JP5446243B2 - 電気光学装置、駆動方法および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、１フィールドを複数に分割したサブフィールドの各々において、画素をオン
またはオフ状態とすることにより階調を表現する技術に関する。

液晶素子や有機ＥＬ素子などの表示素子を有する電気光学装置において階調表示を行う
場合、次のような技術が提案されている。すなわち、１フィールドを複数のサブフィール
ドに分割するとともに、分割した各サブフィールドにおいて表示素子をオンまたはオフ状
態として、１フィールドにおいて画素がオン（オフ）状態する時間の割合を変化させるこ
とによって中間階調表示を行う技術が提案されている（特許文献１参照）。
特開２００３−１１４６６１号公報

しかしながら、この技術において、表示可能な階調数を増加させるには、１フィールド
を分割するサブフィールド数を多くする必要がある。サブフィールド数を増加させると、
走査線の選択時間を十分に確保することができなくなる、または、駆動周波数を高くする
必要がある。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的の一つは、サブフィールド
毎にオンオフ状態とする技術において、表示可能な階調数の増加と、走査線の選択時間の
確保とを両立させた電気光学装置等を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置は、複数Ｒreal本の走査線と複
数本のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、前記走査線が選択されたときに、
前記データ線に供給されたデータ信号に応じてオンまたはオフ状態となる画素を有し、１
フィールドを複数のＮsf個のサブフィールドで構成し、前記Ｎsf個のサブフィールドの各
々は、１フィールドを複数のＮdiv個に等分割した期間長の第１群と、前記第１群のサブ
フィールドの複数倍の期間長を有する第２群とに分けられ、前記Ｎsf個のサブフィールド
毎に前記画素をオンまたはオフ状態として、１フィールドを単位として階調制御する電気
光学装置であって、前記Ｒreal本の走査線を含むＲvir（Ｒvir≧Ｒreal）本の仮想走査線
を想定し、当該Ｒvir本の仮想走査線を、１フィールドにおいて配列するサブフィールド
の期間長の比に応じた線数で飛び越し走査する走査線駆動回路と、選択された走査線に位
置する画素に対し前記データ信号を、前記データ線を介して供給するデータ線駆動回路と
、を有し、前記１フィールドの分割数Ｎdivとして取り得る２つの異なる値同士で比較し
たときに、前記飛び越し走査における基準飛び越し走査線数Ｙsが小さい方の分割数Ｎdiv
であって、前記１フィールドの期間を、前記サブフィールド個数Ｎsfおよび前記仮想走査
線線Ｒvirの積で除した選択期間の長い方の分割数Ｎdivを選択したことを特徴とする。本
発明によれば、表示可能な階調数の増加と、走査線の選択時間の確保とを両立させること
が可能となる。

本発明において、前記選択期間の長い方の分割数Ｎdivは、前記選択期間の短い方の分
割数Ｎdivよりも大きい構成が好ましい。
詳細には、前記基準飛び越し走査線数Ｙsは、前記Ｒrealを前記Ｎdivで除した値に小数
が伴わなければ、その値であり、前記Ｒrealを前記Ｎdivで除した値に小数が伴うのであ
れば、その小数点以下を切り上げた整数であり、前記仮想走査線数Ｒvirは、（Ｎdiv×Ｙ
s）であり、前記第１群のサブフィールドの期間長の重みＷsf1を１としたときに、前記第
２群のサブフィールドの期間長の重みＷsf2を、分割数Ｎdivの平方根のうち、小数点以下
を四捨五入した整数値とし、第１群のサブフィールドの個数をＮsf1とし、第２群のサブ
フィールドの個数をＮsf2としたとき、前記第２群のサブフィールドの個数Ｎsf2を｛（Ｎ
div／Ｗsf2）−１｝（ただし、Ｎdiv／Ｗsf2−１の結果を小数点以下切り上げして整数化
する）とし、前記第１群のサブフィールドの個数Ｎsf1を｛Ｎdiv−Ｗsf2×Ｎsf2｝として
、前記サブフィールド個数Ｎsfが（Ｎsf1＋Ｎsf2）である構成が好ましい。
また、サブフィールドに対して、どのようにオンオフ状態を規定するかについては、所
定の地点を起点とし、前記起点から離れる方向に、かつ、オンまたはオフ状態とさせるサ
ブフィールドが連続するように、階調レベルに応じてオンまたはオフ状態となる期間長が
設定されることが好ましい。
さらに、Ｎsf個のサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィールドが常にオフ
状態または常にオン状態である構成としても良い。
また、前記第１群のサブフィールドのオン電圧として、第１の電圧を用い、前記第２群
のサブフィールドのオン電圧として、前記第１の電圧と、前記第１の電圧よりも高い第２
の電圧を用い、前記第２群のサブフィールドのうち、前記起点から最も離れたサブフィー
ルドにおいて、または、前記起点から最も離れたサブフィールドから前記起点に向かう方
向に連続する２以上のサブフィールドにおいて、前記第２の電圧を用いて、暗い表示で表
現特性を向上させても良い。
なお、本発明は、電気光学装置に限られず、駆動方法としても、また、当該電気光学装
置を有する電子機器としても概念することが可能である。

まず、実施形態に係る電気光学装置において前提となる構成および駆動方法について説
明することにする。
図１は、本発明の実施の形態が適用される電気光学装置のシステム構成を示すブロック
図である。この図に示されるように、電気光学装置は、表示制御回路１０と表示パネル１
００とに大別され、表示制御回路１０が表示パネル１００を制御する構成となっている。

説明の便宜上、表示パネル１００の構成について図２を参照して説明する。
この図に示されるように、表示パネル１００において表示領域１０１では、１、２、３
、…、２４０行目の走査線１１２がＸ方向（図において横方向）に延在するように設けら
れ、また、１、２、３、…、３２０列目のデータ線１１４がＹ方向（図において縦方向）
に延在するように、かつ、各走査線１１２と互いに電気的に絶縁を保つように設けられて
いる。
そして、２４０行の走査線１１２と３２０列のデータ線１１４との交差のそれぞれに対
応して、画素１１０がそれぞれ配設されている。したがって、本実施形態では、表示領域
１０１において画素１１０が縦２４０行×横３２０列でマトリクス状に配列することにな
る。

本実施形態において、データ線１１４は、８列毎にブロック化されている。詳細には、
データ線１１４は、１〜８列目、９〜１６列目、１７〜２４列目、…、３１３〜３２０列
というように８列毎にブロック化されている。このため、ブロックを単位としてみると、
１、２、３、…、４０番目のブロックが順に設けられることになる。

