JP2008065000A - 露光方法および露光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】DMDなどの空間変調素子を用いたデジタルの走査露光による描画において、線幅の変動等の無い高画質な画像を露光する。
【解決手段】基板(非露光媒体)と空間変調素子との相対的な走査方向と、画像の上下方向および横方向とを、一致させないで描画を行なうことにより、前記課題を解決する。
【選択図】図9

Description

本発明は、空間変調素子を用いる画像露光の技術分野に関し、特に、液晶表示装置の製造におけるブラックマトリクスの形成等に好適に利用される露光方法および露光装置に関する。
従来より、DMD(Digital Micromirror Device TM)等の空間(光)変調素子を用いて、画像様に露光を行う露光装置(描画装置)が知られている。
空間変調素子とは、記録する画像(制御信号)に応じて、基板(被露光媒体)への記録光の入射すなわち露光をon/offする画素を二次元的(あるいは一次元的)に配列してなる素子である。例えば、DMDであれば、周知のように、反射面の角度を変化させて、光の反射方向を変更するマイクロミラーを、シリコン等の半導体基板上に二次元的に配列したミラーデバイスであり、画像に応じてマイクロミラーの角度を変更することにより、露光をon/offする。
このような空間変調素子を用いる露光装置として、複数の空間変調素子を一方向に配列し(以下、主走査方向とする)、この主走査方向と直交する副走査方向に(被露光)基板と空間変調素子とを相対的に移動(走査)することで、基板を画像様に露光して描画を行なう装置が知られている。
この装置では、記録光を空間変調素子に入射すると共に、空間変調素子の各画素を描画する画像(制御信号)に応じて変調駆動して、記録光を画像に応じて変調して、基板に入射と共に、空間変調素子(光学系)と基板とを相対的に走査することにより、画像に応じて変調した記録光で基板の全面を二次元的に露光する。
DMD等の空間変調素子の画素は、通常、各行の並び方向と各列の並び方向とが直交する、正方格子状に配列される。
また、上述のような走査露光を行なう装置において、空間変調素子は、画素の配列方向を主走査方向および副走査方向に一致させて配置してもよいが、主走査および副走査方向に対して画素の配列方向を傾けて配置することにより、主走査方向の走査線の間隔を密にして、主走査方向の解像度(記録密度)を向上できる。
例えば、特許文献1には、DMDなどの空間変調素子に光を導く照明システムにおいて、空間変調素子を走査線上への投影に対して傾斜して配置することにより、主走査方向と直交する方向の解像度を向上できることが開示されている。
なお、副走査方向の解像度は、一般的に、走査速度と空間変調素子の変調速度とで決定されるので、走査速度を遅くする、および/または、変調速度を早くすることで、解像度を向上することができる。
特表2001−500628号公報
ところが、DMD等の空間変調素子は、主走査方向および副走査方向共に、画素(基板に入射する各画素の光(光のドット))が離散的である。
そのため、特に前述のように空間変調素子の画素の配列方向を主走査方向および副走査方向に対して傾けて配置した際に、主走査方向(主走査方向に延在する)の直線状の描画パターンを露光する場合には、基板上における各画素による描画点の位置と、所望の描画位置とに微細なズレが生じてしまい、これに起因して、直線のエッジ部が微細な凹凸となる、いわゆるジャギーを有する画像となってしまう。
また、空間変調素子の画素が離散的であるために、副走査方向の直線状の描画パターンを露光する際にも、各画素による描画点の位置と所望の描画位置との微細なズレによって、線幅に誤差を生じてしまい、例えば、副走査方向に直線状のパターンを繰り返す縞模様を形成すると、各線の線幅の違いが生じてしまう。
本発明の目的は、このような問題点を解決することにあり、空間変調素子、特にDMDのような二次元的な空間変調素子、中でも特に二次元空間変調素子を傾けて配置して、基板と空間変調素子とを所定の副走査方向に相対的に走査して、基板を画像様に露光して描画を行なうに際し、副走査方向の直線状の描画パターンを露光した際の線幅の誤差等が少なく、特に、液晶表示装置のブラックマトリクスの露光や、TFT、蓄積コンデンサを形成するためのフォトレジストの露光(レジストパターンの形成)等に最適な露光方法、および、この露光方法を実施する露光装置を提供することにある。
前記目的を達成するために、本発明の露光方法は、空間変調素子と基板とを所定の方向に相対的に走査しつつ、記録する画像に応じて前記記録画素を変調して駆動することにより、前記基板を露光して描画を行なうに際し、前記走査方向と前記基板に露光する画像の上下方向および横方向とを一致させないで描画を行なうことを特徴とする露光方法を提供する。
また、本発明の露光方法の別の態様は、空間変調素子と基板とを所定の方向に相対的に走査しつつ、矩形状の表示装置構成部材として記録する画像に応じて前記空間変調素子の画素を変調して駆動することにより、前記基板を露光して描画を行なうに際し、 前記走査方向と前記基板に露光する画像の長手方向および短手方向をと一致させないで描画を行なうことを特徴とする露光方法を提供する。
また、本発明の露光装置は、空間変調素子によって、基板に画像を露光する露光装置であって、所定の走査方向に、前記基板と空間変調素子とを相対的に移動する走査手段と、前記空間変調素子によって露光する画像を基板内で回転する回転手段とを有し、必要に応じて、前記基板に露光する画像の上下方向および横方向と前記走査方向とが一致しないように、前記回転手段が基板に露光する画像を回転して、前記空間変調素子による露光を行なうことを特徴とする露光装置を提供する。
さらに、本発明の露光装置の別の態様は、空間変調素子によって、矩形状の表示装置構成部材として、基板に画像を露光する露光装置であって、所定の走査方向に前記基板と空間変調素子とを相対的に移動する走査手段と、前記空間変調素子によって露光する画像を基板内で回転する回転手段とを有し、必要に応じて、前記基板に露光する画像の長手方向および短手方向と前記走査方向とが一致しないように、前記回転手段が基板に露光する画像を回転して、前記空間変調素子による露光を行なうことを特徴とする露光装置を提供する。
このような本発明の露光装置において、カラー液晶表示装置のブラックマトリクスパターンの露光、カラー液晶表示装置の透明電極層を作成するためのレジスト層の露光、カラー液晶表示装置のTFT層を作成するためのレジスト層の露光、カラー液晶表示装置の蓄積コンデンサ層を作成するためのレジスト層の露光のいずれかを行なう際に、前記回転手段が画像の回転を行うのが好ましく、また、前記走査方向と基板の辺とが一致する状態で基板を装填する第1装填位置と、前記走査方向と基板の辺とが一致しない状態で基板を装填する第2装填位置とが設定されており、この第2装填位置に基板が装填された際に、前記回転手段が基板に露光する画像を回転して、前記空間変調素子による露光を行なうのが好ましい。
