JP5446601B2 - ガラス基板の加工装置、ガラス基板の加工方法、その方法により製造された磁気ディスク用ガラス基板またはフォトマスク用ガラス基板、及び繰り返しガラス基板を加工する方法 - Google Patents

Description

本発明は、ガラス基板の加工装置、ガラス基板の加工製造方法、その方法により製造された磁気ディスク用ガラス基板またはフォトマスク用ガラス基板、及び繰り返しガラス基板を加工する方法に関する。

近年ガラス基板は、従来の用途を越えて種々の産業分野において用いられ、例えば、種々の電子デバイスにおいては、用途に応じたガラス基板が用いられている。

例えば、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）などには、外部記憶装置としてハードディスクドライブ（ＨＤＤ）などが設けられている。通常、このハードディスクドライブには、コンピュータ用ストレージなどとして知られた磁気ディスクが搭載されている。この磁気ディスクは、例えばアルミニウム系合金基板などのような適宜の基板上に、磁性層等が成膜された構成のものである。

近年、磁気ディスク用の基板には、脆弱な金属基板に代わって、高強度、かつ、高剛性な材料であるガラス基板が多用されてきている。また、サーバー用途としての磁気ディスク用基板としてガラス基板が注目されてきている。

このようなガラス基板を製造するための加工装置としては図５に例示するような加工部１００を有する両面加工装置が用いられる。この加工部１００は、それぞれ所定の回転比率で回転駆動されるインターナルギヤ１０１とサンギヤ１０２を有するキャリア装着部と、このキャリア装着部を挟んで互いに逆回転駆動される金属製の上定盤１０３及び下定盤１０４とを有する。キャリア装着部には、インターナルギヤ１０１及びサンギヤ１０２と噛合する複数のキャリア１０７が装着されている。このキャリア１０７は自らの中心を軸に自転し、かつサンギヤ１０２を軸に公転する遊星歯車運動し、この遊星歯車運動によりキャリア１０７に装着されたガラス基板１０５の両面が上定盤１０３及び下定盤１０４との摩擦で同時に加工される。

この両面加工装置は３．０μｍ以上の大きな砥粒と硬い上下定盤１０３、１０４を用いて速い加工速度で平坦度を矯正するラップ工程と２．０μｍ以下の小さな砥粒とウレタン製研磨パッドが貼られた上下定盤１０３、１０４を用いてラップ工程よりも遅い加工速度で鏡面加工する研磨工程に使用される。

しかしながらこの両面加工装置においては、スラリーもしくはクーラントに異物が混入しガラス基板表面に傷が発生するという問題があった。この異物は上下定盤１０３、１０４の磨耗屑であったり、ギアの磨耗屑、スラリーもしくはクーラントの供給経路上に設けられた汲み上げポンプなど装置から発塵する金属屑であったりする。

特にガラス基板が硬い定盤もしくは硬質研磨パッドに直接接触するラップ工程では異物が混入した際に１０μｍ以上の亀裂深さをもった傷が発生しやすく、加工中に割れが発生したり、後の研磨工程で傷が除去できず、最終検査段階で不良と判定されてしまう場合があった。そこで特許文献１及び２では、循環経路内にマグネットストレーナを配置して異物を除去する方法が提案されている。

特開２００６−９９９４４号公報 特開２００７−２０７３９３号公報

しかしながら、特許文献１及び２に記載の循環経路内にマグネットストレーナを配置する方法では金属製ギアの磨耗屑、金属定盤の磨耗屑が磁石に多量に付着し、使用後直ぐに捕集効率の低下、配管の詰まりが発生し取り除くことが困難であった。また磁石が直接水を主たる分散媒とするスラリーまたはクーラントに触れるため磁石自身が容易に変質し、磁力の低下も発生するため継続的な運用が困難であった。

そこで、本発明は、上記した事情に鑑み、金属異物を除去することによりガラス基板の傷の発生を低減できるガラス基板の加工装置、ガラス基板の加工方法、その方法により製造された磁気ディスク用ガラス基板またはフォトマスク用ガラス基板、及び繰り返しガラス基板を加工する方法を提供することを目的とする。

