JP5414486B2 - Semiconductor manufacturing equipment - Google Patents

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Description

本発明は、半導体ウェハから半導体チップをピックアップする半導体製造装置に関し、特に、ダイシングにより大量の半導体チップが形成された半導体ウェハから、半導体チップをピックアップしてマトリクス状に整列配置する半導体製造装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus that picks up semiconductor chips from a semiconductor wafer, and more particularly to a semiconductor manufacturing apparatus that picks up semiconductor chips from a semiconductor wafer on which a large number of semiconductor chips are formed by dicing and arranges them in a matrix.

現在、半導体ウェハに形成される半導体チップは、その外形寸法が0.24×0.42mm程度の極めて小さな形状であるから、例えば、4インチの半導体ウェハには、6万〜8万個にも及ぶ大量の半導体チップが形成されている。この半導体ウェハから半導体チップを取り出し、回路基板に実装するために、まず、半導体ウェハをダイシングで分割して、半導体チップの密着した集合体を形成する。   Currently, the semiconductor chip formed on a semiconductor wafer has an extremely small external dimension of about 0.24 × 0.42 mm. For example, there are as many as 60,000 to 80,000 on a 4-inch semiconductor wafer. A large number of semiconductor chips are formed. In order to take out a semiconductor chip from the semiconductor wafer and mount it on a circuit board, first, the semiconductor wafer is divided by dicing to form an aggregated body of semiconductor chips.

そして、この半導体チップの密着した集合体を回路基板に実装する方法として、1個ずつ半導体チップをピックアップして実装する方法と、密着した半導体チップの間隔を広げてマトリクス状の集合体に配置変換し、そのマトリクス状の半導体チップの集合体を一括して回路基板に実装する、いわゆる、集合体実装の方法がある。
回路基板に一括して半導体チップを集合体実装する方法が量産性に優れているため、半導体チップの密着した集合体をマトリクス状に配置変換する装置、及び、製造方法が種々提案されている。
Then, as a method of mounting the semiconductor chip in close contact with the circuit board, a method of picking up and mounting the semiconductor chips one by one, and widening the space between the close semiconductor chips to change the arrangement into a matrix-like assembly. In addition, there is a so-called assembly mounting method in which an assembly of the matrix-like semiconductor chips is collectively mounted on a circuit board.
Since the method of collectively mounting semiconductor chips on a circuit board is excellent in mass productivity, various apparatuses and manufacturing methods for arranging and converting an assembly of semiconductor chips in close contact with each other in a matrix form have been proposed.

このような従来技術の製造方法として、上述した半導体チップの密着した集合体を、マトリクス状に間隔を広げ、集合体実装を行う製造方法が開示されている。(例えば、特許文献1)。
以下この従来技術の製造方法について図11に基づいて簡単に説明する。
As a manufacturing method of such a prior art, a manufacturing method is disclosed in which an assembly in which the above-described semiconductor chips are in close contact with each other is widened in a matrix to perform assembly mounting. (For example, patent document 1).
The prior art manufacturing method will be briefly described below with reference to FIG.

図11(a)に示すように、大口径半導体ウェハ112は、スクライブ加工されてスクライブライン108が形成された状態で、粘着フィルム109に貼着されている。そのスクライブライン108入りの大口径半導体ウェハ112を、平行性を維持してX軸方向である矢印Aの方向へエキスパンドし、X軸に対して予め定められた間隔を有した後、Y軸方向である矢印Bの方向へエキスパンドする。或いは、X、Y軸へのエキスパンドを同時に実施する。従って、大口径半導体ウェハ112は、スクライブライン108で分離され、粘着フィルム109上の各半導体チップ101は平行性を維持して、マトリクス状に縦横に等間隔に同一向きに並んで広げられる。このとき平行性を維持してX、Y軸方向へエキスパンドされることから、粘着フィルム109の面は吸着コレット113の吸着面、及び大口径回路基板114の接着面に対して平行になっている。   As shown in FIG. 11A, the large-diameter semiconductor wafer 112 is attached to the adhesive film 109 in a state where the scribe line 108 is formed by scribe processing. The large-diameter semiconductor wafer 112 containing the scribe line 108 is expanded in the direction of the arrow A that is the X-axis direction while maintaining parallelism, and after having a predetermined interval with respect to the X-axis, the Y-axis direction Expand in the direction of arrow B. Alternatively, the expansion to the X and Y axes is performed simultaneously. Therefore, the large-diameter semiconductor wafer 112 is separated by the scribe line 108, and the semiconductor chips 101 on the adhesive film 109 are maintained in parallel and are spread in a matrix in the same direction at equal intervals vertically and horizontally. At this time, since the film is expanded in the X and Y axis directions while maintaining parallelism, the surface of the adhesive film 109 is parallel to the adsorption surface of the adsorption collet 113 and the adhesion surface of the large-diameter circuit board 114. .

このように、X軸とY軸方向にエキスパンドすることによって、図11(b)に示すように、粘着フィルム109上の各半導体チップ101は、吸着コレット113及び回路基板114に対してそれぞれ平行に位置付けられ、各半導体チップ101のピッチは、吸着コレット113の各コレットのピッチと等しく、またこのピッチは、大口径回路基板114上にダイシングライン111により形成された格子状の各チップに対応する。   In this way, by expanding in the X-axis and Y-axis directions, each semiconductor chip 101 on the adhesive film 109 is parallel to the suction collet 113 and the circuit board 114 as shown in FIG. The pitch of each semiconductor chip 101 is equal to the pitch of each collet of the suction collet 113, and this pitch corresponds to each lattice-shaped chip formed by the dicing line 111 on the large-diameter circuit board 114.

図11(c)に示すように、吸着コレット113は縦横に等間隔に並んだ半導体チップ101を真空吸着して、回路基板114に接着する。その後、ダイシング等により回路基板114のダイシングライン111に沿って1チップごとに分離する。
これによって、大口径半導体ウェハ112に作成された半導体チップ101に対する半導体装置の組み立て方法は、一度に全部、或いは任意のブロックずつの実施が可能である。
As shown in FIG. 11C, the suction collet 113 vacuum-sucks the semiconductor chips 101 arranged at equal intervals in the vertical and horizontal directions and adheres them to the circuit board 114. Thereafter, the chips are separated for each chip along the dicing line 111 of the circuit board 114 by dicing or the like.
As a result, the method for assembling the semiconductor device with respect to the semiconductor chip 101 formed on the large-diameter semiconductor wafer 112 can be implemented all at once or in arbitrary blocks.

以上のような構成、工程としたので、一度に大量の半導体チップを回路基板へ集合体実装としてボンディングすることができ、これによって、従来の組み立てのように、半導体チップをチップトレイに並べる必要がなくなり1チップ毎に組み立てを行わなくともよく作業時間が短縮され、作業が容易になる。   Since the configuration and process are as described above, a large number of semiconductor chips can be bonded to the circuit board as an assembly mounting at a time, and thus it is necessary to arrange the semiconductor chips on a chip tray as in the conventional assembly. There is no need to assemble every chip, and the work time is shortened and the work becomes easy.

一方、ダイシングされた半導体ウェハから、半導体チップをピックアップする技術を工夫したピックアップ装置が開示されている。(例えば、特許文献2)。
以下この従来技術のピックアップ装置について図12に基づいて簡単に説明する。
On the other hand, there has been disclosed a pickup device in which a technique for picking up a semiconductor chip from a diced semiconductor wafer is devised. (For example, patent document 2).
This prior art pickup device will be briefly described below with reference to FIG.

図12において、従来技術のピックアップ装置は、温度活性粘着剤を用いた粘着フィルム204の上に接着された半導体ウェハからダイシングにより分離して得られた半導体チップ202を、粘着フィルム204を介して突き上げピン207で突き上げ、ピックアップチャック208で真空吸着するピックアップ装置であって、突き上げピン207を駆動する突き上げ機構206と、突き上げ機構206に組み込まれた冷却配管209とにより構成されている。そして、冷却配管209は、半導体チップ202真下の粘着フィルム204を冷却するように、冷却装置210に接続され冷却媒体が循環されている。   In FIG. 12, the pickup device of the prior art pushes up a semiconductor chip 202 obtained by separating by dicing from a semiconductor wafer adhered on an adhesive film 204 using a temperature active adhesive, through the adhesive film 204. The pickup device is pushed up by a pin 207 and is vacuum-adsorbed by a pickup chuck 208, and includes a push-up mechanism 206 that drives the push-up pin 207 and a cooling pipe 209 incorporated in the push-up mechanism 206. The cooling pipe 209 is connected to the cooling device 210 and circulates a cooling medium so as to cool the adhesive film 204 directly below the semiconductor chip 202.

従って、このピックアップ装置は、半導体チップ202真下の粘着フィルム204を、冷却配管209を介して冷却し、粘着フィルム204の接着力を弱め、そして、突き上げピン207を少ない力で突き上げ、半導体チップ202に加えられる機械的なストレスを低減しながら、粘着フィルム204から半導体チップ202をピックアップチャック208で吸着して分離するものである。   Therefore, this pickup apparatus cools the adhesive film 204 directly below the semiconductor chip 202 via the cooling pipe 209, weakens the adhesive force of the adhesive film 204, and pushes the push-up pin 207 with a small force. The semiconductor chip 202 is adsorbed and separated from the adhesive film 204 by a pickup chuck 208 while reducing mechanical stress applied.

以上のように構成されるので、半導体チップを粘着フィルムから分離する際の、半導体チップに加わる機械的な力、ストレスを低減でき、また半導体チップ裏面に接着剤の残渣が残るのを防止できるので、半導体チップの割れを防止できるとともに機械的なストレスが残ることによる信頼性の低下を防止でき、結果として半導体製品の歩留まりを向上できる効果がある。   Since it is configured as described above, the mechanical force and stress applied to the semiconductor chip when separating the semiconductor chip from the adhesive film can be reduced, and the adhesive residue can be prevented from remaining on the back surface of the semiconductor chip. In addition, the semiconductor chip can be prevented from cracking and the reliability can be prevented from being lowered due to the remaining mechanical stress. As a result, the yield of the semiconductor product can be improved.

更に、半導体チップをピックアップする他の従来技術として、半導体チップを真空吸着する吸着面に斜面を形成したピックアップチャックが開示されている。(例えば、特許文献3)。   Further, as another conventional technique for picking up a semiconductor chip, a pickup chuck is disclosed in which an inclined surface is formed on a suction surface for vacuum-sucking a semiconductor chip. (For example, patent document 3).

図13(a)において、ピックアップチャック315を転置した状態を示している。ピックアップチャック315のブロック330の中心部には、ノズル331が設けられており、ノズル331の先端部は、半導体チップを真空吸着する吸着孔332となっている。ノズル331の外側には、ブロック330を加工して略4角錐上の凹部が設けられている。この凹部は4辺の傾斜面333A、333B、334A、334Bより形成されており、相対する2辺、即ち傾斜面333Aと333B、334Aと334Bはそれぞれ対称形状となっている。   FIG. 13A shows a state where the pickup chuck 315 is transposed. A nozzle 331 is provided at the center of the block 330 of the pickup chuck 315, and the tip of the nozzle 331 is a suction hole 332 for vacuum-sucking a semiconductor chip. On the outside of the nozzle 331, a block 330 is processed to provide a concave portion on a substantially quadrangular pyramid. This concave portion is formed by four inclined surfaces 333A, 333B, 334A, and 334B, and two opposite sides, that is, inclined surfaces 333A and 333B, 334A and 334B, are symmetrical.

図13(b)に示すように、位置決めを要する矩形形状の半導体チップ309Aの各辺がブロック330の傾斜面333A、333B、334A、334Bに接した状態で、半導体チップ309A上面の平坦面とノズル331の下端部との隙間Gが所定隙間以下となるような状態で吸着孔332から真空吸引される。従って、半導体チップ309Aは、傾斜面333A、333B、334A、334Bによって位置決めされた状態で真空吸着される。所定隙間Gは、半導体チップ309Aの吸着保持が不可能となるような過大の真空リークを発生させないための上限の隙間として設定されるのである。   As shown in FIG. 13B, the flat surface of the upper surface of the semiconductor chip 309A and the nozzles in a state where each side of the rectangular semiconductor chip 309A that requires positioning is in contact with the inclined surfaces 333A, 333B, 334A, and 334B of the block 330. Vacuum suction is performed from the suction hole 332 in a state where the gap G with the lower end of the 331 is equal to or less than a predetermined gap. Therefore, the semiconductor chip 309A is vacuum-sucked while being positioned by the inclined surfaces 333A, 333B, 334A, 334B. The predetermined gap G is set as an upper limit gap for preventing an excessive vacuum leak that makes it impossible to hold the semiconductor chip 309A by suction.

図13(c)に示すように、ノズル331の吸着孔332に半導体チップ309Bを直接当接させて真空吸着した状態を示している。このように、吸着孔332によって真空吸着するためには、半導体チップ309Bがブロック330の傾斜面333A、333B(334A、334Bも同様)に接触することなく吸着孔332の先端に当接可能な寸法・形状であればよい。即ち、ピックアップチャック315は、平坦部を有しこのような特定寸法・形状を有する一群の半導体チップの平坦部に当接して真空吸着することができる。   As shown in FIG. 13C, the semiconductor chip 309B is brought into direct contact with the suction hole 332 of the nozzle 331 and is vacuum-sucked. Thus, in order to vacuum-suck by the suction hole 332, the semiconductor chip 309B can be brought into contact with the tip of the suction hole 332 without contacting the inclined surfaces 333A and 333B of the block 330 (the same applies to 334A and 334B). -Any shape is acceptable. In other words, the pickup chuck 315 has a flat portion and can be brought into contact with the flat portions of a group of semiconductor chips having such specific dimensions and shapes and vacuum-sucked.

ピックアップチャック315は、上記の条件を満たすような特定寸法・形状を有する一群の矩形状の半導体チップ309Aと、上面に平端部を有する他の一群の特定寸法・形状の半導体チップ309Bとを単一のピックアップチャックで真空吸着して保持することが出来る。   The pickup chuck 315 is a single unit of a group of rectangular semiconductor chips 309A having specific dimensions and shapes that satisfy the above conditions and another group of semiconductor chips 309B having specific ends having a flat end on the upper surface. It can be held by vacuum suction with a pickup chuck.

従って、複数種類の半導体チップを突き上げピン(図示せず)で突き上げ同一のピックアップチャックでピックアップすることができるので、複数種類の半導体チップをボンディングする場合も複数の吸着ツールを備えたマルチタイプの移動ヘッドを使用することなく、単一の移載ヘッドを用いて効率的なボンディングを行うことが出来る。   Therefore, a plurality of types of semiconductor chips can be pushed up by a push-up pin (not shown) and picked up by the same pickup chuck. Therefore, even when a plurality of types of semiconductor chips are bonded, a multi-type movement having a plurality of suction tools is provided. Efficient bonding can be performed using a single transfer head without using a head.

特開平6−77317号公報(第4頁、図2)JP-A-6-77317 (page 4, FIG. 2) 特開平9−167779号公報(第1頁、図1)Japanese Patent Laid-Open No. 9-167779 (first page, FIG. 1) 特許第3451956号公報(第3−4頁、図2)Japanese Patent No. 3451958 (page 3-4, FIG. 2)

しかしながら、特許文献1に示した従来技術において、粘着フィルムに粘着された密着した集合体の半導体チップは、粘着フィルムを矢印A方向、矢印B方向にエキスパンドして、マトリクス状に等間隔の配列を目的としても、矢印Aと矢印Bの90°異なる方向にテンションを掛けるため、平面を形成している粘着フィルムに歪が発生し、半導体チップが精度良く一定間隔で整列配置され難く、更に、粘着フィルムの伸度限界により所望の寸法のピッチ間隔で半導体チップを整列配置出来ない問題があった。   However, in the prior art shown in Patent Document 1, the semiconductor chip of the close assembly adhered to the adhesive film is expanded in the direction of the arrow A and the direction of the arrow B, and the array is arranged at equal intervals in a matrix shape. As the purpose, tension is applied in the direction different by 90 ° between the arrow A and the arrow B, so that the adhesive film forming the flat surface is distorted, and the semiconductor chips are not easily aligned and arranged at a constant interval. There was a problem that the semiconductor chips could not be aligned and arranged at a pitch interval of a desired dimension due to the elongation limit of the film.

また、特許文献2と特許文献3は、突き上げピンとピックアップチャックからなる構造を形成している。それは、ダイシングされた半導体ウェハに形成される半導体チップが互いに密着した集合体を形成し、隣り合った密着した半導体チップ同士の荒れたダイシング面の干渉や摩擦があり、その半導体チップをピックアップチャックの吸引力だけでピックアップすることは、不可能である。そのため、半導体ウェハを粘着フィルムに貼着し、粘着フィルムをエキスパンドして隣り合った半導体チップ間に隙間を形成し、ダイシング面の干渉や摩擦を排し、半導体チップを突き上げピンで粘着フィルムから引き剥がし、ピックアップする構造を形成している。従って、微小な半導体チップを1個1個ピックアップするため、組立工数が掛かり量産性に問題があった。   Patent Document 2 and Patent Document 3 form a structure including a push-up pin and a pickup chuck. It forms an assembly in which the semiconductor chips formed on the diced semiconductor wafer are in close contact with each other, and there is interference and friction on the rough dicing surface between adjacent close-contact semiconductor chips. It is impossible to pick up only by suction force. Therefore, the semiconductor wafer is attached to the adhesive film, the adhesive film is expanded to form a gap between adjacent semiconductor chips, the interference and friction of the dicing surface is eliminated, and the semiconductor chip is pushed up and pulled from the adhesive film. A structure for peeling and picking up is formed. Therefore, since a small semiconductor chip is picked up one by one, assembly man-hours are required and there is a problem in mass productivity.

