JP5430185B2 - 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
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Description
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態を説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態による撮像装置の等価回路図の一例である。図1は、2次元的に複数の画素を配列したうちのある2×2画素にかかわる部分を示している。以下、電界効果トランジスタをFETという。単位画素内は、光電変換素子であるフォトダイオード101と、フォトダイオード101で発生した信号を増幅する増幅MOSFET104と、リセットスイッチ103、行選択スイッチ105及び画素転送スイッチ102を有する。リセットスイッチ103は、増幅MOSFET104の入力を所定電圧にリセットする。行選択スイッチ105は、増幅MOSFET104のソース電極と垂直出力線106との導通を制御する。画素転送スイッチ102は、フォトダイオード101と増幅MOSFET104のゲート電極との導通を制御する。また、108はクランプ容量、120は演算増幅器、121は帰還容量、109はクランプスイッチ、110は転送ゲートであり、これらは列ごとに設けられている。
本発明の第2の実施形態を説明する。
図5(D)〜(F)は、本発明の第2の実施形態による固体撮像装置の断面を製造工程順に示す図である。有効画素領域、即ち受光領域と、有効画素領域周辺部、即ちオプティカルブラック領域及びシフトレジスタ領域、電源領域を有する固体撮像装置の断面図を示している。図4と同じ番号の部材は図4と同じ構成、働きをするので説明を割愛する。
本発明の第3の実施形態を説明する。
図9(G)〜(J)は、本発明の第3の実施形態による固体撮像装置の断面を製造工程順に示す図である。有効画素領域、即ち受光領域と、有効画素領域周辺部、即ちオプティカルブラック領域及びシフトレジスタ領域、電源領域を有する固体撮像装置の断面図を示している。図4及び図5と同じ番号の部材の説明は割愛する。
2 多層配線層及び絶縁膜
3 最上部の配線層
4 絶縁膜層
5 第1の平坦化層
6 色フィルター材層
7 第2の平坦化層
8 マイクロレンズ
10 半導体基板
11 段差
12 レンズ材層
13 平坦化層
14 レンズ形状転写層
15 レンズ形状転写パターン
16 マイクロレンズ
17 絶縁膜の凹み部
18 色フィルター材料の凹み部
19 色フィルター材料(グリーン)
20 色フィルター材料(ブルー)
21 色フィルター材料(レッド)
22 層内レンズ層
23 レンズ形状転写パターン
24 マイクロレンズ
25 有効画素領域
26 オプティカルブラック領域
27 読み出し回路
28 シフトレジスタ領域
29 有効画素領域と有効画素領域周辺部との境界
Claims (10)
- 光電変換素子を有する複数の画素を2次元アレイ状に配置した有効画素領域と、
前記有効画素領域の周辺にある遮光膜により遮光された有効画素領域周辺部と、
前記有効画素領域周辺部の前記遮光膜の上及び前記有効画素領域の前記光電変換素子の上に設けられる絶縁膜層と、
前記絶縁膜層の上に設けられる第1の平坦化層と、
前記第1の平坦化層の上に設けられる色フィルター材層と、
前記色フィルター材層の上に設けられる第2の平坦化層と、
前記複数の画素の光電変換素子に対応して前記第2の平坦化層の上に設けられるマイクロレンズとを有し、
前記遮光膜より上でかつ前記マイクロレンズより下のいずれかの層に、前記有効画素領域周辺部内の前記有効画素領域の近傍に凹み部が設けられており、
前記凹み部は、前記有効画素領域周辺部内の前記有効画素領域の近傍において前記絶縁膜層に形成されることを特徴とする固体撮像装置。 - 光電変換素子を有する複数の画素を2次元アレイ状に配置した有効画素領域と、
前記有効画素領域の周辺にある遮光膜により遮光された有効画素領域周辺部と、
前記有効画素領域周辺部の前記遮光膜の上及び前記有効画素領域の前記光電変換素子の上に設けられる絶縁膜層と、
前記絶縁膜層の上に設けられる第1の平坦化層と、
前記第1の平坦化層の上に設けられる色フィルター材層と、
前記色フィルター材層の上に設けられる第2の平坦化層と、
前記複数の画素の光電変換素子に対応して前記第2の平坦化層の上に設けられるマイクロレンズとを有し、
前記遮光膜より上でかつ前記マイクロレンズより下のいずれかの層に、前記有効画素領域周辺部内の前記有効画素領域の近傍に凹み部が設けられており、
前記色フィルター材層は、前記有効画素領域において複数の色のフィルターが配置され、
前記凹み部は、前記有効画素領域周辺部内の前記有効画素領域の近傍において、前記色フィルター材層の前記複数の色のフィルターのうちのいずれかの色のフィルターを配置しないことにより形成されることを特徴とする固体撮像装置。 - 光電変換素子を有する複数の画素を2次元アレイ状に配置した有効画素領域と、
前記有効画素領域の周辺にある遮光膜により遮光された有効画素領域周辺部と、
前記有効画素領域周辺部の前記遮光膜の上及び前記有効画素領域の前記光電変換素子の上に設けられる絶縁膜層と、