表示領域１０１の周辺には、各走査線１１２にそれぞれ走査信号を供給する走査線駆動
回路１３０と、各データ線１１４にそれぞれデータ信号としてデータビットを供給するデ
ータ線駆動回路１４０とがそれぞれ配置する。
このうち、走査線駆動回路１３０は、アドレス信号Ａyによって指定された走査線への
走査信号を選択電圧に相当するＨレベルとし、他の走査線への走査信号を非選択電圧に相
当するＬレベルとする一種のアドレスデコーダである。
なお、１、２、３、…、２４０行目の走査線１１２に供給される走査信号をそれぞれＧ
1、Ｇ2、Ｇ3、…、Ｇ240と表記し、このうち、１以上２４０以下の整数をｉとしてｉ行目
の走査線１１２に供給される走査信号をＧiと一般的に表記したときに、走査線駆動回路
１３０は、アドレス信号Ａyによってｉ行目の走査線が指定されると、走査信号Ｇiのみを
Ｈレベルとし、他の走査信号をＬレベルとする。
一方、１〜３２０列目のデータ線１１４には、データ線駆動回路１４０によってそれぞ
れデータビットが供給される。ここで、１、２、３、…、３２０列目のデータ線１１４に
供給されるデータビットを、それぞれｄ1、ｄ2、ｄ3、…、ｄ320と表記する。なお、デー
タ線駆動回路１４０については後述する。

図３は、表示パネル１００における画素１１０の一例を示す図である。画素１１０につ
いては、互いに構成が共通であるので、ここでは、一般化してｉ行ｊ列の画素１１０につ
いて説明する。
なお、ｊは、画素１１０が配列する行・列のうち、列を一般的に示す場合の記号であっ
て、ここでは１以上３２０以下の整数である。

図３に示されるように、画素１１０は、液晶素子１２０、ｎチャネル型のトランジスタ
１２１、ＮＯＴ回路１２３、１２４、アナログスイッチ（トランスミッションゲート）１
２５、１２６を含む。ｉ行ｊ列の画素１１０において、トランジスタ１２１のゲート電極
はｉ行目の走査線１１２に接続される一方、そのソース電極はｊ列目のデータ線１１４に
接続され、そのドレイン電極は、ＮＯＴ回路１２３の入力端に接続されている。ＮＯＴ回
路１２３の出力端は、ＮＯＴ回路１２４の入力端に接続されており、ＮＯＴ回路１２４の
出力端は、ＮＯＴ回路１２３の入力端に接続されている。
ここで、ＮＯＴ回路１２３の入力端およびＮＯＴ回路１２４の出力端を接続点Ｑとし、
ＮＯＴ回路１２３の出力端およびＮＯＴ回路１２４の入力端を接続点／Ｑとする。
ｉ行目の走査線１１２がＨレベルとなってトランジスタ１２１がオンしたとき、ｉ行ｊ
列の画素１１０では、ｊ列目のデータ線１１４に供給されたデータビットｄjが接続点Ｑ
で、データビットｄjの反転ビットが接続点／Ｑで、それぞれ記憶される。なお、記憶さ
れたデータビットは、ｉ行目の走査線１１２がＬレベルとなっても、スタティックに記憶
される。

液晶素子１２０は、画素毎の画素電極１１８と各画素にわたって共通であって信号Ｖco
mが印加されるコモン電極１０８とで液晶を挟持したものであり、保持電圧に応じて透過
率が変化する構成となっている。ただし、本実施形態において液晶素子１２０に保持され
る電圧は、後述するようにオンまたはオフ電圧の２値のみである。このため、液晶素子１
２０がノーマリーホワイトモードであれば、オフ電圧を保持したときに明状態（オフ状態
）となり、オン電圧を保持したときに暗状態（オン状態）となる。
アナログスイッチ１２５、１２６は、接続点ＱにおけるビットがＬレベルに相当する“
０”である場合（接続点／Ｑにおけるビットが“１”である場合）にそれぞれオフ、オン
して、画素電極１１８に信号Ｖoffを印加する一方、接続点ＱにおけるビットがＨレベル
に相当する“１”である場合（接続点／Ｑにおけるビットが“０”である場合）にそれぞ
れオン、オフして、画素電極１１８に信号Ｖonを印加する。
なお、実際には図３において破線で示されるように、各列においてデータビットｄjの
反転ビット／ｄjを供給する反転データ線１１４’が列毎に設けられるとともに、各画素
においてトランジスタ１２２が設けられる構成が好ましいが、本発明では画素１１０がオ
ンまたはオフ状態となれば良く、その内部構成については重要ではないので、これ以上の
説明を省略している。

信号Ｖcom、Ｖon、Ｖoffは、図１におけるタイミング制御回路２０によって、図４に示
されるような電圧で供給される。詳細には、図４に示されるように、信号Ｖcomの電圧は
、１フィールド（１ｆ）毎にＶh、Ｖlで交互に切り替わる。また、信号Ｖonは信号Ｖcom
と反対の電圧をとり、信号Ｖoffは信号Ｖcomと同一の電圧をとる。
したがって、接続点Ｑにおけるビットが“０”である場合、画素電極１１８にコモン電
極１０８と同電圧が印加されるので、液晶素子１２０の保持電圧Ｖ_ＬＣは、オフ電圧に相
当するゼロとなる。一方、接続点Ｑにおけるビットが“１”である場合、画素電極１１８
にコモン電極１０８と反対の電圧が印加されるので、液晶素子１２０の保持電圧Ｖ_ＬＣは
、オン電圧に相当する（Ｖh−Ｖl）となる。
また、接続点Ｑにおけるビットが“１”である場合において、信号Ｖcomが電圧Ｖlであ
れば、画素電極１１８はコモン電極１０８よりも高位（正極性）となり、信号Ｖcomが電
圧Ｖhであれば、画素電極１１８はコモン電極１０８よりも低位（負極性）となるので、
液晶素子１２０は１フィールド毎に交流駆動されて、液晶の劣化が防止されることになる
。

なお、図４は、接続点Ｑで記憶されたビットが“０”または“１”で一定である場合に
、液晶素子１２０の保持電圧Ｖ_ＬＣがどうなるかを示すに過ぎない。実際には、接続点Ｑ
に記憶されるビットは、後述するように１フィールドを分割したサブフィールド毎に書き
換えられる。
また、図３に示した画素１１０の構成は、表示素子として液晶素子１２０を用いた場合
の一例であり、オン状態とオフ状態とを取り得る表示素子であれば、後述するように種々
のタイプが適用可能である。

