JP5385024B2 - 半導体製造装置及び半導体製造方法 - Google Patents
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Description
2 第2搬送部
3 第3搬送部
4 ディスバージョンヘッド
5 制御部
11 搬送アーム
21 ウェハ待機ステージ
31 サセプタ
33 ヒータキャリッジ
34 スライダ機構
Claims (8)
- 半導体ウェハを加熱しつつ当該半導体ウェハに所定処理を施して得られた処理済みの半導体ウェハを吸着して外部に搬送する半導体製造装置であって、
前記半導体ウェハを保持しつつ当該半導体ウェハを加熱するサセプタと、
前記サセプタの下方の位置に設けられたウェハ待機ステージと、
前記サセプタを水平方向において、前記ウェハ待機ステージの真上の第1位置と当該第1位置とは異なる第2位置との間で移動させる移動機構と、
吸着部を備えた搬送アームと、
前記ウェハ待機ステージを垂直方向に上下に移動させるステージ上下駆動部を備え、
前記所定処理の終了後、前記サセプタを前記第1位置に移動させるべく前記移動機構を制御する第1ステップと、前記サセプタに保持されている前記半導体ウェハを離脱させて前記ウェハ待機ステージ上に移すべく前記サセプタを制御する第2ステップと、前記サセプタを前記第2位置に移動させるべく前記移動機構を制御する第3ステップと、前記第3ステップの実行後、前記ウェハ待機ステージを下方向に移動させるべく前記ステージ上下駆動部を制御し、所定の冷却期間経過後に前記ウェハ待機ステージ上の前記半導体ウェハを吸着して外部に搬送させるべく前記搬送アームを制御する第4ステップとを順次実行する制御部と、を有することを特徴とする半導体製造装置。 - 前記ステージ上下駆動部は、前記第4ステップにおいて前記ウェハ待機ステージを、前記搬送アームが前記半導体ウェハの吸着を行う高さである初期高さ位置よりも低い位置に移動させることを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。
- 前記ステージ上下駆動部は、前記第3ステップの実行後、前記所定の冷却期間に亘り、前記ウェハ待機ステージを前記初期高さ位置よりも低い位置に維持させておき、前記所定の冷却期間経過後に、前記ウェハ待機ステージを前記初期高さ位置に移動させることを特徴とする請求項2記載の半導体製造装置。
- 前記第2位置には、前記サセプタに保持されている前記半導体ウェハに対して前記所定処理を施す処理部が設けられていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1に記載の半導体製造装置。
- 前記所定処理とは、前記半導体ウェハの表面に薄膜を形成させる成膜処理であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1に記載の半導体製造装置。
- 半導体ウェハを加熱しつつ当該半導体ウェハに所定処理を施して得られた処理済みの半導体ウェハを吸着して外部に搬送する半導体製造方法であって、
前記所定処理の終了後、前記半導体ウェハを保持しつつ当該半導体ウェハを加熱するサセプタをウェハ待機ステージの真上の第1位置に移動させる第1ステップと、
前記サセプタに保持されている前記半導体ウェハを離脱させて前記ウェハ待機ステージ上に移す第2ステップと、
前記サセプタを水平方向において前記第1位置から当該第1とは異なる第2位置に移動させる第3ステップと、
前記第3ステップの実行後、前記ウェハ待機ステージを下方向に移動させ、所定の冷却期間経過後に前記ウェハ待機ステージ上の前記半導体ウェハを搬送アームによって吸着させこれを外部に搬送させる第4ステップとを有することを特徴とする半導体製造方法。 - 前記第4ステップにおいて前記ウェハ待機ステージを、前記搬送アームが前記半導体ウェハの吸着を行う高さである初期高さ位置よりも低い位置に移動させることを特徴とする請求項6記載の半導体製造方法。
- 前記第4ステップでは、前記第3ステップの実行後、前記所定の冷却期間に亘り前記ウェハ待機ステージを前記初期高さ位置よりも低い位置に維持させておき、前記所定の冷却期間経過後に、前記ウェハ待機ステージを前記初期高さ位置に移動させることを特徴とする請求項7記載の半導体製造方法。
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