また、このような本発明の露光方法および露光装置において、前記空間変調素子が、正方格子状に画素が配列された二次元空間変調素子であるのが好ましく、また、前記走査方向と直交する方向に対して、前記画素の配列が角度を有するよう前記空間変調素子が配置されるのが好ましい。
また、前記基板の辺と走査方向とが一致しない状態で、前記基板と空間変調素子とを相対的に走査し、かつ、前記画像の上下方向および横方向と前記基板の辺とが平行となるように画像を回転して露光を行なうことにより、前記走査方向と前記基板に露光する画像の上下方向および横方向とが一致しないように描画を行なうのが好ましく、もしくは、前記基板の辺と前記走査方向とを一致させた状態で、前記基板と空間変調素子とを相対的に走査し、かつ、前記画像の上下方向および横方向と前記基板の辺とが角度を有するように画像を回転して露光を行なうことにより、前記走査方向と前記基板に露光する画像の上下方向および横方向とが一致しないように描画を行なうのが好ましい。
また、前記画像がR,GおよびBのサブピクセルを有するカラー表示装置の製造に対応するものであり、前記基板上における前記走査方向と直交する方向の露光のピッチをPx; 基板に露光する画像の上下方向と前記走査方向とが成す角度をθ; 基板に露光する画像の上下方向のサブピクセルの長さをh; とした際に、式「h×sin(θ)>Px」を満たすのが好ましく、また、液晶表示装置のブラックマトリクスパターンの露光、液晶表示装置の透明電極層を作成するためのレジスト層の露光、液晶表示装置のTFT層を作成するためのレジスト層の露光、液晶表示装置の蓄積コンデンサ層を作成するためのレジスト層の露光の1以上を行なうのが好ましい。
空間変調素子と基板(被露光媒体)とを相対的に走査する画像露光では、通常、この相対的な走査方向と、基板の辺とを位置させ、かつ、相対的な走査方向と、画像の上下方向もしくは横方向とを一致させて露光を行なう。
これに対し、本発明においては、相対的な走査方向と画像の上下方向および横方向とが一致しないようにして、基板を露光して描画を行なう。言い換えれば、相対的な走査方向および走査方向と直交する方向に対して、画像の上下方向および横方向が角度を有する状態で、画像を記録する。
そのため、本発明によれば、画像の上下方向や横方向(上下方向や横方向に延在する)の直線状の描画パターンを形成する際に、この画像の上下方向および横方向と、走査方向とが一致しないので、空間変調素子の画素が離散していることに起因する前記線幅の誤差を生じることがない。
従って、本発明を例えば、液晶表示装置(液晶ディスプレイ)の製造におけるブラックマトリクスの形成や、表示画素(透明電極)、TFT、蓄積コンデンサを形成するためのフォトレジストの露光等に利用することにより、ブラックマトリクスの線幅の変動に起因する周期的なスジ状のムラや開口率の変動に起因する中間色の色味変動(グレーバランスのズレ)、表示画素の開口率の低下、TFTのチャネル寸法の変動に起因する部分的な階調変動や中間色の色味変動、蓄積コンデンサの容量変動に起因する縦縞や横縞の視認を防止することができ、高画質な画像が表示できる液晶表示装置を製造できる。
以下、本発明の露光方法および露光装置について、添付の図面に示される好適実施例を基に、詳細に説明する。
図1に、本発明の露光方法を実施する本発明の露光装置の一例の概念図を示す。
図1に示す露光装置10は、平面状の上面を有する移動ステージ12に基板S(被露光媒体)を載置して、基板Sを画像様に露光して描画する、いわゆるフラットベットタイプの露光装置で、基本的に、前記移動ステージ12に加え、定盤14と、ゲート16と、スキャナ18とを有して構成される。
なお、本発明において、露光による描画の対象となる基板Sには、特に限定は無く、フォトレジストが塗布された板材、PS版などの各種の感光材料等、露光による描画が可能なものが、各種、利用可能であるが、好ましくは、液晶表示装置、特にカラー液晶表示装置の(以下、LCDとする)のブラックマトリクス(以下、BMとする)となるフォトレジスト層を形成された基板S、LCDの透明電極画素を作成するためのレジスト層が形成された基板S、LCDのTFT層を作成するためのレジスト層が形成された基板S、および、LCDの蓄積コンデンサを作成するためのレジスト層が形成された基板Sは、好適に例示される。
すなわち、本発明は、LCDのBMとなるフォトレジスト(感光材料)の露光、LCDの透明電極画素層、TFT層、および蓄積コンデンサ層を作成するためのエッチングマスクを形成するためのフォトレジストの露光に、好適に利用される。
移動ステージ12は、基板Sを上面に載置/保持して、公知の手段で、所定の副走査方向(図中矢印y方向)に移動(基板Sを走査搬送)する。
図示例の露光装置10においては、空間(光)変調素子を用いて記録光を変調して、所定の露光位置に入射させるスキャナ18を固定して、基板Sを載置する移動ステージ12を副走査方向に移動することにより、基板Sと空間変調素子(空間変調素子によって変調した記録光を出射する光学系)とを相対的に走査する。すなわち、本例においては、この副走査方向が空間変調素子と基板Sとの相対的な走査方向となる。
なお、本発明は、これに限定はされず、基板Sを保持するステージ12を固定して、スキャナ18(図示例においては、スキャナ18を保持するゲート16)を移動することにより、基板Sと空間変調素子とを相対的に走査してもよい。
また、基板Sの走査搬送は、移動ステージ12を移動する方法に限定はされず、搬送ローラ対を用いる方法や、基板Sを巻き掛けて保持するドラムを利用する方法等、公知のシート状物の走査搬送方法が、全て利用可能である。
移動ステージ12は、定盤14上に装填される。
定盤14は、複数の脚部24によって支持された、高度な寸法精度および平面性(特に、移動ステージ12を載置する上面)を有する定盤(いわゆる光学定盤)である。
定盤14の上面には、長尺なガイドレール20が長手方向を副走査方向に一致して配置される。図示例において、ガイドレール20は、副走査方向と直交する主走査方向(図中矢印x方向)に離間して、2本が配置される。
移動ステージ12は、この2本のガイドレール20に係合して定盤14上の所定位置に載置され、公知の移動方法で副走査方向に移動(往復移動)される。
定盤14の副走査方向の略中央部には、2本のガイドレール20を主走査方向に跨ぐように、ゲート16が固定される。
