JP5420347B2 - 二重帯域ダイポールマイクロ波切除アンテナ - Google Patents
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Description
（１．技術分野）
本開示は概して、組織切除処置において使用されるマイクロ波アンテナに関する。さらに詳細には、本開示は、二重帯域能力を有するダイポールマイクロ波アンテナに関する。
本開示は概して、組織切除処置において使用されるマイクロ波アンテナに関する。さらに詳細には、本開示は、二重帯域能力を有するダイポールマイクロ波アンテナに関する。
（２．関連技術の背景）
特定の疾患の治療には、悪性組織の成長（腫瘍）を破壊することが必要である。腫瘍細胞は、周囲の健康な細胞に傷害を与える温度よりもわずかに低い温度にまで高められると変性することが公知である。したがって、例えば温熱療法のような公知の治療方法は、腫瘍細胞を４１℃上回る温度に加熱し、一方、不可逆性の細胞損傷を回避するために、隣接する健康な細胞をより低い温度に維持する。かかる方法は、組織を加熱するために、電磁放射を適用することと関係し、かつ組織の切除および凝固を含む。特に、マイクロ波エネルギーは、組織を凝固および／または切除し、癌性細胞を変性させるか、もしくは殺すために使用される。
特定の疾患の治療には、悪性組織の成長（腫瘍）を破壊することが必要である。腫瘍細胞は、周囲の健康な細胞に傷害を与える温度よりもわずかに低い温度にまで高められると変性することが公知である。したがって、例えば温熱療法のような公知の治療方法は、腫瘍細胞を４１℃上回る温度に加熱し、一方、不可逆性の細胞損傷を回避するために、隣接する健康な細胞をより低い温度に維持する。かかる方法は、組織を加熱するために、電磁放射を適用することと関係し、かつ組織の切除および凝固を含む。特に、マイクロ波エネルギーは、組織を凝固および／または切除し、癌性細胞を変性させるか、もしくは殺すために使用される。
マイクロ波エネルギーは、組織を貫通して腫瘍に到達するマイクロ波切除アンテナを介して印加される。例えばモノポールおよびダイポールのような幾つかのタイプのマイクロ波アンテナがあり、これらにおいては、マイクロ波エネルギーは、導電体の軸から垂直に放射する。モノポールアンテナは、単一の細長いマイクロ波導電体を含み、一方、ダイポールアンテナは、２つの導電体を含む。ダイポールアンテナにおいて、導電体は、誘電体部分によって分離された内側導電体と外側導電体とを含む同軸構成であり得る。より詳細には、ダイポールマイクロ波アンテナは、長くて細い内側導電体を有し得、該長くて細い内側導電体は、アンテナの長手方向軸に沿って延び、外側導電体によって取り囲まれる。特定の変形例において、外側導電体の一つの部分または複数の部分は、選択的に取り外されて、エネルギーのより効果的な外向きの放射を提供し得る。このタイプのマイクロ波アンテナ構造は通常、「漏洩導波管」アンテナまたは「漏洩同軸」アンテナと称される。
従来のマイクロ波アンテナは、単一の周波数で動作し、同様な形状の損傷の作成（例えば、球状、長楕円形、その他）を可能にする。異なる切除形状を取得するためには、異なるタイプのアンテナが通常使用される。
（概要）
本開示の別の局面に従って、３軸マイクロ波アンテナアセンブリが開示される。３軸マイクロ波アンテナは、内側導電体を有するフィードライン、内側導電体の周りに配置された中央導電体、および中央導電体の周りに配置された外側導電体、ならびに高周波数放射区間と低周波数放射区間とを含む放射部分を含む。
本開示の別の局面に従って、３軸マイクロ波アンテナアセンブリが開示される。３軸マイクロ波アンテナは、内側導電体を有するフィードライン、内側導電体の周りに配置された中央導電体、および中央導電体の周りに配置された外側導電体、ならびに高周波数放射区間と低周波数放射区間とを含む放射部分を含む。
損傷を形成する方法も本開示によって想定されている。方法は、放射部分を含む３軸マイクロ波アンテナアセンブリを提供する最初のステップを含む。放射部分は、第１の所定の長さを有する第１の周波数放射区間と、第２の所定の長さを有する第２の周波数放射区間とを含む。方法は、損傷の少なくとも１つの特性を調節するために、第１の周波数または第２の周波数のいずれかでマイクロ波を供給して、第１の周波数放射区間および第２の放射区間のうちの少なくとも１つに選択的にエネルギーを与えるステップも含む。損傷の特性は深さと直径とを含む。
例えば、本発明は以下を提供する。
（項目１Ａ）
３軸マイクロ波アンテナアセンブリであって、
内側導電体と、該内側導電体の周りに配置された中央導電体と、該中央導電体の周りに配置された外側導電体とを含むフィードラインと、
高周波数放射区間と低周波数放射区間とを含む放射部分と
を備えている、３軸マイクロ波アンテナアセンブリ。
３軸マイクロ波アンテナアセンブリであって、
内側導電体と、該内側導電体の周りに配置された中央導電体と、該中央導電体の周りに配置された外側導電体とを含むフィードラインと、
高周波数放射区間と低周波数放射区間とを含む放射部分と
を備えている、３軸マイクロ波アンテナアセンブリ。
（項目２Ａ）