また、特許文献2に示した従来技術は、冷却機構を持つ突き上げピンが粘着フィルムを突き破って、半導体チップを突き上げ、そして、ピックアップチャックで半導体チップを吸着する構造のため、突き上げピン部に特殊な構造を要し、かつ、突き上げピンによる力が外力として半導体チップにストレスを加え、半導体チップの品質や信頼性に影響を与える問題があった。更に、半導体チップが微小になると、突き上げピンで突き破られた粘着フィルムの変形が、周囲の半導体チップの整列を乱し、突き上げ位置精度やピックアップ位置精度に問題が生じた。そして、突き上げピンとピックアップチャックの1組で、半導体チップ1個ずつのピックアップしかできないため、組立工数が掛かり量産性に問題があった。   In addition, the conventional technique shown in Patent Document 2 has a structure in which a push-up pin having a cooling mechanism breaks through an adhesive film, pushes up a semiconductor chip, and adsorbs the semiconductor chip with a pickup chuck. There is a problem that a structure is required and the force by the push-up pin applies stress to the semiconductor chip as an external force, which affects the quality and reliability of the semiconductor chip. Furthermore, when the semiconductor chip becomes minute, the deformation of the adhesive film pierced by the push-up pin disturbs the alignment of the surrounding semiconductor chips, which causes a problem in push-up position accuracy and pickup position accuracy. Since only one semiconductor chip can be picked up by one set of the push-up pin and the pick-up chuck, the number of assembling steps is increased and there is a problem in mass productivity.

また、特許文献3に示した従来技術は、突き上げピンとピックアップチャックからなる構造を形成しているので、上記の特許文献2と同様に、1個ずつ半導体チップを吸着して整列配置するため、組立工数がかかり、量産性に問題があった。そして、ピックアップチャックの吸着孔内側の凹部に形成した4つの斜面は、異なった寸法の半導体チップを1個ずつ吸着する機能を持つものの、斜面には半導体チップを劈開分離する機能、及び、ピックアップする機能がなく、量産性に寄与するものではなかった。   In addition, since the prior art shown in Patent Document 3 forms a structure composed of a push-up pin and a pickup chuck, as in Patent Document 2, the semiconductor chips are attracted and arranged one by one. It took man-hours and there was a problem with mass productivity. The four slopes formed in the recesses inside the pickup hole of the pickup chuck have the function of sucking semiconductor chips of different sizes one by one, but the function of cleaving and separating the semiconductor chips on the slope and pickup There was no function and it did not contribute to mass productivity.

本発明は、上記問題に鑑みなされたもので、ダイシングされた半導体ウェハに形成された大量の半導体チップの密着した集合体を、粘着フィルムに貼着しエキスパンドしてからピックアップすることなく、半導体チップの密着した集合体の端から直接、1列分或いは1行分の複数個の半導体チップを、容易にピックアップすることが可能な、ピックアップチャックを有する量産性の優れた半導体製造装置を提供することを目的とするものである。   SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and a semiconductor chip without a pickup after sticking an expanded assembly of a large number of semiconductor chips formed on a diced semiconductor wafer to a pressure-sensitive adhesive film and expanding it. Provided is a semiconductor manufacturing apparatus having a mass production capability having a pickup chuck capable of easily picking up a plurality of semiconductor chips for one column or one row directly from the end of a tightly assembled assembly. It is intended.

ダイシングにより多数個の半導体チップが形成された半導体ウェハを劈開分離して半導体チップを整列配置する半導体製造装置において
半導体ウェハを載置する第1プレートと
第1プレート上の半導体ウェハの端部から半導体チップを劈開分離して真空吸着するピックアップチャックと、
ピックアップチャックに真空吸着された半導体チップを整列載置する第2プレートと、
ピックアップチャックを第2プレートに移動するピックアップチャック移動手段を有し、
ピックアップチャックの吸着面は斜面を形成し、斜面形状は劈開分離されるダイシングラインに近い側が半導体チップとの間隙が狭く、ダイシングラインから遠ざかるに従って間隙が開く傾斜である、
ことを特徴とする。
In a semiconductor manufacturing apparatus for cleaving and separating a semiconductor wafer on which a large number of semiconductor chips are formed by dicing and aligning the semiconductor chips, the semiconductor is placed from the end of the semiconductor wafer on the first plate and the first plate on which the semiconductor wafer is placed. A pick-up chuck that cleaves and separates the chip and vacuum-sucks;
A second plate for aligning and mounting the semiconductor chips vacuum-adsorbed on the pickup chuck;
A pickup chuck moving means for moving the pickup chuck to the second plate;
The suction surface of the pickup chuck forms a slope, and the slope shape is such that the gap near the dicing line that is cleaved and separated is narrow with the semiconductor chip, and the gap opens as the distance from the dicing line increases.
It is characterized by that.

ピックアップチャック移動手段は、ピックアップチャックの半導体チップを真空吸着した後の移動方向が、劈開分離されるダイシングラインから遠ざかる斜め上方向に引き上げる移動手段があってもよい。   The pick-up chuck moving means may include a moving means for pulling up the pick-up chuck after the semiconductor chip is vacuum-sucked in a diagonally upward direction away from the dicing line to be cleaved and separated.

ピックアップチャックが真空吸着で同時に吸着する半導体チップの数は、複数個からなる1列分であってもよい。   The number of semiconductor chips that are picked up simultaneously by vacuum pick-up by the pickup chuck may be one row consisting of a plurality.

半導体ウェハは、ステルスダイシングにより切断され、多数個の前記半導体チップを形成していてもよい。   The semiconductor wafer may be cut by stealth dicing to form a large number of the semiconductor chips.

第1、第2プレートは多孔質プレートであって、半導体チップを真空吸着することが可能であってもよい。   The first and second plates may be porous plates and may be capable of vacuum-sucking semiconductor chips.

以上のように本発明によれば、半導体チップを吸着するピックアップチャックの吸着面が斜面で形成されているので、ピックアップチャックに吸着された半導体チップのダイシングラインに沿って劈開分離した部分には、斜面の角度に相当する楔状の隙間が形成され、半導体チップ同士の干渉がほとんど発生しない。そして、劈開分離したダイシングラインから斜め上方向の遠ざかる方向に、ピックアップチャックを移動することにより、吸着された半導体チップは、隙間の楔形状の先端部分においても干渉せず摩擦や引っ掛かりがないから、ピックアップ不良や、位置ずれを発生することがない。更に、突き上げピンのような半導体チップにストレスを与える外力が作用しないため、半導体チップの品質や信頼性が保証される。   As described above, according to the present invention, because the pickup surface of the pickup chuck that sucks the semiconductor chip is formed with an inclined surface, the portion separated by cleavage along the dicing line of the semiconductor chip sucked by the pickup chuck is A wedge-shaped gap corresponding to the angle of the slope is formed, and interference between the semiconductor chips hardly occurs. And by moving the pick-up chuck in a direction that moves diagonally upward from the dicing line that has been cleaved and separated, the adsorbed semiconductor chip does not interfere with the wedge-shaped tip portion of the gap, and there is no friction or catching, There is no pick-up failure or misalignment. Furthermore, since an external force that applies stress to the semiconductor chip such as a push-up pin does not act, the quality and reliability of the semiconductor chip are guaranteed.

また、ピックアップチャックの吸着面の斜面は、複数個の半導体チップを一度に吸着する形状に形成することで、それぞれ列方向と行方向の半導体チップを複数個一度にピックアップすることが可能である。従って、半導体チップのマトリクス状の集合体の形成が容易であり、大幅な組立工数の削減が可能となる。   In addition, the slope of the suction surface of the pickup chuck is formed so as to suck a plurality of semiconductor chips at a time, so that a plurality of semiconductor chips in the column direction and the row direction can be picked up at a time. Therefore, it is easy to form a matrix-like assembly of semiconductor chips, and it is possible to greatly reduce the number of assembly steps.

本発明の半導体製造装置の外観を示す斜視図でプレートスライド部が左端に固定された図ある。It is the perspective view which shows the external appearance of the semiconductor manufacturing apparatus of this invention, and is the figure by which the plate slide part was fixed to the left end. 上記の半導体製造装置の外観を示す斜視図でプレートスライド部が右端に固定された図である。It is the perspective view which shows the external appearance of said semiconductor manufacturing apparatus, and is the figure by which the plate slide part was fixed to the right end. 上記の半導体製造装置のピックアップ部の外観を示す斜視図と分解斜視図と先端部の部分拡大斜視図である。It is the perspective view which shows the external appearance of the pick-up part of said semiconductor manufacturing apparatus, an exploded perspective view, and the partial expansion perspective view of the front-end | tip part. 上記の半導体製造装置の列方向ピックアップ、行方向ピックアップを説明するための右側面図である。It is a right view for demonstrating the column direction pick-up of the said semiconductor manufacturing apparatus, and a row direction pick-up. 上記の半導体製造装置において、ピックアップ動作を説明するための図として、ピックアップチャック部先端を拡大した部分拡大図である。In the semiconductor manufacturing apparatus, as a diagram for explaining the pickup operation, FIG. 図5の続きのピックアップ動作を説明するための部分拡大図である。FIG. 6 is a partially enlarged view for explaining a pickup operation continued from FIG. 5. 本発明の実施例1における、半導体チップ密着集合体から半導体チップ列を形成する製造工程を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating the manufacturing process which forms a semiconductor chip row | line | column from the semiconductor chip contact | adherence aggregate | assembly in Example 1 of this invention. 本発明の実施例1における、図7の続きの製造工程で、半導体チップ列からマトリクス状の集合体を形成する製造工程を説明するための平面図である。FIG. 8 is a plan view for explaining a manufacturing process for forming a matrix-like aggregate from a semiconductor chip row in the manufacturing process continued from FIG. 7 in Example 1 of the present invention. 本発明の実施例2における、半導体チップ密着集合体から半導体チップ列を形成する製造工程を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating the manufacturing process which forms a semiconductor chip row | line | column from the semiconductor chip contact | adherence aggregate | assembly in Example 2 of this invention. 本発明の実施例2における、図9の続きの製造工程で、半導体チップ列からマトリクス状の集合体を形成する製造工程を説明するための平面図である。FIG. 10 is a plan view for explaining a manufacturing process for forming a matrix-like assembly from a semiconductor chip row in the manufacturing process continued from FIG. 9 according to the second embodiment of the present invention. 特許文献1に示した従来技術を説明するための斜視図である。It is a perspective view for demonstrating the prior art shown in patent document 1. FIG. 特許文献2に示した従来技術を説明するための側面図である。It is a side view for demonstrating the prior art shown in patent document 2. FIG. 特許文献3に示した従来技術のピックアップチャックを説明するための斜視図と断面図である。FIG. 4 is a perspective view and a cross-sectional view for explaining a pickup chuck according to the prior art shown in Patent Document 3.

以下、本発明の具体的実施形態について、図面に基づき説明する。
図1から図4は、本発明の実施例1の半導体製造装置の構成を説明するための図面である。図1は、半導体製造装置の外観を示す斜視図で、プレートスライド部が左端に固定された図であり、図2は、半導体製造装置の外観を示す斜視図で、プレートスライド部が右端に固定された図である。図3は、半導体製造装置のピックアップ部の斜視図と分解斜視図、そして、部分拡大図である。図4は、列方向ピックアップ、行方向ピックアップを説明するための図で半導体製造装置のピックアップ部とプレート支持台を抜き出した右側面図である。
各図において同一の構成部材は同一の番号を付して、重複する説明は省略する。
Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
1 to 4 are drawings for explaining a configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to a first embodiment of the present invention. FIG. 1 is a perspective view showing an external appearance of a semiconductor manufacturing apparatus, in which a plate slide portion is fixed to the left end. FIG. 2 is a perspective view showing an external appearance of the semiconductor manufacturing apparatus, and the plate slide portion is fixed to the right end. FIG. FIG. 3 is a perspective view, an exploded perspective view, and a partially enlarged view of the pickup unit of the semiconductor manufacturing apparatus. FIG. 4 is a right side view in which the pickup unit and the plate support of the semiconductor manufacturing apparatus are extracted for explaining the column direction pickup and the row direction pickup.
In each figure, the same component is given the same number, and the overlapping description is omitted.

(実施例1)
[実施例1の全体構成及び機能:図1−図4]
図1に示すように、半導体製造装置1は、ベースプレート部2、カメラ部3、プレートスライド部4、ピックアップ部5から構成されている。
Example 1
[Overall Configuration and Function of Embodiment 1: FIGS. 1 to 4]
As shown in FIG. 1, the semiconductor manufacturing apparatus 1 includes a base plate part 2, a camera part 3, a plate slide part 4, and a pickup part 5.

まず、上記構成部の機能を概略説明し、詳細は後述する。
ベースプレート部2は、半導体製造装置1の基台を形成して、カメラ部3、プレートスライド部4、ピックアップ部5を支持し、そして、ガイドする部材で構成されている。
カメラ部3は、ダイシングされた半導体ウェハ、即ち、半導体チップの密着した集合体(以後、半導体チップ密着集合体とする)を、定められた位置に初期設定する画像を提供する。
First, the functions of the above-described components will be outlined, and details will be described later.
The base plate portion 2 forms a base of the semiconductor manufacturing apparatus 1 and is configured by a member that supports and guides the camera portion 3, the plate slide portion 4, and the pickup portion 5.
The camera unit 3 provides an image for initializing a diced semiconductor wafer, that is, an assembly of semiconductor chips in close contact (hereinafter referred to as a semiconductor chip contact assembly) at a predetermined position.

プレートスライド部4は、半導体チップ密着集合体からマトリクス状の集合体に配列を変換する移動元のプレートと移動先のプレートを、半導体チップをピックアップするピックアップ部5の直下に、交互に切り替え可能な機構を有している。   The plate slide unit 4 can alternately switch a source plate and a destination plate for converting the arrangement from a semiconductor chip contact assembly to a matrix-like assembly directly below a pickup unit 5 for picking up a semiconductor chip. It has a mechanism.

ピックアップ部5は、押圧部とピックアップ部を有し、押圧部は、半導体チップをピックアップする1列分或いは1行分を露出して押える機構を有し、ピックアップ部は、複数個の半導体チップの1列分或いは1行分を吸着してピックアップする機構を有している。   The pickup unit 5 includes a pressing unit and a pickup unit. The pressing unit has a mechanism for exposing and pressing one column or one row for picking up a semiconductor chip. The pickup unit includes a plurality of semiconductor chips. It has a mechanism that picks up and picks up one column or one row.

本実施例においては、半導体ウェハをダイシングして半導体チップ密着集合体を形成するダイシング方法は、ステルスダイシングを用いることが望ましい。即ち、ステルスダイシングは、従来のダイシングに比べウェーハ表層部へダメージがなく、アクティブ領域への熱影響やデブリ汚染がなく、チップエッジにおけるマイクロクラック発生による抗折強度低下等の信頼性低下を防ぐことが可能なのである   In the present embodiment, it is desirable to use stealth dicing as a dicing method for dicing a semiconductor wafer to form a semiconductor chip adhesion assembly. In other words, stealth dicing does not damage the surface layer of the wafer compared to conventional dicing, there is no thermal effect or debris contamination on the active area, and it prevents the deterioration of reliability such as the reduction in bending strength due to the occurrence of microcracks at the chip edge. Is possible

以下、半導体製造装置1を構成する各構成部を詳細に説明する。
図1において、ベースプレート部2は、ベースプレート21と、ベースプレート21上に位置決めしネジ止めされたスライドガイド22と、ベースプレート21の左右の端部に設置された右ストッパ23、左ストッパ24から構成されている。
Hereinafter, each component which comprises the semiconductor manufacturing apparatus 1 is demonstrated in detail.
In FIG. 1, the base plate portion 2 includes a base plate 21, a slide guide 22 positioned and screwed on the base plate 21, and a right stopper 23 and a left stopper 24 installed at the left and right ends of the base plate 21. Yes.

カメラ部3は、カメラ支柱31とカメラ支柱ステー32とカメラ33から構成されている。カメラ支柱31は、その下端がベースプレート21に立てて固定され、上端部にカメラ支柱ステー32を位置決め配置している。カメラ33は、カメラ支柱ステー32に固定され、第1プレート43上に載置された半導体ウェハの画像を表示する。   The camera unit 3 includes a camera column 31, a camera column stay 32, and a camera 33. The lower end of the camera column 31 is fixed to the base plate 21 and a camera column stay 32 is positioned and arranged at the upper end. The camera 33 is fixed to the camera support stay 32 and displays an image of the semiconductor wafer placed on the first plate 43.

[実施例1のプレートスライド部4の説明]
プレートスライド部4は、図1、図2に示すように、スライドベース41と、ストッパステー49と、第1プレート支持台42と、第2プレート支持台44と、第1プレート43と、第2プレート45と、により構成されている。
[Description of Plate Slide 4 of Example 1]
As shown in FIGS. 1 and 2, the plate slide portion 4 includes a slide base 41, a stopper stay 49, a first plate support base 42, a second plate support base 44, a first plate 43, and a second plate. And a plate 45.

そして、プレートスライド部4は、第1プレート43と第2プレート45をピックアップ部5の直下の定位置に交互に移動し、半導体チップを第1プレート43から第2プレート45に移動し配列することを可能にし、そして、第1プレート42と第2プレート45が載置される第1プレート支持台42と第2プレート支持台44のX軸ステージによって、列と行方向に位置精度のよい配列を可能にしている。   And the plate slide part 4 moves the 1st plate 43 and the 2nd plate 45 to the fixed position directly under the pick-up part 5, and moves a semiconductor chip from the 1st plate 43 to the 2nd plate 45, and arranges it. The X-axis stage of the first plate support base 42 and the second plate support base 44 on which the first plate 42 and the second plate 45 are placed allows an arrangement with high positional accuracy in the column and row directions. It is possible.

スライドベース41は、ベースプレート21に設置されたスライドガイド22のブロック(図示せず)にネジ止め固着され、スライドガイド22に沿ってX軸方向(左右方向)の直動が可能に形成されている。このプレートスライド部4の移動方向が図1に示す座標軸のX軸として実施例1の半導体製造装置の基準となっている。   The slide base 41 is screwed and fixed to a block (not shown) of the slide guide 22 installed on the base plate 21 so as to be able to move in the X-axis direction (left-right direction) along the slide guide 22. . The moving direction of the plate slide portion 4 is the reference of the semiconductor manufacturing apparatus of the first embodiment as the X axis of the coordinate axis shown in FIG.

