JP2007164831A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 フリー磁性層30、非磁性材料層29及び第2固定磁性層28cからなるスピン依存散乱部31の膜面と平行な方向での面積は、第1固定磁性層28aの膜面と平行な方向での面積に比べて小さく、前記スピン依存散乱部31のトラック幅方向の幅寸法Tw2は、前記第1固定磁性層28aのトラック幅方向の幅寸法Tw3より小さく形成され、前記スピン依存散乱部31の両側側面31aと、前記第1固定磁性層28aの両側側面との間には段差部37が設けられ、前記スピン依存散乱部31の側面は連続面で形成されている。これにより、出力の向上とジュール熱の低減、さらには感度の向上を図ることができる。
【選択図】図1
Description
前記磁気検出素子は、固定磁性層と前記固定磁性層に非磁性材料層を介して対向するフリー磁性層とを有して成る積層体と、前記積層体のトラック幅方向の両側に形成されたバイアス層と、前記バイアス層の上下に形成された絶縁層とを有して構成され、
前記固定磁性層は第1固定磁性層と、第2固定磁性層と、前記第1固定磁性層と第2固定磁性層間に介在する非磁性中間層とが積層された積層フェリ構造であり、前記第2固定磁性層が前記非磁性材料層に接して形成されており、
前記フリー磁性層、前記非磁性材料層及び前記第2固定磁性層からなるスピン依存散乱部の膜面と平行な方向での面積は、前記第1固定磁性層の膜面と平行な方向での面積に比べて小さく、
前記スピン依存散乱部のトラック幅方向の幅寸法は、前記第1固定磁性層のトラック幅方向の幅寸法より小さく形成され、
前記スピン依存散乱部のトラック幅方向の両側側面と、前記第1固定磁性層のトラック幅方向の両側側面との間には段差が設けられ、前記スピン依存散乱部のトラック幅方向の両側側面は連続面で形成されていることを特徴とするものである。
前記磁気検出素子は、フリー磁性層と前記フリー磁性層の上に形成された上側非磁性材料層と前記上側非磁性材料層の上に形成された上側固定磁性層と前記フリー磁性層の下に形成された下側非磁性材料層と前記下側非磁性材料層の下に形成された下側固定磁性層とを有して成る積層体と、前記積層体のトラック幅方向の両側に形成されたバイアス層と、前記バイアス層の上下に形成された絶縁層とを有して構成され、
前記上側固定磁性層は、上側第1固定磁性層と、上側第2固定磁性層と、前記上側第1固定磁性層と前記上側第2固定磁性層間に介在する上側非磁性中間層とが積層された積層フェリ構造であり、前記上側第2固定磁性層が前記上側非磁性材料層に接して形成されており、
前記下側固定磁性層は、下側第1固定磁性層と、下側第2固定磁性層と、前記下側第1固定磁性層と前記下側第2固定磁性層間に介在する下側非磁性中間層とが積層された積層フェリ構造であり、前記下側第2固定磁性層が前記下側非磁性材料層に接して形成されており、
前記フリー磁性層、前記上側非磁性材料層、前記下側非磁性材料層、前記下側第2固定磁性層、及び前記上側第2固定磁性層から成るスピン依存散乱部の膜面と平行な方向での面積は、前記上側第1固定磁性層及び前記下側第1固定磁性層の膜面と平行な方向での面積に比べて小さく、
前記スピン依存散乱部のトラック幅方向の幅寸法は、前記上側第1固定磁性層及び前記下側第1固定磁性層のトラック幅方向の幅寸法より小さく形成され、
前記スピン依存散乱部の両側側面と、前記下側第1固定磁性層のトラック幅の両側側面との間には下側段差部が設けられ、前記スピン依存散乱部のトラック幅の両側側面と、前記上側第1固定磁性層のトラック幅の両側側面との間には上側段差部が設けられ、前記スピン依存散乱部のトラック幅方向の両側側面は連続面で形成されていることを特徴とするものである。
前記下側段差部を介して前記下側非磁性中間層上に形成された前記スピン依存散乱部のトラック幅方向の両側端面と、前記上側非磁性中間層のトラック幅方向の両側側面とは連続面で形成され、
前記上側段差部を介して前記上側非磁性中間層上に形成された上側第1固定磁性層、及び前記上側第1固定磁性層上に形成された上側反強磁性層の前記トラック幅方向の両側端面は、下から上に向けて徐々にトラック幅方向の幅寸法が小さくなるように連続した傾斜面で形成されていることが好ましい。これにより、より適切に再生出力(ΔV)の向上、素子抵抗の低減及び再生感度の向上を図ることが出来る。また上記構成により、前記スピン依存散乱部の膜面と平行な方向での面積及びトラック幅方向の幅寸法を他の部分よりも、適切に小さく形成できる。
(b) 第2固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層のスピン依存散乱部のトラック幅方向の両側端面を削除加工する工程、
(c) 前記スピン依存散乱部のトラック幅方向の両側に第1絶縁層を介してバイアス層を形成し、さらに前記バイアス層間上に第2絶縁層を形成する工程、
