JP5356658B2 - 半導体構造、半導体製造方法(hot(ハイブリッド配向技術)基板の半導体キャパシタ) - Google Patents
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Description
第2のトレンチを形成するステップであって、第2のトレンチが第2の半導体領域に形成されるステップと、を含む。
110 第1のシリコン層(キャパシタ電極)
111 第1のシリコン層の露出上面
120 埋込み絶縁層
120’ BOX領域
130 第2のシリコン層(下部半導体層)
130’ 第2のシリコン領域
140 犠牲パッド層
140’ 犠牲パッド領域
141 犠牲パッド領域の上面
310 窒化物スペーサ層
310’ 窒化物スペーサ
510 エピ・シリコン領域
511 エピ・シリコン領域の上面
710 パッド層(窒化シリコン)
720 ハードマスク層
810a 第1のトレンチ
810a’ トレンチ
810b 第2のトレンチ
810b’ トレンチ
812 誘電体層
812a 第1の誘電体層
812b 第2の誘電体層
813a 酸化シリコン(第1のカラー)
813b 酸化シリコン(第2のカラー)
814a n型ドープ・ポリシリコン領域(ポリシリコン電極)
814b 全n型ドープ・ポリシリコン領域
815a n型ドープ・ポリシリコン領域(ポリシリコン電極)
815b n型ドープ・ポリシリコン領域
Claims (7)
- (a)半導体基板と、
(b)前記半導体基板の上の電気絶縁領域と、
(c)前記半導体基板の上で前記半導体基板と直接物理的に接触している第1の半導体領域と、
(d)前記絶縁領域の上で前記第1の半導体領域とは異なる格子配向を有する第2の半導体領域と、
(e)前記第1の半導体領域および前記半導体基板の中に延びたキャパシタと、
(f)前記第2の半導体領域および前記電気絶縁領域の中に延びたキャパシタ電極コンタクトと、を備える半導体構造。 - (a)半導体基板、
(b)前記半導体基板の上の電気絶縁領域、
(c)前記半導体基板の上で前記半導体基板と直接物理的に接触している第1の半導体領域、および
(d)前記絶縁領域の上で前記第1の半導体領域とは異なる格子配向を有する第2の半導体領域を含み、前記第1の半導体領域と前記第2の半導体領域が互いに電気的に絶縁されている半導体構造を設けるステップと、
第1のトレンチを形成するステップであって、前記第1のトレンチが前記第1の半導体領域および前記半導体基板の中に形成されるステップと、
第2のトレンチを形成するステップであって、前記第2のトレンチが前記第2の半導体領域の中に形成されるステップと、
前記第1の半導体領域と前記第2の半導体領域の間にサンドイッチ状に挟まれ、前記第1の半導体領域および前記第2の半導体領域と直接物理的に接触し、かつ前記第1の半導体領域と前記第2の半導体領域を電気的に絶縁するスペーサ領域を形成するステップと、
前記第1のトレンチの側壁および底壁に第1のキャパシタ誘電体層を形成し、さらに前記第2のトレンチの側壁および底壁に第2のキャパシタ誘電体層を形成するステップと、
前記第1のトレンチを形成する前記ステップおよび前記第2のトレンチを形成する前記ステップが行われた後に、前記第1のトレンチおよび前記第2のトレンチを使用してトレンチ形キャパシタおよびキャパシタの電極コンタクトをそれぞれ形成するステップと
を含む半導体製造方法。 - 前記第1のトレンチを形成する前記ステップおよび前記第2のトレンチを形成する前記ステップが、同じリソグラフィ・マスクを使用して同時に行われる、請求項2に記載の方法。
- 前記第1のトレンチおよび前記第2のトレンチを使用してトレンチ形キャパシタおよび前記キャパシタの電極コンタクトを形成する前記ステップが、
前記第1のトレンチに第1の導電領域を形成し、前記第2のトレンチを第2の導電領域で埋めて前記第2のトレンチに前記電極コンタクトを形成するステップと、
(i)前記第1の導電領域の上部および(ii)前記第2の導電領域を除去するステップと、
前記第1のキャパシタ誘電体層の露出部分および前記第2のキャパシタ誘電体層全体を除去するステップと、
前記第1のトレンチに、第1のトレンチの内壁を被う筒状の、第1のカラーを形成し、前記第2のトレンチに、第2のトレンチの内壁を被う筒状の、第2のカラーを形成するステップと、
前記半導体基板の上面が前記第2のトレンチを介して周囲環境に露出されるまで、前記電気絶縁領域を貫通してエッチングするステップと、
前記第1のトレンチおよび前記第2のトレンチを導電材料で埋めるステップと、を含む、請求項2に記載の方法。 - 前記第1および第2のカラーが、前記電気絶縁領域と同じ材料を備える、請求項4に記載の方法。
- 前記導電材料が、ドープされたポリシリコンを備え、さらに、
前記第1および前記第2のキャパシタ誘電体層が、窒化シリコンを備える、請求項4に記載の方法。 - 前記第1のカラーを形成する前記ステップ、前記第2のカラーを形成する前記ステップ、および前記電気絶縁領域を貫通してエッチングする前記ステップが、単一の異方性エッチング・プロセスによって行われる、請求項4に記載の方法。
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