更に、スライドベース41は、その上面の左右の端部に、第1プレート支持台42と第2プレート支持台44が配置されている。第1プレート支持台42は、XYθ軸ステージを備え、その上に半導体チップの移動元である第1プレート43が設置されている。第2プレート支持台44は、X軸ステージを備え、その上に半導体チップの移動先である第2プレート45が設置されている。そして、第1プレート43と第2プレート45は、多孔質プレートからなり、載置される半導体チップは、真空吸着されることで位置が固定され、真空吸着を停止されることで位置固定が解除され、移動やピックアップされることが可能となる。尚、真空吸着するパイプが配管されているが、本実施例では図示を省略する。実施例1においては多孔質プレートの例で説明するが弱粘着膜をプレート上に形成しても位置がずれないようにすることも可能である。   Further, the slide base 41 is provided with a first plate support 42 and a second plate support 44 at the left and right ends of the upper surface thereof. The first plate support 42 includes an XYθ axis stage, on which a first plate 43 that is a movement source of the semiconductor chip is installed. The second plate support 44 includes an X-axis stage, on which a second plate 45 that is a movement destination of the semiconductor chip is installed. The first plate 43 and the second plate 45 are made of porous plates, and the position of the mounted semiconductor chip is fixed by vacuum suction, and the fixed position is released by stopping vacuum suction. And can be moved and picked up. In addition, although the pipe which vacuum-sucks is provided, illustration is abbreviate | omitted in a present Example. In the first embodiment, an example of a porous plate will be described. However, even if a weak adhesive film is formed on the plate, it is possible to prevent the position from shifting.

第1プレート支持台42のXYθ軸ステージは、初期設定としてカメラ部3による半導体チップの出力画像を基に、半導体チップ密着集合体のダイシングラインとX軸方向の平行度調整と初期位置の設定を行い、更に、X軸方向の送りにより、ピックアップ部5が1列分又は1行分の複数個の半導体チップをピックアップする位置に第1プレート43を移動する機能を有している。第2プレート支持台44のX軸ステージは、ピックアップ部5によりピックアップされた1列分又は1行分の複数個の半導体チップを第2プレート45上に一定間隔に載置する送り量を設定する機能を有している。   The XYθ axis stage of the first plate support base 42 performs initial setting of the dicing line of the semiconductor chip contact assembly, the parallelism adjustment in the X axis direction, and the initial position setting based on the output image of the semiconductor chip by the camera unit 3 as an initial setting. In addition, the pickup unit 5 has a function of moving the first plate 43 to a position for picking up a plurality of semiconductor chips for one column or one row by feeding in the X-axis direction. The X-axis stage of the second plate support 44 sets a feed amount for placing a plurality of semiconductor chips for one column or one row picked up by the pickup unit 5 on the second plate 45 at regular intervals. It has a function.

第1プレート43及び第2プレート45は、第1プレート支持台42と第2プレート支持台44に着脱自在で互換性があり、かつ、プレート平面上で90°回転しても着脱可能の構造を形成している。   The first plate 43 and the second plate 45 are detachable and compatible with the first plate support base 42 and the second plate support base 44, and have a structure that can be attached and detached even if rotated 90 ° on the plate plane. Forming.

プレートスライド部4の左右(X軸)方向への直動を固定する機構として、ストッパステー49がスライドベース41の側面にネジ止め固定されて、溝部がクランプ48と係合している。クランプ48のネジを締め付けることでストッパステー49がベースプレート21に固着され、スライドベース41をベースプレート21に固定することを可能にしている。   As a mechanism for fixing the linear movement of the plate slide portion 4 in the left-right (X-axis) direction, a stopper stay 49 is screwed to the side surface of the slide base 41 and the groove portion is engaged with the clamp 48. By tightening the screw of the clamp 48, the stopper stay 49 is fixed to the base plate 21, and the slide base 41 can be fixed to the base plate 21.

従って、ベースプレート21の左右の端部に配設された右ストッパ23、左ストッパ24とスライドベース41を当接して、クランプ48のネジを締め付けることで、ベーススライド部4は、左右の両端で、定められた位置に固定することが可能である。   Therefore, the base slide part 4 is fixed at both the left and right ends by abutting the right stopper 23 and the left stopper 24 disposed at the left and right ends of the base plate 21 with the slide base 41 and tightening the screws of the clamps 48. It is possible to fix it at a predetermined position.

図1においては、スライドベース41が左ストッパ24に当接した位置で、クランプ48で固定して位置決めしており、カメラ部3が第1プレート43の真上に、ピックアップ部5が移動先の第2プレート45の真上に位置決めされている。
図2においては、スライドベース41が右ストッパ23に当接して、クランプ48で固定して位置決めしており、ピックアップ部5が移動元の第1プレート43の真上に位置決めされている。
In FIG. 1, the slide base 41 is fixed and positioned by a clamp 48 at a position where the slide base 41 is in contact with the left stopper 24, the camera unit 3 is directly above the first plate 43, and the pickup unit 5 is the destination. It is positioned directly above the second plate 45.
In FIG. 2, the slide base 41 abuts on the right stopper 23 and is fixed and positioned by the clamp 48, and the pickup unit 5 is positioned directly above the first plate 43 that is the movement source.

従って、ピックアップ部5は、ピックアップした1列分、或いは、1行分の半導体チップを第1プレートから第2プレートに移動する手段を保有しないが、その代わりに、プレートスライド部4がピックアップ部5の下で第1プレートと第2プレートを移動する手段を構成し、1列分、或いは、1行分の半導体チップを第1プレートから第2プレートに移動する手段を構成する。   Therefore, the pickup unit 5 does not have a means for moving the picked-up one column or one row of semiconductor chips from the first plate to the second plate, but instead, the plate slide unit 4 has the pickup unit 5. Means for moving the first plate and the second plate, and means for moving one column or one row of semiconductor chips from the first plate to the second plate.

即ち、プレートスライド部4の左端位置(図1に示す)と右端位置(図2に示す)において、左端位置(図1参照)でカメラ部3の下で半導体チップ密着集合体の初期位置設定を行い、右端位置(図2参照)でピックアップ部5が第1プレート43上の半導体チップ密着集合体から1列分の半導体チップを吸着し劈開分離してピックアップし、左端位置(図1参照)に戻り、1列分の半導体チップを第2プレート45に載置し、真空吸着して固定し、また、右端位置(図2参照)で半導体チップをピックアップ、左端位置で半導体チップを第2プレート45の上面に一定間隔で載置し真空吸着して固定、を繰り返して、半導体チップ密着集合体から、一定間隔で整列する複数列の半導体チップを整列する。   That is, at the left end position (shown in FIG. 1) and the right end position (shown in FIG. 2) of the plate slide portion 4, the initial position setting of the semiconductor chip contact assembly is performed under the camera portion 3 at the left end position (see FIG. 1). At the right end position (see FIG. 2), the pickup unit 5 picks up the semiconductor chips for one row from the semiconductor chip contact assembly on the first plate 43, cleaves and picks them up, and moves to the left end position (see FIG. 1). Returning, the semiconductor chips for one row are placed on the second plate 45 and fixed by vacuum suction, and the semiconductor chips are picked up at the right end position (see FIG. 2), and the semiconductor chips are picked up at the left end position. A plurality of rows of semiconductor chips aligned at a constant interval are aligned from the semiconductor chip contact assembly by repeatedly placing them on the upper surface of the substrate and vacuum-adsorbing and fixing them.

[実施例1のピックアップ部5の説明]
図1に示すように、ピックアップ部5は、ベースプレート21から立ち上げられたピックアップ支柱51、ピックアップ支柱ステー52を介してピックアップベースプレート53にネジ止め固定されて、プレートスライド部4の第1プレート43、或いは、第2プレート45の真上に当たる位置に取り付けられている。
[Description of Pickup Unit 5 of Example 1]
As shown in FIG. 1, the pickup unit 5 is screwed and fixed to the pickup base plate 53 via a pickup column 51 and a pickup column stay 52 raised from the base plate 21, and the first plate 43 of the plate slide unit 4. Alternatively, it is attached at a position where it directly hits the second plate 45.

図3により、ピックアップ部5の構造を説明する。
図3(a)は、半導体製造装置1からピックアップ部5を取り出し右側面後方より見た外観の斜視図であり、図3(b)は、ピックアップ部5の図3(a)の拡大分解斜視図であり、図3(c)は、ピックアップ部5のピックアップチャック先端部を更に拡大した部分拡大斜視図である。
The structure of the pickup unit 5 will be described with reference to FIG.
3A is a perspective view of the appearance of the pickup unit 5 taken out from the semiconductor manufacturing apparatus 1 and viewed from the rear side of the right side. FIG. 3B is an enlarged exploded perspective view of the pickup unit 5 in FIG. FIG. 3C is a partially enlarged perspective view in which the tip of the pickup chuck of the pickup unit 5 is further enlarged.

図3(a)に示すように、ピックアップ部5は、ピックアップスライド部6、ピックアップチャック部7、半導体チップ押え部8から構成されている。そして、ピックアップスライド部6と半導体チップ押さえ部8は、それぞれが後述するスライドガイドを介してピックアップベースプレート53にネジ止め固着されている。ピックアップチャック部7は、ピックアップスライド部6にこれも後述するスライドガイドを介してネジ止め固着されている。   As shown in FIG. 3A, the pickup unit 5 includes a pickup slide unit 6, a pickup chuck unit 7, and a semiconductor chip presser unit 8. The pickup slide portion 6 and the semiconductor chip pressing portion 8 are fixed to the pickup base plate 53 with screws via slide guides described later. The pickup chuck portion 7 is fixed to the pickup slide portion 6 with screws via a slide guide, which will be described later.

ピックアップ部5の各部の機能を概略説明する。ピックアップスライド部6は、ピックアップチャック部7を上下(Z軸)方向に移動して半導体チップの吸着位置と退避位置に配置する機能と、ピックアップチャック部7をY軸方向に移動して1列分の半導体チップの吸着又は1行分の半導体チップの吸着の切替の機能を有する。   The function of each part of the pick-up part 5 is demonstrated roughly. The pickup slide unit 6 has a function of moving the pickup chuck unit 7 in the vertical (Z-axis) direction to dispose the semiconductor chip at the suction position and the retracted position, and moving the pickup chuck unit 7 in the Y-axis direction for one column. The function of switching the adsorption of the semiconductor chips or the adsorption of the semiconductor chips for one row is provided.

ピックアップチャック部7は、本発明の主眼となる構造を形成している。即ち、1列分又は1行分の複数の半導体チップを吸着そして載置する2種類の列チャックと行チャックを有し、しかも、列チャック71aと行チャック71bの先端には斜面54が形成され斜面54に吸着孔55が形成されており、更に、列チャック71aと行チャック71bが斜め45°方向に上下移動が可能な機構が形成されている。   The pickup chuck portion 7 forms a structure that is the main focus of the present invention. That is, it has two types of column chucks and row chucks for sucking and mounting a plurality of semiconductor chips for one column or one row, and an inclined surface 54 is formed at the tips of the column chuck 71a and the row chuck 71b. A suction hole 55 is formed in the inclined surface 54, and a mechanism that allows the column chuck 71a and the row chuck 71b to move up and down in an oblique 45 ° direction is formed.

半導体チップ押え部8は、移動元の第1(第2)プレート上の半導体チップを浮きのないように平面的に押え、第1プレートの真空吸着が解除されても、半導体チップを配置された位置に固定する機能を有する。そして、更に、ピックアップチャック部7に対しては、ピックアップチャック部7で吸着する1列分又は1行分の半導体チップを露出して、それ以外の半導体チップを覆って押圧する位置関係にある。   The semiconductor chip presser 8 holds the semiconductor chip on the first (second) plate from which it is moved in a plane so as not to float, and the semiconductor chip is arranged even if the vacuum suction of the first plate is released. It has a function to fix the position. Further, the pickup chuck portion 7 is in a positional relationship in which one row or one row of semiconductor chips adsorbed by the pickup chuck portion 7 are exposed, and the other semiconductor chips are covered and pressed.

以下、図3(b)の分解斜視図において、ピックアップスライド部6、ピックアップチャック部7、半導体チップ押え部8の構成を詳細に説明する。   Hereinafter, in the exploded perspective view of FIG. 3B, the configuration of the pickup slide portion 6, the pickup chuck portion 7, and the semiconductor chip pressing portion 8 will be described in detail.

[実施例1のピックアップスライド部6の説明]
ピックアップスライド部6は、Z軸スライドガイド61、Z軸スライドガイドのブロック62、Z軸スライドプレート63、Z軸マイクロメータヘッドステー64、Z軸マイクロメータ65、行・列切替スライドガイド66、行・列切替スライドガイドのブロック67、チャックスライドベース68から構成されている。
[Description of Pickup Slide 6 of Example 1]
The pickup slide unit 6 includes a Z-axis slide guide 61, a Z-axis slide guide block 62, a Z-axis slide plate 63, a Z-axis micrometer head stay 64, a Z-axis micrometer 65, a row / column switching slide guide 66, It is composed of a row switching slide guide block 67 and a chuck slide base 68.

Z軸スライドガイド61は、ピックアップベースプレート53にネジ止め固定され、直動スライドするZ軸スライドガイドのブロック62がZ軸方向に平行に移動可能になっている。Z軸スライドプレート63は、上端面にZ軸マイクロメータ65が取り付けられたZ軸マイクロメータヘッドステー64がネジ止め固定されている。従って、Z軸スライドプレート63は、Z軸マイクロメータ65の送りでZ軸方向(垂直方向)に精度良く直動可能となっている。   The Z-axis slide guide 61 is fixed to the pickup base plate 53 with screws, and a block 62 of the Z-axis slide guide that slides linearly is movable in parallel with the Z-axis direction. The Z-axis slide plate 63 has a Z-axis micrometer head stay 64 having a Z-axis micrometer 65 attached to the upper end surface thereof, and is fixed with screws. Accordingly, the Z-axis slide plate 63 can be linearly moved with high accuracy in the Z-axis direction (vertical direction) by the feed of the Z-axis micrometer 65.

そして、Z軸スライドプレート63は、下端部に前面63aの平面に対して45°傾斜した面(YZ面に対しY軸を回転軸として45°の傾斜面)を形成して、その面に行・列切替スライドガイド66とブロック67が取り付けられている。そして、行・列切替スライドガイド66の両端、即ち、Z軸スライドプレート63の両端面に右サイドストッパ69a、左サイドストッパ69bがネジ止め固定されている。従って、行・列切替スライドガイド66のブロック67は、Z軸スライドプレート63の前面63aに対し45°の傾斜を持ってY軸方向に直動可能に構成されている。   The Z-axis slide plate 63 forms a surface inclined at 45 ° with respect to the plane of the front surface 63a at the lower end (an inclined surface with a Y-axis of 45 ° with respect to the YZ surface). A column switching slide guide 66 and a block 67 are attached. The right side stopper 69a and the left side stopper 69b are fixed by screws to both ends of the row / column switching slide guide 66, that is, to both end surfaces of the Z-axis slide plate 63. Therefore, the block 67 of the row / column switching slide guide 66 is configured to be linearly movable in the Y-axis direction with an inclination of 45 ° with respect to the front surface 63a of the Z-axis slide plate 63.

チャックスライドベース68は、行・列切替スライドガイドのブロック67にネジ止め固着される。従って、チャックスライドベース68は、その前面68aがZ軸スライドプレートの前面63aに対して45°の傾斜を保ったまま、Y軸方向に直動可能に構成されている。更に、チャックスライドベース68の待機位置は、左右サイドストッパ69a、69bのどちらかに当接して固定される。詳細は図4で説明する。   The chuck slide base 68 is fixed to the block 67 of the row / column switching slide guide with screws. Therefore, the chuck slide base 68 is configured to be movable in the Y-axis direction while maintaining the front surface 68a of the Z-axis slide plate at a 45 ° inclination with respect to the front surface 63a. Further, the standby position of the chuck slide base 68 is fixed in contact with one of the left and right side stoppers 69a and 69b. Details will be described with reference to FIG.

チャックスライドベース68の前面68aには、列ピックアップチャック部7aと行ピックアップチャック部7bのために2個のチャックスライドガイド77が平行にネジ止めして取り付けられ、チャックスライドガイド77のブロック78がチャックスライドベース68の直動方向に直角な方向に直動可能に設置されている。従って、ブロック78は、Z軸スライドプレートの前面63aに対して45°の傾斜を持って直動可能に設置されている。   Two chuck slide guides 77 are attached in parallel to the front surface 68a of the chuck slide base 68 by screws for the column pickup chuck portion 7a and the row pickup chuck portion 7b, and a block 78 of the chuck slide guide 77 is attached to the chuck slide base 77. The slide base 68 is installed so as to be linearly movable in a direction perpendicular to the linear movement direction of the slide base 68. Accordingly, the block 78 is installed so as to be linearly movable with an inclination of 45 ° with respect to the front surface 63a of the Z-axis slide plate.

[実施例1のピックアップチャック部7の説明]
ピックアップチャック部7は、列ピックアップチャック部7aと行ピックアップチャック部7bから構成されている。
列ピックアップチャック部7aと行ピックアップチャック部7bは、ミニチュア管継手73、チャックスライダ74、マイクロメータヘッドステー75、ピックアップマイクロメータ76、チャックスライドガイド77、チャックスライドガイドのブロック78の6部品が共通部品で構成され、先端部分の列チャック71a、列チャックステー72aを加えて列ピックアップチャック部7aが形成され、行チャック71b、行チャックステー72bを加えて行ピックアップチャック部7bが形成されている。
[Description of Pickup Chuck 7 of Example 1]
The pickup chuck portion 7 is composed of a column pickup chuck portion 7a and a row pickup chuck portion 7b.
The column pickup chuck portion 7a and the row pickup chuck portion 7b have the same six parts: a miniature fitting 73, a chuck slider 74, a micrometer head stay 75, a pickup micrometer 76, a chuck slide guide 77, and a chuck slide guide block 78. The column pickup chuck portion 7a is formed by adding the column chuck 71a and the column chuck stay 72a at the tip portion, and the row pickup chuck portion 7b is formed by adding the row chuck 71b and the row chuck stay 72b.

