JP5454468B2 - 純水製造方法及び純水製造装置 - Google Patents
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Description
ii)混床式イオン交換装置;紫外線酸化によって分解され、残留した炭酸イオン、有機酸類、アニオン性物質や前段より流入してくる金属イオンやカチオン性物質をイオン交換によって除去する。
iii)脱気装置;混入しているDO(溶存酸素)などの溶存ガスを除去する。
iv)UF膜分離装置;微粒子を除去する。
RO;逆浸透膜分離装置
UVox;紫外線酸化装置
MDI;混床式イオン交換装置
脱気:脱気装置
UF;限外濾過膜分離装置
(A)一次純水
電気比抵抗;10MΩ・cm以上
TOC;5〜50μg/L
(B)二次純水
電気比抵抗;18MΩ・cm以上
(金属イオン濃度:5ng/L以下、残留イオン濃度:10ng/L以下)
微粒子数;1mL中に0.1μm以上の微粒子5個以下
TOC;1〜10μg/L
(C)三次純水
TOC;0.1〜5μg/L
微粒子数;1mL中に0.1μm以上の微粒子5個以下
2H2O2→2H2O+O2
また、炭素系吸着剤でもTOC溶出の問題がある。
第1の紫外線酸化工程の処理水をイオン交換樹脂と接触させることにより脱イオンして二次純水を製造し、該二次純水の一部を前記一次純水に戻す第1の脱イオン工程と、
第1の脱イオン工程を経た二次純水の残部に紫外線を照射することにより水中の有機物を酸化分解する第2の紫外線酸化工程と、
第2の紫外線酸化工程の処理水をイオン交換樹脂と接触させることにより脱イオンして三次純水を製造し、該三次純水の一部を前記二次純水の前記残部に戻す第2の脱イオン工程と、
を含む純水製造方法において、
第1の紫外線酸化工程において、該第1の紫外線酸化工程の処理水の有機物濃度が1〜10μg/Lで、H 2 O 2 濃度が1〜30μg/Lとなるような照射強度で紫外線を照射すると共に、
第2の紫外線酸化工程において、該第2の紫外線酸化工程の処理水の有機物濃度が0.1〜5μg/Lで、H 2 O 2 濃度が1〜20μg/Lとなるような照射強度で紫外線を照射する
ことを特徴とするものである。
第1の紫外線酸化手段の処理水をイオン交換樹脂と接触させることにより脱イオンして二次純水を製造し、該二次純水の一部を前記一次純水に戻す第1の脱イオン手段と、
第1の脱イオン手段を経た二次純水の残部に紫外線を照射することにより水中の有機物を酸化分解する第2の紫外線酸化手段と、
第2の紫外線酸化手段の処理水をイオン交換樹脂と接触させることにより脱イオンして三次純水を製造し、該三次純水の一部を前記二次純水の残部に戻す第2の脱イオン手段と、
を含む純水製造装置において、
第1の紫外線酸化手段において、該第1の紫外線酸化手段の処理水の有機物濃度が1〜10μg/Lで、H 2 O 2 濃度が1〜30μg/Lとなるような照射強度で紫外線を照射すると共に、
第2の紫外線酸化手段において、該第2の紫外線酸化手段の処理水の有機物濃度が0.1〜5μg/Lで、H 2 O 2 濃度が1〜20μg/Lとなるような照射強度で紫外線を照射する
ことを特徴とするものである。
本発明においては、二次純水製造装置の紫外線酸化装置及び三次純水製造装置の紫外線酸化装置の紫外線照射強度を、流入水のTOC濃度によって調節して過酸化水素の生成を抑制する。この時、TOCの成分である有機物種によっても過酸化水素生成濃度は異なるため、紫外線酸化装置の流入水のTOC濃度の数値によって紫外線照射強度を決定するのではなく、紫外線酸化装置出口(紫外線酸化装置の処理水)のTOC濃度や過酸化水素濃度が後段のシステムへの負荷として許容できるように測定しながら調光する必要がある。
1) 二次純水製造装置の紫外線酸化装置出口の過酸化水素濃度が1〜30μg/LでTOC濃度が1〜10μg/L、かつ、三次純水製造装置の紫外線酸化装置出口のTOC濃度が0.1〜5μg/L
2) 二次純水製造装置の紫外線酸化装置出口のTOC濃度が1〜10μg/L、かつ三次純水製造装置の紫外線酸化装置出口の過酸化水素濃度が1〜20μg/LでTOC濃度が0.1〜5μg/L
紫外線照射強度が小さいと、有機物分解が進み難く、TOCの低減が不十分となる。紫外線照射強度を大きくしていくと有機物の分解が進み、処理水のTOC濃度が下がる。しかし、一定以上に照射強度を大きくしても照射強度に見合うTOC分解率の向上はみられず、処理水のTOC濃度は下げ止まる。これは紫外線照射強度が大きいために、過剰なOHラジカルの生成で過酸化水素は高濃度となるが、一方でTOCが低いほどOHラジカルと有機物との接触効率が小さくなるため、有機物分解が進行し難くなることが原因であると推測される。よって、TOCの低減のみを目的として、従来法のように紫外線を過剰照射しても過酸化水素濃度やDOが上がるだけでTOC低減につながらない。
