JP5335212B2 - マイクロシステム、特に容量性電極検出素子を有するマイクロジャイロメータ - Google Patents

マイクロシステム、特に容量性電極検出素子を有するマイクロジャイロメータ Download PDF

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Description

本発明は、平坦な基板に設けられるマイクロシステムであって、
−可撓性サスペンション手段により基板に対して接続される少なくとも2つの振動体と、
−前記振動体を所定の励起方向で励起するための励起手段と、
−前記励起方向に対して垂直な測定方向で前記振動体の動きを検出するための検出手段と、
を備え、
前記検出手段は、各振動体に関連付けられた励起フレームと、対応する励起フレームによって取り囲まれ且つ複数の移動電極を備える移動検出素子と、互いに接続される固定電極の第1および第2の組とを備え、前記固定電極はそれらが形成されている基板に対して取り付け固定され、各移動電極は、2つの可変差動コンデンサを形成するために第1および第2の組の関連する固定電極間に配置されることを特徴とするマイクロシステムに関する。
センサまたはアクチュエータ型のマイクロシステムの分野では、回転速度の慣性測定のためにマイクロジャイロメータを使用することが知られている。マイクロジャイロメータは、従来、回転の効果に起因する物体振動により形成されるコリオリの力を使用して速度を測定する。コリオリの力は、励起振動に対して及び回転軸に対して垂直な方向で生成される。
マイクロジャイロメータは、好ましくは基板の面内でミクロ機械加工される部品であって、従来においては同じ振動方向であるが反対の移動方向(位相が反対の動き)で任意の適当な励起手段により駆動される少なくとも2つの振動体を備える部品である。従来、振動体は、それらの構造中に、コリオリの力を検出するようになっている検出素子を組み込んでいる。
2つの主要な検出系が存在する。第1の検出系は、基板に対して垂直な回転軸を用いた、マイクロジャイロメータがその上に作成される基板の面内での検出である。第2の検出系は、基板の面内の回転軸を用いた、基板の面に対して垂直な検出である。
簡略化およびコストの技術的理由のため、殆どの場合、基板の面内での検出を伴うマイクロジャイロメータが使用される。米国特許第5635638号は、とりわけ、基板の面内での検出および励起を伴うとともに、2つの振動体間に位置されたインターデジタル容量性コームによる検出を伴うマイクロジャイロメータについて記載している。しかしながら、システムの非対称性が認められ、その結果、振動体の動きをあまりうまく制御できず、検出を達成することが非常に困難である。
文献WO−A−2004042324およびUS5728936はいずれも、基板の面と平行な1つの方向で検出を行なえるようにするインターデジタル容量性コーム、固定コーム、および移動コームの形態を成す検出手段を備えるマイクロジャイロメータについて記載している。しかしながら、検出がマイクロジャイロメータの慣性体に関与していないため、検出があまり効率的ではないことが分かっており、また、このタイプの検出素子は、マイクロジャイロメータの感度をかなり低下させる。これにより、マイクロジャイロメータを実施することが非常に困難になる。
前述したマイクロジャイロメータは全て、特にキャパシタンスの干渉変動に起因してあまり効率的ではない検出をもたらすインターデジタル容量性コームベースの検出素子を有している。したがって、そのようなマイクロジャイロメータの動作は最適ではない。
これらの欠点を改善するため、米国特許6752017号は、特に、可変差動コンデンサを形成する固定電極および移動電極を有する容量性検出システムを備えるマイクロジャイロメータについて記載している。検出システムは、各振動体に関連付けられた励起フレームと、対応する励起フレームによって取り囲まれ且つ複数の移動電極を備える移動検出素子とを備えている。また、検出システムは固定電極の第1および第2の組も備えており、各移動電極は、2つの可変差動コンデンサを形成するために第1および第2の組に関連する固定電極間に配置される。固定電極は、それらが形成される基板に対して取り付け固定され、従来通りに基板上に堆積されたポリシリコンにより形成される導電層によって互いに接続されるとともに、電極を形成するようになっているシリコン酸化物SiOから成る犠牲層に対してエッチングの観点から選択的でなければならない中間層、例えばシリコン窒化物Siによって基板から電気的に絶縁される。