(d) 前記フリー磁性層上に上側電極層を形成する工程、
上記の製造工程により、第2固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層から成るスピン依存散乱部の膜面と平行な方向での面積及びトラック幅方向の幅寸法を他の部分よりも、適切且つ簡単に小さく形成できる。
(e) 前記積層体のトラック幅方向の両側端面を削除加工する工程、を含み、
前記(e)工程後、前記(b)工程で、前記スピン依存散乱部のトラック幅方向の両側端面を部分的に削除加工し、
さらに、前記(c)工程と前記(d)工程の間に、
(f) 前記積層体のハイト方向の後端面側を削除加工し、前記ハイト方向の後端面に第3絶縁層を形成する工程、
を含むことが好ましい。上記の加工を行うことで、前記積層体の周囲を絶縁層で適切に囲うことができ、電流の分流ロスの少ない磁気検出素子を製造できる。
(h) 前記上側非磁性中間層、前記上側第2固定磁性層、前記上側非磁性材料層、前記フリー磁性層、前記下側非磁性材料層及び前記下側第2固定磁性層のスピン依存散乱部及び前記上側非磁性中間層のトラック幅方向の両側端面を削除加工する工程、
(i) 前記スピン依存散乱部のトラック幅方向の両側に第4絶縁層を介してバイアス層を形成し、さらに前記バイアス層間上に第5絶縁層を形成する工程、
(j) 前記第1積層体上及び前記第5絶縁層上に、下から上側第1固定磁性層、上側反強磁性層の順に積層された第2積層体を形成する工程、
(k) 前記上側反強磁性層上に上側電極層を形成する工程、
上記の製造工程により、下側第2固定磁性層、下側非磁性材料層、フリー磁性層、上側非磁性材料層、上側第2固定磁性層から成るスピン依存散乱部の膜面と平行な方向での面積及びトラック幅方向の幅寸法を他の部分よりも、適切且つ簡単に小さく形成できる。特に、前記(g)工程で、前記上側非磁性中間層までを積層した後、前記(h)工程で、トラック幅方向の幅寸法の加工工程を行い、前記(j)工程で、前記非磁性中間層上に前記第2固定磁性層、及び前記下側反強磁性層を積層する。このような製造工程とすることで、前記上側第1固定磁性層と前記上側第2固定磁性層との間に適切にRKKY相互作用を適切に生じさせ、前記上側第1固定磁性層と前記上側第2固定磁性層とを適切にハイト方向と平行な方向に磁化固定することが可能である。
(l) 前記第1積層体のトラック幅方向の両側端面を削除加工する工程、を含み、
前記(l)工程後、前記(h)工程で、前記スピン依存散乱部及び前記上側非磁性中間層のトラック幅方向の両側端面を部分的に削除加工し、
前記(j)工程と前記(k)工程の間に、
(m) 前記(h)工程でのスピン依存散乱部のトラック幅方向の幅寸法よりも大きい幅寸法にて、前記第2積層体のトラック幅方向の両側端面を削除加工する工程、
(n) 前記第2積層体のトラック幅方向の両側に第6絶縁層を形成する工程、
(o) 前記第1積層体と前記第2積層体とを有して成る積層体のハイト方向の後端面側を削除加工し、前記ハイト方向の後端面に第7絶縁層を形成する工程、
を含むことが好ましい。上記の加工を行うことで、前記積層体の周囲を絶縁層で適切に囲うことができ、電流の分流ロスの少ない磁気検出素子を製造できる。
前記フリー磁性層30上には、Ta等で形成された保護層39が形成される。
22 エッチング保護用絶縁層
23 シングルスピンバルブ型薄膜素子
24、51 積層体
27 反強磁性層
28 固定磁性層
28a 第1固定磁性層
28b 非磁性中間層
28c 第2固定磁性層
29 非磁性材料層
30、55 フリー磁性層
31 スピン依存散乱部
32 第1絶縁層
33 ハードバイアス層
34 第2絶縁層34
36 交換結合含有部
37、44 段差部
38、68 バックフィルギャップ層
39 保護層
50 デュアルスピンバルブ型薄膜素子
52 下側反強磁性層
53 下側固定磁性層
53a 下側第1固定磁性層
53b 下側非磁性中間層
53c 下側第2固定磁性層
54 下側非磁性材料層
56 上側非磁性材料層
57 上側固定磁性層
57a 上側第1固定磁性層
57b 上側非磁性中間層
57c 上側第2固定磁性層
58 上側反強磁性層
65 第4絶縁層
66 第5絶縁層
67 第6絶縁層
70 下側段差部
71 上側段差部
72、80 第1のリフトオフ用レジスト層
73、81 第2のリフトオフ用レジスト層
74 第4のリフトオフ用レジスト層
82 第3のリフトオフ用レジスト層
Claims (9)
- 磁気検出素子と前記磁気検出素子の上下に形成された電極層とを有して成る薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記磁気検出素子は、固定磁性層と前記固定磁性層に非磁性材料層を介して対向するフリー磁性層とを有して成る積層体と、前記積層体のトラック幅方向の両側に形成されたバイアス層と、前記バイアス層の上下に形成された絶縁層とを有して構成され、
