JP2010002687A - 表示素子の製造方法及び表示素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】対向面に電極パターンが形成された一対の基板の周辺をシール材でシールし、内部に流動性を有する表示材料が満たされている表示素子の製造方法において、前記シール材と、前記表示材料が前記シール材に向かうことを抑制する抑制手段と、が設けられた一方の前記基板に対して、前記抑制手段の内側に前記表示材料を配置する工程と、前記表示材料が配置された一方の前記基板に他方の前記基板を押し当てて、前記表示材料を押し広げる工程と、を有する。
【選択図】図3
Description
前記シール材と、前記表示材料が前記シール材に向かうことを抑制する抑制手段と、が設けられた一方の前記基板に対して、前記抑制手段の内側に前記表示材料を配置する工程と、
前記表示材料が配置された一方の前記基板に他方の前記基板を押し当てて、前記表示材料を押し広げる工程と、を有することを特徴とする表示素子の製造方法。
図1(a)は、本発明に係わるED方式の表示素子100の一例の断面構造を示す概略図である。図1(b)は、観察側の透明な下基板5側から見た様子を示す図である。図1(b)において、後述のシール材7、凸部8以外は省略している。以下に、表示素子100の構成に関して説明する。
上下基板として用いることのできる基板としては、ガラス基板の他、例えば、ポリエチレンやポリプロピレン等のポリオレフィン類、ポリカーボネート類、セルロースアセテート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンジナフタレンジカルボキシラート、ポリエチレンナフタレート類、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、ポリビニルアセタール類、ポリスチレン等の合成プラスチックフィルムも好ましく使用できる。また、シンジオタクチック構造ポリスチレン類も好ましい。これらは、例えば、特開昭62−117708号、特開平1−46912、同1−178505号の各公報に記載されている方法により得ることができる。上記の基板は、透明基板(下基板)として用いることができる。更に、TFT素子を設ける透明でなくてもよい基板(上基板)としては、ステンレス等の金属製基盤や、バライタ紙、及びレジンコート紙等の紙支持体ならびに上記プラスチックフィルムに反射層を設けた支持体、特開昭62−253195号(29〜31頁)に支持体として記載されたものが挙げられる。これらの支持体には、米国特許第4,141,735号のようにTg以下の熱処理を施すことで、巻き癖をつきにくくしたものを用いることができる。
電解液3が有する銀または銀を化学構造中に含む化合物とは、例えば、酸化銀、硫化銀、金属銀、銀コロイド粒子、ハロゲン化銀、銀錯体化合物、銀イオン等の化合物の総称であり、固体状態や液体への可溶化状態や気体状態等の相の状態種、中性、アニオン性、カチオン性等の荷電状態種は、特に問わない。
観察面側の電極1は、透明な電極で構成されて、ITOやIZOなど、一般的にディスプレイなどに用いられているような透明電極であれば、いずれでも使用することができる。電極2は、不透明な電極材料で構成され、Au、Ag、Cu、Pt、Pd、Fe、Ni、C、Cr、Al、Moなどや、これらの積層膜あるいは合金などを用いることができる。これら電極1及び電極2の形成方法は、スパッタ法や真空蒸着法などで成膜した後、フォトリソグラフィー及びエッチング処理する方法や、金属ナノ粒子を分散したインクを塗布して成膜しフォトリソグラフィー及びエッチング処理する方法あるいはスクリーン印刷やフレキソ印刷やインクジェット印刷などでダイレクトにパターニングする方法などがある。
シール材7は電解液3が外に漏れないように封止するためのものであり、封止材とも呼ばれる。シール材7の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、エン−チオール系樹脂、シリコーン系樹脂、変性ポリマー樹脂等の、熱硬化性、光硬化性、湿気硬化性、嫌気硬化性等の各種硬化性樹脂が挙げられる。中でも、光硬化性樹脂、エポキシ系樹脂が好ましい。
〔抑制手段〕
図1に示すように、電解液3がシール材に向かうことを抑制する抑制手段として、凸部8がシール材7の内側に沿って下基板5に設けられている。
(1)下基板5の画像領域の外側の周囲を枠状に凸部8を、凸部8の外側の周囲を枠状にシール材7を形成する(図2(a))。