本発明は、上定盤と下定盤との間に保持したガラス基板をスラリーまたはクーラントを供給しながら加工するガラス基板の加工装置であって、前記スラリーまたは前記クーラントが循環する循環経路中に剥離可能な被覆材で被覆された磁石を備えたことを特徴とするガラス基板の加工装置を提供する。
また、前記加工装置において、前記被覆材は樹脂であることが好ましく、さらに前記樹脂がポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリプロピレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリエチレンテレフタラート、ポリトリメチレンテレフタラート、ポリブチレンテレフタラートおよびポリアクリルからなる群から選ばれる１種以上の樹脂であることが好ましい。
また、前記加工装置において、前記磁石が永久磁石であることが好ましい。
また、前記加工装置において、前記永久磁石の磁束密度が１０００ガウス以上、１４０００ガウス以下であることが好ましく、さらに９０００ガウス以上、１４０００ガウス以下であることが好ましい。
また、前記加工装置において、スラリーがシリカ砥粒、セリア砥粒、アルミナ砥粒、ジルコニア砥粒、炭化ケイ素砥粒、ダイヤモンド砥粒のいずれかを含み水を分散媒とするスラリーであることが好ましい。
また、前記加工装置が前記ガラス基板の上下面を同時に加工可能な両面加工装置であることが好ましい。
また、前記加工装置において、前記上定盤と前記下定盤が鋳鉄からなることが好ましい。

また、本発明は、上定盤と下定盤との間にガラス基板を保持してスラリーまたはクーラントを供給しながらガラス基板を加工するガラス基板の加工方法であって、
剥離可能な被覆材で被覆された磁石が配設された循環経路を循環するスラリーまたはクーラントを前記上定盤と前記下定盤との間に供給することを特徴とするガラス基板の加工方法を提供する。
また、前記加工方法において、前記被覆材は樹脂であることが好ましく、さらに前記樹脂がポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリプロピレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリエチレンテレフタラート、ポリトリメチレンテレフタラート、ポリブチレンテレフタラートおよびポリアクリルからなる群から選ばれる１種以上の樹脂であることが好ましい。
また、前記加工方法において、前記磁石が永久磁石であることが好ましい。
また、前記加工方法において、前記永久磁石の磁束密度が１０００ガウス以上、１４０００ガウス以下であることが好ましく、さらに９０００ガウス以上、１４０００ガウス以下であることが好ましい。
また、前記加工方法において、前記スラリーがシリカ砥粒、セリア砥粒、アルミナ砥粒、ジルコニア砥粒、炭化ケイ素砥粒、ダイヤモンド砥粒のいずれかを含み水を分散媒とするスラリーであることが好ましい。
また、前記加工方法において、前記ガラス基板の上下面を同時に加工することが好ましい。
また、前記上定盤と前記下定盤が鋳鉄からなることが好ましい。

また、本発明は、前記加工方法を用いて繰り返しガラス基板を加工する方法であって、前記加工方法を用いてガラス基板を加工した後に、磁性異物が付着した前記被覆材を磁石から剥離し、磁性異物が付着していない剥離可能な被覆材でその磁石を被覆し、この剥離可能な被覆材で被覆された磁石を用いて前記加工方法によりガラス基板を加工することを特徴とする繰り返しガラス基板を加工する方法を提供する。

また、本発明は、前記加工方法を用いて製造された磁気ディスク用ガラス基板またはフォトマスク用ガラス基板を提供する。

本発明のガラス基板の加工装置、ガラス基板の加工方法、及び繰り返しガラス基板を加工する方法によれば被覆材を剥がすだけで容易に磁性異物を除去することが可能で、異物の捕集効率の低下や配管の詰まりの発生を減少させる事ができる。また磁石が直接スラリーまたはクーラントに触れる事がないので酸化による変質や、磁力の低下も発生しない。よって効率的かつ継続的に磁性異物の除去が可能になる。

本発明に係る両面加工装置の外観図である。 図１の両面加工装置の一部である貯留室の部分断面図である。 本発明に係るガラス基板の加工方法を説明するフローチャートである。 磁石に付着した磁性異物の写真である。 両面加工装置の加工部を示す概略斜視図である。

