JP5344176B2 - 鉄サラン錯体触媒を用いた光学活性スルホキシド化合物の製造法 - Google Patents

鉄サラン錯体触媒を用いた光学活性スルホキシド化合物の製造法 Download PDF

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Description

本発明は、スルフィド化合物を、光学活性鉄サラン錯体触媒の存在下、不斉酸化することを特徴とする光学活性なスルホキシド化合物の製造法に関する。
光学活性なスルホキシド化合物は、不斉合成における不斉補助剤として重要な中間体である。
光学活性なスルホキシド化合物は、光学活性なアリルアルコール誘導体合成の不斉補助剤として使用されている（例えば、特許文献１参照。）。又、光学活性なスルホキシド化合物は、種々の光学活性化合物合成の不斉補助剤として使用されている（例えば、非特許文献１及び２参照。）。
さらに、光学活性なスルホキシド化合物部位をもつ医薬品も数多く開発されており、スルフィド化合物を不斉酸化して光学活性なスルホキシド化合物とする技術は医薬品の製造法としても有用である。
スルフィド化合物から、光学活性なスルホキシド化合物を製造する方法としては、チタン−酒石酸エステルを触媒に使用する反応（例えば、非特許文献３及び４参照。）、チタン−光学活性ビナフトールを触媒に使用する反応（例えば、非特許文献５及び６参照。）、メタロポルフィリン錯体を触媒に使用する反応（例えば、非特許文献７及び８参照。）、メタロサレン錯体を触媒に使用する反応（例えば、非特許文献９、１０、及び１１参照。）等が知られている。
さらに近年では、酸化剤として過酸化水素水を用いる方法が盛んに研究されている。たとえば、酸化剤の過酸化水素を用いて、バナジウム錯体を触媒に使用する反応（例えば、非特許文献１２、１３、１４，１５及び１６参照。）、鉄錯体を触媒に使用する反応（例えば、非特許文献１７、１８及び１９参照。）、タングステン錯体を触媒に使用する反応（例えば、非特許文献２０参照。）などが知られている。
特開平７−８２１９５号公報 Ｃｈｅｍ．Ｉｎｄ．１５，６３６（１９９４） Ａｃｃ．Ｃｈｅｍ．Ｒｅｓ．２０，７２（１９８７） Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１０６，８１８８（１９８４） Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．６０，８０８６（１９９５） Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．３３，５３９１（１９９２） Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．５８，４５２９（１９９３） Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．２３，１６８５（１９８２） Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．５５，３６２８（１９９０） Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．１４８３（１９８６） Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．３３，７１１１（１９９２） Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．３５，１８８７（１９９４） Ｓｙｎｌｅｔｔ，１０５５−１０６０（２００２） Ｓｙｎｌｅｔｔ，１６１−１６３（２００２） Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．５，１３１７−１３２０（２００３） Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ，６９，８５００−８５０３（２００４） Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ，Ｅｄ．，４４，７２２１−７２２３（２００５） Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ，Ｅｄ．，４２，５４８７−５４８９（２００３） Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ，Ｅｄ．，４３，４２２５−４２２８（２００４） Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．，１１，１０８６−１０９２（２００５） Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ａｓｙｍｍｅｔｒｙ，１４，４０７−４１０（２００３）
上記の方法は、いずれも光学活性な金属錯体を触媒として使用した反応であり、大変効率の良い方法である。特に酸化剤として過酸化水素水を用いる反応は、操作性、安全性に優れており、原子利用率（アトムエコノミー）の観点からも優れた反応であるといえる。
しかしながら、上記の過酸化水素を用いた不斉反応においては、いずれも有機溶媒が必須であり、しかも多くの例で環境への負荷の大きい塩化メチレンやクロロホルムが用いられている。
本発明者は、不斉スルフィド酸化反応について鋭意検討を重ねた結果、新規な金属錯体である光学活性鉄サラン錯体を見出し、さらに同錯体を触媒として使用することにより、有機溶媒を使用せず水を溶媒として、高収率、高立体選択的にスルフィドの不斉酸化反応が進行することを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、
１．式（１）、式（１’）、式（２）、又は式（２’）
Figure 0005344176
 ｛式（１）、式（１’）、式（２）、及び式（２’）中、
Ｒ１は、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−４アルキル基、Ｃ１−４アルコキシ基、Ｃ６−１２アリールオキシ基又はＣ６−２２アリール基［該アリール基は、無置換であるか、又はＣ１−４アルキル基（該アルキル基は、無置換であるか、またはハロゲン原子で任意に置換されている。）、もしくはＣ１−４アルコキシ基（該アルコキシ基は、無置換であるか、又はＣ６−１２アリール基で置換されている。）で置換されており、該Ｃ６−２２アリール基が式（２）、及び式（２’）中の芳香環と軸不斉を形成する場合は、該軸不斉は光学活性でも光学不活性でも良い。］であり、