上記高周波数放射区間は、上記内部導電体の一部分と上記中央導電体の一部分とを含み、上記低周波数放射区間は、該中央導電体の該一部分と上記外側導電体の一部分とを含む、上記項目のいずれか一項に記載の３軸マイクロ波アンテナアセンブリ。
上記高周波数放射区間は、上記内部導電体の一部分と上記中央導電体の一部分とを含み、上記低周波数放射区間は、該中央導電体の該一部分と上記外側導電体の一部分とを含む、上記項目のいずれか一項に記載の３軸マイクロ波アンテナアセンブリ。
（項目３Ａ）
上記内側導電体の上記一部分は、上記中央導電体から第１の所定の距離を延び、該中央導電体の上記一部分は、上記外側導電体から該第１の所定の距離を延びる、上記項目のいずれか一項に記載の３軸マイクロ波アンテナアセンブリ。
上記内側導電体の上記一部分は、上記中央導電体から第１の所定の距離を延び、該中央導電体の上記一部分は、上記外側導電体から該第１の所定の距離を延びる、上記項目のいずれか一項に記載の３軸マイクロ波アンテナアセンブリ。
（項目４Ａ）
上記第１の所定の距離は、高周波数で供給されるマイクロ波エネルギーの振幅の４分の１波長である、上記項目のいずれか一項に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
上記第１の所定の距離は、高周波数で供給されるマイクロ波エネルギーの振幅の４分の１波長である、上記項目のいずれか一項に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
（項目５Ａ）
上記外側導電体は管状構造を含み、該管状構造は、その中に空洞を含み、該空洞は、そこを通って冷却流体を循環させるように適合され、該空洞は、該外側導電体の遠位部分から第２の所定の距離に配置される、上記項目のいずれか一項に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
上記外側導電体は管状構造を含み、該管状構造は、その中に空洞を含み、該空洞は、そこを通って冷却流体を循環させるように適合され、該空洞は、該外側導電体の遠位部分から第２の所定の距離に配置される、上記項目のいずれか一項に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
（項目６Ａ）
上記第１の距離の２倍と第２の所定の距離との合計は、低周波数で供給されるマイクロ波エネルギーの振幅の２分の１波長である、上記項目のいずれか一項に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
上記第１の距離の２倍と第２の所定の距離との合計は、低周波数で供給されるマイクロ波エネルギーの振幅の２分の１波長である、上記項目のいずれか一項に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
（項目７Ａ）
上記外側導電体の周りに配置されたチョークをさらに含み、該チョークは、該外側導電体の遠位部分から第２の所定の距離に配置されている、上記項目のいずれか一項に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
上記外側導電体の周りに配置されたチョークをさらに含み、該チョークは、該外側導電体の遠位部分から第２の所定の距離に配置されている、上記項目のいずれか一項に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
（項目８Ａ）
上記第１の距離の２倍と上記第２の所定の距離との合計は、低周波数で供給されるマイクロ波エネルギーの振幅の２分の１波長である、上記項目のいずれか一項に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
上記第１の距離の２倍と上記第２の所定の距離との合計は、低周波数で供給されるマイクロ波エネルギーの振幅の２分の１波長である、上記項目のいずれか一項に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
（項目１Ｂ）
３軸マイクロ波アンテナアセンブリであって、
内側導電体と、該内側導電体の周りに配置された中央導電体と、該中央導電体の周りに配置された外側導電体とを含むフィードラインと、
高周波数放射区間と低周波数放射区間とを含む放射部分と
を備えている、３軸マイクロ波アンテナアセンブリ。
３軸マイクロ波アンテナアセンブリであって、
内側導電体と、該内側導電体の周りに配置された中央導電体と、該中央導電体の周りに配置された外側導電体とを含むフィードラインと、
高周波数放射区間と低周波数放射区間とを含む放射部分と
を備えている、３軸マイクロ波アンテナアセンブリ。
（項目２Ｂ）
上記高周波数放射区間は、上記内部導電体の一部分と上記中央導電体の一部分とを含み、上記低周波数放射区間は、該中央導電体の該一部分と上記外側導電体の一部分とを含む、上記項目のいずれか一項に記載の３軸マイクロ波アンテナアセンブリ。
上記高周波数放射区間は、上記内部導電体の一部分と上記中央導電体の一部分とを含み、上記低周波数放射区間は、該中央導電体の該一部分と上記外側導電体の一部分とを含む、上記項目のいずれか一項に記載の３軸マイクロ波アンテナアセンブリ。