しかしながら、従来のマイクロエレクトロニクス製造方法によって製造され且つポリシリコン層に関連付けられるそのような検出システムは、相互接続および導電率に関して十分な保証を与えない。特に、導電性の相互接続層は、製造プロセスの始めに形成されるため、プロセスのその後のステップと適合していなければならない。特に、相互接続層は、高温、一般には700℃を越える温度に耐えることができなければならない。多結晶シリコン導電層はこの機能を確保できるようにするが、多結晶シリコンの導電率は、限られており、金属材料の導電率よりも低い。
また、シリコン窒化物Siなどの誘電体によって行なわれる電気的な絶縁は、基板に関して大きな干渉キャパシタンスをもたらす。シリコン窒化物の誘電率(
Figure 0005335212
によって定められる)
は高く、窒化物層の機械的応力に起因して厚さを増大することは難しい。最後に、窒化物層の堆積は長く、したがって費用がかかる。
本発明の目的は、前述した全ての欠点を改善することであり、その振動体の励起が行なわれるときにキャパシタンスの干渉変動の影響を克服できるようにする検出手段を備えると同時にマイクロジャイロメータの電極の導電率を最適化するマイクロシステム、特にマイクロジャイロメータを提供するという目的を有している。
この目的は、添付の請求項に係るマイクロシステムによって達成され、特に、導電材料から成り且つ基板と略平行な面内において固定電極の上側で延びる相互接続バーによって各組の固定電極が相互接続されるという事実によって達成される。
本発明の他の利点および特徴は、単なる非限定的な実施例として与えられ且つ添付図面に示される本発明の特定の実施形態の以下の説明から更に明確に分かるようになる。
図1〜図4を参照すると、マイクロシステム1は、特に機械的に結合された振動体(oscillating masses)2の振動を測定することにより回転速度を決定するように設計されたマイクロジャイロメータである。特に、マイクロジャイロメータ1は、とりわけ振動体2の動きが励起方向Oxで行なわれるときにキャパシタンスの干渉変動の影響を克服できるようにし且つ振動体の振動により生成されるコリオリの力を測定するように設計された検出手段を備えている。マイクロジャイロメータ1は、例えば、図1〜図4の表示面を規定する平坦な基板(明確にするため、図1〜図4には図示せず)内にマイクロマシニングにより製造される。
図1に示される特定の実施形態において、マイクロジャイロメータ1は、略長方形の一般的な形状を成し且つ好ましくはそれら自体が互いに同一で対称な2つの振動体2a,2bを備えている。各振動体2a,2bはサスペンションスプリング3a,3bによって基板上に弾力的に吊るされている。
図1の特定の実施形態において、サスペンションスプリング3a,3bは、1つ以上の連続するU形状分岐部を基板と平行な1つの同じ面内に有する蛇行コイルの形態を成すスプリングである。サスペンションスプリング3a,3bはそれぞれ、対応する固定点4a,4bにより、対応する振動体2aまたは2b上の第1の端部および基板上の第2の端部に固定されている。
各振動体2a,2bは、例えば各振動体2a,2bの両側に配置されたインターデジタル容量性コーム5により、励起方向Oxすなわち矢印F1(図1)の方向で励起されて振動駆動される。
図1に示されるように、各振動体2a,2bは、対応する振動体2a,2bと同じ形状である励起フレーム6a,6bを備えていることが好ましく、これらの励起フレーム上には、対応するサスペンションスプリング3a,3bおよび励起インターデジタル容量性コーム5が固定されている。したがって、フレーム6a,6bは、励起方向Oxに対して垂直な2つの対向側面7a,7bをそれぞれ有している。対向側面7a,7bは特に機械的に結合されるようになっており、各対向側面はそれぞれ好ましくは2つのサスペンションスプリング3a,3bを有している。
マイクロジャイロメータ1の振動体2a,2bの対向側面7a,7bは、図1に概略的に示され且つ国際特許出願WO−A−2007/077353に更に詳しく記載される特定の結合手段によって接続されることが有利である。
また、振動体2a,2bはそれぞれ、マイクロジャイロメータ1の慣性体に関与し且つ好ましくは2つの振動体2a,2bに関して同一な検出手段も備えている。図2には、振動体2aの一部だけが示されている。検出手段の以下の説明では、振動体2aに関連する参照符号が振動体2bにも当てはまる。
