JP5401950B2 - ハフニウムアミド錯体の製造方法及びハフニウム含有酸化膜 - Google Patents
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Description
CVD法によるハフニウム含有酸化膜の成膜を行うためには、蒸気圧の高いハフニウム成膜原料が必要であり、中でもハフニウムアミド錯体は揮発性が比較的高く、CVD法による半導体ゲート酸化膜であるハフニウム含有酸化膜の成膜原料として近年用途が拡大している。ハフニウムアミド錯体の製造方法としては、四塩化ハフニウム(HfCl4)とリチウムアルキルアミド(LiNR4R5)を有機溶媒中で反応させる方法が一般的である。
ゲート酸化膜は半導体の最下層部に位置することから、極めて純度の高い膜が要求され、その成膜原料であるハフニウムアミド錯体も高純度品が要求される。ハフニウムアミド錯体中に含有する不純物の中でも、原料に由来するジルコニウム成分は、通常1000〜5000質量ppm程度の高濃度で含まれている。これは、ハフニウムとジルコニウムが、同属元素でありかつランタノイド収縮によって類似した化学的性質を有するため分離が非常に困難なためである。
J.Chem.Soc.(A),980(1969) 第54回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 第0分冊 p18(2007)
また、本発明により製造したハフニウムアミド錯体中のジルコニウム含有量は、原料である第3級ハフニウムアルコキシド錯体のジルコニウムモル濃度から製造過程で濃縮することなく製造することができる。例えば、第3級ハフニウムアルコキシド錯体としてテトラ(2−メチル−2−ペンタノキシ)ハフニウム{Hf[OC(CH3)2(CH2CH2CH3)]4}、(分子量583)のジルコニウム濃度が638molppm(100質量ppm)の原料を使用し、本法により、テトラキスエチルメチルアミノハフニウム{Hf[N(CH3)(CH2CH3)]4}、(分子量411)を製造した場合、ジルコニウム濃度がほぼ638molppm(141質量ppm)相当のハフニウムアミド錯体が得られる。ここで、ジルコニウムの質量濃度からジルコニウムモル濃度への変換は下記式1により行った。
式1: ジルコニウムモル濃度=ジルコニウム質量濃度×(ハフニウム成分の分子量/ジルコニウムの原子量)
ジルコニウム濃度が高いハフニウムアミド錯体を用いて成膜を行った場合、膜中に取り込まれるジルコニウム濃度も高くなり、デバイスの信頼性に影響を及ぼすため、膜中のジルコニウム濃度は300質量ppm以下、より好ましくは30質量ppm以下、更に好ましくは3質量ppm以下に制御したほうがよく、その為には半導体成膜用材料であるハフニウムアミド錯体中のジルコニウム濃度を100質量ppm以下、より好ましくは10質量ppm以下、更に好ましくは1質量ppm以下にした方が良い。
(1)下記化合物No.1の合成
(2)下記化合物No.3の合成
(3)下記化合物No.8の合成
(4)下記化合物No.11の合成
(5)下記化合物No.12の合成
[実施例1]
上記(1)の合成で得たジルコニウム濃度が0.6質量ppmの第3級ハフニウムアルコキシド錯体である上記化合物No.1、20.0g(34.3mmol)を滴下漏斗、還流冷却器、温度計及び攪拌機の付いた100mLの5つ口ガラスフラスコに仕込み、このフラスコにリチウムジメチルアミド[LiN(CH3)2]7.7g(151mmol)を添加し、室温で1時間攪拌した。次いでこの反応液を90℃、0.12kPaの条件下蒸留を行い、留分9.2gを得た。得られた留分は、1HNMRより、テトラキスジメチルアミドハフニウム{Hf[N(CH3)2]4}であり、留分中のジルコニウム濃度は0.9質量ppmであり、留分中の2−メチル−2−ペンタノキシリチウム濃度は100質量ppm以下であった(収率76%)。
[実施例2]