次に、オン状態とオフ状態との２通りしか取り得ない液晶素子１２０を用いて、階調を
表現するためには、単位期間である１フィールド（１ｆ）を複数のサブフィールドに分割
するとともに、このサブフィールド毎に液晶素子１２０をオン状態またはオフ状態として
、１フィールド（１ｆ）においてオン状態（オフ状態）が占める期間の割合を制御する必
要がある。
ここで、１フィールドとは、表示領域１０１における画素１１０のすべてにおいて階調
表現に要する単位期間をいい、ノンインターレース方式におけるフレームと同義であって
、１６．７ミリ秒（フィールド周波数６０Ｈｚの１周期分）で一定である。

次に、本実施形態に係る電気光学装置におけるサブフィールドについて説明する。
本実施形態においては、１フィールドを複数個のスロットに等分割して、これらのスロ
ットに第１群および第２群のサブフィールドを割り当てる。詳細には、第１群のサブフィ
ールドの期間長については、それぞれスロットと同じ期間長に設定し、第２群のサブフィ
ールドの期間長については、互いに等しく、かつ、それぞれ第１群のサブフィールドの期
間長よりも所定倍の重みで設定する。
このように設定したサブフィールドを用いて階調表現する場合、暗い階調レベルから明
るい階調レベルとなるにしたがって、１フィールドにおいて明状態となる期間が徐々に長
くなるように、各サブフィールドにおけるオンオフ状態を階調レベル毎に規定する。

図５は、このように割り当てたサブフィールドの一例を示す図である。
この図に示される例では、１フィールドが１６個のスロットに等分割されており、この
スロットを単位としてサブフィールドが割り当てられる。詳細には、サブフィールドは、
第１群および第２群に分けられ、このうち、第１群のサブフィールドｓｆ１〜ｓｆ４が、
それぞれスロットと同じ期間長に設定され、第２群のサブフィールドｓｆ５〜ｓｆ７は、
互いに期間長が等しく、かつ、それぞれ第１群のサブフィールドｓｆ１〜ｓｆ４よりも４
倍の期間長に設定されている。
なお、図５に示される例では、１フィールドが、時間的な順番でいうとサブフィールド
ｓｆ１、ｓｆ２、ｓｆ３、ｓｆ４、ｓｆ５、ｓｆ６、ｓｆ７で配列している。

本実施形態では、液晶素子１２０がオン状態で暗状態となり、オフ状態で明状態となる
ノーマリーホワイトモードとしているので、各サブフィールドにおけるオンオフ状態が階
調レベル毎に規定される。
なお、サブフィールドｓｆ１は、階調レベルにかかわらず、強制的にオン状態またはオ
フ状態のいずれとする。これは、液晶の特性（低応答性）や擬似輪郭の抑制を考慮したた
めである。特に図５に示される例では、動画表示時の「ぼやけ感」を抑える点も考慮して
いるために、サブフィールドｓｆ１では、ノーマリーホワイトモードにおけるオン状態の
暗状態としている。ノーマリーブラックモードであれば、オフ状態で暗状態となるので、
サブフィールドｓｆ１において、階調レベルにかかわらず、強制的にオフ状態とすれば良
い。

また、図５に示される例では、第１群と第２群との境界、すなわち、サブフィールドｓ
ｆ４とｓｆ５との境界を起点として、明るい階調レベルを指定するにつれて、オフ状態と
するサブフィールドが当該境界から離れる方向に、かつ、オフ状態とするサブフィールド
のすべてが連続するように、それぞれ規定されている。このように規定すると、階調レベ
ル「０」を除いた各階調レベルにおいて、１フィールド当たりのオンからオフへの移行、
および、オフからのオンへの移行回数がそれぞれ１回ずつとなり、液晶の応答特性が階調
レベルに与える影響を、各階調レベルにわたって均等化することができる。
なお、図５に示される例では、見方を変えると、１フィールドの境界を起点として、暗
い階調レベルを指定するにつれて、オン状態とするサブフィールドが当該境界から離れる
方向に、かつ、オン状態とするサブフィールドのすべてが連続するように、規定されてい
る、ということもできる。
このため、オンまたはオフ状態とさせるサブフィールドを連続させる際の起点について
は、同じフィールドにおける第１群と第２群との境界に限られず、時間的に前のフィール
ドにおける第２群と時間的に後で隣接するフィールドにおける第１群との境界も含まれる
。
なお、表示パネル１００においては、図５に示したサブフィールドを適用して駆動する
ものとする。

説明を再び図１に戻すと、表示制御回路１０は、タイミング制御回路２０、フィールド
メモリ３０、ＬＵＴ（ルックアップテーブル）４０およびブロック化回路５０を含む。
タイミング制御回路２０は、制御信号Ｃtrを生成して、表示パネル１００における走査
線駆動回路１３０やデータ線駆動回路１４０の駆動制御するほか、この駆動制御に合わせ
てフィールドメモリ３０やＬＵＴ４０なども制御する。
なお、制御信号Ｃtrには、アドレス信号Ａyや、後述するパルス信号Ｄx、クロック信号
Ｃlxのほか、表示パネル１００の全画素１１０にわたって共通の信号Ｖcom、Ｖon、Ｖoff
が含まれる。

フィールドメモリ３０は、縦２４０行×横３２０列の画素配列に対応した記憶領域を有
し、各記憶領域では、それぞれに対応する画素１１０の階調レベルを指定する表示データ
Ｄaが記憶される。
なお、表示データＤaは、図示省略した上位回路から供給されて、フィールドメモリ３
０に記憶領域に書き込まれる一方、タイミング制御回路２０によって、アドレス信号Ａy
で指定される走査線よりも１つ前に選択される走査線に位置する画素１行分の表示データ
Ｄaが、フィールドメモリ３０から１〜３２０列の順番に読み出される構成となっている
。

ＬＵＴ４０は、フィールドメモリ３０から読み出された表示データＤaを、画素をオン
状態またはオフ状態を指定するデータビットＤbに、番号Ｓbで通知されたサブフィールド
ｓｆ１〜ｓｆ７に対応して変換するものである。ここで、階調レベルと、各サブフィール
ドｓｆ１〜ｓｆ７において画素をオン状態またはオフ状態を指定するかについては、図５
に示した通りである。
なお、データビットが“０”である場合に、それぞれ画素のオフ状態を指定し、データ
ビットが“１”である場合に、それぞれ画素のオン状態を指定するものとすると、例えば
、階調レベル「６」である表示データＤaは、サブフィールドｓｆ１〜ｓｆ７において、
それぞれ“１”、“１”、“０”、“０”、“０”、“１”、“１”に変換される。

ブロック化回路５０は、ＬＵＴ４０により変換されたデータビットＤbを、タイミング
制御回路２０による制御にしたがい、データ線のブロック毎に８ビットずつまとめて、デ
ータＤsとして信号線１５２に出力する回路である。
したがって、あるサブフィールドにおいて、フィールドメモリ３０から読み出された画
素１行分の表示データＤaは、当該サブフィールドにおいてオンオフ状態を規定するデー
タビットＤbを、１〜８列目、９〜１６列目、１７〜２４列目、…、３１３〜３２０列の
ブロックでまとめたデータＤsとして信号線１５２に出力されることになる。