このゲート16の副走査方向の一方の側面にはカメラ22が、他方の側面にはスキャナ18が固定される。
カメラ22は、基板Sに形成されるアライメントマークを検出するためのカメラで、例えば、CCDセンサを用いてアライメントマークを撮像して検出する。
図示例の露光装置10においては、主走査方向に離間した所定の位置に2台のカメラ22が配置される。
スキャナ18は、空間変調素子であるDMD(Digital Micromirror Device TM)を用いて基板Sを描画パターンに応じて画像様に露光して描画する、露光ヘッド26を位置決めして保持する。
図示例の露光装置10においては、スキャナ18は、計10個の露光ヘッド26(26a〜26j)を保持しており、各露光ヘッド26を主走査方向および副走査方向に千鳥格子状に配列して、5個を主走査方向に配列してなる露光ヘッド26の列を、副走査方向に並べて2列有する。
図2に示すように、露光ヘッド26は、集光ロッド30、DMD32、第1結像光学レンズ34および38、第2結像光学レンズ40および42、マイクロレンズアレイ46、マイクロアパーチャアレイ48および50等を有して構成されるものである。
図2に示すように、露光装置10には、光源ユニット54が設けられる。光源ユニット54は、複数の半導体レーザから出射したレーザ光を合波して、このレーザ光を、光ファイバ56によって各露光ヘッド26の集光ロッド30に、集光レンズ57を介して導入する。
集光ロッド30に導入されたレーザ光Lは、コリメートレンズ59を経て、反射ミラー58によって所定の方向に反射され、DMD32の全面(全てのマイクロミラー64)に照射される。
図3に模式的に示すように、DMD32は、SRAMセル(メモリセル)62上に、個々の画素(ピクセル)を形成するマイクロミラー(微小ミラー)64が、多数、二次元的に格子状に配列されてなる二次元空間(光)変調素子である。
各画素を構成するマイクロミラー64は、裏面(光反射面の逆面)の中央において支柱で支えられており、表面には、アルミニウム等の反射率の高い材料が蒸着されている。
DMD32は、SRAMセル62にデジタル信号(画像信号)が書き込まれると、図4に模式的に示すように、支柱に支えられたマイクロミラー64が、対角線を中心として±α°(例えば、±12°)の範囲で傾斜される。なお、図4において、(A)はマイクロミラーがon(基板Sを露光)状態である+α°傾斜した状態を示し、(B)はマイクロミラー64がoff(基板Sを非露光)状態である−α°傾斜した状態を示す。
DMD36には、制御ユニット68が接続されている。
制御ユニット68は、基板Sに記録する画像に応じた画像データに応じて、DMD32のマイクロミラー64の傾きを、各マイクロミラー64(すなわちDMD32の各画素)毎に独立にon状態またはoff状態に制御する。これにより、DMD32に入射したレーザ光Lは、入射したマイクロミラー64の傾きに応じて反射され、個々のマイクロミラー64を単位として記録する画像に応じて各画素毎に変調されたレーザ光Lとされる。
on状態のマイクロミラー64によるレーザ光Lの射出方向には、このレーザ光Lを基板Sに導く、後述する光学系が配置されている。他方、off状態のマイクロミラー64によるレーザ光Lの射出方向には、図示しない光吸収体が配置され、露光に寄与しないレーザ光Lは、此処で遮光/吸収される。
従って、DMD32に入射したレーザ光Lは、制御ユニット68に入力された画像データに応じて、DMD32の個々のマイクロミラー64すなわち画素を単位として、onまたはoffが制御され、on状態のマイクロミラー64に反射されて基板Sに入射したレーザ光によって、基板Sがドット状に露光されることにより、画像データに応じた画像が基板Sに記録(描画)される。
on状態のマイクロミラー64によって反射されたレーザ光Lの射出先には、レーザ光Lを適正に基板Sに結像するための光学系が配置されている。
すなわち、on状態のマイクロミラー64によって反射されたレーザ光Lの光路には、レーザ光Lの進行方向にしたがって、拡大光学系である第1結像レンズ34および38、DMD32の各マイクロミラー64に対応する多数のレンズを配列してなるマイクロレンズアレー46、および、ズーム光学系である第2結像光学レンズ40および42が配置されている。また、マイクロレンズアレイ46の前後(レーザ光L進行方向の直上下流)には、迷光を除去すると共に、レーザ光Lを所定の径に調整するためのマイクロアパーチャアレイ48および50が配置されている。
前述のように、スキャナ18は、計10個の露光ヘッド26(26a〜26j)を保持しており、図5に示すように、5個を主走査方向に配列してなる露光ヘッド26の列を、副走査方向に並べて2列有している。また、両露光ヘッド26の列は、主走査方向に、若干、ズレており、各露光ヘッド26は千鳥格子状に配列されている。
各露光ヘッド26が有するDMD32は、基板Sに記録する画像(画素)の高密度化を図るために、図6および図7に示すように、マイクロミラー64(すなわち画素)の配列方向を、副走査方向および主走査方向(y方向およびx方向)に対して、所定の角度だけ傾けて配置されている。これに伴い、基板S上に照射されるDMD32の各マイクロミラー64によるレーザ光Lの照射位置(記録位置)の配列も、副走査方向および主走査方向に対して、前記所定角度だけ傾いて形成される。なお、図6においては、作用を分かり易くするために、各マイクロミラー64を、基板Sに入射するレーザ光Lに対応する円で示している。
これにより、主走査方向に対する、DMD32の各マイクロミラー64によるレーザ光の照射位置の間隔(主走査方向の記録ピッチPx)が狭くなり、主走査方向の解像度(記録密度)を向上することができる。
副走査方向の記録ピッチは、基板Sの走査速度すなわち移動ステージ12の移動速度、および/または、DMD32の駆動速度(変調速度)を調整することで、調整可能であるのは、前述のとおりである。
なお、図6に示す例においては、DMD32の各マイクロミラー64に反射されて基板Sに入射するレーザ光が、主走査方向に重ならないように、DMD32を傾けているが、本発明は、これに限定はされない。
すなわち、より大きな角度でDMD32を傾けて、各マイクロミラー64に反射されて基板Sに入射するレーザ光を主走査方向で重ねて、同じ位置を異なるマイクロミラー64で露光する、いわゆる多重露光を行なうようにしてもよい。
また、図7に示すように、各露光ヘッド26(26a〜26j)による基板S上における露光エリア70(70a〜70j)は、各露光エリア70間に未露光の領域が生じないように、主走査方向で隣り合う露光ヘッド26は、その露光エリア70の一部が主走査方向に互いに重なるように設定される。
図8に示すように、露光装置10は、移動ステージ12の位置を検出するためのエンコーダ72を有している。
