JP5442367B2 - 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 - Google Patents
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Description
・[条件1]MgO膜の下地となる磁性膜が非晶質であること、
・[条件2]非晶質磁性膜に到達したMgO粒子が、該非晶質磁性膜上において多結晶化するためのエネルギーと、多結晶化したなかにおいて(001)面を優先的に配向させるためのエネルギーとを保有すること、それらが必要とされる。
・[a]ターゲットの構成材料の粒子であるマグネシウム粒子や酸素粒子、
・[b]これら構成材料が電荷を帯びた荷電粒子、
・[c]ターゲットの表面で跳ね返されたスパッタガスからなる反跳粒子、それら各種粒子がターゲットの表面から放出されたり反跳されたりすることになる。上記非晶質磁性膜に到達する各種の粒子は、ターゲットから非晶質磁性膜に到達するまでに他の粒子との衝
突を繰り返しつつ、それのエネルギーを減少させる。そのため非晶質磁性膜に到達したときの各種粒子のエネルギーは、該粒子の飛行時間において該粒子が他の粒子と衝突した回数、すなわち平均衝突回数が多くなるほど低くなる一方、該粒子の平均衝突回数が少なくなるほど高くなる。上記MgO膜のスパッタリング技術では、MgO膜を構成する上記[a]の粒子が非晶質磁性膜の全体にわたり上記[条件2]を満たすことを目的として、上記[a]粒子の平均衝突回数が基板表面の全体にわたり所定の回数よりも低くなるように、10mPa〜20mPaという低い圧力下でスパッタ処理が実施されている。
請求項1に記載の発明は、非晶質磁性膜を主面に有した円板状の基板を収容する真空槽の内部で該基板をそれの周方向に回転させながら該真空槽の内部へ希ガスを供給し、前記真空槽の内部に酸化マグネシウムからなるターゲット表面を露出して該ターゲット表面が前記基板の主面に対し傾斜するかたちに配置されたターゲットを前記希ガスでスパッタすることにより(001)配向の酸化マグネシウム膜を前記非晶質磁性膜上に形成する薄膜形成方法であって、前記基板の主面を含む平面を投影面として前記ターゲット表面をそれの法線方向に投影した領域である投影領域が前記基板の主面から離間するかたちに前記ターゲット表面を配置し且つ、前記基板の主面に対する法線と前記ターゲット表面に対する法線とのなす角度を8°以上で14°以下にすること、それを要旨とする。
請求項4に記載の発明は、前記ターゲット表面をそれの法線方向に投影する際に前記ターゲット表面に対する法線に沿って延びる円筒状の退避領域のうち、前記投影面上の前記投影領域とは異なる領域が前記基板の側面と接するかたちに前記ターゲット表面が配置されること、それを要旨とする。
図1に示されるように、薄膜形成装置10における真空槽11には、該真空槽11の内部空間を排気するクライオポンプ等からなる排気装置12が連結され、またこの排気装置12と真空槽11との間には真空槽11の内部圧力を検出する圧力検出装置VGが連結されている。そして排気装置12が排気動作を実行すると、真空槽11の内部が減圧されて、該内部の圧力が圧力検出装置VGにより検出される。このような真空槽11には、希ガスであるアルゴン(Ar)、キセノン(Xe)、又はクリプトン(Kr)を所定の流量で供給するマスフローコントローラ等からなるガス供給装置13が連結されている。そして上記排気装置12が排気処理を定常的に実行する状態でガス供給装置13が真空槽11の内部に希ガスを供給すると、真空槽11における内部の圧力が該内部に供給される希ガスの流量に応じて1mPa〜300mPaの範囲で変わることになる。
載されている。カソード18のバッキングプレート19には13.56MHzの高周波電力を電力密度が2.85W/cm2になるように出力する高周波電源GEが電気的に接続されている。このバッキングプレート19における基板Sの側には、MgOが主成分となるターゲット表面Taを真空槽11の内部空間に露出する直径が5インチからなる円板状のMgOターゲットTが電気的に接続されている。このMgOターゲットTは、それのターゲット表面Taが基板回転軸線Asから離間し、且つ基板Sの表面に対して傾斜するかたちに真空槽11に搭載されている。
転軸線Asを中心にして基板Sの回転を開始する。このようにして基板Sの回転が開始されると、ガス供給装置13が予め設定された流量の希ガスを真空槽11の内部へ供給して真空槽11の圧力を成膜圧力に昇圧し、次いで高周波電源GEが高周波電力をMgOターゲットTに供給してターゲット表面Taのスパッタリングを開始する。そして基板Sの主面を構成する非晶質磁性膜上に対し予め設定された期間だけMgOターゲットTがスパッタリングされ、所望とする膜厚のMgO膜が非晶質磁性膜上に形成される。
