JP5343427B2 - 表示素子の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、表示素子の製造方法及び表示素子に関する。

近年、パーソナルコンピューターの動作速度の向上、ネットワークインフラの普及、データストレージの大容量化と低価格化に伴い、従来、紙への印刷物で提供されたドキュメントや画像等の情報を、より簡便な電子情報として入手し、その電子情報を閲覧する機会が益々増大している。

この様な電子情報の閲覧手段として、従来の液晶ディスプレイやＣＲＴ、また近年では、有機ＥＬディスプレイ等の発光型が主として用いられている。特に、電子情報がドキュメント情報の場合、比較的長時間に渡ってこの閲覧手段を注視する必要があり、これらの行為は、必ずしも人間に優しい手段とは言い難い。例えば、一般に発光型のディスプレイの欠点として、フリッカーで目が疲労する、持ち運びに不便、見る姿勢が制限され、静止画面に視線を合わせる必要が生じる、長時間見ると消費電力が嵩む等が知られている。

これらの欠点を補う表示手段として、外光を利用し、像保持の為に電力を消費しない（メモリー性）反射型ディスプレイが知られているが、下記の理由により十分な性能を有しているとは言い難い。

すなわち、反射型液晶等の偏光板を用いる方式は、反射率が約４０％と低く白表示に難があり、また構成部材の作製に用いる製法の多くは簡便とは言い難い。また、ポリマー分散型液晶は高い駆動電圧を必要とし、また有機物同士の屈折率差を利用しているため、得られる画像のコントラストが十分でない。また、ポリマーネットワーク型液晶は駆動電圧が高いことと、メモリー性を向上させるために複雑なＴＦＴ回路が必要である等の課題を抱えている。

また、電気泳動法による表示素子も、１０Ｖ以上の高い駆動電圧を必要とし、また、電気泳動性粒子凝集による画質劣化が起こりやすい。電気泳動性粒子を一定量で小分けする隔壁構造にすることで凝集を低減できるが、セル構成やプロセスが複雑になり、安定した製造が困難である。

上述の各方式の欠点を解消する表示方式として、酸化還元反応によるエレクトロクロミック材料の色変化を利用した（以下ＥＣＤ）方式や金属または金属塩の溶解析出を利用するエレクトロデポジション（以下ＥＤと略す）方式が知られている。ＥＣＤ方式やＥＤ方式（この２方式を以下電気化学表示素子と略す）は、３Ｖ以下の低電圧駆動が可能で、簡便なセル構成、また、優れた表示品位（明るいペーパーライクな白と引き締まった黒）といった特長を持っている。

電気化学表示素子を作成する場合、表示材料の流動性が高いのでＯＤＦ（Ｏｎｅ Ｄｒｏｐ Ｆｉｌｌ）法という製造方法がある。下基板の周囲に枠状にシール材を設け、シール材の内側に上記のＯＤＦ法により表示材料を配置した後、上基板を下基板に圧着して上下基板の間に表示材料を封入して表示素子としている。表示材料は、上下基板を接着する未硬化のシール材を溶解してしまうため、表示材料のシール材への到達時刻が面内で不均一であると、シール材の溶解状態に差が生じる。すなわち、表示材料が早く到達したシール材の部分は、シール強度が低下したり、シール材の流動性が増加して下基板に上基板の圧着時に両基板にズレ（基板面内方向、ギャップ方向）が生じたりしてしまうという問題があった。

表示材料のシール材からのオーバーフローを回避するために、基板中央部には滴下量を多く、端部（シール材近傍部）では少なくするという方法が開示されている（特許文献１参照）。
特開２００３−２４１２０８号公報

しかしながら、特許文献１に記載の滴下方法は、高精度の吐出量制御、吐出位置制御、基板圧着制御が要求されるため、高価な製造装置が必要となり、その結果、製造コストがアップしてしまう。また、電気化学表示素子の表示材料として使用する電解液は、特許文献１に記載されている表示材料（液晶材料）と比較して、未硬化のシール材を溶解する程度が大きい。このため、電解液を使用する表示材料のシール材への到達時刻を面内で均一にする場合、上記のそれぞれの制御は、液晶材料の場合と比較して、より高い精度が要求される。

本発明は、上記の課題を鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、高価な装置を使用することなく簡単な方法で表示材料のシール材への到達時刻を面内で均一にすることにより、両基板にズレがなくシール強度が良好な表示素子の製造方法及びこの製造方法により製造した表示素子を提供することである。

上記の課題は、以下の構成により解決される。

１． 対向面に電極パターンが形成された、第１の基板及び第２の基板の周辺をシール材でシールし、内部に流動性を有する表示材料が満たされている表示素子の製造方法において、
前記シール材と、前記シール材への前記表示材料の移動を抑制する抑制状態又は前記シール材への前記表示材料の移動を促進する促進状態の何れかに切り替え可能な第１制御手段と、が設けられた第１の基板において、前記第１制御手段を前記抑制状態にし、前記第１制御手段の内側に前記表示材料を配置する配置工程と、
前記第１制御手段を前記促進状態にし、配置された前記表示材料が前記シール材に移動することを促進する促進工程と、を有することを特徴とする表示素子の製造方法。

２． 前記第１制御手段は、前記シール材に沿って設けられた撥液性絶縁膜に覆われた第１制御電極であり、
前記抑制状態にする場合、配置された前記表示材料に接する第１帯電電極と前記第１制御電極との間に直流電圧を印加せず、
前記促進状態にする場合、前記第１帯電電極と前記第１制御電極との間に直流電圧を印加することを特徴とする１に記載の表示素子の製造方法。

３． 前記シール材への前記表示材料の移動を抑制する抑制状態又は前記シール材への前記表示材料の移動を促進する促進状態の何れかに切り替え可能な第２制御手段が設けられた前記第２の基板を、前記配置工程で前記表示材料が配置された前記第１の基板に重ねる工程と、
前記促進工程において、前記第２制御手段を前記促進状態にし、配置された前記表示材料が前記シール材に移動することを促進することを特徴とする２に記載の表示素子の製造方法。

４． 前記第２制御手段は、撥液性絶縁膜に覆われた第２制御電極であり、
前記抑制状態にする場合、配置された前記表示材料に接する第２帯電電極と前記第２制御電極との間に直流電圧を印加せず、
前記促進状態にする場合、前記第２制御電極に、前記第１帯電電極と同電位の前記第２帯電電極を基準とし、前記第１制御電極と同じ極性の直流電圧を印加することを特徴とする３に記載の表示素子の製造方法。