また、前述のように、DMD32には、制御ユニット68が接続される。制御ユニット68は、露光装置10全体の動作を制御するものであって、エンコーダ72から出力される移動ステージ12の位置を示す位置データに基づいて同期信号を生成する同期信号生成部74と、生成された同期信号に基づいて移動ステージを副走査方向に移動させるステージ駆動部76と、基板Sに記録する画像データを記憶する画像データ記憶部78と、同期信号および画像データに基づいてDMD32のSRAMセル62を変調制御し、記録する画像に応じてマイクロミラー64を変調駆動させるDMD変調部80を有している。
また、制御ユニット68は、必要に応じて、画像データ記憶部78が記憶した画像データを基板S面内で回転して、マイクロミラー64を変調駆動させるDMD変調部80に供給する、画像回転部82を有している。
以下、露光装置10で基板Sを露光して描画を行なう際における基本的な作用を説明する。
露光装置10において、基板Sが移動ステージ12の所定位置に載置され、指示が出されると、例えば吸着によって移動ステージ12上に基板Sを固定する。なお、この状態では、移動ステージ12は、副走査方向のいずれか一方の端部(例えば、カメラ22側の端部)に移動している。
次いで、制御ユニット68のステージ駆動部76が、同期信号生成部74が生成した同期信号に応じて、移動ステージ12の移動駆動源を駆動して、移動ステージ12を副走査方向に所定の速度で移動する。移動ステージ12がゲート16を通過する際に、カメラ22によって基板Sのアライメントマークが撮影される。カメラによる撮影データは、制御ユニット68に送られ、制御ユニット68は、移動ステージ12の位置およびカメラ22による撮影位置(主走査方向および副走査方向の位置)を用いて、アライメントマークの位置を検出する。
移動ステージ12が、副走査方向の端部まで移動して、全てのアライメントマークの撮影が終了したら、制御ユニット68は、次いで、アライメントマークの位置データに基づいて、基板Sへの画像の記録位置等を補正する位置補正データを算出する。
位置補正データを算出したら、制御ユニット68は、同期信号生成部74が生成した同期信号に応じて、ステージ駆動部76が、副走査方向の逆端側に向けて所定速度での移動ステージ12の移動を開始させ、スキャナ18(各露光ユニット26)による基板Sへの露光(描画)を開始する。
これにより、光源ユニット54から射出されたレーザ光Lが、光ファイバ56を介して各露光ユニット26の集光ロッド30に導入され、ミラー58で反射されてDMD32に入射する。
一方、制御ユニット68においては、DMD変調部80が画像データ記憶部78から画像データを読み出す。
DMD変調部80は、画像データ、同期信号生成部74が生成する同期信号、および、先に算出した位置補正データに応じて、DMD32のSRAMセル62を変調制御し、記録する画像に応じてマイクロミラー64を変調駆動させる。これにより、DMD32の各マイクロミラー64(各画素)が、記録する画像に応じて変調駆動され、on/off制御される。
DMD32のon状態のマイクロミラー64によって反射されたレーザ光は、第1結像光学レンズ34および38によって拡大された後、マイクロアパーチャアレイ48−マイクロレンズアレイ46−マイクロアパーチャアレイ50の順で通過して、DMD32の個々のマイクロミラー64に対応するレーザ光L毎に、迷光を除去されると共に所定のビーム径に調整され、さらに、第2結像光学レンズ40および42によって、基板Sヘの露光(描画する画像)に対応する倍率に応じて拡大/縮小されて、基板Sに照射される。
ここで、前述のように、基板Sを載置する移動ステージ12は、副走査方向に所定の速度で移動しているので、基板Sは、画像データに応じて変調されたレーザ光Lによって、副走査方向に、順次、露光され、基板Sには、画像データに応じた画像が、副走査方向に、順次、描画される。また、露光ヘッド26は、10個が主走査方向に配列されているので、基板Sは、画像データに応じて変調されたレーザ光Lによって、二次元的に走査露光され、全面に画像を描画される。
ここで、通常、基板Sは長方形等の矩形であり、長辺および短辺のいずれかを副走査方向に一致して(平行にして)、移動ステージ12に載置される。また、基板Sヘの画像の露光も、画像の上下方向および横方向(画像の辺)が、副走査方向および主走査方向に一致(すなわち基板Sの辺と平行)するよう行なわれる。
これに対し、本発明の露光装置10においては、副走査方向(および主走査方向)と基板Sの辺(辺の延在方向)とを一致して移動ステージ12に基板Sを載置する第1載置位置と、図9に模式的に示すように、副走査方向に対して、基板Sの対向する2辺が所定の角度を有する状態で移動ステージ12に基板Sを載置(以下、「基板Sを傾けて載置」とする)する、第2載置位置とが設定されている。
露光装置10においては、通常は、第1載置位置に基板Sを載置して、描画する画像の上下方向および横方向が、主走査方向および副走査方向と一致する通常の露光(描画)を行なう。
これに対し、LCDのBMを形成するためのフォトレジストの露光(以下、BMの露光とする)、LCDの透明電極層を作成するためのマスクとなるフォトレジストの露光(以下、透明電極の露光とする)、LCDのTFT層を作成するためのマスクとなるフォトレジストの露光(以下、TFTの露光とする)、および、LCDの蓄積コンデンサ層を作成するためのマスクとなるフォトレジストの露光(以下、蓄積コンデンサの露光とする)を行なう際には、基板Sを傾けて載置する第2載置位置に載置して、かつ、図9に示すように、基板Sの辺と画像Iの上下方向および横方向とが平行となるように、露光を行なう。
すなわち、露光装置10において、BMの露光、透明電極の露光、TFTの露光、および、蓄積コンデンサの露光の露光を行なう際には、基板Sを傾けて載置し、かつ、この基板の傾きに応じて画像Iを回転して、基板Sの辺と、画像Iの上下方向および横方向とが、すなわち対象となるLCDの(表示)画面の上下方向および横方向とが、平行になるように、画像を露光する。従って、画像IすなわちLCDの画面(その上下方向および横方向(すなわち、画像の長手方向および短手方向))は、主走査方向および副走査方向に対しては角度を有する状態となるが、基板Sに対しては角度を有さない通常の画像として描画される。
なお、図9においては、1枚の基板Sに同じ画像I(同じ画像データの画像)を、4面、割り付けて露光しているが、本発明は、これに限定はされない。また、画像Iの割り付けは、例えば、制御ユニット68において、公知の方法で行なえばよい。