Ｒ２は、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−４アルキル基、Ｃ１−４アルコキシ基、Ｃ６−１２アリールオキシ基又はＣ６−１２アリール基であり、
Ｒ３は、Ｃ１−４アルキル基、Ｃ６−１８アリール基又は、２つのＲ３が一緒になって環を形成するＣ３−５の二価の基であり、
Ｒ４は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−４アルキル基、Ｃ１−４アルコキシ基、ニトロ基又はシアノ基であり、
Ｒ５は、水素原子又はＣ１−４アルキル基であり、
Ｍは鉄原子であり、
Ｘは、Ｍとイオン対を形成しうる陰イオンを意味する。｝
で表される光学活性金属錯体の存在下、
式（３）
Figure 0005344176
 ［式中、Ｒ６及びＲ７は、相異なり、それぞれＣ６−１２アリール基、Ｃ６−１２アリールメチル基（該Ｃ６−１２アリール基及びＣ６−１２アリールメチル基は、置換されていないか、又はハロゲン原子、Ｃ１−４アルキル基、Ｃ１−４アルコキシ基、Ｃ２−５アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ２−５アルコキシカルボニル基、ニトロ基、もしくはシアノ基によって置換されている。）、Ｃ１−６アルキル基（該Ｃ１−６アルキル基は、置換さ
れていないか、又はハロゲン原子、ニトロ基、ヒドロキシル基、もしくはシアノ基によって置換されている。）であるか、Ｒ６がＣ６−１２アリール基でありそのオルト位にＣ１−４アルキル基もしくはＣ１−４アルコキシ基が置換されており、その際、Ｒ７は該置換基と結合して硫黄原子を含む縮合環を形成するＣ２−４の二価の基であってもよい。］で表されるスルフィド化合物を、酸化剤で不斉酸化することを特徴とする、式（４）
Figure 0005344176
 （式中、Ｒ６及びＲ７は、式（３）において定義されたのと同様の意味を有し、及び
＊で示される硫黄原子の絶対配置は、Ｒ又はＳである。）
で表される光学活性スルホキシド化合物の製造法。
２．
１．記載の式（１）、式（１’）、式（２）、又は式（２’）で表される光学活性金属錯体の存在下、式（５）
Figure 0005344176
 （式中、Ｒ6及びＲ7は、式（３）において定義されたのと同様の意味を有する。）
で表されるラセミ体のもしくは光学純度の低いスルホキシド化合物のうちの一方の光学異性体を酸化剤を用いた選択的酸化により式（６）
Figure 0005344176
 （式中、Ｒ6及びＲ7は、式（５）において定義されたのと同様の意味を有する。）
で表されるスルホン化合物に転換し、これにより速度論的に、式（４）
Figure 0005344176
 （式中、Ｒ6及びＲ7は、式（６）において定義されたのと同様の意味を有し、及び＊で示される硫黄原子の絶対配置は、Ｒ又はＳである。）
で表される光学活性スルホキシド化合物を得ることを特徴とする、光学活性スルホキシド化合物の製造法。
３．
Ｒ６が、Ｃ６−１２アリール基又はＣ６−１２アリールメチル基（該Ｃ６−１２アリール基及びＣ６−１２アリールメチル基は、置換されていないか、又はハロゲン原子、Ｃ１−４アルキル基、Ｃ１−４アルコキシ基、Ｃ２−５アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ２−５アルコキシカルボニル基、ニトロ基、もしくはシアノ基によって置換されている）であり、Ｒ７が、Ｃ１−４アルキル基であるか、又はＲ６がＣ６−１２アリール基でありそのオルト位にＣ１−４アルキル基もしくはＣ１−４アルコキシ基が置換されており、その際、Ｒ７が該置換基と結合して硫黄原子を含む縮合環を形成するＣ２−４の二価の基である、１．又は２．に記載の光学活性スルホキシド化合物の製造法。
４．
酸化剤として過酸化水素を用いる１．から３．のいずれか１項に記載の光学活性スルホキシド化合物の製造法。
５．
式（２）又は式（２’）中、
Ｒ１はＣ６−２２アリール基［該アリール基は、無置換であるか、又はＣ１−４アルキル基（該アルキル基は、無置換であるか、又はハロゲン原子で任意に置換されている。）、もしくはＣ１−４アルコキシ基（該アルコキシ基は、無置換であるか、又はＣ６−１２アリール基で置換されている。）で置換されており、該Ｃ６−２２アリール基が式（２）、又は式（２’）中の芳香環と軸不斉を形成する場合は、該軸不斉は光学活性でも光学不活性でも良い。］であり、
Ｒ ３は２つのＲ３が一緒になって環を形成するテトラメチレン基であり、
Ｒ４は水素原子であり、
Ｒ５は水素原子又はメチル基であり、
Ｘは塩素原子である
ところの光学活性金属錯体の存在下で、反応を行うことを特徴とする、１．から４．のい
ずれか１項に記載の光学活性スルホキシド化合物の製造法。
６．
Ｒ1が、式（２）、又は式（２’）中の芳香環と軸不斉を形成するアリール基であり、該軸不斉が光学活性であるところの光学活性金属錯体の存在下で反応を行う、５．に記載の光学活性スルホキシド化合物の製造法。
７．
Ｒ1が１−フェニルナフチル基であるところの光学活性金属錯体の存在下で反応を行う６．に記載の光学活性スルホキシド化合物の製造法を提供するものである。
また本発明は、
８．
式（７）
Figure 0005344176
 （式（７）中、
Ｒ3は、Ｃ1-4アルキル基、Ｃ6-18アリール基又は、２つのＲ3が一緒になって環を形成するＣ3-5の二価の基であり、
Ｒ5は、水素原子又はＣ1-4アルキル基であり、
Ｍは鉄原子であり、
Ｘは、Ｍとイオン対を形成しうる陰イオンを意味する。）で表され、ビナフチル骨格が光学活性または光学不活性な光学活性金属錯体、またはそのエナンチオマーを提供するものである。
本発明の方法によれば、式（３）で表されるスルフィド化合物を、式（１）、式（１’）、式（２）、又は式（２’）で表される光学活性鉄錯体の存在下、酸化剤を用い酸化することにより、有機溶媒を用いず水溶媒を用いて、式（４）で表される光学活性スルホキシド化合物を製造することができる。
また、本発明の方法によれば、式（１）、式（１’）、式（２）、又は式（２’）で表される光学活性金属錯体の存在下、式（５）で表されるスルホキシド化合物のうちの一方の光学異性体を酸化剤を用いた選択的酸化により式（６）で表されるスルホン化合物に転換し、これにより速度論的に、式（４）で表される光学活性スルホキシド化合物を得る反応も、溶媒として有機溶媒を用いず水溶媒を使用して効率良く為すことができる。