チャックスライダ74は、上端部にピックアップマイクロメータ76が取り付けられたマイクロメータヘッドステー75がネジ止め固着され、下端部に列及び行チャック71a、71bとミニチュア管継手73を備えた列及び行チャックステー72a、72bがネジ止め固着されている。そして更に、チャックスライダ74は、チャックスライドガイドのブロック78にネジ止め固着され、チャックスライドガイド77に沿って、ピックアップマイクロメータ76の送りで精度の良い直動が可能となっている。   The chuck slider 74 has a micrometer head stay 75 having a pick-up micrometer 76 attached to the upper end thereof, and is fixed with screws, and a column and row chuck stay having column and row chucks 71 a and 71 b and miniature fittings 73 at the lower end. 72a and 72b are fixed with screws. Further, the chuck slider 74 is fixed to the block 78 of the chuck slide guide with screws, and can be linearly moved with high accuracy by feeding the pickup micrometer 76 along the chuck slide guide 77.

従って、列及び行ピックアップチャック部7a、7bは、チャックスライドガイド77がチャックスライドベース68に搭載され固着されているので、Z軸スライドプレート63の前面63aに対し45°の傾斜を持ってピックアップマイクロメータ76の送りで精度の良い上下の直動が可能となっている。   Accordingly, since the chuck slide guide 77 is mounted on and fixed to the chuck slide base 68, the column and row pickup chuck portions 7a and 7b have an inclination of 45 ° with respect to the front surface 63a of the Z-axis slide plate 63. With the feed of the meter 76, it is possible to move up and down with high accuracy.

列ピックアップチャック部7aにおいて、列チャック71aの先端は、図3(c)に示すように、第1或いは第2プレート(図1、2参照)の上面に対しα°=7°〜11°の傾きを持つ斜面54が形成され、斜面54に列方向の半導体チップの個数に合致した複数個の吸着孔55が形成されている。そして、この斜面54の傾斜の方向は、半導体チップを吸着する際に劈開分離するダイシングラインに近い側が半導体チップとの間隙が狭く、ダイシングラインから遠ざかるに従って間隙が開く方向に形成されている。   In the column pickup chuck portion 7a, the leading end of the column chuck 71a is α ° = 7 ° to 11 ° with respect to the upper surface of the first or second plate (see FIGS. 1 and 2), as shown in FIG. A slope 54 having an inclination is formed, and a plurality of suction holes 55 corresponding to the number of semiconductor chips in the column direction are formed on the slope 54. The inclined direction of the inclined surface 54 is such that the gap between the semiconductor chip and the dicing line that is cleaved and separated when adsorbing the semiconductor chip is narrow, and the gap opens as the distance from the dicing line increases.

そして、列チャック71aは、列チャックステー72aの先端に接着にて固着され、列ミニチュア管継手73と吸着孔55(図3(c)参照)が真空配管される。尚、ミニチュア管継手73には真空吸引するパイプが配管されているが、本実施例では図示を省略する。   The row chuck 71a is fixed to the tip of the row chuck stay 72a by bonding, and the row miniature fitting 73 and the suction hole 55 (see FIG. 3C) are vacuum-piped. The miniature fitting 73 is provided with a vacuum suction pipe, which is not shown in this embodiment.

列チャック71aに配置された吸着孔55は、ミニチュア管継手73からの真空吸引により、1列分の複数個の半導体チップを斜面54に吸着する。斜面54に吸着することにより、列チャック71aは、半導体チップ密着集合体から1列分の半導体チップをダイシングラインに沿って吸着し劈開分離する。   The suction holes 55 arranged in the row chuck 71 a suck a plurality of semiconductor chips for one row to the inclined surface 54 by vacuum suction from the miniature fitting 73. By adsorbing to the inclined surface 54, the column chuck 71a adsorbs and cleaves and separates one row of semiconductor chips along the dicing line from the semiconductor chip contact assembly.

従って、列チャック71aが1列分の半導体チップを吸着し劈開分離した後、ピックアップマイクロメータ76の送りで、ダイシングラインから離れる斜め上方向に列チャック71aを移動すると、1列分の半導体チップは45°傾いた斜め上方に移動するため、ダイシングラインに沿って残された半導体チップと接触し干渉することなくピックアップが可能となる。   Therefore, after the column chuck 71a adsorbs and cleaves and separates one row of semiconductor chips, the column chuck 71a is moved obliquely upward away from the dicing line by feeding the pickup micrometer 76. Since it moves obliquely upward at an angle of 45 °, it becomes possible to pick up without contacting and interfering with the remaining semiconductor chip along the dicing line.

行ピックアップチャック部7bは、前述したように、列ピックアップチャック部7aに対して、行チャック71bと行チャックステー72bが異なるだけで、他の構成部品は全く同一の共通部品で構成され、その構造と機能も同一であるので、説明を省略する。
行チャック71bの先端(図示せず)も、列チャック71aの先端と同様に、第1或いは第2プレートの上面に対しα°=7°〜11°の傾きを持つ斜面が形成され、そして、斜面には行方向の半導体チップの個数に合致した複数個の吸着孔が形成されている。
尚、列ピックアップチャック部7aと行ピックアップチャック部7bの位置関係は、図4(a)(b)で詳細に説明する。
As described above, the row pickup chuck portion 7b is different from the column pickup chuck portion 7a only in the row chuck 71b and the row chuck stay 72b. Since the functions are also the same, the description thereof is omitted.
Similarly to the front end of the row chuck 71a, the front end (not shown) of the row chuck 71b is also formed with a slope having an inclination of α ° = 7 ° to 11 ° with respect to the upper surface of the first or second plate. A plurality of suction holes corresponding to the number of semiconductor chips in the row direction are formed on the slope.
The positional relationship between the column pickup chuck portion 7a and the row pickup chuck portion 7b will be described in detail with reference to FIGS.

従って、列ピックアップチャック部7aと同様に、ダイシングラインに沿って1行分の半導体チップを斜面54に吸着することにより、行方向に整列した半導体チップの集合体から1行分の半導体チップを劈開分離し、そして、45°斜め上方にピックアップすることで、ダイシングラインに沿った残された半導体チップと接触し干渉することなくピックアップが可能となる。   Therefore, similarly to the column pickup chuck portion 7a, one row of semiconductor chips are cleaved from the assembly of semiconductor chips aligned in the row direction by adsorbing one row of semiconductor chips along the dicing line to the inclined surface 54. By separating and picking up at an angle of 45 °, pick-up is possible without contacting and interfering with the remaining semiconductor chip along the dicing line.

[実施例1の半導体チップ押え部8の説明]
半導体チップ押え部8は、チップ押え81、チップ押ステー82、押スライドプレート83、アッパープレート84、レベルプレート85、押スライドガイド86、押スライドガイドのブロック87から構成されている。
[Description of Semiconductor Chip Presser 8 of Example 1]
The semiconductor chip presser 8 includes a chip presser 81, a chip press stay 82, a press slide plate 83, an upper plate 84, a level plate 85, a press slide guide 86, and a block 87 of a press slide guide.

押スライドガイド86は、Z軸スライドガイド61と隣接して平行に並んで、ピックアップベースプレート53にネジ止め固定され、押スライドガイドのブロック87がZ軸スライドガイドのブロック62と同様に、第1プレート43或いは第2プレート45(図1、2参照)の上面に垂直な方向に直動可能に形成されている。   The push slide guide 86 is juxtaposed in parallel with the Z-axis slide guide 61 and fixed to the pickup base plate 53 with screws, and the push slide guide block 87 is the first plate in the same manner as the Z-axis slide guide block 62. 43 or the second plate 45 (see FIGS. 1 and 2).

押スライドガイドのブロック87にネジ止め固着されている押スライドプレート83は、上端面にアッパープレート84がネジ止め固着され、ピックアップベースプレート53の上端面にネジ止め固着されたレベルプレート85に設置された送りネジ(図示せず)と当接している。送りネジを回転することでアッパープレート84を上下動することが可能で、押スライドプレート83をZ軸方向(上下方向)に直動可能に構成されている。   The push slide plate 83 fixed by screws to the block 87 of the push slide guide is installed on a level plate 85 having an upper plate 84 fixed to the upper end surface by screws and fixed to the upper end surface of the pickup base plate 53 by screws. It is in contact with a feed screw (not shown). The upper plate 84 can be moved up and down by rotating the feed screw, and the push slide plate 83 can be moved directly in the Z-axis direction (up and down direction).

更に、押スライドプレート83の下端部にはチップ押ステー82がネジ止め固着され、チップ押ステー82の伸長した腕の端面に、チップ押え81がネジ止め固着されている。そして、チップ押え81の下面は、第1プレート43及び第2プレート45(図1、2参照)の上面と平行な平面に形成され、そして、第1、第2プレートに載置された半導体チップの集合体を押えるのに充分な面積を形成している。   Further, a tip press stay 82 is fixed to the lower end portion of the press slide plate 83 with screws, and a tip presser 81 is fixed to the end surface of the arm of the tip press stay 82 with screws. The lower surface of the chip retainer 81 is formed in a plane parallel to the upper surfaces of the first plate 43 and the second plate 45 (see FIGS. 1 and 2), and the semiconductor chip placed on the first and second plates. The area is sufficient to hold the assembly of.

従って、チップ押え81の下面は、レベルプレート85に設置された送りネジを回転することで、第1、第2プレートの上面に平行にZ軸方向(上下方向)に移動することが可能である。即ち、第1、第2プレートに載置された半導体チップをチップ押え81の下面で浮きのないように平面的に押さえることで、第1、第2プレートの真空吸着を停止し、かつ、1列或いは1行分の半導体チップを劈開分離する外力が加わっても、押圧した半導体チップの位置ずれを防止することが可能である。   Accordingly, the lower surface of the chip presser 81 can be moved in the Z-axis direction (vertical direction) parallel to the upper surfaces of the first and second plates by rotating a feed screw installed on the level plate 85. . That is, by holding the semiconductor chip placed on the first and second plates in a plane so as not to float on the lower surface of the chip presser 81, the vacuum suction of the first and second plates is stopped, and 1 Even if an external force for cleaving and separating the semiconductor chips for one column or one row is applied, it is possible to prevent the positional deviation of the pressed semiconductor chips.

なお、多孔質プレートからなる第1、第2プレートの真空吸着の停止は、半導体チップを第1、第2プレートに固定する吸着力を解除することであるから、ピックアップ部5による1列分、或いは、1行分の複数の半導体チップをダイシングラインに沿って吸着し劈開分離することが容易となる。   The stop of vacuum suction of the first and second plates made of porous plates is to release the suction force that fixes the semiconductor chip to the first and second plates. Or it becomes easy to adsorb | suck and cleave-separate several semiconductor chips for 1 row along a dicing line.

そして、上記各部の構成の説明から明らかなように、半導体製造装置1の座標軸(XYZ軸)は、ベースプレート部2の移動方向をX軸方向、ピックアップ部5のZ軸スライドプレート63、及び、押スライドプレートの移動方向をZ軸方向、チャックスライドベース68の移動方向をY軸方向として形成されている。   As is clear from the description of the configuration of each part described above, the coordinate axes (XYZ axes) of the semiconductor manufacturing apparatus 1 indicate that the movement direction of the base plate part 2 is the X-axis direction, the Z-axis slide plate 63 of the pickup part 5 and The moving direction of the slide plate is the Z-axis direction, and the moving direction of the chuck slide base 68 is the Y-axis direction.

[実施例1の列及び行のピックアップチャック部7a、7b切替機構の説明]
図4は、半導体製造装置の列及び行のピックアップチャック部7a、7bの切替機構を示す右側面図であり、図4(a)は、1列分の半導体チップをピックアップするピック列アップチャック部7aと第2プレート支持台との位置関係を説明するための図であり、図4(b)は、1行分の半導体チップをピックアップする行ピックアップチャック部7bと第2プレート支持台との位置関係を説明するための図である。
[Description of Column and Row Pickup Chuck 7a, 7b Switching Mechanism of Example 1]
FIG. 4 is a right side view showing the switching mechanism of the column and row pickup chuck portions 7a and 7b of the semiconductor manufacturing apparatus, and FIG. 4 (a) is a pick column up chuck portion for picking up semiconductor chips for one column. FIG. 4B is a diagram for explaining the positional relationship between 7a and the second plate support, and FIG. 4B shows the position between the row pickup chuck portion 7b for picking up one row of semiconductor chips and the second plate support. It is a figure for demonstrating a relationship.

図4(a)は、1列分の複数個の半導体チップをピックアップして配列変換する製造工程において、列ピックアップチャック部7aの第2プレート45に対する配置を示している。列及び行ピックアップチャック部7a、7bが搭載されたチャックスライドベース68が、行・列切替スライドガイド66のガイドで右方向に移動され、右サイドストッパ69aに当接して固着されている。そして、列ピックアップチャックチャック部7aは、第2プレート45の中心線44aに列ピックアップチャックチャック部7aの中心線が一致して、1列分の複数個の半導体チップを吸着する適正位置に配置されることになる。   FIG. 4A shows the arrangement of the column pickup chuck portion 7a with respect to the second plate 45 in the manufacturing process of picking up a plurality of semiconductor chips for one column and rearranging them. A chuck slide base 68 on which the column and row pickup chuck portions 7a and 7b are mounted is moved to the right by the guide of the row / column switching slide guide 66, and is in contact with and fixed to the right side stopper 69a. The column pickup chuck chuck portion 7a is disposed at an appropriate position where the center line 44a of the second plate 45 coincides with the center line of the column pickup chuck chuck portion 7a and sucks a plurality of semiconductor chips for one column. Will be.

そして、図4(b)においては、1行分の複数個の半導体チップをピックアップして配列変換する製造工程において、行ピックアップチャック部7bの第2プレート45に対する配置を示している。チャックスライドベース68が、行・列切替スライドガイド66のガイドで左方向に移動され、左サイドストッパ69bに当接して固着されている。そして、行ピックアップチャックチャック部7bは、第2プレート45の中心線44aに列ピックアップチャックチャック部7bの中心線が一致して、1行分の複数個の半導体チップを吸着する適正位置に配置されることになる。   FIG. 4B shows the arrangement of the row pickup chuck portion 7b with respect to the second plate 45 in a manufacturing process in which a plurality of semiconductor chips for one row are picked up and rearranged. The chuck slide base 68 is moved to the left by the guide of the row / column switching slide guide 66, and is in contact with and fixed to the left side stopper 69b. The row pickup chuck chuck portion 7b is disposed at an appropriate position where the center line 44a of the second plate 45 coincides with the center line of the column pickup chuck chuck portion 7b and sucks a plurality of semiconductor chips for one row. Will be.

このように、ピックアップチャック部7を列及び行のピックアップチャック部7a、7bを同一の半導体製造装置に搭載し、簡単な切替機構で列及び行のピックアップ切替が可能なので、一つの半導体製造装置で半導体チップ密着集合体から半導体チップのマトリクス状の集合体(以後、半導体チップマトリクス状集合体とする)を形成することが可能である。   In this way, the pickup chuck portion 7 is mounted on the column and row pickup chuck portions 7a and 7b in the same semiconductor manufacturing apparatus, and the column and row pickup can be switched with a simple switching mechanism. It is possible to form a semiconductor chip matrix aggregate (hereinafter referred to as a semiconductor chip matrix aggregate) from the semiconductor chip adhesion aggregate.

なお、列チャック71aの幅は、半導体チップ密着集合体の密着した1列分を吸着ピックアップする幅を有し、行チャック71bの幅は、一定間隔に広がって整列した半導体チップ列を1行分として吸着ピックアップ幅を有するため、列チャック71aより広い幅で形成されている。従って、アスペクト比が1に近い半導体チップをピックアップする場合には、行チャック71bは、列チャック71aの代わりとして、或いは、共通のチャックとして使用可能であり、列ピックアップチャック部7aと行ピックアップチャック部7bの切替が不要となる。   Note that the width of the column chuck 71a has a width for picking up and picking up one column of the semiconductor chip close assembly, and the row chuck 71b has a width of one row of semiconductor chip columns aligned at a predetermined interval. Since it has a suction pickup width, it is formed wider than the column chuck 71a. Therefore, when picking up a semiconductor chip having an aspect ratio close to 1, the row chuck 71b can be used as a common chuck or instead of the column chuck 71a, and the column pickup chuck portion 7a and the row pickup chuck portion are used. Switching of 7b becomes unnecessary.

次に、実施例1の半導体製造装置1による、半導体チップ密着集合体から半導体チップマトリクス状集合体を製造する製造工程を説明する。
以下において、まず、ピックアップの動作として、1列分をピックアップする実施例でピックアップチャックや押圧部の動作、及び、列チャックの斜面の機能を説明し、次に、製造工程を説明する。
Next, a manufacturing process for manufacturing a semiconductor chip matrix-like assembly from a semiconductor chip adhesion assembly by the semiconductor manufacturing apparatus 1 of Example 1 will be described.
In the following, the operation of the pick-up chuck and the pressing portion and the function of the inclined surface of the row chuck will be described first in the embodiment for picking up one row as the pick-up operation, and then the manufacturing process will be explained.

[実施例1の製造方法:図5−図8]
図5は、実施例1において、ピックアップ動作を説明するための図として、ピックアップチャック部先端を拡大した部分拡大図であり、図6は、図5の続きのピックアップ動作を説明するための部分拡大図である。
[Production Method of Example 1: FIGS. 5 to 8]
FIG. 5 is a partially enlarged view in which the tip of the pickup chuck portion is enlarged as a diagram for explaining the pickup operation in the first embodiment, and FIG. 6 is a partially enlarged view for explaining the pickup operation subsequent to FIG. FIG.

図7と図8は、上記図5、図6で説明したピックアップ動作を1列分、そして、1行分の半導体チップに適用してピックアップ、移動、載置の製造工程を繰り返して半導体チップ密着集合体から半導体チップマトリクス状集合体を形成する製造工程を説明するための平面図である。特に、図7は、半導体チップ密着集合体から半導体チップ列を形成する製造工程を説明するための平面図であり、図8は、図7の続きの製造工程で、半導体チップ列から半導体チップマトリクス状集合体を形成する製造工程を説明するための平面図である。
図5乃至図8の半導体チップと第1、第2、第3プレートの外形形状は、模式的に示し、半導体チップの個数も、同様である。
7 and 8 show that the pickup operation described in FIGS. 5 and 6 is applied to the semiconductor chip for one column and one row, and the manufacturing process of picking up, moving, and placing is repeated to make the semiconductor chip contact. It is a top view for demonstrating the manufacturing process which forms a semiconductor chip matrix-like aggregate from an aggregate. In particular, FIG. 7 is a plan view for explaining a manufacturing process for forming a semiconductor chip row from a semiconductor chip contact assembly, and FIG. 8 is a continuation of FIG. It is a top view for demonstrating the manufacturing process which forms a shape assembly.
The outer shapes of the semiconductor chip of FIGS. 5 to 8 and the first, second, and third plates are schematically shown, and the number of semiconductor chips is the same.