上記(2)の合成で得たジルコニウム濃度が0.5質量ppmの第3級ハフニウムアルコキシド錯体である上記化合物No.3、20.0g(31.3mmol)を滴下漏斗、還流冷却器、温度計及び攪拌機の付いた100mLの5つ口ガラスフラスコに仕込み、このフラスコにリチウムエチルメチルアミド[LiN(CH3)(CH2CH3)]8.1g(125mmol)を添加し、室温で1時間攪拌した。次いでこの反応液を100℃、0.12kPaの条件下蒸留を行い、留分10.3gを得た。得られた留分は、1HNMRより、テトラキスエチルメチルアミドハフニウム{Hf[N(CH3)(CH2CH3)]4}であり、留分中のジルコニウム濃度は0.8質量ppmであり、留分中の2−メチル−2−ヘキサノキシリチウム濃度は100質量ppm以下であった(収率80%)。
[実施例3]
上記(3)の合成で得たジルコニウム濃度が0.5質量ppmの第3級ハフニウムアルコキシド錯体である上記化合物No.8、20.0g(27.8mmol)を滴下漏斗、還流冷却器、温度計及び攪拌機の付いた100mLの5つ口ガラスフラスコに仕込み、このフラスコにリチウムエチルメチルアミド[LiN(CH3)(CH2CH3)]8.0g(122mmol)を添加し、室温で1時間攪拌した。次いでこの反応液を100℃、0.12kPaの条件下蒸留を行い、留分9.4gを得た。得られた留分は、1HNMRより、テトラキスエチルメチルアミドハフニウム{Hf[N(CH3)(CH2CH3)]4}であり、留分中のジルコニウム濃度は0.8質量ppmであり、留分中の2−フェニル−2−プロパノキシリチウム濃度は100質量ppm以下であった(収率82%)。
[実施例4]
上記(4)の合成で得たジルコニウム濃度が0.4質量ppmの第3級ハフニウムアルコキシド錯体である上記化合物No.11、20.0g(25.8mmol)を滴下漏斗、還流冷却器、温度計及び攪拌機の付いた100mLの5つ口ガラスフラスコに仕込み、このフラスコにリチウムエチルメチルアミド[LiN(CH3)(CH2CH3)]7.4g(114mmol)を添加し、室温で1時間攪拌した。次いでこの反応液を100℃、0.12kPaの条件下蒸留を行い、留分8.5gを得た。得られた留分は、1HNMRより、テトラキスエチルメチルアミドハフニウム{Hf[N(CH3)(CH2CH3)]4}であり、留分中のジルコニウム濃度は0.8質量ppmであり、留分中のジメチルベンジルカルビノキシリチウム濃度は100質量ppm以下であった(収率80%)。
[実施例5]
上記(4)の合成で得たジルコニウム濃度が0.4質量ppmの第3級ハフニウムアルコキシド錯体である上記化合物No.12、20.0g(24.8mmol)を滴下漏斗、還流冷却器、温度計及び攪拌機の付いた100mLの5つ口ガラスフラスコに仕込み、このフラスコにリチウムジエチルアミド[LiN(CH2CH3)2]8.6g(109mmol)を添加し、室温で1時間攪拌した。次いでこの反応液を125℃、0.12kPaの条件下蒸留を行い、留分9.0gを得た。得られた留分は、1HNMRより、テトラキスジエチルアミドハフニウム{Hf[N(CH2CH3)2]4}であり、留分中のジルコニウム濃度は0.7質量ppmであり、留分中の3,7−ジメチル−3−オクタノキシリチウム濃度は100質量ppm以下であった(収率78%)。
[実施例6]
本実施例に用いたCVD装置の概略図を図1に示す。
〔方法〕下記A→B→C→Dからなる一連の工程を1サイクルとして、80サイクル繰り返した後、反応温度(基板温度)500℃でアニール処理を実施した。
A.気化室5において気化室温度150℃、気化室圧力2〜2.2kPaの条件で気化させたハフニウムアミド錯体の蒸気を反応室7へ導入し、系内の圧力2〜2.2kPaで2秒間堆積させる。
B.3秒間のアルゴンパージにより、未反応の原料を除去する。
C.反応性ガスを導入し、系内の圧力1.3kPaで2秒間反応させる
D.3秒間のアルゴンパージにより、未反応の原料を除去する。
その結果、ハフニウム含有酸化膜中のジルコニウム濃度は1.5質量ppmであった。
[実施例7] ハフニウム含有酸化膜の成膜
実施例3の方法によって製造したジルコニウム濃度が0.8質量ppmテトラキスエチルメチルアミドハフニウム{Hf[N(CH3)(CH2CH3)]4}を充填した原料容器4を用いた以外は、上記実施例6と同様な方法でハフニウム含有酸化膜の成膜を行い、得られたハフニウム含有酸化膜のジルコニウム濃度をICP−MS装置で測定した。