本発明の一つの態様は、上記式（１）、（１’）、（２）又は（２’）で表される光学活性金属錯体の存在下、式（３）で表されるスルフィド化合物を酸化剤で不斉酸化することにより、式（４）で表される光学活性スルホキシド化合物を製造する方法に関するが、その不斉酸化の際、式（４）で表される光学活性スルホキシド化合物のＲ体又はＳ体のどちらが優勢に生成するかは、反応基質の構造、反応に用いる光学活性金属錯体の構造あるいは溶媒の種類など、反応条件によって異なる。
また、本発明の別の態様は、上記式（１）、（１’）、（２）又は（２’）で表される光学活性金属錯体の存在下、式（５）で表されるラセミ体もしくは光学純度の低いスルホキシド化合物のうちの一方の光学異性体を酸化剤を用いて選択的に酸化してスルホン化合物とすることによって、式（４）で表される光学活性スルホキシド化合物を製造する方法に関するが、そのスルホン化合物への酸化において、スルホキシド化合物のＲ体又はＳ体のどちらが選択的に酸化されるかは、反応基質の構造、反応に用いる光学活性金属錯体の構造あるいは溶媒の種類など、反応条件によって異なる。而して、この態様の製造方法は、上記の選択的酸化により、原料のスルホキシド化合物のうちの一方の光学異性体を式（６）で表されるスルホン化合物に転換し、これにより速度論的に、つまり結果として原料の光学活性スルホキシド化合物の純度を所望の光学活性体が増加するように変化させることにより、（４）で表される光学活性スルホキシド化合物を得るものである。
以下、更に詳細に本発明を説明する。なお本発明において、「ｎ」はノルマルを、「ｉ」はイソを、「ｓ」または「ｓｅｃ」はセカンダリーを、「ｔ」または「ｔｅｒｔ」はターシャリーを、「ｃ」はシクロを、「ｏ」はオルトを、「ｍ」はメタを、「ｐ」はパラを、「Ｐｈ」はフェニルを意味する。
先ずＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｘについて説明する。
本発明におけるＣ1-4アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基，ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられる。好ましくは、メチル基、エチル基である。
Ｃ1-6アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｃ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｃ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｃ−ヘキシル基等が挙げられる。好ましくは、メチル基、エチル基である。
Ｃ1-4アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基，ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等が挙げられる。好ましくは、メトキシ基、エトキシ基である。
Ｃ2-5アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基，ｉ−プロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｉ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ｎ−アミルカルボニルオキシ基、ｉ−アミルカルボニルオキシ基、ネオペンチルカルボニルオキシ基等が挙げられる。好ましくは、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基である。
Ｃ2-5アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基，ｉ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｉ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−アミロキシカルボニル基、ｉ−アミロキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基等が挙げられる。好ましくは、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基である。
Ｃ6-12アリールオキシ基は、炭素数６から１２の芳香族炭化水素が置換したオキシ基であり、例としてフェニルオキシ基、２−メチルフェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、２−ビフェニリルオキシ基が挙げられる。好ましくは、フェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基である。
Ｃ6-22アリール基は炭素数６から２２の芳香族炭化水素であり、その中でも、フェニル基、２−メチルフェニル基、２−エチルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−ビフェニリル基、２−フェニル−１−ナフチル基、２−（ｍ−ビフェニリル）−１−ナフチル基、２−（ｐ−ビフェニリル）−１−ナフチル基（該２−フェニル−１−ナフチル基、２−（ｍ−ビフェニリル）−１−ナフチル基又は、２−（ｐ−ビフェニリル）−１−ナフチル基における軸不斉は、光学活性又は光学不活性である。）が好ましく、さらに好ましくは、フェニル基、２−メチルフェニル基、２−フェニル−１−ナフチル基である。
Ｃ6-18アリール基は炭素数６から１８の芳香族炭化水素であり、その中でも、フェニル基、２−メチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基が好ましく、さらに好ましくは、フェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基である。
Ｃ6-12アリール基は、炭素数６から１２の芳香族炭化水素であり、例としてフェニル基、２−メチルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−ビフェニリル基が挙げられる。好ましくは、フェニル基、２−ナフチル基である。