[1列分の複数個の半導体チップのピックアップ動作の説明]
図5のST01とST02において、列方向押圧工程の第1工程を説明する。
ST01に示すように、初期位置設定された半導体チップ密着集合体9が移動元の第1プレート43の上面に真空吸着がONで設定位置に固着され、ピックアップ部5のチップ押え81、列チャック71aが半導体チップ密着集合体9の真上に位置し、待機位置にある(半導体製造装置1は図2の状態である。)。
[Description of Pickup Operation of Multiple Semiconductor Chips for One Row]
In ST01 and ST02 of FIG. 5, the first step of the column direction pressing step will be described.
As shown in ST01, the initial set semiconductor chip contact assembly 9 is fixed to the set position when the vacuum suction is ON on the upper surface of the movement source first plate 43, and the chip presser 81 and the row chuck 71a of the pickup unit 5 are fixed. Is located immediately above the semiconductor chip contact assembly 9 and is in a standby position (the semiconductor manufacturing apparatus 1 is in the state of FIG. 2).

次に、ST02に示すように、チップ押え81を降下し、半導体チップ密着集合体9をチップ押え81で押圧する。押圧する位置は、半導体チップ密着集合体9の端部の1列分の半導体チップ91aとそのダイシングライン92aを露出し、次の列から残りの半導体チップ密着集合体9全体を押圧するように、第1プレート支持台42(図1参照)のXYθステージのX軸マイクロメータの送りで調整し設定されている。そして、第1プレート43の上面に半導体チップ密着集合体9を真空吸着ONで固着状態が継続されている。列チャック71aは、待機位置にある。   Next, as shown in ST02, the chip presser 81 is lowered and the semiconductor chip contact assembly 9 is pressed by the chip presser 81. The position to be pressed is such that one row of semiconductor chips 91a and its dicing line 92a at the end of the semiconductor chip contact assembly 9 are exposed, and the remaining semiconductor chip contact assembly 9 is pressed from the next row. It is adjusted and set by the feed of the X-axis micrometer of the XYθ stage of the first plate support 42 (see FIG. 1). Then, the semiconductor chip adhesion assembly 9 is fixed to the upper surface of the first plate 43 by the vacuum suction ON. The row chuck 71a is in the standby position.

次に、図5のST03とST04において、列方向ピックアップ工程の第2工程を説明する。
ST03に示すように、列チャック71aがZ軸マイクロメータ65(図3参照)の送りによりチップ押え81から露出した1列分の半導体チップ91aに降下し、そして、列チャック71aの斜面54が、1列分の半導体チップ91aのダイシングライン92aに沿って、ほぼ一致する位置に配置される。移動元の第1プレート43は、半導体チップ密着集合体9を真空吸着ONで固着が継続される。
Next, in ST03 and ST04 of FIG. 5, the second step of the column direction pickup step will be described.
As shown in ST03, the row chuck 71a is lowered to one row of semiconductor chips 91a exposed from the chip presser 81 by the feed of the Z-axis micrometer 65 (see FIG. 3), and the inclined surface 54 of the row chuck 71a is The semiconductor chips 91a for one row are arranged at substantially matching positions along the dicing lines 92a. The first plate 43 that is the movement source continues to adhere the semiconductor chip contact assembly 9 when the vacuum suction is ON.

そして、ST04に示すように、第1プレート43による半導体チップ密着集合体9の真空吸着がOFFして停止され、列チャック71aの吸着孔55の真空吸着の吸引力により、1列分の半導体チップ91aがダイシングラインに沿って列チャック71aの斜面54に吸着され劈開分離される。チップ押え81は、残りの半導体チップ密着集合体9を継続して第1プレート43上で押圧し、真空吸着が解除された半導体チップ密着集合体9の位置ずれを防止する。
ST04の部分拡大図に示すように、劈開分離された部分には斜面54の角度α°(=7°〜11°)に相当する楔状の隙間56が形成される。
Then, as shown in ST04, the vacuum suction of the semiconductor chip contact assembly 9 by the first plate 43 is turned off and stopped, and the semiconductor chip for one column is stopped by the vacuum suction force of the suction hole 55 of the column chuck 71a. 91a is adsorbed on the inclined surface 54 of the row chuck 71a along the dicing line and is cleaved and separated. The chip presser 81 continuously presses the remaining semiconductor chip contact assembly 9 on the first plate 43 to prevent the position shift of the semiconductor chip contact assembly 9 from which the vacuum suction is released.
As shown in the partial enlarged view of ST04, a wedge-shaped gap 56 corresponding to the angle α ° (= 7 ° to 11 °) of the inclined surface 54 is formed in the cleaved and separated portion.

次に、図6のST05とST06において、列方向ピックアップチャック移動工程の第3工程を説明する。
ST05に示すように、列チャック71aは、ピックアップチャック部7の列ピックアップマイクロメータ76(図3参照)の送りにより、矢印Wの45°斜め上方に移動する。真上でなく斜め上方に移動することにより、劈開分離した1列分の半導体チップ91aは、楔状の隙間56(図5のST04の部分拡大図参照)の先端部分のダイシングライン部分で干渉することなく、容易に分離する。そして、第1プレート43に残された半導体チップ密着集合体9は、チップ押え81で押圧されている状態で、再び、第1プレート43上面に真空吸着がONになり、初期設定位置を保持し固着される。
Next, the third step of the column direction pickup chuck moving step will be described in ST05 and ST06 of FIG.
As shown in ST05, the row chuck 71a moves obliquely upward by 45 ° of the arrow W by the feed of the row pickup micrometer 76 (see FIG. 3) of the pickup chuck portion 7. By moving diagonally upward rather than directly above, one row of the cleaved and separated semiconductor chips 91a interferes with the dicing line portion at the tip of the wedge-shaped gap 56 (see the partially enlarged view of ST04 in FIG. 5). Easy to separate. Then, the semiconductor chip contact assembly 9 left on the first plate 43 is pressed by the chip presser 81, and vacuum suction is again turned ON on the upper surface of the first plate 43, and the initial setting position is maintained. It is fixed.

そして、ST06に示すように、チップ押え81は、上方に退避し待機位置に戻り、そして、列チャック71aは、1列分の半導体チップ91aを斜面54に吸着した状態で、Z軸マイクロメータ65の送りによってチップ押え81と同様に、上方に退避しワーク待機位置で待機する。第1プレート43の上面に残された半導体チップ密着集合体9は、チップ押え81が待機位置に戻っても、真空吸着がONであるから、初期設定位置を保持し固着されている。   Then, as shown in ST06, the chip presser 81 retracts upward and returns to the standby position, and the column chuck 71a holds the Z-axis micrometer 65 in a state where the semiconductor chip 91a for one column is attracted to the inclined surface 54. As in the case of the chip presser 81, it is retracted upward and waits at the workpiece standby position. Even if the chip presser 81 returns to the standby position, the semiconductor chip contact assembly 9 left on the upper surface of the first plate 43 remains fixed at the initial position because the vacuum suction is ON.

次に、ST07乃至ST09において、列方向載置工程の第4工程を説明する。
ST07は、前のST06における第1プレート43が第2プレート45に置換されている。即ち、ST07においては、プレートスライド部4が右端位置(図1参照)から左端位置(図2参照)に移動し固定されることで、1列分の半導体チップ91aを斜面54に吸着しワーク待機位置にある列チャック71aの直下に、第2プレート45が移動して固定されている。
Next, in ST07 to ST09, the fourth step of the column direction placement step will be described.
In ST07, the first plate 43 in the previous ST06 is replaced with the second plate 45. That is, in ST07, the plate slide part 4 is moved and fixed from the right end position (see FIG. 1) to the left end position (see FIG. 2), thereby attracting the semiconductor chips 91a for one row to the inclined surface 54 and waiting for the work. The second plate 45 is moved and fixed immediately below the row chuck 71a at the position.

次に、ST08に示すように、列チャック71aに吸着されている1列分の半導体チップ91aは、Z軸マイクロメータ65(図3参照)の送りによって移動先の第2プレート45上の定められた位置に降ろされる。そして、1列分の半導体チップ91aは、第2プレート45の真空吸着ONによる吸引力と列チャック71aの真空吸着OFFにより列チャック71aの斜面54から離れて第2プレートの上面に吸着載置される。   Next, as shown in ST08, the semiconductor chips 91a for one row attracted by the row chuck 71a are determined on the second plate 45 as the movement destination by the feed of the Z-axis micrometer 65 (see FIG. 3). It is lowered to the position. The semiconductor chips 91a for one row are attracted and placed on the upper surface of the second plate away from the inclined surface 54 of the row chuck 71a by the suction force of the second plate 45 due to the vacuum suction ON and the vacuum suction OFF of the row chuck 71a. The

次に、ST09に示すように、チップ押え81は、待機位置にあり、列チャック71aは、再び、上方に退避して第2プレート45の真上で待機位置に戻る。第2プレート45の上面には1列分の半導体チップ91aが吸着載置されて、定められた位置に保持されている。   Next, as shown in ST09, the chip presser 81 is in the standby position, and the row chuck 71a is again retracted upward and returned to the standby position directly above the second plate 45. One row of semiconductor chips 91a is sucked and placed on the upper surface of the second plate 45 and held at a predetermined position.

次に、第2プレート45が第1プレート43と置換し、待機位置にあるチップ押え81と列チャック71aの直下の位置に第1プレート43が移動し固定される。即ち、図2における半導体製造装置1のように、プレートスライド部4が右端部に直動して右ストッパ23に当接して固定された位置にして、ST01に戻り、待機状態となる。   Next, the second plate 45 is replaced with the first plate 43, and the first plate 43 is moved and fixed to a position immediately below the chip presser 81 and the row chuck 71a at the standby position. That is, as in the semiconductor manufacturing apparatus 1 in FIG. 2, the plate slide portion 4 moves directly to the right end portion and comes into contact with the right stopper 23 to be fixed, and the process returns to ST01 and enters a standby state.

従って、上記図5、図6で説明したST01からST09の製造工程の第1工程から第4工程を繰り返すことにより、移動元の第1プレート43から移動先の第2プレート45に、半導体チップ密着集合体9を1列ずつ、1列分の半導体チップを一定間隔で整列配置することが可能である。   Therefore, by repeating the first to fourth steps of the manufacturing process of ST01 to ST09 described with reference to FIGS. 5 and 6, the semiconductor chip adheres from the first plate 43 to the second plate 45 to the destination. It is possible to align and arrange the semiconductor chips for one row of the assembly 9 one row at a time.

以上のように、本発明の実施例1によれば、ステルスダイシングされた半導体ウェハは、列チャック71a及び行チャック71bの先端に形成された斜面54に、1列分或いは1行分の半導体チップが吸着されてダイシングラインで劈開分離され、そして、劈開分離した部分は、斜面54と同じ角度の楔状の隙間56が形成される。この楔状の隙間は、ピックアップする際、隣接部との干渉が極めて少なく摩擦や引っ掛かりによるピックアップ不良がない。更に、列チャック71a及び行チャック71bがダイシングラインから斜め上の遠ざかる方向に移動可能な機構を有しているので、劈開分離した楔状の隙間の先端部も全く干渉することなく分離可能でピックアップ不良が発生することがない。   As described above, according to the first embodiment of the present invention, the stealth-diced semiconductor wafer is formed on the slope 54 formed at the tips of the column chuck 71a and the row chuck 71b for one column or one row of semiconductor chips. Is cleaved and separated by a dicing line, and a wedge-shaped gap 56 having the same angle as the inclined surface 54 is formed in the cleaved and separated portion. The wedge-shaped gap has very little interference with the adjacent portion when picking up, and there is no pick-up failure due to friction or catching. Furthermore, since the column chuck 71a and the row chuck 71b have a mechanism capable of moving in a direction diagonally away from the dicing line, the tip of the cleaved wedge-shaped gap can be separated without any interference and pickup failure Will not occur.

1列分の半導体チップをピックアップして整列する製造工程について説明したが、1行分の半導体チップをピックアップして整列する製造工程に関しても同様な製造工程で整列することが可能である。即ち、行方向押圧工程の第5工程は、列方向押圧工程の第1工程に相当し、行方向ピックアップ工程の第6工程は、列方向ピックアップ工程の第2工程に相当し、行方向ピックアップチャック移動工程の第7工程は、列方向ピックアップチャック移動工程の第3工程に相当し、行方向載置工程の第8工程は、列方向載置工程の第4工程に相当する。詳細な説明は重複するので省略する。
次に、上記の製造工程を繰り返して、半導体チップ密着集合体9から半導体チップマトリクス状集合体を形成する製造工程を詳細に説明する。
The manufacturing process for picking up and aligning semiconductor chips for one column has been described, but the manufacturing process for picking up and aligning semiconductor chips for one row can also be arranged in the same manufacturing process. That is, the fifth step of the row direction pressing step corresponds to the first step of the column direction pressing step, and the sixth step of the row direction pickup step corresponds to the second step of the column direction pickup step. The seventh step of the moving step corresponds to the third step of the column direction pickup chuck moving step, and the eighth step of the row direction placing step corresponds to the fourth step of the column direction placing step. Detailed description will be omitted because it overlaps.
Next, the manufacturing process for forming the semiconductor chip matrix-like assembly from the semiconductor chip adhesion assembly 9 by repeating the above manufacturing process will be described in detail.

[半導体チップマトリクス状集合体の製造工程の説明]
次に、上記のピックアップ動作を繰り返して、半導体チップ密着集合体9から半導体チップマトリクス状集合体を形成する製造工程を詳細に説明する。
図7において、図5と図6で説明した1列分の半導体チップを整列する製造工程に基づいて、第1プレート43上の半導体チップ密着集合体9から第2プレート45上に一定間隔に整列した半導体チップ列を形成する前半の製造工程として、第1工程から第4工程とその繰り返しの製造工程で説明し、図8において、第2プレート45上に一定間隔に整列した半導体チップ列から第3プレート46上に半導体チップマトリクス状集合体を形成する後半の製造工程として、第5工程から第8工程とその繰り返しの製造工程を説明する。
[Description of Manufacturing Process of Semiconductor Chip Matrix Assembly]
Next, a manufacturing process for forming a semiconductor chip matrix-like assembly from the semiconductor chip contact assembly 9 by repeating the above-described pickup operation will be described in detail.
In FIG. 7, the semiconductor chip contact assembly 9 on the first plate 43 is aligned at regular intervals on the second plate 45 based on the manufacturing process for aligning the semiconductor chips for one row described in FIGS. As the first half of the manufacturing process for forming the semiconductor chip array, the first to fourth processes and the repeated manufacturing processes thereof will be described. In FIG. 8, the semiconductor chip array aligned on the second plate 45 at a predetermined interval is used as the first manufacturing process. As the latter half of the manufacturing process for forming the semiconductor chip matrix aggregate on the three plates 46, the fifth to eighth processes and the repeated manufacturing processes will be described.

図7と図8は、半導体製造装置1の第1プレート43と第2プレート45、第3プレート46の平面図であって、列チャック71a、行チャック71b、チップ押え81による1列分或いは1行分の複数個の半導体チップをピックアップして整列する製造工程を説明するための図である。その他の構成部材は省略してある。   7 and FIG. 8 are plan views of the first plate 43, the second plate 45, and the third plate 46 of the semiconductor manufacturing apparatus 1, and each column or one column by the column chuck 71a, the row chuck 71b, and the chip presser 81 is shown. It is a figure for demonstrating the manufacturing process which picks up and aligns the several semiconductor chip for a line. Other components are omitted.

従って、図7においては、第1プレート43と、第1プレート43上に配置された半導体チップ密着集合体9と、第2プレート45と、列チャック71a(2点鎖線で示す)と、チップ押え81(2点鎖線で示す)を示す。   Accordingly, in FIG. 7, the first plate 43, the semiconductor chip contact assembly 9 disposed on the first plate 43, the second plate 45, the row chuck 71a (indicated by a two-dot chain line), the chip presser 81 (indicated by a two-dot chain line).

図7(a)は、移動元の第1プレート43上にステルスダイシングされた半導体ウェハ、即ち、半導体チップ密着集合体9が載置された平面図である。
図7(b)は、移動先の第2プレート45上に、ピックアップされた1列目の半導体チップが載置された平面図である。
図7(c)は、移動元の第1プレート43上で2列目の半導体チップをピックアップする状態の平面図である。
図7(d)は、移動先の第2プレート45上にピックアップされた1列目と2列目の半導体チップが載置された平面図である。
図7(e)は、移動元の第1プレート43上で最終列の半導体チップをピックアップする状態の平面図である。
図7(f)は、移動先の第2プレート45上にピックアップされた半導体チップ列が全て載置された平面図である。
なお、半導体チップ1個1個それぞれに1から20の番号を付して、移動元の第1プレート上の半導体チップと移動先の第2プレート45上の半導体チップとの対応を示す。
FIG. 7A is a plan view on which the semiconductor wafer stealth-diced, that is, the semiconductor chip contact assembly 9 is placed on the movement-source first plate 43.
FIG. 7B is a plan view in which the picked-up first row semiconductor chips are placed on the second plate 45 of the movement destination.
FIG. 7C is a plan view showing a state in which the second row of semiconductor chips are picked up on the movement-source first plate 43.
FIG. 7D is a plan view on which the first row and second row semiconductor chips picked up on the second plate 45 of the movement destination are placed.
FIG. 7E is a plan view showing a state in which the last row of semiconductor chips is picked up on the movement-source first plate 43.
FIG. 7F is a plan view in which all the picked-up semiconductor chip rows are placed on the second plate 45 that is the movement destination.
Each semiconductor chip is numbered from 1 to 20 to indicate the correspondence between the semiconductor chip on the first plate of the movement source and the semiconductor chip on the second plate 45 of the movement destination.

