JP5399034B2 - 微細成形型および微細成形型用基材並びに微細成形型の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態に係る微細成形型1の平面図である。微細成形型1は矩形板状の基材13の表面13aにキャビティユニット10が縦横に規則正しく複数配置されている(図1では、縦方向に4列、横方向に3行)。
以上のような微細成形型1を製造するには、まず図7(a)に示すように、凹部11が形成されていない矩形板状の基材2を用意する。この基材2は、本実施の形態では、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、シリコンウエハー、炭化ケイ素ウエハーといった非金属性材料を用いている。ただし、基材2はニッケルなどの金属材料を用いることもできる(詳しくは後述する)。この基材2は、凹部11を形成する側の表面13aが平坦に形成されている。
Claims (8)
- 基材の表面に微細な凹凸部が形成された微細成形型であって、
前記基材の表面から注入した注入イオンの濃度が他の部分よりも高い部分であって、該注入イオンの濃度がピーク濃度から20%低下するまでの範囲である高濃度注入イオン層が、前記基材の前記表面から一定の距離を置いた部分に、前記表面および前記基材の裏側にあたる裏面に沿って、かつ該裏面との間隔が一定になるように形成され、
前記高濃度注入イオン層が前記基材の表面から前記凹凸部の底部までの間に配置され、
前記注入イオンが炭素イオン、フッ素イオンまたは塩素イオンのいずれかにより構成されていることを特徴とする微細成形型。 - 前記底部が前記高濃度注入イオン層の中に配置されるように前記凹凸部が形成され、かつ前記基材の前記凹凸部が形成されている表面の前記凹凸部以外の部分が平坦に形成されていることを特徴とする請求項1記載の微細成形型。
- 前記高濃度注入イオン層は、前記基材の表面から1nm〜50μmの深さに形成されていることを特徴とする請求項1または2記載の微細成形型。
- 前記凹凸部は、幅および深さが1nm〜50μmの範囲に形成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載の微細成形型。
- 前記基材は、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、シリコンウエハー、炭化ケイ素ウエハーといった非金属性材料からなることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載の微細成形型。
- 基材の表面に微細な凹凸部が形成された微細成形型を製造するために用いられる微細成形型用基材であって、
前記基材の前記凹凸部が形成される前の平坦な表面から注入した注入イオンの濃度が他の部分よりも高い部分であって、該注入イオンの濃度がピーク濃度から20%低下するまでの範囲である高濃度注入イオン層が前記基材の前記表面から前記凹凸部が形成される予定の予定位置までの間に形成され、
前記高濃度注入イオン層の前記表面との間隔が一定に形成され、かつ前記高濃度注入イオン層の前記基材の裏側にあたる裏面との間隔も一定に形成され、前記注入イオンが炭素イオン、フッ素イオンまたは塩素イオンのいずれかにより構成されていることを特徴とする微細成形型用基材。 - 基材の表面に微細な凹凸部が形成された微細成形型の製造方法であって、
前記基材の前記凹凸部が形成される前の表面から、炭素イオン、フッ素イオンまたは塩素イオンのいずれかによるイオン注入を行い、そのイオン注入により注入された注入イオンの濃度が他の部分よりも高い部分であって、該注入イオンの濃度がピーク濃度から20%低下するまでの範囲である高濃度注入イオン層を前記基材の表面から前記凹凸部の底部が形成される予定の予定位置までの間に形成して、前記高濃度注入イオン層が形成された微細成形型用基材を形成し、
前記高濃度注入イオン層を形成した後、前記微細成形型用基材の表面に、底部が前記高濃度注入イオン層の中に配置されるように前記凹凸部を形成することを特徴とする微細成形型の製造方法。 - 注入するイオンの濃度を1×1014〜1×1019個/cm2の範囲に設定して前記イオン注入を行うことを特徴とする請求項7記載の微細成形型の製造方法。
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