５． 前記第１の基板における前記第１制御電極を除く表面は、親液面であることを特徴とする２乃至４の何れか一項に記載の表示素子の製造方法。

６． 前記第２の基板における前記第２制御電極を除く表面は、親液面であることを特徴とする４に記載の表示素子の製造方法。

７． １乃至６の何れか一項に記載の表示素子の製造方法により製造されたことを特徴とする表示素子。

本発明の表示素子の製造法によれば、高価な装置を使用することなく簡単な方法で表示材料のシール材への到達時刻を面内で均一にすることができるため、両基板にズレがなくシール強度が良好な表示素子を製造することができる。また、本発明の表示素子によれば、両基板にズレがなくシール強度が良好である。

本発明を図示の実施の形態に基づいて説明するが、本発明は該実施の形態に限らない。

本発明は、酸化還元反応を利用した電気化学表示素子に関するものである。電気化学表示素子としては、ＥＣＤ方式とＥＤ方式が挙げられるが、ここではＥＤ方式を例にする。尚、図１から図５の各図において、同じもの、又は同じ機能であるものに関しては、同じ符号で示している。

〔表示素子の基本構成〕
図１（ａ）は、本発明に係わるＥＤ方式の表示素子１００の一例の断面構造を示す概略図である。図１（ｂ）は、観察側の透明な下基板５側から見た様子を示す図である。図１（ｂ）において、後述のシール材７、撥液性絶縁膜に覆われた第１制御手段である第１制御電極８、表示材料に接する第１帯電電極９以外は省略している。尚、後述する第１制御電極８及び第１帯電電極９に直流電圧を印加する際に使用する第１制御電極８及び第１帯電電極９から下基板５の縁に伸びる引き出し配線も省略している。以下に、表示素子１００の構成に関して説明する。

観察側の透明な下基板５の上にはＩＴＯ電極等の透明な電極１が形成されており、もう一方の上基板６には銀等の不透明な電極２が形成されている。電極１と電極２との間には銀または銀を化学構造中に含む化合物を有する電解液（表示材料）３が担持されており、対向する電極間に正負両極性の電圧を印加することにより、電極１と電極２上で銀の酸化還元反応が行われ、還元状態の黒い銀画像と、酸化状態の透明な銀の状態を可逆的に切り替えることができる。

表示素子１００は、電解液３を下基板５と上基板６の間に封止するシール材７、本発明に係わるシール時に電解液３がシール材７に向かって移動することを制御する制御手段である第１制御電極８、電解液３を帯電させるために電解液３に接触する第１帯電電極９、電極２を周囲より絶縁するための絶縁膜４、良好な画像形成のため入射する光を拡散させるための白色散乱層１０、対向する電極間に電圧を印加するＴＦＴ１１等で構成されている。第１制御電極８及び第１帯電電極９に関しては、後で詳しく説明する。

〔基板〕
上下基板として用いることのできる基板としては、ガラスの他、例えば、ポリエチレンやポリプロピレン等のポリオレフィン類、ポリカーボネート類、セルロースアセテート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンジナフタレンジカルボキシラート、ポリエチレンナフタレート類、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、ポリビニルアセタール類、ポリスチレン等の合成プラスチックフィルムも好ましく使用できる。また、シンジオタクチック構造ポリスチレン類も好ましい。上記の基板は、透明基板（下基板）として用いることができる。更に、ＴＦＴ素子を設ける透明でなくてもよい基板（上基板）としては、ステンレス等の金属製基板や、バライタ紙、及びレジンコート紙等の紙支持体ならびに上記プラスチックフィルムに反射層を設けた支持体が挙げられる。これらの支持体には、米国特許第４，１４１，７３５号のようにＴｇ以下の熱処理を施すことで、巻き癖をつきにくくしたものを用いることができる。

〔銀または銀を化学構造中に含む化合物〕
電解液３が有する銀または銀を化学構造中に含む化合物とは、例えば、酸化銀、硫化銀、金属銀、銀コロイド粒子、ハロゲン化銀、銀錯体化合物、銀イオン等の化合物の総称であり、固体状態や液体への可溶化状態や気体状態等の相の状態種、中性、アニオン性、カチオン性等の荷電状態種は、特に問わない。

〔電極〕
観察面側の電極１は、透明な電極で構成されて、ＩＴＯやＩＺＯなど、一般的にディスプレイなどに用いられているような透明電極であれば、いずれでも使用することができる。電極２は、不透明な電極材料で構成され、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｎｉ、カーボン、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｏなどや、これらの積層膜あるいは合金などを用いることができる。これら電極１及び電極２の形成方法は、スパッタ法や真空蒸着法などで成膜した後、フォトリソグラフィー及びエッチング処理する方法や、金属ナノ粒子を分散したインクを塗布して成膜しフォトリソグラフィー及びエッチング処理する方法あるいはスクリーン印刷やフレキソ印刷やインクジェット印刷などでダイレクトにパターニングする方法などがある。

後述の第１制御電極８の導電部８ａ、第１帯電電極９、第２制御手段である第２制御電極８１の導電部８１ａ及び第２帯電電極９１も、上述と同様な材料及び形成方法により下基板５、上基板６に設けることができる。

〔シール材〕
シール材７は電解液３が外に漏れないように封止するためのものであり、封止材とも呼ばれる。シール材７の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、エン−チオール系樹脂、シリコーン系樹脂、変性ポリマー樹脂等の、熱硬化性、光硬化性、湿気硬化性、嫌気硬化性等の各種硬化性樹脂が挙げられる。中でも、光硬化性樹脂、エポキシ系樹脂が好ましい。

シール材７を下基板５又は上基板６に形成する方法は、例えばディスペンサによる塗布やスクリーン印刷が挙げられるが、これらに限定されない。

また、シール材７には、上下基板間の間隙を制御するスペーサーとして、樹脂製またはシリカ等の無機酸化物製の球体を混ぜ合わせてもよい。

〔制御手段〕
図１に示すように、電解液３がシール材に向かって移動することを抑制する抑制状態にしたり、又は、促進する促進状態にしたり何れかに切り替え可能な制御手段として、撥液性絶縁膜に覆われた第１制御電極８及び第１帯電電極９が下基板５に設けられている。第１制御電極８は、シール材７の内側に沿って設けてあり、第１帯電電極９は、更に第１制御電極８の内側に設けてある。

