JP5386973B2 - 基板処理装置、基板処理方法、及び、半導体装置の製造方法 - Google Patents
基板処理装置、基板処理方法、及び、半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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- 二つの基板を互いに位置合わせするアライメント部と、
二つの基板を加圧して接合する加圧部と、
前記アライメント部および前記加圧部の少なくとも一方において、亀裂の発生、亀裂の進展、および、亀裂に繋がる歪みの発生の少なくとも一つに伴って、前記二つの基板の少なくとも一方の基板が発生する振動に基づいて、前記一方の基板における亀裂の発生または亀裂が発生する可能性を検出する検出部と
を備える基板処理装置。 - 前記検出部は、前記アライメント部による位置合わせ後に、前記振動を検出する請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記アライメント部は、前記位置合わせした前記二つの基板を互いに重ね合わせる請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記検出部は、前記アライメント部による位置合わせ後であって前記加圧部による加圧前に前記振動を検出し、前記検出部により前記二つの基板の少なくとも一方に亀裂が生じたことが検出された場合、亀裂が生じた前記基板は製造工程から取り除かれる請求項1から3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記検出部で検出された振動の周波数帯域及び振れ幅の少なくとも一方に基づいて、前記基板の処理条件を設定する条件設定部を備える請求項1から4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記条件設定部は、前記検出部により所定の周波数帯域の振動が検出された場合に、前記加圧部の加圧力の低下、及び、前記加圧部の位置調整の少なくとも一方を実施することを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記所定の周波数帯域は、亀裂に繋がる歪みが前記基板に生じたときに発生する振動の周波数帯域であることを特徴とする請求項6に記載の基板処理装置。
- 前記条件設定部は、前記検出部により所定の周波数帯域の振動が検出された場合に、前記所定の周波数帯域の振動が検出された前記基板を除去する指令信号を出力することを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記所定の周波数帯域は、前記基板に亀裂が発生したときに発生する振動の周波数帯域であることを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。
- 前記条件設定部は、前記検出部により所定の振れ幅の振動が検出された場合に、前記加圧部の加圧力の低下、及び、前記加圧部の位置調整の少なくとも一方を実施することを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記所定の振れ幅は、亀裂に繋がる歪みが前記基板に生じたときに発生する振動の振れ幅であることを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。
- 前記条件設定部は、前記検出部により所定の振れ幅の振動が検出された場合に、前記所定の振れ幅の振動が検出された前記基板を除去する指令信号を出力することを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記所定の振れ幅は、前記基板に亀裂が発生したときに発生する振動の振れ幅であることを特徴とする請求項12に記載の基板処理装置。
- 前記加圧部の加圧力を計測する加圧力計測部を更に備え、前記条件設定部は、所定の周波数帯域の振動及び所定の振れ幅の振動の少なくとも一方が前記検出部により検出され、且つ、前記加圧力計測部により計測された加圧力の変動量が閾値未満である場合に、前記加圧部の加圧力の低下、及び、前記加圧部の位置調整の少なくとも一方を実施することを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記条件設定部は、前記加圧力計測部により計測された加圧力の変動量が前記閾値以上である場合に、前記加圧部により加圧された前記基板を除去する指令信号を出力することを特徴とする請求項14に記載の基板処理装置。
- 前記所定の周波数帯域及び前記所定の振れ幅は、それぞれ亀裂に繋がる歪みが前記基板に生じたときに発生する振動の周波数帯域及び振れ幅であり、前記閾値は、前記基板に亀裂が発生したときの圧力の変動量であることを特徴とする請求項14又は15に記載の基板処理装置。
- 前記振動は、アコースティックエミッションであることを特徴とする請求項1から16のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 基板を処理する基板処理装置であって、亀裂の発生、亀裂の進展、および、亀裂に繋がる歪みの発生の少なくとの一つに伴って前記基板が生じる振動に基づいて前記基板における亀裂の発生または亀裂が発生する可能性を検出する検出部と、前記検出部で検出された振動の周波数帯域及び振れ幅の少なくとも一方に基づいて、前記基板の処理条件を設定する条件設定部とを備えることを特徴とする基板処理装置。