)配向の均一性を向上させること、それが可能になる。
(試験例)
上記投影領域に認められる結晶配向性の傾向と、各種の斜入射角度θのもとで形成されるMgO膜の(001)配向とについて、試験例等とともに以下に詳細に説明する。まず上記投影領域に認められる結晶配向性の傾向について図3を参照して説明する。
(成膜条件)
・基板S:シリコン基板(直径:8インチ)
・ターゲット:MgOターゲット(直径:5インチ)
・斜入射角度θ:22°
・ターゲット高さH:190mm
・非晶質磁性膜:(CoFe)0.8B0.2
・基板温度:室温
・最短飛行距離dts:200mm
・成膜圧力:19mPa,310mPa
・スパッタガス:Ar
・MgO膜厚:20nm
図3に例示されるように、基板Sの回転が停止された状態、つまり基板Sの主面とターゲット表面Taとの相対位置が固定された状態でMgO膜が形成されると、基板Sの主面とターゲット表面Taとの相対距離に応じたかたちに(001)配向の強度分布が現われることが認められた。言い換えれば、MgOターゲットTの縁からの距離が等しくなる位置においてMgO(200)ピークの強度が等しくなるように、(001)配向の強度分布が現われること、それが認められた。
・[d]相対的にMgOターゲットTに近い領域である投影領域Z1において該領域に到達する粒子の高いエネルギーにより非晶質磁性膜の非晶質性が失われること、
・[e]相対的にMgOターゲットTから遠い領域である第4領域Z4において該領域に到達する粒子の低いエネルギーによりMgOの多結晶化、あるいは(001)面の優先的な配向が促進され難いこと、それらが要因であることを示唆するものである。
上記[d]が顕著になること、すなわち投影領域Z1における非晶質性の消失が顕著になること、それを示唆するものである。詳述すると、上記非晶質磁性膜に到達する各種粒子は一般に、MgOターゲットTから放出された後に他の粒子との衝突を繰り返して自身のエネルギーを低下させる。つまり上記非晶質磁性膜に到達する各種粒子が高い成膜圧力のもとで飛行するほど該粒子のエネルギーが低下することになり、反対に各種粒子が低い成膜圧力のもとで飛行するほど該粒子のエネルギーの低下が抑えられることになる。よって比較的に低い成膜圧力においては、非晶質磁性膜に到達する粒子のエネルギーが比較的に高くなるため、上記[d]に起因した低強度が投影領域Z1に顕著に現われることになる。
(成膜条件)
・基板S:シリコン基板(直径:8インチ)
・ターゲット:MgOターゲット(直径:5インチ)
・斜入射角度θ:0°,11°,22°
・ターゲット高さH:190mm
・非晶質磁性膜:(CoFe)0.8B0.2
・基板温度:室温
・最短飛行距離dts:200mm
・成膜圧力:19mPa
・スパッタガス:Ar
・MgO膜厚:20nm
図4(a)〜(c)に示されるように、斜入射角度θが22°の場合、退避領域SPの一部が基板Sの外周部に重畳して基板Sの主面上に投影領域が形成されることになる。これに対して斜入射角度θが11°になると、退避領域SPの一部が基板Sの側面に接して基板Sの主面から投影領域が離間することになる。そして斜入射角度θが0°になると、退避領域SPそのものが基板Sから離間して基板Sの主面から投影領域がさらに離間することになる。
が著しく低くなる領域が認められた。そして基板Sの端部から100mmの付近、すなわち基板Sの中央部においてピーク強度が最も高くなる領域が認められ、該中央部から基板Sの他端部へ移るにつれて再びピーク強度が低くなる傾向が認められた。一方、斜入射角度θが11°になると、斜入射角度θが22°の場合と比較して基板SのMgOターゲットT側におけるピーク強度に大幅な増大が認められ且つ、基板Sの中央部、及び基板Sの他端部においても斜入射角度θが22°の場合と略同程度のピーク強度が認められた。つまり投影領域Z1が基板Sの主面から離間することにより、該投影領域Z1に起因した(001)配向の強度の低下が抑えられ、基板Sの主面における強度分布の均一化が図れること、それが認められた。これに対して、斜入射角度θが0°の場合には、斜入射角度θが11°の場合と比較して基板SのMgOターゲットT側におけるピーク強度にさらなる増大が認められる一方、基板Sの他端部においては斜入射角度θが22°,11°の場合と略同程度のピーク強度が認められた。つまり投影領域Z1が基板Sの主面から離間することにより、該投影領域Z1に起因した(001)配向の強度の低下が抑えられるものの、基板Sの他端部と基板Sの中央部とのピーク強度の差も増大しているために、斜入射角度θが11°の場合と比較して、基板Sの主面における強度分布の均一性が図られないこと、それも認められた。