（項目３Ｂ）
上記内側導電体の上記一部分は、上記中央導電体から第１の所定の距離を延び、該中央導電体の上記一部分は、上記外側導電体から該第１の所定の距離を延びる、上記項目のいずれか一項に記載の３軸マイクロ波アンテナアセンブリ。
上記内側導電体の上記一部分は、上記中央導電体から第１の所定の距離を延び、該中央導電体の上記一部分は、上記外側導電体から該第１の所定の距離を延びる、上記項目のいずれか一項に記載の３軸マイクロ波アンテナアセンブリ。
（項目４Ｂ）
上記第１の所定の距離は、高周波数で供給されるマイクロ波エネルギーの振幅の４分の１波長である、上記項目のいずれか一項に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
上記第１の所定の距離は、高周波数で供給されるマイクロ波エネルギーの振幅の４分の１波長である、上記項目のいずれか一項に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
（項目５Ｂ）
上記外側導電体は管状構造を含み、該管状構造は、その中に空洞を含み、該空洞は、そこを通って冷却流体を循環させるように適合され、該空洞は、該外側導電体の遠位部分から第２の所定の距離に配置される、上記項目のいずれか一項に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
上記外側導電体は管状構造を含み、該管状構造は、その中に空洞を含み、該空洞は、そこを通って冷却流体を循環させるように適合され、該空洞は、該外側導電体の遠位部分から第２の所定の距離に配置される、上記項目のいずれか一項に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
（項目６Ｂ）
上記第１の距離の２倍と第２の所定の距離との合計は、低周波数で供給されるマイクロ波エネルギーの振幅の２分の１波長である、上記項目のいずれか一項に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
上記第１の距離の２倍と第２の所定の距離との合計は、低周波数で供給されるマイクロ波エネルギーの振幅の２分の１波長である、上記項目のいずれか一項に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
（項目７Ｂ）
上記外側導電体の周りに配置されたチョークをさらに含み、該チョークは、該外側導電体の遠位部分から第２の所定の距離に配置されている、上記項目のいずれか一項に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
上記外側導電体の周りに配置されたチョークをさらに含み、該チョークは、該外側導電体の遠位部分から第２の所定の距離に配置されている、上記項目のいずれか一項に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
（項目８Ｂ）
上記第１の距離の２倍と上記第２の所定の距離との合計は、低周波数で供給されるマイクロ波エネルギーの振幅の２分の１波長である、上記項目のいずれか一項に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
上記第１の距離の２倍と上記第２の所定の距離との合計は、低周波数で供給されるマイクロ波エネルギーの振幅の２分の１波長である、上記項目のいずれか一項に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
（項目９Ｂ）
損傷を形成する方法であって、
第１の所定の長さを有する第１の周波数放射区間と、第２の所定の長さを有する第２の周波数放射区間とを備えている３軸マイクロ波アンテナアセンブリを提供するステップと、
損傷の少なくとも１つの特性を調節するために、第１の周波数および第２の周波数のうちの少なくとも１つで、マイクロ波エネルギーを供給して、該第１の周波数放射区間および該第２の放射区間のうちの少なくとも１つに選択的にエネルギーを与えるステップと
を包含する、方法。
損傷を形成する方法であって、
第１の所定の長さを有する第１の周波数放射区間と、第２の所定の長さを有する第２の周波数放射区間とを備えている３軸マイクロ波アンテナアセンブリを提供するステップと、
損傷の少なくとも１つの特性を調節するために、第１の周波数および第２の周波数のうちの少なくとも１つで、マイクロ波エネルギーを供給して、該第１の周波数放射区間および該第２の放射区間のうちの少なくとも１つに選択的にエネルギーを与えるステップと
を包含する、方法。
（項目１０Ｂ）
上記損傷の少なくとも１つの特性は、形状、直径および深さから成る群から選択される、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
上記損傷の少なくとも１つの特性は、形状、直径および深さから成る群から選択される、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
（項目１１Ｂ）