図2において、振動体2aは、対応する励起フレーム6aによって取り囲まれ且つ好ましくはOy軸に沿って1つの自由度を許容する4つの可撓性のある戻しスプリング9a(図1)によって励起フレーム6aに対して接続される移動検出素子8aを備えている。移動検出素子8aは、振動体2a,2bの振動により生成されるコリオリの力の検出および測定の軸を規定するOy方向、すなわち矢印F2(図1)の方向で振動する。
例えば、可撓性のある戻しスプリング9aは、1つ以上の連続するU形状分岐部を基板と平行な1つの同じ面内に有する蛇行コイルの形態を成すスプリングである。戻しスプリング9aは、励起フレーム6a上の第1の端部および移動検出素子8a上の第2の端部で固定されている。
移動検出素子8aは、複数の移動電極10aを構成する複数の横方向分岐部を備えており、また、マイクロジャイロメータ1は、固定電極11,12の2つの組、すなわち、図1および図2に垂直のハッチングで示される固定電極11の第1の組と、図1および図2に斜めのハッチングで示された固定電極12の第2の組とを備えている。固定電極11,12は、それらが形成される基板上に取り付け固定され、例えばシリコン窒化物Siから成る中間層(図示せず)によって基板から絶縁されるとともに、基板上に前後に交互に配置されている(図1〜図4)。いずれの組の固定電極11,12も互いに相互接続されている(図2)。
移動検出素子8aの各移動電極10aは、電極の第1の組の固定電極11と電極の第2の組に関連する固定電極12との間に配置されて2つの可変差動コンデンサを形成している。したがって、移動検出素子8aの移動が検出および測定軸Oy(図2)に沿って行なわれると、固定電極11,12と、対応する移動検出素子8aとの間の空隙が変動する。
図1および図2の特定の実施形態において、固定電極11,12は全て、同じ長さを有し、励起方向Oxに対して平行であるとともに、検出および測定方向Oyで前後に交互に配置されている。移動検出素子8aは長方形状のフレームによって形成されており、移動電極10aを構成する横方向分岐部は同一であり且つ同じ長さを有している。
図3および図4において、マイクロジャイロメータ1の代替的な実施形態は、それらの振動体2の形状、それらの励起フレーム6の形状、それらの移動検出素子8の形状、および、それらの固定電極11,12の形状が、図1および図2に示されるマイクロジャイロメータ1とは異なっている。図3および図4には、明確にするため、固定電極11,12の2つの組に関連する1つの移動検出素子8だけが示されている。
図3において、移動検出素子8は、略非対称な形状を成すフレームであっても良い。この場合、移動検出素子8の移動電極10は長さが異なる横方向分岐部を形成し、各横方向分岐部は、電極の第2の組の同じ長さの固定電極12に関連する電極の第1の組の固定電極11と協働する。1つの同じ組の固定電極11,12は、検出および測定軸Oyに沿うそれらの位置に応じて異なる長さを有することができる。
図4において、移動検出素子8は、関連する全ての固定電極11,12を取り囲む略円形状のフレームである。移動検出素子8は、固定電極11,12と協働して可変差動コンデンサを形成する移動電極10を構成する横方向分岐部を備えている。この場合、固定電極11,12および移動電極10は異なる長さを有しており、移動検出素子8のほぼ中央に位置された固定電極11,12は、特に、測定方向Oyで検出素子8のほぼ縁部に位置された固定電極11,12よりも長くなっている。
一般的な態様においては、移動検出素子8を構成するフレームの形状がどのような形状であっても、移動検出素子8の横方向分岐部に関連付けられた固定電極11,12は、好ましくは関連する固定電極11,12の両側で突出して可変差動コンデンサを形成する対応移動電極10(図1〜図4)と等しいか、それよりも短い長さを有している。この場合、固定電極11,12は十分に重なっていると見なされる。すなわち、2つの関連する固定電極11,12は同じ長さを有しており、移動検出電極8の移動が行なわれるときには対応する移動電極10と対向する固定電極の面は常に同一である。
したがって、基板によって規定される面Ox/Oyに対して垂直なOz軸に沿って基板の回転が行なわれると、各移動検出素子8a,8bは、振動して、励起方向Oxでの対応する振動体2a,2bの励起と同じ周波数でOy方向に移動する。この移動は、その後、関連する移動検出素子8a,8bの移動電極10と協働する固定電極11,12により測定され、これにより、回転速度を決定することができる。