図7(a)に示すように、第1プレート43上の半導体チップ密着集合体9は、ステルスダイシングにより、列方向のダイシングライン92a、92b、92cと、行方向のダイシングライン94a、94b、94c、94dが形成されている。このダイシングラインに沿って劈開分離することで、No1からNo20の半導体チップが形成される。   As shown in FIG. 7A, the semiconductor chip adhesion assembly 9 on the first plate 43 is formed by dicing lines 92a, 92b, and 92c in the column direction and dicing lines 94a, 94b, and 94c in the row direction by stealth dicing. , 94d are formed. By cleaving and separating along the dicing line, semiconductor chips No. 1 to No. 20 are formed.

1列目の半導体チップ91aは半導体チップNo1、2、3、4、5で構成され、2列目の半導体チップ91bは、半導体チップNo6、7、8、9、10で構成され、3列目の半導体チップ91cは、半導体チップNo11、12、13、14、15で構成され、4列目の半導体チップ91dは、半導体チップNo16、17、18、19、20で構成されている。   The first row of semiconductor chips 91a is composed of semiconductor chips Nos. 1, 2, 3, 4, and 5, and the second row of semiconductor chips 91b is composed of semiconductor chips No. 6, 7, 8, 9, and 10, and the third row. The semiconductor chip 91c is composed of semiconductor chips No11, 12, 13, 14, and 15, and the fourth row of semiconductor chips 91d is composed of semiconductor chips No16, 17, 18, 19, and 20.

初期位置設定により、半導体チップ密着集合体9は、行方向のダイシングライン94a、94b、94c、94dが第1プレート43の座標軸のX軸に平行に調整され、第1プレート43上の設定位置に真空吸着により固着されている。そして、1列目の半導体チップ91aは、第1プレート支持台42のXYθ軸ステージのX軸方向の送りで、待機状態にある列チャック71a(2点鎖線で示す)の直下に配置される。チップ押え81も2点鎖線で示す位置で待機状態にある。   With the initial position setting, the dicing lines 94 a, 94 b, 94 c, 94 d in the row direction of the semiconductor chip contact assembly 9 are adjusted in parallel to the X axis of the coordinate axis of the first plate 43 so that the set position on the first plate 43 is reached. It is fixed by vacuum suction. The semiconductor chip 91a in the first row is disposed immediately below the row chuck 71a (indicated by a two-dot chain line) in a standby state by feeding in the X-axis direction of the XYθ axis stage of the first plate support 42. The tip presser 81 is also in a standby state at a position indicated by a two-dot chain line.

前述した列方向押圧工程の第1工程で、チップ押え81(2点鎖線)は、1列目の半導体チップ91a(半導体チップNo1、2、3、4、5)と列方向ダイシングライン92aを露出して、次の列91b(半導体チップNo6、7、8、9、10)から残りの半導体チップ密着集合体9全体を押圧する。   In the first step of the row direction pressing step described above, the chip retainer 81 (two-dot chain line) exposes the first row of semiconductor chips 91a (semiconductor chips No 1, 2, 3, 4, 5) and the row direction dicing line 92a. Then, the entire remaining semiconductor chip contact assembly 9 is pressed from the next row 91b (semiconductor chip Nos. 6, 7, 8, 9, 10).

次に、前述した列方向ピックアップ工程の第2工程で、1列目の半導体チップ91aは、半導体チップ密着集合体9に降下した列チャック71a(2点鎖線)に吸着されて列方向ダイシングライン92aに沿って劈開分離される。そして、1列目の半導体チップ91aと2列目の半導体チップ91bとの間に楔状の隙間56(図5のST04の部分拡大図参照)が形成される。   Next, in the second step of the above-described column direction pick-up step, the semiconductor chip 91a in the first column is attracted to the column chuck 71a (two-dot chain line) lowered to the semiconductor chip contact assembly 9, and the column direction dicing line 92a. And cleaved along. A wedge-shaped gap 56 (see a partially enlarged view of ST04 in FIG. 5) is formed between the first row of semiconductor chips 91a and the second row of semiconductor chips 91b.

次に、前述した列方向ピックアップチャック移動工程の第3工程で、列チャック71aに吸着された1列目の半導体チップ91aが、ピックアップマイクロメータ76(図3参照)の送りにより列方向ダイシングライン92aから斜め上方に遠ざかることで、隣り合った2列目の半導体チップ91bと楔状の隙間の先端が干渉することなく分離する。チップ押え81は、待機位置に戻り、列チャック71aは、1列目の半導体チップ91aを吸着したままZ軸マイクロメータ65の送りでワーク待機位置に退避する(図6、ST06参照)。   Next, in the third step of the above-described row direction pickup chuck moving step, the first row of semiconductor chips 91a adsorbed by the row chuck 71a is fed by the pickup micrometer 76 (see FIG. 3) to the row direction dicing line 92a. As a result, the semiconductor chips 91b in the second row adjacent to each other and the tips of the wedge-shaped gaps are separated without interference. The chip presser 81 returns to the standby position, and the row chuck 71a retracts to the workpiece standby position by feeding the Z-axis micrometer 65 while adsorbing the first row of semiconductor chips 91a (see ST06 in FIG. 6).

次に、前述した列方向載置工程の第4工程において、スライドベース41(図1参照)を右端から左端に直動して固定し、列チャック71aの直下の第1プレート43を第2プレート45に切り替える。
そして、図7(b)に示すように、第2プレート支持台(図1参照)のX軸ステージの送りにより第2プレート45を移動して、列チャック71aの直下の位置と1列目の半導体チップ91aの載置する位置を一致させる。
Next, in the fourth step of the row direction mounting step described above, the slide base 41 (see FIG. 1) is moved from the right end to the left end and fixed, and the first plate 43 directly below the row chuck 71a is fixed to the second plate. Switch to 45.
Then, as shown in FIG. 7B, the second plate 45 is moved by the feed of the X-axis stage of the second plate support (see FIG. 1), and the position immediately below the row chuck 71a and the first row are moved. The position where the semiconductor chip 91a is placed is matched.

次に、Z軸マイクロメータ65の送りで列チャック71aを降下し、列チャック71aの真空吸着OFFと第2プレート45の真空吸着ONによる吸引力により、1列目の半導体チップ91aが第2プレート45上の定められた位置に載置され吸着固定される。   Next, the row chuck 71a is lowered by the feed of the Z-axis micrometer 65, and the semiconductor chip 91a in the first row is moved to the second plate by the suction force by the vacuum suction OFF of the row chuck 71a and the vacuum suction ON of the second plate 45. It is placed at a predetermined position on 45 and fixed by suction.

次に、列チャック71aを待機位置に戻し、チップ押え81と共にピックアップ部は待機状態に戻る。そして、スライドベース41が左端から右端に直動しストッパで固定され、列チャック71aの直下の第2プレート45を第1プレート43に切り替える。そして、半導体チップ列をピックアップする次の製造工程に継続する。   Next, the row chuck 71a is returned to the standby position, and the pickup unit together with the chip presser 81 returns to the standby state. Then, the slide base 41 moves straight from the left end to the right end and is fixed by a stopper, and the second plate 45 immediately below the row chuck 71 a is switched to the first plate 43. And it continues to the next manufacturing process which picks up a semiconductor chip row | line | column.

次に、第1工程に戻り、図7(c)に示すように、第1プレート43が、X軸方向に列方向ダイシングラインの間隔に等しい距離を送られ、2列目の半導体チップ91b(半導体チップNo6、7、8、9、10)が列チャック71aの直下に位置付けられる。   Next, returning to the first step, as shown in FIG. 7C, the first plate 43 is sent a distance equal to the distance between the column-direction dicing lines in the X-axis direction, and the second row of semiconductor chips 91b ( Semiconductor chips No. 6, 7, 8, 9, 10) are positioned immediately below the row chuck 71a.

そして、2点鎖線で示すチップ押え81は、2列目の半導体チップ91bと列方向ダイシングライン92bを露出して、次の列91c(半導体チップNo11、12、13、14、15)から残りの半導体チップ密着集合体9全体を押圧する。   The chip presser 81 indicated by a two-dot chain line exposes the second row of semiconductor chips 91b and the column direction dicing lines 92b, and the remaining rows from the next row 91c (semiconductor chips No. 11, 12, 13, 14, 15). The entire semiconductor chip contact assembly 9 is pressed.

次に、第2工程で、1列目と同様に、2列目の半導体チップ91bは、列チャック71aに吸着され、列方向ダイシングライン92bで劈開分離される。そして、2列目の半導体チップ91bと3列目の半導体チップ91cとの間に楔状の隙間が形成される。   Next, in the second step, similarly to the first row, the second row of semiconductor chips 91b are attracted to the row chuck 71a and cleaved and separated by the row direction dicing line 92b. A wedge-shaped gap is formed between the second row of semiconductor chips 91b and the third row of semiconductor chips 91c.

次に第3工程で、1列目と同様に、2列目の半導体チップ91bがピックアップマイクロメータ76(図3参照)の送りにより列方向ダイシングライン92bから斜め上方に遠ざかることで、隣り合った3列目の半導体チップ91cと楔状の隙間の先端が干渉することなく分離する。チップ押え81は、待機位置に戻り、列チャック71aは、ワーク待機位置に退避する。   Next, in the third step, as in the first row, the semiconductor chips 91b in the second row are adjacent to each other by being moved obliquely upward from the column-direction dicing line 92b by the pickup micrometer 76 (see FIG. 3). The semiconductor chips 91c in the third row and the tips of the wedge-shaped gaps are separated without interference. The chip presser 81 returns to the standby position, and the row chuck 71a is retracted to the workpiece standby position.

次に、図7(d)に示すように、第4工程において、1列目と同様、スライドベース41を右端から左端に直動して固定し、列チャック71aの直下の第1プレート43を第2プレート45に切り替える。2列目の半導体チップ91bを1列目の半導体チップ91aから一定間隔離れた位置に載置するため、第2プレート支持台(図示せず)のX軸ステージで第2プレート45を一定間隔移動する。そして、列チャック71aを降下し、2列目の半導体チップ91bが第2プレート45上の定められた位置に載置され吸着固定される。   Next, as shown in FIG. 7D, in the fourth step, as in the first row, the slide base 41 is moved from the right end to the left end and fixed, and the first plate 43 directly below the row chuck 71a is fixed. Switch to the second plate 45. In order to place the second row of semiconductor chips 91b at a position spaced apart from the first row of semiconductor chips 91a, the second plate 45 is moved at regular intervals on the X-axis stage of a second plate support (not shown). To do. Then, the row chuck 71 a is lowered, and the semiconductor chip 91 b in the second row is placed at a predetermined position on the second plate 45 and fixed by suction.

次に、列チャック71aが上方に退避して待機位置に戻り、そして、スライドベース41を左端から右端に直動し固定して、列チャック71aの直下の第2プレート45を第1プレート43に切り替えて、半導体チップ列をピックアップする次の製造工程に継続する。   Next, the row chuck 71a is retracted upward to return to the standby position, and the slide base 41 is linearly moved from the left end to the right end and fixed, and the second plate 45 immediately below the row chuck 71a is attached to the first plate 43. Switch to continue to the next manufacturing process to pick up the semiconductor chip row.

図7(e)に示すように、第1プレート43上には、第1工程から第4工程の製造工程を繰り返し、最後の半導体チップ列91d(半導体チップNo16、17、18、19、20)が列チャック71aの直下に位置付けられ、列チャック71aによるピックアップ状態を示している。   As shown in FIG. 7E, the first to fourth manufacturing steps are repeated on the first plate 43, and the last semiconductor chip row 91d (semiconductor chip Nos. 16, 17, 18, 19, and 20). Is positioned immediately below the row chuck 71a, and shows a pickup state by the row chuck 71a.

図7(f)において、第2プレート45は、最後の半導体チップ列91dがピックアップされて、第2プレート45の定められた位置に載置固定された状態を示す。
その結果、図7(a)に示した半導体チップ密着集合体9が第2プレート45上に一定間隔で行方向に配列する半導体チップ列91a、91b、91c、91dに配列変換され、前半の製造工程を終了する。
In FIG. 7F, the second plate 45 shows a state where the last semiconductor chip row 91d has been picked up and placed and fixed at a predetermined position of the second plate 45.
As a result, the semiconductor chip contact assembly 9 shown in FIG. 7A is rearranged into the semiconductor chip columns 91a, 91b, 91c, 91d arranged in the row direction at regular intervals on the second plate 45. The process ends.

次に、上記の半導体チップ列を更に配列変換して、半導体チップマトリクス状集合体を形成する後半の製造工程を説明する。
後半の製造工程の初期設定は、前半の製造工程で半導体チップ列が行方向に一定間隔で配列された第2プレート45を90°座標回転して移動元の第1プレート支持台42(図1参照)に置き換え、移動先の第2プレート支持台44(図1参照)に新しく第3プレート46を搭載することである。
Next, the latter half of the manufacturing process in which the semiconductor chip array is further rearranged to form a semiconductor chip matrix assembly will be described.
The initial setting of the latter half of the manufacturing process is performed by rotating the second plate 45 in which the semiconductor chip rows are arranged at regular intervals in the row direction in the first half of the manufacturing process by rotating the first plate support 42 (FIG. 1). In this case, the third plate 46 is newly mounted on the second plate support 44 (see FIG. 1) at the movement destination.

そして、図8は、図7の続きの製造工程で、図7と同様に、第2プレート45と、第2プレート45上に配列された半導体チップ列と、第3プレート46と、行チャック71b(2点鎖線で示す)と、チップ押え81(2点鎖線で示す)を示す。   FIG. 8 is a manufacturing process subsequent to FIG. 7, and similarly to FIG. 7, the second plate 45, the semiconductor chip row arranged on the second plate 45, the third plate 46, and the row chuck 71b. (Indicated by a two-dot chain line) and a tip presser 81 (indicated by a two-dot chain line).

図8(a)は、移動元の第2プレート45上に、行方向に一定間隔で整列した半導体チップ列が載置された平面図である。
図8(b)は、移動先の第3プレート46にピックアップされた1行目の半導体チップが載置された平面図である。
図8(c)は、移動元の第2プレート45上で2行目の半導体チップをピックアップする状態の平面図である。
図8(d)は、移動先の第3プレート46にピックアップされた1行目と2行目の半導体チップが載置された平面図である。
図8(e)は、移動元の第2プレート45上で最終行の半導体チップをピックアップする状態の平面図である。
図8(f)は、移動先の第3プレート46上に半導体チップマトリクス状集合体が形成された平面図である。
FIG. 8A is a plan view in which semiconductor chip columns aligned at a constant interval in the row direction are placed on the second plate 45 as the movement source.
FIG. 8B is a plan view on which the first row of semiconductor chips picked up by the third plate 46 as the movement destination is placed.
FIG. 8C is a plan view showing a state in which the semiconductor chips in the second row are picked up on the second plate 45 as the movement source.
FIG. 8D is a plan view on which the semiconductor chips in the first and second rows picked up by the third plate 46 as the movement destination are placed.
FIG. 8E is a plan view showing a state in which the semiconductor chip in the last row is picked up on the second plate 45 as the movement source.
FIG. 8F is a plan view in which a semiconductor chip matrix-like assembly is formed on the third plate 46 of the movement destination.

図8(a)において、第2プレート45の半導体チップ列は、1行目の半導体チップ93aが半導体チップNo5、10、15、20で構成され、2行目の半導体チップ93bが半導体チップNo4、9、14、19で構成され、3行目の半導体チップ93cが半導体チップNo3、8、13、18で構成され、4行目の半導体チップ93dが半導体チップNo2、7、12、17で構成され、5行目の半導体チップ93eが半導体チップNo1、6、11、16で構成されている。   8A, in the semiconductor chip row of the second plate 45, the semiconductor chip 93a in the first row is composed of semiconductor chips No5, 10, 15, and 20, and the semiconductor chip 93b in the second row is semiconductor chip No4. 9, 14, and 19, the third row semiconductor chip 93 c is composed of semiconductor chips No 3, 8, 13, and 18, and the fourth row semiconductor chip 93 d is composed of semiconductor chips No 2, 7, 12, and 17. The semiconductor chip 93e in the fifth row is composed of semiconductor chips No. 1, 6, 11, and 16.

そして、1行目と2行目の半導体チップ間にダイシングライン94aが形成され、2行目と3行目の半導体チップ間にダイシングライン94bが形成され、同様にダイシングライン94c、94dが半導体チップ列に形成されている。   A dicing line 94a is formed between the first and second row semiconductor chips, a dicing line 94b is formed between the second and third row semiconductor chips, and the dicing lines 94c and 94d are similarly connected to the semiconductor chip. Formed in rows.

以下、図8において、図7で説明した前製造工程に引き続き半導体チップ列の配列を変換して行方向に整列する製造工程を説明する。
行方向押圧工程の第5工程は、図8(a)に示すように、列方向押圧工程の第1工程と同様に、2点鎖線で示すチップ押え81が、第2プレート45上の半導体チップNo5、10、15、20からなる1行目の半導体チップ93aと行方向ダイシングライン94aを露出して、次の行93b(半導体チップNo4、9、14、19)から残りの半導体チップ列全体を押圧する。
In the following, referring to FIG. 8, a manufacturing process for converting the arrangement of the semiconductor chip columns and aligning them in the row direction will be described following the previous manufacturing process described in FIG.
As shown in FIG. 8A, in the fifth step of the row direction pressing step, as in the first step of the column direction pressing step, the chip presser 81 shown by a two-dot chain line is a semiconductor chip on the second plate 45. The first row of semiconductor chips 93a composed of Nos. 5, 10, 15, and 20 and the row direction dicing lines 94a are exposed, and the entire remaining semiconductor chip columns from the next row 93b (semiconductor chips No. 4, 9, 14, and 19) are exposed. Press.

次に、行方向ピックアップ工程の第6工程で、列方向ピックアップ工程の第2工程と同様に、1行目の半導体チップ93aが、2点鎖線で示す行チャック71bに吸着され、行方向ダイシングライン94aで劈開分離される。そして、1行目の半導体チップ93aと2行目の半導体チップ93bとの間に楔状の隙間が形成される。   Next, in the sixth step of the row direction pickup step, the semiconductor chip 93a in the first row is attracted to the row chuck 71b indicated by a two-dot chain line, as in the second step of the column direction pickup step, and the row direction dicing line is obtained. It is cleaved and separated at 94a. A wedge-shaped gap is formed between the semiconductor chip 93a in the first row and the semiconductor chip 93b in the second row.