さて、図２において、データ線駆動回路１４０は、Ｘシフトレジスタ１４２と、ブロッ
ク毎に設けられたラッチ回路１４４と、データ線毎に設けられたラッチ回路１４６とを含
む。このうち、Ｘシフトレジスタ１４２は、図８に示されるように、アドレス信号Ａyに
よって１行の走査線が選択される期間の開始時に供給されるパルス信号Ｄxを、クロック
信号Ｃlxの論理レベルが変化する毎に順次シフトするとともに、そのシフトしたパルス信
号の幅をクロック信号Ｃlxの半周期に狭めて、各ブロックに対応してサンプリング信号Ｓ
1、Ｓ2、Ｓ3、…、Ｓ40として出力するものである。
ブロック毎に設けられるラッチ回路１４４は、信号線１５２に供給されたデータＤsを
、サンプリング信号がＨレベルとなるタイミングでラッチし、サンプリング信号がＬレベ
ルとなっても以降、保持し続けるものである。

ここで、タイミング制御回路２０は、信号線１５２に供給するデータＤsと同期するよ
うに、詳細には、１〜８列目、９〜１６列目、１７〜２４列目、…、３１３〜３２０列目
のブロックでまとめたデータＤsが信号線１５２に供給されたときにサンプリング信号Ｓ1
、Ｓ2、Ｓ3、…、Ｓ40が順番にＨレベルとなるように、パルス信号Ｄxおよびクロック信
号Ｃlxを供給して、Ｘシフトレジスタ１４２を制御する。
このため、１、２、３、…、４０番目のブロックに対応するラッチ回路１４４は、１〜
８列目、９〜１６列目、１７〜２４列目、…、３１３〜３２０列目のブロックでまとめた
データＤsをラッチすることになる。

データ線毎に設けられるラッチ回路１４６は、ラッチ回路１４４によりラッチされたデ
ータＤsのうち、自身に対応する列のデータビットを、パルス信号ＤxがＨレベルとなるタ
イミングでラッチし、パルス信号がＬレベルとなっても以降、保持し続けて、データ線１
１４に供給するものである。
このように、信号線１５２に供給されたデータＤs（１〜８列目、９〜１６列目、１７
〜２４列目、…、３１３〜３２０列目のブロックでまとめられたデータＤs）は、サンプ
リング信号Ｓ1、Ｓ2、Ｓ3、…、Ｓ40にしたがってラッチ回路１４４によってラッチされ
、さらに、パルス信号Ｄxにしたがってラッチ回路１４６によってラッチされてデータ線
１１４に供給される。このため、タイミング制御回路２０は、走査線駆動回路１３０によ
って、ある行の走査線が選択される場合に、その選択の期間に先んじて、当該行の走査線
に位置する画素１行分のデータＤsが信号線１５２に供給されるように制御する。この制
御により、当該行の走査線が選択されるときに、当該行の走査線に位置する画素に対して
、当該画素の階調レベルおよびサブフィールドで規定されるデータビットが、データ線を
介して供給されることになる。

ここで、走査線を１、２、３、…、行目というように１行ずつ順番に選択する従来の駆
動方法では、期間長が最も短いサブフィールドの期間内で全走査線の選択を完結する必要
がある。そこで、本実施形態では、走査線数を、１フィールドを構成するサブフィールド
を時間的に降順で配列させたときの期間長の比（重み）に応じた行数だけ飛び越しながら
走査する方式を採用している。
例えば、走査線を「２４０」とした表示パネル１００（図２参照）であれば、走査線数
の「２４０」を、時間的に降順で配列させたサブフィールドｓｆ７、ｓｆ６、ｓｆ５、ｓ
ｆ４、ｓｆ３、ｓｆ２、ｓｆ１の期間長の比である４：４：４：１：１：１：１に分割す
ると、６０、６０、６０、１５、１５、１５、１５という飛び越し行数が得られるので、
表示パネル１００の各走査線については、図６および図７に示されるように、６０、６０
、６０、１５、１５、１５、１５行ずつ順番に飛び越しながら走査する。
詳細には、１フィールドの最初であるサブフィールドｓｆ１において、選択する走査線
の起点を仮に６０行目としたとき、６０、１２０、１８０、１９５、２１０、２２５、２
４０行目という飛び越し走査をし、次に起点を１行シフトして６１行目として、６１、１
２１、１８１、１９６、２１１、２２６、１行目という飛び越し走査をし、以下同様に、
起点を６２、６３、…、２４０、１、２、…、５９行目というように１行シフトさせつつ
、当該起点を基準にした飛び越し走査を、１フィールドで実行する。

このとき、起点にかかる走査線（Ｌ７）の選択において、サブフィールドｓｆ７に対す
るデータビットを書き込み、Ｌ７に対して６０行飛び越した走査線（Ｌ６）の選択におい
て、サブフィールドｓｆ６に対するデータビットを書き込む。以下同様に、Ｌ６に対して
６０行飛び越した走査線（Ｌ５）の選択において、サブフィールドｓｆ５に対するデータ
ビットを書き込み、Ｌ５に対して１５行飛び越した走査線（Ｌ４）の選択において、サブ
フィールドｓｆ４に対するデータビットを書き込み、Ｌ４に対して１５行飛び越した走査
線（Ｌ３）の選択において、サブフィールドｓｆ３に対するデータビットを書き込み、Ｌ
３に対して１５行飛び越した走査線（Ｌ２）の選択において、サブフィールドｓｆ２に対
するデータビットを書き込み、Ｌ２に対して１５行飛び越した走査線（Ｌ１）の選択にお
いて、サブフィールドｓｆ１に対するデータビットを書き込む。

このようにデータビットが書き込まれた画素は、書き込まれたデータビットに応じたオ
ンオフ状態を、次のデータビットが書き込まれるまで保持する。したがって、本実施形態
では、１フィールドにおいて、階調レベルに応じて期間だけオン状態（オフ状態）となる
ので、１フィールドを単位期間としてみたときに階調表示が可能となるのである。
また、走査線数が「２４０」である場合、従来の駆動方法では、最も短いサブフィール
ドに相当する期間内において「２４０」の走査線を選択しなければならない。これに対し
て、本実施形態のような飛び越し走査では、最も短いサブフィールドに相当する期間内に
おいて選択する走査数は「１０５」（＝７×１５）であり、半分以下となるので、それだ
け低周波数で駆動することができる。

