JP5401775B2 - 化合物半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
図4は、本発明の第1の実施形態によるMESFET40の構成を示す。
[第2の実施形態]
図6は、本発明の第2の実施形態によるHEMT60の構成を示す。
(付記1)
ソース領域およびドレイン領域の間にチャネル領域を含むIII−V族窒化物半導体層と、
前記III−V族窒化物半導体層上に、前記チャネル領域を覆って形成された、金属酸化物成分を含む第1のゲート絶縁膜と、
前記第1のゲート絶縁膜上に形成され、前記チャネル領域において前記ゲート絶縁膜を露出する開口部を有する第2のゲート絶縁膜と、
前記第2のゲート絶縁膜上に、前記第2のゲート絶縁膜の表面を覆って形成され、前記開口部において前記第1のゲート絶縁膜に接するゲート電極と、
前記III−V族窒化物半導体層上、前記ソース領域およびドレイン領域にそれぞれオーミック接触して形成されたソースおよびドレイン電極と、よりなることを特徴とする化合物半導体装置。
(付記2)
前記金属酸化物成分は、Ta2O5,Al2O3,HfO2,ZrO2,La2O3,Y2O3、もしくはこれらの混合物のいずれかである付記1記載の化合物半導体装置。
(付記3)
前記第2のゲート絶縁膜は、シリコン窒化膜あるいはシリコン酸化膜よりなる付記1または2記載の化合物半導体装置。
(付記4)
前記第1および第2のゲート絶縁膜は、前記III−V族窒化物半導体層上を、前記ソース電極およびドレイン電極まで、連続的に覆う付記1〜3のうち、いずれか一項記載の化合物半導体装置。
(付記5)
前記III−V族窒化物半導体層は、電子走行層となるn型GaN層を含む付記1〜4のうち、いずれか一項記載の化合物半導体装置。
(付記6)
前記III−V族窒化物半導体層は、非ドープGaN層よりなる電子走行層と、前記電子走行層上に形成され、n型AlGaN層よりなり、前記電子走行層に電子を供給する電子供給層と、を含み、前記電子走行層中には、二次元電子ガスが形成されている付記1〜5のうち、いずれか一項記載の化合物半導体装置。
(付記7)
前記III−V族窒化物半導体層は、前記電子供給層上に、GaNよりなるキャップ層を有する請求項6記載の化合物半導体装置。
(付記8)
前記III−V族窒化物半導体層は、SiC基板上にエピタキシャルに形成されている付記1〜7のうち、いずれか一項記載の化合物半導体装置。
(付記9)
ソース領域およびドレイン領域の間にチャネル領域を含むIII−V族窒化物半導体層と、前記III−V族窒化物半導体層上に、前記チャネル領域を覆って形成された、金属酸化物成分を含む第1のゲート絶縁膜と、前記第1のゲート絶縁膜上に形成され、前記チャネル領域において前記ゲート絶縁膜を露出する開口部を有する第2のゲート絶縁膜と、前記第2のゲート絶縁膜上に、前記第2のゲート絶縁膜の表面を覆って形成され、前記開口部において前記第1のゲート絶縁膜に接するゲート電極と、前記III−V族窒化物半導体層上、前記ソース領域およびドレイン領域にそれぞれオーミック接触して形成されたソースおよびドレイン電極と、よりなる化合物半導体装置の製造方法であって、
基板上に、前記III−V族窒化物半導体層をエピタキシャルに形成する工程と、
前記III−V族窒化物半導体層のうち前記ソース領域およびドレイン領域に、それぞれ前記ソース電極およびドレイン電極をオーミック接触して形成する工程と、
前記ソースおよびドレイン領域を形成した後、前記III−V族窒化物半導体層上に前記第1のゲート絶縁膜と第2のゲート絶縁膜を順次形成する工程と、
前記第2のゲート絶縁膜を前記チャネル領域においてパターニングし、前記開口部を、前記第1のゲート絶縁膜が露出するように形成する工程と、
前記第2のゲート絶縁膜上に前記ゲート電極を、前記開口部において、前記第1のゲート絶縁膜に接するように形成する工程と、
を含むことを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
12,42 電子走行層
13 電子供給層
14,44 ゲート絶縁膜
15D,43D,63D ドレイン電極
15G,43G,63G ゲート電極
15S,43S,63S ソース電極
16 SiN膜
16G 開口部
2DEG 二次元電子ガス
20,60 HEMT
40 MESFET
44,64 第1ゲート絶縁膜
45,65 第2ゲート絶縁膜
45G 開口部
62 積層体
62A 電子走行層
62B スペーサ層
62C 電子供給層
