JP2010084212A - 反応性スパッタリング装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】処理基板Sと処理基板Sに対向するターゲット6とを配置した真空チャンバー1内にスパッタガスと反応ガスとを供給する手段を備える反応性スパッタリング装置において、処理基板Sが大径化しても、処理基板Sの全域に亘り均質な化合物の薄膜を形成できるようにする。
【解決手段】ターゲット6にガス導入孔12を形成し、ガス導入孔12から処理基板Sに向けて反応ガスを供給する。
【選択図】図1
【解決手段】ターゲット6にガス導入孔12を形成し、ガス導入孔12から処理基板Sに向けて反応ガスを供給する。
【選択図】図1
Description
本発明は、処理基板に金属化合物等の薄膜を形成するのに使用する反応性スパッタリング装置に関する。
反応性スパッタリング装置は、処理基板と処理基板に対向するターゲットとを配置した真空チャンバー内にスパッタガスと反応ガスとを供給する手段を備え、ターゲットと処理基板との間でのグロー放電によりプラズマを形成して、スパッタガスのイオンによりターゲットをスパッタし、ターゲットから叩き出されたスパッタ粒子と反応ガスとの反応で生じる化合物から成る薄膜を処理基板上に形成するように構成されている。
ここで、従来の反応性スパッタリング装置において、スパッタガスと反応ガスの供給手段は、一般的に、真空チャンバー内のターゲットと処理基板との間の空間にその周囲からスパッタガスと反応ガスとを導入するように構成されている(例えば、特許文献1参照)。
ところで、最近は処理基板が大径化している。そして、従来の如くターゲットと処理基板との間の空間にその周囲から反応ガスを導入したのでは、大径化した処理基板の周辺部分において反応ガスがスパッタ粒子との反応で消費されてしまい、処理基板の中央部分では反応ガスが不足して、薄膜中の化合物の割合が低下してしまう。
特開平6−240453号公報
本発明は、以上の点に鑑み、処理基板が大径化しても、処理基板の全域に亘り均質な化合物の薄膜を形成できるようにした反応性スパッタリング装置を提供することをその課題としている。
上記課題を解決するために、本発明は、処理基板と処理基板に対向するターゲットとを配置した真空チャンバー内にスパッタガスと反応ガスとを供給する手段を備える反応性スパッタリング装置において、反応ガスの供給手段は、ターゲットに形成したガス導入孔から処理基板に向けて反応ガスを供給するように構成されることを特徴とする。
本発明によれば、ターゲットに形成したガス導入孔から処理基板に向けて反応ガスが供給されるため、処理基板が大径化しても、処理基板の全域に亘って均等に反応ガスを供給することができる。その結果、スパッタ粒子と反応ガスとの反応で生ずる化合物の薄膜を処理基板の全域に亘り均質に形成することができる。
尚、ガス導入孔がターゲットの中心部のみに形成されていると、処理基板が大径化し、且つ、ターゲットと処理基板との間の距離が短くなった場合、処理基板の周辺部まで反応ガスが拡散しにくくなる。一方、ガス導入孔が、ターゲットの中心から離れた位置に、周方向の間隔を存して複数形成されていれば、処理基板が大径化し、且つ、ターゲットと処理基板との間の距離が短くなった場合でも、処理基板の全域に亘って均等に反応ガスを供給することができ、有利である。
図1は本発明の実施形態の反応性スパッタリング装置を示している。このスパッタリング装置は、真空チャンバー1を備えている。真空チャンバー1には、図外の真空ポンプに連なる排気口2が設けられている。
真空チャンバー1内の下部には、ステージ3が設けられており、ステージ3上に半導体基板、ガラス基板等の処理基板Sが保持される。また、ステージ3は、絶縁部材3aにより真空チャンバー1に対し電気的に絶縁されている。そして、ステージ3に、高周波電源4により例えば13.56MHzの高周波バイアス電圧を印加できるようにしている。
真空チャンバー1の天井部には、バッキングプレート5が設けられており、バッキングプレート5の下面に、処理基板Sに対向するTi等の金属製のターゲット6が取り付けられている。また、バッキングプレート5は、絶縁部材5aにより真空チャンバー1に対し電気的に絶縁されている。そして、バッキングプレート5に、直流電源7と高周波電源8とにより負の直流電圧と例えば60MHzの高周波電圧とを重畳して印加できるようにしている。