なお、図６は、走査線の１〜２４０行を縦軸にとり、時間を横軸としたときに、選択さ
れる走査線の時間的推移を示す図である。走査線の選択を●（黒丸状のドット））で示し
たとき、走査線は、上述したように飛び越し走査されるので、走査線の時間的推移は、●
の連続打点で示されるが、簡略的に表記するため、図においては右下がりに実線で示して
いる。
図７は、各サブフィールドにおいて、走査線駆動回路１３０によって選択される走査線
の行番号を示すテーブルである。換言すれば、アドレス信号Ａyによって指定される走査
線の順序を示す図である。
図８は、データ線駆動回路１４０による動作を説明するための図であり、例えば１２０
行目の走査線が選択される場合に、その選択の期間に先んじて供給された当該１２０行目
の画素１行分のデータＤsがサンプリング信号Ｓ1〜Ｓ40にしたがってラッチ回路１４４に
ラッチされた後、パルス信号Ｄxにしたがってラッチ回路１４６にラッチされて、データ
ビットｄjとしてデータ線１１４に供給される状態を示している。

さて、以上については、走査線数を「２４０」とした場合であるが、次に、走査線数を
一般的に拡張させる場合について検討する。
上述した飛び越し走査においては、１フィールドを構成するサブフィールドの降順配列
させたときの期間長の比に応じた行数だけ飛び越すので、飛び越し走査の１巡で選択され
る走査線数は、１フィールドを構成するサブフィールド個数と一致する。
上述した飛び越し走査の例では、選択される走査線がＬ７→Ｌ６→Ｌ５→Ｌ４→Ｌ３→
Ｌ２→Ｌ１→（Ｌ７）で一巡するので、飛び越し走査の１巡で選択される走査線数は、１
フィールドを構成するサブフィールド個数「７」と一致する。

また、飛び越し走査の１巡における飛び越し走査線数のうちで最も小さい値を、基準飛
び越し走査線数とすると、この基準飛び越し走査線数は、走査線の全数に、サブフィール
ドのうちで最も短いサブフィールドの期間長の比重を乗じた値で表すことができる。本実
施形態において、１フィールドを複数のスロットで等分割して、この最小単位であるスロ
ットに、第１群のサブフィールドをそれぞれ割り当てるので、１フィールドのスロット個
数（分割数）をＮdivとしたときに、１フィールドに対する第１群のサブフィールドの比
重は１／Ｎdivとなる。
したがって、走査線数をＲrealとしたときに、基準飛び越し走査線数Ｙsは、次のよう
に表すことができる。
Ｙs＝（Ｒreal／Ｎdiv）……（１）

実際には、基準飛び越し走査線数Ｙsは、整数しか取り得ないので、式（１）の右辺が
小数を伴うのであれば、小数点以下を切り上げた整数が基準飛び越し走査線数Ｙsとなる
。
ここで、基準飛び越し走査線Ｙsを基準として考えた走査線数を、便宜的に、仮想走査
線数Ｒvirと呼ぶことにすると、この仮想走査線数Ｒvirは、次のように表すことができる
。
Ｒvir＝Ｎdiv×Ｙs ……（２）
なお、Ｒvir≧Ｒrealである。
上述した例である走査線数Ｒrealの「２４０」は、１フィールドの分割数Ｎdivである
「１６」で割り切れるので、基準飛び越し走査線数Ｙsは「１５」となり、仮想走査線数
Ｒdivも「２４０」であって走査線数Ｒrealに一致するが、仮に走査線数を「２４１」と
したときに、分割数Ｎdiv「１６」で割り切れないので、基準飛び越し走査線数Ｙsが「１
６」となる。このため、２４１行の表示を行う場合には、飛び越し走査のために仮想走査
線Ｒvirが「２５６」となり、走査線数Ｒrealに一致しないことになる。

次に、本実施形態では、第１群のサブフィールドの期間長の重みＷsf1を「１」とした
ときに、第２群のサブフィールドの期間長の重みＷsf2は、分割数Ｎdivの平方根のうち、
小数点以下を四捨五入した整数値とする（条件１）。
一方、第１群のサブフィールドの個数をＮsf1とし、第２群のサブフィールドの個数を
Ｎsf2としたとき、サブフィールドの個数Ｎsf2は、次式によって決定される。
Ｎsf2＝（Ｎdiv／Ｗsf2）−１ ……（３）
実際には、サブフィールドの個数Ｎsf2は、整数しか取り得ないので、式（３）の右辺
が小数を伴うのであれば、小数点以下を切り上げた整数がサブフィールドの個数Ｎsf2と
なる。したがって、サブフィールド個数Ｎsf1は、次式によって決定される。
Ｎsf1＝Ｎdiv−Ｗsf2×Ｎsf2 ……（４）
なお、１フィールドにおけるサブフィールド個数Ｎsfは、
Ｎsf＝Ｎsf1＋Ｎsf2 ……（５）
である。

ここで、走査線の１回当たりの選択時間Ｔrowは、フィールド周波数をｆ（＝６０Ｈｚ
）とすると、次式のように表される。
Ｔrow＝１／（ｆ×Ｎsf×Ｒvir）……（６）
上述した例では、１フィールドにおけるサブフィールド個数Ｎsfが「７」であり、走査
線数Ｒrealの「２４０」である。走査線数Ｒrealが「２４０」であれば、仮想走査線Ｒvi
rも「２４０」となるので、上述した例において選択時間Ｔrowは、９．９２マイクロ秒と
なる。

次に、高画質画像を表示するために走査線数Ｒrealを例えば「１０８０」とする場合に
、１フィールドをいくつに分割すれば良いのか、第１群のサブフィールドの個数Ｎsf1や
、第２群のサブフィールドの個数Ｎsf、重みＷsf2をどのように設定すれば良いのかにつ
いて検討する。

図９は、１フィールドの分割数Ｎdivに対する基準飛び越し走査線線Ｙs、走査線選択時
間Ｔrow等の値を示す図であり、図１０は、この分割数Ｎdivに対する走査線選択時間Ｔro
wの特性を示す図である。
なお、ここでは走査線数Ｒrealを「１０８０」とすることを前提としているので、走査
線数Ｒrealおよび仮想走査線数Ｒvirが「１０８０」を下回るような組み合わせを除外し
ている。

これらの図において、分割数Ｎdivが不連続で増加しているが、この理由は、次の通り
である。すなわち、分割数Ｎdivは、自由な整数値をとることが許されず、上記（条件１
）および式（３）、（４）の制約を受けるからである。
したがって、ここでは、走査線数Ｒrealおよび仮想走査線数Ｒvirが「１０８０」を下
回るような組み合わせを除外しつつ、上記（条件１）および式（３）、（４）を満足させ
る分割数Ｎdivが選定されることになる。

