JP5331341B2 - 熱インプリント用樹脂 - Google Patents
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Description
本発明は熱インプリント用樹脂に関する。詳しくは、ガラス転移温度Tg（℃）と260℃におけるMFRに特定の相関を有する環状オレフィン系熱可塑性樹脂であって、シートもしくはフィルム製造に供することのできる樹脂に関する。
光通信、光ディスク、ディスプレイ、光センサ等の光学分野の著しい発展に伴い、光学樹脂材料には性能とコストの両立が求められている。またバイオチップ、マイクロリアクター等の分野でもガラスに替わり種々の加工が容易である透明性樹脂材料への期待は大きくなっている。いずれの分野でも基材表面の加工、特に微細加工が要求されるようになり、その微細加工技術は近年集積化が著しい半導体分野でも重要な技術となっている。従来、透明性材料の表面に微細なパターンを形成するには、表面を機械的に切削するか、あるいはレジストや熱、紫外線又は電子線硬化型樹脂等を用いてパターンを印刷する、といった方法が採用されている。特に各種デバイス分野においては機器の小型化、軽量化に伴い、集積密度を向上させかつ小型化を図るために薄膜化した樹脂への要望は強く、種々のパターン形成方法が検討されている。射出成形でも500μｍ程度の厚さまでは可能だが、小型化が要求される各種デバイス類、あるいは反射防止膜をはじめとする各種光学素子についてはより一層の薄膜化が望まれており、シートもしくはフィルムへのパターン形成方法が必要となる。
しかし、機械的な切削では非常に高度で煩雑な加工技術を必要とする問題がある。また、レジスト等を使用したパターン印刷では工程が複雑な上に、印刷されたパターンの剥がれなど耐久性に問題がある。更には、パターンの微細化に伴い、プロセス全体を高精度に制御する機構が要求されるなどコストの問題を無視できなくなってきた。
これに対し微細なパターンを低コストで形成する方法として熱インプリント方法が提案されている。すなわち樹脂基板に樹脂のガラス転移温度以上に加熱した微細パターンを有する型を押し当てて、溶融した樹脂表面に型の微細パターンを転写する方法である。
従来、熱インプリント性（転写性、離型性等）の向上、生産性（スループット等）の改善を図るために、断熱材を設けて昇温と冷却のサイクルを短縮する方法（例えば特許文献１）や、超音波発生機構を設けて超音波により樹脂の溶融粘度を低下させる方法（特許文献２）等が開示されている。しかし、熱インプリントに用いる材料に言及された文献はほとんど認められず、インプリント用の材料開発が望まれている。
熱インプリントに用いられる材料としては、一般に樹脂材料やガラス、金属等がある。このうち、樹脂材料は、金属やガラスへのインプリントと比べると低温で成型でき、製造コスト上有利である。
樹脂としては、ポリメタクリル酸（PMMA）に代表される（メタ）アクリル樹脂あるいはポリカーボネート樹脂等があるが、耐熱性が低いことや吸水によって寸法変化を起こすこと等の問題があった。また、流動性と固化とのバランス制御が困難であるため高転写されたパターンを保持、使用することが困難であった（例えば、特許文献３）。
一方、耐熱性と低吸水率による寸法安定性を兼ね備えた樹脂として、環状オレフィン系熱可塑性樹脂がある。環状オレフィン系熱可塑性樹脂は一般的に透明性、化学的耐性、低吸湿性に優れ、環状オレフィンの構造または環状オレフィンの樹脂中の含有量により容易に耐熱性を制御することが可能である。また、低粘度で、短緩和時間（型のパターン内へ樹脂が充填されるのに要する時間）、金型への付着が少ない樹脂であり、微細パターンの転写精度に優れ、生産性にも優れた熱インプリント材料としての応用が期待される樹脂である（例えば、非特許文献１）。
しかしながら、従来の環状オレフィン系熱可塑性樹脂は、ガラス転移温度Tg（℃）や流動性等の樹脂物性を熱ナノインプリントのプロセスに合わせて開発されたものではなく、高い成型温度、大きい成型圧力を必要とするため、熱インプリント性（転写性、離型性等）が十分ではなかった。また、長い成型時間を必要としており、生産性（スループット）が低いという問題もあった。例えば、前記非特許文献１に記載のものは、成型温度を２４０℃と高温にしているため、型のパターンを転写した後、冷却するのに時間がかかり、インプリント製品を製造するためには生産性（スループット等）が低くなる。前記非特許文献２に記載のものはTgが80℃程度の樹脂を使用しているため実用性の面で問題があり、更には樹脂のガラス転移温度よりも90℃高い温度で、2000Nの圧力で5分間インプリントしているため樹脂の放冷に時間がかかり、文献１と同じく生産性が低いプロセスになっている。この他、我々の知見として、射出成形体として熱インプリントに最適な樹脂物性を有する樹脂からシートもしくはフィルムを製造しても、熱インプリント後のパターンは不良パターンとなるばかりで、良好なインプリント性を発現できていないことが確認されている。これはひとえに樹脂物性、特にガラス転移温度と樹脂の流動性の指標となるMFRとの相関、および樹脂に対するインプリント条件（成型温度、成型圧力、離型温度等）とインプリント性（転写性、離型性等）との相関が把握されていないことに起因する。
そこで本発明は、熱インプリントに用いる基板等のシートもしくはフィルム製造に供することができ、熱インプリント性（転写性、離型性等）に優れ、かつ生産性（スループット等）の改善に寄与する環状オレフィン系熱可塑性樹脂及びこの樹脂を用いた熱インプリント方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために鋭意検討した結果、ガラス転移温度とMFRとの間にある相関を有する樹脂が好適に使用できることを見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明の環状オレフィン系熱可塑性樹脂は、シートもしくはフィルム製造に供される下記化１または下記化２で表される骨格を主鎖中に少なくとも1種類含有する環状オレフィン系熱可塑性樹脂であって、樹脂のガラス転移温度Tg（℃）と260℃におけるMFRの値（[M]）とが下記式(1)を満たすと共に、[M]＜30であることを特徴とする。
Tg（℃）＞219×log[M]−160 ・・・ 式(1)