Ｃ6-12アリールメチル基とは炭素数６から１２の芳香族炭化水素が置換したメチル基であり、例として、ベンジル基、１'−メチルフェニルメチル基、１'−ナフチルメチル基、２'−ナフチルメチル基、２'−ビフェニルメチル基が挙げられる。
好ましくは、ベンジル基、１'−ナフチルメチル基である。
ハロゲン原子とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子である。
２つのＲ3が一緒になって環を形成する場合のＣ3-5の二価の基としては、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基が挙げられる。好ましくは、テトラメチレン基、ペンタメチレン基であり、さらに好ましくはテトラメチレン基である。
Ｒ6がＣ6-12アリール基でありそのオルト位にＣ1-4アルキル基もしくはＣ1-4アルコキシ基が置換している場合に、Ｒ7が該置換基と結合して硫黄原子を含む縮合環を形成するＣ2-4の二価の基としては、ジメチレン基、ジメチレンオキシ基、トリメチレン基、トリメチレンオキシ基、テトラメチレン基、テトラメチレンオキシ基等が挙げられる。好ましくは、ジメチレン基、ジメチレンオキシ基、トリメチレン基である。
Ｘの塩を形成しうる陰イオンとしては、ＯＨ-、Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＣＨ3ＣＯ2 -、ＰＦ6 -、ＣｌＯ4 -、ＢＦ4 -、ＣＯ3 2-、ＳＯ4 2-、ＰＯ4 3-等が挙げられる。
次に、不斉スルフィド酸化反応について説明する。
式（３）で表されるスルフィド化合物のうち、置換基Ｒ6とＲ7の組み合わせによる特に好ましいスルフィド化合物としては、メチル フェニル スルフィド、エチル フェニル スルフィド、メチル ｏ−トリル スルフィド、メチル ｐ−トリル スルフィド、メチル ｏ−ニトロフェニル スルフィド、メチル ｐ−ニトロフェニル スルフィド、メチル ｏ−クロルフェニル スルフィド、メチル ｐ−クロルフェニル スルフィド、メチル ｏ−ブロモフェニル スルフィド、メチル ｐ−ブロモフェニル スルフィド、メチル ｏ−メトキシフェニル スルフィド、メチル ｐ−メトキシフェニル スルフィド、エチル ｏ−ニトロフェニル スルフィド、メチル １−ナフチル スルフィド、メチル ２−ナフチル スルフィド、メチル ２−ピリジル スルフィド、メチル ベンジル スルフィド、エチル ベンジル スルフィド等が挙げられる。
酸化剤としては、ヨードシルベンゼン、ヨードシルメシチレン、ヨードソ安息香酸、次亜塩素酸ナトリウム、次亜塩素酸カルシウム、過酸化水素等が挙げられ、好ましくは過酸化水素が挙げられる。
酸化剤の使用量としては、式（１）のスルフィド化合物に対して１〜２０倍モルの範囲、好ましくは１〜１０倍モルの範囲がよい。
式（１）、式（１’）、式（２）、及び式（２’）で表される光学活性鉄錯体のうち、置換基の組み合わせによる特に好ましい触媒全体の構造としては下記の光学活性鉄錯体及びこれらのエナンチオマーが挙げられる。
Figure 0005344176
光学活性金属錯体の使用量としては、式（３）のスルフィド化合物に対して０．０１〜５０モル％の範囲、好ましくは、０．１〜１０モル％の範囲がよい。
反応溶媒としては、反応に関与しないものであれば特に制限はなく、例えば、水、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル等のニトリル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロルベンゼン、フルオロベンゼン、ｏ−ジクロルベンゼン等の芳香族炭化水素類、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−オクタン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジエチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタン等のエーテル類、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、イソブタノール、シクロヘキサノール等のアルコール類等が挙げられ、好ましくは、水が挙げられる。
水を溶媒として反応する場合は、水に無機塩もしくは有機塩を溶解させてもよい。
更に、これらの反応溶媒は、単独または組合せて使用することもできる。
酸化剤の添加方法としては、一括添加、分割添加又は連続添加が挙げられる。分割添加とは、用いる酸化剤を複数回に分けて添加する方法であり、分割は等分でも非等分でも良く、分割の回数は２〜１００回の範囲が好ましい。
酸化剤は固体で投入しても、溶媒に溶解させて投入しても良い。酸化剤として過酸化水素を用いる場合は水溶液として投入することが望ましい。その水溶液の濃度は必要に応じて選択できるが、０．１から７０質量％が好ましく、好ましくは、３から６０質量％、より好ましくは１０から４０質量％である。
反応温度としては、水溶媒以外の場合は、通常−５０℃〜６０℃の範囲、好ましくは−２０℃〜４０℃の範囲がよく、特に、溶媒が水の場合は、０℃〜４０℃の範囲がよい。
反応時間は、使用する式（３）のスルフィド化合物、式（１）、式（１’）、式（２）、及び式（２’）で表される光学活性金属錯体及び酸化剤の種類にもよるが、通常０．１から１０００時間であり、より一般的には０．１から９６時間である。
反応終了後は公知の方法により、目的とする光学活性スルホキシド化合物を単離することが出来る。単離方法の例としては、反応後の混合物から適当な溶媒により目的物を抽出し、溶媒を減圧濃縮して、シリカゲル等を用いたクロマトグラフィー、蒸留、又は晶析等の操作により、式（４）の光学活性スルホキシド化合物を得る方法などが挙げられる。
得られた目的物の光学純度は、光学活性クロマトグラフィー分析や旋光度分析によって測定することができる。
また、同様の金属錯体および反応系を用いて、ラセミのスルホキシド化合物を選択的にスルホン化合物へと酸化することができる。すなわち、動的速度論分割により、光学活性なスルホキシドを得ることができる。
以下、実施例により更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例１