さて、このように分割数Ｎdivを選定したときに、図９に示されるように、基準飛び越
し走査線Ｙsが切り替わった点（図９において→、図１０において↓で、それぞれ示す地
点）の直後において、走査線の選択時間Ｔrowを、より長く確保する範囲が存在すること
が判る。例えば、分割数Ｎdivに「２５６」に設定した場合と、「２７１」に設定した場
合とで比較してみる。
一見すると、分割数Ｎdivが小さい「２５６」である場合の方が、「２７１」に設定し
た場合よりも走査線の選択時間Ｔrowを長く確保することができそうに思われるが、実際
に上記条件１および式（１）〜（６）にしたがって計算してみると、分割数Ｎdivが「２
５６」に設定した場合における選択時間Ｔrowが４２０．０３ナノ秒であるのに対し、分
割数Ｎdivが「２７１」に設定した場合における選択時間Ｔrowは４９５．９７ナノ秒であ
る。このため、分割数Ｎdivが大きい「２７１」である場合の方が、選択時間Ｔrowをより
長く確保できることが判る。
また、分割数が大きいほど、表現可能な階調数を増加することができる点においても有
利である。

このように図１０において、それぞれ↓で示す地点の左側領域の分割数Ｎdivと右側に
おいて実線の○で囲った領域の分割数Ｎdivとを比較したときに、一見すると分割数Ｎdiv
が大きいために不利と思われる右側領域の値を採用した方が、実際には選択時間Ｔrowを
、より長く確保できる点、および、表現可能な階調数を増加することができる点において
有利である。
このような右側範囲に含まれる分割数Ｎdivを１つ決めると、必然的にサブフィールド
個数Ｎsf1、Ｎsf2、重みＷsf2、基準飛び越し走査線数Ｙsがそれぞれ決まるので、どのよ
うに飛び越し走査すれば良いのかについても自ずと定まることになる。
なお、仮想走査線数Ｒvir＞走査線数Ｒrealである場合、仮想走査線の一部に対して表
示に寄与する走査線を割り当て、割り当てから漏れた走査線をダミー走査線として扱えば
良い。

ところで、例えば第２群のサブフィールドの重みＷsf2を「１６」、第１群のサブフィ
ールドの個数Ｎsf1を「１４」、第２群のサブフィールドの個数Ｎsf2を「１６」として、
分割数Ｎdivを「２７０」とすれば、仮想走査線Ｒvirが「１０８０」となり、５１４．４
０ナノ秒の選択時間Ｔrowを確保することが可能である。
しかしながら、
Ｎsf1≧Ｗsf2−１ ……（７）
を満たさないと、階調レベルに対してオン状態とする期間の変化率が一定とはならない
（分割数の「２７０」に対して表現できない階調が存在する。例えば、オンオフ状態を１
フィールドのうち「１５」に相当するに期間長とすることができない）。

なお、この検討では、走査線数Ｒrealを「１０８０」として説明したが、これ以外の値
でも構わない。走査線数Ｒrealを「１０８０」以外の値に設定する場合には、走査線数Ｒ
realおよび仮想走査線数Ｒvirが設定値を下回るような組み合わせを除外しつつ、上記（
条件１）および式（３）、（４）を満足させる分割数Ｎdivを選定し、このように選定し
た分割数Ｎdivに対する基準飛び越し走査線数Ｙsが切り替わった点に対して、分割数Ｎdi
vが大きい方に着目すれば良い。

ところで、人の被視感度は、図１１の実線で示されるように、ガンマ係数が「２．２」
であるような弓なりの特性を有する（２５６階調の場合）。このため、表示装置としてみ
たときに、画素の透過率がガンマ特性に近くなるように、階調レベルが暗くなるにしたが
って小さく変化するような特性であると、人にとっては、より自然な階調表現となる。そ
こで次に、表示パネル１００における画素の透過率特性を、このガンマ特性に近づける手
法について検討する。
なお、図１１において透過率は、パルス幅が「１０８８」となったときの値を１００％
とし、パルス幅が「０」となったときの値を０％として正規化して示している。

ここでは、例えば図９において走査線の本数が「１０８０」であって、分割数「１０８
８」である場合を例にとって説明する。この例において、第１群のサブフィールドの期間
長の重みＷsf1は「１」であり、第１群のサブフィールドの個数Ｎsf1は「３２」であり、
また、第２群のサブフィールドの期間長の重みＷsf2は「３３」であり、第２群のサブフ
ィールドの個数Ｎsf2は「３２」である。
したがって、この例では、１フィールドを構成するサブフィールドの個数Ｎsfは「６４
」となり、サブフィールドは、図１２に示されるように、時間的な降順でいうとｓｆ６４
、ｓｆ６３、…、ｓｆ３４、ｓｆ３３、ｓｆ３２、ｓｆ３１、…、ｓｆ２、ｓｆ１という
順で配列し、このうち、ｓｆ６４〜ｓｆ３３が第２群のサブフィールドを構成し、ｓｆ３
２〜ｓｆ１が第１群のサブフィールドを構成することになる。
一方、この例では走査線を「１０８０」としている。このため、走査線数の「１０８０
」を、時間的に降順で配列させたサブフィールドｓｆ６４、ｓｆ６３、…、ｓｆ３４、ｓ
ｆ３３、ｓｆ３２、ｓｆ３１、…、ｓｆ２、ｓｆ１の期間長の比である３３：３３：…：
３３：３３：１：１：…：１：１に分割すると、３３、３３、…、３３、３３、１、１、
…、１、１という飛び越し行数が得られる。

図１２は、この例において、各パルス幅に対して、オン電圧を印加するサブフィールド
をどのように割り当てるかを示す図である。なお、パルス幅とは、１フィールド（１ｆ）
においてオン電圧を印加する期間の割合（オン電圧印加率）をいい、この例では、分割数
を「１０８８」としているので、パルス幅は「０」から「１０８８」までの値をとること
になる。また、この例では、液晶素子１２０が、オフ電圧を保持したときに暗状態（オフ
状態）となり、オン電圧を保持したときに明状態（オン状態）となるノーマリーブラック
モードとして説明している。
このため、図１２では、ノーマリーホワイトモードの図５と比較してオンオフ状態が逆
転している。後述する図１３においても同様である。