高周波数でマイクロ波エネルギーを供給して、上記３軸マイクロ波アンテナアセンブリの上記第１の周波数放射区間にエネルギーを与えるステップをさらに包含する、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
高周波数でマイクロ波エネルギーを供給して、上記３軸マイクロ波アンテナアセンブリの上記第１の周波数放射区間にエネルギーを与えるステップをさらに包含する、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
（項目１２Ｂ）
低周波数でマイクロ波エネルギーを供給して、上記３軸マイクロ波アンテナアセンブリの上記第２の周波数放射区間にエネルギーを与えるステップをさらに包含する、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
低周波数でマイクロ波エネルギーを供給して、上記３軸マイクロ波アンテナアセンブリの上記第２の周波数放射区間にエネルギーを与えるステップをさらに包含する、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
（項目１３Ｂ）
上記提供するステップの上記３軸マイクロ波アンテナアセンブリは、内側導電体と、該内側導電体の周りに配置された中央導電体と、該中央導電体の周りに配置された外側導電体とを含む、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
上記提供するステップの上記３軸マイクロ波アンテナアセンブリは、内側導電体と、該内側導電体の周りに配置された中央導電体と、該中央導電体の周りに配置された外側導電体とを含む、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
（項目１４Ｂ）
上記提供するステップの上記第１の放射区間は、上記内側導電体の少なくとも一部分と、上記中央導電体の少なくとも一部分とを含む、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
上記提供するステップの上記第１の放射区間は、上記内側導電体の少なくとも一部分と、上記中央導電体の少なくとも一部分とを含む、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
（項目１５Ｂ）
上記内側導電体の上記一部分は、上記中央導電体から第１の所定の距離を延び、該中央導電体の上記一部分は、上記外側導電体から該第１の所定の距離を延び、それによって上記第１の所定の長さは、該第１の所定の距離の約２倍に等しい、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
上記内側導電体の上記一部分は、上記中央導電体から第１の所定の距離を延び、該中央導電体の上記一部分は、上記外側導電体から該第１の所定の距離を延び、それによって上記第１の所定の長さは、該第１の所定の距離の約２倍に等しい、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
（項目１６Ｂ）
上記第１の所定の距離は、上記第１の周波数で供給されるマイクロ波エネルギーの振幅の４分の１波長である、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
上記第１の所定の距離は、上記第１の周波数で供給されるマイクロ波エネルギーの振幅の４分の１波長である、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
（項目１７Ｂ）
上記提供するステップの上記第２の放射区間は、上記中央導電体の少なくとも一部分と、上記外側導電体の少なくとも一部分とを含み、該外側導電体の該一部分は、第２の所定の距離においてチョークされる、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
上記提供するステップの上記第２の放射区間は、上記中央導電体の少なくとも一部分と、上記外側導電体の少なくとも一部分とを含み、該外側導電体の該一部分は、第２の所定の距離においてチョークされる、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
（項目１８Ｂ）
上記第２の所定の長さは、上記第１の所定の長さと上記第２の所定の距離のおよその合計に等しく、これは、上記第２の周波数で供給されるマイクロ波エネルギーの振幅の２分の１波長である、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
上記第２の所定の長さは、上記第１の所定の長さと上記第２の所定の距離のおよその合計に等しく、これは、上記第２の周波数で供給されるマイクロ波エネルギーの振幅の２分の１波長である、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
（摘要）
３軸マイクロ波アンテナアセンブリが開示される。３軸マイクロ波アンテナは、内側導電体を有するフィードライン、内側導電体の周りに配置された中央導電体、および中央導電体の周りに配置された外側導電体、ならびに高周波数放射区間と低周波数放射区間とを含む放射部分を含む。