Figure 0005344176
 サランリガンド（５）の合成
（Ｒ，Ｒ）−１，２−シクロヘキサンジアミン硫酸塩（２１２ｍｇ,１ｍｍｏｌ）と、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ５０，１１８２７−１１８３８（１９９４）記載の方法で合成された（ａＲ）−３−ホルミル−２−ヒドロキシ−２’−フェニル−１，１’−ビナフチル（７４８ｍｇ，２ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン／メタノール（３０ｍＬ／６ｍＬ）溶液に炭酸カリウム（１３８ｍｇ，１ｍｍｏｌ）を加えた。１０時間攪拌した後、水素化ホウ素ナトリウム（７６ｍｇ，２ｍｍｏｌ）を加えた。さらに５時間攪拌した後、塩化アンモニウム水溶液でクエンチし、酢酸エチルで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、セライトでろ過した。濾液を減圧下濃縮し、シリカゲルカラム（ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝１／１）でクロマトグラフィー精製することで、サランリガンド（５）を定量的に得た。
ＩＲ（ＫＢｒ）：３０５３，２９２８，２８５５，１６２６，１５９７，１４９９，１４３７，１３５４，１２５２，１１１３，８２２，７６０，７００ｃｍ-1；
1Ｈ ＮＭＲ：δ７．９８（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．３Ｈｚ），７．９０（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．３Ｈｚ），７．６８−７．５８（ｍ，４Ｈ），７．４１−６．９４（ｍ，２４Ｈ），４．００（ＡＢｑ，４Ｈ，Ｊ＝１４．３Ｈｚ），２．３４−２．２３（ｍ，２Ｈ），１．９３−１．８０（ｍ，２Ｈ），１．６０−１．４８（ｍ，２Ｈ），１．１９−１．０５（ｍ，２Ｈ），０．９６−０．８２（ｍ，２Ｈ）；
13Ｃ ＮＭＲ：δ１５３．２，１４２．１，１４０．０，１３４．１，１３２．９，１３２．８，１３１．４，１２８．７，１２７．９，１２７．８，１２３．６，１２７．３，１２７．０，１２６．４，１２６．３，１２６．０，１２５．８，１２５．５，１２５．１，１２４．８，１２２．７，１１９．３，５９．９，５０．５，３０．５，２４．１；
ＴＯＦＭＳ（ｔｉｍｅ−ｏｆ−ｆｌｉｇｈｔ ｍａｓｓ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ：飛行時間型質量分析装置）：［Ｃ60Ｈ50Ｎ2Ｏ2＋Ｈ+］計算値：ｍ／ｚ＝８３１．３９４５．実測値：ｍ／ｚ＝８３１．３９５０．
実施例２
サランリガンド（６）の合成
サランリガンド（５）(２１０ｍｇ，０．２５ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（５ｍＬ）溶液に３７％ホルムアルデヒド水溶液（０．２ｍＬ，２．４６ｍｍｏｌ）と酢酸（０．６ｍＬ）を室温下加えた。２０分間攪拌した後、水素化ホウ素ナトリウム（４７ｍｇ，１．２４ｍｍｏｌ）を加えた。さらに１２時間攪拌した後、減圧下アセトニトリルを留去し、残渣に２Ｍ水酸化ナトリウム水溶液（０．５ｍＬ）を加えた。酢酸エチルで抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。ろ過した後、溶液を減圧下濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝５／１）で精製し、サランリガンド（６）を得た（１５１ｍｇ，６９％）。
ＩＲ（ＫＢｒ）：３０５３，２９３０，２８５６，１６２６，１５９３，１５０１，１４６４，１４３５，１３４６，１２５０，１０２６，９４１，８２０，７５４，７００ｃｍ-1；
1Ｈ ＮＭＲ：δ７．８８（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝８．３Ｈｚ），７．６１−７．５０（ｍ，４Ｈ），７．４４−７．３６（ｍ，４Ｈ），７．３３−７．００（ｍ，１２Ｈ），６．９３（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．３Ｈｚ），６．７５−６．６７（ｍ，２Ｈ），６．６３−６．５５（ｍ，４Ｈ），３．９３（ＡＢｑ，４Ｈ，Ｊ＝１３．４Ｈｚ），２．７６−２．６６（ｍ，２Ｈ），２．０２−１．９４（ｍ，２Ｈ），１．９２（ｓ，６Ｈ），１．８４−１．７３（ｍ，２Ｈ），１．３１−１．０３（ｍ，４Ｈ）；
13Ｃ ＮＭＲ：δ１５３．６，１４０．５，１３４．２，１３３．０，１３２．７，１３１．８，１２８．４，１２８．３，１２７．８，１２７．６，１２７．４，１２７．３，１２６．８，１２６．６，１２５．８，１２５．７，１２５．１，１２４．８，１２３．８，１２２．４，１１８．９，６２．２，５９．４，３４．４，２５．６；
ＴＯＦＭＳ．［Ｃ62Ｈ54Ｎ2Ｏ2＋Ｈ+］計算値：ｍ／ｚ＝８５９．４２５８．実測値：ｍ／ｚ＝８５９．４２５８．
実施例３
サランリガンド（７）合成法
（Ｓ，Ｓ）−１，２−シクロヘキサンジアミン硫酸塩（２１２ｍｇ，１ｍｍｏｌ）と（ａＲ）−３−ホルミル−２−ヒドロキシ−２’−フェニル−１，１’−ビナフチル（７４８ｍｇ，２ｍｍｏｌ）から、サランリガンド（５）の合成法と同様の方法にてサランリガンド（７）を得た。
ＩＲ（ＫＢｒ）：３３１４，３０５１，２９３２，２８５５，１６２６，１５９７，１４９５，１４２９，１３５４，１２５２，１１１３，８２２，７６４，７４８，７００ｃｍ-1；
1Ｈ ＮＭＲ：δ７．９６（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．５Ｈｚ），７．８８（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．３Ｈｚ），７．７０（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．８Ｈｚ），７．６２（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．５Ｈｚ），７．４８（ｓ，２Ｈ），７．３９−７．３２（ｍ，２Ｈ），７．２８−６．９５（ｍ，２ＯＨ），４．１０（ＡＢｑ，４Ｈ，Ｊ＝１４．０Ｈｚ），２．１３−２．００（ｍ，２Ｈ），１．７４−１．５３（ｍ，４Ｈ），１．００−０．６７（ｍ，４Ｈ）；
