JP5447983B2 - Electronic equipment - Google Patents

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Description

本発明は、スイッチング素子と、駆動回路とを備えた電子装置に関する。   The present invention relates to an electronic device including a switching element and a drive circuit.

従来、スイッチング素子と、駆動回路とを備えた電子装置として、例えば特許文献1に開示されている電力変換器がある。   Conventionally, as an electronic device including a switching element and a drive circuit, for example, there is a power converter disclosed in Patent Document 1.

この電力変換器は、IGBTと、3つのMOSFETと、制御回路とを備えている。第1のMOSFETのソースは駆動回路電源に、ドレインはIGBTのゲートに、ゲートは制御回路にそれぞれ接続されている。第2及び第3のMOSFETのソースはIGBTのエミッタに、ドレインはIGBTのゲートに、ゲートは制御回路にそれぞれ接続されている。   This power converter includes an IGBT, three MOSFETs, and a control circuit. The source of the first MOSFET is connected to the drive circuit power supply, the drain is connected to the gate of the IGBT, and the gate is connected to the control circuit. The sources of the second and third MOSFETs are connected to the emitter of the IGBT, the drain is connected to the gate of the IGBT, and the gate is connected to the control circuit.

制御回路は、外部から入力される駆動信号に基づいて3つのMOSFETを制御してIGBTを駆動する。駆動信号がIGBTのオンを指示すると、制御回路は、第1のMOSFETをオンするとともに、第2のMOSFETをオフする。これにより、駆動回路電源からIGBTのゲートに電荷が充電される。その結果、ゲート電圧がオン、オフの閾値電圧より高くなり、IGBTがオンする。   The control circuit drives the IGBT by controlling the three MOSFETs based on a drive signal input from the outside. When the drive signal instructs to turn on the IGBT, the control circuit turns on the first MOSFET and turns off the second MOSFET. As a result, charges are charged from the drive circuit power supply to the gate of the IGBT. As a result, the gate voltage becomes higher than the on / off threshold voltage, and the IGBT is turned on.

一方、駆動信号がIGBTのオフを指示すると、制御回路は、第1のMOSFETをオフするとともに、第2のMOSFETをオンする。これにより、IGBTのゲートから電荷が放電される。その結果、ゲート電圧がオン、オフの閾値電圧より低くなり、IGBTがオフする。そして、ゲート電圧が所定値以下になると、制御回路は、第3のMOSFETをオンする。これにより、IGBTのゲートから電荷がさらに放電され、IGBTのオフ状態が保持される。   On the other hand, when the drive signal instructs to turn off the IGBT, the control circuit turns off the first MOSFET and turns on the second MOSFET. As a result, charges are discharged from the gate of the IGBT. As a result, the gate voltage becomes lower than the on / off threshold voltage, and the IGBT is turned off. Then, when the gate voltage becomes a predetermined value or less, the control circuit turns on the third MOSFET. As a result, the electric charge is further discharged from the gate of the IGBT, and the off state of the IGBT is maintained.

特許第3430878号公報Japanese Patent No. 3430878

ところで、前述した電力変換器において、第1のMOSFETがオン故障や誤動作によってオンしたときに第2のMOSFETがオンすると、IGBTのゲート電圧が低下せず、IGBTをオフできない異常状態が発生する。このとき、IGBTのゲート電圧が、オン、オフの閾値電圧付近の所定範囲内の電圧であると、コレクタ−エミッタ間電圧、つまりオン電圧が増加し、IGBTの発熱が増大する。このような異常状態が継続すると、IGBTが発熱し熱破壊する可能性がある。   By the way, in the power converter described above, when the second MOSFET is turned on when the first MOSFET is turned on due to an on failure or malfunction, the gate voltage of the IGBT is not lowered, and an abnormal state in which the IGBT cannot be turned off occurs. At this time, if the gate voltage of the IGBT is a voltage within a predetermined range near the ON / OFF threshold voltage, the collector-emitter voltage, that is, the ON voltage increases, and the heat generation of the IGBT increases. If such an abnormal state continues, there is a possibility that the IGBT generates heat and is thermally destroyed.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、第1のMOSFETに相当するオン駆動用スイッチング素子のオン故障や誤動作によって発生する、IGBTに相当するスイッチング素子をオフできない異常状態を検出することができる電子装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and detects an abnormal state in which a switching element corresponding to an IGBT, which is caused by an on-failure or malfunction of an on-driving switching element corresponding to a first MOSFET, cannot be turned off. It is an object of the present invention to provide an electronic device that can be used.

そこで、本発明者らは、この課題を解決すべく鋭意研究し試行錯誤を重ねた結果、オン駆動用スイッチング素子に流れる電流と、その電流が流れている時間に基づいて、スイッチング素子をオフできない異常状態を検出できることを見出し、本発明を完成するに至った。   Therefore, as a result of intensive research and trial and error to solve this problem, the present inventors cannot turn off the switching element based on the current flowing through the on-drive switching element and the time during which the current flows. The present inventors have found that an abnormal state can be detected and have completed the present invention.

すなわち、請求項1に記載の電子装置は、制御端子の電圧を制御することで駆動される第1スイッチング素子と、第1スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで第1スイッチング素子の制御端子に電荷を充電するオン駆動用スイッチング素子と、第1スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで第1スイッチング素子の制御端子から電荷を放電するオフ駆動用スイッチング素子と、入力される駆動信号に基づいてオン駆動用スイッチング素子とオフ駆動用スイッチング素子を制御することで、第1スイッチング素子の制御端子の電圧を制御して第1スイッチング素子を駆動する制御回路と、を備えた電子装置において、オン駆動用スイッチング素子とオフ駆動用スイッチング素子がともにオンした場合にオン駆動用スイッチング素子に流れる電流値以下の値に設定されている所定閾値を有し、制御回路は、オン駆動用スイッチング素子に所定閾値以上の電流が所定時間以上流れているとき、第1スイッチング素子が異常状態にあると判断することを特徴とする。 That is, the electronic device according to claim 1 is connected to the control terminal of the first switching element and the first switching element driven by controlling the voltage of the control terminal, and is turned on by turning on the first switching element. An on-drive switching element that charges the control terminal and an off-drive switching element that is connected to the control terminal of the first switching element and discharges the charge from the control terminal of the first switching element by being turned on. A control circuit for controlling the voltage of the control terminal of the first switching element to drive the first switching element by controlling the on-drive switching element and the off-drive switching element based on the drive signal the electronic device, on driving when the on-drive switching element and the off-drive switching element are both turned on A predetermined threshold is set to a value below the current value flowing through the switching element, the control circuit, when the current equal to or higher than a predetermined threshold value to turn on the drive switching element is flowing more than a predetermined time, the first switching element is abnormal It is characterized by determining that it is in a state.

この構成によれば、オン駆動用スイッチング素子がオン故障や誤動作によってオンしたときにオフ駆動用スイッチング素子がオンすると、IGBTの制御端子の電圧が低下せず、IGBTをオフできない異常状態が発生する。このとき、オン駆動用スイッチング素子からオフ駆動用スイッチング素子に電流が流れる。オン駆動用スイッチング素子には、正常時には流れることがない、オン駆動用スイッチング素子とオフ駆動用スイッチング素子がともにオンした場合に流れる電流と等しい電流が所定時間以上流れる。所定閾値は、オン駆動用スイッチング素子とオフ駆動用スイッチング素子がともにオンした場合に流れる電流値以下の値に設定されている。そのため、オン駆動用スイッチング素子に所定閾値以上の電流が所定時間以上流れているとき、第1スイッチング素子が異常状態にあると判断することができる。 According to this configuration, when the on-drive switching element is turned on when the on-drive switching element is turned on due to an on-failure or malfunction, the voltage at the control terminal of the IGBT does not decrease, and an abnormal state in which the IGBT cannot be turned off occurs. . At this time, a current flows from the on-drive switching element to the off-drive switching element. In the on-drive switching element, a current that does not flow in a normal state and that is equal to the current that flows when both the on-drive switching element and the off-drive switching element are turned on flows for a predetermined time or more. The predetermined threshold value is set to a value equal to or less than a current value that flows when both the on-drive switching element and the off-drive switching element are turned on. Therefore, it can be determined that the first switching element is in an abnormal state when a current greater than or equal to a predetermined threshold flows through the on-drive switching element for a predetermined time or more.

請求項2に記載の電子装置は、所定時間は、オン駆動用スイッチング素子によって第1スイッチング素子の制御端子に電荷を充電するために必要とされる時間よりも長い時間に設定されていることを特徴とする。この構成によれば、オン駆動用スイッチング素子がオンすると、オン駆動用スイッチング素子には、第1スイッチング素子の制御端子に電荷を充電するために必要とされる時間だけ電流が流れ、それ以降、電流は流れない。しかし、オン駆動用スイッチング素子がオン故障や誤動作によってオンしたときに、オフ駆動用スイッチング素子がオンすると、第1スイッチング素子の制御端子に電荷を充電するために必要とされる時間を経過しても電流が流れ続ける。そのため、所定時間を、第1スイッチング素子の制御端子に電荷を充電するために必要とされる時間よりも長い時間に設定することで、第1スイッチング素子の制御端子に電荷を充電する際に流れる電流による誤判断を防止することができる。 In the electronic device according to claim 2, the predetermined time is set to a time longer than a time required for charging the control terminal of the first switching element by the on-drive switching element. Features. According to this configuration, when the on-drive switching element is turned on, a current flows through the on-drive switching element for a time required to charge the control terminal of the first switching element, and thereafter, No current flows. However, when the on-drive switching element is turned on due to an on-failure or malfunction, when the off-drive switching element is turned on, the time required to charge the control terminal of the first switching element has elapsed. Current continues to flow. Therefore, by setting the predetermined time to a time longer than the time required for charging the control terminal of the first switching element, the current flows when charging the control terminal of the first switching element. It is possible to prevent erroneous judgment due to current.

請求項3に記載の電子装置は、第1スイッチング素子を駆動するための電圧を供給する駆動用電源回路を有し、制御回路は、第1スイッチング素子が異常状態にあると判断したとき、駆動用電源回路からの電圧の供給を遮断して第1スイッチング素子をオフすることを特徴とする。この構成によれば、第1スイッチング素子が異常状態にあると判断したとき、第1スイッチング素子を駆動するための電圧を遮断することで第1スイッチング素子をオフする。そのため、第1スイッチング素子の熱破壊を防止することができる。 The electronic device according to claim 3 has a drive power supply circuit that supplies a voltage for driving the first switching element, and the control circuit drives when the first switching element is determined to be in an abnormal state. The voltage supply from the power supply circuit is cut off and the first switching element is turned off. According to this configuration, when it is determined that the first switching element is in an abnormal state, the first switching element is turned off by cutting off the voltage for driving the first switching element. Therefore, it is possible to prevent thermal destruction of the first switching element.

請求項4に記載の電子装置は、制御回路は、第1スイッチング素子が異常状態にあると判断したとき、第1スイッチング素子の制御端子を、オン駆動用スイッチング素子とオフ駆動用スイッチング素子から遮断することを特徴とする。この構成によれば、第1スイッチング素子が異常状態にあると判断したとき、第1スイッチング素子を駆動するための制御端子への電圧の供給を遮断することで、第1スイッチング素子をオフする。そのため、第1スイッチング素子の熱破壊を防止することができる。 In the electronic device according to claim 4, when the control circuit determines that the first switching element is in an abnormal state, the control terminal of the first switching element is disconnected from the on-drive switching element and the off-drive switching element. It is characterized by doing. According to this configuration, when it is determined that the first switching element is in an abnormal state, the first switching element is turned off by interrupting the supply of voltage to the control terminal for driving the first switching element. Therefore, it is possible to prevent thermal destruction of the first switching element.