バッキングプレート5の上方には、ターゲット6の表面近傍に電子を封じ込めてプラズマを高密度化するための磁気回路9が設けられている。磁気回路9は、図外のモータによりターゲット6と同心の軸回りに回転する回転板9aに内外2重の磁石列9b,9cを配置し、両磁石列9b,9c間に磁界が形成されるようにしたものである。磁石列9b,9cは、回転板9aが1回転したときにターゲット6の全ての場所でプラズマが同一時間存在するように渦巻き状にレイアウトされている。また、真空チャンバー1内には、ターゲット6と処理基板Sとの間の空間を囲うようにして、上部シールド10Uと下部シールド10Lとが設けられている。
スパッタリングを行う際は、真空チャンバー1内を真空にした後、後記詳述する供給手段11により真空チャンバー1内1にAr等のスパッタガスと窒素、酸素等の反応ガスとを供給し、この状態でステージ3とバッキングプレート5とに上記の如く電圧を印加する。これによれば、ターゲット6と処理基板Sとの間でグロー放電を生じ、このグロー放電によりプラズマが形成される。そして、スパッタガスのイオンによりターゲット6がスパッタされ、ターゲット6から叩き出されたスパッタ粒子と反応ガスとの反応で生じる化合物から成る薄膜が処理基板S上に形成される。
ここで、ターゲット6と処理基板Sとの間の空間にその周囲から反応ガスを供給したのでは、処理基板Sが大径のものである場合、処理基板Sの周辺部分において反応ガスがスパッタ粒子との反応で消費されてしまい、処理基板Sの中央部分では反応ガスが不足して、薄膜中の化合物の割合が低下してしまう。
そこで、本実施形態では、ターゲット6にガス導入孔12を形成し、このガス導入孔12から処理基板Sに向けて反応ガスが供給されるように供給手段9を構成している。具体的には、ターゲット6の中心に、ターゲット6の表裏に貫通するガス導入孔12を形成し、バッキングプレート5にガス導入孔12に連通するガス供給路13を設けて、このガス供給路13にスパッタガス源14及び反応ガス源15からマスフローコントローラ14a,15aを介してスパッタガス及び反応ガスを供給している。
これによれば、ターゲット6に形成したガス導入孔12から処理基板Sに向けて反応ガスが供給されるため、処理基板Sが大径化しても、処理基板Sの全域に亘って均等に反応ガスを供給することができる。その結果、スパッタ粒子と反応ガスとの反応で生ずる化合物の薄膜を処理基板Sの全域に亘り均質に形成することができる。
以上の効果を確かめるため、本実施形態のスパッタリング装置を用い、処理基板S上にTiNの薄膜を形成する試験を行った。試験条件は、処理基板Sの直径300mm、Tiから成るターゲット6の直径440mm、ターゲット6と処理基板Sとの間の距離45mm、スパッタガス(Ar)の流量100sccm、反応ガス(N2)の流量8sccm、真空チャンバー1の内圧20Pa、高周波電源4からの供給電力400W、直流電源7からの供給電力14kW、高周波電源8からの供給電力0Wとした。また、比較のために、ターゲット6と処理基板Sとの間の空間にその周囲からスパッタガス及び反応ガスを供給する従来のスパッタリング装置を用い、上記と同一の条件で処理基板S上にTiNの薄膜を形成する試験を行った。そして、処理基板S上の各位置における薄膜の比抵抗を測定した。
図3のa線は、本実施形態のスパッタリング装置で形成した薄膜の比抵抗の分布を示し、図3のb線は、従来のスパッタリング装置で形成した薄膜の比抵抗の分布を示している。尚、図3の横軸は処理基板Sの中心からの距離を示している。これから明らかなように、従来のスパッタリング装置でTiNの薄膜を形成した場合は、処理基板Sの中央部において、N2ガスが不足して薄膜中のTiNの割合が減少して比抵抗が低下するのに対し、本実施形態のスパッタリング装置でTiNの薄膜を形成した場合は、処理基板Sの全域に亘り比抵抗がほぼ均等になっている。これは、処理基板Sの全域に亘って均等にN2ガスが供給され、TiNの薄膜が処理基板Sの全域に亘り均質に形成されたことを意味している。
ところで、処理基板S上に形成された微細なホール内に亘って薄膜を形成する場合、処理基板Sの周辺部では、処理基板Sの径方向内方側のホール内壁部分の膜厚が処理基板Sの径方向外方側のホール内壁部分の膜厚よりも薄くなり、ステップカバレージが悪くなることがある。ここで、ターゲット6と処理基板Sとの間の距離を45mm以下に短くすると、処理基板Sの周辺部でのステップカバレージを改善できることが判明した。
