position A, and the surface protection tape ( It is suction-held by the chuck table 22 with T) as the lower side. Accordingly, the wafer W is held by the chuck table 22 and the back surface WR is exposed. After the wafer W is sucked and held by the chuck table 22, the turntable 20 is rotated 90 degrees in the clockwise direction indicated by the arrow R. Accordingly, the wafer W held by the chuck table 22 is positioned at the rough grinding position B facing the grinding unit 38a for rough grinding.

웨이퍼(W)의 조연삭에서는, 조연삭 위치(B)에 위치 부여된 웨이퍼(W)에 대하여, 척테이블(22)을 예컨대 300 rpm으로 회전시키면서, 연삭휠(46a)을 척테이블(22)과 동일 방향으로 예컨대 6000 rpm으로 회전시킴과 함께, 연삭액을 공급하면서 승강 펄스 모터(34)를 작동하여 조연삭용의 연삭 지석을 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 접촉시킨다. 이 때, 예컨대, 연삭휠(46a)의 연삭 지석을 웨이퍼(W)의 이면(WR)의 회전 중심에 항상 접촉시킴과 동시에, 웨이퍼(W)의 외주 잉여 영역(W2)의 이면측에 접촉시키지 않도록 제어하고, 연삭휠(46a)을 소정의 연삭 이송 속도로 하측으로 소정량 이송하여, 웨이퍼(W)의 이면(WR)의 조연삭을 실시한다. 이러한 제어에 의해, 도 3에 나타낸 바와 같이, 이면(WR) 중 디바이스 영역(W1)에 해당하는 중앙부의 영역만이 연삭되어 오목부(W3)가 형성됨과 함께, 오목부(W3)의 주위에 외주 잉여 영역(W2)을 포함하는 링형 보강부(W4)가 잔존하여 형성된다(링형 보강부 형성 공정). 이 링형 보강부(W4)는 연삭되지 않았기 때문에, 연삭전과 동일한 두께를 갖는다. In the rough grinding of the wafer W, with respect to the wafer W positioned at the rough grinding position B, the chuck table 22 is rotated at, for example, 300 rpm, while the grinding wheel 46a is moved to the chuck table 22. While rotating at, for example, 6000 rpm in the same direction as, the lifting pulse motor 34 is operated while supplying the grinding liquid to bring the grinding grindstone for rough grinding into contact with the back surface WR of the wafer W. At this time, for example, the grinding wheel of the grinding wheel 46a is always brought into contact with the rotation center of the rear surface WR of the wafer W, and the outer peripheral redundant area W2 of the wafer W is not brought into contact with the rear surface side. It is controlled so that the grinding wheel 46a is transferred downward at a predetermined grinding feed rate by a predetermined amount, and rough grinding of the back surface WR of the wafer W is performed. By this control, as shown in FIG. 3, only the central portion of the rear surface WR corresponding to the device area W1 is ground to form the concave portion W3, and around the concave portion W3. The ring-shaped reinforcement portion W4 including the outer circumferential redundant region W2 remains and is formed (a ring-shaped reinforcement portion forming process). Since this ring-shaped reinforcing portion W4 has not been ground, it has the same thickness as before grinding.

조연삭이 종료하면, 턴테이블(20)을 시계 방향으로 90도 더 회전시켜, 조연삭이 종료한 웨이퍼(W)를 마무리 연삭 위치(C)에 위치 부여한다. 이 마무리 연삭에서는, 척테이블(22)을 예컨대 300 rpm으로 회전시키면서, 연삭휠(46b)을 척테이블(22)과 동일 방향으로 예컨대 6000 rpm으로 회전시킴과 함께, 연삭액을 공급하면서 승강 펄스 모터(34)를 작동하여 마무리 연삭용의 연삭 지석을 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 접촉시킨다. 이 경우에도, 예컨대 연삭휠(46b)의 연삭 지석을 웨이퍼(W)의 이면(WR)의 회전 중심에 항상 접촉시킴과 함께, 웨이퍼(W)의 외주 잉여 영역(W2)의 이면측에 접촉시키지 않도록 제어하고, 연삭휠(46b)을 소정의 연삭 이송 속도로 하측으로 소정량 이송하여, 웨이퍼(W)의 이면(WR)의 마무리 연삭을 실시한다. 이 마무리 연삭에 의해, 웨이퍼(W)의 오목부(W3)를 원하는 두께(예컨대 30 ㎛)로 마무리한다. 본 실시형태에서는, 링형 보강부 형성 공정에는, 조연삭뿐만 아니라 마무리 연삭의 공정도 포함한다. When the rough grinding is completed, the turntable 20 is further rotated 90 degrees in the clockwise direction, and the wafer W after the rough grinding is positioned at the finish grinding position C. In this finish grinding, while rotating the chuck table 22 at, for example, 300 rpm, the grinding wheel 46b is rotated in the same direction as the chuck table 22 at, for example, 6000 rpm, while supplying the grinding liquid while supplying the grinding pulse motor. By operating (34), a grinding grindstone for finish grinding is brought into contact with the back surface WR of the wafer W. In this case, for example, the grinding wheel of the grinding wheel 46b is always in contact with the rotational center of the rear surface WR of the wafer W, and the outer peripheral redundant area W2 of the wafer W is not brought into contact with the rear surface side. It is controlled so that the grinding wheel 46b is transferred downward at a predetermined grinding feed rate by a predetermined amount, and the back surface WR of the wafer W is subjected to finish grinding. By this finish grinding, the concave portion W3 of the wafer W is finished to a desired thickness (for example, 30 µm). In the present embodiment, the ring-shaped reinforcing portion forming step includes not only coarse grinding but also finishing grinding.