請求項5に記載の電子装置は、制御端子の電圧を制御することで駆動される第1スイッチング素子と、第1スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで第1スイッチング素子の制御端子に電荷を充電するオン駆動用スイッチング素子と、第1スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで第1スイッチング素子の制御端子から電荷を放電するオフ駆動用スイッチング素子と、入力される駆動信号に基づいてオン駆動用スイッチング素子とオフ駆動用スイッチング素子を制御することで、第1スイッチング素子の制御端子の電圧を制御して第1スイッチング素子を駆動する制御回路と、を備えた電子装置において、第1スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで第1スイッチング素子の制御端子から電荷を放電するオフ保持用スイッチング素子を有し、制御回路は、第1スイッチング素子の制御端子の電圧がオン、オフの閾値電圧より低いオフ保持閾値以下になると、オフ保持用スイッチング素子を制御して第1スイッチング素子のオフ状態を保持し、オン駆動用スイッチング素子に所定閾値以上の電流が所定時間以上流れているとき、第1スイッチング素子が異常状態にあると判断し、第1スイッチング素子が異常状態にあると判断したとき、オフ保持用スイッチング素子を制御して第1スイッチング素子をオフすることを特徴とする。この構成によれば、第1スイッチング素子が異常状態にあると判断したとき、オフ駆動用スイッチング素子を制御して第1スイッチング素子の制御端子から電荷を放電させことで、第1スイッチング素子をオフする。そのため、第1スイッチング素子の熱破壊を防止することができる。 The electronic device according to claim 5 is connected to the control terminal of the first switching element driven by controlling the voltage of the control terminal and the control terminal of the first switching element when turned on. An on-driving switching element that charges electric charge, an off-driving switching element that is connected to the control terminal of the first switching element and discharges electric charge from the control terminal of the first switching element, and an input drive An electronic apparatus comprising: a control circuit that drives the first switching element by controlling the voltage of the control terminal of the first switching element by controlling the on-driving switching element and the off-driving switching element based on the signal in is connected to the control terminal of the first switching element, a charge from the control terminal of the first switching element by turning on The control circuit has an off-holding switching element that discharges, and the control circuit controls the off-holding switching element when the voltage at the control terminal of the first switching element falls below an off-holding threshold value that is lower than the on-off threshold voltage. 1 switching element is kept in an off state, and when a current exceeding a predetermined threshold flows through the on drive switching element for a predetermined time or more, it is determined that the first switching element is in an abnormal state , and the first switching element is in an abnormal state When it is determined that the first switching element is off, the off-holding switching element is controlled to turn off the first switching element. According to this arrangement, when the first switching element is determined to be in an abnormal state, by Ru to discharge the charge from the control terminal of the first switching element to control the OFF-drive switching element, the first switching element Turn off. Therefore, it is possible to prevent thermal destruction of the first switching element.

請求項6に記載の電子装置は、制御端子の電圧を制御することで駆動される第1スイッチング素子と、第1スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで第1スイッチング素子の制御端子に電荷を充電するオン駆動用スイッチング素子と、第1スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで第1スイッチング素子の制御端子から電荷を放電するオフ駆動用スイッチング素子と、入力される駆動信号に基づいてオン駆動用スイッチング素子とオフ駆動用スイッチング素子を制御することで、第1スイッチング素子の制御端子の電圧を制御して第1スイッチング素子を駆動する制御回路と、を備えた電子装置において、第1スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで第1スイッチング素子の制御端子から電荷を放電するオフ保持用スイッチング素子と、第1スイッチング素子の制御端子の電圧をオン、オフの閾値電圧より低いオフ保持閾値以下にクランプする電圧クランプ回路と、を有し、制御回路は、第1スイッチング素子の制御端子の電圧がオフ保持閾値以下になると、オフ保持用スイッチング素子を制御して第1スイッチング素子のオフ状態を保持し、オン駆動用スイッチング素子に所定閾値以上の電流が所定時間以上流れているとき、第1スイッチング素子が異常状態にあると判断し、第1スイッチング素子が異常状態にあると判断したとき、電圧クランプ回路を作動させて第1スイッチング素子の制御端子の電圧をオフ保持閾値以下にクランプすることを特徴とする。この構成によれば、第1スイッチング素子が異常状態にあると判断したとき、電圧クランプ回路を作動させて第1スイッチング素子の制御端子の電圧をオフ保持閾値以下にする。そのため、オフ保持用スイッチング素子によって第1スイッチング素子の制御端子から電荷を放電し、第1スイッチング素子をオフすることができる。従って、第1スイッチング素子の熱破壊を防止することができる。 The electronic device according to claim 6 is connected to the control terminal of the first switching element driven by controlling the voltage of the control terminal and the control terminal of the first switching element when turned on. An on-driving switching element that charges electric charge, an off-driving switching element that is connected to the control terminal of the first switching element and discharges electric charge from the control terminal of the first switching element, and an input drive An electronic apparatus comprising: a control circuit that drives the first switching element by controlling the voltage of the control terminal of the first switching element by controlling the on-driving switching element and the off-driving switching element based on the signal in is connected to the control terminal of the first switching element, a charge from the control terminal of the first switching element by turning on An off-holding switching element that discharges, and a voltage clamping circuit that clamps a voltage at a control terminal of the first switching element to an on-off threshold voltage lower than an on-off threshold voltage, and the control circuit performs the first switching When the voltage at the control terminal of the element becomes equal to or lower than the off-holding threshold, the off-holding switching element is controlled to hold the off state of the first switching element, and a current equal to or higher than the predetermined threshold flows in the on-drive switching element for a predetermined time or more. When it is determined that the first switching element is in an abnormal state, and when it is determined that the first switching element is in an abnormal state, the voltage clamp circuit is activated to keep the voltage at the control terminal of the first switching element off. It is characterized by clamping below a threshold value. According to this configuration, when it is determined that the first switching element is in an abnormal state, the voltage clamp circuit is activated to set the voltage at the control terminal of the first switching element to be equal to or lower than the off-hold threshold. Therefore, the charge can be discharged from the control terminal of the first switching element by the off-holding switching element, and the first switching element can be turned off. Therefore, it is possible to prevent thermal destruction of the first switching element.

請求項7に記載の電子装置は、制御端子の電圧を制御することで駆動される第1スイッチング素子と、第1スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで第1スイッチング素子の制御端子に電荷を充電するオン駆動用スイッチング素子と、第1スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで第1スイッチング素子の制御端子から電荷を放電するオフ駆動用スイッチング素子と、入力される駆動信号に基づいてオン駆動用スイッチング素子とオフ駆動用スイッチング素子を制御することで、第1スイッチング素子の制御端子の電圧を制御して第1スイッチング素子を駆動する制御回路と、を備えた電子装置において、制御端子の電圧を制御することで駆動され、第1スイッチング素子に直列接続される第2スイッチング素子と、入力される駆動信号に基づいて第2スイッチング素子の制御端子の電圧を制御して第2スイッチング素子を駆動するとともに、第2スイッチング素子に異常電流が流れたとき、第2スイッチング素子をオフする駆動回路と、を有し、制御回路は、オン駆動用スイッチング素子に所定閾値以上の電流が所定時間以上流れているとき、第1スイッチング素子が異常状態にあると判断し、第1スイッチング素子が異常状態にあると判断したとき、第1スイッチング素子をオンすることを特徴とする。この構成によれば、第1スイッチング素子が異常状態にある場合、第2スイッチング素子がオンすると、第1及び第2スイッチング素子がともにオン状態となり、第1及び第2スイッチング素子に異常電流が流れる。第2スイッチング素子に異常電流が流れると、第2駆動回路が、第2スイッチング素子をオフする。そのため、第1スイッチング素子に流れる異常電流を遮断することができる。従って、第1スイッチング素子の熱破壊を防止することができる。 The electronic device according to claim 7 is connected to the control terminal of the first switching element driven by controlling the voltage of the control terminal and the control terminal of the first switching element when turned on. An on-driving switching element that charges electric charge, an off-driving switching element that is connected to the control terminal of the first switching element and discharges electric charge from the control terminal of the first switching element, and an input drive An electronic apparatus comprising: a control circuit that drives the first switching element by controlling the voltage of the control terminal of the first switching element by controlling the on-driving switching element and the off-driving switching element based on the signal in is driven by controlling the voltage of the control terminal, a second switching element which are connected in series to the first switching element And driving the second switching element by controlling the voltage of the control terminal of the second switching element based on the input drive signal, and turning off the second switching element when an abnormal current flows through the second switching element. And the control circuit determines that the first switching element is in an abnormal state when a current greater than or equal to a predetermined threshold is flowing through the on-drive switching element for a predetermined time, and the first switching element When it is determined that is in an abnormal state, the first switching element is turned on. According to this configuration, when the first switching element is in an abnormal state, when the second switching element is turned on, both the first and second switching elements are turned on, and an abnormal current flows through the first and second switching elements. . When an abnormal current flows through the second switching element, the second drive circuit turns off the second switching element. Therefore, the abnormal current flowing through the first switching element can be interrupted. Therefore, it is possible to prevent thermal destruction of the first switching element.

請求項8に記載の電子装置は、所定閾値は、オン駆動用スイッチング素子とオフ駆動用スイッチング素子がともにオンした場合にオン駆動用スイッチング素子に流れる電流値以下の値に設定されていることを特徴とする。この構成によれば、オン駆動用スイッチング素子がオン故障や誤動作によってオンしたときに、オフ駆動用スイッチング素子がオンすると、オン駆動用スイッチング素子には、オン駆動用スイッチング素子とオフ駆動用スイッチング素子がともにオンした場合に流れる電流と等しい電流が流れる。そのため、所定閾値を、オン駆動用スイッチング素子とオフ駆動用スイッチング素子がともオンした場合に、オン駆動用スイッチング素子に流れる電流値以下の値に設定することで、オン駆動用スイッチング素子がオン故障や誤動作によってオンしたことを確実に判断することができる。 In the electronic device according to claim 8, the predetermined threshold is set to a value equal to or less than a current value flowing through the on-drive switching element when both the on-drive switching element and the off-drive switching element are turned on. Features. According to this configuration, when the on-drive switching element is turned on when the on-drive switching element is turned on due to an on failure or malfunction, the on-drive switching element and the off-drive switching element are included in the on-drive switching element. A current equal to the current that flows when both are turned on flows. Therefore, when the on-drive switching element and the off-drive switching element are both turned on, the on-drive switching element is turned on by setting the predetermined threshold value to be equal to or less than the current value flowing through the on-drive switching element. It is possible to reliably determine that it has been turned on due to a malfunction.

請求項9に記載の電子装置は、所定時間は、オン駆動用スイッチング素子によって第1スイッチング素子の制御端子に電荷を充電するために必要とされる時間よりも長い時間に設定されていることを特徴とする。この構成によれば、オン駆動用スイッチング素子がオンすると、オン駆動用スイッチング素子には、第1スイッチング素子の制御端子に電荷を充電するために必要とされる時間だけ電流が流れ、それ以降、電流は流れない。しかし、オン駆動用スイッチング素子がオン故障や誤動作によってオンしたときに、オフ駆動用スイッチング素子がオンすると、第1スイッチング素子の制御端子に電荷を充電するために必要とされる時間を経過しても電流が流れ続ける。そのため、所定時間を、第1スイッチング素子の制御端子に電荷を充電するために必要とされる時間よりも長い時間に設定することで、第1スイッチング素子の制御端子に電荷を充電する際に流れる電流による誤判断を防止することができる。 In the electronic device according to claim 9, the predetermined time is set to a time longer than a time required for charging the control terminal of the first switching element by the on-drive switching element. Features. According to this configuration, when the on-drive switching element is turned on, a current flows through the on-drive switching element for a time required to charge the control terminal of the first switching element, and thereafter, No current flows. However, when the on-drive switching element is turned on due to an on-failure or malfunction, when the off-drive switching element is turned on, the time required to charge the control terminal of the first switching element has elapsed. Current continues to flow. Therefore, by setting the predetermined time to a time longer than the time required for charging the control terminal of the first switching element, the current flows when charging the control terminal of the first switching element. It is possible to prevent erroneous judgment due to current.

請求項10に記載の電子装置は、制御回路は、第1スイッチング素子が異常状態にあると判断したとき、異常信号を外部に出力することを特徴とする。この構成によれば、第1スイッチング素子が異常状態にあることを外部に知らせることができる。
なお、第1及び第2スイッチング素子は、スイッチング素子を区別するために便宜的に導入したものである。
The electronic device according to claim 10 is characterized in that when the control circuit determines that the first switching element is in an abnormal state, the control circuit outputs an abnormal signal to the outside. According to this configuration, it is possible to notify the outside that the first switching element is in an abnormal state.
The first and second switching elements are introduced for convenience in order to distinguish the switching elements.