前記固定磁性層は第1固定磁性層と、第2固定磁性層と、前記第1固定磁性層と第2固定磁性層間に介在する非磁性中間層とが積層された積層フェリ構造であり、前記第2固定磁性層が前記非磁性材料層に接して形成されており、
前記フリー磁性層、前記非磁性材料層及び前記第2固定磁性層からなるスピン依存散乱部の膜面と平行な方向での面積は、前記第1固定磁性層の膜面と平行な方向での面積に比べて小さく、
前記スピン依存散乱部のトラック幅方向の幅寸法は、前記第1固定磁性層のトラック幅方向の幅寸法より小さく形成され、
前記スピン依存散乱部のトラック幅方向の両側側面と、前記第1固定磁性層のトラック幅方向の両側側面との間には段差が設けられ、前記スピン依存散乱部のトラック幅方向の両側側面は連続面で形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 下から反強磁性層、前記第1固定磁性層、前記非磁性中間層、前記第2固定磁性層、前記非磁性材料層、前記フリー磁性層の順に積層され、前記反強磁性層、前記第1固定磁性層、前記非磁性中間層の前記トラック幅方向の両側端面は、下から上に向けて徐々にトラック幅方向の幅寸法が小さくなるように連続した傾斜面で形成されており、前記段差を介して前記非磁性中間層上に前記スピン依存散乱部が形成されている請求項1記載の薄膜磁気ヘッド。
- 磁気検出素子と前記磁気検出素子の上下に形成された電極層とを有して成る薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記磁気検出素子は、フリー磁性層と前記フリー磁性層の上に形成された上側非磁性材料層と前記上側非磁性材料層の上に形成された上側固定磁性層と前記フリー磁性層の下に形成された下側非磁性材料層と前記下側非磁性材料層の下に形成された下側固定磁性層とを有して成る積層体と、前記積層体のトラック幅方向の両側に形成されたバイアス層と、前記バイアス層の上下に形成された絶縁層とを有して構成され、
前記上側固定磁性層は、上側第1固定磁性層と、上側第2固定磁性層と、前記上側第1固定磁性層と前記上側第2固定磁性層間に介在する上側非磁性中間層とが積層された積層フェリ構造であり、前記上側第2固定磁性層が前記上側非磁性材料層に接して形成されており、
前記下側固定磁性層は、下側第1固定磁性層と、下側第2固定磁性層と、前記下側第1固定磁性層と前記下側第2固定磁性層間に介在する下側非磁性中間層とが積層された積層フェリ構造であり、前記下側第2固定磁性層が前記下側非磁性材料層に接して形成されており、
前記フリー磁性層、前記上側非磁性材料層、前記下側非磁性材料層、前記下側第2固定磁性層、及び前記上側第2固定磁性層から成るスピン依存散乱部の膜面と平行な方向での面積は、前記上側第1固定磁性層及び前記下側第1固定磁性層の膜面と平行な方向での面積に比べて小さく、
前記スピン依存散乱部のトラック幅方向の幅寸法は、前記上側第1固定磁性層及び前記下側第1固定磁性層のトラック幅方向の幅寸法より小さく形成され、
前記スピン依存散乱部の両側側面と、前記下側第1固定磁性層のトラック幅の両側側面との間には下側段差部が設けられ、前記スピン依存散乱部のトラック幅の両側側面と、前記上側第1固定磁性層のトラック幅の両側側面との間には上側段差部が設けられ、前記スピン依存散乱部のトラック幅方向の両側側面は連続面で形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 前記下側第1固定磁性層の下には下側反強磁性層が形成され、前記下側反強磁性層、前記下側第1固定磁性層、前記下側非磁性中間層の前記トラック幅方向の両側端面は、下から上に向けて徐々にトラック幅方向の幅寸法が小さくなるように連続した傾斜面で形成されており、
前記下側段差部を介して前記下側非磁性中間層上に形成された前記スピン依存散乱部のトラック幅方向の両側端面と、前記上側非磁性中間層のトラック幅方向の両側側面とは連続面で形成され、
前記上側段差部を介して前記上側非磁性中間層上に形成された上側第1固定磁性層、及び前記上側第1固定磁性層上に形成された上側反強磁性層の前記トラック幅方向の両側端面は、下から上に向けて徐々にトラック幅方向の幅寸法が小さくなるように連続した傾斜面で形成されている請求項3記載の薄膜磁気ヘッド。 - 前記スピン依存散乱部のトラック幅方向の両側端面は、下から上に向けて徐々にトラック幅方向の幅寸法が小さくなるように連続した傾斜面で形成されている請求項1ないし4のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
- 以下の工程を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
(a) 下側電極層上に、下から反強磁性層、第1固定磁性層、非磁性中間層、第2固定磁性層、非磁性材料層、及びフリー磁性層の順に積層された積層体を形成する工程、