마무리 연삭이 종료한 웨이퍼(W)를 유지한 척테이블(22)은, 턴테이블(20)을 시계 방향으로 90도 더 회전시킴으로써, 연마 유닛(48)에 대향하는 연마 위치(D)에 위치 부여되고, 연마 공정이 실시된다. The chuck table 22 holding the wafer W after finish grinding is positioned at the polishing position D opposite to the polishing unit 48 by rotating the turntable 20 further 90 degrees in the clockwise direction. , A polishing process is carried out.

연마 공정에서는, 도 7에 나타낸 바와 같이, 연마 유닛(48)의 연마 패드(78b)가 웨이퍼(W)의 이면(WR) 전면(全面)을 덮은 상태로 연마를 실시한다. 이 연마 공정에 있어서, 유체 공급로(79)는 전자 전환 밸브(61)를 통해 연마액 공급원(62)에 접속되고, 유체 공급로(79)를 통하여 알칼리성의 연마액을 웨이퍼(W)의 이면(WR)과 연마 패드(78b)에 공급한다. 그리고, 척테이블(22)을 화살표 α방향으로, 예컨대 505 rpm으로 회전시킴과 함께, 연마 패드(78b)를 화살표 α방향으로, 예컨대 500 rpm으로 회전시키면서, 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 연마 패드(78b)를 소정 하중(예컨대 25 kPa)으로 압박하여 웨이퍼(W)의 이면(WR)의 연마를 실시한다. 이 연마 공정에 의해, 상기 링형 보강부 형성 공정에서 웨이퍼(W)의 이면(WR)을 연삭했을 때에 생성된 연삭 왜곡이 제거된다. 이 연마 공정에서는, 연마 패드(78b)의 기재가 웨이퍼(W)의 이면(WR)의 이면(WR)의 형상에 따라서 탄성 변형하기 때문에, 오목부(W3) 및 링형 보강부(W4)의 거의 전면을 동시에 연마할 수 있어, 연마 시간의 단축을 도모하여, 연마 가공의 생산성을 향상시킬 수 있다. In the polishing step, as shown in FIG. 7, polishing is performed while the polishing pad 78b of the polishing unit 48 covers the entire surface of the back surface WR of the wafer W. In this polishing process, the fluid supply path 79 is connected to the polishing liquid supply source 62 through the electromagnetic switching valve 61, and the alkaline polishing liquid is transferred to the rear surface of the wafer W through the fluid supply path 79. (WR) and the polishing pad 78b. Then, while rotating the chuck table 22 in the direction of the arrow α, e.g., 505 rpm, and rotating the polishing pad 78b in the direction of the arrow α, e.g., 500 rpm, The back surface WR of the wafer W is polished by pressing the polishing pad 78b with a predetermined load (eg, 25 kPa). By this polishing step, grinding distortion generated when the back surface WR of the wafer W is ground in the ring-shaped reinforcing portion forming step is removed. In this polishing step, since the substrate of the polishing pad 78b is elastically deformed according to the shape of the back surface WR of the back surface WR of the wafer W, almost the concave portion W3 and the ring-shaped reinforcing portion W4 are The entire surface can be polished at the same time, the polishing time can be shortened, and the productivity of the polishing process can be improved.