第1実施形態におけるモータ制御装置の回路図である。It is a circuit diagram of the motor control device in a 1st embodiment. 図1における制御装置の回路図である。It is a circuit diagram of the control apparatus in FIG. 正常状態における駆動信号、オン駆動用FET及びオフ駆動用FETのタイミングチャートと、各FETに流れる電流及びIGBTのゲート電圧波形である。It is a timing chart of the drive signal in the normal state, the on-drive FET and the off-drive FET, the current flowing through each FET, and the gate voltage waveform of the IGBT. オン駆動用FETがオン故障等した場合における駆動信号、オン駆動用FET及びオフ駆動用FETのタイミングチャートと、各FETに流れる電流及びIGBTのゲート電圧波形である。FIG. 5 is a timing chart of a drive signal, an on-drive FET, and an off-drive FET when the on-drive FET is turned on, and a current flowing through each FET and a gate voltage waveform of the IGBT. オフ駆動用FETがオン故障等した場合における駆動信号、オン駆動用FET及びオフ駆動用FETのタイミングチャートと、各FETに流れる電流及びIGBTのゲート電圧波形である。FIG. 6 is a timing chart of a drive signal, an on-drive FET, and an off-drive FET when the off-drive FET is turned on, and a current flowing through each FET and an IGBT gate voltage waveform. 第2実施形態における制御装置の回路図である。It is a circuit diagram of the control apparatus in 2nd Embodiment. 第3実施形態における制御装置の回路図である。It is a circuit diagram of the control apparatus in 3rd Embodiment.

次に実施形態を挙げ、本発明をより詳しく説明する。本実施形態では、本発明に係る電子装置を、車両に搭載され、車両駆動用モータを制御するモータ制御装置に適用した例を示す。   Next, an embodiment is given and this invention is demonstrated in detail. In the present embodiment, an example in which the electronic device according to the present invention is applied to a motor control device that is mounted on a vehicle and controls a motor for driving the vehicle is shown.

(第1実施形態)
まず、図1を参照して第1実施形態のモータ制御装置の構成について説明する。ここで、図1は、第1実施形態におけるモータ制御装置の回路図である。
(First embodiment)
First, the configuration of the motor control device of the first embodiment will be described with reference to FIG. Here, FIG. 1 is a circuit diagram of the motor control device according to the first embodiment.

図1に示すモータ制御装置1(電子装置)は、車体から絶縁された高電圧バッテリB1の出力する直流高電圧(例えば288V)を3相交流電圧に変換して車両駆動用モータM1に供給し、車両駆動用モータM1を制御する装置である。モータ制御装置1は、平滑コンデンサ10と、インバータ装置11と、制御装置12とを備えている。   The motor control device 1 (electronic device) shown in FIG. 1 converts a DC high voltage (for example, 288V) output from a high voltage battery B1 insulated from the vehicle body into a three-phase AC voltage and supplies it to the vehicle drive motor M1. This is a device for controlling the vehicle drive motor M1. The motor control device 1 includes a smoothing capacitor 10, an inverter device 11, and a control device 12.

平滑コンデンサ10は、高電圧バッテリB1の直流高電圧を平滑化するための素子である。平滑コンデンサ10の一端は、高電圧バッテリB1の正極端子に接続されている。また、他端は、高電圧バッテリB1の負極端子に接続されている。さらに、高電圧バッテリB1の負極端子は、車体から絶縁された高電圧バッテリ用のグランドに接続されている。   The smoothing capacitor 10 is an element for smoothing the DC high voltage of the high voltage battery B1. One end of the smoothing capacitor 10 is connected to the positive terminal of the high voltage battery B1. The other end is connected to the negative terminal of the high voltage battery B1. Furthermore, the negative terminal of the high voltage battery B1 is connected to the ground for the high voltage battery insulated from the vehicle body.

インバータ装置11は、平滑コンデンサ10によって平滑化された直流電圧を3相交流電圧に変換して車両駆動用モータM1に供給する装置である。インバータ装置11は、IGBT110a〜110fと、電流センス抵抗111a〜111fとを備えている。   The inverter device 11 is a device that converts the DC voltage smoothed by the smoothing capacitor 10 into a three-phase AC voltage and supplies it to the vehicle drive motor M1. The inverter device 11 includes IGBTs 110a to 110f and current sense resistors 111a to 111f.

IGBT110a〜110fは、ゲート(制御端子)の電圧を制御することで駆動され、オン、オフすることで平滑コンデンサ10に平滑化された直流電圧を3相交流電圧に変換するためのスイッチング素子である。IGBT110a〜110fは、コレクタ電流に比例し、コレクタ電流より小さい電流が流れる電流センス端子を備えている。IGBT110a(第2スイッチング素子)、110d(第1スイッチング素子)、IGBT110b、110e及びIGBT110c、110fはそれぞれ直列接続されている。具体的には、IGBT110a〜110cのエミッタが、IGBT110d〜110fのコレクタにそれぞれ接続されている。直列接続された3組のIGBT110a、110d、IGBT110b、110e及びIGBT110c、110fは並列接続されている。IGBT110a〜110cのコレクタは平滑コンデンサ10の一端に、IGBT110d〜110fのエミッタは平滑コンデンサ10の他端にそれぞれ接続されている。また、IGBT110a〜110fのゲートとエミッタは制御装置12にそれぞれ接続されている。さらに、直列接続されたIGBT110a、110d、IGBT110b、110e及びIGBT110c、110fの直列接続点は、車両駆動用モータM1にそれぞれ接続されている。   The IGBTs 110a to 110f are switching elements that are driven by controlling the voltage of the gate (control terminal) and convert the DC voltage smoothed by the smoothing capacitor 10 by turning on and off to a three-phase AC voltage. . The IGBTs 110a to 110f include a current sense terminal through which a current that is proportional to the collector current and smaller than the collector current flows. The IGBTs 110a (second switching elements) and 110d (first switching elements), the IGBTs 110b and 110e, and the IGBTs 110c and 110f are respectively connected in series. Specifically, the emitters of the IGBTs 110a to 110c are connected to the collectors of the IGBTs 110d to 110f, respectively. Three sets of IGBTs 110a and 110d, IGBTs 110b and 110e, and IGBTs 110c and 110f connected in series are connected in parallel. The collectors of the IGBTs 110 a to 110 c are connected to one end of the smoothing capacitor 10, and the emitters of the IGBTs 110 d to 110 f are connected to the other end of the smoothing capacitor 10. The gates and emitters of the IGBTs 110a to 110f are connected to the control device 12, respectively. Further, the series connection points of the IGBTs 110a and 110d, the IGBTs 110b and 110e, and the IGBTs 110c and 110f that are connected in series are respectively connected to the vehicle drive motor M1.

電流センス抵抗111a〜111fは、IGBT110a〜110fに流れる電流を電圧に変換するための素子である。具体的には、電流センス端子に流れる電流を電圧に変換する素子である。電流センス抵抗111a〜111fの一端はIGBT110a〜110fの電流センス端子に、他端はIGBT110a〜110fのエミッタにそれぞれ接続されている。また、電流センス抵抗111a〜111fの両端は、制御装置12にそれぞれ接続されている。   The current sense resistors 111a to 111f are elements for converting the current flowing through the IGBTs 110a to 110f into a voltage. Specifically, it is an element that converts a current flowing through a current sense terminal into a voltage. One ends of the current sense resistors 111a to 111f are connected to the current sense terminals of the IGBTs 110a to 110f, and the other ends are connected to the emitters of the IGBTs 110a to 110f, respectively. Further, both ends of the current sense resistors 111a to 111f are connected to the control device 12, respectively.

制御装置12は、IGBT110a〜110fを制御する装置である。制御装置12は、IGBT110a〜110fのゲートとエミッタにそれぞれ接続されている。また、IGBT110a〜110fに流れる電流を検出するため、電流センス抵抗111a〜111fの両端にそれぞれ接続されている。   The control device 12 is a device that controls the IGBTs 110a to 110f. The control device 12 is connected to the gates and emitters of the IGBTs 110a to 110f, respectively. Moreover, in order to detect the electric current which flows into IGBT110a-110f, it connects to the both ends of current sense resistance 111a-111f, respectively.

次に、図2を参照して制御装置について詳細に説明する。ここで、図2は、図1における制御装置の回路図である。具体的には、1つのIGBTに対する回路部分を示す回路図である。   Next, the control device will be described in detail with reference to FIG. Here, FIG. 2 is a circuit diagram of the control device in FIG. Specifically, it is a circuit diagram showing a circuit portion for one IGBT.

図2に示すように、制御装置12は、IGBT110dに対して、駆動用電源回路120と、オン駆動用回路121と、オフ駆動用回路122と、オフ保持用回路123と、遮断用回路124と、過電流検出回路126と、短絡検出回路127と、制御回路128とを備えている。制御装置12は、他のIGBT110a〜110c、110e、110fに対しても、それぞれ同様に、駆動用電源回路と、オン駆動用回路と、オフ駆動用回路と、オフ保持用回路と、遮断用回路と、過電流検出回路と、短絡検出回路と、制御回路とを備えている。   As shown in FIG. 2, the control device 12 has a driving power supply circuit 120, an on driving circuit 121, an off driving circuit 122, an off holding circuit 123, and a blocking circuit 124, with respect to the IGBT 110 d. The overcurrent detection circuit 126, the short circuit detection circuit 127, and the control circuit 128 are provided. In the same manner, the control device 12 also applies to the other IGBTs 110a to 110c, 110e, and 110f, a driving power supply circuit, an on-driving circuit, an off-driving circuit, an off-holding circuit, and a shut-off circuit. An overcurrent detection circuit, a short circuit detection circuit, and a control circuit.

駆動用電源回路120は、IGBT110dを駆動するための電圧を供給する回路である。駆動用電源回路120は、電源回路(図略)から供給される電圧を安定化して出力する。また、制御回路128から指示に基づいて動作を停止する。駆動用電源回路120の入力端子は、電源回路に接続されている。また、正極端子はオン駆動用回路121に接続されている。さらに、負極端子は車体から絶縁された高電圧バッテリ用のグランドに接続され、高電圧バッテリ用のグランドを介してIGBT110dのエミッタに接続されている。加えて、制御端子は、制御回路128に接続されている。   The drive power supply circuit 120 is a circuit that supplies a voltage for driving the IGBT 110d. The driving power supply circuit 120 stabilizes and outputs the voltage supplied from the power supply circuit (not shown). Further, the operation is stopped based on an instruction from the control circuit 128. The input terminal of the driving power supply circuit 120 is connected to the power supply circuit. The positive terminal is connected to the ON drive circuit 121. Further, the negative terminal is connected to the ground for the high voltage battery insulated from the vehicle body, and is connected to the emitter of the IGBT 110d via the ground for the high voltage battery. In addition, the control terminal is connected to the control circuit 128.

オン駆動用回路121は、IGBT110dをオンするための回路である。具体的には、IGBT110dのゲートに電荷を充電して、ゲート電圧をオン、オフする閾値電圧より高くし、IGBT110dをオンする回路である。オン駆動回路121は、オン駆動用FET121a(オン駆動用スイッチング素子)と、オン駆動用抵抗121bとを備えている。   The on drive circuit 121 is a circuit for turning on the IGBT 110d. Specifically, this is a circuit that charges the gate of the IGBT 110d, sets the gate voltage higher than a threshold voltage for turning on and off, and turns on the IGBT 110d. The on drive circuit 121 includes an on drive FET 121a (on drive switching element) and an on drive resistor 121b.

オン駆動用FET121aは、ゲートの電圧を制御することで駆動され、オンすることでIGBTのゲートに電荷を充電するスイッチング素子である。具体的には、PチャネルMOSFETである。オン駆動用FET121aのソースは、駆動用電源回路120の正極端子に接続されている。また、ドレインは、オン駆動用抵抗121bを介してIGBT110dのゲートに接続されている。さらに、ゲートは、制御回路128に接続されている。   The on-drive FET 121a is a switching element that is driven by controlling the voltage of the gate and charges the gate of the IGBT when turned on. Specifically, it is a P-channel MOSFET. The source of the on-drive FET 121 a is connected to the positive terminal of the drive power supply circuit 120. The drain is connected to the gate of the IGBT 110d through the on-drive resistor 121b. Further, the gate is connected to the control circuit 128.