表示素子１００の製造において、電解液３を下基板５と上基板６との間に封止することに関して図２から図５を適宜用いて説明する。図２は、電解液３を下基板５と上基板６との間に封止する工程を説明する図である。

（１）下基板５の画像領域（概ね電極１がある領域）の外側の周囲を枠状に、第１帯電電極９、その外側に第１制御電極８を、更にその外側にシール材７を形成する（図２（ａ））。

（２）第１制御電極８の内側に、表示素子１００における下基板５と上基板６との間を十分に埋め尽くす量の電解液３を、例えばＯＤＦ法を用いて配置する（図２（ｂ）、配置工程）。図２（ｂ）において、２０は電解液３を滴下するディスペンサのノズルを示す。滴下された電解液３は、その流動性により広がる（図２（ｃ））。広がりを促すために、電解液３の上部の表面を少し下向きに押すように上基板６を接触させてもよい。

この段階で、シール材７に沿って枠状に設けている撥液性絶縁膜に覆われた第１制御電極８は、その撥液性のため、シール材７に対して溶解性を有する電解液３がシール材７に向かって移動することを抑制し、電解液３は、第１帯電電極９に接触しているがシール材７まで到達しない。この様子をシール材７、第１制御電極８及び第１帯電電極９の周辺を拡大した図３（ａ）に示す。

図３（ａ）に示すように、第１制御電極８は、導電部８ａと撥液性絶縁膜８ｂとで構成される。また、３０は直流電源、３１は第１帯電電極９と第１制御電極８との間に直流電源による直流電圧の印加をＯＮ／ＯＦＦするスイッチを示し、スイッチ３１のＯＮ／ＯＦＦにより、第１帯電電極９と第１制御電極８（詳しくは、導電部８ａ）との間に直流電圧を印加したり、しなかったりすることができる。図３（ａ）は、スイッチ３１はＯＦＦされており、第１帯電電極９と第１制御電極８との間に直流電圧を印加していない様子を示している。尚、図３（ａ）、（ｂ）においては、第１帯電電極９や第１制御電極８に直流電源３０やスイッチ３１を接続する配線を原理的に示しているが、実際は、第１帯電電極９や第１制御電極８から下基板５の縁まで設ける図示しない引き出し配線を用いて接続する。

電解液３がシール材７に到達できないため、シール材７は、部分的にも溶解することなく、電解液３の封止材としての本来の機能を維持することができる。

（３）第１帯電電極９と第１制御電極８との間に直流電源３０により直流電圧を印加する（図２（ｄ）、促進工程）。この直流電圧の印加の前後で、下基板５の上に上基板６を重ねて配置し、上基板６を下基板５に押圧する（図２（ｄ）の矢印は押圧を示す。）。第１帯電電極９と第１制御電極８との間に直流電圧を印加することにより、第１制御電極８によりシール材７に向かって移動することが抑制されていた電解液３を、シール材７に向かって進ませることができる（図３（ｂ））。この進行は、第１帯電電極９と第１制御電極８との間に直流電圧を印加することより、第１帯電電極９に接触している電解液３と第１制御電極８（詳しくは、導電部８ａ）とに電荷が帯電し、この電荷間のクーロン力によるものと、更に定かではないが、帯電した電解液３が撥液性絶縁膜８ｂに触れることにより撥液性絶縁膜８ｂが改質され濡れ性が良好となるように変化することによるものとが考えられる。

第１制御電極８と第１帯電電極９に直流電圧を印加することにより、電解液３は第１制御電極８を超えて枠状のシール材７に向かい、シール材７の全周に渡ってほぼ同時に到達することになる。電解液３がシール材７に到達し隅々まで行き渡り、上基板６を下基板５に設けてあるシール材７に十分に接触させ、シール材７を硬化させることにより電解液３を内部に封止する。この電解液３を封止する作業は、シール材７の周辺に空間を残さない上で真空中で行うのが好ましい。

上述の通り、電解液３は、ほぼ同時にシール材７に到達するため、シール材７は部分的に電解液３と接触して溶解することがなく、全周に渡って均一な状態で電解液３の封止を行うことができる。よって、下基板５と上基板６との圧着時に、両基板の厚み方向や面内方向にズレを生じることなく、またシール強度が低下することなく良好に表示素子１００を製造することができる。

第１制御電極８、第１帯電電極９を形成する方法としては、例えば、ＩＴＯ等の透明電極材料で電極１を形成する際に、第１制御電極の導電部８ａと第１帯電電極９とを同時に形成することが挙げられる。更に第１制御電極８を覆う絶縁性撥液膜８ｂは、まず導電部８ａを覆うように絶縁膜を形成し、次にこの絶縁膜に撥液処理を行う。

絶縁膜は、例えば塗布型感光性絶縁膜（ＰＣ４０３、ＪＳＲ社製等）が挙げられ、形成方法としては、例えばスピンコート法等の塗布とフォトリソグラフィー及びエッチング処理によるパターニングや、スクリーン印刷やインクジェット等のパターニング等が挙げられる。

上記の絶縁膜に撥液処理を行う方法としては、例えば、導入ガスにフッ素またはフッ素化合物を含むガスを使用し、フッ素化合物及び酸素を含む減圧雰囲気下あるいは大気圧雰囲気下でプラズマ照射をする減圧プラズマ処理や大気圧プラズマ処理が挙げられる。フッ素またはフッ素化合物を含むガスとしては、ＣＦ_４、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３等が挙げられる。

図３（ａ）において、シール材７から第１制御電極８までの距離Ａは、シール材７に接していても良く０以上、５ｍｍ以下が好ましい。この範囲にすることにより、シール材７への電解液３の到達を抑制する効果を十分に得ながら、下基板５自体が大きくなりすぎない。また、直流電圧の印加時に、電解液３をシール材７まで容易に向かわせることができる。第１制御電極８の幅Ｂは２０ｕｍ以上５ｍｍ以下が好ましい。この範囲にすることにより、第１制御電極８の加工が容易で電解液３を制御する効果を十分に得ながら、下基板５自体が大きくなりすぎない。また、直流電圧の印加時に、電解液３をシール材７まで容易に向かわせることができる。第１制御電極８から第１帯電電極９までの距離Ｃは、５μｍ以上１０μｍ以下が好まししく、この範囲にすることにより製造が容易で直流電圧印加時に絶縁破壊を生じない適度な電圧で十分な電界強度を得ることができる。