62D キャップ層
Claims (7)
- ソース領域およびドレイン領域の間にチャネル領域を含むIII−V族窒化物半導体層と、
前記III−V族窒化物半導体層上に、前記チャネル領域を覆って形成された、金属酸化物成分よりなる第1のゲート絶縁膜と、
前記第1のゲート絶縁膜上に形成され、前記チャネル領域において前記ゲート絶縁膜を露出する開口部を有する第2のゲート絶縁膜と、
前記第2のゲート絶縁膜上に、前記第2のゲート絶縁膜の表面を覆って形成され、前記開口部において前記第1のゲート絶縁膜に接するゲート電極と、
前記III−V族窒化物半導体層上、前記ソース領域および前記ドレイン領域にそれぞれオーミック接触して形成されたソースおよびドレイン電極と、
を含み、
前記第1のゲート絶縁膜は前記第2のゲート絶縁膜よりも高い比誘電率を有し、
前記第2のゲート絶縁膜は前記第1のゲート絶縁膜よりも大きなバンドギャップを有し、
前記ゲート電極は、前記開口部において底面が前記第1のゲート絶縁膜に接し側壁面が前記開口部の側壁面において前記第2のゲート絶縁膜に接する基部と、前記基部上の傘部とよりなることを特徴とする化合物半導体装置。 - 前記金属酸化物成分は、Ta2O5,Al2O3,HfO2,ZrO2,La2O3,Y2O3、もしくはこれらの混合物のいずれかよりなり、
前記第2のゲート絶縁膜は、シリコン窒化膜あるいはシリコン酸化膜よりなる請求項1記載の化合物半導体装置。 - 前記III−V族窒化物半導体層は、電子走行層となるn型GaN層を含む請求項1または2記載の化合物半導体装置。
- 前記III−V族窒化物半導体層は、非ドープGaN層よりなる電子走行層と、前記電子走行層上に形成され、n型AlGaN層よりなり、前記電子走行層に電子を供給する電子供給層と、を含み、前記電子走行層中には、二次元電子ガスが形成されている請求項1〜3のうち、いずれか一項記載の化合物半導体装置。
- 前記III−V族窒化物半導体層は、SiC基板上にエピタキシャルに形成されている請求項1〜4のうち、いずれか一項記載の化合物半導体装置。
- ソース領域およびドレイン領域の間にチャネル領域を含むIII−V族窒化物半導体層と、前記III−V族窒化物半導体層上に、前記チャネル領域を覆って形成された、金属酸化物成分よりなる第1のゲート絶縁膜と、前記第1のゲート絶縁膜上に形成され、前記チャネル領域において前記ゲート絶縁膜を露出する開口部を有する第2のゲート絶縁膜と、前記第2のゲート絶縁膜上に、前記第2のゲート絶縁膜の表面を覆って形成され、前記開口部において前記第1のゲート絶縁膜に接するゲート電極と、前記III−V族窒化物半導体層上、前記ソース領域およびドレイン領域にそれぞれオーミック接触して形成されたソースおよびドレイン電極と、を含み、前記第1のゲート絶縁膜は前記第2のゲート絶縁膜よりも高い比誘電率を有し、前記第2のゲート絶縁膜は前記第1のゲート絶縁膜よりも大きなバンドギャップを有し、前記ゲート電極は、前記開口部において底面が前記第1のゲート絶縁膜に接し側壁面が前記開口部の側壁面において前記第2のゲート絶縁膜に接する基部と、前記基部上の傘部とよりなる化合物半導体装置の製造方法であって、
基板上に、前記III−V族窒化物半導体層をエピタキシャルに形成する工程と、
前記III−V族窒化物半導体層のうち前記ソース領域およびドレイン領域に、それぞれ前記ソース電極およびドレイン電極をオーミック接触して形成する工程と、
前記ソースおよびドレイン電極を形成した後、前記III−V族窒化物半導体層上に前記第1のゲート絶縁膜と第2のゲート絶縁膜を順次形成する工程と、
前記第2のゲート絶縁膜を前記チャネル領域においてパターニングし、前記開口部を、前記第1のゲート絶縁膜が露出するように形成する工程と、
前記第2のゲート絶縁膜上に前記ゲート電極を、前記ゲート電極の前記基部の底面が前記開口部において前記第1のゲート絶縁膜に接し、また前記基部が前記開口部の側壁面において前記第2のゲート絶縁膜に接するように形成する工程と、
を含むことを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。 - 前記金属酸化物成分は、Ta2O5,Al2O3,HfO2,ZrO2,La2O3,Y2O3、もしくはこれらの混合物のいずれかよりなり、
前記第2のゲート絶縁膜は、シリコン窒化膜あるいはシリコン酸化膜よりなる請求項6記載の化合物半導体装置の製造方法。
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