또한, 본 실시형태에 관한 웨이퍼의 가공 방법에서는, 웨이퍼(W)의 이면(WR)을 연마하는 연마 공정에 이어서, 그 이면(WR)에 게터링층을 형성하는 게터링층 형성 공정을 실행할 수도 있다. 이 게터링층 형성 공정은, 연마 공정과 마찬가지로 연마 유닛(48)을 이용하여 실행할 수 있다. 게터링층은, 웨이퍼(W)에 함유되는 구리(Cu) 등의 금속을 주로 하는 불순물 원자를 포착하여, 디바이스(DB)를 불순물에 의한 오염으로부터 보호하는 것이다. 이 때문에, 디바이스(DB)가, 예컨대 메모리(플래시메모리나 DRAM(Dynamic Random Access Memory) 등)인 경우에는, 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 게터링층을 형성함으로써 불순물에 의한 오염을 방지할 수 있다. In addition, in the wafer processing method according to the present embodiment, following the polishing step of polishing the back surface WR of the wafer W, a gettering layer forming step of forming a gettering layer on the back surface WR may be performed. have. This gettering layer forming step can be performed using the polishing unit 48 similarly to the polishing step. The gettering layer captures impurity atoms mainly made of metals such as copper (Cu) contained in the wafer W, and protects the device DB from contamination by impurities. Therefore, when the device DB is, for example, a memory (such as a flash memory or a DRAM (Dynamic Random Access Memory)), a gettering layer is formed on the back surface WR of the wafer W to prevent contamination by impurities. can do.

게터링층 형성 공정에서는, 도시는 생략했지만, 전자 전환 밸브(61)를 전환하여, 유체 공급로(79)에 린스액 공급원(63)을 접속하고, 유체 공급로(79)에 통하여 린스액(순수)을 웨이퍼(W)의 이면(WR) 및 연마 패드(78b)에 공급한다. 그리고, 연마 공정과 마찬가지로, 척테이블(22)을 화살표 α방향으로, 예컨대 505 rpm으로 회전시킴과 함께, 연마 패드(78b)를 화살표 α방향으로, 예컨대 500 rpm으로 회전시키면서, 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 연마 패드(78b)를 연마 공정보다 작은 소정 하중(예컨대 5 kPa)으로 압박하여, 웨이퍼(W)의 이면(WR)(오목부(W3))에 게터링층을 형성한다. 이 게터링층 형성 공정은, 연마 공정에 이어서 실행되는 부가적인 공정이므로, 게터링층 형성 공정을 실행하지 않고 연마 공정에서 종료해도 좋다. In the gettering layer forming step, although not shown, the solenoid switching valve 61 is switched, the rinse liquid supply source 63 is connected to the fluid supply path 79, and the rinse liquid ( Pure water) is supplied to the back surface WR of the wafer W and the polishing pad 78b. And, like the polishing process, while rotating the chuck table 22 in the direction of the arrow α, for example at 505 rpm, and rotating the polishing pad 78b in the direction of the arrow α, for example, at 500 rpm, The polishing pad 78b is pressed against the back surface WR with a predetermined load (e.g., 5 kPa) smaller than the polishing step to form a gettering layer on the back surface WR (recessed portion W3) of the wafer W. Since this gettering layer forming step is an additional step performed following the polishing step, it may be terminated in the polishing step without performing the gettering layer forming step.