第１帯電電極９の幅Ｄは、１０μｍ以上５ｍｍ以下が好ましい。この範囲とすることにより製造が容易で、画像領域の大ききに比較して外形の大きさが大きくなりすぎない。

第１帯電電極９と第１制御電極８との間に印加する直流電圧の範囲は、例えば、第１帯電電極９と第１制御電極８との間の距離Ｃが５μｍの場合、１０Ｖ以上５０Ｖ以下の範囲が好ましい。この範囲とすることで、絶縁破壊を生じること無く電解液３をシール材７に向けて十分に進行させることが出来る。この直流電圧の好ましい範囲は、距離Ｃに概ね比例する関係にある。また、直流電圧を印加する極性は、図３では、第１帯電電極９をプラス、第１制御電極８をマイナスとしているが、この逆としてもよい。

また、図４に示すように下基板５における第１制御電極８の内側表面は、親液性を有する親液面４１とすることが好ましい。第１制御電極８の内側表面に親液性を有していることにより、第１制御電極８の内側に塗布した電解液３が第１制御電極８に達する範囲内で容易にムラなく広げることができる。このように電解液３が第１制御電極８に達する範囲内で容易にムラなく広がることができると、電解液３に十分な電界強度が得られる範囲に電解液３に接触する必要がある第１帯電電極９を配置することができる。また、第１帯電電極９と第１制御電極８との間に直流電圧を印加した際に、電解液３の進行をより滑らかにできる。

第１制御電極８の内側表面を親液面とする方法としては、親液処理がある。親液処理は、例えば、酸素プラズマ処理による表面の活性化処理が挙げられる。酸素プラズマ処理を行うことにより、第１制御電極８の内側の下基板５の基板表面、下基板５に配置されている第１帯電電極９及び電極１であるＩＴＯ膜の表面が活性化され、親液性を有する状態とすることができる。

また、図５に示すように、下基板５の第１制御電極８及び第１帯電電極９と対向する上基板６のそれぞれの位置に第１制御電極８、第１帯電電極９と同じ機能を有する第２制御手段である第２制御電極８１及び第２帯電電極９１を設けるのが好ましい。第２制御電極８１は、第１制御電極８と同様に、導電部８１ａが撥液性絶縁膜８１ｂで覆われている。また、上基板６に設けてある第２制御電極の内側の表面を親液面４１とすることが好ましい。

上基板６に親液面４１を設けることにより、下基板５に上基板６を重ねる際に、下基板５に配置された電解液３に上基板６が接触し、次第に両基板間の距離が縮まるに従い、電解液３は容易にムラなく広がることができる。

また、下基板５に上基板６を重ねる際に、第１制御電極８と同様に表面が撥液性の第２制御電極８１により第２制御電極８１の内側でシール材７へ向かって移動することが抑制される。更に、電解液３が、第１帯電電極９と同様に第２制御電極８１の内側に設けた第２帯電電極９１に接触すると、第２帯電電極９１と第２制御電極８１との間に直流電圧を印加することにより、電解液３をシール材に向かって移動することを促進することができる状態となる。第２制御電極８１には、第２帯電電極９１を第１帯電電極９と同電位の基準電位として、第１制御電極に印加する同じ極性の直流電圧を印加する。

第１帯電電極９と第１制御電極８との間に加えて、第２帯電電極９１と第２制御電極８１との間に直流電圧を印加することにより、電解液３をシール材７に向かわせるクーロン力が更に加わり、電解液３をシール材７に向かってより容易に移動させシール材７に到達させることができる。

尚、第２帯電電極９１と第２制御電極８１との間に直流電圧を印加するタイミングは、下基板５に上基板６を重ね作業開始当初としてもよいが、電荷液３が第２帯電電極９１に均一に到達した状態で印加するのがより好ましい。こうすることにより、電解液３は、より均一にシール材７の全周に渡ってほぼ同時に到達することができる。

また、電解液３の粘度は、０．０１Ｐａ・ｓ以上１００Ｐａ・ｓの範囲が好ましい。粘度をこの範囲とすることにより、表示性能を十分に備えた組成を有する電解液であって、本発明に係わる帯電による電解液３のシール材７へ向かっての移動を良好とする流動性を有することができる。更に、電解液３の体積抵抗値が１×１０（Ωｍ）以上１×１０^３（Ωｍ）以下が好ましい。体積抵抗値をこの範囲とすることにより、例えば、第１制御電極８と第１帯電電極９との間に電圧を印加した際に、電解液３に誘導される電荷量が十分となって電解液３のシール材７へ向かっての移動を容易とすることができ、表示素子完成後の表示駆動時の上下基板間でショートを生じることがない。

〔絶縁膜〕
絶縁膜４は、電極２のエッジとなる部分を覆うように形成している。絶縁材料としては、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂などの有機樹脂材料や、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、などの無機絶縁膜など、一般的にディスプレイで用いられるような絶縁膜材料であれば、いずれでも用いることができる。好適には、膜の成膜が簡便な塗布できる材料が好ましい。感光性がある塗布材料はより好ましい。絶縁膜４の形成箇所は、表示領域内にある電極エッジを覆うように配置する。

対向する電極を電極Ａ及び電極Ｂとすると絶縁膜は、例えば、以下に示すように設ける。例えば、電極Ａが共通電極で表示領域よりも大きい電極であり、電極Ｂが画素毎に分割された画素電極でありアレイ状のものの場合、絶縁膜は電極Ｂのエッジを覆うように配置することで、表示領域内の電極エッジをすべて覆うことができる。本実施の形態の絶縁膜４は、上記に該当する。

また、例えば、電極Ａおよび電極Ｂがセグメント電極あるいはストライプ電極であり、電極Ａと電極Ｂの交点領域を表示領域とする構成の場合、電極Ａ及び電極Ｂの両方の電極エッジを覆うように絶縁膜を配置する。

（白色散乱層）
表示素子は、表示コントラスト及び白表示反射率をより高める観点から多孔質の白色散乱層１０を有することができる。多孔質白色散乱層は、電解質溶媒に実質的に溶解しない水系高分子と白色顔料との水混和物を塗布乾燥して形成することができる。

電解質溶媒に実質的に溶解しないとは、−２０℃から１２０℃の温度において、電解質溶媒１ｋｇあたりの溶解量が０ｇ以上、１０ｇ以下である状態と定義し、質量測定法、液体クロマトグラムやガスクロマトグラムによる成分定量法等の公知の方法により溶解量を求めることができる。