(b) 第2固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層のスピン依存散乱部のトラック幅方向の両側端面を削除加工する工程、
(c) 前記スピン依存散乱部のトラック幅方向の両側に第1絶縁層を介してバイアス層を形成し、さらに前記バイアス層間上に第2絶縁層を形成する工程、
(d) 前記フリー磁性層上に上側電極層を形成する工程、 - 前記(a)工程と前記(b)工程の間に、
(e) 前記積層体のトラック幅方向の両側端面を削除加工する工程、を含み、
前記(e)工程後、前記(b)工程で、前記スピン依存散乱部のトラック幅方向の両側端面を部分的に削除加工し、
さらに、前記(c)工程と前記(d)工程の間に、
(f) 前記積層体のハイト方向の後端面側を削除加工し、前記ハイト方向の後端面に第3絶縁層を形成する工程、
を含む請求項6記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 以下の工程を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
(g) 下側電極層上に、下から下側反強磁性層、下側第1固定磁性層、下側非磁性中間層、下側第2固定磁性層、下側非磁性材料層、フリー磁性層、上側非磁性材料層、上側第2固定磁性層、上側非磁性中間層の順に積層された第1積層体を形成する工程、
(h) 前記上側非磁性中間層、前記上側第2固定磁性層、前記上側非磁性材料層、前記フリー磁性層、前記下側非磁性材料層及び前記下側第2固定磁性層のスピン依存散乱部及び前記上側非磁性中間層のトラック幅方向の両側端面を削除加工する工程、
(i) 前記スピン依存散乱部のトラック幅方向の両側に第4絶縁層を介してバイアス層を形成し、さらに前記バイアス層間上に第5絶縁層を形成する工程、
(j) 前記第1積層体上及び前記第5絶縁層上に、下から上側第1固定磁性層、上側反強磁性層の順に積層された第2積層体を形成する工程、
(k) 前記上側反強磁性層上に上側電極層を形成する工程、 - 前記(g)工程と、前記(h)工程の間に、
(l) 前記第1積層体のトラック幅方向の両側端面を削除加工する工程、を含み、
前記(l)工程後、前記(h)工程で、前記スピン依存散乱部及び前記上側非磁性中間層のトラック幅方向の両側端面を部分的に削除加工し、
前記(j)工程と前記(k)工程の間に、
(m) 前記(h)工程でのスピン依存散乱部のトラック幅方向の幅寸法よりも大きい幅寸法にて、前記第2積層体のトラック幅方向の両側端面を削除加工する工程、
(n) 前記第2積層体のトラック幅方向の両側に第6絶縁層を形成する工程、
(o) 前記第1積層体と前記第2積層体とを有して成る積層体のハイト方向の後端面側を削除加工し、前記ハイト方向の後端面に第7絶縁層を形成する工程、
を含む請求項8記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005356124A JP2007164831A (ja) | 2005-12-09 | 2005-12-09 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
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JP (1) | JP2007164831A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011003869A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Tdk Corp | スピントロニック素子のスピンバルブ構造およびその形成方法、ボトム型スピンバルブ構造、ならびにマイクロ波アシスト磁気記録用スピントロニック素子 |
US9047893B1 (en) * | 2014-01-31 | 2015-06-02 | HGST Netherlands B.V. | Magnetic sensor having narrow trackwidth and small read gap |
-
2005
- 2005-12-09 JP JP2005356124A patent/JP2007164831A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2011003869A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Tdk Corp | スピントロニック素子のスピンバルブ構造およびその形成方法、ボトム型スピンバルブ構造、ならびにマイクロ波アシスト磁気記録用スピントロニック素子 |
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