その結果、ハフニウム含有酸化膜中のジルコニウム濃度は1.6質量ppmであった。
[比較例1]
第3級ハフニウムアルコキシド錯体である上記化合物No.3に代えて、第1級ハフニウムアルコキシド錯体であるジルコニウム濃度が0.9質量ppmのテトラエトキシハフニウム[Hf(OCH2CH3)4]を11.2g(31.3mmol)用いた以外は、実施例2と同様な方法で行ったが、蒸留物は得られなかった。
[比較例2]
第3級ハフニウムアルコキシドである上記化合物錯体No.3に代えて、第2級ハフニウムアルコキシド錯体であるジルコニウム濃度が0.8質量ppmのテトライソプロポキシハフニウム{Hf[OCH(CH3)2]4}12.9g(31.3mmol)を用いた以外は、実施例2と同様な方法で行ったが、蒸留物は得られなかった。
[比較例3]
第3級ハフニウムアルコキシド錯体である上記化合物No.3に代えて、第3級ハフニウムアルコキシド錯体であるジルコニウム濃度が0.7質量ppmのテトラターシャリーブトキシハフニウム{Hf[OC(CH3)3]4}を用い14.7g(31.3mmol)用いた以外は、実施例2と同様な方法で、テトラキスエチルメチルアミドハフニウムの製造を行い、留分12.3gを得た。得られた蒸留分は1HNMRからテトラキスエチルメチルアミドハフニウムとターシャリーブトキシリチウムの混合物であり、留分中のターシャリーブトキシリチウム濃度は21質量%であった。
[比較例4]
第3級ハフニウムアルコキシド錯体である上記化合物No.3に代えて、第3級ハフニウムアルコキシド錯体であるジルコニウム濃度が0.7質量ppmのテトラ(2−メチル−2−ブトキシ)ハフニウム{Hf[OC(CH3)2(CH2CH3)]4}を用い16.5g(31.3mmol)用いた以外は、実施例2と同様な方法で、テトラキスエチルメチルアミドハフニウムの製造を行い、留分11.6gを得た。得られた蒸留分は1HNMRからテトラキスエチルメチルアミドハフニウムと2−メチル−2−ブトキシリチウムの混合物であり、留分中の2−メチル−2−ブトキシリチウム濃度は12質量%であった。
[比較例5]
3Lの5つ口ガラスフラスコに還流冷却器、温度計、滴下漏斗及び攪拌機を取り付け、内部を窒素置換した。このフラスコにジルコニウム濃度が950質量ppmである四塩化ハフニウム(HfCl4)160gとヘキサン0.4Lを仕込んだ。反応釜を氷冷した後、別途n−ブチルリチウムとエチルメチルアミンから調製したリチウムエチルメチルアミド[LiN(CH3)(CH2CH3)]溶液を滴下漏斗より3時間かけて滴下した。更に、氷冷温度下1時間攪拌を行った後、110℃、0.12kPaで減圧蒸留を行うことにより、留分143gを得た。得られた留分は、1HNMRより、テトラキスエチルメチルアミドハフニウム{Hf[N(CH3)(CH2CH3)]4}であり、留分中のジルコニウム濃度は840質量ppmであった(収率=75%)。
その結果、ハフニウム含有酸化膜中のジルコニウム濃度は1640質量ppmであった。
2a、2b、2c:減圧弁
3a、3c、3d、3e、:マスフローコントローラー
3b:液体用マスフローコントローラー
4:原料容器
5:気化室
6:Si基板
7:反応室
8:真空ポンプ
10:酸素ガス
11:オゾン発生器
Claims (2)
- 一般式:Hf[O(CR1R2R3)]4で示される第3級ハフニウムアルコキシド錯体に、一般式:Li(NR4R5)で示されるリチウムアルキルアミドを添加し反応させた後、減圧蒸留を行うことを特徴とする、一般式:Hf(NR4R5)4で示されるハフニウムアミド錯体の製造方法。
(式中において、R1、R2、R3はそれぞれ独立で、フェニル基、ベンジル基、炭素数1〜6の1級又は2級又は3級のアルキル基のいずれか一つを表し、R4、R5はそれぞれ独立で、メチル基又はエチル基のいずれか一つを表わす。但し、R1、R2、R3が全てメチル基の場合及びR1、R2、R3のいずれか一つがエチル基で他の二つがメチル基の場合は除く。) - 前記ハフニウムアミド錯体は、化学的気相成長法によるハフニウム含有酸化膜の成膜原料であることを特徴とする請求項1記載のハフニウムアミド錯体の製造方法。
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