JP5927483B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る積層型の固体撮像装置の画素アレイ1を模式的に示す回路図である。また、図2は本発明の実施の形態1に係る積層型の固体撮像装置の画素アレイ1のゲート長方向の断面図である。
線20や電源線21や信号線22といった配線を含めて、変更することが可能である。例えば、行方向の配線数と列方向の配線数を同じにすることで、配線をできるだけ太くでき、配線抵抗を低減することができる。また、電位が高い配線同士を行方向と列方向に分け、電位が低い配線を行方向と列方向に分けて配置することも可能である。
画素2Gの下部電極34と上部電極36間の電界を、赤色画素2R、青色画素2B(図示せず)よりも強くする必要があるため、赤色電位線(VRR)17と青色電位線(VRB)19の電位を上げることが望ましい。
よって、1.033um×1.033umのセルサイズと同等となり、面積は1.068um2となる。簡易のため光電変換膜35内で発生した正孔が同じ密度で分布しているとすると6.8%の感度アップとなる。
図6は本発明の実施の形態2に係る積層型の固体撮像装置の画素アレイ1の断面図である。実施の形態1と共通する箇所についての説明は省略する。
(実施の形態3)
図7は本発明の実施の形態3に係る積層型の固体撮像装置の画素アレイ1の断面図である。実施の形態1と共通する箇所についての説明は省略する。
(実施の形態4)
図8は、本発明に関わる実施の形態1〜3による固体撮像装置のシグナルフロー図である。
2 画素
11 光電変換部
12 フローティングディフュージョン(FD)
13 増幅トランジスタ(SF)
14 リセットトランジスタ(RS)
15 選択トランジスタ(SEL)
16 リセット信号線(RS線)
17 赤色電位線(VRR)
18 緑色電位線(VRG)
19 青色電位線(VRB)
20 選択信号線(SEL線)
21 電源線(VDD)
22 信号線(SIG線)
31 半導体基板
32 溝型素子分離(STI)
33 配線層
34 下部電極
35 光電変換膜
36 上部電極
37 保護膜
38R 赤色カラーフィルタ
38G 緑色カラーフィルタ
38B 青色カラーフィルタ
39 マイクロレンズ
41 中央画素
42 周辺画素
51 正常画素
52 不良画素
61 イメージセンサ
62 DSP
101 半導体基板
102 電荷蓄積部
103 信号読み出し部
104 絶縁膜
105 プラグ
106 下部電極
107 光電変換膜
108 上部電極
109 保護膜
110R 赤色カラーフィルタ
110G 緑色カラーフィルタ
110B 青色カラーフィルタ
111 マイクロレンズ
Claims (2)
- 第1のリセットトランジスタを備えた第1の画素と、第2のリセットトランジスタを備えた第2の画素とが形成された半導体基板と、
前記半導体基板の上に位置する配線層と、
前記配線層の上に位置し、第1のリセットトランジスタのソースに電気的に接続された第1の下部電極と、
前記配線層の上に前記第1の下部電極に隣接して位置し、第2のリセットトランジスタのソースに電気的に接続された第2の下部電極と、
前記第1の下部電極および前記第2の下部電極の上に位置する光電変換膜と、
前記光電変換膜の上に位置する透明な上部電極と、を備え、
前記第1の画素は、前記第1の下部電極と前記光電変換膜と前記上部電極とを含み、
前記第2の画素は、前記第2の下部電極と前記光電変換膜と前記上部電極とを含み、
前記第1のリセットトランジスタのドレインにかける第1のリセット電位と前記第2のリセットトランジスタのドレインにかける第2のリセット電位とが異なることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記第1のリセット電位と前記上部電極の電位との電位差が、前記第2のリセット電位と前記上部電極の電位との電位差よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011224649A JP5927483B2 (ja) | 2011-10-12 | 2011-10-12 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011224649A JP5927483B2 (ja) | 2011-10-12 | 2011-10-12 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013085164A JP2013085164A (ja) | 2013-05-09 |
JP5927483B2 true JP5927483B2 (ja) | 2016-06-01 |
Family
ID=48529902
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011224649A Active JP5927483B2 (ja) | 2011-10-12 | 2011-10-12 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5927483B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016009777A (ja) | 2014-06-25 | 2016-01-18 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP6555512B2 (ja) * | 2014-10-23 | 2019-08-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置および画像取得装置 |
WO2016194653A1 (ja) | 2015-06-05 | 2016-12-08 | ソニー株式会社 | 撮像素子、電子機器、並びに、製造装置および方法 |
JP7316049B2 (ja) * | 2019-01-10 | 2023-07-27 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び光電変換システム |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2509592B2 (ja) * | 1986-12-26 | 1996-06-19 | 株式会社東芝 | 積層型固体撮像装置 |
JPH05199453A (ja) * | 1992-01-22 | 1993-08-06 | Fujitsu General Ltd | Ccdカメラ装置のシェーディング補正回路 |
JP3592107B2 (ja) * | 1998-11-27 | 2004-11-24 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
JP2007081626A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその調整方法 |
JP4511442B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2010-07-28 | 富士フイルム株式会社 | 感度可変型撮像素子及びこれを搭載した撮像装置 |
JP4444371B1 (ja) * | 2009-09-01 | 2010-03-31 | 富士フイルム株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
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2011
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013085164A (ja) | 2013-05-09 |
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A621 | Written request for application examination |
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RD01 | Notification of change of attorney |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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