다음으로, 연마 패드(78b)의 기재의 경도와 웨이퍼(W)의 오목부(W3)의 연마 영역에 관해 설명한다. 도 8은, 웨이퍼의 이면측을 연마할 때의 연마 패드의 상태를 나타내는 모식도이고, 도 9는, 연삭흔의 관찰 위치를 나타내는 도면이다. 전술한 바와 같이, 본 실시형태의 웨이퍼(W)는, 이면(WR)에 오목부(W3)와 링형 보강부(W4)를 구비하는 구성으로 되어 있다. 이 때문에, 도 8에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)의 오목부(W3)와 링형 보강부(W4)를 동시에 연마하는 경우, 연마 패드(78b)는, 웨이퍼(W)의 형상에 따라서 탄성 변형한다. 여기서, 링형 보강부(W4)는, 오목부(W3)보다 소정의 높이 H1(예컨대 수백 ㎛) 높은 위치에 있기 때문에, 이 링형 보강부(W4)를 따르는 오목부(W3)의 외주부(W3A)에는, 연마 패드(78b)가 접촉하지 않아 연마할 수 없거나 혹은 충분히 연마할 수 없는 영역이 생기는 것이 상정된다. Next, the hardness of the base material of the polishing pad 78b and the polishing region of the concave portion W3 of the wafer W will be described. Fig. 8 is a schematic diagram showing a state of a polishing pad when polishing the back side of a wafer, and Fig. 9 is a view showing an observation position of a grinding mark. As described above, the wafer W of the present embodiment has a configuration including the recessed portion W3 and the ring-shaped reinforcing portion W4 on the back surface WR. Therefore, as shown in Fig. 8, when polishing the concave portion W3 and the ring-shaped reinforcing portion W4 of the wafer W at the same time, the polishing pad 78b is elastically deformed according to the shape of the wafer W. do. Here, since the ring-shaped reinforcing portion W4 is at a predetermined height H1 (for example, several hundred μm) higher than the concave portion W3, the outer peripheral portion W3A of the concave portion W3 along the ring-shaped reinforcing portion W4 In this case, it is assumed that the polishing pad 78b does not come into contact and a region that cannot be polished or sufficiently polished occurs.

발명자는 이 문제를 감안하여, 연마 패드(78b)의 기재의 경도와 오목부(W3)의 연마 영역에 관해 예의 연구했다. 구체적으로는, 오목부(W3)의 주위에 링형 보강부(W4)가 형성된 웨이퍼(W)를 이용하여, 오목부(W3)의 외주부(W3A)에 잔존하는 마무리 연삭시의 연삭흔(Saw Mark)을 관찰하고, 링형 보강부(W4)의 내벽(W4A)으로부터 연삭흔이 잔존하는 위치까지의 거리 L2를 측정했다. 본 실시형태에서는, 웨이퍼(W)의 일례로서, 직경 300 mm이며, 링형 보강부(W4)의 폭 L1이 2.1 mm, 오목부(W3)로부터 링형 보강부(W4)의 높이 H1이 625 ㎛인 실리콘 웨이퍼를 이용했다. 이 때의 폭 L1과 높이 H1의 비 L1/H1은 3 이상 4 이하가 바람직하며, 이 예에서는 L1/H1=3.36이다. 연삭흔의 관찰은, 도 9에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)의 노치(WA)에 해당하는 위치를 포함하는 90도마다 4개소에서 행했다. 또한, 연삭흔의 관찰에는 광학 현미경을 이용했다. In view of this problem, the inventor intensively studied the hardness of the base material of the polishing pad 78b and the polishing region of the concave portion W3. Specifically, by using the wafer W in which the ring-shaped reinforcing portion W4 is formed around the concave portion W3, the saw mark at the time of finish grinding remaining in the outer circumferential portion W3A of the concave portion W3 is used. ) Was observed, and the distance L2 from the inner wall W4A of the ring-shaped reinforcing portion W4 to the position where the grinding marks remain. In this embodiment, as an example of the wafer W, the diameter is 300 mm, the width L1 of the ring-shaped reinforcing portion W4 is 2.1 mm, and the height H1 of the ring-shaped reinforcing portion W4 from the concave portion W3 is 625 μm. A silicon wafer was used. The ratio L1/H1 between the width L1 and the height H1 at this time is preferably 3 or more and 4 or less, and in this example, L1/H1=3.36. Observation of the grinding marks was performed at four locations every 90 degrees including the position corresponding to the notch WA of the wafer W, as shown in FIG. 9. In addition, an optical microscope was used for observation of the grinding marks.

여기서, 동일 형상의 웨이퍼(W)를, 이 웨이퍼(W)보다 작은 직경(예컨대 150 mm)의 연마 패드를 이용한 종래의 구성에서는, 링형 보강부(W4)의 내벽(W4A)으로부터 연삭흔이 잔존하는 위치까지의 거리 L2는 약 0.6 mm(600 ㎛)정도였다. Here, in the conventional configuration in which the wafer W of the same shape is used with a polishing pad having a diameter smaller than that of the wafer W (for example, 150 mm), grinding marks remain from the inner wall W4A of the ring-shaped reinforcing portion W4. The distance L2 to the location was about 0.6 mm (600 µm).