以下、本発明の加工装置の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。以下の説明において加工装置としてガラス基板の上下面を同時に加工できる両面加工装置を例示する。

両面加工装置１０は、図５で示したように、それぞれ所定の回転比率で回転駆動されるインターナルギヤ１０１とサンギヤ１０２を有するキャリア装着部と、このキャリア装着部を挟んで互いに逆回転駆動され鋳鉄等の金属からなる上定盤１０３及び下定盤１０４とを有する加工部１００を備えて構成され、キャリア装着部には、インターナルギヤ１０１及びサンギヤ１０２と噛合する複数のキャリア１０７が装着されている。このキャリア１０７は自らの中心を軸に自転し、かつサンギヤ１０２を軸に公転する遊星歯車運動し、この遊星歯車運動によりキャリア１０７に装着されて、上定盤１０３と下定盤１０４との間に保持されたガラス基板１０５の両面が上定盤１０３及び下定盤１０４との摩擦で同時に加工される。

上下定盤１０３、１０４は、上下定盤１０３、１０４間に供給される砥粒を含むスラリーによりガラス基板１０５の両面を加工するか、若しくは、砥粒を含有するセラミックもしくは樹脂が上下定盤１０３、１０４に固定され、水を主たる成分とするクーラントを供給しながらガラス基板１０５の両面を加工する。

図１及び図２に示すように、上下定盤１０３、１０４の左下方には、スラリー又はクーラントを貯留する貯留室１１が設けられ、貯留室１１に貯留したスラリー又はクーラントは汲み上げポンプ１２により第１配管１３を通って上下定盤１０３、１０４間に供給され、上下定盤１０３、１０４間に供給されたスラリー又はクーラントは第２配管１４を通って貯留室１１に排出され、両面加工装置１０内をスラリー又はクーラントが循環するように構成されている。なお、貯留室１１には貯留したスラリー又はクーラントを攪拌する攪拌翼１５が設けられている。

ここで、スラリー又はクーラントの循環経路上、本実施形態では、貯留室１１と第２配管１４との接続部に、剥離可能な樹脂１８により被覆された永久磁石１６がかご１７内に配設されている。なお、この被覆はスラリーまたはクーラントが永久磁石１６に直接接触しないようにする。また、被覆材として樹脂１８を例示したがこれに限定されず、非磁性且つ防水性を有し、且つ、剥離可能な任意の被覆材を用いることができる。また、被覆材はフィルム状、袋状など剥離可能であればその形態を問わない。樹脂１８としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリエチレンテレフタラート、ポリトリメチレンテレフタラート、ポリブチレンテレフタラート、ポリアクリル等を用いることができる。また、磁石は永久磁石に限らず、電磁石を用いてもよい。また、スラリー又はクーラントの循環経路上であれば、貯留室１１と第２配管１４との接続部に限定されず、第１配管１３中、第２配管１４中、貯留室１１中など任意の場所に配設することができる。

永久磁石は、ネオジウム磁石、フェライト磁石など公知の永久磁石を用いることができ、１０００ガウス以上、１４０００ガウス以下であることが好ましく、９０００ガウス以上、１４０００ガウス以下であることが更に好ましい。

このように構成された本実施形態の両面加工装置１０においては、貯留室１１に貯留したスラリー又はクーラントを供給しながらガラス基板１０５のラッピング、研磨などを行なうことができる。
このとき、循環するスラリー又はクーラントは貯留室１１と第２配管１４との接続部に配設され樹脂１８により被覆された永久磁石１６近傍を通過するため、スラリー又はクーラント内に混入した金属屑が永久磁石１６の磁力により樹脂１８表面に付着する。そして、定期的に、又は、金属屑が溜まったときに随時樹脂１８を剥がして交換することにより、スラリー又はクーラント内に混入した金属屑が除去され、スラリー又はクーラント内に金属屑が混入することによりガラス基板１０５に発生する傷を低減することができる。