(成膜条件)
・基板S:シリコン基板(直径:8インチ)
・ターゲット:MgOターゲット(直径:5インチ)
・斜入射角度θ:11°,22°
・ターゲット高さH:190mm
・非晶質磁性膜:(CoFe)0.8B0.2
・基板温度:室温
・最短飛行距離dts:200mm
・成膜圧力:19mPa
・スパッタガス:Ar
・MgO膜厚:2.5nm
図6に示されるように、斜入射角度θが11°である場合、基板Sの外周部が基板Sの中心部よりも若干に高い面積抵抗率RA/RACを有するものの、このような傾向は斜入射角度θが22°である場合と比較して非常に小さく、基板Sの全体における面積抵抗率RA/RACの均一性が大幅に向上していることが認められた。すなわち斜入射角度θが11°である場合には投影領域Z1を避けるかたちにMgO膜が形成されるため、該投影領域Z1が基板Sと重畳するような薄膜形成の態様と比較して、基板Sの全体における非晶質磁性膜へのダメージを軽減させること、つまりMgO膜の(001)配向分布の均一性を向上させることが可能になり、ひいてはトンネル磁気抵抗素子の面積抵抗RAの均一性を向上できることが認められた。
記(001)配向分布の均一性と同じく、該MgO膜の膜厚の均一性を担保することも重要になる。本願発明者は、上記投影領域Z1を基板Sから離間させるというMgOターゲットTの配置を鋭利研究するなかで、MgOターゲットTから放出されるMg粒子やO粒子の放出角度がターゲット法線Atから大きく傾斜したものであってターゲット表面Taの略接線方向に近いこと、それを成膜速度と斜入射角度θとの関係から見出した。表1は、MgO膜の成膜速度及びそれの均一性と斜入射角度θとの関係を示す。
ること、それが可能になる。
・上記実施の形態では、退避領域SPが基板SにおけるMgOターゲットT側の側面に接するかたちを前提としたが、これに換えて、退避領域SPが基板Sの側面から離間するかたちにターゲット表面Taが配置される構成であってもよい。このような構成であっても、基板Sの主面から投影領域Z1が離間する以上、上記(1)(2)に記載の効果を得ることができる。
Claims (4)
- 非晶質磁性膜を主面に有した円板状の基板を収容する真空槽の内部で該基板をそれの周方向に回転させながら該真空槽の内部へ希ガスを供給し、前記真空槽の内部に酸化マグネシウムからなるターゲット表面を露出して該ターゲット表面が前記基板の主面に対し傾斜するかたちに配置されたターゲットを前記希ガスでスパッタすることにより(001)配向の酸化マグネシウム膜を前記非晶質磁性膜上に形成する薄膜形成方法であって、
前記基板の主面を含む平面を投影面として前記ターゲット表面をそれの法線方向に投影した領域である投影領域が前記基板の主面から離間するかたちに前記ターゲット表面を配置し且つ、前記基板の主面に対する法線と前記ターゲット表面に対する法線とのなす角度を8°以上で14°以下にする
ことを特徴とする薄膜形成方法。 - 前記ターゲット表面をそれの法線方向に投影する際に前記ターゲット表面に対する法線に沿って延びる円筒状の退避領域のうち、前記投影面上の前記投影領域とは異なる領域が前記基板の側面と接するかたちに前記ターゲット表面を配置する
ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜形成方法。 - 非晶質磁性膜を主面に有した円板状の基板をそれの周方向に回転させる基板ステージを収容して内部に希ガスが供給される真空槽と、
前記真空槽の内部に酸化マグネシウムからなるターゲット表面を露出して該ターゲット表面が前記基板の主面に対し傾斜するかたちに配置されたターゲットとを備え
前記ターゲットに高周波電力を供給して前記ターゲット表面を前記希ガスでスパッタすることにより(001)配向の酸化マグネシウム膜を前記非晶質磁性膜上に形成する薄膜形成装置であって、
前記基板の主面を含む平面を投影面として前記ターゲット表面をそれの法線方向に投影した領域である投影領域が前記基板の主面から離間するかたちに前記ターゲット表面が配置され且つ、前記基板の主面に対する法線と前記ターゲット表面に対する法線とのなす角度が8°以上で14°以下である
ことを特徴とする薄膜形成装置。 - 前記ターゲット表面をそれの法線方向に投影する際に前記ターゲット表面に対する法線に沿って延びる円筒状の退避領域のうち、前記投影面上の前記投影領域とは異なる領域が前記基板の側面と接するかたちに前記ターゲット表面が配置される
ことを特徴とする請求項3に記載の薄膜形成装置。
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