電解質溶媒に実質的に溶解しない水系高分子としては、水溶性高分子、水系溶媒に分散した高分子を挙げることができる。

水溶性化合物としては、ゼラチン、ゼラチン誘導体等の蛋白質またはセルロース誘導体、澱粉、アラビアゴム、デキストラン、プルラン、カラギーナン等の多糖類のような天然化合物や、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、ポリビニルピロリドン、アクリルアミド重合体やそれらの誘導体等の合成高分子化合物が挙げられる。

水系溶媒に分散した高分子としては、天然ゴムラテックス、スチレンブタジエンゴム、ブタジエンゴム、ニトリルゴム、クロロプレンゴム、イソプレンゴム等のラテックス類、ポリイソシアネート系、エポキシ系、アクリル系、シリコーン系、ポリウレタン系、尿素系、フェノール系、ホルムアルデヒド系、エポキシ−ポリアミド系、メラミン系、アルキド系樹脂、ビニル系樹脂等を水系溶媒に分散した熱硬化性樹脂を挙げることができる。

白色顔料としては、例えば、二酸化チタン（アナターゼ型あるいはルチル型）、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウムおよび水酸化亜鉛、水酸化マグネシウム、リン酸マグネシウム、リン酸水素マグネシウム、アルカリ土類金属塩、タルク、カオリン、ゼオライト、酸性白土、ガラス、有機化合物としてポリエチレン、ポリスチレン、アクリル樹脂、アイオノマー、エチレン−酢酸ビニル共重合樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素−ホルマリン樹脂、メラミン−ホルマリン樹脂、ポリアミド樹脂などが単体または複合混合で、または粒子中に屈折率を変化させるボイドを有する状態で使用されてもよい。

水系化合物と白色顔料との水混和物は、公知の分散方法に従って白色顔料が水中分散された形態が好ましい。水系化合物／白色顔料の混合比は、容積比で１〜０．０１が好ましく、より好ましくは、０．３〜０．０５の範囲である。

多孔質白色散乱層の膜厚は、５〜５０μｍの範囲であることが好ましく、より好ましくは１０〜３０μｍの範囲である。

アルコール系溶剤としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール等の水との溶解性が高い化合物が好ましく用いられ、水／アルコール系溶剤との混合比は、質量比で０．５〜２０の範囲が好ましく、より好ましくは２〜１０の範囲である。

水系化合物と白色顔料との水混和物を塗布する媒体は、表示素子の対向する電極間の構成要素上であればいずれの位置でもよいが、対向する電極の少なくとも１方の電極面上に付与することが好ましい。媒体への付与の方法としては、例えば、塗布方式、液噴霧方式、インクジェットヘッド、スプレー方式等が挙げられる。

〔表示素子のその他の構成要素〕
表示素子には、必要に応じて柱状構造物、スペーサーを用いることができる。

柱状構造物は、基板間の強い自己保持性（強度）を付与し、例えば、格子配列等の所定のパターンに一定の間隔で配列された、円柱状体、四角柱状体、楕円柱状体、台形柱状体等の柱状構造物を挙げることができる。また、所定間隔で配置されたストライプ状のものでもよい。この柱状構造物はランダムな配列ではなく、等間隔な配列、間隔が徐々に変化する配列、所定の配置パターンが一定の周期で繰り返される配列等、基板の間隔を適切に保持でき、且つ、画像表示を妨げないように考慮された配列であることが好ましい。柱状構造物は表示素子の表示領域に占める面積の割合が１〜４０％であれば、表示素子として実用上十分な強度が得られる。

一対の基板間には、該基板間のギャップを均一に保持するためのスペーサーが設けられていてもよい。このスペーサーとしては、樹脂製または無機酸化物製の球体を例示できる。また、表面に熱可塑性の樹脂がコーティングしてある固着スペーサーも好適に用いられる。基板間のギャップを均一に保持するために柱状構造物又はスペーサーのみを設けてもよいが、スペーサー及び柱状構造物のいずれも設けてもよい。スペーサーの直径は柱状構造物を形成する場合はその高さ以下、好ましくは当該高さに等しい。柱状構造物を形成しない場合はスペーサーの直径がセルギャップ（ほぼ一対の基板間のギャップに等しい。）の厚みに相当する。

〔表示素子駆動方法〕
表示素子１００においては、析出過電圧以上の電圧印加で黒化銀を析出させ、析出過電圧以下の電圧印加で黒化銀の析出を継続させる駆動操作を行うことが好ましい。この駆動操作を行うことにより、書き込みエネルギーの低下や、駆動回路負荷の低減や、画面としての書き込み速度を向上させることができる。一般に電気化学分野の電極反応において過電圧が存在することは公知である。例えば、過電圧については「電子移動の化学−電気化学入門」（１９９６年 朝倉書店刊）の１２１頁に詳しい解説がある。本発明の表示素子も、電極と電解液中の銀との電極反応と見なすことができるので、銀溶解析出においても過電圧が存在することは容易に理解できる。過電圧の大きさは交換電流密度が支配するので、黒化銀が生成した後に析出過電圧以下の電圧印加で黒化銀の析出を継続できるということは、黒化銀表面の方が余分な電気エネルギーが少なく容易に電子注入が行えると推定される。

表示素子１００の駆動操作は、アクティブマトリック駆動を例としている。アクティブマトリックス駆動は、走査線、データライン、電流供給ラインが碁盤目状に形成され、各碁盤目に設けられたＴＦＴ回路により駆動させる方式である。画素毎にスイッチングが行えるので、階調やメモリー機能等のメリットがあり、例えば、特開２００４−２９３２７号の図５に記載されている回路を用いることができる。

アクティブマトリック駆動に代えて単純マトリックス駆動であってもよい。純マトリックス駆動は、複数の正極を含む正極ラインと複数の負極を含む負極ラインとが対向する形で互いのラインが垂直方向に交差した回路に、順次電流を印加して駆動する方法である。単純マトリックス駆動方法を用いることにより、回路構成や駆動ＩＣを簡略化でき安価に製造できるメリットがある。