前述のようにDMD32等の空間変調素子を用いた画像露光、特に、空間変調素子の画素(マイクロミラー64)の配列方向を主走査方向および副走査方向に対して傾けて配置した画像露光では、空間変調素子の画素(基板Sに入射する各画素の光(ドット))が離散的で有るが故に、副走査方向と一致する(副走査方向に延在する)、直線状の画像を記録すると、線幅に誤差を生じ、繰り返しの描画パターンでは、線幅の変動(線幅のバラツキ)が生じてしまう。
そのため、主走査方向および副走査方向と、画像の上下方向および横方向とが一致する通常の露光方法で、BMの露光、透明電極の露光、TFTの露光、蓄積コンデンサの露光のように、主走査方向や副走査方向と一致する直線状のパターンを有し、かつ、この直線状のパターンが主走査方向や副走査方向に周期的に繰り返される画像を露光すると、線幅の違いの影響によって、様々な不都合を生じてしまう。
例えば、BMの露光を行なう際に、図10(A)に示すように、画面の上下方向を副走査方向(矢印y方向)に一致させると、画面の上下方向のBMの遮光部の幅に誤差を生じてしまう。その結果、一例として、a〜d示すような間隔の広い部分が、縦筋として認識される。また、1画素(1ピクセル)の中で線幅のバラツキが生じると、R(赤)、G(緑)およびB(青)各サブピクセルの開口面積に違いが生じて、その結果、画像の色バランスが崩れてしまい、周期的に色バランスが崩れる等の不都合が生じる。
他方、図10(B)に示すように、画面の上下方向を副走査方向と直交してBMの露光を行なうと、画面の横方向のBMの遮光部の幅に誤差を生じてしまう。その結果、一例として、aおよびb示すような間隔の広い部分が、横筋として認識される。
ITO(Indium Tin Oxide)等からなる透明電極の露光を行なう際に、上下方向および横方向の何れかを副走査方向に一致させると、副走査方向と一致するエッチングマスク(レジスト)の線幅が変動して、その結果、副走査方向と一致する直線状の描画パターンの線幅に変動を生じてしまう。透明電極の線幅変動に起因する画質劣化を防ぐためには、BMの窓(各サブピクセルとなる開口)を小さく設計する必要が有るため、開口率の低下が発生する。
例えば、図11に示すように、画面の横方向を副走査方向と一致して透明電極(点線)の露光を行なった際に、aおよびbのような線幅変動が生じた際には、その線幅変動に応じてBM(実線)の窓を小さくして、各画素間を等間隔とする必要があり、開口率が低下してしまう。その結果、より高いバックライト輝度が必要になる等の不都合が生じる。
TFTの露光を行なう際に、上下方向および横方向の何れかを副走査方向と一致させると、チャネルの寸法を決めるエッチングマスク(レジスト)が部分的に変動してしまう。その結果、トランジスタ閾値にズレが生じ、部分的な液晶の階調変動や無彩色の色味変動が生じる。
TFTのドレイン/ソース電流は、Gradual Channel近似式によって、非飽和領域は、
Ids:=Cox*μ*(W/L)*[(Vgs-Vth)*Vds-(1/2)*Vds2]
飽和領域は、
Ids:=Cox*μ*(W/L)*(Vgs-Vth)2
上記式において、Cox:単位堆積当たりのゲート絶縁膜容量; μ:移動度; W:TFTのチャネル幅; L:TFTのチャネル長; Vgs:ゲート−ソース間電圧; Vtf:TFTの閾値; Vds:ソース−ドレイン電圧; である。
多くの場合、TFTのチャネルは矩形であり、また、その長さ(L)および幅(W)方向は画面の上下方向(Gate線およびData線)と平行となる。
従って、図12に示すように、画面の上下方向と副走査方向とが一致する場合には、前記副走査方向の直線の線幅の違いによって、チャネル長Lにバラツキが生じてしまい、主走査方向の各サブピクセルでTFTのVgs/Ids特性が変動してしまう。何れの場合も、TFT特性の画面全体での均一性を損ない、表示ムラの原因となる。
なお、図12において、GはGate線、DはData線、Sはソース、Drはドレイン、Cはチャネル、Hはコンタクトホール、である。
また、TFTの露光において、画面の上下方向と主走査方向もしくは副走査方向とを一致させて露光を行なうと、Gate線およびData線のいずれかの線幅が変動してしまう。
線幅が狭い場合は、配線抵抗が増し、信号伝達時間が長くなり、信号遅延に起因する表示ムラが生じてしまう。また、ムラの無い表示を実現するためには、設計上、全ての配線を幅の変動が有っても十分な太さが確保できる太さにする必要がある。しかしながら、Gate線やData線を太くすると、その分だけ、LCDの開口率の低下を招き、より高いバックライト輝度が必要になる等の不都合が生じる。
図13に示すように、LCDにおいて、1画素を形成するサブピクセルSpは、通常、画面の上下方向に長尺な矩形であり、蓄積コンデンサCsは、サブピクセルSp内に形成されるサブピクセルと直交する方向に長尺な矩形である。
ここで、蓄積コンデンサの露光を行なう際に、図13に示すように、副走査方向と画面の横方向とを一致させると、副走査方向と一致する方向のエッチングマスク(レジスト)の線幅が変動して、その結果、蓄積コンデンサの主走査方向の幅が異なってしまい、図中に列aおよび列bで示すように、画面の横方向の各列において、蓄積コンデンサCsの上下方向のサイズが異なってしまう。
そのため、横方向の各列で、蓄積コンデンサCsの容量不足や容量過大が生じてしまい、その結果、横方向の各列で表示階調濃度が異なってしまい、横縞が視認されてしまう。
これに対し、本発明においては、BMの露光、透明電極の露光、TFTの露光、および、蓄積コンデンサの露光の露光を行なう際には、基板Sを傾けて載置すると共に、描画する画像の上下方向および横方向が、基板Sの辺と平行となるように、画像を回転して露光を行なう。すなわち、画像(LCDの画面)の上下方向および横方向と、露光装置10における主走査方向および副走査方向とを、一致させることなく、画像(描画パターン)を露光する。
従って、本発明においては、主走査方向および副走査方向に離散するDMD32(空間変調素子)の画素(基板Sに入射する各画素の光(光のドット)の配列方向と、画像Iにおける描画パターンの上下および横方向に繰り返し方向が一致しない。そのため、DMD32の画素の配列と、描画パターンの上下および横方向の繰り返し周期とが一致することが無いので、画素が離散することに起因する線幅の誤差を、大幅に低減できる。
その結果、本発明をLCDの製造における前記各種の露光に利用することにより、前述のような、BMの線幅の違いに起因するスジ状のムラ、透明電極の線幅の変動に起因するBM開口率の低下、チャネル長の変動に起因する表示ムラ、Gate線やData線の線幅の変動、蓄積コンデンサの面積変動に起因する縞の視認などの画質低下が無い、高品質のLCDを製造することができる。