次に、行方向ピックアップチャック移動工程の第7工程で、列方向ピックアップチャック移動工程の第3工程と同様に、1行目の半導体チップ93aは、行方向ダイシングライン94aから斜め上方に遠ざかることで、隣り合った2行目の半導体チップ93bと楔状の隙間の先端が干渉することなく分離される。行チャック71bは、1行目の半導体チップ93aを吸着したままワーク待機位置に退避する。   Next, in the seventh step of the row direction pickup chuck moving step, as in the third step of the column direction pickup chuck moving step, the semiconductor chip 93a in the first row is moved obliquely upward from the row direction dicing line 94a. The adjacent semiconductor chips 93b in the second row are separated from the tips of the wedge-shaped gaps without interference. The row chuck 71b retreats to the workpiece standby position while adsorbing the semiconductor chip 93a in the first row.

次に、行方向載置工程の第8工程において、列方向載置工程の第4工程と同様に、スライドベース41を右端から左端に直動して固定し、行チャック71bの直下の第2プレート45を第3プレート46に切り替える。
図8(b)に示すように、第3プレート46上に定められている1行目の半導体チップの載置位置に、第2プレート支持台(図示せず)のX軸ステージの送りにより、行チャック71b(2点鎖線)を一致させて、降下させ、1行目の半導体チップ93aが第3プレート46上の定められた位置に載置され吸着固定される。
Next, in the eighth step of the row direction placement step, as in the fourth step of the column direction placement step, the slide base 41 is moved and fixed from the right end to the left end, and the second step directly below the row chuck 71b. The plate 45 is switched to the third plate 46.
As shown in FIG. 8B, the X-axis stage of the second plate support (not shown) is fed to the mounting position of the first row of semiconductor chips defined on the third plate 46, The row chuck 71b (two-dot chain line) is made to coincide and lowered, and the semiconductor chip 93a in the first row is placed at a predetermined position on the third plate 46 and fixed by suction.

行チャック71bは待機位置に戻り、チップ押え81と共にピックアップ部は待機状態に戻る。そして、スライドベース41が左端から右端に直動しストッパで固定され、行チャック71bの直下の第3プレート46が第2プレート45に切り替えられ、1行分の半導体チップがピックアップ可能な状態に戻る。   The row chuck 71b returns to the standby position, and the pickup unit together with the chip presser 81 returns to the standby state. Then, the slide base 41 moves straight from the left end to the right end and is fixed by the stopper, the third plate 46 just below the row chuck 71b is switched to the second plate 45, and the semiconductor chip for one row returns to a state where it can be picked up. .

次に、図8(c)に示すように、第5工程に戻り、第2プレート45は、X軸方向に行方向ダイシングラインの間隔に等しい距離を送られ、行チャック71bの直下に、半導体チップNo4、9、14、19からなる2行目の半導体チップ93bが位置付けられる。   Next, as shown in FIG. 8C, returning to the fifth step, the second plate 45 is sent a distance equal to the distance between the row dicing lines in the X-axis direction, and the semiconductor just below the row chuck 71b. The semiconductor chip 93b in the second row composed of chip Nos. 4, 9, 14, and 19 is positioned.

そして、2点鎖線で示すチップ押え81は、2行目の半導体チップ93bと行方向ダイシングライン94bを露出して、次の行93c(半導体チップNo3、8、13、18)から残りの半導体チップ列全体を押圧する。   Then, the chip presser 81 indicated by a two-dot chain line exposes the semiconductor chip 93b and the row direction dicing line 94b in the second row, and the remaining semiconductor chips from the next row 93c (semiconductor chips No. 3, 8, 13, 18). Press the entire row.

次に、第6工程において、2行目の半導体チップ93bは、行チャック71bに吸着され、行方向ダイシングライン94bで劈開分離され、そして、2行目の半導体チップ93bと3行目の半導体チップ93cとの間に楔状の隙間が形成される。   Next, in the sixth step, the second row semiconductor chips 93b are attracted to the row chuck 71b, cleaved and separated by the row direction dicing lines 94b, and the second row semiconductor chips 93b and the third row semiconductor chips are obtained. A wedge-shaped gap is formed between the gap 93c.

次に第7工程で、2行目の半導体チップ93bが行方向ダイシングライン94bから斜め上方に遠ざかることで、隣り合った3行目の半導体チップ93cと楔状の隙間の先端が干渉することなく行方向ダイシングライン94bで分離する。チップ押え81は、待機位置に戻り、行チャック71bは、2行目の半導体チップ93bを吸着したままワーク待機位置に退避する。   Next, in the seventh step, the semiconductor chip 93b in the second row moves obliquely upward from the row direction dicing line 94b, so that the adjacent third row semiconductor chip 93c and the tip of the wedge-shaped gap do not interfere with each other. Separated by a directional dicing line 94b. The chip presser 81 returns to the standby position, and the row chuck 71b retracts to the workpiece standby position while adsorbing the semiconductor chip 93b in the second row.

図8(d)に示すように、第8工程において、スライドベース41を右端から左端に直動して固定し、行チャック71bの直下の第2プレート45を第3プレート46に切り替える。2行目の半導体チップ93bを1行目の半導体チップ93aと一定間隔離れた位置に載置するため、第2プレート支持台(図示せず)のX軸ステージで第3プレート46を一定間隔移動する。そして、行チャック71bを降下し、2行目の半導体チップ93bが第3プレート46上に載置され吸着固定される。   As shown in FIG. 8D, in the eighth step, the slide base 41 is moved from the right end to the left end and fixed, and the second plate 45 directly below the row chuck 71b is switched to the third plate 46. In order to place the semiconductor chip 93b in the second row at a position spaced apart from the semiconductor chip 93a in the first row, the third plate 46 is moved at regular intervals on the X-axis stage of the second plate support (not shown). To do. Then, the row chuck 71b is lowered, and the semiconductor chip 93b in the second row is placed on the third plate 46 and fixed by suction.

次に、行チャック71bは、上方に退避して待機位置に戻り、そして、スライドベース41を左端から右端に直動して固定し、行チャック71bの直下の第3プレート46を第2プレート45に切り替え、1行分の半導体チップをピックアップする次の製造工程に継続する。   Next, the row chuck 71b is retracted upward and returned to the standby position, and the slide base 41 is moved and fixed from the left end to the right end, and the third plate 46 just below the row chuck 71b is fixed to the second plate 45. To the next manufacturing process for picking up one row of semiconductor chips.

図8(e)に示すように、第5工程から第8工程の製造工程を繰り返し、第2プレート45は、最後の行の半導体チップ93e(半導体チップNo1、6、11、16)が行チャック71b直下に位置付けられ、行チャック71bによるピックアップ状態を示している。   As shown in FIG. 8E, the manufacturing steps from the fifth step to the eighth step are repeated, and the second plate 45 has the last row of semiconductor chips 93e (semiconductor chips No. 1, 6, 11, and 16) chucked. The pick-up state by the row chuck 71b is shown just below 71b.

図8(f)において、第3プレート46は、最後の行の半導体チップ93eがピックアップされて、第3プレート46の定められた位置に載置固定された状態を示す。
その結果、図8(a)に示した第2プレート45上の半導体チップ列が、第3プレート46上に一定間隔で配列変換され半導体チップマトリクス状集合体を形成し、全ての製造工程を終了する。
In FIG. 8F, the third plate 46 shows a state in which the semiconductor chip 93e in the last row is picked up and placed and fixed at a predetermined position of the third plate 46.
As a result, the semiconductor chip array on the second plate 45 shown in FIG. 8A is rearranged at regular intervals on the third plate 46 to form a semiconductor chip matrix assembly, and all the manufacturing steps are completed. To do.

以上のように本発明の製造方法によれば、1列分そして1行分の複数個の半導体チップを、一度にピックアップして、マトリクス状の集合体を形成し、回路基板に集合体実装が可能であるから、半導体チップを1個ずつピックアップして整列する製造工程に比べて、はるかに製造工数の短縮が可能で量産性の優れた製造方法が提供できる。更に、半導体チップのマトリクス状の集合体の配置精度は、XY軸ステージのマイクロメータ送りの高精度であるから、次工程の回路基板との集合体実装において、位置合わせ精度が良好で、従って、不良の極めて少ない集合体実装が提供可能である。   As described above, according to the manufacturing method of the present invention, a plurality of semiconductor chips for one column and one row are picked up at a time to form a matrix-like assembly, and the assembly is mounted on the circuit board. Therefore, compared with a manufacturing process in which semiconductor chips are picked up one by one and aligned, the manufacturing process can be significantly reduced and a manufacturing method with excellent mass productivity can be provided. Furthermore, since the arrangement accuracy of the semiconductor chip matrix assembly is high accuracy of micrometer feed of the XY axis stage, in the assembly mounting with the circuit board in the next process, the alignment accuracy is good. Aggregate implementation with very few defects can be provided.

(実施例2)
次に、本発明に係る半導体製造装置の実施例2の製造方法について説明する。
実施例2は、実施例1と同一の構造であり、異なる点は、半導体チップを載置する第1プレートと第2プレートと第3プレートが同一の共有プレートであり、移動元のプレートと移動先のプレートを兼ねている。
即ち、第1プレート支持台に載置した共有プレート上において、半導体チップ密着集合体を半導体チップマトリクス状集合体に配列変換するものである。実施例2において実施例1と同一の構成部材は同一の番号を付して、重複する説明は省略する。そして、図9、図10の半導体チップと共有プレートの外形形状及び半導体チップの個数は、実施例1と同様、模式的に示す。
(Example 2)
Next, the manufacturing method of Example 2 of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention will be described.
The second embodiment has the same structure as that of the first embodiment, except that the first plate, the second plate, and the third plate on which the semiconductor chip is placed are the same shared plate, and the moving plate is moved. Also serves as a plate.
That is, on the shared plate placed on the first plate support, the semiconductor chip adhesion aggregate is converted into a semiconductor chip matrix aggregate. In the second embodiment, the same constituent members as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. The outer shapes of the semiconductor chip and the shared plate and the number of semiconductor chips in FIGS. 9 and 10 are schematically shown as in the first embodiment.

[実施例2の製造方法:図9、図10]
図9は本発明の実施例2において、半導体チップ密着集合体から半導体チップ列を形成する製造工程を説明するための平面図であって、更に詳しくは、図9(a)は、共有プレート47上にステルスダイシングされた半導体ウェハ、即ち、半導体チップ密着集合体9が載置された平面図である。
図9(b)は、1列目の半導体チップが共有プレート47上で配列変換された平面図である。
図9(c)は、2列目の半導体チップをピックアップする状態の平面図である。
図9(d)は、2列目の半導体チップが共有プレート47上で配列変換された平面図である。
図9(e)は、3列目の半導体チップをピックアップする状態の平面図である。
図9(f)は、共有プレート47上で半導体チップ密着集合体9が半導体チップ列に配列変換された平面図である。
[Production Method of Example 2: FIGS. 9 and 10]
FIG. 9 is a plan view for explaining a manufacturing process for forming a semiconductor chip row from a semiconductor chip contact assembly in Example 2 of the present invention. More specifically, FIG. It is the top view on which the semiconductor wafer stealth-diced on the upper side, ie, the semiconductor chip contact | adherence aggregate | assembly 9, was mounted.
FIG. 9B is a plan view in which the first row of semiconductor chips are arrayed on the shared plate 47.
FIG. 9C is a plan view showing a state in which the second row of semiconductor chips are picked up.
FIG. 9D is a plan view in which the second row of semiconductor chips are arrayed on the shared plate 47.
FIG. 9E is a plan view showing a state in which the third row of semiconductor chips are picked up.
FIG. 9F is a plan view in which the semiconductor chip contact assembly 9 is arrayed and converted into a semiconductor chip row on the shared plate 47.

共有プレート47は、実施例1の多孔質プレートからなる第1、第2、第3プレートと異なり、弱粘着膜が上面に形成されているプレートである。弱粘着膜は、列チャックや行チャックによる半導体チップの真空吸着に対し抵抗力が弱く、載置された半導体チップの位置が安定して保持される程度の粘着力を保有している。従って、実施例1の製造工程にあって、第1プレートの吸着解除の際に半導体チップの位置ずれを防ぐ列方向及び行方向押圧工程が必要であったが、実施例2においては、列方向及び行方向押圧工程は不要であり、半導体チップ押え部8も不要となる。尚、半導体チップ密着集合体9は、図7、図8と同一の構成であり、同一の番号を付して、重複する説明を省略する。   Unlike the 1st, 2nd, 3rd plate which consists of a porous plate of Example 1, the shared plate 47 is a plate in which the weak adhesion film | membrane is formed in the upper surface. The weak adhesive film is weak in resistance to vacuum suction of the semiconductor chip by the column chuck or the row chuck, and has an adhesive force that can stably hold the position of the mounted semiconductor chip. Therefore, in the manufacturing process of the first embodiment, the column direction and the row direction pressing process for preventing the displacement of the semiconductor chip when the suction of the first plate is released is necessary. And the row direction pressing step is unnecessary, and the semiconductor chip pressing portion 8 is also unnecessary. The semiconductor chip contact assembly 9 has the same configuration as that shown in FIGS. 7 and 8, and the same reference numerals are given, and duplicate descriptions are omitted.

図9(a)に示すように、半導体チップ密着集合体9は、行方向のダイシングライン94a、94b、94c、94dが共有プレート47の座標軸のX軸に平行に調整され、弱粘着膜が形成された共有プレート47上の設定位置に固着される。そして、共有プレート47上の1列目の半導体チップ91aが、第1プレート支持台42のXYθ軸ステージ(図示せず)のX軸方向の送りで、2点鎖線で示す列チャック71aと一致する位置に設定され待機状態にある。   As shown in FIG. 9A, in the semiconductor chip contact assembly 9, the dicing lines 94a, 94b, 94c, and 94d in the row direction are adjusted in parallel to the X axis of the coordinate axis of the common plate 47, and a weak adhesive film is formed. The fixed position on the shared plate 47 is fixed. Then, the first row of semiconductor chips 91a on the shared plate 47 coincides with the row chuck 71a indicated by the two-dot chain line by the feed in the X-axis direction of the XYθ-axis stage (not shown) of the first plate support 42. Set to position and in standby.

列方向ピックアップ工程の第1工程で、1列目の半導体チップ91aは、列チャック71a(2点鎖線)に吸着されて列方向ダイシングライン92aで劈開分離される。そして、1列目の半導体チップ91aと2列目の半導体チップ91bとの間に楔状の隙間56(図5のST04の部分拡大図参照)が形成される。   In the first step of the column direction pickup step, the first row of semiconductor chips 91a is attracted to the column chuck 71a (two-dot chain line) and cleaved and separated by the column direction dicing line 92a. A wedge-shaped gap 56 (see a partially enlarged view of ST04 in FIG. 5) is formed between the first row of semiconductor chips 91a and the second row of semiconductor chips 91b.

次に、列方向ピックアップチャック移動工程の第2工程で、列チャック71a(2点鎖線)に吸着された1列目の半導体チップ91aが、列方向ダイシングライン92aから斜め上方に遠ざかることで、隣り合った2列目の半導体チップ91bと楔状の隙間の先端が干渉することなく分離する。列チャック71aは、1列目の半導体チップ91aを吸着したままワーク待機位置に退避する。   Next, in the second step of the column direction pick-up chuck moving step, the first row of semiconductor chips 91a adsorbed by the column chuck 71a (two-dot chain line) moves obliquely upward from the column direction dicing line 92a, so that The combined semiconductor chips 91b in the second row and the tips of the wedge-shaped gaps are separated without interference. The row chuck 71a retreats to the workpiece standby position while adsorbing the first row of semiconductor chips 91a.

次に、図9(b)に示すように、列方向載置工程の第3工程において、第1プレート支持台42のXYθ軸ステージ(図示せず)のX軸方向の送りにより、共有プレート47を移動して、予め決められている載置位置に列チャック71aを一致させて降下し、そして、1列目の半導体チップ91a(半導体チップNo1、2、3、4、5)が共有プレート47上に載置される。載置後、共有プレート47の弱粘着膜に1列目の半導体チップ91aを確実に固着するため、列チャック71aで僅かに押圧することが望ましい。   Next, as shown in FIG. 9B, in the third step of the column direction mounting step, the common plate 47 is fed by feeding in the X axis direction of the XYθ axis stage (not shown) of the first plate support 42. , The column chuck 71a is made to coincide with the predetermined mounting position, and the semiconductor chip 91a (semiconductor chip Nos. 1, 2, 3, 4, 5) in the first column is moved to the common plate 47. Placed on top. After placement, in order to securely fix the first row of semiconductor chips 91a to the weak adhesive film of the shared plate 47, it is desirable that the row chuck 71a be slightly pressed.

次に、図9(c)に示すように、列方向ピックアップ工程の第1工程で、共有プレート47は、第1プレート支持台42のXYθ軸ステージでX軸方向に送られ、2列目の半導体チップ91bの真上に列チャック71aが位置するように設定される。   Next, as shown in FIG. 9C, in the first step of the column direction pickup step, the shared plate 47 is sent in the X axis direction by the XYθ axis stage of the first plate support 42, and the second column. The column chuck 71a is set so as to be positioned right above the semiconductor chip 91b.

次に、2列目の半導体チップ91b(半導体チップNo6、7、8、9、10)は、列チャック71aに吸着され、列方向ダイシングライン92bで劈開分離される。そして、2列目の半導体チップ91bと3列目の半導体チップ91cとの間に楔状の隙間が形成される。   Next, the second row of semiconductor chips 91b (semiconductor chips No. 6, 7, 8, 9, 10) are attracted to the row chuck 71a and cleaved and separated by the row direction dicing line 92b. A wedge-shaped gap is formed between the second row of semiconductor chips 91b and the third row of semiconductor chips 91c.