本発明においては、二次純水製造装置の紫外線酸化装置及び三次純水製造装置の紫外線酸化装置でUV調光を行って過酸化水素の生成を抑制するが、TOCを十分に低減するための紫外線照射強度では、過酸化水素の生成を完全に無くすことはできない。
過酸化水素の分解には、過酸化水素分解触媒を用いることが、過酸化水素分解効率や超純水製造システムへの適応性の面から好ましい。
二次純水製造装置は三次純水製造装置と比較してTOC負荷が高いため、照射強度を低減するには限界があり、UV調光を行っても流入水のTOC濃度によっては紫外線酸化装置での過酸化水素が生成する場合が考えられる。この時、二次純水製造装置の紫外線酸化装置と混床式イオン交換装置との間に過酸化水素触媒を充填した触媒塔を適用することによって、後段への過酸化水素負荷をより確実に低減することができる。
三次純水製造装置においてはTOC負荷が低いため、前述の如く、UV調光を行っても余剰のOHラジカル生成が起こるので過酸化水素濃度を十分に低減できない場合がある。この場合には三次純水製造装置の紫外線酸化装置の後段に過酸化水素分解触媒塔を設置し、過酸化水素分解触媒塔で過酸化水素を分解することが好ましい。この時、過酸化水素の分解によって酸素の生成が起きる場合があるためDOが上昇する。DOが高い水がイオン交換装置に混入すると樹脂の酸化劣化が起こることがありTOC溶出が起きる。三次純水製造装置の混床式イオン交換装置の後段にはTOC除去手段がないため、イオン交換装置へのDO負荷を抑制する必要がある。よって過酸化水素分解触媒塔の直後には膜脱気装置等の脱気装置を設置することが好ましい。
<実験条件>
図2に示す装置構成の二次純水製造装置及び三次純水製造装置の紫外線酸化装置において、いずれもUV照射量を過剰照射となる0.28kWh/m3として超純水の製造を行った。各部の水質を表1に示す。
<結果>
UVを過剰照射したのでTOCは低減されたが過酸化水素濃度が高くなり、三次純水製造装置を経ても過酸化水素濃度12μg/LでDOも1.5μg/Lと高濃度が残留した。
<実験条件>
比較例1の純水製造システムにおいて、事前にTOC分解と過酸化水素生成のバランスからUV照射強度0.11kWh/m3が適切と判断し、二次純水製造装置の紫外線酸化装置においてUV照射強度0.11kWh/m3にUV調光した。しかし、三次純水製造装置の紫外線酸化装置においてはUV調光せず過剰照射となるUV照射強度0.28kWh/m3で照射した。
<結果>
二次純水製造装置においては適切にUV調光したことにより比較例1より多少TOC低減量が落ちるが過酸化水素の生成を抑制することができた。ただし、三次純水製造装置においてはUVを過剰照射したため多少の過酸化水素濃度、DOの上昇が見られたが、比較例1よりも改善された。
<実験条件>
比較例1の純水製造システムにおいて、事前にTOC分解と過酸化水素生成のバランスからUV照射強度0.11kWh/m3が適切と判断し、三次純水製造装置の紫外線酸化装置においてUV照射強度0.11kWh/m3にUV調光した。しかし、二次純水製造装置の紫外線酸化装置においてはUV調光せず過剰照射となるUV照射強度0.28kWh/m3で照射した。
<結果>
二次純水製造装置においてはUVを過剰照射したため過酸化水素濃度、DOの上昇が見られたが、三次純水製造装置において適切にUV調光したことにより過酸化水素の生成を抑制しつつTOCを低減することができた。
<実験条件>
比較例1の純水製造システムにおいて、事前にTOC分解と過酸化水素生成のバランスからUV照射強度0.11kWh/m3が適切と判断し、二次純水製造装置の紫外線酸化装置及び三次純水製造装置の紫外線酸化装置においてUV照射強度0.11kWh/m3となるようにUV調光した。
<結果>
二次純水製造装置においては適切にUV調光したことにより比較例1より多少TOC低減量が落ちるが過酸化水素の生成を抑制することができた。また、三次純水製造装置においても適切にUV調光したことにより過酸化水素の生成を抑制しつつ更にTOCを低減することができた。
<実験条件>
実施例3において、三次純水製造装置の紫外線酸化装置の直後に、図1に示す如く、Pd触媒担持樹脂を充填した触媒塔よりなる過酸化水素分解装置を設け、MDI(混床式非再生型イオン交換装置)と膜脱気装置の順番を入れ替えて同様に超純水の製造を行った。