이에 비해, 본 실시형태에서는, 경도가 높음(A 경도로 49) 및 낮음(A 경도로 46)인 2개의 연마 패드(78b)를 준비하고, 각각의 연마 패드를 이용하여 웨이퍼(W)의 오목부(W3)를 연마했다. 연마후의 웨이퍼(W)에 관해, 도 9의 (1)∼(4)의 위치에서 연삭흔을 관찰했다. 이들의 관찰 결과를 표 1에 나타낸다. In contrast, in the present embodiment, two polishing pads 78b having high hardness (49 in A hardness) and low (46 in A hardness) are prepared, and each polishing pad is used to concave the wafer W. The part (W3) was polished. Regarding the polished wafer W, grinding marks were observed at positions (1) to (4) in FIG. 9. Table 1 shows the results of these observations.

Figure 112017095381424-pat00001
Figure 112017095381424-pat00001

표 1에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)보다 큰 직경의 연마 패드(78b)를 이용하여, 웨이퍼(W)의 오목부(W3)와 링형 보강부(W4)를 동시에 연마하는 구성에서는, 경도의 값에 상관없이, 종래의 구성보다 연삭흔이 잔존하는 위치까지의 거리 L2(표 1에서의 연마 거리)가 단축되어 있고, 종래의 1/4 이하로 되어 있다. 이 예에서는, A 경도가 낮은 연마 패드에서는 그 효과가 보다 커서, 종래의 구성과 비교하여, 연삭흔이 잔존하는 위치까지의 거리 L2를 1/8 이하로 할 수 있고, 오목부(W3)의 연마 영역을 보다 크게 할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 오목부(W3)와 링형 보강부(W4)를 동시에 연마하기 때문에, 연마 가공의 시간이 단축되어, 종래의 구성에서의 연마시간이 약 5분이었던데 비해, 본 실시형태에서는 약 90초로 단축할 수 있었다. 또한, 웨이퍼(W) 내의 제거량(연마 레이트)의 변동이 작아진다고 하는 효과도 보였다. As shown in Table 1, in a configuration in which the concave portion W3 and the ring-shaped reinforcing portion W4 of the wafer W are simultaneously polished using a polishing pad 78b having a larger diameter than the wafer W, the hardness Regardless of the value, the distance L2 (polishing distance in Table 1) to the position where the grinding mark remains is shorter than that of the conventional configuration, and is less than 1/4 of the conventional configuration. In this example, the effect is greater in the polishing pad having a low A hardness, and compared with the conventional configuration, the distance L2 to the position where the grinding mark remains can be made 1/8 or less, and the concave portion W3 is The polishing area can be made larger. In addition, since the concave portion W3 and the ring-shaped reinforcing portion W4 of the wafer W are simultaneously polished, the polishing process time is shortened, compared to about 5 minutes of polishing time in the conventional configuration. In the form, it could be shortened to about 90 seconds. In addition, the effect of reducing the variation of the removal amount (polishing rate) in the wafer W was also observed.

본 실시형태에서는, 링형 보강부(W4)의 폭 L1이 2.1 mm, 오목부(W3)로부터 링형 보강부(W4)의 높이 H1이 625 ㎛(L1/H1=3.36)인 웨이퍼(W)를 이용했지만, 이것에 한정되지 않는다. 연마 패드의 추종 용이함의 관점에서는, 링형 보강부(W4)의 높이 H1이 낮은, 및/또는 링형 보강부(W4)의 내벽이 경사형으로 형성되는 것이 보다 바람직하다. 도 10 및 도 11은, 웨이퍼(W)의 변형예를 나타내는 모식도이다. 이 도 10에 나타낸 바와 같이, 오목부(W3)로부터 링형 보강부(W4)의 높이 H1을, 도 8의 예보다 낮게 한 웨이퍼(W)를 이용해도 좋다. 또한, 도 11에 나타낸 바와 같이, 링형 보강부(W4)의 내벽(W4A)을 링형 보강부(W4)로부터 중심으로 갈수록 경사진 경사면으로서 형성해도 좋다. In this embodiment, a wafer W having a width L1 of 2.1 mm of the ring-shaped reinforcing portion W4 and a height H1 of 625 µm (L1/H1 = 3.36) of the ring-shaped reinforcing portion W4 from the concave portion W3 is used. However, it is not limited to this. From the viewpoint of ease of following the polishing pad, it is more preferable that the height H1 of the ring-shaped reinforcing portion W4 is low and/or the inner wall of the ring-shaped reinforcing portion W4 is formed in an inclined shape. 10 and 11 are schematic diagrams showing a modified example of the wafer W. As shown in FIG. 10, a wafer W in which the height H1 of the ring-shaped reinforcing portion W4 from the concave portion W3 is lower than that of the example of FIG. 8 may be used. Further, as shown in Fig. 11, the inner wall W4A of the ring-shaped reinforcing portion W4 may be formed as an inclined surface inclined toward the center from the ring-shaped reinforcing portion W4.