（実施例１）
図１に示す表示素子１００を以下のようにして作製した。図２、図３を用いて説明する。

（制御手段の形成工程）
観察側の下基板５として、表示領域を１０型、外枠の大きさを２３０×１８０ｍｍとする厚み０．７ｍｍ無アルカリガラス基板を用意した。ガラス基板に、スパッタ法を用いて厚み１００ｎｍのＩＴＯ電極を設け、その後フォトリソグラフィー及びエッチング処理にて、所定の電極１、導電部８ａ及び第１帯電電極９を得た。導電部８ａの幅Ｂを４０μｍ、第１帯電電極９の幅Ｄを５０μｍ、導電部８ａと第１帯電電極９との距離Ｃを１０μｍとした。この後、図示しない電極１、第１帯電電極９から下基板５の外周周辺までの引き出し配線を設けた。具体的には、電極１、第１帯電電極９からの引き出し配線が第１帯電電極９、導電部８ａと交差する位置に絶縁膜としてＳｉＯ_２膜をスパッタ法により重ねて設け、フォトリソグラフィー及びエッチング処理にてパターニングした。この後、パターニングしたＳｉＯ_２膜の上に、電極１、第１帯電電極９それぞれと接触するようにＡｌの金属膜を設け、フォトリソグラフィー及びエッチング処理にてパターニングした。

次に、導電部８ａを覆う撥液性絶縁膜８ｂを作成した。撥液性絶縁膜８ｂを形成する材料として塗布型感光性絶縁膜ＰＣ４０３（ＪＳＲ社製のアクリル性樹脂）を用いた。ＰＣ４０３を厚み１μｍとなるようにスピンコータを用いて成膜した後、プリベーク９０℃、５分間とした後、フォトリソグラフィー及びエッチング処理によりパターニングを行い、最後に２２０℃１ｈで焼成した。これで、内部に導電部８ａを擁した絶縁膜を形成した。

この後、上記の絶縁膜に対して撥液処理を行い、この絶縁膜を撥液性絶縁膜８ｂとして、第１制御電極８を完成させた。具体的には、フッ素系化合物としてＣＦ_４を使用するプラズマ処理を行った。このプラズマ処理の条件を以下に示す。
・ＣＦ_４ガス流量：９００ｓｃｃｍ
・パワー：１．０Ｗ／ｃｍ^２
・圧力：１３３Ｐａ
・処理時間：３０分間
また、上記の条件に代えて、以下の条件で大気圧プラズマ処理としても同程度の効果が得られることが確認できた。
・パワー：３００Ｗ
・電極−基板間距離：１ｍｍ
・ＣＦ_４ガス流量：１００ｓｃｃｍ
・ヘリウムガス流量：１０Ｌ（リットル）／ｍｉｎ
・搬送速度：５ｍｍ／ｓ
（シール材の形成工程）
上記の通り、電極１、第１制御電極８、第１帯電電極９を形成した下基板５に対し、シール剤である紫外線硬化樹脂を第１制御電極８の外側にディスペンサにより塗布し、シール材７を形成した（図２（ａ）参照）。シール材７から第１制御電極８の距離Ａは、２ｍｍとした。シール剤は、紫外線硬化樹脂（スリ−ボンド製３０Ｙ−２９６Ｇ）に、直径４０μｍのシリカビーズを上下基板間の間隙を制御するスペーサーとして、１質量％混ぜたものとした。

上記で用意した樹脂をディスペンサ装置（武蔵エンジニアリング社製、ＭＬ−５０００ＸII）を用いて、条件をシール塗布温度５０℃、塗布速度３ｍｍ／ｓｅｃ、エアー圧０．３ＭＰａとして塗布によりシール材を形成した。塗布したシール剤の流動性がなくなる程度に硬化させるため、紫外線照射（照射条件：１０００ｍＪ／ｃｍ^２、３分）を行った。

（表示材料配置工程）
第１制御電極８の内側にディスペンサにより表示材料である電解液３を塗布（配置）した（図２（ｂ）、（ｃ））。塗布した電解液３は、以下とした。

（電解液）
ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）とγ−ブチロラクトン（γＢｒ）を６：４の割合で混合した溶媒に、析出溶解材料として１．００ｍｏｌ／ｌのヨウ化銀（ＡｇＩ）、および支持電解質塩として１．３３ｍｏｌ／ｌの臭化リチウム（ＬｉＢｒ）を溶解させる。

この電解質に対して、高分子材料である分子量２０万のポリエチレンオキシドと着色材である二酸化チタン（ＴｉＯ_２）とを質量比で０．２：１．２の割合で添加し、これを均一に分散させた後、上記のポリエチレンオキシドと質量比で１：０．０２の割合の架橋材を添加する。これを、１００℃で１０分間加熱して、ゲル状の電解液を得た。粘度は、６Ｐａ・ｓ、体積抵抗は４×１０^２（Ωｍ）とした。

上記で用意した電解液３をディスペンサ装置（武蔵エンジニアリング社製、ＭＬ−５０００ＸII）を用いて、表示領域に点状に滴下した（図２（ｂ）。滴下した電解液の状態は、直径は約２ｍｍ、高さは６０μｍであった。電解液の滴下量は、表示領域の面積とガラス基板間の間隙量から推測した。

下基板５に滴下された電解液３は、その流動性によりそれぞれの滴下位置から周囲に広がり、図２（ｃ）に示すように、シール材７に向かって移動することが第１制御電極８で抑制され、シール材７に到達しなかった。この時、電解液３と第１帯電電極９とは、接触している。

（貼り合せ工程）
上記の電解液３を塗布した下基板５に別途用意したＴＦＴ等を設けた上基板６を貼り合せた（図２（ｄ）参照）。尚、上基板６は、厚み０．７ｍｍ無アルカリガラス基板を使用した。

まず、電解液３を塗布した下基板５を１３．３Ｐａまで減圧した空間に配置して、電解液３内の気泡を抜き取った（真空引き工程）。

次に、第１制御電極８（詳しくは導電部８ａ）と第１帯電電極９とに直流電圧２５Ｖを印加しながら下基板５に上基板６を押し当てた（図３（ｂ））。第１制御電極８と第１帯電電極９とに直流電圧を印加すると同時に、第１制御電極８の内側で停止していた電解液３がシール材７に向かって均一に広がり、第１制御電極８を超えてシール材７にほぼ同時に到達した。

下基板５と上基板６との間隔は、移動機構を用いて１μｍの精度で管理し、上下基板の間隔が５０μｍの時点で上基板６を一旦止め、３分間直流電圧を印加した状態で放置し、十分に電解液３をシール材７に到達させた。その後、更に上基板６を押し下げ、上下基板の間隔を４０μｍにした時点で、一定圧力になるようにした。圧力はロードセルにより測定した。