オフ駆動用回路122は、IGBT110dをオフするための回路である。具体的には、IGBT110dのゲートから電荷を放電して、ゲート電圧をオン、オフする閾値電圧より低くし、IGBT110dをオフする回路である。オフ駆動用回路122は、オフ駆動用FET122a(オフ駆動用スイッチング素子)と、オフ駆動用抵抗122bとを備えている。   The off drive circuit 122 is a circuit for turning off the IGBT 110d. Specifically, this is a circuit that discharges electric charges from the gate of the IGBT 110d, lowers the gate voltage below a threshold voltage for turning on and off, and turns off the IGBT 110d. The off drive circuit 122 includes an off drive FET 122a (off drive switching element) and an off drive resistor 122b.

オフ駆動用FET122aは、ゲートの電圧を制御することで駆動され、オンすることでIGBT110dのゲートから電荷を放電するスイッチング素子である。具体的には、NチャネルMOSFETである。オフ駆動用FET122aのソースは、車体から絶縁された高電圧バッテリ用のグランドに接続され、高電圧バッテリ用のグランドを介して駆動用電源回路120の負極端子とIGBT110dのエミッタに接続されている。また、ドレインは、オフ駆動用抵抗122bを介してIGBT110dのゲートに接続されている。さらに、ゲートは、制御回路128に接続されている。   The off-drive FET 122a is a switching element that is driven by controlling the voltage of the gate, and discharges electric charges from the gate of the IGBT 110d when turned on. Specifically, it is an N-channel MOSFET. The source of the off drive FET 122a is connected to the ground for the high voltage battery insulated from the vehicle body, and is connected to the negative terminal of the drive power supply circuit 120 and the emitter of the IGBT 110d via the ground for the high voltage battery. The drain is connected to the gate of the IGBT 110d through the off-drive resistor 122b. Further, the gate is connected to the control circuit 128.

オフ保持用回路123は、IGBT110dのオフ状態を保持する回路である。具体的には、IGBT110dのゲート電圧がオン、オフの閾値電圧より低いオフ保持閾値以下になると、オフ駆動用回路122に比べ速やかにIGBT110dのゲートから電荷を放電して、ゲート電圧をオン、オフする閾値電圧より低くし、IGBT110dのオフ状態を保持する回路である。オフ保持用回路123は、オフ保持用FET123a(オフ保持用スイッチング素子)と、ゲート抵抗123bとを備えている。   The off-holding circuit 123 is a circuit that holds the off state of the IGBT 110d. Specifically, when the gate voltage of the IGBT 110d falls below an off-holding threshold value that is lower than the on / off threshold voltage, the gate voltage is quickly turned on / off by discharging charges from the gate of the IGBT 110d more quickly than the off drive circuit 122. This is a circuit that keeps the IGBT 110d in an OFF state by lowering the threshold voltage. The off holding circuit 123 includes an off holding FET 123a (off holding switching element) and a gate resistor 123b.

オフ保持用FET123aは、ゲートの電圧を制御することで駆動され、オンすることでIGBT110dのゲートから電荷を放電するスイッチング素子である。具体的には、NチャネルMOSFETである。オフ保持用FET123aのソースは、車体から絶縁された高電圧バッテリ用のグランドに接続され、高電圧バッテリ用のグランドを介して駆動用電源回路120の負極端子とIGBT110dのエミッタに接続されている。また、ドレインは、IGBT110dのゲートに接続されている。さらに、ゲートは、ゲート抵抗123bを介して制御回路128に接続されている。   The off-holding FET 123a is a switching element that is driven by controlling the voltage of the gate and discharges electric charges from the gate of the IGBT 110d when turned on. Specifically, it is an N-channel MOSFET. The source of the off-holding FET 123a is connected to the ground for the high voltage battery insulated from the vehicle body, and is connected to the negative terminal of the driving power supply circuit 120 and the emitter of the IGBT 110d via the ground for the high voltage battery. The drain is connected to the gate of the IGBT 110d. Furthermore, the gate is connected to the control circuit 128 via the gate resistor 123b.

遮断用回路124は、IGBT110dに異常電流が流れたとき、IGBT110dをオフする回路である。具体的には、IGBT110dに過電流又は短絡電流が流れたとき、オフ駆動用回路122に比べ緩やかにIGBT110dのゲートから電荷を放電して、ゲート電圧をオン、オフする閾値電圧より低くし、IGBT110dのオフする回路である。遮断用回路124は、遮断用FET124aと、遮断用抵抗124bとを備えている。   The cutoff circuit 124 is a circuit that turns off the IGBT 110d when an abnormal current flows through the IGBT 110d. Specifically, when an overcurrent or a short-circuit current flows in the IGBT 110d, the electric charge is discharged from the gate of the IGBT 110d more slowly than the off-drive circuit 122, and the gate voltage is made lower than the threshold voltage for turning on and off, and the IGBT 110d It is a circuit that turns off. The blocking circuit 124 includes a blocking FET 124a and a blocking resistor 124b.

遮断用FET124aは、ゲートの電圧を制御することで駆動され、オンすることでIGBT110dのゲートから電荷を放電するスイッチング素子である。具体的には、NチャネルMOSFETである。遮断用FET124aのソースは、車体から絶縁された高電圧バッテリ用のグランドに接続され、高電圧バッテリ用のグランドを介して駆動用電源回路120の負極端子とIGBT110dのエミッタに接続されている。また、ドレインは、遮断用抵抗124bを介してIGBTのゲートに接続されている。さらに、ゲートは、制御回路128に接続されている。   The blocking FET 124a is a switching element that is driven by controlling the voltage of the gate and discharges electric charges from the gate of the IGBT 110d when turned on. Specifically, it is an N-channel MOSFET. The source of the blocking FET 124a is connected to the ground for the high voltage battery insulated from the vehicle body, and is connected to the negative terminal of the driving power supply circuit 120 and the emitter of the IGBT 110d via the ground for the high voltage battery. Further, the drain is connected to the gate of the IGBT through the blocking resistor 124b. Further, the gate is connected to the control circuit 128.

過電流検出回路126は、IGBT110dに過電流が流れているか否かを検出する回路である。具体的には、IGBT110dに流れる電流が過電流閾値より大きくなると、IGB110dTに過電流が流れていると判断する回路である。過電流検出回路126の入力端子は、電流センス抵抗111dの一端に接続されている。また、出力端子は、制御回路128に接続されている。   The overcurrent detection circuit 126 is a circuit that detects whether or not an overcurrent flows through the IGBT 110d. Specifically, the circuit determines that an overcurrent is flowing through the IGBT 110dT when the current flowing through the IGBT 110d becomes larger than the overcurrent threshold. The input terminal of the overcurrent detection circuit 126 is connected to one end of the current sense resistor 111d. The output terminal is connected to the control circuit 128.

短絡検出回路127は、IGBT110dが短絡状態にあるか否かを検出する回路である。具体的には、IGBT110dに流れる電流が、過電流閾値より大きい短絡電流閾値より大きくなると、IGBT110a、110dがともにオンした短絡状態となり、IGBT110dに短絡電流が流れていると判断する回路である。短絡検出回路127の入力端子は、電流センス抵抗111dの一端に接続されている。また、出力端子は、制御回路128に接続されている。   The short circuit detection circuit 127 is a circuit that detects whether or not the IGBT 110d is in a short circuit state. Specifically, when the current flowing through the IGBT 110d becomes larger than the short-circuit current threshold greater than the overcurrent threshold, both the IGBTs 110a and 110d are in a short-circuited state, and it is determined that a short-circuit current is flowing through the IGBT 110d. The input terminal of the short circuit detection circuit 127 is connected to one end of the current sense resistor 111d. The output terminal is connected to the control circuit 128.

制御回路128は、外部から入力される駆動信号に基づいてオン駆動用回路121とオフ駆動用回路122を制御して、IGBT110dを駆動するとともに、IGBT110dのゲート電圧に基づいてオフ保持用回路123を制御して、IGBT110dのオフ状態を保持する回路である。また、オン駆動用FET121aに所定閾値Ith以上(所定閾値以上)の電流が所定時間Tth以上(所定時間以上)流れているとき、IGBT110dが異常状態にあると判断し、駆動用電源回路120の動作を停止して、IGBT110dをオフするとともに、異常信号を外部に出力する回路でもある。さらに、制御回路128は、IGBT110dに過電流が流れたり、IGBT110dが短絡状態になった等の異常が発生したとき、オフ駆動用回路122に代わって遮断用回路124を制御して、IGBT110dをオフする回路でもある。   The control circuit 128 controls the on-drive circuit 121 and the off-drive circuit 122 based on a drive signal input from the outside to drive the IGBT 110d, and the off-hold circuit 123 based on the gate voltage of the IGBT 110d. This is a circuit that controls and maintains the off state of the IGBT 110d. Further, when a current greater than or equal to a predetermined threshold Ith (predetermined threshold) flows through the on-driving FET 121a for a predetermined time Tth or longer (predetermined time or longer), it is determined that the IGBT 110d is in an abnormal state, and This is also a circuit that turns off the IGBT 110d and outputs an abnormal signal to the outside. Further, the control circuit 128 controls the cutoff circuit 124 instead of the off drive circuit 122 to turn off the IGBT 110d when an abnormality such as an overcurrent flowing through the IGBT 110d or a short circuit state of the IGBT 110d occurs. It is also a circuit to do.

ここで、所定閾値Ithは、オン駆動用FET121aとオフ駆動用FET122aがともにオンした場合に、オン駆動用FET121aに流れる電流値以下の値に設定されている。具体的には、検出誤差を考慮した上で、オン駆動用FET121aとオフ駆動用FET122aがともにオンした場合に、オン駆動用FET121aに流れる電流値よりわずかに低い値に設定されている。所定時間Tthは、オン駆動用FET121aによってIGBT110dのゲートに電荷を充電するために必要とされる時間Tonよりも長い時間に設定されている。   Here, the predetermined threshold value Ith is set to a value equal to or smaller than the value of the current flowing through the on-drive FET 121a when both the on-drive FET 121a and the off-drive FET 122a are turned on. Specifically, in consideration of the detection error, when both the on-drive FET 121a and the off-drive FET 122a are turned on, the current value is set slightly lower than the current flowing through the on-drive FET 121a. The predetermined time Tth is set to a time longer than the time Ton required for charging the gate of the IGBT 110d by the on-drive FET 121a.

制御回路128は、オン駆動用FET121a及びオフ駆動用FET122aのゲートにそれぞれ接続されている。また、IGBT110dのゲートに接続されるとともに、ゲート抵抗123bを介してオフ保持用FET123aのゲートに接続されている。さらに、オン駆動用FET121aのドレイン、及び、駆動用電源回路120の制御端子にそれぞれ接続されている。加えて、過電流検出回路126及び短絡検出回路127の出力端子、並びに、遮断用FET124aのゲートにそれぞれ接続されている。   The control circuit 128 is connected to the gates of the on-drive FET 121a and the off-drive FET 122a, respectively. In addition, the gate of the IGBT 110d is connected to the gate of the off-holding FET 123a through the gate resistor 123b. Further, it is connected to the drain of the on-drive FET 121 a and the control terminal of the drive power supply circuit 120. In addition, they are connected to the output terminals of the overcurrent detection circuit 126 and the short-circuit detection circuit 127 and the gate of the blocking FET 124a, respectively.

ここで、駆動用電源回路120、オン駆動用FET120a、オフ駆動用FET122a、遮断用FET124a、過電流検出回路126、短絡検出回路127及び制御回路128は、ICとして一体的に構成されている。   Here, the drive power supply circuit 120, the ON drive FET 120a, the OFF drive FET 122a, the cutoff FET 124a, the overcurrent detection circuit 126, the short circuit detection circuit 127, and the control circuit 128 are integrally configured as an IC.