前記絶縁膜層の上に設けられる第1の平坦化層と、
前記第1の平坦化層の上に設けられる色フィルター材層と、
前記色フィルター材層の上に設けられる第2の平坦化層と、
前記複数の画素の光電変換素子に対応して前記第2の平坦化層の上に設けられるマイクロレンズとを有し、
前記遮光膜より上でかつ前記マイクロレンズより下のいずれかの層に、前記有効画素領域周辺部内の前記有効画素領域の近傍に凹み部が設けられており、
前記凹み部は、前記有効画素領域周辺部内の前記有効画素領域の近傍において、前記第1の平坦化層、または第2の平坦化層に形成されることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記有効画素領域において複数の配線を有する配線層が配され、
前記配線層は前記有効画素領域周辺部の前記遮光膜を含み、
前記有効画素領域の複数の画素のそれぞれは、前記複数の配線の一部によって構成される凹み部からなる開口を有し、
前記有効画素領域周辺部の前記凹み部は、前記有効画素領域周辺部の前記凹み部の1つの体積が前記有効画素領域の1つの画素の凹み部の体積の50%以上になるように形成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記有効画素領域において複数の配線を有する配線層が配され、
前記配線層は前記有効画素領域周辺部の前記遮光膜を含み、
前記有効画素領域の複数の画素のそれぞれは、前記複数の配線の一部によって構成される凹み部からなる開口を有し、
前記有効画素領域周辺部の前記凹み部は、前記有効画素領域の凹み部と同じ配列で配されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記有効画素領域において複数の配線を有する配線層が配され、
前記配線層は前記有効画素領域周辺部の前記遮光膜を含み、
前記有効画素領域の複数の画素のそれぞれは、前記複数の配線の一部によって構成される凹み部からなる開口を有し、
前記有効画素領域周辺部の前記凹み部は、前記有効画素領域の凹み部と同じ体積かつ同じ配列で形成されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 光電変換素子を有する複数の画素を2次元アレイ状に配置した有効画素領域と、
前記有効画素領域の周辺にある遮光膜により遮光された有効画素領域周辺部と、
前記有効画素領域周辺部の前記遮光膜の上及び前記有効画素領域の前記光電変換素子の上に設けられる絶縁膜層と、
前記絶縁膜層の上に設けられる第1の平坦化層と、
前記第1の平坦化層の上に設けられる色フィルター材層と、
前記色フィルター材層の上に設けられる第2の平坦化層と、
前記複数の画素の光電変換素子に対応して前記第2の平坦化層の上に設けられるマイクロレンズとを有し、
前記遮光膜より上でかつ前記マイクロレンズより下のいずれかの層に、前記有効画素領域周辺部内の前記有効画素領域の近傍に凹み部が設けられており、
さらに、前記絶縁膜層の上でかつ前記第1の平坦化層の下に層内レンズを有し、
前記凹み部は、前記有効画素領域周辺部内の前記有効画素領域の近傍において、前記層内レンズの配置数が前記有効画素領域の配置数より低くなるように前記層内レンズが配置されることにより形成されることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記有効画素領域周辺部の層内レンズは、前記有効画素領域周辺部の前記層内レンズの体積が前記有効画素領域の前記層内レンズの体積の50%以上になるような形状を有することを特徴とする請求項7記載の固体撮像装置。
- 光電変換素子を有する複数の画素を2次元アレイ状に配置した有効画素領域と、
前記有効画素領域の周辺にある遮光膜により遮光された有効画素領域周辺部と、
前記有効画素領域周辺部の前記遮光膜の上及び前記有効画素領域の前記光電変換素子の上に設けられる絶縁膜層と、
前記絶縁膜層の上に設けられる第1の平坦化層と、
前記複数の画素の光電変換素子に対応して前記第1の平坦化層の上に設けられるマイクロレンズとを有し、
前記有効画素領域周辺部内の前記有効画素領域の近傍において前記絶縁膜層に開口が設けられており、前記開口内に前記第1の平坦化層が位置することを特徴とする固体撮像装置。 - 光電変換素子を有する複数の画素を2次元アレイ状に配置した有効画素領域と、
前記有効画素領域の周辺にある遮光膜により遮光された有効画素領域周辺部と、を有する固体撮像装置の製造方法において、
前記有効画素領域周辺部に前記遮光膜を形成する工程と、
前記有効画素領域周辺部の前記遮光膜の上及び前記有効画素領域の前記光電変換素子の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記有効画素領域周辺部内の前記有効画素領域の近傍の前記絶縁膜の一部を除去し、凹み部を形成する工程と、
前記有効画素領域周辺部の前記絶縁膜の一部を除去し、パッド部のための開口を形成する工程とを有し、
前記凹み部を形成する工程と、前記パッド部のための開口を形成する工程とを同一工程において行うことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
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