JP5336046B2 - 局在細長ナノストラクチャの成長用担体を製造する方法 - Google Patents
局在細長ナノストラクチャの成長用担体を製造する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5336046B2 JP5336046B2 JP2007011726A JP2007011726A JP5336046B2 JP 5336046 B2 JP5336046 B2 JP 5336046B2 JP 2007011726 A JP2007011726 A JP 2007011726A JP 2007011726 A JP2007011726 A JP 2007011726A JP 5336046 B2 JP5336046 B2 JP 5336046B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- crystal defects
- nanoparticles
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00206—Processes for functionalising a surface, e.g. provide the surface with specific mechanical, chemical or biological properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/158—Carbon nanotubes
- C01B32/16—Preparation
- C01B32/162—Preparation characterised by catalysts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/701—Integrated with dissimilar structures on a common substrate
- Y10S977/72—On an electrically conducting, semi-conducting, or semi-insulating substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/762—Nanowire or quantum wire, i.e. axially elongated structure having two dimensions of 100 nm or less
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/762—Nanowire or quantum wire, i.e. axially elongated structure having two dimensions of 100 nm or less
- Y10S977/763—Nanowire or quantum wire, i.e. axially elongated structure having two dimensions of 100 nm or less formed along or from crystallographic terraces or ridges
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/902—Specified use of nanostructure
- Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
- Y10S977/936—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application in a transistor or 3-terminal device
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
その表面の一方の近くに、結晶欠陥および/または応力場の周期的配列を含む担体を設けるステップと、
前記表面上に、ナノストラクチャの成長反応に触媒作用を及ぼすことができる第1の材料の連続層を堆積するステップと、
前記第1の材料層を熱処理によって細分化し、前記第1の材料のナノ粒子を形成するステップとを含むことを特徴とする。
結晶材料からなる第1の基板の表面を、結晶材料からなる第2の基板の表面と分子付着によって接着するステップであって、前記両表面がオフセットされた結晶格子を有しており、前記接着するステップが結晶欠陥および/または応力場の配列を接着界面の近くに形成させる、ステップと、
前記接着界面によって前記基板の一方に付着する薄膜が得られるまで、前記基板の他方を薄くするステップであって、前記薄膜の厚さは、その自由表面が結晶欠陥および/または応力場の配列の存在を露呈させるような厚さである、ステップとを実施することによって達成される。
結晶材料からなる第1の基板の表面を、結晶材料からなる第2の基板の表面と分子付着によって接着するステップであって、前記両表面がオフセットされた結晶格子を有しており、前記接着するステップが応力場および/または結晶欠陥の配列を接着界面の近くに形成させる、ステップと、
前記接着界面によって前記基板の一方に付着する薄膜が得られるまで、前記基板の他方を薄くするステップであって、前記薄膜の厚さは、その自由表面が応力場および/または結晶欠陥の配列の存在を露呈させないような厚さであり、前記薄膜の前記厚さは、それに続くステップを実施することができるような厚さでもある、ステップと、
前記薄膜を処理し、その自由表面において結晶欠陥および/または応力場の配列の存在を露呈させる、ステップとを実施することによって得られる。
3 転位
14 表面、接着界面
15 自由表面
16 薄膜、シリコン膜、シリコン表面
18 結晶欠陥および/または応力場、応力場
19 中間酸化物層
20 連続層、材料層、連続触媒膜、ニッケル膜
21 表面、接着界面
22 ナノ粒子
23 ナノストラクチャ、カーボンナノワイヤ、カーボンナノチューブ
29 中間層、中間シリコン酸化層
30 連続層、材料層、膜
32 ナノ粒子、玉
33 ナノストラクチャ、シリコンナノワイヤ
35 スタック、「SOI」(シリコンオンインシュレータ)ストラクチャ
36 シリコン基板、シリコンストラクチャ
37 薄膜
38 基板
39 層、シリコン酸化物層、SOI層
40 連続層、材料層、膜、層
41 シリコンナノ結晶
42 ナノ粒子、玉
43 ナノストラクチャ
46 薄膜
Claims (17)
- 周期的に配列されたナノ粒子(22、32、42)を含む担体を製造するための方法であって、前記方法が、