したがって、マイクロジャイロメータ1の固定電極11,12および移動検出素子8a,8bは、振動体2a,2bの励起が励起方向Oxで行なわれるときにキャパシタンスの干渉変動の影響を克服することができる。これにより、回転速度の検出および測定に関して最適な効率が得られ、関連するマイクロジャイロメータの動作が最適化される。
また、特に図2に示されるように、第1の組の固定電極11の全て及び第2の組の固定電極12の全てはそれぞれ、導電材料によって形成された相互接続バー13,14(明確にするため、図1、3、4には図示せず)によって互いに接続される。特に、マイクロジャイロメータ1の外側からアクセスできる測定接点により測定を行なえるようにするため、相互接続バー13,14は基板から絶縁されることが好ましい。
特に「エアブリッジ」と呼ばれる相互接続バー13,14は、固定電極11,12の組の上側で延びるとともに、基板と略平行な面内に配置されている。相互接続バー13,14は、導電材料により形成されるパッド15,16によりそれぞれ固定電極11,12に対して固定される。例えば、相互接続バー13,14および対応するパッド15,16は単一の導電部を形成する。
代替の実施形態において、相互接続バー13,14は、別個に製造されるとともに、シリコンから成る固定電極11,12上でのオーム接触を最適化できる材料により形成されるパッド15,16に対して付着されるように設計されている。例えば、パッド15,16の材料は、例えばチタンから成る対応する固定電極11,12上で良好なオーム接触を得るように選択され、これに対し、相互接続バー13,14の材料は、良好な導電率および良好な機械的強度を有していなければならない。
どのような製造方法であっても、相互接続バー13,14は、高温に耐え且つ良好な機械的特性を与える材料から形成される。例えば、相互接続バー13,14は、ドープトポリシリコン、ドープトシリコン・ゲルマニウム合金SiGe、単結晶シリコン、または、好ましくは金属によって形成することができる。例えば、相互接続バー13,14は、アルミニウム、ニッケル、金、銅などによって形成できる。
そのような相互接続バー13,14の製造方法の一例を図2に関して更に詳しく説明する。第1のステップは、マイクロジャイロメータ構造体を構成する様々な素子(振動体、励起フレーム、固定電極および移動電極)を形成することにある。第2のステップでは、例えばテトラエチルオルトシリケート(TEOS)から成る犠牲層がマイクロジャイロメータ上に堆積され、その後、固定電極11,12間のトレンチ(溝)を閉じるために犠牲層が約1000℃でアニールされる。犠牲層は、その後、相互接続バー13,14を支持するように設計されたパッド15,16の場所を描くためにエッチングされる。その後、金属が堆積されて、これを、例えばマスクを用いてエッチングし、それにより、相互接続バー13,14が形成される。最後に、最初に堆積された犠牲層がエッチングされ、相互接続バー13,14が固定電極11,12の上側で延びた状態でマイクロジャイロメータが解放される。
このように、マイクロジャイロメータの製造方法がどのようなものであっても、また、移動検出素子8の形状がどのような形状であっても、そのような相互接続バー13,14は、とりわけ、特にそれらの可撓性により、最適な導電率を得ることができるようにするとともに、機械的応力を減少させることができるようにする。
マイクロジャイロメータの上端での最後の相互接続バーの製造は、特に、大きな可撓性を与え、これらの相互接続バー(最良の導体)のために使用される材料の選択の自由度を大きくすると同時に、従来のマイクロエレクトロニクス法に適合する(適合性制約が減少する)。また、相互接続バーは「空中」にあるため、基板に対する相互接続バーの干渉キャパシタンスが大きく減少される。
本発明は前述した様々な実施形態に限定されない。振動体2a,2bの励起を行なうインターデジタル容量性コーム5は、振動体2a,2bの振動を励起方向Oxで引き起こす任意の他の励起手段、例えば静電手段、電磁手段または圧電手段と置き換えることができる。
サスペンションスプリング3a,3bは、任意の他の可撓性のあるサスペンション手段が振動体2a,2bの機械的結合を可能にする場合には、前記サスペンション手段と置き換えることができる。
戻しスプリング9a,9bは、任意の他の柔軟な戻し手段が関連する移動検出素子8a,8bの移動を対応する励起フレーム6a,6b内で可能にする場合、すなわち、これらの戻し手段がOy方向での移動を可能にしつつOx方向での変形を伴わずに励起動作を伝えることができる場合には、前記戻し手段と置き換えることができる。