次に、図1を参照してモータ制御装置の動作について説明する。車両のイグニッションスイッチ(図略)がオンすると、図1に示すモータ制御装置1が動作を開始する。高電圧バッテリB1の直流高電圧は、平滑コンデンサ10によって平滑化される。制御装置12は、外部から入力される駆動信号に基づいて、インバータ装置11を構成するIGBT110a〜110fを制御する。具体的には、IGBT110a〜110fを所定周期でオン、オフする。インバータ装置11は、平滑コンデンサ10によって平滑化された直流高電圧を3相交流電圧に変換して車両駆動用モータM1に供給する。このようにして、モータ制御装置1が車両駆動用モータM1を制御する。   Next, the operation of the motor control device will be described with reference to FIG. When the ignition switch (not shown) of the vehicle is turned on, the motor control device 1 shown in FIG. 1 starts its operation. The DC high voltage of the high voltage battery B1 is smoothed by the smoothing capacitor 10. The control device 12 controls the IGBTs 110a to 110f constituting the inverter device 11 based on a drive signal input from the outside. Specifically, the IGBTs 110a to 110f are turned on and off at a predetermined cycle. The inverter device 11 converts the DC high voltage smoothed by the smoothing capacitor 10 into a three-phase AC voltage and supplies it to the vehicle drive motor M1. In this way, the motor control device 1 controls the vehicle drive motor M1.

次に、図2〜図5を参照して正常状態におけるIGBTの駆動動作と、オン駆動用FETやオフ駆動用FETがオン故障等してIGBTが異常状態にあると判断した場合の動作について説明する。ここで、図3は、正常状態における駆動信号、オン駆動用FET及びオフ駆動用FETのタイミングチャートと、各FETに流れる電流及びIGBTのゲート電圧波形である。図4は、オン駆動用FETがオン故障等した場合における駆動信号、オン駆動用FET及びオフ駆動用FETのタイミングチャートと、各FETに流れる電流及びIGBTのゲート電圧波形である。図5は、オフ駆動用FETがオン故障等した場合における駆動信号、オン駆動用FET及びオフ駆動用FETのタイミングチャートと、各FETに流れる電流及びIGBTのゲート電圧波形である。図3〜図5において、オン駆動用FETに流れ電流、及び、オフ駆動用FETに流れる電流は、IGBTのゲートに流れ込む方向を正、IGBTのゲートから流れ出す方向を負として示している。図4及び図5において、破線で描かれた波形は、正常状態における波形である。また、図4におけるt1〜t4は図3におけるt1〜t4と、図5におけるt1、t2は図3におけるt1、t2とそれぞれ同一のタイミングである。   Next, with reference to FIG. 2 to FIG. 5, the IGBT driving operation in a normal state and the operation when it is determined that the IGBT is in an abnormal state due to an on failure or the like of the on driving FET or the off driving FET are described. To do. Here, FIG. 3 shows a drive signal in a normal state, a timing chart of the on-drive FET and the off-drive FET, a current flowing through each FET, and a gate voltage waveform of the IGBT. FIG. 4 shows a drive signal, a timing chart of the on-drive FET and the off-drive FET, a current flowing through each FET, and a gate voltage waveform of the IGBT when the on-drive FET is turned on. FIG. 5 shows a drive signal, a timing chart of the on-drive FET and the off-drive FET, a current flowing through each FET, and a gate voltage waveform of the IGBT when the off-drive FET is turned on. 3 to 5, the current flowing in the on-drive FET and the current flowing in the off-drive FET are shown as positive in the direction of flowing into the gate of the IGBT and negative in the direction of flowing out of the gate of the IGBT. 4 and 5, the waveform drawn with a broken line is a waveform in a normal state. Also, t1 to t4 in FIG. 4 are the same timings as t1 to t4 in FIG. 3, and t1 and t2 in FIG. 5 are the same timings as t1 and t2 in FIG.

図2において、制御回路128は、外部から入力される駆動信号に基づいてオン駆動用FET121aとオフ駆動用FET122aを制御してIGBT110dを駆動する。   In FIG. 2, the control circuit 128 drives the IGBT 110d by controlling the on-drive FET 121a and the off-drive FET 122a based on a drive signal input from the outside.

図3に示すように、駆動信号がIGBT110dのオンを指示する(t1)と、制御回路128は、オフ駆動用FET122aをオフするとともに、オン駆動用FET121aをオンする。これにより、駆動用電源回路120からオン駆動用FET121aとオン駆動用抵抗121bを介して、時間Tonの間、IGBT110dのゲートに電流が流れ込み、電荷が充電される(t2)。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より高くなり、IGBT110dがオンする。ここで、時間Tonは、IGBT110dのゲートに電荷を充電するために必要とされる時間である。   As shown in FIG. 3, when the drive signal instructs to turn on the IGBT 110d (t1), the control circuit 128 turns off the off drive FET 122a and turns on the on drive FET 121a. As a result, current flows from the driving power supply circuit 120 to the gate of the IGBT 110d through the on-driving FET 121a and the on-driving resistor 121b for a time Ton, and charges are charged (t2). As a result, the gate voltage becomes higher than the threshold voltage for turning on and off, and the IGBT 110d is turned on. Here, the time Ton is a time required to charge the gate of the IGBT 110d.

一方、駆動信号がIGBT110dのオフを指示すると(t3)、制御回路128は、オン駆動用FET121aをオフするとともに、オフ駆動用FET122aをオンする。これにより、IGBT110dのゲートからオフ駆動用抵抗122bとオフ駆動用FET122aを介して、時間Toffの間、電流が流れ出し、電荷が放電される(t4)。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、IGBT110dがオフする。ここで、時間Toffは、IGBT110dのゲートから電荷を放電するために必要とされる時間である。   On the other hand, when the drive signal instructs to turn off the IGBT 110d (t3), the control circuit 128 turns off the on-drive FET 121a and turns on the off-drive FET 122a. As a result, current flows from the gate of the IGBT 110d through the off-drive resistor 122b and the off-drive FET 122a for a time Toff, and the charge is discharged (t4). As a result, the gate voltage becomes lower than the threshold voltage for turning on and off, and the IGBT 110d is turned off. Here, the time Toff is a time required for discharging the charge from the gate of the IGBT 110d.

そして、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低いオフ保持閾値以下になると、図2において、制御回路128は、オフ保持用FET123aをオンする。これにより、IGBT110dのゲートからオフ保持用FET123aを介して電流が流れ出し、電荷がさらに放電され、IGBT110dのオフ状態が保持される。   Then, when the gate voltage becomes equal to or lower than the off-holding threshold value lower than the on-off threshold voltage, the control circuit 128 turns on the off-holding FET 123a in FIG. As a result, a current flows from the gate of the IGBT 110d through the off-holding FET 123a, the electric charge is further discharged, and the off-state of the IGBT 110d is held.

ところで、IGBT110dに流れる電流が過電流閾値より大きくなると、過電流検出回路126は、IGBT110dに過電流が流れていると判断する。IGBT110dに流れる電流が短絡電流閾値より大きくなると、短絡検出回路127は、IGBT、110a、110dがともにオンした短絡状態にあると判断する。制御回路128は、IGBT110dに過電流が流れる、IGBT110dが短絡状態になる等の異常が発生したと判断すると、オフ駆動用FET122aに代わって遮断用FET124aをオンする。これにより、IGBT110dのゲートから遮断抵抗124bを介して電荷が放電される。その結果、ゲート電圧が、オフ駆動回路122に比べ緩やかにオン、オフする閾値電圧より低くなり、IGBT110dがオフする。   By the way, when the current flowing through the IGBT 110d becomes larger than the overcurrent threshold, the overcurrent detection circuit 126 determines that the overcurrent is flowing through the IGBT 110d. When the current flowing through the IGBT 110d becomes larger than the short-circuit current threshold, the short-circuit detection circuit 127 determines that both the IGBTs 110a and 110d are in a short-circuit state. When the control circuit 128 determines that an abnormality has occurred, such as an overcurrent flowing through the IGBT 110d or the IGBT 110d being short-circuited, the control circuit 128 turns on the blocking FET 124a instead of the off-driving FET 122a. As a result, electric charges are discharged from the gate of the IGBT 110d through the blocking resistor 124b. As a result, the gate voltage becomes lower than the threshold voltage at which the gate voltage is gradually turned on and off as compared with the off drive circuit 122, and the IGBT 110d is turned off.

また、オン駆動用FET121aがオン故障したり誤動作によってオンしたりすると、図4に示すように、駆動信号がIGBT110dのオフを指示し(t3)、制御回路128がオン駆動用FET121aをオフしようとしても、オン駆動用FET121aをオフできない。そのため、駆動用電源回路120からオン駆動用FET121aとオン駆動用抵抗121bを介してIGBT110dのゲートに、正常状態においては流れることのない電流が流れ込む。また、時間Toff経過後も、IGBT110dのゲートからオフ駆動用抵抗122bとオフ駆動用FET122aを介して、正常状態においては流れることのない電流が流れ出す。その結果、IGBT110dのゲート電圧が充分に低下せず、IGBT110dをオフできない異常状態が発生する。   When the on-drive FET 121a is turned on due to an on-failure or malfunction, the drive signal instructs the IGBT 110d to turn off as shown in FIG. 4 (t3), and the control circuit 128 tries to turn off the on-drive FET 121a. However, the on-drive FET 121a cannot be turned off. Therefore, a current that does not flow in a normal state flows from the drive power supply circuit 120 to the gate of the IGBT 110d through the on-drive FET 121a and the on-drive resistor 121b. Further, even after the time Toff has elapsed, a current that does not flow in a normal state flows out from the gate of the IGBT 110d through the off-drive resistor 122b and the off-drive FET 122a. As a result, the gate voltage of the IGBT 110d does not sufficiently decrease, and an abnormal state in which the IGBT 110d cannot be turned off occurs.

しかし、制御回路128は、オン駆動用抵抗121bの端子間電圧に基づいてオン駆動用FET121aに流れる電流を検出する。そして、オン駆動用FET121aに所定閾値Ith以上の電流が所定時間Tth以上流れているとき、IGBT110dのゲート電圧が低下せず、IGBT110dが異常状態にあると判断する。IGBT110dが異常状態にあると判断すると、制御回路128は、駆動用電源回路120の動作を停止させ、駆動用電源回路120からの電圧の供給を遮断するとともに、異常信号を外部に出力する。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、IGBT110dがオフする。   However, the control circuit 128 detects the current flowing through the on-driving FET 121a based on the voltage across the terminals of the on-driving resistor 121b. When a current equal to or greater than the predetermined threshold Ith flows through the on-drive FET 121a for a predetermined time Tth or more, it is determined that the gate voltage of the IGBT 110d does not decrease and the IGBT 110d is in an abnormal state. If it is determined that the IGBT 110d is in an abnormal state, the control circuit 128 stops the operation of the driving power supply circuit 120, cuts off the supply of voltage from the driving power supply circuit 120, and outputs an abnormal signal to the outside. As a result, the gate voltage becomes lower than the threshold voltage for turning on and off, and the IGBT 110d is turned off.

さらに、オフ駆動用FET122aがオン故障したり誤動作によってオンしたりすると、図5に示すように、駆動信号がIGBT110dのオンを指示し(t1)、制御回路128がオフ駆動用FET122aをオフしようとしても、オフ駆動用FET122aをオフできない。そのため、時間Ton経過後も、駆動用電源回路120からオン駆動用FET121aとオン駆動用抵抗121bを介してIGBT110dのゲートに、正常状態においては流れることのない電流が流れ込む。また、IGBT110dのゲートからオフ駆動用抵抗122bとオフ駆動用FET122aを介して、正常状態においては流れることない電流が流れ出す。その結果、IGBT110dのゲート電圧が充分に上昇せず、IGBT110dをオンできない異常状態が発生する。   Further, when the off drive FET 122a is turned on due to an on failure or malfunction, as shown in FIG. 5, the drive signal instructs to turn on the IGBT 110d (t1), and the control circuit 128 tries to turn off the off drive FET 122a. However, the off-drive FET 122a cannot be turned off. Therefore, even after the time Ton has elapsed, a current that does not flow in the normal state flows from the drive power supply circuit 120 to the gate of the IGBT 110d through the on-drive FET 121a and the on-drive resistor 121b. In addition, a current that does not flow in a normal state flows from the gate of the IGBT 110d through the off-drive resistor 122b and the off-drive FET 122a. As a result, the gate voltage of the IGBT 110d does not rise sufficiently, and an abnormal state in which the IGBT 110d cannot be turned on occurs.