- 二つの基板を位置合わせするアライメント工程と、
二つの基板を加圧部により加圧して接合する加圧工程と、
前記アライメント工程および前記加圧工程の少なくとも一方の工程で、亀裂の発生、亀裂の進展、および、亀裂に繋がる歪みの発生の少なくとも一つに伴って前記二つの基板の少なくとも一方の基板が発生した振動に基づいて前記一方の基板における亀裂の発生または亀裂が発生する可能性を検出する検出工程とを含む基板処理方法。 - 前記検出工程は、前記アライメント工程の実施後に実施される請求項19に記載の基板処理方法。
- 前記アライメント工程では、前記位置合わせした前記二つの基板を互いに重ね合わせる請求項19または20に記載の基板処理方法。
- 前記検出工程は、前記アライメント工程の後であって前記加圧工程の前に実施され、前記検出工程で前記二つの基板の少なくとも一方に亀裂が発生していることが検出された場合、亀裂が生じた前記基板を製造工程から取り除く請求項19から21のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記検出工程で検出された振動の周波数帯域及び振れ幅の少なくとも一方に基づいて、前記基板の処理条件を設定する条件設定工程を有する請求項19から22のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記条件設定工程では、前記検出工程において所定の周波数帯域の振動が検出された場合に、前記加圧部の加圧力の低下、及び、前記加圧部の位置調整の少なくとも一方を実施することを特徴とする請求項23に記載の基板処理方法。
- 前記所定の周波数帯域は、亀裂に繋がる歪みが前記基板に生じたときに発生する振動の周波数帯域であることを特徴とする請求項24に記載の基板処理方法。
- 前記条件設定工程では、前記検出工程において所定の周波数帯域の振動が検出された場合に、前記所定の周波数帯域の振動が検出された前記基板を除去することを特徴とする請求項25に記載の基板処理方法。
- 前記所定の周波数帯域は、前記基板に亀裂が発生したときに発生する振動の周波数帯域であることを特徴とする請求項26に記載の基板処理方法。
- 前記条件設定工程では、前記検出工程において所定の振れ幅の振動が検出された場合に、前記加圧部の加圧力の低下、及び、前記加圧部の位置調整の少なくとも一方を実施することを特徴とする請求項23に記載の基板処理方法。
- 前記所定の振れ幅は、亀裂に繋がる歪が前記基板に生じたときに発生する振動の振れ幅であることを特徴とする請求項28に記載の基板処理方法。
- 前記条件設定工程では、前記検出工程において所定の振れ幅の振動が検出された場合に、前記所定の振れ幅の振動が検出された前記基板を除去することを特徴とする請求項23に記載の基板処理方法。
- 前記所定の振れ幅は、前記基板に亀裂が発生したときに発生する振動の振れ幅であることを特徴とする請求項29に記載の基板処理方法。
- 前記加圧部の加圧力を計測する加圧力計測工程を更に有し、前記条件設定工程では、所定の周波数帯域の振動及び所定の振れ幅の振動の少なくとも一方が前記検出工程において検出され、且つ、前記加圧力計測工程において計測された加圧力の変動量が閾値未満である場合に、前記加圧部の加圧力の低下、及び、前記加圧部の位置調整の少なくとも一方を実施することを特徴とする請求項23に記載の基板処理方法。
- 前記条件設定工程では、前記加圧力計測工程において計測された加圧力の変動量が前記閾値以上である場合に、前記加圧部により加圧された前記基板を除去することを特徴とする請求項32に記載の基板処理方法。
- 前記所定の周波数帯域及び前記所定の振れ幅は、それぞれ亀裂に繋がる歪みが前記基板に生じたときに発生する振動の周波数帯域及び振れ幅であり、前記閾値は、前記基板に亀裂が発生したときの圧力の変動量であることを特徴とする請求項32又は33に記載の基板処理方法。
- 前記振動は、アコースティックエミッションであることを特徴とする請求項19から34のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 亀裂の発生、亀裂の進展、および、亀裂に繋がる歪みの発生の少なくとも一つに伴って基板が発生する振動に基づいて前記基板における亀裂の発生または亀裂が発生する可能性を検出する検出工程と、
前記検出工程で検出された振動の周波数帯域及び振れ幅の少なくとも一方に基づいて、前記基板の処理条件を設定する条件設定工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項19から36のいずれか一項に記載の基板処理方法を用いて基板を処理する基板処理工程と、該基板処理工程で処理された前記基板を切断することにより分割する切断工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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