JP5417968B2 - 被検出体の検出方法 - Google Patents
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Description
2・(MR1’(B)・ΔB・Vin)/(MR1(B)+MR2(B))[V]
−(1)
式(1)において、MR1(B)およびMR2(B)は磁束密度Bの時点での磁気抵抗素子の抵抗値、MR1’(B)は図4(A)から得られる磁束密度Bの時点での抵抗値の傾き、ΔBは、磁束密度Bの時点での磁気抵抗素子に対する被検出体の磁気スレッドによる通過磁束密度の変化分を示す。また、MR2(B)もMR1(B)と同様に、抵抗変化するため、MR2(B)の変化分も考慮して、分子を2倍にしている。
図1(A)は本実施形態の磁気センサ1の回路構成の一例を示す図であり、図1(B)は磁気センサ1の磁気検出部10の構成を示す側面図である。
磁気センサ1は、磁気検出部10、および増幅部30を備える。
2・(MR1’(B)・ΔB・Vin)/(MR1(B)+MR2(B))+K・B[V] −(2)
式(2)において、MR1(B),MR2(B)は磁束密度Bの時点での磁気抵抗素子の抵抗値、MR1’(B)は図4(A)から得られる磁束密度Bの時点での抵抗値の傾き、ΔBは、磁束密度Bの時点での磁気抵抗素子に対する被検出体の磁気スレッドによる磁束密度の変化分、Kは磁気パターンの磁化による電圧変動係数を示す。また、MR2(B)も、MR1(B)と同様に、抵抗値変化するため、MR2の変化分も考慮して式(2)の分子を2倍としている。
図3は被検出体900の磁気パターン901として磁気スレッドを用い、磁気パターン902として磁気インクパターンを用いた場合の出力電圧特性を示すグラフである。ここで、図3(A)は増幅後の出力電圧値の絶対値表示であり、図3(B)はバイアス磁界の磁束密度が150mTの時点を基準レベルとした出力電圧値の相対値表示(出力電圧比表示)である。なお、図3の磁気センサの回路構成は、図1(A)のものである。
Claims (5)
- 磁気パターンを備える被検出体によって印加される磁束密度の変化に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗素子と、該磁気抵抗素子にバイアス磁界を印加する磁石とを備え、前記磁気抵抗素子を含む直列回路の出力電圧が最大となる磁束密度よりも、被検出体の磁気パターンの飽和磁束密度が高い場合に、前記磁気パターンを検出する磁気センサを用いた被検出体の検出方法であって、
前記磁気抵抗素子を含む直列回路の出力電圧が最大となる磁束密度よりも高い磁束密度が前記磁気抵抗素子に対して印加される、被検出体の検出方法。 - 前記被検出体の磁気パターンは、前記バイアス磁界による磁化率または飽和磁束密度が異なる複数の磁気パターンを有し、
前記バイアス磁界は、前記複数の磁気パターンの磁化率または飽和磁束密度に基づく磁束密度を発生させる、請求項1に記載の被検出体の検出方法。 - 前記バイアス磁界は、前記磁気抵抗素子の感度が最大となる磁束密度における前記磁気パターンでの検出レベルを基準とし、当該基準の検出レベル以上の検出レベルが得られる範囲の磁束密度を発生させる、請求項1または請求項2に記載の被検出体の検出方法。
- 前記バイアス磁界の磁束密度は、150mTより高く450mT以下である、請求項3に記載の被検出体の検出方法。
- 前記磁気抵抗素子は、フェライト基板上に形成されたInSbの半導体薄膜によって形成される、請求項3または請求項4に記載の被検出体の検出方法。
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