a)その表面の一方の近くに、結晶欠陥および/または応力場(18)の周期的配列を含む担体を設けるステップと、
b)前記表面上に、ナノストラクチャの成長反応に触媒作用を及ぼすことができる第1の材料の連続層(20、30、40)を堆積するステップと、
c)前記第1の材料層(20、30、40)を熱処理によって細分化し、前記第1の材料のナノ粒子(22、32、42)を形成するステップとを含むことを特徴とする、製造するための方法。 - 結晶欠陥および/または応力場の配列がなく、使用される前記連続層(20、30、40)の細分化前の厚さを有していると、前記ナノ粒子(22、32、42)が基板上で有することになるはずの自然の自己組織化周期によって、前記結晶欠陥および/または応力場の配列の周期が選択されることを特徴とする、請求項1に記載の製造するための方法。
- 前記担体を設けるステップが、
結晶材料からなる第1の基板の表面(14)を、結晶材料からなる第2の基板(2)の表面(21)と分子付着によって接着するステップであって、前記両表面がオフセットされた結晶格子を有しており、前記接着するステップが結晶欠陥および/または応力場(18)の配列を接着界面の近くに形成させる、ステップと、
前記接着界面(14/21)によって前記基板の一方(2)に付着する薄膜(16)が得られるまで、前記基板の他方(1)を薄くするステップであって、前記薄膜(16)の厚さが、その自由表面が前記結晶欠陥および/または応力場の配列の存在を露呈するような厚さである、ステップとを実施することによって達成されることを特徴とする、請求項1に記載の製造するための方法。 - 前記担体を設ける前記ステップが、
結晶材料からなる第1の基板の表面(14)を、結晶材料からなる第2の基板(2)の表面(21)と分子付着によって接着するステップであって、前記両表面がオフセットされた結晶格子を有しており、前記接着するステップが応力場および/または結晶欠陥(18)の配列を前記接着界面の近くに形成させる、ステップと、
前記接着界面(14/21)によって前記基板の一方(2)に付着する薄膜(16)が得られるまで、前記基板の他方(1)を薄くするステップであって、前記薄膜(16)の厚さは、その自由表面(15)が前記応力場および/または結晶欠陥(18)の配列の存在を露呈しないような厚さであり、前記薄膜(16)の前記厚さがその後のステップを実施することができるような厚さでもある、ステップと、
前記薄膜(16)を処理し、その自由表面において前記結晶欠陥および/または応力場(18)の配列の存在を露呈させる、ステップとを実施することによって達成されることを特徴とする、請求項1に記載の製造するための方法。 - 前記薄膜(16)の前記処理が、熱処理および/または機械的取り組みおよび/または化学的取り組みおよび/または電気化学的取り組みおよび/またはイオンによる取り組みおよび/または光化学的な取り組みから選択されることを特徴とする、請求項4に記載の製造するための方法。
- 前記担体を設ける前記ステップが、基板上に薄膜を移設することによって達成され、前記薄膜が結晶欠陥および/または応力場の配列をその将来の自由表面の近くに有することを特徴とする、請求項1に記載の製造するための方法。
- 前記担体の前記表面上に周期的な表面トポグラフィが得られるように、結晶欠陥および/または応力場(18)、あるいはこれら欠陥および/またはこれらの場(18)の間に配置された領域を優先的にエッチングすることによって、前記薄膜の前記自由表面を選択的にエッチングするステップも含むことを特徴とする、請求項3、4または6のいずれか一項に記載の製造するための方法。
- 前記第1の基板および前記第2の基板(2)が同じ結晶材料からなることを特徴とする、請求項3または4のいずれか一項に記載の製造するための方法。
- 前記第1の基板および/または前記第2の基板(2)が、好ましくはSi、Ge、SiC、GaN、GaAsまたはInPからなることを特徴とする、請求項3または4のいずれか一項に記載の製造するための方法。
- 前記第1の材料が、Ni、Au、WおよびPtから選択される、少なくとも1つの金属を含むことを特徴とする、請求項1から9のいずれか一項に記載の製造するための方法。
- ステップa)とステップb)との間に、前記担体の前記表面上に第2の材料からなる中間層を形成するステップも含むことを特徴とする、請求項1から10のいずれか一項に記載の製造するための方法。
- 前記中間層が、不連続であり、前記結晶欠陥および/または応力場の周期的配列によって局在されることを特徴とする、請求項11に記載の製造するための方法。
- 前記中間層が、SiO2、Si3N4、Al2O3、ダイヤモンド、HfO2または半導体材料から選択される材料を含むことを特徴とする、請求項11に記載の製造するための方法。
- 前記薄膜(46)が付着される前記基板が、結晶材料の他の薄膜(37)と基板(38)の間に配置された第3の材料の層(39)を含むスタック(35)であり、前記薄膜(46)が付着される前記基板は前記他の薄膜(37)の自由表面に対応する接着表面を有することを特徴とする、請求項7に記載の製造するための方法。
- 前記スタック(35)が、シリコンの薄膜とシリコン基板の間にある絶縁層を含むシリコンオンインシュレータ基板(SOI)であることを特徴とする、請求項14に記載の製造するための方法。
- 前記スタックの第3の材料の前記層(39)に到達するまで、前記選択的エッチングが実施されることを特徴とする、請求項14に記載の製造するための方法。
- 担体の表面上に位置決めされたナノ粒子上にナノストラクチャ(23、33、43)を製造するための方法であって、
前記方法が、請求項1から16のいずれか一項に記載の担体を製造するための方法と、その後の、前記第1の材料のナノ粒子(22、32、42)上にナノストラクチャ(23、33、43)を成長させるステップとの実施を含むことを特徴とする、ナノストラクチャ(23、33、43)を製造するための方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0650235 | 2006-01-23 | ||
FR0650235A FR2896493B1 (fr) | 2006-01-23 | 2006-01-23 | Procede d'elaboration d'un support pour la croissance de nanostructures allongees localisees |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007223024A JP2007223024A (ja) | 2007-09-06 |
JP5336046B2 true JP5336046B2 (ja) | 2013-11-06 |
Family