しかし、制御回路128は、オン駆動用抵抗121bの端子間電圧に基づいてオン駆動用FET121aに流れる電流を検出する。そして、オン駆動用FET121aに所定閾値Ith以上の電流が所定時間Tth以上流れているとき、IGBT110dのゲート電圧が上昇せず、IGBT110dが異常状態にあると判断する。IGBT110dが異常状態にあると判断すると、制御回路128は、駆動用電源回路120の動作を停止させ、駆動用電源回路120からの電圧の供給を遮断するとともに、異常信号を外部に出力する。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、IGBT110dがオフする。   However, the control circuit 128 detects the current flowing through the on-driving FET 121a based on the voltage across the terminals of the on-driving resistor 121b. When a current equal to or greater than the predetermined threshold Ith flows through the on-drive FET 121a for a predetermined time Tth or more, it is determined that the gate voltage of the IGBT 110d does not increase and the IGBT 110d is in an abnormal state. If it is determined that the IGBT 110d is in an abnormal state, the control circuit 128 stops the operation of the driving power supply circuit 120, cuts off the supply of voltage from the driving power supply circuit 120, and outputs an abnormal signal to the outside. As a result, the gate voltage becomes lower than the threshold voltage for turning on and off, and the IGBT 110d is turned off.

次に、効果について説明する。第1実施形態によれば、図4に示すように、オン駆動用FET121aがオン故障や誤動作によってオンしたときにオフ駆動用FET122aがオンすると、IGBT110dのゲート電圧が低下せず、IGBT110dをオフできない異常状態が発生する。また、図5に示すように、オフ駆動用FET122aがオン故障や誤動作によってオンしたときに、オン駆動用FET121aがオンすると、IGBT110dのゲート電圧が上昇せず、IGBT110dをオンできない異常状態が発生する。これらのとき、オン駆動用FET121aからオフ駆動用FET122aに電流が流れる。オン駆動用FET121aには、正常時には流れることがない、所定閾値Ith以上の電流が所定時間Tth以上流れる。そのため、オン駆動用FET121aに所定閾値Ith以上の電流が所定時間Tth以上流れているとき、IGBT110dが異常状態にあると判断することができる。   Next, the effect will be described. According to the first embodiment, as shown in FIG. 4, when the off drive FET 122a is turned on when the on drive FET 121a is turned on due to an on failure or malfunction, the gate voltage of the IGBT 110d does not decrease, and the IGBT 110d cannot be turned off. An abnormal condition occurs. Further, as shown in FIG. 5, when the on-drive FET 121a is turned on when the off-drive FET 122a is turned on due to an on-failure or malfunction, the gate voltage of the IGBT 110d does not increase and an abnormal state in which the IGBT 110d cannot be turned on occurs. . At these times, a current flows from the on-drive FET 121a to the off-drive FET 122a. In the on-drive FET 121a, a current that does not flow in a normal state and that has a predetermined threshold value Ith or more flows for a predetermined time Tth or more. Therefore, it can be determined that the IGBT 110d is in an abnormal state when a current equal to or greater than the predetermined threshold Ith flows through the on-drive FET 121a for a predetermined time Tth or longer.

第1実施形態によれば、オン駆動用FET121aがオン故障や誤動作によってオンしたときに、オフ駆動用FET122aがオンすると、オン駆動用FET121aには、オン駆動用FET121aとオフ駆動用FET122aがともにオンした場合に流れる電流と等しい電流が流れる。また、オフ駆動用FET122aがオン故障や誤動作によってオンしたときに、オン駆動用FET121aがオンすると、オン駆動用FET121aには、オン駆動用FET121aとオフ駆動用FET122aがともにオンした場合に流れる電流と等しい電流が流れる。そのため、所定閾値Ithを、オン駆動用FET121aオフ駆動用FET122aがともオンした場合に、オン駆動用FET121aに流れる電流値以下の値に設定することで、オン駆動用FET121aがオン故障や誤動作によってオンしたことを確実に判断することができる。また、オフ駆動用FET122aがオン故障や誤動作によってオンしたことを確実に判断することもできる。   According to the first embodiment, when the on-drive FET 121a is turned on when the on-drive FET 121a is turned on due to an on-failure or malfunction, both the on-drive FET 121a and the off-drive FET 122a are turned on. In this case, a current equal to the current flowing flows. Further, when the on-driving FET 121a is turned on when the off-driving FET 122a is turned on due to an on-failure or malfunction, the on-driving FET 121a has a current that flows when both the on-driving FET 121a and the off-driving FET 122a are on. An equal current flows. Therefore, by setting the predetermined threshold value Ith to a value that is equal to or less than the value of the current flowing through the on-drive FET 121a when both the on-drive FET 121a and the off-drive FET 122a are turned on, the on-drive FET 121a is turned on due to an on failure or malfunction. It is possible to determine with certainty. Further, it can be reliably determined that the off-drive FET 122a is turned on due to an on-failure or malfunction.

第1実施形態によれば、オン駆動用FET121aがオンすると、オン駆動用FET121aには、IGBT110dのゲートに電荷を充電するために必要とされる時間Tonだけ電流が流れ、それ以降、電流は流れない。しかし、オン駆動用FET121aがオン故障や誤動作によってオンしたときに、オフ駆動用FET122aがオンすると、時間Tonを経過しても電流が流れ続ける。そのため、所定時間Tthを、時間Tonよりも長い時間に設定することで、IGBT110dのゲートに電荷を充電する際に流れる電流による誤判断を防止することができる。   According to the first embodiment, when the on-driving FET 121a is turned on, a current flows through the on-driving FET 121a for a time Ton required to charge the gate of the IGBT 110d, and thereafter, the current flows. Absent. However, when the on-drive FET 121a is turned on due to an on-failure or malfunction, if the off-drive FET 122a is turned on, current continues to flow even after the time Ton has elapsed. Therefore, by setting the predetermined time Tth to be longer than the time Ton, it is possible to prevent erroneous determination due to the current that flows when charging the gate of the IGBT 110d.

第1実施形態によれば、制御回路128は、オン駆動用FET121aやオフ駆動用FET122aがオン故障等していると判断したとき、駆動用電源回路120の動作を停止させ、駆動用電源回路120からの電圧の供給を遮断する。その結果、ゲート電圧がオン、オフの閾値電圧より低くなり、IGBT110dがオフする。従って、IGBT110dの熱破壊を防止することができる。   According to the first embodiment, when the control circuit 128 determines that the on-drive FET 121a or the off-drive FET 122a has an on-failure or the like, the control circuit 128 stops the operation of the drive power circuit 120 and drives the drive power circuit 120. The voltage supply from is cut off. As a result, the gate voltage becomes lower than the ON / OFF threshold voltage, and the IGBT 110d is turned OFF. Therefore, thermal destruction of the IGBT 110d can be prevented.

第1実施形態によれば、制御回路128は、オン駆動用FET121aやオフ駆動用FET122aがオン故障等していると判断したとき、異常信号を外部に出力する。そのため、IGBT110dが異常状態にあることを外部に知らせることができる。   According to the first embodiment, when the control circuit 128 determines that the on-drive FET 121a or the off-drive FET 122a has an on-failure, the control circuit 128 outputs an abnormal signal to the outside. Therefore, it is possible to notify the outside that the IGBT 110d is in an abnormal state.

なお、第1実施形態では、制御回路128は、オン駆動用FET121aがオン故障等していると判断したとき、駆動用電源回路120の動作を停止させ、駆動用電源回路120からの電圧の供給を遮断することでIGBT110dをオフする例を挙げているが、これに限られるものではない。オフ保持用FET123aを制御してIGBT110dをオフしてもよい。この場合、オフ保持用FET123aをオンしてIGBT110dのゲートから電荷を放電させことで、IGBT110dをオフすることができる。そのため、IGBT110dの熱破壊を防止することができる。   In the first embodiment, when the control circuit 128 determines that the on-driving FET 121a has an on-failure or the like, the control circuit 128 stops the operation of the driving power circuit 120 and supplies the voltage from the driving power circuit 120. Although the example which turns off IGBT110d by interrupting | blocking is given, it is not restricted to this. The IGBT 110d may be turned off by controlling the off-holding FET 123a. In this case, the IGBT 110d can be turned off by turning on the off-holding FET 123a and discharging the charge from the gate of the IGBT 110d. Therefore, thermal destruction of the IGBT 110d can be prevented.

また、IGBT110dをオンしてもよい。図2に示すIGBT110aがオンすると、直列接続されたIGBT110a、110dがともにオン状態となり、IGBT110a、110dに短絡電流が流れる。IGBT110aに短絡電流が流れると、IGBT110aを制御する制御回路(駆動回路)が、IGBT110dの場合と同様に、IGBT110aをオフする。そのため、IGBT110dに流れる短絡電流を遮断することができる。従って、IGBT110dの熱破壊を防止することができる。   Further, the IGBT 110d may be turned on. When IGBT 110a shown in FIG. 2 is turned on, both IGBTs 110a and 110d connected in series are turned on, and a short-circuit current flows through IGBTs 110a and 110d. When a short-circuit current flows through the IGBT 110a, the control circuit (drive circuit) that controls the IGBT 110a turns off the IGBT 110a as in the case of the IGBT 110d. Therefore, the short circuit current flowing through the IGBT 110d can be cut off. Therefore, thermal destruction of the IGBT 110d can be prevented.

(第2実施形態)
次に、第2実施形態のモータ制御装置について説明する。第2実施形態のモータ制御装置は、第1実施形態のモータ制御装置が、オフ駆動用FETのオン故障等の際に駆動電源回路を遮断してIGBTをオフするのに対して、IGBTのゲート電圧をオフ保持閾値以下にクランプし、オフ保持回路によってIGBTをオフするようにしたものである。第2実施形態のモータ制御装置は、制御装置を除いて第1実施形態のモータ制御装置と同一構成である。
(Second Embodiment)
Next, the motor control device of the second embodiment will be described. The motor control device according to the second embodiment is different from the motor control device according to the first embodiment in that the IGBT is turned off by shutting off the drive power supply circuit when the off drive FET is turned on. The voltage is clamped below the off hold threshold, and the IGBT is turned off by the off hold circuit. The motor control device of the second embodiment has the same configuration as the motor control device of the first embodiment except for the control device.

まず、図6を参照して制御装置の構成について説明する。ここで、図6は、第2実施形態における制御装置の回路図である。ここでは、第1実施形態の制御装置との相違部分について説明し、共通する部分については必要とされる箇所以外説明を省略する。   First, the configuration of the control device will be described with reference to FIG. Here, FIG. 6 is a circuit diagram of the control device in the second embodiment. Here, a different part from the control apparatus of 1st Embodiment is demonstrated, and description is abbreviate | omitted except a required part about a common part.

図6に示すように、制御装置22は、IGBT210dに対して、駆動用電源回路220と、オン駆動用回路221と、オフ駆動用回路222と、オフ保持用回路223と、遮断用回路224と、過電流検出回路226と、短絡検出回路227と、制御回路228とを備えている。さらに、電圧クランプ回路229を備えている。IGBT210d及び電流センス抵抗211dは、第1実施形態のIGBT110d及び電流センス抵抗111dに相当する。駆動用電源回路220、オン駆動用回路221、オフ駆動用回路222、オフ保持用回路223、遮断用回路224、過電流検出回路226及び短絡検出回路227は、第1実施形態の駆動用電源回路120、オン駆動用回路121、オフ駆動用回路122、オフ保持用回路123、遮断用回路124、過電流検出回路126及び短絡検出回路127と同一構成である。   As shown in FIG. 6, the control device 22 has a driving power supply circuit 220, an on driving circuit 221, an off driving circuit 222, an off holding circuit 223, and a blocking circuit 224 with respect to the IGBT 210 d. , An overcurrent detection circuit 226, a short circuit detection circuit 227, and a control circuit 228. Further, a voltage clamp circuit 229 is provided. The IGBT 210d and the current sense resistor 211d correspond to the IGBT 110d and the current sense resistor 111d of the first embodiment. The drive power supply circuit 220, the on drive circuit 221, the off drive circuit 222, the off hold circuit 223, the cutoff circuit 224, the overcurrent detection circuit 226, and the short circuit detection circuit 227 are the drive power supply circuit of the first embodiment. 120, the on-drive circuit 121, the off-drive circuit 122, the off-hold circuit 123, the cutoff circuit 124, the overcurrent detection circuit 126, and the short-circuit detection circuit 127.