この「０」から「１０８８」までのパルス幅のうち、ガンマ特性の透過率となるような
階調レベルを選択すれば良い。詳細には、図１１は、２５６階調を表現する場合のガンマ
特性を示しているので、「０」から「１０８８」までのパルス幅のなかから、当該ガンマ
特性に沿った透過率となるような階調レベルを、２５６点選択すれば良い。
しかしながら、上記実施形態のように、オン電圧として１つの電圧を用いるだけでは、
階調レベルが低い領域において、分解能を確保できず、図１１の破線で示されるように、
選択した階調レベルに対する透過率が、理想とするガンマ特性よりも高くなる虞がある。
そこで、本発明にあっては、第２群のサブフィールドのうち、少なくとも第１群と第２
群との境界から最も離れたサブフィールドにおけるオン電圧（第２電圧）を、他のサブフ
ィールドにおけるオン電圧（第１電圧）よりも高くして、ガンマ特性に近づけるようにし
ても良い。

走査線の本数が「１０８０」であって、分割数「１０８８」である場合の例において、
サブフィールドｓｆ６４は、第１群および第２群の境界から最も離れているので、ノーマ
リーブラックモードにおいて徐々に階調レベルを高くするときには、図１２に示されるよ
うに、最後にオン状態となる。この最後にオン状態となるサブフィールドｓｆ６４におけ
るオン電圧を、図１３に示されるように、他のサブフィールドよりも高くして、より明る
い状態にする。なお、図１３では、サブフィールドｓｆ６４の縦方向を、他よりも高くし
て、オン電圧が高くなる状態を示している。
サブフィールドｓｆ６４におけるオン電圧を、他のサブフィールドよりも高くすると、
パルス幅に対する透過率の特性が、図１４で示されるようなものとなる。すなわち、パル
ス幅の変化に対する透過率の刻みは、透過率が高い領域において大きくなり、その反動で
、透過率が低い領域において小さくなる。
このため、サブフィールドｓｆ６４におけるオン電圧を他のサブフィールドよりも高く
すると、１つのオン電圧を用いる場合と比較して、図１１のガンマ特性に沿った透過率と
なるような階調レベルを２５６点選択することが容易となるのである。

このように、第２群のサブフィールドｓｆ６４のオン電圧を、他のサブフィールドのオ
ン電圧よりも高くすることにより、階調レベルが低い領域において、透過率に対する分解
能を確保できるとともに、最も低い階調レベルと最も高い階調レベルとの差、すなわちダ
イナミックレンジを確保することができる。

オン電圧を高くする方法としては、画素１１０を単純化し、コモン電極１０８の印加電
圧を一定とするとともに、当該コモン電極１０８への印加電圧に対して、絶対値でみて相
対的に低いオン電圧または相対的に高いオン電圧とさせるデータ信号を、データ線１１４
およびトランジスタ１１６を介して画素電極１１８に印加する方法が考えられるが、これ
以外の方法であっても良い。
オン電圧を高くするサブフィールドはｓｆ６４に限られない。上述したように、オン電
圧を高くする理由は、透過率が低い領域において、パルス幅の変化に対する透過率の刻み
を小さくするためであるから、オン電圧を高くする第２群のサブフィールドについては、
第１群および第２群の境界から最も離れたサブフィールドから、境界に向かう方向に連続
する２以上のサブフィールドとしても良い。図１２、図１３の例でいえば、ｓｆ６４、ｓ
ｆ６３、ｓｆ６２、…、の順で、境界に向かうので、オン電圧を高くするサブフィールド
については、例えば、ｓｆ６３およびｓｆ６４としても良いし、ｓｆ６２、ｓｆ６３およ
びｓｆ６４としても良い。

なお、図１５の（ａ）は、１フレームに印加されるオン電圧を１つのオン電圧Ｌ0とし
たときのものである。また、図１５の（ｂ）は、１フレームに印加されるオン電圧を２つ
のオン電圧Ｌ１、Ｌ２としたときのものである。図１４の（ｂ）において、画素の透過率
特性をガンマ特性に近づけるために、階調レベルが低いときには、オン電圧Ｌ0よりも小
さいオン電圧Ｌ1のサブフィールドだけを用いる一方、階調レベルが高いときには、オン
電圧Ｌ0よりも大きなオン電圧Ｌ2のサブフィールドを用いれば良い。図１４の（ｂ）では
、オン電圧を高くするサブフィールドを、ｓｆ６３およびｓｆ６４としてある。このよう
にすれば、階調レベルが低い領域において、透過率に対する分解能を確保できるとともに
、最も低い階調レベルと最も高い階調レベルとの差、すなわちダイナミックレンジを広く
確保することができる。

さらに、この切り替わりの階調レベルを図１６においてＡとした場合、階調レベルがＡ
を下回る場合には、例えば、ガンマ係数が２．２であるガンマ特性（破線参照）よりも低
くなるようにオン電圧Ｌ1を決めてもよいし、階調レベルがＡ以上の場合には、例えば、
ガンマ係数が２．２であるガンマ特性よりも高くなるようにオン電圧Ｌ2を決めることに
よって、実線で示されるような特性としても良い。
このような特性にすれば、低い階調レベルが指定されたときの分解能が高められ、高い
階調レベルが指定されたときは輝度を得ることが可能となり、階調レベルが低い領域でも
高い領域でも、より高い表示性能を得ることができる。

また、あるサブフィールドにおいてオン電圧を高くする場合に、当該オン電圧を高くす
るサブフィールドを含めて１フィールド（１ｆ）を構成する全サブフィールドにおいてオ
ン電圧を印加したときの電圧実効値は、単一のオン電圧を全サブフィールドに印加すると
きの電圧実効値以上とするのが好ましい。

画素における液晶素子１２０は透過型に限られず反射型であっても良い。さらに、表示
素子としては、液晶素子１２０に限られず、データビットに応じてオンまたはオフ状態と
なる素子であれば良い。例えば有機ＥＬ素子や、電気泳動素子（いわゆる電子ペーパー）
、ミラーの傾きがオンオフに対応した位置をとり、オンまたはオフのいずれか一方の状態
のときだけ入射光を所定方向に反射させるミラー素子などにも適用可能である。

＜電子機器＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置を用いた電子機器の一例として、上述した
電気光学装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１７は、こ
のプロジェクタの構成を示す平面図である。
この図に示されるように、プロジェクタ２１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色
光源からなるランプユニット２１０２が設けられている。このランプユニット２１０２か
ら射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイ
ックミラー２１０８によってＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色に分離されて、各原
色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれる。なお
、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐために、
入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４からなるリレーレ
ンズ系２１２１を介して導かれる。

このプロジェクタ２１００では、表示パネル１００を含む電気光学装置が、Ｒ、Ｇ、Ｂ
の各色に対応して３組設けられる。そして、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応する表示データがそ
れぞれ外部上位回路から供給されて、フィールドメモリに記憶される構成となっている。
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂの構成は、上述した実施形態における表
示パネル１００と同様であり、Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれに対応するデータビットで、サブフ
ィールド毎にそれぞれ駆動されるものである。
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイク
ロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム
２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に屈折する一方、Ｇ色の光は直進する。
したがって、各色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ２１１４
によってカラー画像が投射されることとなる。

なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂには、ダイクロイックミラー２
１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設
ける必要はない。また、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂの透過像は、ダイクロイックプ
リズム２１１２により反射した後に投射されるのに対し、ライトバルブ１００Ｇの透過像
はそのまま投射されるので、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂによる水平走査方向は、ラ
イトバルブ１００Ｇによる水平走査方向と逆向きにして、左右を反転させた像を表示する
構成となっている。

電子機器としては、図１７を参照して説明した他にも、テレビジョンや、ビューファイ
ンダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電
子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディ
ジタルスチルカメラ、携帯電話機、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そし
て、これらの各種の電子機器に対して、本発明に係る電気光学装置が適用可能なのは言う
までもない。

本発明の実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。 同電気光学装置における表示パネルの構成を示す図である。 同表示パネルにおける画素の一例を示す図である。 同画素の動作を示す図である。 同電気光学装置におけるフィールド構成を示す図である。 同電気光学装置における走査線の選択の推移を示す図である。 同電気光学装置における走査線の選択順序を示す図である。 同電気光学装置における動作を示す図である。 フィールド分割数と走査線選択時間との関係を示す図である。 フィールド分割数と走査線選択時間との関係を示す図である。 γ特性で示す図である。 別のフィールド構成を示す図である。 別のフィールド構成を示す図である。 別のフィールド構成としたときの特性を示す図である。 さらに別のフィールド構成を示す図である。 当該構成において階調レベルに対する透過率（明るさ）を示す図である。 実施形態に係る電気光学装置を用いたプロジェクタの構成を示す図である。

符号の説明

１０…表示制御回路、２０…タイミング制御回路、１００…表示パネル、１０１…表示領
域、１１０…画素、１１２…走査線、１１４…データ線、１２０…液晶素子、１３０…走
査線駆動回路、１４０…データ線駆動回路、１４２…Ｘシフトレジスタ、２１００…プロ
ジェクタ

Claims (3)

1. 複数Ｒreal本の走査線と複数本のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、前記走査線が選択されたときに、前記データ線に供給されたデータ信号に応じてオンまたはオフ状態となる画素を有し、
   １フィールドを複数のＮsf個のサブフィールドで構成し、
   前記Ｎsf個のサブフィールドの各々は、１フィールドを複数のＮdiv個に等分割した期間長の第１群と、前記第１群のサブフィールドの整数Ｐ倍の期間長を有する第２群とに分けられ、
   前記Ｎsf個のサブフィールド毎に前記画素をオンまたはオフ状態として、１フィールドを単位として階調制御する電気光学装置であって、
   前記Ｒreal本の走査線を含むＲvir（Ｒvir≧Ｒreal）本の仮想走査線を、１フィールドにおいてＹｓ本の線数で飛び越し走査する走査線駆動回路と、
   選択された走査線に位置する画素に対し前記データ信号を、前記データ線を介して供給するデータ線駆動回路と
   を有し、
   前記Ｙｓ本の線数は、Ｒreal／Ｎdivが整数Ｑの場合は、前記整数Ｑの値であり、Ｒreal／Ｎdivが小数を伴う場合は、小数点以下を切り上げた整数Ｑ＋１の値であり、
   前記仮想走査線Ｒvirは、Ｒreal／Ｎdivが整数Ｑの場合は、前記分割数Ｎdivと前記整数Ｑとの積の値であり、Ｒreal／Ｎdivが小数を伴う場合は、前記分割数Ｎdivと前記整数Ｑ＋１との積の値であり、
   前記整数Ｐは、前記分割数Ｎdivの平方根のうち小数点以下を四捨五入した整数値であり、
   前記第２群のサブフィールドの個数Ｎsf2は、前記分割数Ｎdivを前記整数Ｐで除した値から１を減算した値の小数点以下を切り上げた値であり、
   前記第１群のサブフィールドの個数Ｎsf1は、前記分割数Ｎdivから前記個数Ｎsf2と前記整数Ｐとの積を減算した値であり、
   前記分割数Ｎdivは、前記Ｙｓが同じ値となる分割数Ｎdivが複数ある場合、前記１フィールドの期間を、前記サブフィールド個数Ｎsfと前記仮想走査線数Ｒvirとの積で除した期間が最も長い分割数Ｎdivが採用されている
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 複数Ｒreal本の走査線と複数本のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、前記走査線が選択されたときに、前記データ線に供給されたデータ信号に応じてオンまたはオフ状態となる画素を有し、
   １フィールドを複数のＮsf個のサブフィールドで構成し、
   前記Ｎsf個のサブフィールドの各々は、１フィールドを複数のＮdiv個に等分割した期間長の第１群と、前記第１群のサブフィールドの整数Ｐ倍の期間長を有する第２群とに分けられ、
   前記Ｎsf個のサブフィールド毎に前記画素をオンまたはオフ状態として、１フィールドを単位として階調制御する電気光学装置の駆動方法であって、
   前記Ｒreal本の走査線を含むＲvir（Ｒvir≧Ｒreal）本の仮想走査線を、１フィールドにおいてＹｓ本の線数で飛び越し走査し、
   選択された走査線に位置する画素に対し前記データ信号を、前記データ線を介して供給し、
   前記Ｙｓ本の線数は、Ｒreal／Ｎdivが整数Ｑの場合は、前記整数Ｑの値であり、Ｒreal／Ｎdivが小数を伴う場合は、小数点以下を切り上げた整数Ｑ＋１の値であり、
   前記仮想走査線Ｒvirは、Ｒreal／Ｎdivが整数Ｑの場合は、前記分割数Ｎdivと前記整数Ｑとの積の値であり、Ｒreal／Ｎdivが小数を伴う場合は、前記分割数Ｎdivと前記整数Ｑ＋１との積の値であり、
   前記整数Ｐは、前記分割数Ｎdivの平方根のうち小数点以下を四捨五入した整数値であり、
   前記第２群のサブフィールドの個数Ｎsf2は、前記分割数Ｎdivを前記整数Ｐで除した値から１を減算した値の小数点以下を切り上げた値であり、
   前記第１群のサブフィールドの個数Ｎsf1は、前記分割数Ｎdivから前記個数Ｎsf2と前記整数Ｐとの積を減算した値であり、
   前記分割数Ｎdivは、前記Ｙｓが同じ値となる分割数Ｎdivが複数ある場合、前記１フィールドの期間を、前記サブフィールド個数Ｎsfと前記仮想走査線数Ｒvirとの積で除した期間が最も長い分割数Ｎdivが採用されている
   ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
3. 請求項１に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。

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