본 실시형태에 의하면, 웨이퍼(W)보다 큰 직경의 연마 패드(78b)를 이용하여, 웨이퍼(W)의 이면(WR)의 전면(全面)을 덮고, 오목부(W3)와 링형 보강부(W4)를 동시에 연마하기 때문에, 오목부(W3)에 연마 시간이 단축되어, 웨이퍼(W)의 가공성 및 생산성이 향상되었다. 또한, 오목부(W3)와 링형 보강부(W4)를 동시에 연마함으로써, 링형 보강부(W4)를 따르는 오목부(W3)의 외주부 근방까지 충분히 연마할 수 있기 때문에, 그 만큼 웨이퍼(W)로부터 잘라내는 칩의 수를 늘릴 수 있다. 또한, 연마 패드(78b)를 이용하여 연마를 행함으로써, 예컨대 웨트 에칭에 의해 연삭 왜곡을 제거하는 구성(스트레스 릴리프)에 비교해서, 연마후의 웨이퍼(W)(오목부(W3))의 평탄성을 높일 수 있다. According to this embodiment, the entire surface of the back surface WR of the wafer W is covered by using the polishing pad 78b having a larger diameter than the wafer W, and the concave portion W3 and the ring-shaped reinforcing portion ( Since W4) is simultaneously polished, the polishing time for the concave portion W3 is shortened, and the workability and productivity of the wafer W are improved. In addition, by simultaneously polishing the concave portion W3 and the ring-shaped reinforcing portion W4, it is possible to sufficiently polish to the vicinity of the outer peripheral portion of the concave portion W3 along the ring-shaped reinforcing portion W4. You can increase the number of chips you cut. In addition, by performing polishing using the polishing pad 78b, the flatness of the polished wafer W (concave portion W3) is compared to a configuration (stress relief) in which grinding distortion is removed by, for example, wet etching. You can increase it.

또한, 본 실시형태에 의하면, 연마 공정을 실시한 후, 연마액과는 상이한 린스액을 회전하는 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 공급하면서 연마 패드(78)를 회전시키면서 압박하여 오목부(W3)에 게터링층을 형성하는 게터링층 형성 공정을 구비하기 때문에, 연마 공정과 동일한 연마 패드(78b)를 이용하여 게터링층을 용이하게 형성할 수 있다. In addition, according to the present embodiment, after performing the polishing step, while supplying a rinse liquid different from the polishing liquid to the back surface WR of the rotating wafer W, while rotating the polishing pad 78, the concave portion W3 is pressed. ), the gettering layer forming step of forming a gettering layer is provided, so that the gettering layer can be easily formed using the same polishing pad 78b as the polishing step.

다음으로, 연마 유닛의 다른 형태에 관해 설명한다. 도 12는, 다른 형태에 관한 연마 유닛의 주변 구성을 나타내는 모식도이다. 다른 형태에서는, 연마 유닛(148)은, 도 12에 나타낸 바와 같이, 연마 패드(178b)에 의해 웨이퍼(W)의 이면(WR)을 부분적으로 덮어 연마한다. 이 연마 유닛(148)이 구비하는 스핀들 하우징(172), 스핀들(174), 휠마운트(176), 연마휠(78) 및 휠베이스(178a)는, 상기 연마 유닛(48)의 각 부와 동등한 구성이므로 설명을 생략한다. 연마 패드(178b)는, 웨이퍼(W)와 동등 이상의 큰 직경(예컨대, 웨이퍼(W); 300 mm, 연마 패드; 300 mm)으로 형성되며, 연마 유닛(148)은, 척테이블(22)에 대하여 크게 편심하여 배치된다. 구체적으로는, 연마 패드(178b)의 외주부가 웨이퍼(W)의 이면(WR)의 중심을 덮고, 또한, 웨이퍼(W)의 이면(WR)으로부터 직경 방향으로 연장되도록(비어져 나오도록) 연마 패드(178b)가 배치되어 있다. 이 상태로, 척테이블(22) 및 연마 유닛(148)을 회전시킴으로써, 연마 패드(178b)가 웨이퍼(W)의 이면(WR)을 부분적으로 압박하고, 웨이퍼(W)의 오목부(W3)와 링형 보강부(W4)를 동시에 연마한다. Next, another form of the polishing unit will be described. 12 is a schematic diagram showing a peripheral configuration of a polishing unit according to another embodiment. In another form, the polishing unit 148 partially covers and polishes the back surface WR of the wafer W with the polishing pad 178b, as shown in FIG. 12. The spindle housing 172, the spindle 174, the wheel mount 176, the polishing wheel 78, and the wheel base 178a provided in the polishing unit 148 are equivalent to the respective parts of the polishing unit 48. Since it is a configuration, a description is omitted. The polishing pad 178b is formed with a diameter equal to or larger than that of the wafer W (e.g., wafer W; 300 mm, polishing pad; 300 mm), and the polishing unit 148 is mounted on the chuck table 22 It is arranged largely eccentric with respect to. Specifically, polishing so that the outer periphery of the polishing pad 178b covers the center of the back surface WR of the wafer W and extends (protrudes) from the back surface WR of the wafer W in the radial direction. The pad 178b is disposed. In this state, by rotating the chuck table 22 and the polishing unit 148, the polishing pad 178b partially presses the back surface WR of the wafer W, and the concave portion W3 of the wafer W And the ring-shaped reinforcement part (W4) are polished at the same time.