次に列方向ピックアップチャック移動工程の第2工程で、列チャック71a(2点鎖線)に吸着された2列目の半導体チップ91bが、列方向ダイシングライン92bから斜め上方に遠ざかることで、隣り合った3列目の半導体チップ91cと楔状の隙間の先端が干渉することなく分離する。列チャック71aは、2列目の半導体チップ91bを吸着したままワーク待機位置に退避する。   Next, in the second step of the column direction pickup chuck moving step, the second row of semiconductor chips 91b adsorbed by the column chuck 71a (two-dot chain line) are located adjacent to each other by moving obliquely upward from the column direction dicing line 92b. Further, the third row of semiconductor chips 91c and the tips of the wedge-shaped gaps are separated without interference. The row chuck 71a retreats to the workpiece standby position while adsorbing the second row of semiconductor chips 91b.

次に、図9(d)に示すように、列方向載置の工程第3工程において、第1プレート支持台42のXYθ軸ステージ(図示せず)のX軸方向の送りにより、共有プレート47を移動して、予め決められている2列目の載置位置に列チャック71aを一致させて降下し、2列目の半導体チップ91b(半導体チップNo6、7、8、9、10)が共有プレート47上に載置される。   Next, as shown in FIG. 9 (d), in the third step of the column direction placement step, the common plate 47 is fed by feeding the XYθ axis stage (not shown) of the first plate support 42 in the X axis direction. , The column chuck 71a is made to coincide with a predetermined placement position of the second row, and the second row semiconductor chip 91b (semiconductor chips No. 6, 7, 8, 9, 10) is shared. It is placed on the plate 47.

次に、図9(e)に示すように、列方向ピックアップ工程の第1工程で、共有プレート47は、第1プレート支持台42のXYθ軸ステージでX軸方向に送られ、3列目の半導体チップ91cの真上に列チャック71aが位置するように設定される。   Next, as shown in FIG. 9 (e), in the first step of the column direction pickup step, the shared plate 47 is sent in the X axis direction by the XYθ axis stage of the first plate support 42, and the third column. The column chuck 71a is set so as to be positioned directly above the semiconductor chip 91c.

次に、3列目の半導体チップ91c(半導体チップNo11、12、13、14、15)は、列チャック71aに吸着され、列方向ダイシングライン92cで劈開分離される。そして、3列目の半導体チップ91cと4列目の半導体チップ91dとの間に楔状の隙間が形成される。   Next, the third row of semiconductor chips 91c (semiconductor chips No. 11, 12, 13, 14, 15) are attracted to the row chuck 71a and cleaved and separated by the row direction dicing line 92c. A wedge-shaped gap is formed between the third row of semiconductor chips 91c and the fourth row of semiconductor chips 91d.

以下、同様に、第1工程から第3工程の製造工程を繰り返し、図9(f)に示すように、同じ共有プレート47上で半導体チップ密着集合体9(図9(a)に示す)から半導体チップ列91a、91b、91c、91dを行方向に一定間隔で配列変換して前半の製造工程を終了する。   Hereinafter, similarly, the manufacturing steps from the first step to the third step are repeated, and as shown in FIG. 9F, from the semiconductor chip adhesion assembly 9 (shown in FIG. 9A) on the same shared plate 47. The semiconductor chip columns 91a, 91b, 91c, 91d are rearranged at regular intervals in the row direction, and the first half of the manufacturing process is completed.

上記、共有プレート47上で、1列分の半導体チップをピックアップして一定間隔の半導体チップ列に配置変換する前半の製造工程について説明したが、1行分の半導体チップをピックアップしてマトリクス状に整列する後半の製造工程に関しても同様な製造工程で整列することが可能である。即ち、次の行方向ピックアップ工程は列方向ピックアップ工程(第1工程)に相当した第4工程であり、次の行方向ピックアップチャック移動工程は列方向ピックアップチャック移動工程(第2工程)に相当した第5工程であり、次の行方向載置工程は列方向載置工程(第3工程)に相当した第6工程となる。詳細な説明は重複するので省略する。   The first half of the manufacturing process of picking up one row of semiconductor chips on the shared plate 47 and changing the arrangement of the semiconductor chips to the semiconductor chip rows at a fixed interval has been described. With respect to the latter half of the manufacturing process to be aligned, it is possible to align in the same manufacturing process. That is, the next row direction pickup step is a fourth step corresponding to the column direction pickup step (first step), and the next row direction pickup chuck moving step is equivalent to the column direction pickup chuck moving step (second step). This is the fifth step, and the next row direction placement step is a sixth step corresponding to the column direction placement step (third step). Detailed description will be omitted because it overlaps.

図10は、図9の続きの製造工程であって、図9(f)において、半導体チップ列が行方向に一定間隔で配列された共有プレート47を90°座標回転して、1行分の半導体チップを一定間隔に載置整列し直し、半導体チップマトリクス状集合体を形成する製造工程を説明するための平面図である。   FIG. 10 is a manufacturing process subsequent to FIG. 9, and in FIG. 9F, the common plate 47 in which the semiconductor chip columns are arranged at a constant interval in the row direction is rotated by 90 ° coordinates to correspond to one row. It is a top view for demonstrating the manufacturing process which mounts and rearranges a semiconductor chip at a fixed space | interval, and forms a semiconductor chip matrix-like aggregate | assembly.

図10(a)は、図9(f)の共有プレート47を90°座標回転した平面図であって、後半の製造工程の初期状態の図である。
図10(b)は、1行目の半導体チップが共有プレート47上で配列変換された平面図である。
図10(c)は、2行目の半導体チップをピックアップする状態の平面図である。
図10(d)は、2行目の半導体チップが共有プレート47上で配列変換された平面図である。
図10(e)は、3行目の半導体チップをピックアップする状態の平面図である。
図10(f)は、共有プレート47上で全ての半導体チップ列が配列変換され半導体チップマトリクス状集合体を形成した平面図である。
FIG. 10A is a plan view obtained by rotating the shared plate 47 of FIG. 9F by 90 ° coordinates and is an initial state diagram of the latter half of the manufacturing process.
FIG. 10B is a plan view in which the semiconductor chips in the first row are converted on the shared plate 47.
FIG. 10C is a plan view showing a state where the semiconductor chip in the second row is picked up.
FIG. 10D is a plan view in which the semiconductor chips in the second row are converted on the shared plate 47.
FIG. 10E is a plan view showing a state where the semiconductor chip in the third row is picked up.
FIG. 10F is a plan view in which all semiconductor chip rows are rearranged on the shared plate 47 to form a semiconductor chip matrix aggregate.

図10(a)に示すように、行方向ピックアップ工程の第4工程で、列方向ピックアップ工程の第1工程と同様に、共有プレート47上の1行目の半導体チップ93a(半導体チップNo5、10、15、20)は、2点鎖線で示す行チャック71bに吸着され、行方向ダイシングライン94aで劈開分離される。そして、1行目の半導体チップ93aと2行目の半導体チップ93bとの間に楔状の隙間が形成される。   As shown in FIG. 10A, in the fourth step of the row direction pickup step, the first row of semiconductor chips 93a (semiconductor chips No. 5, 10) on the shared plate 47, as in the first step of the column direction pickup step. , 15, 20) are attracted to the row chuck 71b indicated by a two-dot chain line, and are cleaved and separated by the row direction dicing line 94a. A wedge-shaped gap is formed between the semiconductor chip 93a in the first row and the semiconductor chip 93b in the second row.

次に、行方向ピックアップチャック移動工程の第5工程で、列方向ピックアップチャック移動工程の第2工程と同様に、1行目の半導体チップ93aが列方向ダイシングライン94aから斜め上方に遠ざかることで、隣り合った2行目の半導体チップ93bと楔状の隙間の先端が干渉することなく分離する。行チャック71bは、1行目の半導体チップ93aを吸着したままワーク待機位置に退避する。   Next, in the fifth step of the row direction pickup chuck moving step, as in the second step of the column direction pickup chuck moving step, the semiconductor chip 93a in the first row is moved obliquely upward from the column direction dicing line 94a. The adjacent semiconductor chips 93b in the second row are separated from the tips of the wedge-shaped gaps without interference. The row chuck 71b retreats to the workpiece standby position while adsorbing the semiconductor chip 93a in the first row.

次に、図10(b)に示すように、行方向載置工程の第6工程において、列方向載置工程の第3工程と同様に、第1プレート支持台42のXYθ軸ステージ(図示せず)のX軸方向の送りにより、共有プレート47を移動して、予め決められている載置位置に行チャック71bを降下し、1行目の半導体チップ93aが共有プレート47上の定められた位置に載置される。   Next, as shown in FIG. 10B, in the sixth step of the row direction placement step, the XYθ-axis stage (not shown) of the first plate support 42 is shown, as in the third step of the column direction placement step. 1), the common plate 47 is moved to lower the row chuck 71b to a predetermined mounting position, and the semiconductor chip 93a in the first row is determined on the common plate 47. Placed in position.

次に、図10(c)に示すように、第4工程に戻り、共有プレート47は、第1プレート支持台42のXYθ軸ステージでX軸方向に送られ、2行目の半導体チップ93b(半導体チップNo4、9、14、19)の真上に行チャック71bが位置するように設定される。   Next, as shown in FIG. 10C, returning to the fourth step, the shared plate 47 is sent in the X-axis direction by the XYθ-axis stage of the first plate support 42, and the second row of semiconductor chips 93b ( It is set so that the row chuck 71b is located directly above the semiconductor chips No. 4, 9, 14, 19).

2行目の半導体チップ93bは、行チャック71bに吸着され行方向ダイシングライン94bで劈開分離される。そして、2行目の半導体チップ93bと3行目の半導体チップ93cとの間に楔状の隙間が形成される。   The semiconductor chip 93b in the second row is attracted to the row chuck 71b and cleaved and separated by the row direction dicing line 94b. A wedge-shaped gap is formed between the semiconductor chip 93b in the second row and the semiconductor chip 93c in the third row.

次に第5工程で、行チャック71bに吸着された2行目の半導体チップ93bが行方向ダイシングライン94bから斜め45°上方に遠ざかることで、隣り合った3行目の半導体チップ93cと楔状の隙間の先端が干渉することなく分離する。そして、行チャック71bは、2行目の半導体チップ93bを吸着したままワーク待機位置に退避する。   Next, in a fifth step, the second row of semiconductor chips 93b adsorbed by the row chuck 71b is moved away from the row direction dicing line 94b by 45 ° obliquely, so that the adjacent third row of semiconductor chips 93c and the wedge-shaped semiconductor chip 93b are wedge-shaped. The tip of the gap is separated without interference. Then, the row chuck 71b retreats to the workpiece standby position while adsorbing the semiconductor chip 93b in the second row.

次に、図10(d)に示すように、行方向載置工程の第6工程において、第1プレート支持台42のXYθ軸ステージ(図示せず)のX軸方向の送りにより、共有プレート47を移動して、予め決められている2行目の載置位置に行チャック71bを一致させて降下し、2行目の半導体チップ93bが共有プレート47上の定められた位置に載置される。   Next, as shown in FIG. 10D, in the sixth step of the row direction mounting step, the common plate 47 is fed by feeding in the X axis direction of the XYθ axis stage (not shown) of the first plate support 42. , The row chuck 71b is brought to coincide with a predetermined placement position of the second row, and the semiconductor chip 93b of the second row is placed at a predetermined position on the shared plate 47. .

次に、図10(e)に示すように、第4工程に戻り、共有プレート47は、第1プレート支持台42のXYθ軸ステージでX軸方向に送られ、3行目の半導体チップ93c(半導体チップNo2、7、12、17)の真上に行チャック71bが位置するように設定される。   Next, as shown in FIG. 10E, returning to the fourth step, the shared plate 47 is sent in the X-axis direction by the XYθ-axis stage of the first plate support 42, and the third row of semiconductor chips 93c ( It is set so that the row chuck 71b is located immediately above the semiconductor chip No. 2, 7, 12, 17).

以下、同様に、第4工程から第6工程の製造工程を繰り返し、図10(f)に示すように、1行分の半導体チップを一定間隔で共有プレート47上に整列し固定して、1行分の半導体チップ93a、93b、93c、93d,93eを共有プレート47の定められた位置に載置固定して、半導体チップマトリクス状集合体が形成される。   Hereinafter, similarly, the manufacturing steps from the fourth step to the sixth step are repeated, and as shown in FIG. 10F, the semiconductor chips for one row are aligned and fixed on the common plate 47 at a constant interval, and 1 The semiconductor chips 93 a, 93 b, 93 c, 93 d, 93 e for the rows are mounted and fixed at predetermined positions on the common plate 47 to form a semiconductor chip matrix aggregate.

以上のように本発明の製造方法によれば、1列分そして1行分の複数個の半導体チップを、一度にピックアップして、半導体チップを載置する移動元のプレートと移動先のプレートを同一プレートにしてもマトリクス状の集合体を形成することが可能であるから、プレートの移動量が少なく、工数の削減が可能であり、また、同一プレート上で半導体チップを移動するため、マトリクス状の半導体チップの位置精度の向上が図れる。従って、回路基板に集合体実装においても、位置合わせ精度が良好で、不良の極めて少ない集合体実装が提供可能である。   As described above, according to the manufacturing method of the present invention, a plurality of semiconductor chips for one column and one row are picked up at a time, and a source plate and a destination plate on which the semiconductor chips are placed are placed. Since it is possible to form a matrix-like assembly even on the same plate, the amount of movement of the plate is small, man-hours can be reduced, and semiconductor chips are moved on the same plate. The position accuracy of the semiconductor chip can be improved. Therefore, even in the assembly mounting on the circuit board, it is possible to provide assembly mounting with good alignment accuracy and extremely few defects.

以上、本発明の好ましい実施の態様を説明してきたが、上述した実施例に限定されることなく、それらの全てを行う必要もなく、特許請求の範囲の各請求項に記載した内容の範囲で種々に変更や省略をすることが出来ることは言うまでもない。   The preferred embodiments of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and it is not necessary to perform all of them. The scope of the contents described in each claim of the claims. It goes without saying that various changes and omissions can be made.

1:半導体製造装置
2:ベースプレート部
3:カメラ部
4:プレートスライド部
5:ピックアップ部
6:ピックアップスライド部
7:ピックアップチャック部
7a:列ピックアップチャック部
7b:行ピックアップチャック部
8:半導体チップ押え部
9:半導体チップ密着集合体
21:ベースプレート
22:スライドガイド
23:右ストッパ
24:左ストッパ
33:カメラ
41:スライドベース
42:第1プレート支持台
43:第1プレート
44:第2プレート支持台
45:第2プレート
46:第3プレート
47:共有プレート
48:クランプ
49:ストッパステー
53:ピックアップベースプレート
54:斜面
55:吸着孔
56:楔状の隙間
61:Z軸スライドガイド
65:Z軸マイクロメータ
66:行・列切替スライドガイド
71a:列チャック
71b:行チャック
76:ピックアップマイクロメータ
81:チップ押え
1: Semiconductor manufacturing apparatus 2: Base plate unit 3: Camera unit 4: Plate slide unit 5: Pickup unit 6: Pickup slide unit 7: Pickup chuck unit 7a: Column pickup chuck unit 7b: Row pickup chuck unit 8: Semiconductor chip pressing unit 9: Semiconductor chip adhesion assembly 21: Base plate 22: Slide guide 23: Right stopper 24: Left stopper 33: Camera 41: Slide base 42: First plate support 43: First plate 44: Second plate support 45: Second plate 46: Third plate 47: Shared plate 48: Clamp 49: Stopper stay 53: Pickup base plate 54: Slope 55: Suction hole 56: Wedge-shaped gap 61: Z-axis slide guide 65: Z-axis micrometer 66: Row -Row switching slide guide 71a: Row Jack 71b: Line Chuck 76: pickup Micrometer 81: chip presser

Claims (5)

ダイシングにより多数個の半導体チップが形成された半導体ウェハを劈開分離して半導体チップを整列配置する半導体製造装置において
前記半導体ウェハを載置する第1プレートと
前記第1プレート上の前記半導体ウェハの端部から半導体チップを劈開分離して真空吸着するピックアップチャックと、
前記ピックアップチャックに真空吸着された前記半導体チップを整列載置する第2プレートと、
前記ピックアップチャックを前記第2プレートに移動するピックアップチャック移動手段を有し、
前記ピックアップチャックの吸着面は斜面を形成し、前記斜面形状は劈開分離されるダイシングラインに近い側が半導体チップとの間隙が狭く、前記ダイシングラインから遠ざかるに従って間隙が開く傾斜である
ことを特徴とする半導体製造装置。
In a semiconductor manufacturing apparatus for cleaving and separating a semiconductor wafer on which a plurality of semiconductor chips are formed by dicing and aligning the semiconductor chips, a first plate on which the semiconductor wafer is placed and an end of the semiconductor wafer on the first plate A pick-up chuck for cleaving and separating the semiconductor chip from the part, and vacuum suction;
A second plate for aligning and mounting the semiconductor chip vacuum-adsorbed on the pickup chuck;
A pickup chuck moving means for moving the pickup chuck to the second plate;
The suction surface of the pick-up chuck forms an inclined surface, and the inclined surface has a narrow gap with the semiconductor chip on the side close to the dicing line to be cleaved and separated, and the gap opens with increasing distance from the dicing line. Semiconductor manufacturing equipment.
前記ピックアップチャック移動手段は、前記ピックアップチャックの前記半導体チップを真空吸着した後の移動方向が、劈開分離されるダイシングラインから遠ざかる斜め上方向に引き上げる移動手段であることを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。   2. The pick-up chuck moving means is a moving means for lifting the pick-up chuck after the semiconductor chip is vacuum-sucked in a diagonally upward direction away from a dicing line to be cleaved and separated. Semiconductor manufacturing equipment. 前記ピックアップチャックが真空吸着で同時に吸着する半導体チップの数は、複数個からなる1列分であることを特徴とする請求項1及び2記載の半導体製造装置。   3. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the number of semiconductor chips that are picked up simultaneously by vacuum pick-up by the pickup chuck is one row composed of a plurality. 前記半導体ウェハは、ステルスダイシングにより切断され、多数個の前記半導体チップを形成していることを特徴とする請求項1から3記載の半導体製造装置。   4. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor wafer is cut by stealth dicing to form a plurality of the semiconductor chips. 前記第1、第2プレートは多孔質プレートであって、半導体チップを真空吸着することが可能であることを特徴とする請求項1から4記載の半導体製造装置。
5. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the first and second plates are porous plates and can vacuum-suck semiconductor chips.
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