<結果>
実施例3では、MDIのイオン交換樹脂が、紫外線酸化で生成した過酸化水素による酸化を受けていたためTOC溶出があったが、本構成にすることにより膜脱気後の過酸化水素やDOが低減された状態でMDIによるイオン交換を行うことができるため、実施例3より三次純水のTOCを低減することができた。三次純水の過酸化水素濃度やDOについても十分に低減された。
<実験条件>
実施例4において、二次純水製造装置のMDIに混床式で実施例4で用いたものと同様のPd触媒担持樹脂を充填して同様に超純水の製造を行った。
<結果>
二次純水製造装置の段階でTOCと過酸化水素を十分に低減したので、三次純水製造装置への負荷が減り、実施例4よりも更に高純度の三次純水を製造することができた。
なお、本出願は、2008年3月31日付で出願された日本特許出願(特願2008−093205)に基づいており、その全体が引用により援用される。
Claims (6)
- 有機物濃度5〜50μg/Lの一次純水に紫外線を照射することにより水中の有機物を酸化分解する第1の紫外線酸化工程と、
第1の紫外線酸化工程の処理水をイオン交換樹脂と接触させることにより脱イオンして二次純水を製造し、該二次純水の一部を前記一次純水に戻す第1の脱イオン工程と、
第1の脱イオン工程を経た二次純水の残部に紫外線を照射することにより水中の有機物を酸化分解する第2の紫外線酸化工程と、
第2の紫外線酸化工程の処理水をイオン交換樹脂と接触させることにより脱イオンして三次純水を製造し、該三次純水の一部を前記二次純水の前記残部に戻す第2の脱イオン工程と、
を含む純水製造方法において、
第1の紫外線酸化工程において、該第1の紫外線酸化工程の処理水の有機物濃度が1〜10μg/Lで、H 2 O 2 濃度が1〜30μg/Lとなるような照射強度で紫外線を照射すると共に、
第2の紫外線酸化工程において、該第2の紫外線酸化工程の処理水の有機物濃度が0.1〜5μg/Lで、H 2 O 2 濃度が1〜20μg/Lとなるような照射強度で紫外線を照射する
ことを特徴とする純水製造方法。 - 請求項1において、第1の紫外線酸化工程と第2の紫外線酸化工程との間及び第2の紫外線酸化工程と第2の脱イオン工程との間、の少なくとも一方において、水を過酸化水素分解触媒と接触させる過酸化水素分解工程を含むことを特徴とする純水製造方法。
- 請求項2において、第1の脱イオン工程において、イオン交換樹脂と共に過酸化水素分解触媒を充填したイオン交換装置を用い、該イオン交換装置で第1の紫外線酸化工程の処理水を処理することにより、過酸化水素分解工程を第1の脱イオン工程において行うことを特徴とする純水製造方法。
- 請求項2又は3において、第2の紫外線酸化工程と第2の脱イオン工程との間に過酸化水素分解工程を有し、該過酸化水素分解工程と第2の脱イオン工程との間に、過酸化水素の分解により生成した溶存酸素を除去する脱酸素工程を含むことを特徴とする純水製造方法。
- 有機物濃度5〜50μg/Lの一次純水に紫外線を照射することにより水中の有機物を酸化分解する第1の紫外線酸化手段と、
第1の紫外線酸化手段の処理水をイオン交換樹脂と接触させることにより脱イオンして二次純水を製造し、該二次純水の一部を前記一次純水に戻す第1の脱イオン手段と、
第1の脱イオン手段を経た二次純水の残部に紫外線を照射することにより水中の有機物を酸化分解する第2の紫外線酸化手段と、
第2の紫外線酸化手段の処理水をイオン交換樹脂と接触させることにより脱イオンして三次純水を製造し、該三次純水の一部を前記二次純水の残部に戻す第2の脱イオン手段と、
を含む純水製造装置において、
第1の紫外線酸化手段において、該第1の紫外線酸化手段の処理水の有機物濃度が1〜10μg/Lで、H 2 O 2 濃度が1〜30μg/Lとなるような照射強度で紫外線を照射すると共に、
第2の紫外線酸化手段において、該第2の紫外線酸化手段の処理水の有機物濃度が0.1〜5μg/Lで、H 2 O 2 濃度が1〜20μg/Lとなるような照射強度で紫外線を照射する
ことを特徴とする純水製造装置。 - 請求項5において、第1の紫外線酸化手段と第2の紫外線酸化手段との間及び第2の紫外線酸化手段と第2の脱イオン手段との間、の少なくとも一方において、水を過酸化水素分解触媒と接触させる過酸化水素分解手段を有することを特徴とする純水製造装置。
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