電圧クランプ回路229は、IGBT210dのゲート電圧をオフ保持閾値以下にクランプする回路である。電圧クランプ回路229は、電圧クランプ用FET229aと、定電圧ダイオード229bとを備えている。定電圧ダイオード229bの電圧は、オフ保持閾値以下の一定電圧となるように設定されている。電圧クランプ用FET229aは、オンすることでIGBT220dのゲートに定電圧ダイオード229bを接続するスイッチング素子である。具体的には、NチャネルMOSFETである。電圧クランプ用FET229aのソースは、車体から絶縁された高電圧バッテリ用のグランドに接続され、高電圧バッテリ用のグランドを介して駆動用電源回路220の負極端子とIGBT210dのエミッタに接続されている。また、ドレインは、定電圧ダイオード229bを介してIGBT220dのゲートに接続されている。具体的には、定電圧ダイオード229bのアノードに接続され、定電圧ダイオード229bのカソードがIGBT220dのゲートに接続されている。さらに、電圧クランプ用FET229aのゲートは、制御回路228に接続されている。   The voltage clamp circuit 229 is a circuit that clamps the gate voltage of the IGBT 210d below the off-hold threshold. The voltage clamp circuit 229 includes a voltage clamp FET 229a and a constant voltage diode 229b. The voltage of the constant voltage diode 229b is set to be a constant voltage equal to or lower than the off-holding threshold value. The voltage clamping FET 229a is a switching element that, when turned on, connects the constant voltage diode 229b to the gate of the IGBT 220d. Specifically, it is an N-channel MOSFET. The source of the voltage clamping FET 229a is connected to the ground for the high voltage battery insulated from the vehicle body, and is connected to the negative terminal of the driving power supply circuit 220 and the emitter of the IGBT 210d via the ground for the high voltage battery. The drain is connected to the gate of the IGBT 220d through the constant voltage diode 229b. Specifically, the anode of the constant voltage diode 229b is connected, and the cathode of the constant voltage diode 229b is connected to the gate of the IGBT 220d. Further, the gate of the voltage clamping FET 229 a is connected to the control circuit 228.

次に、図6を参照してオン駆動用FETがオン故障等していると判断した場合の動作について説明する。制御回路228は、オン駆動用FET121aがオン故障等していると判断すると、電圧クランプ回路229を作動させてIGBT210dのゲート電圧をオフ保持閾値以下にする。具体的には、電圧クランプ用FET229aをオンして、IGBT210dのゲート電圧を定電圧ダイオード229bによって設定されたオフ保持閾値以下にする。その結果、オフ保持用FET223aがオンしてIGBT210dのゲートから電荷が放電され、IGBT210dがオフする。   Next, an operation when it is determined that the on-drive FET has an on-failure or the like will be described with reference to FIG. When the control circuit 228 determines that the on-drive FET 121a has an on-failure or the like, the control circuit 228 activates the voltage clamp circuit 229 so that the gate voltage of the IGBT 210d is equal to or less than the off-hold threshold. Specifically, the voltage clamping FET 229a is turned on, and the gate voltage of the IGBT 210d is set to be equal to or lower than the off holding threshold set by the constant voltage diode 229b. As a result, the off-holding FET 223a is turned on, the electric charge is discharged from the gate of the IGBT 210d, and the IGBT 210d is turned off.

次に、効果について説明する。第2実施形態によれば、制御回路228は、オン駆動用FET121aがオン故障等していると判断したとき、電圧クランプ回路229を作動させてIGBT210dのゲート電圧をオフ保持閾値以下にする。そのため、オフ保持用FET223aによってIGBT210dのゲートから電荷を放電し、IGBT210dをオフすることができる。従って、IGBT210dの熱破壊を防止することができる。   Next, the effect will be described. According to the second embodiment, when the control circuit 228 determines that the on-driving FET 121a has an on-failure or the like, the control circuit 228 activates the voltage clamp circuit 229 so that the gate voltage of the IGBT 210d is equal to or less than the off-hold threshold. Therefore, the charge can be discharged from the gate of the IGBT 210d by the off-holding FET 223a to turn off the IGBT 210d. Therefore, thermal destruction of the IGBT 210d can be prevented.

(第3実施形態)
次に、第3実施形態のモータ制御装置について説明する。第3実施形態のモータ制御装置は、第1実施形態のモータ制御装置が、オフ駆動用FETのオン故障等の際に駆動電源回路を遮断してIGBTをオフするのに対して、IGBTのゲートをオン駆動用FETとオフ駆動用FETから遮断してIGBTを遮断するようにしたものである。第3実施形態のモータ制御装置は、制御装置を除いて第1実施形態のモータ制御装置と同一構成である。
(Third embodiment)
Next, the motor control apparatus of 3rd Embodiment is demonstrated. The motor control device according to the third embodiment is different from the motor control device according to the first embodiment in that the IGBT is turned off by shutting off the drive power supply circuit in the event of an on failure of the off drive FET. Is cut off from the on-drive FET and the off-drive FET to block the IGBT. The motor control device of the third embodiment has the same configuration as the motor control device of the first embodiment except for the control device.

まず、図7を参照して制御装置の構成について説明する。ここで、図7は、第3実施形態における制御装置の回路図である。ここでは、第1実施形態の制御装置との相違部分について説明し、共通する部分については必要とされる箇所以外説明を省略する。   First, the configuration of the control device will be described with reference to FIG. Here, FIG. 7 is a circuit diagram of the control device according to the third embodiment. Here, a different part from the control apparatus of 1st Embodiment is demonstrated, and description is abbreviate | omitted except a required part about a common part.

図7に示すように、制御装置32は、IGBT310dに対して、駆動用電源回路320と、オン駆動用回路321と、オフ駆動用回路322と、オフ保持用回路323と、遮断用回路324と、過電流検出回路326と、短絡検出回路327と、制御回路328とを備えている。さらに、ゲート遮断用FET329を備えている。IGBT310d及び電流センス抵抗311dは、第1実施形態のIGBT110d及び電流センス抵抗111dに相当する。駆動用電源回路320、オン駆動用回路321、オフ駆動用回路322、オフ保持用回路323、遮断用回路324、過電流検出回路326及び短絡検出回路327は、第1実施形態の駆動用電源回路120、オン駆動用回路121、オフ駆動用回路122、オフ保持用回路123、遮断用回路124、過電流検出回路126及び短絡検出回路127と同一構成である。   As shown in FIG. 7, the control device 32 has a drive power supply circuit 320, an on drive circuit 321, an off drive circuit 322, an off hold circuit 323, and a cutoff circuit 324 with respect to the IGBT 310 d. The overcurrent detection circuit 326, the short circuit detection circuit 327, and the control circuit 328 are provided. Furthermore, a gate blocking FET 329 is provided. The IGBT 310d and the current sense resistor 311d correspond to the IGBT 110d and the current sense resistor 111d of the first embodiment. The drive power supply circuit 320, the on drive circuit 321, the off drive circuit 322, the off hold circuit 323, the cutoff circuit 324, the overcurrent detection circuit 326, and the short circuit detection circuit 327 are the drive power supply circuit of the first embodiment. 120, the on-drive circuit 121, the off-drive circuit 122, the off-hold circuit 123, the cutoff circuit 124, the overcurrent detection circuit 126, and the short-circuit detection circuit 127.

ゲート遮断用FET329は、IGBT310dのゲートをオン駆動用FET321aとオフ駆動用FET322aから遮断するスイッチング素子である。具体的には、NチャネルMOSFETである。ゲート遮断用FET329のソースは、IGBT310dのゲートに接続されている。また、ドレインは、オン駆動用抵抗321bを介してオン駆動用FET321aに接続されるとともに、オフ駆動用抵抗322bを介してオフ駆動用FET322aに接続されている。さらに、ゲートは、制御回路328に接続されている。   The gate blocking FET 329 is a switching element that blocks the gate of the IGBT 310d from the on driving FET 321a and the off driving FET 322a. Specifically, it is an N-channel MOSFET. The source of the gate blocking FET 329 is connected to the gate of the IGBT 310d. The drain is connected to the on-drive FET 321a via the on-drive resistor 321b, and is connected to the off-drive FET 322a via the off-drive resistor 322b. Further, the gate is connected to the control circuit 328.

次に、図7を参照してオン駆動用FETがオン故障等していると判断した場合の動作について説明する。制御回路328は、オン駆動用FET121aがオン故障等していると判断すると、IGBT310dのゲートを、オン駆動用FET321aとオフ駆動用FET322aから遮断する。その結果、IGBT310dを駆動するためのゲートへの電圧の供給が遮断され、IGBT310dがオフする。   Next, an operation when it is determined that the on-drive FET has an on-failure or the like will be described with reference to FIG. When the control circuit 328 determines that the on-drive FET 121a has an on-failure or the like, the control circuit 328 blocks the gate of the IGBT 310d from the on-drive FET 321a and the off-drive FET 322a. As a result, the supply of voltage to the gate for driving the IGBT 310d is cut off, and the IGBT 310d is turned off.

次に、効果について説明する。第3実施形態によれば、制御回路328は、オン駆動用FET121aがオン故障等していると判断したとき、IGBT310dのゲートをオン駆動用FET321aとオフ駆動用FET322aから遮断する。そのため、IGBT310dを駆動するためのゲートへの電圧の供給が遮断され、IGBT310dがオフする。従って、IGBT310dの熱破壊を防止することができる。   Next, the effect will be described. According to the third embodiment, the control circuit 328 blocks the gate of the IGBT 310d from the on-driving FET 321a and the off-driving FET 322a when determining that the on-driving FET 121a has an on failure or the like. Therefore, the supply of voltage to the gate for driving IGBT 310d is interrupted, and IGBT 310d is turned off. Therefore, thermal destruction of the IGBT 310d can be prevented.

1・・・モータ制御装置(電子装置)、10・・・平滑コンデンサ、11・・・インバータ装置、110a・・・IGBT(第2スイッチング素子)、110b、110c、110e、110f・・・IGBT、110d・・・IGBT(第1スイッチング素子)、111a〜111f・・・電流センス抵抗、12、22、32・・・制御装置、120、220、320・・・駆動用電源回路、121、221、321・・・オン駆動用回路、121a、221a、321a・・・オン駆動用FET(オン駆動用スイッチング素子)、121b、221b、321b・・・オン駆動用抵抗、122、222、322・・・オフ駆動用回路、122a、222a、322a・・・オフ駆動用FET(オフ駆動用スイッチング素子)、122b、222b、322b・・・オフ駆動用抵抗、123、223、323・・・オフ保持用回路、123a、223a、323a・・・オフ保持用FET(オフ保持用スイッチング素子)、123b、223b、323b・・・ゲート抵抗、124、224、324・・・遮断用回路、124a、224a、324a・・・遮断用FET、124b、224b、324b・・・遮断用抵抗、126、226、326・・・過電流検出回路、127、227、327・・・短絡検出回路、128、228、328・・・制御回路、229・・・電圧クランプ回路、229a・・・電圧クランプ用FET、329b・・・定電圧ダイオード、329・・・ゲート遮断用FET、B1・・・高電圧バッテリ、M1・・・車両駆動用モータ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Motor control apparatus (electronic device), 10 ... Smoothing capacitor, 11 ... Inverter apparatus, 110a ... IGBT (2nd switching element), 110b, 110c, 110e, 110f ... IGBT, 110d ... IGBT (first switching element), 111a to 111f ... current sense resistor, 12, 22, 32 ... control device, 120, 220, 320 ... drive power supply circuit, 121, 221, 321... ON drive circuit, 121a, 221a, 321a... ON drive FET (ON drive switching element), 121b, 221b, 321b... ON drive resistance, 122, 222, 322. OFF driving circuit, 122a, 222a, 322a, ... OFF driving FET (OFF driving switching element), 122b, 22b, 322b... OFF driving resistance, 123, 223, 323... OFF holding circuit, 123a, 223a, 323a... OFF holding FET (OFF holding switching element), 123b, 223b, 323b. ..Gate resistance, 124, 224, 324... Circuit for blocking, 124a, 224a, 324a... FET for blocking, 124b, 224b, 324b. Current detection circuit, 127, 227, 327 ... short circuit detection circuit, 128, 228, 328 ... control circuit, 229 ... voltage clamp circuit, 229a ... voltage clamp FET, 329b ... constant voltage Diode, 329... Gate cutoff FET, B1... High voltage battery, M1.