ID=37067916
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007011726A Expired - Fee Related JP5336046B2 (ja) | 2006-01-23 | 2007-01-22 | 局在細長ナノストラクチャの成長用担体を製造する方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7544547B2 (ja) |
EP (1) | EP1810948B1 (ja) |
JP (1) | JP5336046B2 (ja) |
DE (1) | DE602007000688D1 (ja) |
FR (1) | FR2896493B1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2926675B1 (fr) * | 2008-01-18 | 2011-07-29 | Univ Paris Sud | Methode d'obtention d'un materiau structure d'ouvertures traversantes, en particulier de nitrures de semi-conducteurs de type iii structures selon des motifs de cristaux photoniques |
FR2926669A1 (fr) * | 2008-05-21 | 2009-07-24 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation de nanoelements a des emplacements predetermines de la surface d'un substrat |
CN101609735B (zh) * | 2009-07-21 | 2011-08-31 | 中国地质大学(北京) | 高纯度高密度高产率Si3N4/SiO2同轴纳米电缆阵列的制备方法 |
EP2392697A1 (en) * | 2010-06-03 | 2011-12-07 | The Provost, Fellows and Scholars of the College of the Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin | Method and system for growing nano-scale materials |
JP5673325B2 (ja) * | 2011-04-20 | 2015-02-18 | 富士通株式会社 | カーボンナノチューブの形成方法及び熱拡散装置 |
FR2974940B1 (fr) * | 2011-05-06 | 2015-11-13 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation de nanocristaux de semi-conducteur orientes selon une direction pre-definie |
FR2974941B1 (fr) * | 2011-05-06 | 2013-06-14 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation de nanocristaux de |
JP2013001598A (ja) * | 2011-06-16 | 2013-01-07 | Hitachi Zosen Corp | カーボンナノチューブ生成用基板の製造方法および製造装置 |
WO2014162125A1 (en) * | 2013-04-01 | 2014-10-09 | Gencoa Ltd | Bio control activity surface |
US10312081B2 (en) | 2016-07-15 | 2019-06-04 | University Of Kentucky Research Foundation | Synthesis of metal oxide surfaces and interfaces with crystallographic control using solid-liquid-vapor etching and vapor-liquid-solid growth |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5783477A (en) * | 1996-09-20 | 1998-07-21 | Hewlett-Packard Company | Method for bonding compounds semiconductor wafers to create an ohmic interface |
FR2766620B1 (fr) * | 1997-07-22 | 2000-12-01 | Commissariat Energie Atomique | Realisation de microstructures ou de nanostructures sur un support |
FR2815026B1 (fr) | 2000-10-06 | 2004-04-09 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'auto-organisation de microstructures ou de nanostructures et dispositif a microstructures ou a nanostructures |
FR2815121B1 (fr) * | 2000-10-06 | 2002-12-13 | Commissariat Energie Atomique | Procede de revelation de defauts cristallins et/ou de champs de contraintes a l'interface d'adhesion moleculaire de deux materiaux solides |
JP3877302B2 (ja) * | 2002-06-24 | 2007-02-07 | 本田技研工業株式会社 | カーボンナノチューブの形成方法 |
JP2004261630A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-09-24 | Japan Science & Technology Agency | カーボンナノコイル製造用触媒及びその製造方法並びにカーボンナノコイル製造方法 |