３軸マイクロ波アンテナアセンブリが開示される。３軸マイクロ波アンテナは、内側導電体を有するフィードライン、内側導電体の周りに配置された中央導電体、および中央導電体の周りに配置された外側導電体、ならびに高周波数放射区間と低周波数放射区間とを含む放射部分を含む。
本開示の上記の局面および他の局面、特徴、ならびに利点は、添付の図面と共に、以下の詳細な記述に照らすとより明らかとなる。
図１は、本開示の実施形態によるマイクロ波切除システムの概略図である。
図２は、本開示による図１のマイクロ波アンテナアセンブリの斜視内部図である。
図３は、本開示による図１のマイクロ波アンテナアセンブリの断面側面図である。
図４は、本開示による図１のマイクロ波アンテナアセンブリの概略図である。
図５は、本開示による図１のマイクロ波アンテナアセンブリの放射部分の等測図である。
図６は、本開示の実施形態によるマイクロ波切除システムの実施形態の概略図である。
図７Ａおよび図７Ｂは、本開示による図６のマイクロ波アンテナアセンブリの実施形態の断面側面図である。
図７Ａおよび図７Ｂは、本開示による図６のマイクロ波アンテナアセンブリの実施形態の断面側面図である。
（詳細な説明）
本開示の特定の実施形態が、添付の図面を参照して以下、本明細書に記述される。以下の記述において、構造の周知の機能は、本開示を不必要な詳細によって不明確にすることを回避するために、詳細には記述されない。
本開示の特定の実施形態が、添付の図面を参照して以下、本明細書に記述される。以下の記述において、構造の周知の機能は、本開示を不必要な詳細によって不明確にすることを回避するために、詳細には記述されない。
図１は、マイクロ波切除システム１０を示し、マイクロ波切除システム１０は、可撓性同軸ケーブル１６を介してマイクロ波発生装置１４に結合されたマイクロ波アンテナアセンブリ１２を含む。発生装置１４は、約５００ＭＨｚ〜約５０００ＭＨｚの動作周波数でマイクロ波エネルギーを提供するように構成される。
図示された実施形態において、アンテナアセンブリ１２は、フィードライン２０（またはシャフト）によってケーブル１６に接続された放射部分１８を含む。シース３８は、放射部分１８およびフィードライン２０を取り囲み、冷却流体が、アンテナアセンブリ１２の周りを循環することを可能にする。別の実施形態において、固体誘電材料がその中に配置され得る。
図２は、ダイポールアンテナ４０を有するアンテナアセンブリ１２の放射部分１８を示す。ダイポールアンテナ４０は、フィードライン２０に結合され、フィードライン２０は、アンテナアセンブリ１２を発生装置１４に電気的に接続する。図３に示されるように、フィードライン２０は、内側絶縁体５２によって取り囲まれた内側導電体５０（例えばワイヤ）を含み、内側絶縁体５２は、外側導電体５６（例えば円筒状の導電シース）によって取り囲まれている。内側導電体５０および外側導電体５６は、銅、金、ステンレス鋼、または同様の導電率値を有する他の導電性金属から構成され得る。金属は、他の材料、例えば他の導電性材料でメッキされて、例えば導電率を向上させるか、またはエネルギー損を減少させるなど、それらの特性を向上させ得る。一実施形態において、フィードライン２０は、０．０４７インチの外径で５０オームを定格とするワイヤを有する同軸半剛性、または可撓性ケーブルから形成され得る。
ダイポールアンテナ４０は、内側導電体５０および内側絶縁体５２から形成され得、内側導電体５０および内側絶縁体５２は、図２に最も良く示されるように、外側導電体５６の外側に延びる。フィードライン２０が同軸ケーブルから形成される一実施形態において、外側導電体５６および内側絶縁体５２は、図３に示されるように、剥ぎ取られて、内側導電体５０を露出させ得る。
アセンブリ１２は、先細の端２４を有する先端４８も含み、先細の端２４は、一実施形態において、尖った端２６で終端し、放射部分１８の遠位端における最小の抵抗での組織の中への挿入を可能にする。放射部分１８が既存の開口部の中に挿入されるような場合においては、先端４８は、丸くされ得るか、または平坦であり得る。
組織を貫通するために適切な様々な耐熱材料、例えば金属（例えばステンレス鋼）および様々な熱可塑性材料（例えばポリエーテルイミド（ｐｏｌｅｔｈｅｒｉｍｉｄｅ）、ポリアミド熱可塑性樹脂（この例は、Ｇｅｎｅｒａｌ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｃｏ． ｏｆ Ｆａｉｒｆｉｅｌｄ，ＣＴによって販売されているＵｌｔｅｍ（登録商標）））から形成され得る先端４８。先端４８は、所望の形状を取得するために、様々なストックロッド（ｓｔｏｃｋ ｒｏｄ）から機械加工され得る。先端４８は、様々な接着剤、例えばエポキシシールを使用して、遠位部分７８に取り付けられ得る。先端４８が金属である場合、先端４８は、遠位部分７８にはんだ付け、または溶接され得る。
マイクロ波エネルギーが、ダイポールアンテナ４０に印加される場合、図４に示されるように、内側導電体５０の延長された部分は、第１のポール７０として作用し、外側導電体５６は、第２のポール７２として作用する。図５に示されるように、第１のポール７０は、インダクタ７４を含み、インダクタ７４は、第１のポール７０の近位部分７６と遠位部分７８との間に配置され得る。遠位部分７８および近位部分７６は、平衡（例えば、等しい長さ）または不平衡（例えば、等しくない長さ）であり得る。
第２のポール７２（図４）は、第１の所定の長さａを有し得、該第１の所定の長さａは、第１の周波数での発生装置１４の動作振幅の４分の１波長であり得る。さらに詳細には、発生装置１４は、様々な周波数、例えば第１の周波数および第２の周波数、２４５０ＭＨｚおよび９１５ＭＨｚそれぞれで動作するように適合され得る。したがって、長さａは、２４５０ＭＨｚで供給されるマイクロ波エネルギーの振幅の４分の１波長であり得る（例えば、λｅＨＦ／４、ここでＨＦは、第１の周波数または高周波数）。他の適切な周波数が本開示によって想定されている。
第１のポール７０の近位部分７６は、第２のポール７２と実質的に同じ長さ、すなわち長さａであり得る。遠位部分７８は、第２の所定の長さｂを有し得、その結果、第１のポール７０の全長は、長さｃであり得、長さｃは、長さａと長さｂの合計である。長さｃは、第２の周波数、すなわち９１５ＭＨｚでの発生装置１４の動作振幅の４分の１波長であり得る（例えば、λｅＬＦ／４、ここでＬＦは、第２の周波数または低周波数）。当業者は、第２のポール７２の長さおよび近位部分７６の長さならびに第１のポール７０の全長は、動作周波数の４分の１波長に限定されず、本明細書において論議される比例する長さの関係を維持する任意の適切な長さであり得ることを理解する。
ミアンダストリップ（ｍｅａｎｄｅｒｅｄ ｓｔｒｉｐ）または任意の適切なタイプのインダクタであり得るインダクタ７４は、発生装置１４によって供給される信号の周波数に比例するインピーダンスを有し得、その結果、インダクタ７４のインピーダンスは、発生装置１４が、第１の周波数（例えば２４５０ＭＨｚ）で動作しているとき、比較的高く、発生装置１４が、第２の周波数（例えば９１５ＭＨｚ）で出力しているときは低い。
第１の周波数において、インダクタ７４のインピーダンスは高く、したがって、高周波数マイクロ波信号が、第１のポール７０の遠位部分７８に到達することを遮る。その結果、マイクロ波信号は、第２のポール７２および第１のポール７０の近位部分７６にエネルギーを与え、したがって、第２のポール７２および近位部分７６だけが共振する。換言すれば、アンテナ４０の第１の動作長さ（例えば、共振する全長）は、第２のポール７２と近位部分７６の合計となり、第１の周波数での発生装置１４の動作振幅のほぼ２分の１波長である（例えば、λｅＨＦ／４＋λｅＨＦ／４＝λｅＨＦ／２）。
第２の周波数において、インダクタ７４のインピーダンスはより低く、したがって、より低い周波数マイクロ波信号が、遠位部分７８に伝播することを可能にする。マイクロ波信号は、第２のポール７２および第１のポール７０全体にエネルギーを与えるので、第１のポール７０および第２のポール７２は、完全に共振する。その結果、アンテナ４０の第２の動作長さ（例えば総共振長さ）は、第２のポール７２と第１のポール７０の合計であり、第２の周波数での発生装置１４の動作振幅のほぼ２分の１波長である（例えば、λｅＬＦ／４＋λｅＨＦ／４）。
アンテナ４０は、第１の周波数および第２の周波数で共振するので、第１のポール７０と第２のポール７２の全長は、λｅＬＦ／２であり得、この場合、第１のポール７０の長さは、λｅＬＦ／４に等しくない。両周波数での広帯域挙動を保証するために、チョークは使用されない。アセンブリ１２のシャフトに沿った組織の切除を制限するために、冷却流体が、シース３８（図１）の中に供給され得る。
図６は、３軸マイクロ波アンテナアセンブリ１１２を含むマイクロ波切除システム１００を示し、３軸マイクロ波アンテナアセンブリ１１２は、可撓性同軸ケーブル１６を介してマイクロ波発生装置１４に結合される。３軸アンテナアセンブリ１１２は、フィードライン１２０（またはシャフト）によってケーブル１６に接続された放射部分１１８を含む。さらに詳細には、３軸アンテナアセンブリ１１２は、接続ハブ２２を介してケーブル１６に結合され、接続ハブ２２は、出口流体ポート３０および入口流体ポート３２を有し、冷却流体３７が、ポート３０およびポート３２から３軸アンテナアセンブリ１１２の周囲を循環することを可能にする。冷却流体３７は、例えばイオン除去水またはイオン除去食塩水のような誘電性冷却流体であり得る。ポート３０およびポート３２はまた、供給ポンプ３４に結合され、供給ポンプ３４は、供給ライン８６を介して供給タンク３６に結合される。供給ポンプ３４は、蠕動ポンプまたは任意の他の適切なタイプであり得る。供給タンク３６は、冷却流体３７を格納し、一実施形態において、所定の温度で流体を維持し得る。さらに詳細には、供給タンク３６は、冷却剤ユニットを含み得、該冷却剤ユニットは、３軸アンテナアセンブリ１１２から戻ってくる液体を冷却する。別の実施形態において、冷却流体３７は、気体および／または流体および気体の混合物であり得る。