上記の一定圧力下で、シール剤の硬化を行った。硬化は、まず紫外線照射（１２０００ｍＪ／ｃｍ^２、５分間）による予備硬化行い、更にオーブンで８０℃１時間、加熱した。

以上で表示素子を完成させた。完成した表示素子のシール材を目視にて観察したところ、電解液３が漏れている箇所は確認されず、また、下基板５と上基板６とのズレが生じていないことが確認できた。

（実施例２）
図４に示すように、実施例１の下基板５の第１制御電極８より内側の表面に親液処理を行い親液面４１とした。

実施例１の（制御手段の形成工程）と同じとして、電極１、第１帯電電極９、第１制御電極８を形成した下基板５を得た。但し、第１制御電極８の形成において、導電部８ａを擁した絶縁膜に対する撥液処理を行わなかった。

この下基板５の全面に渡って、以下の条件で酸素プラズマ処理を行った。
・酸素ガス流量：５００ｓｃｃｍ
・パワー：１．０Ｗ／ｃｍ^２、
・圧力：１３３Ｐａ
また、以下の条件で大気圧プラズマ処理しても同様の結果が得られた。
・パワー：３００Ｗ
・電極−基板間距離：１ｍｍ
・酸素ガス流量：８０ｓｃｃｍ
・ヘリウムガス流量：１０ｌ／ｍｉｎ
・搬送速度：１０ｍｍ／ｓ
酸素プラズマ処理により電極１等が形成されている下基板５の全面を活性化し、親液化した。続いて、酸素プラズマ処理と同様に電極１等が形成されている下基板５の全面に対して、フッ素化合物を反応ガスとしたプラズマ処理による撥液処理を３０分間行った。
・ＣＦ_４ガス流量：９００ｓｃｃｍ
・パワー：１．０Ｗ／ｃｍ^２
・圧力：１３３Ｐａ
また、以下の処理条件で大気圧プラズマ処理しても同様の結果が得られた。
・パワー：３００Ｗ
・電極−基板間距離：１ｍｍ
・ＣＦ_４ガス流量：１００ｓｃｃｍ
・ヘリウムガス流量：１０ｌ／ｍｉｎ
・搬送速度：５ｍｍ／ｓ
上記により第１制御電極８の絶縁膜以外の箇所の親液性を保持したままで絶縁膜を撥液性に改質することができた。この理由は、有機材料中選択的にフッ素化合物分子が入り込むようになるためと考えられる。この結果、撥液性絶縁膜８ｂを有する第１制御電極８の内側に親液面４１が得られた。

「シール材の形成工程」以降は、実施例１と同じとして、上記の制御手段を形成した下基板５にシール材７を形成し、電解液３を塗布した。塗布された電解液３は、塗布面が親液面４１となっているため、弾かれることなく滑らかにシール材７に向かって広がり、第１制御電極８で抑制され、シール材７に到達しなかった。この時、電解液３は、第１帯電電極９に接触している。下基板５に上基板６を重ね合わせ、第１帯電電極９と第１制御電極８の導電部８ａに直流電圧を印加しながら押圧して貼り合わせた。第１制御電極８と第１帯電電極９とに直流電圧を印加すると同時に、第１制御電極８の内側で停止していた電解液３がシール材７に向かって均一に広がり、第１制御電極８を超えてシール材７にほぼ同時に到達した。

完成した表示素子のシール材を目視にて観察したところ、電解液が漏れている箇所は確認されず、また、下基板５と上基板６とのズレが生じていないことが確認できた。

（実施例３）
実施例１で示した第１制御電極８と第１帯電電極９と同じ構成の第２制御電極８１と第２帯電電極９１をＴＦＴが形成されている上基板６にも設けた例について図５を用いて説明する。

（制御手段の形成工程）
上基板６において、ＴＦＴ１１（図１（ａ）参照）のゲート電極（図示しない）を形成する際、同時に、実施例１の下基板５の第１制御電極８及び第１帯電電極９に対向するそれぞれの位置に第２制御電極８１の導電部８１ａと第２帯電電極９１とを形成した。

具体的には、厚み０．７ｍｍ無アルカリガラス基板（上基板６）にＴＦＴのゲート電極を形成するために、上基板６にＣｒ膜をスパッタ法にて形成した。この後、ゲート電極パターンと同時に第２制御電極８１の導電部８１ａと第２帯電電極９１とのパターンをフォトリソグラフィー及びエッチング処理を行ってゲート電極と共に導電部８１ａと第２帯電電極９１を得た。この後、ＴＦＴ１１、電極２、絶縁膜４及び白色散乱層１０を形成した。

この後、実施例１の（制御手段の形成工程）と同じく導電部８ａを覆うように絶縁膜（ＰＣ４０３：ＪＳＲ社製のアクリル性樹脂）を形成した。この後の撥液処理は行わなかった。

次に、上記で製造した上基板６の第１制御電極８１となる導電部８１ａを擁した絶縁膜より内側の表面に実施例２と同じようにして親液処理を行い親液面４１を得た。すなわち、上基板６の全面に渡って、実施例２で示した同じ条件で酸素プラズマ処理を行った。酸素プラズマ処理により白色散乱層１０等が形成されている上基板６の全面を活性化し、親液化した。続いて、酸素プラズマ処理と同様に白色散乱層１０等が形成されている上基板６の全面に対して、実施例２で示した同じ条件でフッ素化合物を反応ガスとしたプラズマ処理による撥液処理を３０分間行った。上記により上基板６において、第２制御電極８１を覆う絶縁膜以外の箇所の親液性を保持したままで絶縁膜を撥液性に改質し撥液性絶縁膜８１ｂとした。

次に、下基板５において、実施例２と同じく第１制御電極８及び第１帯電電極９を備え、第１制御電極８より内側の表面に親液処理を行い親液面４１とした。

上記の下基板５に実施例１の「シール材の形成工程」と同じく、シール材７を形成し、（表示材料配置工程）と同じく電解液３を塗布した。塗布された電解液３は、塗布面が親液面４１となっているため、弾かれることなく滑らかにシール材７に向かって広がり、第１制御電極８で抑制され、シール材７に到達しなかった。この時、電解液３は、第１帯電電極９に接触している。