続いて、本発明のガラス基板の製造方法の一実施形態について図３のフローチャートを参照しながら説明する。本実施形態のガラス基板１０５の製造方法は、
（１）形状加工工程（Ｓ１）と、
（２）ラップ工程（Ｓ２）と、
（３）第１洗浄工程（Ｓ３）と、
（４）第１ポリッシング工程（Ｓ４）と、
（５）第２洗浄工程（Ｓ５）と、
（６）第２ポリッシング工程（Ｓ６）と、
（７）第３洗浄工程（Ｓ７）と、を有している。

形状加工工程（Ｓ１）は、円形のガラス基板１０５（例えばφ６５ｍｍのガラス基板）を準備する工程であって、矩形の板ガラスの中央に貫通孔（内孔）を形成し、円形のガラスに加工する切り出し工程と、切り出した円形のガラスのエッジ（主表面と貫通孔を形成する内周端面との交線及び主表面と外周端面との交点）に面取り処理を施す面取り工程と、内周および外周を鏡面に研磨する工程とを有する。ここで、主表面とは、ガラス基板１０５の表面及び裏面を含めた環状部分をいう。

ラップ工程（Ｓ２）は両面加工装置１０でガラス基板１０５の厚みを最終製品厚みの１１０％以下（最終板厚が６３５μｍの場合には６９９μｍ以下、最終板厚が８００μｍの場合には８８０μｍ以下）まで整える研削工程を有する。

具体的にはラップ工程（Ｓ２）では、遊離砥粒ラップの場合は平均粒径が３．０μｍ〜４０μｍであるアルミナ砥粒、ジルコニア砥粒、炭化珪素砥粒、ダイヤモンド砥粒のいずれかを含有する水を主たる分散媒とするスラリーを供給しながら金属定盤、例えば鋳鉄定盤を用いて研削する。固定砥粒ラップの場合は平均粒径が３．０μｍ〜４０μｍであるアルミナ砥粒、ジルコニア砥粒、炭化珪素砥粒、ダイヤモンド砥粒のいずれかを含有するセラミックもしくは樹脂が両面加工装置１０の上下定盤１０３、１０４に固定され、水を主たる成分とするクーラントを流しながらガラス基板１０５の上下面が研削される。

続いて、第１洗浄工程（Ｓ３）において、ラップ工程（Ｓ２）を終えたガラス基板１０５を洗浄する。例えば、水、洗剤、強酸もしくは強アルカリを用いた超音波洗浄を行う。

第１ポリッシング工程（Ｓ４）では、両面加工装置１０でセリアスラリーを供給しながらガラス基板１０５の主表面を研磨処理することで、ラップ工程において板状ガラスの主表面に形成されていた微細な凹凸形状を低減させ鏡面化された主表面を得ることができる。より具体的には平均粒径０．１μｍ〜２．０μｍのセリア砥粒を水に分散させたセリアスラリーを用い上下定盤１０３、１０４に硬質発泡ウレタンパッドやスエード状ウレタンパッドを貼り付けた両面加工装置１０を用いてガラス基板１０５を研磨し鏡面加工を行う。

続いて、第２洗浄工程（Ｓ５）において、第１ポリッシング工程（Ｓ４）を終えたガラス基板を洗浄する。例えば、水、洗剤、強酸もしくは強アルカリを用いた超音波洗浄を行う。

第２ポリッシング工程（Ｓ６）では、両面加工装置１０にシリカスラリーを供給しながらガラス基板１０５の主表面を研磨処理することで、主表面の算術平均粗さ（Ｒa）を０．３ｎｍ以下に整える。より具体的には平均粒径０．００５μｍ〜０．１μｍのコロイダルシリカ砥粒を水に分散させたシリカスラリーを用い上下定盤１０３、１０４にスエード状ウレタンパッドを貼り付けた両面加工装置１０を用いてガラス基板１０５を研磨し粗さを整える。

続いて、第３洗浄工程（Ｓ７）において、第２ポリッシング工程（Ｓ６）を終えたガラス基板１０５を洗浄する。例えば、水、洗剤、強酸もしくは強アルカリを用いた超音波洗浄を行う。

ここで、（Ｓ１）〜（Ｓ７）の一連のガラス基板１０５の加工方法を所定回数繰り返した後、永久磁石１６を被覆する樹脂１８を剥がして再度新たな樹脂１８で被覆することにより樹脂１８の交換がなされ、吸着した金属屑が樹脂１８とともに排除される。