図７Ａは、ダブルダイポールアンテナ１４０を有する３軸アンテナアセンブリ１１２のフィードライン１２０および放射部分１１８を示す。ダブルダイポールアンテナ１４０は、フィードライン１２０に結合され、フィードライン１２０は、３軸アンテナアセンブリ１１２を発生装置１４に電気的に接続する。放射部分１１８は、内側絶縁体１５２によって取り囲まれた内側導電体１５０（例えばワイヤ）を含み、内側絶縁体１５２は、中央導電体１５６（例えば円筒状の導電シース）によって取り囲まれている。放射部分１１８は、中央導電体１５６の周りに配置された中央絶縁体１５７も含み、中央絶縁体１５７は、外側導電体１５８によって取り囲まれる。内側導電体１５０、中央導電体１５６および外側導電体１５８は、銅、金、ステンレス鋼、または同様の導電率値を有する他の導電性金属からそれぞれ構成され得る。前述の導電体とほとんど同様に、金属は、他の材料、例えば他の導電性材料でメッキされて、例えば導電率を向上させるか、またはエネルギー損を減少させるなど、それらの特性を向上させ得る。
外側導電体１５８は、それとの間に空洞１６６を画定する外側ジャケット１５９によって取り囲まれ得る。一実施形態において、外側ジャケット１５９は、中空であり得、その内側に空洞１６６を含み得る。空洞１６６は、それらを通って冷却流体３７を循環させるためのポート３０およびポート３２（図６を参照）と液体連通する。外側導電体１５８はまた、その遠位端に配置された中実の導電部分１６８を含む。フィードライン１２０を覆う空洞１６６の全長を通る冷却流体３７の循環は、切除の間に生成された熱を除去する。
３軸アンテナアセンブリ１１２は、２つの異なる周波数（例えば高周波数および低周波数）でマイクロ波エネルギーを送達するように適合される。内側導電体１５０および中央導電体１５６は、ダブルダイポールアンテナ１４０の第１のダイポール１７０を表し、第１の周波数（例えば２４５０ＭＨｚ）でマイクロ波エネルギーを送達するように適合される。第１のダイポール１７０および外側導電体１５８は、ダブルダイポールアンテナ１４０の第２のダイポール１７２を表し、第２の周波数（例えば９１５ＭＨｚ）でマイクロ波エネルギーを送達するように適合される。このように、中央導電体１５６は、３軸アンテナアセンブリ１１２において二重の目的に役立つ。すなわち、中央導電体１５６は、高周波エネルギー送達の間、内側導電体１５０に対する外側導電体として作用し、低周波数エネルギー送達の間、外側導電体１５８に対する内側導電体として作用する。
内側導電体１５０は、第１の所定の長さａだけ中央導電体１５６の外側に延び、該第１の所定の長さａは、２４５０ＭＨｚで供給されるマイクロ波エネルギーの振幅の４分の１波長であり得る（例えばλｅＨＦ／４、ここで、ＨＦは、第１の周波数または高周波数）。中央導電体１５６は、所定の長さａだけ外側導電体１５８の外側にも延びる。高周波エネルギーの適用の間、内側導電体１５０および中央導電体１５６の露出された区間は、高周波数放射区間１７０を画定し、高周波数放射区間１７０は、長さａの合計に等しい全長を有する（例えば、λｅＨＦ／２）。さらに詳細には、高周波数マイクロ波エネルギーの印加の間、内側導電体１５０は、ダブルダイポールアンテナ１４０の第１のダイポール１７０に対する高周波数第１ポール１８０ａとして作用し、中央導電体１５６は、高周波数第２ポール１８０ｂとして作用する。
図７Ａに示された実施形態において、冷却空洞１６６は、フィードライン１２０に沿って導電部分１６８の近位端から延び、外側導電体１５８を覆う。低周波数エネルギーの印加の間、導電体１５０および導電体１５６は、導電部分１６８と共に低周波数放射区間１７２を画定し、低周波数放射区間１７２は、２ａ＋ｂの全長を有する。長さｂは、２ａ＋ｂの合計が、低周波数（例えば９１５ＭＨｚ）において供給されるマイクロ波エネルギーの振幅の２分の１波長となるようにするために適切な任意の長さであり得る。低周波数エネルギーの印加の間、内側導電体１５０および中央導電体１５６は、ダブルダイポールアンテナ１４０の第２のダイポールに対する低周波数第１ポール１８２ａとして作用し、導電部分１６８は、低周波数第２ポール１８２ｂとして作用する。
図７Ｂを参照して、３軸アンテナアセンブリ１１２は、外側導電体１５８の周囲に配置されたチョーク１６０を含み得る。チョーク１６０は、内側誘電層１６２と外側導電層１６４とを含み得る。チョーク１６０は、低周波数における４分の１波長短絡チョーク（ｓｈｏｒｔｅｄ ｃｈｏｋｅ）であり得、はんだ付けまたは他の適切な方法によってチョーク１６０の近位端において外側導電体１５８に短絡される。チョーク１６０は、冷却空洞１６６に取って代わり得、低周波数放射区間１７２として放射区間１１８の一部分を画定する。さらに詳細には、チョーク１６０は、内側導電体１５０の遠位端から第２の所定の距離、長さｂに配置される。長さｂは、２ａ＋ｂの合計が、９１５ＭＨｚで供給されるマイクロ波エネルギーの振幅の２分の１波長を表すようにされ得る（例えばλｅＬＦ／２、ここで、ＬＦは、第２の周波数または低周波数）。チョーク１６０は、第２の周波数でのみマイクロ波エネルギーの帯域幅を限定するように適合され、第１の周波数ではマイクロ波エネルギーの印加に干渉しない。
低周波数マイクロ波エネルギーの印加の間、内側導電体１５０および中央導電体１５６は、低周波数第１ポール１８２ａとして作用し、外側導電体１５８の遠位部分は、低周波数第２ポール１８２ｂとして作用する。低周波数第２ポール１８２ｂは、低周波数第１ポール１８２ａと共に、第１のポール１８２ａおよび第２のポール１８２ｂが、長さ２ａ＋ｂの合計（例えばλｅＬＦ／２）に等しい全長を有する低周波数放射区間１７２を画定するように長さｂを有し得る。