移動検出素子8を構成するフレームは任意の他の形状を成すことができ、また、固定電極11,12は、それらが移動検出素子8の関連する移動電極10と共に可変差動コンデンサを形成できるようにする場合には、異なる長さを有することができる。相互接続バー13,14は、導電性があり且つ高温に耐える任意の他の金属によって形成することができる。
図1〜図4に記載された特定の検出手段は、アクチュエータまたはセンサ型の任意のタイプのマイクロシステムに組み込むことができる。
2つの振動体がそれぞれ関連する検出素子を備える、本発明に係るマイクロシステム、特にマイクロジャイロメータの特定の実施形態の平断面図を概略的に示している。 図1に係るマイクロシステムの振動体の大きく拡大された部分平断面図を概略的に示している。 本発明に係るマイクロシステムの代替の実施形態の振動体に関連する検出素子を非常に概略的に示している。 本発明に係るマイクロシステムの代替の実施形態の振動体に関連する検出素子を非常に概略的に示している。

Claims (9)

  1. 平坦な基板に設けられるマイクロシステムあって、
    −可撓性サスペンション手段より基板に対して接続された少なくとも2つの振動体
    −前記振動体所定の励起方向励起するための励起手段
    −前記励起方向対して垂直な測定方向前記振動体動きを検出するための検出手段であって、 検出手段は、各振動体関連付けられた励起フレーム、対応する前記励起フレームよって取り囲まれ且つ複数の移動電極備える移動検出素子とを含む前記検出手段と、を備え、
    当該マイクロシステムは、複数の第1の相互接続固定電極の第1の組と複数の第2の相互接続固定電極の第2の組とを備え、前記第2の組は前記第1の組とは異なり、各前記第1および第2の相互接続固定電極はそれらが形成されている基板に対して取り付け固定され、各前記第1および第2の組の各固定電極は対向する2つの主表面を有し、第1の主表面は前記移動電極に面し、第2の主表面は2つの可変差動コンデンサを形成するために他の組の固定電極に面し、
    各組の前記固定電極、導電材料により形成され且つ基板と略平行な面内において前記固定電極および前記移動電極の上方において延びている相互接続バーよって、相互接続され、前記相互接続バーは前記固定電極および前記移動電極によって前記基板から分離されていることを特徴とする、マイクロシステ
  2. 前記相互接続バー、パッドより固定電極対して固定されることを特徴とする、請求項1に記載のマイクロシステム。
  3. 前記相互接続バー、高温に耐える材料により形成されていることを特徴とする、請求項1に記載のマイクロシステム。
  4. 前記相互接続バー、ポリシリコンまたはシリコン・ゲルマニウム合金によって形成されていることを特徴とする、請求項1に記載のマイクロシステム。
  5. 前記相互接続バー金属から成ることを特徴とする、請求項1記載のマイクロシステム。
  6. 前記金属は、アルミニウム、ニッケル、金、銅から選択されることを特徴とする、請求項5に記載のマイクロシステム。
  7. 前記固定電極励起方向平行であり、移動電極、各前記移動検出素子構成するフレームの横方向分岐部であることを特徴とする、請求項1に記載のマイクロシステム。
  8. 各前記移動検出素子が長方形状のフレームであることを特徴とする、請求項7に記載のマイクロシステム。
  9. 各前記移動検出素子円形状のフレームであることを特徴とする、請求項7に記載のマイクロシステム。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008001232A1 (de) * 2008-04-17 2009-10-22 Robert Bosch Gmbh Elektrodenkamm, mikromechanisches Bauteil und Herstellungsverfahren für einen Elektrodenkamm und für ein mikromechanisches Bauteil
FI20095201A0 (fi) * 2009-03-02 2009-03-02 Vti Technologies Oy Värähtelevä mikromekaaninen kulmanopeusanturi
US8138007B2 (en) * 2009-08-26 2012-03-20 Freescale Semiconductor, Inc. MEMS device with stress isolation and method of fabrication