このように、両面加工装置１０を繰り返し使用中に樹脂１８を交換することで、容易に磁性異物を清掃することが可能で、異物の捕集効率の低下や配管の詰まりを発生させることがない。また永久磁石１８が直接スラリー又はクーラントに触れることがないので酸化による変質や、磁力の低下も発生しない。よって効率的かつ継続的に磁性異物の除去が可能になる。

なお、本発明におけるガラス基板の製造方法はこのようなものに限定されず、少なくとも１回のラップ工程又はポリッシング工程を備えていればよく、追加の形状加工工程、主表面のポリッシング工程、洗浄工程、強化工程などを備えていてもよい。

また、本発明のガラス基板の製造方法は、いずれのスラリー、クーラントを用いるガラス加工装置に用いる事もできるが、特にガラス基板の上下面同時に加工可能な両面加工装置１０では片面の加工装置に比して加工抵抗が高くギアや上下定盤１０３、１０４から異物が発生しやすくなるためより好適に用いられる。

また、本発明のガラス基板の製造方法は、いずれの砥粒、いずれの材質の上下定盤１０３、１０４を用いたガラスの加工装置に用いる事も出来る。ガラス基板をアルミナ砥粒または炭化珪素砥粒のいずれかを含むスラリーを用い鋳鉄定盤で挟んでラップ加工を施す両面加工装置ではより鋳鉄定盤の磨耗が激しく大量の金属磨耗屑が発生するため好適に用いられる。

また本発明のガラス基板の加工装置及び製造方法は磁気ディスク用、フォトマスク用、液晶テレビ用、平面レンズ用いずれのガラス基板の製造にも用いる事が出来るがより好適には微小な欠点が性能に影響する磁気ディスク用、フォトマスク用ガラス基板の製造に好的に用いられる。

以下、本実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を具体的に説明する。なお、本発明は、これら実施例の構成に限定されるものではない。
[磁性異物捕集性能確認試験]
磁性異物の捕集性能を確認するために大型の両面加工装置（２２Ｂ：２２インチのキャリアを搭載可能な両面加工装置）を用いて以下の磁性異物捕集性能確認試験を行った。試験には直径２．５インチ、厚み約８００μｍの磁気ディスク用ガラス基板を用意した。またスラリーには平均径７μｍ程度のアルミナ砥粒を水に分散させたスラリーを用い、上下定盤は溝加工が施された鋳鉄定盤を用いた。加工圧力は７ｋＰａとし、厚みが６７０μｍ程度になるようラップ加工を行った。

またラップ加工を行った基板は次に洗浄が実施された後、セリアスラリーによる研磨が実施され厚みが６４０μｍ程度の鏡面加工された基板となった。その後再度洗浄が実施され、シリカスラリーによる研磨で粗さが整えられた後、最終洗浄が実施された。最終洗浄が終わった後、全ての基板は欠点検査が実施された。なお、この一連の加工工程を以下、１バッチと呼ぶ。

実施例１においては、図２に示すように貯留室１１と第２配管１４との接続部に市販のポリ塩化ビニリデンフィルムで包んだ９０００ガウスのネオジウム磁石を配した。比較例１においては上記と同じ場所に樹脂で被覆しない９０００ガウスのネオジウム磁石を配した以外は実施例１と同様の条件とした。実施例２においては実施例１と同じ場所にポリ塩化ビニリデンフィルムで被覆した１３００ガウスのフェライト磁石を配した以外は実施例１と同様の条件とした。比較例２においては循環経路上に磁石を配置しなかった以外は実施例１と同様の条件とした。

実施例１および２については２０バッチ加工後毎に磁石のポリ塩化ビニリデンフィルムを交換し、その付着磁性異物を乾燥させ重量も測定した。比較例１については２０バッチ加工後毎に磁石を水で洗浄し、洗浄で落ちた付着磁性異物を乾燥させ重量を測定した。ラップ工程に於ける磁性異物捕集性能確認試験の結果を表１に示す。