또한, 연마휠(178)의 근방에는, 도 12에 나타낸 바와 같이, 척테이블(22)에 유지되고 노출된 웨이퍼(W)의 이면(WR)에 연마액 혹은 린스액을 공급하는 가공액 공급 노즐(60)이 배치되어 있다. 이 가공액 공급 노즐(60)은, 전자 전환 밸브(61)를 통해 연마액 공급원(62) 및 린스액 공급원(63)에 선택적으로 접속된다. 이 구성에 있어서도, 연마 패드(178b)가 웨이퍼(W)의 이면(WR)을 부분적으로 압박하고, 웨이퍼(W)의 오목부(W3)와 링형 보강부(W4)를 동시에 연마함으로써, 링형 보강부(W4)를 따르는 오목부(W3)의 외주부 근방까지 충분히 연마할 수 있기 때문에, 그 만큼, 웨이퍼(W)로부터 잘라내는 칩의 수를 늘릴 수 있다. 또한, 연마 패드(178b)를 이용하여 연마를 행함으로써, 예컨대 직경이 작은 연마 패드를 웨이퍼(W)의 오목부에만 접촉시켜 연삭 왜곡을 제거하는 구성(스트레스 릴리프)에 비교해서, 연마후의 웨이퍼(W)(오목부(W3))의 평탄성을 높일 수 있다. In the vicinity of the polishing wheel 178, as shown in FIG. 12, a processing liquid supply nozzle for supplying a polishing liquid or a rinse liquid to the back surface WR of the wafer W held and exposed by the chuck table 22. (60) has been placed. The processing liquid supply nozzle 60 is selectively connected to the polishing liquid supply source 62 and the rinse liquid supply source 63 via an electromagnetic switching valve 61. Also in this configuration, the polishing pad 178b partially presses the back surface WR of the wafer W, and simultaneously polishes the concave portion W3 and the ring-shaped reinforcing portion W4 of the wafer W, thereby reinforcing the ring shape. Since it can be sufficiently polished to the vicinity of the outer peripheral portion of the concave portion W3 along the portion W4, the number of chips cut out from the wafer W can be increased by that amount. Further, by performing polishing using the polishing pad 178b, compared to a configuration (stress relief) in which, for example, a polishing pad having a small diameter is brought into contact only with the concave portion of the wafer W to remove grinding distortion (stress relief), the wafer after polishing ( The flatness of W) (recessed part W3) can be improved.

이상, 본 발명의 일실시형태에 관해 설명했지만, 상기 실시형태는 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하지 않는다. 예컨대, 본 실시형태에서는, 링형 보강부 형성 공정과 연마 공정을, 조연삭용 및 마무리 연삭용의 연삭 유닛(38a, 38b)과 연마 유닛(48)을 구비한 연삭 연마 장치(2)를 이용하여 실행하고 있지만, 예컨대, 링형 보강부 형성 공정과 연마 공정을 각각 연삭 유닛, 연마 유닛을 구비한 별개의 장치로 실행해도 좋은 것은 물론이다. As mentioned above, although one embodiment of this invention was demonstrated, the said embodiment was presented as an example, and it is not intended to limit the scope of the invention. For example, in the present embodiment, the ring-shaped reinforcing portion forming step and the polishing step are performed using the grinding and polishing apparatus 2 provided with the grinding units 38a and 38b and the polishing unit 48 for rough grinding and finish grinding. However, it goes without saying that, for example, the ring-shaped reinforcing portion forming step and the polishing step may be performed by separate apparatuses each including a grinding unit and a polishing unit.