(2)凸部8の内側に、表示素子100における下基板5と上基板6との間を十分に埋め尽くす量の電解液3を、例えばODF法を用いて配置する(図2(b))。図2(b)において、30は電解液を滴下するディスペンサのノズルを示す。滴下された電解液3は、その流動性により広がる(図2(c))。広がりを促すために、電解液3の上部の表面を少し下向きに押すように上基板6を接触させてもよい。
(3)下基板5の上に上基板6を重ねて配置した後、上基板6を下基板5に押圧する(図2(d)。矢印は押圧を示す。)。電解液3が凸部8を超えてシール材7に到達するように電解液3を押し広げ、隅々まで行き渡らせ、上基板6を下基板5に設けてあるシール材7に十分に接触させ、速やかにシール材7を硬化させることにより電解液3を内部に封止する。この上基板6を下基板5に押圧して、電解液3を封止する作業は、シール材7の周辺に空間が生じ難くするために真空中で行うのが好ましい。
絶縁膜4は、電極2のエッジとなる部分を覆うように形成している。絶縁材料としては、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂などの有機樹脂材料や、SiOx、SiNx、などの無機絶縁膜など、一般的にディスプレイで用いられるような絶縁膜材料であれば、いずれでも用いることができる。好適には、膜の成膜が簡便な塗布できる材料が好ましい。感光性がある塗布材料はより好ましい。絶縁膜4の形成箇所は、表示領域内にある電極エッジを覆うように配置する。
表示素子は、表示コントラスト及び白表示反射率をより高める観点から多孔質の白色散乱層9を有することができる。多孔質白色散乱層は、電解質溶媒に実質的に溶解しない水系高分子と白色顔料との水混和物を塗布乾燥して形成することができる。
表示素子には、必要に応じて柱状構造物、スペーサーを用いることができる。
表示素子100においては、析出過電圧以上の電圧印加で黒化銀を析出させ、析出過電圧以下の電圧印加で黒化銀の析出を継続させる駆動操作を行うことが好ましい。この駆動操作を行うことにより、書き込みエネルギーの低下や、駆動回路負荷の低減や、画面としての書き込み速度を向上させることができる。一般に電気化学分野の電極反応において過電圧が存在することは公知である。例えば、過電圧については「電子移動の化学−電気化学入門」(1996年 朝倉書店刊)の121頁に詳しい解説がある。本発明の表示素子も、電極と電解液中の銀との電極反応と見なすことができるので、銀溶解析出においても過電圧が存在することは容易に理解できる。過電圧の大きさは交換電流密度が支配するので、黒化銀が生成した後に析出過電圧以下の電圧印加で黒化銀の析出を継続できるということは、黒化銀表面の方が余分な電気エネルギーが少なく容易に電子注入が行えると推定される。
図1に示す表示素子100を以下のようにして作製した。図2を用いて説明する。
(抑制手段の形成工程)
観察側の下基板5として、表示領域を10型、外枠の大きさを230mm×180mm、厚み0.7mm無アルカリガラス基板(コーニング社製)を用意した。上記ガラス基板には、厚み100nmのITO電極(電極1)が設けてある。下基板5に、抑制手段である凸部8を以下の方法により設けた。
・CF4ガス流量:900sccm
・パワー:1.0W/cm2
・圧力:133Pa
・処理時間:30分間
また、上記の条件に代えて、以下の条件としても同程度の効果が得られることが確認できた。
・パワー:300W
・電極−基板間距離:1mm
・CF4ガス流量:100ccm
・ヘリウムガス流量:10L(リットル)/min
・搬送速度:5mm/s
(シール材の形成工程)
上記の通り凸部8を形成した下基板5に対し、シール剤である紫外線硬化樹脂を凸部8の外側にディスペンサにより塗布し、シール材7を形成した(図2(a)参照)。凸部8からシール材7までの距離は2mmとした。シール剤は、紫外線硬化樹脂(スリ−ボンド製30Y−296G)に、直径40μmのシリカビーズを上下基板間の間隙を制御するスペーサーとして、1質量%混ぜたものとした。
凸部8の内側にディスペンサにより表示材料である電解液3を塗布(配置)した(図2(b)、(c)参照)。塗布された電解液3は、シール材7に向かい凸部8で停止し、シール材7には到達しなかった。塗布した電解液3は、以下とした。
ジメチルスルホキシド(DMSO)とγ−ブチロラクトン(γBr)を6:4の割合で混合した溶媒に、析出溶解材料として1.00mol/lのヨウ化銀(AgI)、および支持電解質塩として1.33mol/lの臭化リチウム(LiBr)を溶解させる。