然し、ターゲット6と処理基板Sとの間の距離を短くすると、ターゲット6と処理基板Sとの間の空間にその周囲から反応ガスを供給する従来のスパッタリング装置では、反応ガスが処理基板Sの中央部分まで拡散しにくくなり、処理基板Sの中央部分での薄膜中の化合物の割合が低下する傾向が強くなる。これに対し、本実施形態のようにターゲット6に形成したガス導入孔12から処理基板Sに向けて反応ガスを供給すれば、処理基板Sとターゲット6との間の距離を45mm以下に短くしても、処理基板Sの中央部分で薄膜中の化合物の割合が低下することはない。
尚、上記第1実施形態の如くガス導入孔12をターゲット6の中心にのみ形成したのでは、ターゲット6と処理基板Sとの間の距離が短く、且つ、処理基板Sが大径化した場合、処理基板Sの周辺部にまで反応ガスが拡散しにくくなる。この場合は、図2に示す第2実施形態の如く、ターゲット6の中心から離れた位置に、周方向の間隔を存して複数のガス導入孔12を形成すればよい。これによれば、処理基板Sの周辺部にも十分に反応ガスが拡散し、処理基板Sの全域に亘り化合物の薄膜を均質に形成することができる。また、第2実施形態において、ターゲット6の中心にもガス導入孔を形成することも可能である。
以上、本発明の実施形態について図面を参照して説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、上記実施形態では、ターゲット6に形成したガス導入孔12から反応ガスに加えてスパッタガスも供給しているが、スパッタガスはターゲット6と処理基板Sとの間の空間にその周囲から供給してもよい。
S…処理基板、1…真空チャンバー、6…ターゲット、11…供給手段、12…ガス導入孔。
Claims (2)
- 処理基板と処理基板に対向するターゲットとを配置した真空チャンバー内にスパッタガスと反応ガスとを供給する手段を備える反応性スパッタリング装置において、
反応ガスの供給手段は、ターゲットに形成したガス導入孔から処理基板に向けて反応ガスを供給するように構成されることを特徴とする反応性スパッタリング装置。 - 前記ガス導入孔は、前記ターゲットの中心から離れた位置に、周方向の間隔を存して複数形成されることを特徴とする請求項1記載の反応性スパッタリング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008256169A JP2010084212A (ja) | 2008-10-01 | 2008-10-01 | 反応性スパッタリング装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008256169A JP2010084212A (ja) | 2008-10-01 | 2008-10-01 | 反応性スパッタリング装置 |
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ID=42248457
Family Applications (1)
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JP2008256169A Pending JP2010084212A (ja) | 2008-10-01 | 2008-10-01 | 反応性スパッタリング装置 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2010084212A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111593311A (zh) * | 2020-06-23 | 2020-08-28 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 用于半导体工艺设备中的靶材和半导体工艺设备 |
Citations (4)
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JPH05230640A (ja) * | 1992-02-25 | 1993-09-07 | Fujitsu Ltd | スパッタ装置 |
JPH05320891A (ja) * | 1992-05-25 | 1993-12-07 | Nec Corp | スパッタリング装置 |
-
2008
- 2008-10-01 JP JP2008256169A patent/JP2010084212A/ja active Pending
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