DE102010038461B4 (de) * 2010-07-27 2018-05-30 Robert Bosch Gmbh Drehratensensor und Verfahren zur Herstellung eines Masseelements
FR2974895B1 (fr) 2011-05-02 2013-06-28 Commissariat Energie Atomique Gyrometre a capacites parasites reduites
JP5962900B2 (ja) * 2012-04-02 2016-08-03 セイコーエプソン株式会社 物理量センサーおよび電子機器
US10775247B1 (en) * 2019-09-16 2020-09-15 Vishal Khosla Capacitive shift-force sensor

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3367113B2 (ja) * 1992-04-27 2003-01-14 株式会社デンソー 加速度センサ
DE19530007C2 (de) * 1995-08-16 1998-11-26 Bosch Gmbh Robert Drehratensensor
DE19827688A1 (de) * 1997-06-20 1999-01-28 Aisin Seiki Winkelgeschwindigkeitssensor
JPH11201984A (ja) * 1998-01-13 1999-07-30 Denso Corp 半導体力学量センサ及びその製造方法
JP4178192B2 (ja) * 1998-04-22 2008-11-12 ミツミ電機株式会社 物理量検出センサ
US6257059B1 (en) * 1999-09-24 2001-07-10 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Microfabricated tuning fork gyroscope and associated three-axis inertial measurement system to sense out-of-plane rotation
JP2001264072A (ja) * 2000-03-17 2001-09-26 Aisin Seiki Co Ltd 角速度センサ
DE10108197A1 (de) * 2001-02-21 2002-09-12 Bosch Gmbh Robert Drehratensensor
DE10108196A1 (de) * 2001-02-21 2002-10-24 Bosch Gmbh Robert Drehratensensor
FR2846740B1 (fr) 2002-11-05 2005-02-04 Thales Sa Capteur gyrometrique micro-usine, a detection dans le plan de la plaque usinee
US7197928B2 (en) * 2003-11-04 2007-04-03 Chung-Shan Institute Of Science And Technology Solid-state gyroscopes and planar three-axis inertial measurement unit
FR2876180B1 (fr) * 2004-10-06 2006-12-08 Commissariat Energie Atomique Resonateur a masses oscillantes.
FR2895501B1 (fr) 2005-12-23 2008-02-29 Commissariat Energie Atomique Microsysteme, plus particulierement microgyrometre, avec au moins deux massesm oscillantes couplees mecaniquement
JP2007248152A (ja) * 2006-03-14 2007-09-27 Toyota Motor Corp 力学量検出装置及びその製造方法

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