実施例１のネオジウム磁石をポリ塩化ビニリデンフィルムで被覆した場合は継続的に２０ｇ程度の磁性異物が除去可能であった。比較例１では実施例１に比べ磁石に付着した磁性異物が除去できないため、次第に磁性異物が磁石に付着しにくくなり、４１バッチ以降はほとんど磁性異物を除去する事ができなかった。実施例２ではネオジウム磁石に比べ磁性異物付着量は少なかったが、実施例１と同様に安定的に継続して磁性異物を除去する事が可能であった。

表２には実施例１、２、比較例１、２における最終的な傷発生率を示す。傷発生率は、検査したガラス基板の総数のうち傷が検出されたガラス基板の数を表わしている。

実施例１では磁石をポリ塩化ビニリデンフィルムで被覆しない比較利１に比べて０．８％傷発生率が低減した。実施例２では比較例１に比べて０．３％傷発生率が低減した。

図４には実施例１で確認された付着物の電子顕微鏡写真の一例を示す。実施例１ではこのような傷要因となる磁性異物を効率的かつ継続的に除去する事が可能である。

以上の結果から、本発明によれば樹脂を剥がして交換するだけで容易に磁性異物を清掃することが可能で、異物の捕集効率の低下や配管の詰まりを発生させる事がない。また磁石が直接スラリーまたはクーラントに触れる事がないので酸化による変質や、磁力の低下も発生しない。よって効率的かつ継続的に磁性異物の除去が可能になる。

なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態で実施し得るものである。

１０ 両面加工装置（加工装置）
１６ 永久磁石（磁石）
１８ 樹脂（被覆材）
１０３ 上定盤
１０４ 下定盤
１０５ ガラス基板

Claims (9)

1. 上定盤と下定盤との間にガラス基板を保持してスラリーまたはクーラントを供給しながらガラス基板を加工するに際し、内部に攪拌翼を有し前記スラリーまたは前記クーラントを貯留する貯留室に貯留した前記スラリーまたは前記クーラントを該貯留室に設けられたポンプにより第１配管を介して加工部に供給し、該加工部から第２配管を介して前記貯留室に排出させる、ガラス基板の加工方法を用いて繰り返しガラス基板を加工する方法であって、
   前記加工方法では、剥離可能な被覆材で被覆された磁石を、前記第２配管と前記貯留室との間に設け、
   前記被覆材で被覆された磁石が配設された循環経路を循環する前記スラリーまたは前記クーラントを前記上定盤と前記下定盤との間に供給し、
   前記加工方法を用いてガラス基板を加工した後に、磁性異物が付着した前記被覆材を磁石から剥離し、磁性異物が付着していない剥離可能な被覆材でその磁石を被覆し、この剥離可能な被覆材で被覆された磁石を用いて前記加工方法によりガラス基板を加工することを特徴とする繰り返しガラス基板を加工する方法。
2. 前記被覆材は樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の繰り返しガラス基板を加工する方法。
3. 前記樹脂がポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリプロピレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリエチレンテレフタラート、ポリトリメチレンテレフタラート、ポリブチレンテレフタラートおよびポリアクリルからなる群から選ばれる１種以上の樹脂であることを特徴とする請求項２に記載の繰り返しガラス基板を加工する方法。
4. 前記磁石が永久磁石であることを特徴とする請求項１、２または３に記載の繰り返しガラス基板を加工する方法。
5. 前記永久磁石の磁束密度が１０００ガウス以上、１４０００ガウス以下であることを特徴とする請求項４に記載の繰り返しガラス基板を加工する方法。
6. 前記永久磁石の磁束密度が９０００ガウス以上、１４０００ガウス以下であることを特徴とする請求項５に記載の繰り返しガラス基板を加工する方法。
7. 前記スラリーがシリカ砥粒、セリア砥粒、アルミナ砥粒、ジルコニア砥粒、炭化ケイ素砥粒、ダイヤモンド砥粒のいずれかを含み水を分散媒とするスラリーであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の繰り返しガラス基板を加工する方法。
8. 前記ガラス基板の上下面を同時に加工することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の繰り返しガラス基板を加工する方法。
9. 前記上定盤と前記下定盤が鋳鉄からなることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の繰り返しガラス基板を加工する方法。