アンテナアセンブリ１２および３軸アンテナアセンブリ１１２の二重周波数動作は、様々な形状および深さの損傷の生成を可能にする。さらに詳細には、アセンブリ１２（図２）のアンテナ４０の動作全長（例えば共振部分）は、発生装置１４の出力の周波数を調節することによって制御し得る。アンテナ４０によって生成される損傷の深さは、アンテナ４０の共振部分の長さに直接的に関連するので、共振するアンテナ４０の関連部分を調節することにより、ユーザは、所望の損傷の形状（例えば直径）および深さを制御することができる。換言すれば、アンテナ４０に供給されるマイクロ波信号の周波数を変化させることによって、損傷の形状は、第１のポール７０（図５）に配置されたインダクタ７４の性質によって制御される。インダクタ７４は、アンテナ４０に供給されるマイクロ波エネルギーの周波数に基づいて、アンテナ４０の動作長さを制御する。
損傷を形成する方法も本開示によって想定されている。方法は、所定の周波数（例えば第１の周波数および第２の周波数）でマイクロ波エネルギーをマイクロ波アンテナアセンブリ１２に供給するステップと、損傷の少なくとも１つの特性（例えば、深さ、円周、形状、その他）を調節するために、ダイポールアンテナ４０に供給されるマイクロ波エネルギーの周波数に基づいてダイポールアンテナ４０の動作長さを調節するステップとを含む。
図６の３軸アンテナアセンブリ１１２に関して、所望の損傷の深さも変えられ得る。低周波数（例えば９１５ＭＨｚ）でマイクロ波エネルギーを印加することによって、エネルギーは、外側導電体１５８および中央導電体１５６を通過し、それによって、低周波数放射区間１７２全体に沿って損傷を生成する。マイクロ波を高周波数（例えば２４５０ＭＨｚ）で印加するとき、エネルギーは、内側導電体１５０および中央導電体１５６を通過し、それによって、高周波数放射区間１７０に沿ってのみ損傷を生成する。図７Ａおよび図７Ｂに示されるように、区間１７０もしくは区間１７２のいずれかに、またはこれらの両方にエネルギーを与えることにより、ユーザは、様々な深さの損傷を生成することができる。
本開示の記述された実施形態は、限定するものとしてではなく、例示として意図され、本開示のすべての実施形態を表すようには意図されていない。様々な修正および変更が、文字どおりにかつ法律で認められた均等物において以下の請求項で述べられたような本開示の精神または範囲から逸脱することなくなされ得る。
Claims (8)
- ３軸マイクロ波アンテナアセンブリであって、
内側導電体と、該内側導電体の周りに配置された中央導電体と、該中央導電体の周りに配置された外側導電体とを含むフィードラインと、
高周波数放射区間と低周波数放射区間とを含む放射部分と、
該外側導電体の周囲に配置されたチョークであって、該チョークの位置は、低周波数においてのみマイクロ波エネルギーの帯域幅を限定し、高周波数においてマイクロ波エネルギーの印加に干渉しない、チョークと
を備えている、３軸マイクロ波アンテナアセンブリ。 - 前記高周波数放射区間は、前記内部導電体の一部分と前記中央導電体の一部分とを含み、前記低周波数放射区間は、該中央導電体の該一部分と前記外側導電体の一部分とを含む、請求項１に記載の３軸マイクロ波アンテナアセンブリ。
- 前記内側導電体の前記一部分は、前記中央導電体から第１の所定の距離を延び、該中央導電体の前記一部分は、前記外側導電体から該第１の所定の距離を延びる、請求項２に記載の３軸マイクロ波アンテナアセンブリ。
- 前記第１の所定の距離は、高周波数で供給されるマイクロ波エネルギーの振幅の４分の１波長である、請求項３に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
- 前記外側導電体は管状構造を含み、該管状構造は、その中に空洞を含み、該空洞は、そこを通って冷却流体を循環させるように適合され、該空洞は、該外側導電体の遠位部分から第２の所定の距離に配置される、請求項２に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
- 前記第１の距離の２倍と第２の所定の距離との合計は、低周波数で供給されるマイクロ波エネルギーの振幅の２分の１波長である、請求項３に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
- 前記チョークは、前記外側導電体の遠位部分から第２の所定の距離に配置されている、請求項６に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
- 前記第１の距離の２倍と前記第２の所定の距離との合計は、低周波数で供給されるマイクロ波エネルギーの振幅の２分の１波長である、請求項７に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
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