또한, 본 실시형태에서는, 연마 패드(78b)로서, 우레탄 및/또는 부직포로 이루어진 기재 중에 지립을 고정시킨 고정 지립 연마 패드를 예시했지만, 연마액에 지립을 분산시킨 상태로 공급하고 지립을 고정시키지 않은 연마 패드를 이용하여, 웨이퍼(W)의 연마를 행해도 좋다. In addition, in the present embodiment, as the polishing pad 78b, a fixed abrasive polishing pad in which abrasive grains are fixed in a substrate made of urethane and/or nonwoven fabric is illustrated, but the abrasive grains are supplied in a state in which the abrasive grains are dispersed in the polishing liquid, and the abrasive grains are not fixed. The wafer W may be polished using a non-woven polishing pad.

2 : 연삭 연마 장치
22 : 척테이블
38a, 38b : 연삭 유닛
46a, 46b : 연삭휠
48, 148 : 연마 유닛
78, 178 : 연마휠
78b, 178b : 연마 패드
W : 웨이퍼
W1 : 디바이스 영역
W2 : 외주 잉여 영역
W3 : 오목부
W3A : 외주부
W4 : 링형 보강부
W4A : 내벽
WR : 이면2: grinding polishing device
22: chuck table
38a, 38b: grinding unit
46a, 46b: grinding wheel
48, 148: polishing unit
78, 178: polishing wheel
78b, 178b: polishing pad
W: wafer
W1: device area
W2: Outsourced surplus area
W3: concave
W3A: outer periphery
W4: Ring-type reinforcement part
W4A: inner wall
WR: back side

Claims (2)

표면에 복수의 디바이스가 형성된 디바이스 영역과 상기 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 구비하는 웨이퍼의 가공 방법으로서,
상기 웨이퍼의 표면측을 척테이블에 유지하고, 상기 웨이퍼의 이면 중 상기 디바이스 영역에 해당하는 영역을 연삭하여 오목부를 형성함으로써, 상기 오목부의 외주측에 상기 외주 잉여 영역을 포함하는 링형 보강부를 형성하는 링형 보강부 형성 공정과,
상기 웨이퍼의 표면측을 척테이블에 유지하고, 상기 오목부를 노출시켜, 상기 이면에 연마액을 공급하면서 척테이블과 상기 웨이퍼와 동등 이상의 직경을 갖는 연마 패드를 회전시켜 상기 연마 패드를 상기 웨이퍼의 이면에 압박함으로써 상기 오목부와 상기 링형 보강부를 동시에 연마하는 연마 공정을 포함하는 웨이퍼의 가공 방법. A wafer processing method comprising a device region in which a plurality of devices are formed on a surface and an outer circumferential redundant region surrounding the device region,
A ring-shaped reinforcing part including the outer circumferential redundant region is formed on the outer circumferential side of the concave part by holding the front side of the wafer on a chuck table and grinding a region corresponding to the device region of the back surface of the wafer A ring-shaped reinforcement part forming process,
The surface side of the wafer is held on a chuck table, the concave portion is exposed, and a polishing liquid is supplied to the rear surface, while the chuck table and a polishing pad having a diameter equal to or greater than the wafer are rotated to move the polishing pad to the rear surface of the wafer. A wafer processing method comprising a polishing step of simultaneously polishing the concave portion and the ring-shaped reinforcing portion by pressing on the wafer. 제1항에 있어서, 상기 연마 공정을 실시한 후, 상기 연마액과는 상이한 린스액을 회전하는 상기 웨이퍼의 이면에 공급하면서 상기 연마 패드를 회전시키면서 압박하여 상기 오목부에 게터링층을 형성하는 게터링층 형성 공정을 포함하는 웨이퍼의 가공 방법. The method according to claim 1, wherein after performing the polishing process, a gettering layer is formed in the concave portion by pressing the polishing pad while rotating the polishing pad while supplying a rinse liquid different from the polishing liquid to the back surface of the rotating wafer. A method of processing a wafer, including a process of forming a turing layer.
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