Claims (10)

制御端子の電圧を制御することで駆動される第1スイッチング素子と、
前記第1スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで前記第1スイッチング素子の制御端子に電荷を充電するオン駆動用スイッチング素子と、
前記第1スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで前記第1スイッチング素子の制御端子から電荷を放電するオフ駆動用スイッチング素子と、
入力される駆動信号に基づいて前記オン駆動用スイッチング素子と前記オフ駆動用スイッチング素子を制御することで、前記第1スイッチング素子の制御端子の電圧を制御して前記第1スイッチング素子を駆動する制御回路と、
を備えた電子装置において、
前記オン駆動用スイッチング素子と前記オフ駆動用スイッチング素子がともにオンした場合に前記オン駆動用スイッチング素子に流れる電流値以下の値に設定されている所定閾値を有し、
前記制御回路は、前記オン駆動用スイッチング素子に前記所定閾値以上の電流が所定時間以上流れているとき、前記第1スイッチング素子が異常状態にあると判断することを特徴とする電子装置。
A first switching element driven by controlling the voltage of the control terminal;
An on-drive switching element that is connected to the control terminal of the first switching element and charges the control terminal of the first switching element by being turned on;
An off-drive switching element that is connected to the control terminal of the first switching element and discharges electric charge from the control terminal of the first switching element by being turned on;
Control for driving the first switching element by controlling the voltage of the control terminal of the first switching element by controlling the on-driving switching element and the off-driving switching element based on the input driving signal. Circuit,
In an electronic device comprising:
When both the on-drive switching element and the off-drive switching element are turned on, the threshold value is set to a value equal to or less than the value of the current flowing through the on-drive switching element,
It said control circuit, when the predetermined threshold value or more current to the on-drive switching element is flowing more than a predetermined time, an electronic device, characterized in that said first switching element is determined to be in an abnormal state.
前記所定時間は、前記オン駆動用スイッチング素子によって前記第1スイッチング素子の制御端子に電荷を充電するために必要とされる時間よりも長い時間に設定されていることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。 The predetermined time is, in claim 1, characterized in that it is set to be longer than the time required to charge the charge to the control terminal of the first switching element by the ON-drive switching element The electronic device described. 前記第1スイッチング素子を駆動するための電圧を供給する駆動用電源回路を有し、
前記制御回路は、前記第1スイッチング素子が異常状態にあると判断したとき、前記駆動用電源回路からの電圧の供給を遮断して前記第1スイッチング素子をオフすることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子装置。
A driving power supply circuit for supplying a voltage for driving the first switching element;
Said control circuit when said first switching element is determined to be in an abnormal state, according to claim 1, characterized in that turning off the first switching element to shut off the supply of voltage from the drive power supply circuit Or the electronic device of 2 .
前記制御回路は、前記第1スイッチング素子が異常状態にあると判断したとき、前記第1スイッチング素子の制御端子を、前記オン駆動用スイッチング素子と前記オフ駆動用スイッチング素子から遮断することを特徴とする請求項1又は2に記載の電子装置。 When the control circuit determines that the first switching element is in an abnormal state, the control circuit cuts off a control terminal of the first switching element from the on-drive switching element and the off-drive switching element. The electronic device according to claim 1 or 2 . 制御端子の電圧を制御することで駆動される第1スイッチング素子と、
前記第1スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで前記第1スイッチング素子の制御端子に電荷を充電するオン駆動用スイッチング素子と、
前記第1スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで前記第1スイッチング素子の制御端子から電荷を放電するオフ駆動用スイッチング素子と、
入力される駆動信号に基づいて前記オン駆動用スイッチング素子と前記オフ駆動用スイッチング素子を制御することで、前記第1スイッチング素子の制御端子の電圧を制御して前記第1スイッチング素子を駆動する制御回路と、
を備えた電子装置において、
前記第1スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで前記第1スイッチング素子の制御端子から電荷を放電するオフ保持用スイッチング素子を有し、
前記制御回路は、前記第1スイッチング素子の制御端子の電圧がオン、オフの閾値電圧より低いオフ保持閾値以下になると、前記オフ保持用スイッチング素子を制御して前記第1スイッチング素子のオフ状態を保持し、前記オン駆動用スイッチング素子に所定閾値以上の電流が所定時間以上流れているとき、前記第1スイッチング素子が異常状態にあると判断し、前記第1スイッチング素子が異常状態にあると判断したとき、前記オフ保持用スイッチング素子を制御して前記第1スイッチング素子をオフすることを特徴とする電子装置。
A first switching element driven by controlling the voltage of the control terminal;
An on-drive switching element that is connected to the control terminal of the first switching element and charges the control terminal of the first switching element by being turned on;
An off-drive switching element that is connected to the control terminal of the first switching element and discharges electric charge from the control terminal of the first switching element by being turned on;
Control for driving the first switching element by controlling the voltage of the control terminal of the first switching element by controlling the on-driving switching element and the off-driving switching element based on the input driving signal. Circuit,
In an electronic device comprising:
An off-holding switching element that is connected to the control terminal of the first switching element and discharges electric charge from the control terminal of the first switching element by being turned on;
The control circuit controls the off-holding switching element to change the off state of the first switching element when a voltage at a control terminal of the first switching element is equal to or lower than an off-holding threshold lower than an on / off threshold voltage. And when the current exceeding the predetermined threshold flows through the on-drive switching element for a predetermined time or more, it is determined that the first switching element is in an abnormal state, and the first switching element is determined to be in an abnormal state. In this case, the electronic device is characterized in that the first switching element is turned off by controlling the off-holding switching element.
制御端子の電圧を制御することで駆動される第1スイッチング素子と、
前記第1スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで前記第1スイッチング素子の制御端子に電荷を充電するオン駆動用スイッチング素子と、
前記第1スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで前記第1スイッチング素子の制御端子から電荷を放電するオフ駆動用スイッチング素子と、
入力される駆動信号に基づいて前記オン駆動用スイッチング素子と前記オフ駆動用スイッチング素子を制御することで、前記第1スイッチング素子の制御端子の電圧を制御して前記第1スイッチング素子を駆動する制御回路と、
を備えた電子装置において、
前記第1スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで前記第1スイッチング素子の制御端子から電荷を放電するオフ保持用スイッチング素子と、
前記第1スイッチング素子の制御端子の電圧をオン、オフの閾値電圧より低いオフ保持閾値以下にクランプする電圧クランプ回路と、
を有し、
前記制御回路は、前記第1スイッチング素子の制御端子の電圧がオフ保持閾値以下になると、前記オフ保持用スイッチング素子を制御して前記第1スイッチング素子のオフ状態を保持し、前記オン駆動用スイッチング素子に所定閾値以上の電流が所定時間以上流れているとき、前記第1スイッチング素子が異常状態にあると判断し、前記第1スイッチング素子が異常状態にあると判断したとき、前記電圧クランプ回路を作動させて前記第1スイッチング素子の制御端子の電圧をオフ保持閾値以下にクランプすることを特徴とする電子装置。
A first switching element driven by controlling the voltage of the control terminal;
An on-drive switching element that is connected to the control terminal of the first switching element and charges the control terminal of the first switching element by being turned on;
An off-drive switching element that is connected to the control terminal of the first switching element and discharges electric charge from the control terminal of the first switching element by being turned on;
Control for driving the first switching element by controlling the voltage of the control terminal of the first switching element by controlling the on-driving switching element and the off-driving switching element based on the input driving signal. Circuit,
In an electronic device comprising:
An off-holding switching element that is connected to the control terminal of the first switching element and discharges the charge from the control terminal of the first switching element by being turned on;
A voltage clamping circuit that clamps a voltage of a control terminal of the first switching element to an off holding threshold value lower than an on / off threshold voltage;
Have
The control circuit controls the off-holding switching element to hold the off-state of the first switching element when the voltage at the control terminal of the first switching element is equal to or lower than an off-holding threshold, and the on-drive switching When a current exceeding a predetermined threshold flows through the element for a predetermined time or more, it is determined that the first switching element is in an abnormal state, and when it is determined that the first switching element is in an abnormal state, the voltage clamp circuit is An electronic device that is actuated to clamp a voltage at a control terminal of the first switching element below an off-holding threshold value.
制御端子の電圧を制御することで駆動される第1スイッチング素子と、
前記第1スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで前記第1スイッチング素子の制御端子に電荷を充電するオン駆動用スイッチング素子と、
前記第1スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで前記第1スイッチング素子の制御端子から電荷を放電するオフ駆動用スイッチング素子と、
入力される駆動信号に基づいて前記オン駆動用スイッチング素子と前記オフ駆動用スイッチング素子を制御することで、前記第1スイッチング素子の制御端子の電圧を制御して前記第1スイッチング素子を駆動する制御回路と、
を備えた電子装置において、
制御端子の電圧を制御することで駆動され、前記第1スイッチング素子に直列接続される第2スイッチング素子と、
入力される駆動信号に基づいて前記第2スイッチング素子の制御端子の電圧を制御して前記第2スイッチング素子を駆動するとともに、前記第2スイッチング素子に異常電流が流れたとき、前記第2スイッチング素子をオフする駆動回路と、
を有し、
前記制御回路は、前記オン駆動用スイッチング素子に所定閾値以上の電流が所定時間以上流れているとき、前記第1スイッチング素子が異常状態にあると判断し、前記第1スイッチング素子が異常状態にあると判断したとき、前記第1スイッチング素子をオンすることを特徴とする電子装置。
A first switching element driven by controlling the voltage of the control terminal;
An on-drive switching element that is connected to the control terminal of the first switching element and charges the control terminal of the first switching element by being turned on;
An off-drive switching element that is connected to the control terminal of the first switching element and discharges electric charge from the control terminal of the first switching element by being turned on;
Control for driving the first switching element by controlling the voltage of the control terminal of the first switching element by controlling the on-driving switching element and the off-driving switching element based on the input driving signal. Circuit,
In an electronic device comprising:
A second switching element driven by controlling the voltage of the control terminal and connected in series to the first switching element;
The second switching element is driven when the second switching element is driven by controlling the voltage of the control terminal of the second switching element based on the input drive signal, and when the abnormal current flows through the second switching element. A drive circuit for turning off,
Have
The control circuit determines that the first switching element is in an abnormal state and the first switching element is in an abnormal state when a current greater than or equal to a predetermined threshold flows through the on-drive switching element for a predetermined time or more. When the electronic device is determined, the electronic device turns on the first switching element.
前記所定閾値は、前記オン駆動用スイッチング素子と前記オフ駆動用スイッチング素子がともにオンした場合に前記オン駆動用スイッチング素子に流れる電流値以下の値に設定されていることを特徴とする請求項5〜7のいずれか1項に記載の電子装置。 Wherein the predetermined threshold value, claim, wherein the on-drive switching element and the off-drive switching element is set to a value below the current value flowing through the on-drive switching element when both turn on 5 The electronic device of any one of -7 . 前記所定時間は、前記オン駆動用スイッチング素子によって前記第1スイッチング素子の制御端子に電荷を充電するために必要とされる時間よりも長い時間に設定されていることを特徴とする請求項5〜8のいずれか1項に記載の電子装置。 The predetermined time is, claim 5, characterized in that it is set to be longer than the time required to charge the charge to the control terminal of the first switching element by the ON-drive switching element 9. The electronic device according to any one of 8 above. 前記制御回路は、前記第1スイッチング素子が異常状態にあると判断したとき、異常信号を外部に出力することを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の電子装置。 The electronic device according to claim 1 , wherein the control circuit outputs an abnormal signal to the outside when it is determined that the first switching element is in an abnormal state.
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