13Ｃ ＮＭＲ：δ１５３．３，１４２．５，１３９．２，１３４．６，１３３．０，１３２．８，１３１．４，１２８．８，１２８．１，１２７．９，１２７．７，１２７．４，１２７．３，１２７．２，１２７．１，１２６．６，１２６．２，１２６．１，１２６．０，１２５．４，１２４．９，１２４．５，１２２．６，１１８．８，５８．０，４８．９，２９．６，２４．５；
ＴＯＦＭＳ．［Ｃ60Ｈ50Ｎ2Ｏ2＋Ｈ+］計算値：ｍ／ｚ＝８３１．３９４５．実測値：ｍ／ｚ＝８３１．３９４５．
実施例４
サランリガンド（８）合成法
サランリガンド（７）（８３１ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（３０ｍＬ）溶液に６０％油性水素化ナトリウム（８８ｍｇ，２．２ｍｍｏｌ）を０℃で加え、１時間攪拌した。ヨウ化メチル（１９０μＬ，３．１ｍｍｏｌ）を加え１時間攪拌した。塩化アンモニウム水溶液を加えてクエンチし、酢酸エチルで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、セライトろ過した。濾液を減圧下濃縮し、モノＮメチル化生成物を得た。
この生成物をアセトニトリルに溶解させ、３７％ホルムアルデヒド水溶液（０．８ｍＬ，１０ｍｍｏｌ）と酢酸（２．５ｍＬ）を加えた。２０分間攪拌した後、水素化ホウ素ナトリウム（１７０ｍｇ，４．５ｍｍｏｌ）を加え、１２時間攪拌した後、アセトニトリルを減圧下留去し、２Ｍ水酸化ナトリウム水溶液を加えた。酢酸エチルで抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。ろ過した後、溶液を減圧下濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝５／１）で精製し、サランリガンド（８）を得た（７８４ｍｇ，９１％）。
ＩＲ（ＫＢｒ）：３０５３，２９３０，２８５５，１６２４，１５９７，１４９７，１４３５，１３４０，１２５０，１０２８，９４１，８１９，７６０，７４６，７００ｃｍ-1；
1Ｈ ＮＭＲ：δ７．９５−７．８７（ｍ，４Ｈ），７．５９（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．５Ｈｚ），７．４９（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．８Ｈｚ），７．３９−６．８５（ｍ，２４Ｈ），３．９１（ＡＢｑ，４Ｈ，Ｊ＝１３．２Ｈｚ），２．７４−２．６２（ｍ，２Ｈ），２．０５（ｓ，６Ｈ），２．０１−１．６５（ｍ，４Ｈ），１．３３−０．９８（ｍ，４Ｈ）；
13Ｃ ＮＭＲ：δ１５３．２，１４２．１，１３９．８，１３３．９，１３３．０，１３２．７，１３１．７，１２８．７，１２８．２，１２８．１，１２７．７，１２７．６，１２７．５，１２７．３，１２６．９，１２６．６，１２６．０，１２．９，１２５．６，１２５．４，１２４．７，１２４．２，１２２．４，１１８．８，６２．７，５８．０，３５．０，２５．４；
ＴＯＦＭＳ．［Ｃ62Ｈ54Ｎ2Ｏ2＋Ｈ+］計算値：ｍ／ｚ＝８５９．４２５８．実測値：ｍ／ｚ＝８５９．４２３０．
実施例５
錯体調製法
リガンド（５）、（６）、（７）又は（８）（各０．２ｍｍｏｌ）のエタノール（３０ｍＬ）溶液に二塩化鉄（０．２ｍｍｏｌ）を室温下加え、１．５時間攪拌した後減圧濃縮した。濃縮物約２００ｍｇを直径３ｃｍ、長さ５ｃｍのフラッシュクロマトグラフィー（シリカゲル：塩化メチレン／メタノール＝１９／１）で精製することにより、対応する錯体（１）、（２）、（３）又は（４）をそれぞれ得た。
Figure 0005344176
錯体（１）
紫色固体;
ＩＲ（ＫＢｒ）：３２６０，３０５３，２９３６，２８６０，１６２０，１５９５，１４９５，１４２１，１３５６，１２６５，１２０７，１１４４，１１１５，１０２８，９５１，８２３，７５２，７０２ｃｍ-1；
ＴＯＦＭＳ．［Ｍ+−Ｃｌ］計算値：ｍ／ｚ＝８８４．３０６１．実測値：ｍ／ｚ＝８８４．３０７４．
錯体（２）
紫色固体;
ＩＲ（ＫＢｒ）：３０５１，２９３０，２８５６，１６２２，１５９３，１４９５，１４３１，１３５２，１２５４,１１４６，１１１１，１０２６，９４１，８１９，７４８，７００ｃｍ-1；
ＴＯＦＭＳ．［Ｍ+−Ｃｌ］計算値：ｍ／ｚ＝９１２．３３７４．実測値：ｍ／ｚ＝９１２．３３２７．
錯体（３）
紫色固体;
ＩＲ（ＫＢｒ）：３２３４，３０４９，２９３６，２８５８，１６１８，１５９３，１４９３，１４５０，１４１８，１３５２，１２５９，１１１３，９５１，８８５，８２０，７４６，７００ｃｍ-1；
ＴＯＦＭＳ．［Ｍ+−Ｃｌ］計算値：ｍ／ｚ＝８８４．３０６１ 実測値：ｍ／ｚ＝８８４．３０５７．
錯体（４）
紫色固体；
ＩＲ（ＫＢｒ）：３０５１，２９３２，２８５８，１６１８，１５９３，１４９５，１４５０，１４２０，１３５４，１２６３，１１１３，９５１，８２０，７４６，７００ｃｍ-1；
ＴＯＦＭＳ．［Ｍ+−Ｃｌ］計算値：ｍ／ｚ＝９１２．３３７４ 実測値：ｍ／ｚ＝９１２．３３３４．
実施例６
鉄−サラン錯体触媒を用いたスルフィドの不斉酸化
錯体（４）（１．９ｍｇ，１ｍｏｌ％）をシュレンク管に量りとり、スルフィド（０．２ｍｍｏｌ）を加えた。水（０．５ｍＬ）を加え、２０℃で１０分間攪拌した。３０％過酸化水素水（３３μＬ，１．５ｅｑ）を加え、室温下３時間攪拌した。反応混合液に水５ｍＬを加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後にろ過し、減圧下濃縮した。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル）で精製することで、対応するスルホキシドを得た。
光学純度はＨＰＬＣ分析によって決定した。
同様にして、表１と表２に記載の実験を実施した。結果を下表に示す。
Figure 0005344176
Figure 0005344176
（Ｓ）−フェニルメチルスルホキシド
無色油状物；９６％ｅｅ；ＤＡＩＣＥＬ ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＢ−Ｈ，ヘキサン／イソプロパノール＝８０／２０，流速＝０．８ｍＬ ｍｉｎ-1，ｔs＝１３．９ｍｉｎ，ｔR＝２５．０ｍｉｎ；
1Ｈ ＮＭＲ：δ７．６９−７．６３（ｍ，２Ｈ），７．５７−７．４８（ｍ，３Ｈ），２．７３（ｓ，３Ｈ）．

