JP5344730B2 - 露光装置 - Google Patents
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
さらに、上記画像処理部14は、撮像手段4で撮像された画像の輝度データに基づいて被露光体6に予め形成された基準パターン上の露光領域を検出するものである。
さらに、上記メモリ16は、演算部15で演算されたデータを一時的に記憶したり、空間光変調手段3等の設計データを保存するものであり、例えばRAMである。
先ず、被露光体6を矢印A方向に搬送しながら撮像手段4でカラーフィルタのピクセル20が撮像される。この場合、例えば、図6に示す時刻t1に撮像手段4でピクセル20が撮像されたとき、その画像は、制御手段5の画像処理部14で画像処理され、輝度データに基づいて被露光体6の搬送方向と直交するライン状の露光領域R1,R2が検出される。そして、演算部15において、該ライン状の露光領域R1,R2に光変調素子9の射出端面9bと同サイズの割付部191〜1910が割り付けられ、各割付部191〜1910の被露光体6の搬送方向と直交する方向の位置が算出される。
2…光源
3…空間光変調手段
4…撮像手段
5…制御手段
6…被露光体
7…電気光学結晶材料
7a,7b…電気光学結晶材料の対向する側面
8a…スイッチング電極
8b…アース電極
9,91〜915…光変調素子
9a…光変調素子の入射端面
9b…光変調素子の射出端面
191〜1910…割付部
20…ピクセル(基準パターン)
21…露光パターン
R1,R2…ライン状の露光領域
Claims (1)
- 被露光体を上面に載置して一定方向に搬送するステージと、
前記ステージの上方に配設され、光を放射する光源と、
前記ステージと前記光源との間に配設され、電気光学結晶材料からなる細長部材の長軸方向に平行な側面に対向して一対の電極を設けた複数個の光変調素子を、その両端部を前記光源からの光の入射端面及び射出端面として前記被露光体の搬送方向と直交方向に所定ピッチで一直線状に配置すると共に、該一直線状に配置した複数個の光変調素子を前記搬送方向に所定間隔で複数列配置し、且つ前記搬送方向に隣り合う各列の各光変調素子をそれぞれ搬送方向と直交方向に所定量だけずらして配置し、前記各光変調素子の透過光を光変調して所定のパターンを生成して前記被露光体上に露光する空間光変調手段と、
前記被露光体の搬送方向にて前記空間光変調手段による露光位置の手前側の位置を撮像可能に、前記ステージの上面に平行な面内にて前記搬送方向と直交する方向に複数の受光素子を一直線に並べて配設され、前記被露光体に予め形成されたピクセルを撮像する撮像手段と、
前記空間光変調手段の各光変調素子を個別に駆動制御して前記所定のパターンを生成させる制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記撮像手段で撮像された画像の輝度データに基づいて前記被露光体に予め形成されたピクセル上に前記搬送方向と直交するライン状の露光領域を検出し、該ライン状の露光領域に前記空間光変調手段の光変調素子の射出端面と同サイズの複数の割付部を割り付け、前記被露光体が搬送されて前記ライン状の露光領域に割り付けられた前記各割付部が、夫々対応する前記光変調素子の真下に到達するタイミングで前記対応する光変調素子を選択して駆動することを特徴とする露光装置。
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