JP5347735B2 - 半導体スピンデバイス - Google Patents
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- 半導体層の第1領域上に設けられた第1ピンド層と、
前記半導体層の第2領域上に設けられた第2ピンド層と、
前記半導体層の第3領域上に設けられたフリー層と、
前記半導体層の第4領域上に設けられた電極層と、
を備えた半導体スピンデバイスあって、
前記第1ピンド層と前記第2ピンド層の磁化の向きは互いに逆向きであり、
前記半導体層と前記第1及び第2ピンド層との間には、それぞれ第1及び第2トンネル障壁が介在し、
前記半導体層と前記第1及び第2トンネル障壁との界面にはN型不純物がδドープされており、
前記第1ピンド層は、前記第2ピンド層よりも前記フリー層から遠く、
前記第1ピンド層から前記半導体層に向けて電子を注入し、前記第1ピンド層と第2ピンド層との間の前記半導体層内に電子を流すための電極を前記第1ピンド層と前記第2ピンド層にそれぞれ電気的に接続し、
前記電極層と前記フリー層との間の電圧を測定する、ことを特徴とする半導体スピンデバイス。 - 前記第1及び第2ピンド層間に電子流を供給する電流源と、
前記フリー層と前記電極層との間の電圧を測定する電圧計と、
を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体スピンデバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009138556A JP5347735B2 (ja) | 2009-06-09 | 2009-06-09 | 半導体スピンデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009138556A JP5347735B2 (ja) | 2009-06-09 | 2009-06-09 | 半導体スピンデバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010287629A JP2010287629A (ja) | 2010-12-24 |
JP5347735B2 true JP5347735B2 (ja) | 2013-11-20 |
Family
ID=43543141
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009138556A Expired - Fee Related JP5347735B2 (ja) | 2009-06-09 | 2009-06-09 | 半導体スピンデバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5347735B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5477060B2 (ja) * | 2010-03-05 | 2014-04-23 | Tdk株式会社 | スピン伝導素子 |
JP5633384B2 (ja) * | 2011-01-19 | 2014-12-03 | Tdk株式会社 | スピン伝導素子 |
JP5655689B2 (ja) * | 2011-04-21 | 2015-01-21 | Tdk株式会社 | スピン伝導素子 |
US8619393B2 (en) | 2011-08-16 | 2013-12-31 | Seagate Technology Llc | Devices and methods using recessed electron spin analyzers |
US20150001601A1 (en) * | 2012-02-14 | 2015-01-01 | Tdk Corporation | Spin injection electrode structure and spin transport element having the same |
JP5771544B2 (ja) * | 2012-02-14 | 2015-09-02 | 株式会社日立製作所 | スピン流増幅装置 |
JP5935444B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2016-06-15 | Tdk株式会社 | スピン伝導素子、及びスピン伝導を用いた磁気センサ及び磁気ヘッド |
JP6163038B2 (ja) * | 2013-07-26 | 2017-07-12 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置 |
JP6037050B2 (ja) * | 2013-11-20 | 2016-11-30 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗効果素子、Spin−MOSFET、磁気センサ及び磁気ヘッド |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4731393B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2011-07-20 | 株式会社日立製作所 | 磁気再生ヘッド |
JP5137405B2 (ja) * | 2007-01-10 | 2013-02-06 | 株式会社日立製作所 | 磁気メモリ素子及び磁気メモリ装置 |
JP2009146512A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気ヘッド及び磁気記録装置 |
-
2009
- 2009-06-09 JP JP2009138556A patent/JP5347735B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010287629A (ja) | 2010-12-24 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A977 | Report on retrieval |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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