本発明において、基板Sを傾ける角度(平面方向の回転角)、すなわち、副走査方向と、基板Sの副走査方向の辺(副走査方向に延在する辺)とが成す角度、すなわち、副走査方向と画像の上下方向もしくは方向とが成す角度、特に限定は無く、描画パターン等に応じて、適宜、設定すればよい。
具体的には、線幅の変動、あるいはさらにモアレやビートムラが認識し難い周波数となり、また、不規則に分散するような角度を、適宜、設定すればよい。
一例として、LCDのように、R,GおよびBのサブピクセルを有する表示装置を製造するための各種の露光を行なう際には、対応する表示装置において、図14に示すように、サブピクセルSpの上下方向の辺(すなわち画面の上下方向)と副走査方向とが成す角度をθとした際に、サブピクセルSpの上下方向の長さhとsinθとの積が、基板S上における主走査方向の画素ピッチPx(図6参照)よりも大きくなる角度θ以上、サブピクセルSpの上下方向の辺が副走査方向に対して傾くように、基板Sを傾けて載置すればよい。
すなわち、露光のピッチPx、サブピクセルの上下方向すなわち画像の上下方向と副走査方向とが成す角度θ、および、上下方向のサブピクセルの長さhが、下記式
h×sin(θ)>Px
を満たすように、基板Sを傾けて載置すればよい。
前述のように、露光装置10は、基板Sの辺を副走査方向に一致して移動ステージ12に載置する第1載置位置と、図9に模式的に示すように、副(主)走査方向に対して基板Sを傾けて移動ステージ12に載置する第2載置位置とが設定されている。
露光装置10においては、基板Sが第2載置位置に載置されたら、制御ユニット68の画像回転部88は、この第2載置位置における基板Sの角度(例えば、副走査方向と、画像の上下方向もしくは横方向とが成す角度)に応じて、画像の上下方向および横方向が、基板Sの辺と一致するように、画像データ記憶部78が記憶した画像データを回転(平面方向で回転)して、DMD変調部80に送る。
露光装置10において、これにより、図9に示すように、傾けて配置した基板Sの辺に対して、画像の上下方向および横方向を一致して画像を露光する。
なお、基板Sが第2載置位置に載置されたことの検出は、例えば、前述のカメラ22によるアライメントマークの検出で行なってもよく、あるいは、オペレータによる入力指示に応じて検出してもよい。
また、画像回転部82における画像の回転は、画素の並び替え等の公知の方法によればよい。
以上の例では、BMの露光、透明電極の露光、TFTの露光、および、蓄積コンデンサの露光の露光を行なう際に、基板Sを傾けて載置して、かつ、露光する画像を回転して、基板Sの辺と画像の上下および横方向とが一致するように露光を行なうことにより、主走査方向および副走査方向に対して角度をつけて画像を露光した。
しかしながら、本発明は、これに限定はされず、同様に、BMの露光、透明電極の露光、TFTの露光、および、蓄積コンデンサの露光の露光を行なう際に、図15に模式的に示すように、基板Sは通常の露光と同様に辺を副走査方向に一致して(平行にして)、移動ステージ12に載置し、画像Iのみを回転して、画像Iの上下方向および横方向、すなわち対象となるLCDの画面の上下および横方向と、主走査方向および副走査方向とが角度を有する状態となるように、露光(描画)を行なってもよい。
この態様においても、離散するDMD32(空間変調素子)の画素の配列方向と、画像Iにおける描画パターンの上下および横方向に繰り返し方向が一致しないので、画素の配列と、描画パターンの上下および横方向の繰り返し周期とが一致せず、画素が離散することに起因する線幅の誤差を、大幅に低減することができる。
なお、この態様において、露光装置10における、制御ユニット68の画像回転部88による画像の回転は、一例として、オペレータによる入力指示に応じて行なえばよい。
あるいは、制御ユニット68において画像データを解析して、パターン分析等によって描画する画像がBM、透明電極、TFT、および、蓄積コンデンサのいずれかに対応するか否かを判断し、上記4つのいずれかの露光を行なう事を知見したら、自動的に、画像回転部88による画像の回転を行なうようにしてもよい。
また、画像Iの回転量すなわち画像Iの上下および横方向と、副走査方向とが成す角度にも、特に限定は無いが、一例として、前記図14に示した方法に準ずればよい。
以上、本発明の露光方法および露光装置について詳細に説明したが、本発明は、上述の例に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行なってもよいのは、もちろんである。
例えば、図1に示す露光装置10は、空間変調素子としてDMD32を用いているが、本発明は、これに限定はされず、各種の空間変調素子が利用可能である。
例えば、DMDのような反射型空間光変調素子の他に、透過型空間光変調素子を使用することもできる。具体的には、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)タイプの空間変調素子(SLM;Special Light Modulator)や、電気光学効果により透過光を変調する光学素子(PLZT素子)や液晶光シャッタ(FLC)等の液晶シャッターアレイなど、MEMSタイプ以外の空間光変調素子を用いることも可能である。なお、MEMSとは、IC製造プロセスを基盤としてマイクロマシニング技術によるマイクロサイズのセンサ、アクチュエータ、そして制御回路を集積化した微細システムの総称であり、MEMSタイプの空間光変調素子とは、静電気力を利用した電気機械動作により駆動される空間光変調素子を意味している。さらに、GLV(Grating Light Valve)を複数ならべて二次元上に構成したものを用いることもできる。
また、本発明が対応する露光装置10の光源も、半導体レーザに限定はされず、露光対象となる基板に応じて、各種の光源が利用可能である。
さらに、以上の例においては、好ましい態様として、空間変調素子として、二次元的な画素の配列を有する二次元空間変調素子を用いているが、本発明は、これに限定はされず、画素の配列を1列のみ有する、一次元的な空間変調素子も利用可能である。
また、以上の例においては、BMの露光、透明電極の露光、TFTの露光、および、蓄積コンデンサの露光(表示装置構成部材の露光)を行なう際に、画像の上下方向および横方向(長手方向および短手方向)と、副走査方向(および主走査方向)とが一致しないように、露光を行なっている。
しかしながら、本発明は、これらの画像の露光に限定はされず、空間変調素子を用いるデジタルの画像露光、中でも特に図6に示すように二次元空間変調素子を傾けることで主走査方向の解像度を向上したデジタルの画像露光であって、描画する画像の上下方向および/または横方向に一致する(延在する)直線状の描画パターンを有する画像、中でも特に、この描画パターンが上下方向および/または横方向に繰り返される画像であれば、各種の画像の露光に利用可能である。