（Ｓ）−ｐ−トリルメチルスルホキシド（実験番号１）
無色固体；９６％ｅｅ；ＤＡＩＣＥＬ ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＢ−Ｈ，ヘキサン／イソプロパノール＝５０／５０，流速＝０．５ｍＬ ｍｉｎ-1，ｔs＝１０．２ｍｉｎ，ｔR＝１６．９ｍｉｎ；
1Ｈ ＮＭＲ：δ７．５５（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），７．３４（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），２．７３（ｓ，３Ｈ），２．４２（ｓ，３Ｈ）．

（Ｓ）−ｐ−メトキシフェニルメチルスルホキシド（実験番号２）
無色油状物；９５％ｅｅ；ＤＡＩＣＥＬ ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＢ−Ｈ，ヘキサン／イソプロパノール＝５０／５０，流速＝０．５ｍＬ ｍｉｎ-1，ｔs＝１３．５ｍｉｎ，ｔR＝２３．２ｍｉｎ；
1Ｈ ＮＭＲ：δ７．６３−７．５６（ｍ，２Ｈ），７．０７−７．００（ｍ，２Ｈ），３．８６（ｓ，３Ｈ），２．７０（ｓ，３Ｈ）．

（Ｓ）−ｐ−クロロフェニルメチルスルホキシド（実験番号３）
無色油状物；９４％ｅｅ；ＤＡＩＣＥＬ ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＢ−Ｈ，ヘキサン／イソプロパノール＝８０／２０，流速＝０．５ｍＬ ｍｉｎ-1，ｔs＝１８．１ｍｉｎ，ｔR＝２７．８ｍｉｎ；
1Ｈ ＮＭＲ：δ７．６４−７．５７（ｍ，２Ｈ），７．５５−７．４９（ｍ，２Ｈ），２．７３（ｓ，１Ｈ）．

（Ｓ）−ｏ−クロロフェニルメチルスルホキシド（実験番号４）
無色油状物；９６％ｅｅ；ＤＡＩＣＥＬ ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＢ−Ｈ，ヘキサン／イソプロパノール＝８０／２０，流速＝０．５ｍＬ ｍｉｎ-1，ｔs＝１６．６ｍｉｎ，ｔR＝２９．１ｍｉｎ；
1Ｈ ＮＭＲ：δ７．９６（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．２，７．８Ｈｚ），７．５５（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ），７．５１−７．３６（ｍ，２Ｈ），２．８４（ｓ，３Ｈ）．

（Ｓ）−ｏ−メトキシフェニルメチルスルホキシド（実験番号５）
無色油状物；９５％ｅｅ；ＤＡＩＣＥＬ ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＢ−Ｈ，ヘキサン／イソプロパノール＝８０／２０，流速＝０．５ｍＬ ｍｉｎ-1，ｔs＝１８．２ｍｉｎ，ｔR＝３６．３ｍｉｎ；
1Ｈ ＮＭＲ：δ７．８３（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．７，７．８Ｈｚ），７．４９−７．４２（ｍ，１Ｈ），７．２３−７．１６（ｍ，１Ｈ），６．９３（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．１Ｈｚ），３．９０（ｓ，３Ｈ），２．７８（ｓ，３Ｈ）．

（Ｓ）−ベンジルメチルスルホキシド（実験番号６）
無色固体；８７％ｅｅ；ＤＡＩＣＥＬ ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＢ−Ｈ，ヘキサン／イソプロパノール＝８０／２０，流速＝０．５ｍＬ ｍｉｎ-1，ｔS＝２２．９ｍｉｎ，ｔR＝２９．５ｍｉｎ；
1Ｈ ＮＭＲ：δ７．４８−７．２３（ｍ，５Ｈ），４．０７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１２．９Ｈｚ），３．９２（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１２．７Ｈｚ），２．４６（ｓ，３Ｈ）．

（Ｓ）−フェニルエチルスルホキシド（実験番号７）
無色油状物；８１％ｅｅ；ＤＡＩＣＥＬ ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＤ−Ｈ，ヘキサン／イソプロパノール＝９０／１０，流速＝０．５ｍＬ ｍｉｎ-1，ｔR＝２０．２ｍｉｎ，ｔS＝２８．０ｍｉｎ；
1Ｈ ＮＭＲ：δ７．６６−７．５８（ｍ，２Ｈ），７．５７−７．４７（ｍ，３Ｈ），２．９６−２．８５（ｍ，１Ｈ），２．８２−２．７１（ｍ，１Ｈ），１．２０（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝７．４Ｈｚ）．
実施例７
鉄サラン錯体触媒を用いたラセミスルホキシドの動的速度論分割
Figure 0005344176
 錯体（４）（１．９ｍｇ，１ｍｏｌ％）をシュレンク管に量りとり、ラセミのフェニルメチルスルホキシド（２８ｍｇ，０．２ｍｍｏｌ）を加えた。水（０．５ｍＬ）を加え、２０℃で１０分間攪拌した。３０％過酸化水素水（９μＬ，０．４ｅｑ）を加え、室温下３時間攪拌した。反応混合液に水（５ｍＬ）を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥された後にろ過し、減圧下濃縮した。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル）で精製することで、フェニルメチルスルホンを６．５ｍｇ（２１％収率）得、フェニルメチルスルホキシド２２．１ｍｇ（７９％）を回収した。ＨＰＬＣ分析により光学純度を測定したところＳ体１２％ｅｅであった。

Claims (8)

  1. 式（１）、式（１’）、式（２）、又は式（２’）
    Figure 0005344176
     ｛式（１）、式（１’）、式（２）、及び式（２’）中、
    Ｒ１は、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−４アルキル基、Ｃ１−４アルコキシ基、Ｃ６−１２アリールオキシ基又はＣ６−２２アリール基［該アリール基は、無置換であるか、又はＣ１−４アルキル基（該アルキル基は、無置換であるか、またはハロゲン原子で任意に置換されている。）、もしくはＣ１−４アルコキシ基（該アルコキシ基は、無置換であるか、又はＣ６−１２アリール基で置換されている。）で置換されており、該Ｃ６−２２アリール基が式（２）、及び式（２’）中の芳香環と軸不斉を形成する場合は、該軸不斉