JP2005059167A (ja) * | 2003-08-18 | 2005-03-10 | Sony Corp | 微細構造体の製造方法および微細構造体、ならびに記録装置の製造方法および記録装置 |
JP2008506254A (ja) * | 2004-07-07 | 2008-02-28 | ナノシス・インコーポレイテッド | ナノワイヤーの集積及び組み込みのためのシステムおよび方法 |
FR2895391B1 (fr) * | 2005-12-27 | 2008-01-25 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'elaboration de nanostructures ordonnees |
-
2006
- 2006-01-23 FR FR0650235A patent/FR2896493B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-01-19 DE DE602007000688T patent/DE602007000688D1/de active Active
- 2007-01-19 US US11/625,043 patent/US7544547B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-19 EP EP07100805A patent/EP1810948B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-22 JP JP2007011726A patent/JP5336046B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2896493B1 (fr) | 2008-02-22 |
US7544547B2 (en) | 2009-06-09 |
DE602007000688D1 (de) | 2009-04-30 |
US20080318366A1 (en) | 2008-12-25 |
FR2896493A1 (fr) | 2007-07-27 |
EP1810948A1 (fr) | 2007-07-25 |
EP1810948B1 (fr) | 2009-03-18 |
JP2007223024A (ja) | 2007-09-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5336046B2 (ja) | 局在細長ナノストラクチャの成長用担体を製造する方法 | |
JP4912600B2 (ja) | カーボンナノチューブの水平成長方法およびカーボンナノチューブを含む素子 | |
JP4970038B2 (ja) | ナノスケール繊維構造の合成方法およびその繊維構造を含む電子機器コンポーネント | |
US8207449B2 (en) | Nano-wire electronic device | |
US7378347B2 (en) | Method of forming catalyst nanoparticles for nanowire growth and other applications | |
KR101138865B1 (ko) | 나노 와이어 및 그 제조 방법 | |
TWI419202B (zh) | 大面積薄型單晶矽之製作技術 | |
JP2010541194A (ja) | 垂直配列ワイヤアレイ成長用ウェハの再利用方法 | |
JP2007186413A5 (ja) | ||
KR20120063164A (ko) | 그래핀 구조물 및 그 제조방법 | |
TW201130731A (en) | silicon nanostructures and method for producing the same and application thereof | |
JP6009738B2 (ja) | ナノチャネルデバイスおよびその製造方法 | |
JP2007050500A (ja) | 半導体ナノ構造及びそれを製造する方法 | |
JP2007055840A (ja) | シリコンナノワイヤーの架橋成長方法 | |
JP2009229341A (ja) | バイオセンサーおよびその製造方法 | |
US9761669B1 (en) | Seed-mediated growth of patterned graphene nanoribbon arrays | |
JP5137095B2 (ja) | シリコンナノ結晶材料の製造方法及び該製造方法で製造されたシリコンナノ結晶材料 | |
JP5334085B2 (ja) | 基板への種付け処理方法、ダイヤモンド微細構造体及びその製造方法 | |
US9494615B2 (en) | Method of making and assembling capsulated nanostructures | |
WO2010129482A2 (en) | Controlled quantum dot growth | |
KR20080114023A (ko) | 나노와이어 제작 방법 | |
Vedrine et al. | Large-area, ordered hexagonal arrays of nanoscale holes or dots from block copolymer templates | |
US8420551B2 (en) | Methods of fabricating semiconductor devices and semiconductor devices fabricated by the same | |
KR101067381B1 (ko) | 나노선 수평 성장을 위한 금속촉매의 측면 증착방법 및 이를 이용하여 수평 성장된 나노선의 제조방법 | |
KR20170135020A (ko) | 금속 촉매의 형상 제어를 통한 나노와이어 형성 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121030 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130226 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130508 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130702 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130801 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |