JP5345169B2 - マスク検査装置及びマスク検査方法 - Google Patents
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Description
本発明の別の実施形態によれば、検査工程を備えたマスク検査方法が提供される。前記検査工程は、減圧雰囲気中に配置されたマスクの主面に光を照射して発生する近接場光を介して放出された電子を電極で導いて検出し、前記検出された前記電子の検出結果を基準となる値と比較することを含む。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、第1の実施形態に係るマスク検査装置の構成を例示する模式図である。
図1に表したように、本実施形態に係るマスク検査装置110は、減圧容器10と、保持部15と、光照射部20と、検出部50と、電極30と、制御部60と、を備える。
すなわち、図2(a)は、斜視図であり、図2(b)は、平面図である。図2(c)は、図2(b)の一部(A部)を拡大して例示する平面図である。
すなわち、図3は、図2(c)のA1−A2線断面図である。
図3に表したように、マスク70は、例えば、クオーツの基板71と、基板71の上に設けられた多層膜72と、多層膜72の上に設けられた金属膜73と、金属膜73の上に設けられた凹凸パターン74と、を有する。
図4(a)に表したように、実施形態に係るマスク検査装置110において、マスク70の主面70aに、光照射部20から光20aが照射される。マスク70の凹凸パターン74のハーフピッチhp(ラインアンドスペースのライン幅またはスペース幅)は、光20aの波長λ(例えば275nm)よりも短い。ハーフピッチhpは、例えば、100nm以下である。このとき、複数の凹凸パターン74のそれぞれのパターンエッジ(端部)の近傍には、近接場光20lが発生する。この近接場光20lは、回折限界の影響を受けない。このため、凹凸パターン74のハーフピッチhpが光20aの波長λよりも短い場合においても、凹凸パターン74に応じた近接場光20lが得られる。近接場光20lは、凹凸パターン74の微小な開口部(例えば、スペース部70s)に応じた形状で分布する。
図5(a)は、検出部50で得られた光電子70eの検出像を例示している。この例では、検出像には、凹凸パターン74の構造のエラー、または、凹凸パターン74上の異物パターンなどのパターン異常52が観察される。このようなパターン異常52が、欠陥と判定される。このような欠陥を修正し、または、洗浄するなどの手法により欠陥を除去するための判断として、実施形態に係るマスク検査装置110が用いられる。このとき、検出部50で得られた光電子70eの検出像(検出データ)は、基準となる値と比較される。
これらの図は、マスク70に光20aを照射したときに発生する近接場光20lの特性を近接場シミュレーションにより求めた結果を例示している。このシミュレーションにおいては、図3に例示したマスク70の構成において、凹凸パターン74のハーフピッチhpを60nm、80nm、100nm及び200nmと変えたときに、金属膜73(例えばRu膜)の位置で発生する近接場光20lのパワーPWを求めた。横軸は、入射角θであり、縦軸は、パワーPW(相対値)である。図6(a)は、TE偏光の光20aを照射した場合の結果を例示しており、図6(b)は、TM偏光の光20aを照射した場合の結果を例示している。光20aの波長λは、257nmである。
Ex=a・cos(kz−ωt)
Ey=a・cos(kz−ωt−π/2)
円偏光の場合は、電場Exと電場Eyとの間の位相差がπ/2に保たれ、以下となる。
Ex2+Ey2=a2
すなわち、円偏光を用いる場合は、凹凸パターン74の全方位において、TM偏光成分を得ることができる。光20aとして円偏光を用いることは、望ましい条件の1つである。
図7(a)及び図7(b)は、第1の実施形態に係るマスク検査装置の動作を例示するフローチャート図である。
図7(a)に表したように、マスク内パターンを定義する(ステップS01)。そして、近接場シミュレーションデータを取得する(ステップS02)。この結果に基づき、条件(例えば、偏光及び入射角など)を決定する(ステップS03)。そして、この条件を用いて、近接場光20lによる光電子70eのデータを取得する(ステップS04)。
図9は、第1の実施形態に係るマスク検査装置の構成を例示する模式図である。
図10(a)〜図10(d)は、第1の実施形態に係るマスク検査装置の動作を例示する模式図である。
図10(a)は、光電子70eの像を例示している。図10(b)〜図10(d)は、光電子70eの像から得られる特性値を例示している。
検査条件パターンの光電子70eの像(入射角θ=0度)を検出部50(例えばTDIセンサ)により取得する(ステップS17)。
検査条件パターンの光電子70eの像(入射角θ=5度)をTDIセンサにより取得する(ステップS19)。
そして、図10(d)に表したように、階調プロファイル53に関する特性値の1つとして、階調特性値GLP=(GLmax−GLmin)/(GLmax+GLmin)を求める(図8のステップS24)。階調特性値GLPは、異なる入射角θのそれぞれにおいて求められる。この例では、入射角θが0度、5度、10度、15度、20度、25度、(省略)、55度、60度、65度及び70度のときの階調特性値GLPは、それぞれ、0.4、0.5、0.7、0.9、0.8、0.7、(省略)、0.5、0.4、0.3及び0.1である。
図11は、第1の実施形態に係るマスク検査装置の別の動作を例示するフローチャート図である。
図12は、第1の実施形態に係るマスク検査装置の別の動作を例示する模式図である。 図12に表したように、この例では、制御部60に参照データ発生回路部65がさらに設けられる。また、制御部60にデータベース66(データ格納部)が接続される。なお、このデータベース66は、制御部60に含められても良い。
図13に表したように、図8と同様にステップS11〜S15を実施した後、検査条件決定パターンにおいて、異なる波長の光を用いて光電子像の取得し、その結果に基づいて検査条件を決定する(ステップS50)。そして、定めた検査条件を用いて検査光を照射する(ステップS26)。この後、図8と同様にしてステップS27〜S34を実施し、ダイトゥーダイ(Die to die)比較検査を行う。
すなわち、同図は、上記のステップS50の1つの例を示している。
図15(a)〜図15(c)は、第1の実施形態に係るマスク検査装置の別の動作を例示する模式図である。
この例では、光20aとして、互いに異なる波長を有するn個(nは2以上の整数)の光が用いられる。複数の光のそれぞれは、異なる波長λi(iは整数)を有する。
このようにして、ステップS50を実施し、検査条件を定め、定めた条件により、以上のステップを実施する。これにより、例えば高感度の検査が実施できる。
図16に表したように、非検査体であるマスク70において、複数の領域(例えば、第1領域75a、第2領域75b及び第3領域75cなど)が設けられる場合がある。例えば、第1〜第3領域75a〜75cにおいては、互いにピッチ(例えばハーフピッチhp)が異なる。また、例えば、異なる領域で、パターンの形状が互いに異なる場合がある。例えば、第1領域75aは、ラインアンドスペースのパターンを有し、第2領域75bは、孔パターンを有する場合などがある。
例えば、第2領域75bにおける入射角θは、第1領域75aにおける入射角θとは異なる。また、第2領域75bにおける偏光特性は、第1領域75aにおける偏光特性と変えても良い。このように、互いに異なる仕様の凹凸パターン74を有する異なる領域において、検査条件を変更することで、より高感度の検査が実施できる。
図17は、第1の実施形態に係るマスク検査装置の動作を例示するフローチャート図である。
図17に表したように、制御部60は、検査条件決定動作(ステップS110)と、検査動作(ステップS120)と、を実施することができる。
本実施形態は、マスク検査方法に係る。本マスク検査方法は、検査工程(例えば、図17に例示したステップS120に対応する)を備える。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
Claims (10)
- 減圧容器と、
前記減圧容器の中に設けられ、マスクを保持する保持部と、
前記保持部に保持された前記マスクの主面に光を照射する光照射部と、
前記減圧容器の中に設けられ、前記マスクの前記主面に前記光が照射されて発生した電子を検出する検出部と、
前記保持部と前記検出部との間に設けられ、前記保持部から前記検出部に向かう方向に前記電子を導く電極と、
前記検出部で検出された前記電子の検出結果を基準となる値と比較する制御部と、
を備え、
前記電子は、前記マスクの前記主面に前記光が照射されて発生する近接場光を介して放出されることを特徴とするマスク検査装置。 - 前記光の前記主面に対する入射角を変化させる入射角変化部をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載のマスク検査装置。
- 前記光照射部は、前記光の波長が第1波長である第1動作モードと、前記光の波長が前記第1波長とは異なる第2波長である第2動作モードと、を有することを特徴とする請求項1または2に記載のマスク検査装置。
- 前記光照射部が照射する前記光は、前記マスクの前記主面に対するTM偏光の成分を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載のマスク検査装置。
- 前記制御部は、前記光照射部が前記マスクの前記主面に照射する前記光の条件を決定する検査条件決定動作をさらに実施し、
前記制御部は、前記決定された前記条件の前記光が照射されたときに発生する前記電子を前記検出部が検出した結果を、前記基準となる値と比較することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載のマスク検査装置。 - 前記光の条件は、前記光の前記主面に対する入射角、前記光の波長、前記光の偏光特性、前記光が前記主面に照射される領域の大きさ、及び、前記光の照明形状の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項5記載のマスク検査装置。
- 前記検査条件決定動作は、
前記光の条件を変えた複数の光を前記主面に照射したときのそれぞれにおいて発生する複数の前記電子のそれぞれを前記検出部で検出した結果に基づいて、前記検出した結果に関して予め定められた評価値を用いて、前記電子の前記検出の感度が高くなるように前記光の条件を決定することを含むことを特徴とする請求項5または6に記載のマスク検査装置。 - 前記マスクは、前記主面に設けられた複数の領域を有し、
前記制御部は、前記光の条件を前記複数の領域ごとに決定することを特徴とする請求項5〜7のいずれか1つに記載のマスク検査装置。 - 検査工程を備え、
前記検査工程は、
減圧雰囲気中に配置されたマスクの主面に光を照射して発生する近接場光を介して放出された電子を電極で導いて検出し、
前記検出された前記電子の検出結果を基準となる値と比較することを含むことを特徴とするマスク検査方法。 - 前記検出工程における前記主面に照射される前記光の条件を決定する検査条件決定工程をさらに備え、
前記光の条件は、前記光の前記主面に対する入射角、前記光の波長、前記光の偏光特性、前記光が前記主面に照射される領域の大きさ、及び、前記光の照明形状の少なくともいずれかを含み、
前記検査条件決定工程は、
前記光の条件を変えた複数の光を前記主面に照射したときのそれぞれにおいて発生する複数の前記電子のそれぞれを前記検出部で検出した結果に基づいて、前記検出した結果に関して予め定められた評価値を用いて、前記電子の前記検出の感度が高くなるように前記光の条件を決定することを含むことを特徴とする請求項9記載のマスク検査方法。
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