[実施例1]
長方形のガラス板にBM材料(カラーモザイクK膜 富士写真フイルム社製)を積層し、基板Sとした。この基板Sに、基本的に図1に示される露光装置10と同様の構成を有する、プリント配線板用のデジタル露光実験機(INPREX 富士写真フイルム社製)を用いて、32インチサイズのLCD用のBM層のパターンを露光した。
なお、BMパターンの露光は、LCDとした際の画面の横方向と副走査方向(すなわち、上下方向と主走査方向も)とが一致するように行なった。
露光したBM材料を現像し、基板Sに形成したBMパターンを目視検査した。その結果、表示画面の向きに置いた際に、横方向にスジ状のムラが認められ、このBMを組み込んだLCDにおいても、このスジ状のムラが画像の表示品質を劣化させるものであることが、容易に推測できた。
他方、画像を回転して、LCDとした際の画面の横方向を副走査方向に対して12°傾けて露光を行なった以外は、先と全く同様にして、基板SにBMパターンを形成した。
得られたBMパターンを目視検査した結果、表示画面の向きに置いた際に、上下方向および横方向共に、スジ状のムラ等は認められず、このBMを組み込んだLCDの表示品質を劣化させることは無いことが確認できた。
[実施例2]
300×400mmのガラス板を2枚、準備した。
このガラス板に、透明電極層となるITO膜をスパッタリングで3000Å成膜し、その上に、ノボラック系のフォトレジスト(FMTR−2913 富士エレクトリックマテリアルズ社製)を1.5μmの厚さとなるようにスリットコートし、さらにスピンコートによって一様に塗布した。次いで、120℃でプリベークを行なって、フォトレジストを乾燥、硬化してフォトレジスト層を形成し、基板Sとした。
この基板Sに、実施例1と同じデジタル露光実験機を用いて、10.4インチのLCD用の透明電極層を形成するためのパターンを2面露光した。なお、基板の1枚は、LCDとした際の画面の横方向と副走査方向(すなわち、上下方向と主走査方向も)とが一致するように露光を行い、他の1枚は、画像を回転して、LCDとした際の画面の横方向を副走査方向に対して12°傾けて露光を行なった。
次いで、フォトレジストを現像して、塩酸系のウエットエッチング液によってITO膜のエッチングを行なって、LCDの透明電極層となるITOパターンを形成した。
形成したITOパターンを光学顕微鏡で観察したところ、画面の横方向と副走査方向とを一致して露光を行なったITOパターンには、横方向に、約1μmの周期で、最大で約0.5μmの凹凸が確認された。
他方、画面の横方向を副走査方向に対して12°傾けて露光を行なったITOパターンを同様に観察したところ、凹凸の大きさが最大で約0.3μmであった。
[実施例3]
実施例2と同様のガラス板を2枚、準備した。
このガラス板に、TFT層となるMo合金膜をスパッタリングによって、4000Å成膜し、その上に、実施例2と同様にしてフォトレジスト層(1.5μm)を形成して、基板Sとした。
この基板Sに、実施例1と同じデジタル露光実験機を用いて、32インチのLCD用のTFT層を形成するためのパターンを6面露光した。なお、基板の1枚は、LCDとした際の画面の横方向と副走査方向(すなわち、上下方向と主走査方向も)とが一致するように露光を行い、他の1枚は、画像を回転して、LCDとした際の画面の横方向を副走査方向に対して12°傾けて露光を行なった。
次いで、フォトレジストを現像して、ドライエッチングの一種である反応性イオンエッチング(Reactive Ion Etching;RIE)によってMo合金膜のエッチングを行なって、LCDのTFT層を形成した。
形成したTFT層について、Vgs−Ids特性を検査した。
その結果、画面の横方向と副走査方向とを一致して露光を行なったTFT層では、周期的にVgs−Ids特性にズレが生じ、LCDとした際に、明らかに表示ムラとして視認されることが、容易に推測できた。
他方、画面の横方向を副走査方向に対して12°傾けて露光を行なったTFT層には、Vgs−Ids特性にズレは認められず、LCDの表示品質を劣化させることは無いことが確認できた。
[実施例4]
実施例2と同様のガラス板を準備した。
このガラス板に、蓄積コンデンサとなるMo合金膜をスパッタリングによって、4000Å成膜し、その上に、実施例2と同様にしてフォトレジスト層(厚さ1.5μm)を形成して、基板Sとした。
この基板Sに、実施例1と同じデジタル露光実験機を用いて、10個の蓄積コンデンサを形成するためのパターンを露光した。なお、蓄積コンデンサの内の5個は、LCDとした際の画面の横方向と副走査方向(すなわち、上下方向と主走査方向も)とが一致するように露光を行い、残りの5個は、画像を回転して、LCDとした際の画面の横方向を副走査方向に対して12°傾けた状態として露光を行なった。
次いで、フォトレジストを現像して、ドライエッチングの一種である反応性イオンエッチング(Reactive Ion Etching;RIE)によってMo合金膜のエッチングを行なって、10個の蓄積コンデンサを形成した。
形成した蓄積コンデンサの容量バラツキを検査した。
その結果、画面の横方向と副走査方向とを一致して露光を行なった蓄積コンデンサでは、面積変動が大きく、コンデンサの容量にバラツキが認められたが、画面の横方向を副走査方向に対して12°傾けて露光を行なった蓄積コンデンサには、面積変動は認められなかった。
以上の結果より、本発明の効果は明らかである。
本発明の露光装置の一例の概略斜視図である。 図1に示す露光装置の露光ユニットの概念図である。 DMDを説明するための概略斜視図である。 (A)および(B)は、DMDの作用を説明するための概念図である。 図1に示す露光装置による露光を説明するための概念図である。 図1に示す露光装置でのDMDの配置を説明するための概念図である。 図1に示す露光装置による露光を説明するための概念図である。 図1に示す露光装置の制御ユニットのブロック図である。 本発明の露光方法を説明するための概念図である。 (A)および(B)は、従来の露光方法におけるブラックマトリクス層の露光の問題点を説明するための概念図である。 従来の露光方法における透明電極層の露光の問題点を説明するための概念図である。 従来の露光方法におけるTFT層の露光の問題点を説明するための概念図である。 従来の露光方法における蓄積コンデンサ層の露光の問題点を説明するための概念図である。 本発明の露光方法を説明するための概念図である。 本発明の露光方法の別の説明するための概念図である。
符号の説明
10 露光装置
12 移動ステージ
14 定盤
16 ゲート
18 スキャナ
20 ガイドレール