（貼り合わせ工程）
上記の電解液３を塗布した下基板５に上記で用意したＴＦＴ等を設けた上基板６を貼り合せた。

まず、電解液３を塗布した下基板５を１３．３Ｐａまで減圧した空間に配置して、電解液３内の気泡を抜き取った（真空引き工程）。

次に、下基板５の第１制御電極８（導電部８ａ）と第１帯電電極９、及び、上基板６の第２制御電極８１（導電部８１ａ）と第２帯電電極９１とにそれぞれ直流電圧２５Ｖを印加しながら下基板５に上基板６を押し当てた。第１制御電極８と第１帯電電極９とに直流電圧を印加すると同時に、第１制御電極８の内側で停止していた電解液３がシール材７に向かって移動し始めた。上基板６を下基板５に配置した電解液３に接触させると、接触面となる第２制御電極８１の内側が親液処理されているため、電解液３は弾かれることなく上基板６の下面に沿って滑らかに広がった。更に、電解液３が第２帯電電極９１に接触すると、第１制御電極８と第１帯電電極９との電界に、第２制御電極８１と第２帯電電極９１との電界が加わり、更に強力なクーロン力により電解液３がより速やかで滑らかにシール材７に向かって均一に広がり、第１制御電極８を超えてシール材７にほぼ同時に到達した。

以降は、実施例１の（貼り合わせ工程）の記載と同じく、下基板５と上基板６との間隔は、移動機構を用いて１μｍの精度で管理し、上下基板の間隔が５０μｍの時点で上基板６を一旦止め、３分間直流電圧を印加した状態で放置し、十分に電解液３をシール材７に到達させた。その後、更に上基板６を押し下げ、上下基板の間隔を４０μｍにした時点で、一定圧力になるようにした。圧力はロードセルにより測定した。

上記の一定圧力下で、シール剤の硬化を行った。硬化は、まず紫外線照射（１２０００ｍＪ／ｃｍ^２、５分間）による予備硬化行い、更にオーブンで８０℃１時間、加熱した。

以上で表示素子を完成させた。完成した表示素子のシール材を目視にて観察したところ、電解液が漏れている箇所は確認されず、また、下基板５と上基板６とのズレが生じていないことが確認できた。

（比較例１）
実施例１における（抑制手段の形成工程）で示した、第１制御電極８、第１帯電電極９の形成及び（貼り合せ工程）において、第１制御電極８、第１帯電電極９がないため、直流電圧の印加を行わなかった以外は、実施例１と同じとして表示素子を形成した。電解液３を塗布した時、塗布された電解液３は、シール材７に向かい、部分的にシール材７に到達した。

表示素子のシール材を目視にて観察したところ、電解液によりシール材の幅が細くなっている部分が確認され、また、下基板５と上基板６とのズレが生じていることが確認された。

以上の実施例１〜３、及び比較例１の結果より、シール材に沿って設けてある制御手段により、高価な装置を使用することなく簡単な方法で表示材料のシール材への到達時刻を面内で均一にすることができ、両基板にズレが生じることなくシール強度が良好な表示素子を製造できることが確認できた。

ＥＤ方式の表示素子の一例の断面構造を示す概略図である。 電解液を一対の基板の間に封止する工程を説明する図である。 シール材、第１制御電極及び帯電電極周辺を拡大して示し、電解液が制御されてシール材に向かう様子を説明する図である。 電解液がシール材に向かって移動することを制御する制御手段の例を示す図である。 電解液がシール材に向かって移動することを制御する制御手段の例を示す図である。

符号の説明

１、２ 電極
３ 電解液
４ 絶縁膜
５ 下基板
６ 上基板
７ シール材
８ 第１制御電極
８１ 第２制御電極
８ａ、８１ａ 導電部
９ 第１帯電電極
９１ 第２帯電電極
１０ 白色散乱層
１１ ＴＦＴ
２０ ノズル
３０ 直流電源
３１ スイッチ
４１ 親液面
１００ 表示素子

Claims (6)

1. 対向面に電極パターンが形成された、第１の基板及び第２の基板の周辺をシール材でシールし、内部に流動性を有する表示材料が満たされている電気化学表示素子である表示素子の製造方法において、
   前記シール材と、前記シール材への前記表示材料の移動を抑制する抑制状態又は前記シール材への前記表示材料の移動を促進する促進状態の何れかに切り替え可能な第１制御手段と、が設けられた第１の基板において、前記第１制御手段を前記抑制状態にし、前記第１制御手段の内側に前記表示材料を配置する配置工程と、
   前記第１制御手段を前記促進状態にし、配置された前記表示材料が前記シール材に移動することを促進する促進工程と、を有し、
   前記第１制御手段は、前記シール材に沿って設けられた撥液性絶縁膜に覆われた第１制御電極であり、
   前記抑制状態にする場合、配置された前記表示材料に接する第１帯電電極と前記第１制御電極との間に直流電圧を印加せず、
   前記促進状態にする場合、前記第１帯電電極と前記第１制御電極との間に直流電圧を印加し、
   前記第１帯電電極は、前記第１の基板上で前記第１制御電極に沿ってその内側に設けられていることを特徴とする表示素子の製造方法。
2. 前記シール材への前記表示材料の移動を抑制する抑制状態又は前記シール材への前記表示材料の移動を促進する促進状態の何れかに切り替え可能な第２制御手段が設けられた前記第２の基板を、前記配置工程で前記表示材料が配置された前記第１の基板に重ねる工程を有し、
   前記促進工程において、前記第２制御手段を前記促進状態にし、配置された前記表示材料が前記シール材に移動することを促進することを特徴とする請求項１に記載の表示素子の製造方法。
3. 前記第２制御手段は、撥液性絶縁膜に覆われた第２制御電極であり、
   前記抑制状態にする場合、配置された前記表示材料に接する第２帯電電極と前記第２制御電極との間に直流電圧を印加せず、
   前記促進状態にする場合、前記第２制御電極に、前記第１帯電電極と同電位の前記第２帯電電極を基準とし、前記第１制御電極と同じ極性の直流電圧を印加し、
   前記第２帯電電極は、前記第２の基板上で前記第１帯電電極と対向する位置に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の表示素子の製造方法。
4. 前記第２制御電極は、前記第２の基板上で前記第１制御電極と対向する位置に設けられていることを特徴とする請求項３に記載の表示素子の製造方法。
5. 前記第１の基板における前記第１制御電極を除く表面は、親液面であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の表示素子の製造方法。
6. 前記第２の基板における前記第２制御電極を除く表面は、親液面であることを特徴とする請求項３または４に記載の表示素子の製造方法。

Images