上記の電解液3を塗布した下基板5に別途用意したTFT等を設けた上基板6を貼り合せた(図2(d)参照)。尚、上基板6は、厚み0.7mm無アルカリガラス基板を使用した。
抑制手段をTFTが形成されている上基板6に設ける例について図5を用いて説明する。
上基板6において、画素電極である電極2のエッジ部分に絶縁膜4を形成する際、同時に、実施例1の凸部8に該当する位置に絶縁膜41aを形成した。この絶縁膜41aを後述の処理を経て抑制手段である撥液面41とした。シール材7から撥液面41までの距離は2mmとし、撥液面41の幅は40μmとした。
・酸素ガス流量:500sccm
・パワー:1.0W/cm2、
・圧力:133Pa
また、以下の条件で大気圧プラズマ処理しても同様の結果が得られた。
・パワー:300W
・電極−基板間距離:1mm
・酸素ガス流量:80ccm
・ヘリウムガス流量:10l/min
・搬送速度:10mm/s
酸素プラズマ処理により親液面となったガラス面43aならびに活性化された(親液化された)絶縁膜41aを得た。
・CF4ガス流量:900sccm
・パワー:1.0W/cm2
・圧力:133Pa
また、以下の処理条件で大気圧プラズマ処理しても同様の結果が得られた。
・パワー:300W
・電極−基板間距離:1mm
・CF4ガス流量:100ccm
・ヘリウムガス流量:10l/min
・搬送速度:5mm/s
上記によりガラス面43aの親液性を保持したままで絶縁膜41aを撥液性に改質することができる。この理由は、有機材料中選択的にフッ素化合物分子が入り込むようになるためと考えられる。この結果、撥液性の絶縁膜41a(撥液面41)の内側に親液性を保持したガラス面43a(親液面43)が得られ、これらは2重の抑制手段となる。親液面43の幅は2mmとした。
図6に示すように、実施例1の下基板5の表示領域の電極1の上に更に多孔質ITO膜60を重ねて形成した。具体的には、下基板5上に以下の多孔質ITO材料X806CN27S(住友金属鉱山社製)を回転数1000rpmでスピンコートにより塗布した。この後、250℃で焼成した。これを4回繰り返すことで、厚み4μmの多孔質ITO膜60を形成した。その後、フォトリソグラフィー及びエッチング処理にて、所定の外形を得た。
ジメチルスルホキシド(DMSO)とγ−ブチロラクトン(γBL)とを3:2の体積比で混合した溶媒に、析出溶解材料として、0.5mol/lのヨウ化銀(AgI)および支持電解質塩として0.75mol/lのヨウ化ナトリウム(NaI)を溶解させ、更に、クマリンを5g/l、メルカプトベンゾイミダゾールを5g/l、トリエタノールアミンを10g/lとなるように加えて溶液を調製した。なお、クマリン、メルカプトベンゾイミダゾールおよびトリエタノールアミンを添加剤と使用する。
実施例1において、凸部8に撥液処理を行っているが、本実施例では、撥液処理を行わない以外は、実施例1と同じとした。電解液3を塗布した時、塗布された電解液3は、シール材7に向かい凸部8で停止し、シール材7には到達しなかった。貼り合わせ時、電解液3は、凸部8に沿って、また凸部8を越えてシール材7に向かって均一に広がり、シール材7にほぼ同時に到達した。
図7に示すように、実施例1における「抑制手段の形成工程」で示した、凸部8の形成及び凸部8の撥液処理に代わり、凸部8を形成する領域に対し、実施例2で示した同じ内容の酸素プラズマ処理を行い、この領域を親液面43とした。シール材7から親液面43までの距離は2mm、親液面43の幅は40μmとした。
実施例1の「抑制手段の形成工程」で示した凸部8に代えて凹部42を設けた。まず、実施例1で示した凸部の範囲まで拡大した領域に多孔質ITO膜を形成した。具体的には実施例2と同様に、下基板5上に以下の多孔質ITO材料X806CN27S(住友金属鉱山社製)を回転数1000rpmでスピンコートにより塗布した。この後、250℃で焼成した。これを5回繰り返すことで、厚み5μmの多孔質ITO膜42aを形成した。その後、図8に示すようにフォトリソグラフィー及びエッチング処理にて、シール材7に沿って、幅20μm、深さ4μmの凹形状にパターニングし凹部42を形成した。シール材7から凹部42までの距離は2mmとした。
実施例1における「抑制手段の形成工程」で示した、凸部8の形成及び凸部8の撥液処理を行わなかった以外は、実施例1と同じとして表示素子を形成した。電解液3を塗布した時、塗布された電解液3は、シール材7に向かい、部分的にシール材7に到達した。
3 電解液
4 絶縁膜
5 下基板
6 上基板
7 シール材
8 凸部
9 白色散乱層
10 TFT