22 カメラ
26 露光ユニット
30 集光ロッド
32 DMD
34,38 第1結像光学レンズ
40,42 第2結像光学レンズ
46 マイクロレンズアレイ
48,50 アパーチャアレイ
54 光源ユニット
56 光ファイバ
58 反射ミラー
62 SRAMセル
64 マイクロミラー
68 制御ユニット
70 露光エリア
72 エンコーダ
74 同期信号生成部
76 ステージ駆動部
78 画像データ記憶部
80 DMD駆動部
82 画像回転部

Claims (14)

  1. 空間変調素子と基板とを所定の方向に相対的に走査しつつ、記録する画像に応じて前記空間変調素子の画素を変調して駆動することにより、前記基板を露光して描画を行なうに際し、
    前記走査方向と前記基板に露光する画像の上下方向および横方向とを一致させないで描画を行なうことを特徴とする露光方法。
  2. 前記空間変調素子が、正方格子状に画素が配列された二次元空間変調素子である請求項1に記載の露光方法。
  3. 前記走査方向に対して、前記画素の配列が角度を有するよう前記空間変調素子が配置される請求項1または2に記載の露光方法。
  4. 前記基板の辺と走査方向とが一致しない状態で、前記基板と空間変調素子とを相対的に走査し、かつ、前記画像の上下方向および横方向と前記基板の辺とが平行となるように画像を回転して露光を行なうことにより、
    前記走査方向と前記基板に露光する画像の上下方向および横方向とが一致しないように描画を行なう求項1〜3のいずれかに記載の露光方法。
  5. 前記基板の辺と前記走査方向とを一致させた状態で、前記基板と空間変調素子とを相対的に走査し、かつ、前記画像の上下方向および横方向と前記基板の辺とが角度を有するように画像を回転して露光を行なうことにより、
    前記走査方向と前記基板に露光する画像の上下方向および横方向とが一致しないように描画を行なう求項1〜3のいずれかに記載の露光方法。
  6. 前記画像がR,GおよびBのサブピクセルを有するカラー表示装置の製造に対応するものであり、
    前記基板上における前記走査方向と直交する方向の露光のピッチをPx; 基板に露光する画像の上下方向と前記走査方向とが成す角度をθ; 基板に露光する画像の上下方向のサブピクセルの長さをh; とした際に、下記式
    h×sin(θ)>Px
    を満たす請求項1〜5のいずれかに記載の露光方法。
  7. 液晶表示装置のブラックマトリクスパターンの露光、液晶表示装置の透明電極層を作成するためのレジスト層の露光、液晶表示装置のTFT層を作成するためのレジスト層の露光、液晶表示装置の蓄積コンデンサ層を作成するためのレジスト層の露光の1以上を行なう請求項1〜6のいずれかに記載の露光方法。
  8. 空間変調素子によって、基板に画像を露光する露光装置であって、
    所定の走査方向に前記基板と空間変調素子とを相対的に移動する走査手段と、前記空間変調素子によって露光する画像を基板内で回転する回転手段とを有し、
    必要に応じて、前記基板に露光する画像の上下方向および横方向と前記走査方向とが一致しないように、前記回転手段が基板に露光する画像を回転して、前記空間変調素子による露光を行なうことを特徴とする露光装置。
  9. 前記空間変調素子が、正方格子状に画素が配列された二次元空間変調素子である請求項8に記載の露光装置。
  10. 前記走査方向に対して、前記画素の配列が角度を有するよう前記空間変調素子が配置される請求項8または9に記載の露光装置。
  11. カラー液晶表示装置のブラックマトリクスパターンの露光、カラー液晶表示装置の透明電極層を作成するためのレジスト層の露光、カラー液晶表示装置のTFT層を作成するためのレジスト層の露光、カラー液晶表示装置の蓄積コンデンサ層を作成するためのレジスト層の露光のいずれかを行なう際に、前記回転手段が画像の回転を行う請求項8〜10のいずれかに記載の露光装置。
  12. 前記走査方向と基板の辺とが一致する状態で基板を装填する第1装填位置と、前記走査方向と基板の辺とが一致しない状態で基板を装填する第2装填位置とが設定されており、この第2装填位置に基板が装填された際に、前記回転手段が基板に露光する画像を回転して、前記空間変調素子による露光を行なう請求項8〜11のいずれかに記載の露光装置。
  13. 空間変調素子と基板とを所定の方向に相対的に走査しつつ、矩形状の表示装置構成部材として記録する画像に応じて前記空間変調素子の画素を変調して駆動することにより、前記基板を露光して描画を行なうに際し、
    前記走査方向と前記基板に露光する画像の長手方向および短手方向をと一致させないで描画を行なうことを特徴とする露光方法。
  14. 空間変調素子によって、矩形状の表示装置構成部材として、基板に画像を露光する露光装置であって、
    所定の走査方向に前記基板と空間変調素子とを相対的に移動する走査手段と、前記空間変調素子によって露光する画像を基板内で回転する回転手段とを有し、
    必要に応じて、前記基板に露光する画像の長手方向および短手方向と前記走査方向とが一致しないように、前記回転手段が基板に露光する画像を回転して、前記空間変調素子による露光を行なうことを特徴とする露光装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2011107570A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2012038759A (ja) * 2010-08-03 2012-02-23 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置及び露光方法並びに表示用パネル基板製造装置及び表示用パネル基板の製造方法
JP2013235278A (ja) * 2013-06-12 2013-11-21 Nikon Corp 表示素子の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011107570A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2012038759A (ja) * 2010-08-03 2012-02-23 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置及び露光方法並びに表示用パネル基板製造装置及び表示用パネル基板の製造方法
JP2013235278A (ja) * 2013-06-12 2013-11-21 Nikon Corp 表示素子の製造方法

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