    は光学活性でも光学不活性でも良い。］であり、
    Ｒ２は、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−４アルキル基、Ｃ１−４アルコキシ基、Ｃ６−１２アリールオキシ基又はＣ６−１２アリール基であり、
    Ｒ３は、Ｃ１−４アルキル基、Ｃ６−１８アリール基又は、２つのＲ３が一緒になって環を形成するＣ３−５の二価の基であり、
    Ｒ４は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−４アルキル基、Ｃ１−４アルコキシ基、ニトロ基又はシアノ基であり、
    Ｒ５は、水素原子又はＣ１−４アルキル基であり、
    Ｍは鉄原子であり、及び
    Ｘは、Ｍとイオン対を形成しうる陰イオンを意味する。｝
    で表される光学活性金属錯体の存在下、
    式（３）
    Figure 0005344176
     ［式中、Ｒ６及びＲ７は、相異なり、それぞれＣ６−１２アリール基、Ｃ６−１２アリールメチル基（該Ｃ６−１２アリール基及びＣ６−１２アリールメチル基は、置換されていないか、又はハロゲン原子、Ｃ１−４アルキル基、Ｃ１−４アルコキシ基、Ｃ２−５アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ２−５アルコキシカルボニル基、ニトロ基、もしくはシアノ基によって置換されている。）、Ｃ１−６アルキル基（該Ｃ１−６アルキル基は、置換されていないか、又はハロゲン原子、ニトロ基、ヒドロキシル基、もしくはシアノ基によって置換されている。）であるか、Ｒ６がＣ６−１２アリール基でありそのオルト位にＣ１−４アルキル基もしくはＣ１−４アルコキシ基が置換されており、その際、Ｒ７は該置換基と結合して硫黄原子を含む縮合環を形成するＣ２−４の二価の基であってもよい。］で表わされるスルフィド化合物を、酸化剤で不斉酸化することを特徴とする、式（４）
    Figure 0005344176
     （式中、Ｒ６及びＲ７は、式（３）において定義されたのと同様の意味を有し、及び
    ＊で示される硫黄原子の絶対配置は、Ｒ又はＳである。）
    で表される光学活性スルホキシド化合物の製造法。
  2. 請求項１に記載の式（１）、式（１’）、式（２）、又は式（２’）で表される光学活性金属錯体の存在下、式（５）
    Figure 0005344176
     （式中、Ｒ6及びＲ7は、式（３）において定義されたのと同様の意味を有する。）
    で表されるラセミ体もしくは光学純度の低いスルホキシド化合物のうちの一方の光学異性体を酸化剤を用いた選択的酸化により式（６）
    Figure 0005344176
     （式中、Ｒ6及びＲ7は、式（５）において定義されたのと同様の意味を有する。）
    で表されるスルホン化合物に転換し、これにより速度論的に、式（４）
    Figure 0005344176
     （式中、Ｒ6及びＲ7は、式（６）において定義されたのと同様の意味を有し、及び＊で示される硫黄原子の絶対配置は、Ｒ又はＳである。）
    で表される光学活性スルホキシド化合物を得ることを特徴とする、光学活性スルホキシド化合物の製造法。
  3. Ｒ６が、Ｃ６−１２アリール基又はＣ６−１２アリールメチル基（該Ｃ６−１２アリール基及びＣ６−１２アリールメチル基は、置換されていないか、又はハロゲン原子、Ｃ１−４アルキル基、Ｃ１−４アルコキシ基、Ｃ２−５アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ２−５アルコキシカルボニル基、ニトロ基、もしくはシアノ基によって置換されている）であり、Ｒ７が、Ｃ１−４アルキル基であるか、又はＲ６がＣ６−１２アリール基でありそのオルト位にＣ１−４アルキル基もしくはＣ１−４アルコキシ基が置換されており、その際、Ｒ７は該置換基と結合して硫黄原子を含む縮合環を形成するＣ２−４の二価の基である、
    請求項１又は２に記載の光学活性スルホキシド化合物の製造法。
  4. 酸化剤として過酸化水素を用いる、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の光学活性スルホキシド化合物の製造法。
  5. 式（２）又は式（２’）中、
    Ｒ１はＣ６−２２アリール基［該アリール基は、無置換であるか、又はＣ１−４アルキル基（該アルキル基は、無置換であるか、又はハロゲン原子で任意に置換されている。）、もしくはＣ１−４アルコキシ基（該アルコキシ基は、無置換であるか、又はＣ６−１２アリール基で置換されている。）で置換されており、該Ｃ６−２２アリール基が式（２）、又は式（２’）中の芳香環と軸不斉を形成する場合は、該軸不斉は光学活性でも光学不活性でも良い。］であり、
    Ｒ ３は２つのＲ３が一緒になって環を形成するテトラメチレン基であり、
    Ｒ４は水素原子であり、
    Ｒ５は水素原子又はメチル基であり、
    Ｘは塩素原子である
    ところの光学活性金属錯体の存在下で、反応を行うことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の光学活性スルホキシド化合物の製造法。
  6. Ｒ1が、式（２）、又は式（２’）中の芳香環と軸不斉を形成するアリール基であり、該軸不斉が光学活性であるところの光学活性金属錯体の存在下で反応を行う、請求項５に記載の光学活性スルホキシド化合物の製造法。
  7. Ｒ1が１−フェニルナフチル基であるところの光学活性金属錯体の存在下で反応を行う請求項６に記載の光学活性スルホキシド化合物の製造法。
  8. 式（７）
    Figure 0005344176
     （式（７）中、
    Ｒ3は、Ｃ1-4アルキル基、Ｃ6-18アリール基又は、２つのＲ3が一緒になって環を形成するＣ3-5の二価の基であり、
    Ｒ5は、水素原子又はＣ1-4アルキル基であり、
    Ｍは鉄原子であり、
    Ｘは、Ｍとイオン対を形成しうる陰イオンを意味する。）
    で表され且つビナフチル骨格が光学活性又は光学不活性な光学活性金属錯体、又はそのエナンチオマー。
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