30 ノズル
41 撥液面
42 凹部
43 親液面
100 表示素子
Claims (7)
- 対向面に電極パターンが形成された一対の基板の周辺をシール材でシールし、内部に流動性を有する表示材料が満たされている表示素子の製造方法において、
前記シール材と、前記表示材料が前記シール材に向かうことを抑制する抑制手段と、が設けられた一方の前記基板に対して、前記抑制手段の内側に前記表示材料を配置する工程と、
前記表示材料が配置された一方の前記基板に他方の前記基板を押し当てて、前記表示材料を押し広げる工程と、を有することを特徴とする表示素子の製造方法。 - 前記抑制手段は、凸部若しくは撥液面、又は、凹部若しくは親液面であり、前記凹部若しくは前記親液面は前記シール材に接していないことを特徴とする請求項1に記載の表示素子の製造方法。
- 前記抑制手段は、絶縁性を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の表示素子の製造方法。
- 前記抑制手段は、前記シール材に沿って連続して設けられていることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の表示素子の製造方法。
- 前記抑制手段は、前記シール材に沿って断続して設けられていることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の表示素子の製造方法。
- 前記抑制手段は、前記シール材に沿って2重に設けられていることを特徴とする請求項2乃至5の何れか一項に記載の表示素子の製造方法。
- 請求項1乃至6の何れか一項に記載の表示素子の製造方法により製造されたことを特徴とする表示素子。
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Citations (5)
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---|---|---|---|---|
JPH08190099A (ja) * | 1995-01-11 | 1996-07-23 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置の製造装置 |
JPH1138424A (ja) * | 1997-07-23 | 1999-02-12 | Fujitsu Ltd | 液晶表示パネル及びその製造方法 |
JP2003315810A (ja) * | 2002-02-20 | 2003-11-06 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示パネル |
JP2007025189A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Seiko Epson Corp | 液晶装置の製造方法、液晶装置 |
JP2007127739A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Sony Corp | 表示装置および表示装置の製造方法 |
-
2008
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08190099A (ja) * | 1995-01-11 | 1996-07-23 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置の製造装置 |
JPH1138424A (ja) * | 1997-07-23 | 1999-02-12 | Fujitsu Ltd | 液晶表示パネル及びその製造方法 |
JP2003315810A (ja) * | 2002-02-20 | 2003-11-06 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示パネル |
JP2007025189A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Seiko Epson Corp | 液晶装置の製造方法、液晶装置 |
JP2007127739A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Sony Corp | 表示装置および表示装置の製造方法 |
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