（化１、化２中のR1からR29は異なっていても同一でもよく、それぞれ水素原子、重水素原子、炭素数1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のヘテロ原子を含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。mおよびnは0以上の整数である。式(1)中の[M]は260℃におけるMFRの値を示す。）
（化１、化２中のR1からR29は異なっていても同一でもよく、それぞれ水素原子、重水素原子、炭素数1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のヘテロ原子を含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。mおよびnは0以上の整数である。式(1)中の[M]は260℃におけるMFRの値を示す。）
本発明の別の熱インプリント用樹脂は、シートもしくはフィルム製造に供される下記化３または下記化４で表される骨格を主鎖中に少なくとも１種類含有する環状オレフィン系熱可塑性樹脂であって、樹脂のガラス転移温度Tg（℃）と260℃におけるMFRの値（[M]）とが下記式(1)を満たすと共に、[M]＜20およびTg＞90℃であることを特徴とする。
Tg（℃）＞219×log[M]−160 ・・・ 式(1)
（化３、化４中のR1からR29は異なっていても同一でもよく、それぞれ水素原子、重水素原子、炭素数1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のヘテロ原子を含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。mおよびnは0以上の整数である。式(1)中の[M]は260℃におけるMFRの値を示す。）
（化３、化４中のR1からR29は異なっていても同一でもよく、それぞれ水素原子、重水素原子、炭素数1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のヘテロ原子を含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。mおよびnは0以上の整数である。式(1)中の[M]は260℃におけるMFRの値を示す。）
この場合、前記環状オレフィン系熱可塑性樹脂が下記化５で表される環状オレフィンとα-オレフィンとの共重合体、または前記環状オレフィンの開環重合の後に水素化することで製造される重合体である方が好ましい。
（化５中のR30からR48は異なっていても同一でもよく、それぞれ水素原子、重水素原子、炭素数1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のヘテロ原子を含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。mおよびnは0以上の整数である。）
また、前記熱インプリント用樹脂は、１以上の添加物を含有しても良い。この場合、前記添加物は、酸化防止剤および滑剤の少なくともいずれかを含む方が好ましい。
また、前記化３記載の構造を有する樹脂が下記化６で表される環状オレフィンとエチレンとの共重合体である方が好ましい。
（化６中のR30からR48は異なっていても同一でもよく、それぞれ水素原子、重水素原子、炭素数1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のヘテロ原子を含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。mおよびnは0以上の整数である。）
また、本発明の熱インプリント方法は、上述した熱インプリント用樹脂からなるシートもしくはフィルムに、当該熱インプリント用樹脂のガラス転移温度(Tg)＋65℃以下に加熱された型を押圧して、前記型のパターンを転写することを特徴とする。
また、本発明の別の熱インプリント方法は、上述した熱インプリント用樹脂からなる射出成型体に型を押圧した後、当該熱インプリント用樹脂のガラス転移温度(Tg)−25℃以上の温度で前記型と前記熱インプリント用樹脂とを離型することを特徴とする。
また、本発明の更に別の熱インプリント方法は、上述した熱インプリント用樹脂からなるシートもしくはフィルムに、金型を2.5MPa以下で押圧して、前記型のパターンを転写することを特徴とする。
また、本発明は、シートもしくはフィルム製造に供される下記化７または下記化８で表される骨格を主鎖中に少なくとも1種類含有する環状オレフィン系熱可塑性樹脂であって、樹脂のガラス転移温度Tg（℃）と260℃におけるMFRの値（[M]）とが下記式(1)を満たすと共に、[M]＜30である環状オレフィン系熱可塑性樹脂のインプリントプロセスへの使用である。
Tg（℃）＞219×log[M]−160 ・・・ 式(1)
（化７、化８中のR1からR29は異なっていても同一でもよく、それぞれ水素原子、重水素原子、炭素数1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のヘテロ原子を含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。mおよびnは0以上の整数である。式(1)中の[M]は260℃におけるMFRの値を示す。）
（化７、化８中のR1からR29は異なっていても同一でもよく、それぞれ水素原子、重水素原子、炭素数1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のヘテロ原子を含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。mおよびnは0以上の整数である。式(1)中の[M]は260℃におけるMFRの値を示す。）
また、本発明は、シートもしくはフィルム製造に供される下記化９または下記化１０で表される骨格を主鎖中に少なくとも１種類含有する環状オレフィン系熱可塑性樹脂であって、樹脂のガラス転移温度Tg（℃）と260℃におけるMFRの値（[M]）とが下記式(1)を満たすと共に、[M]＜20およびTg＞90℃である環状オレフィン系熱可塑性樹脂のインプリントプロセスへの使用である。
Tg（℃）＞219×log[M]−160 ・・・ 式(1)
（化９、化１０中のR1からR29は異なっていても同一でもよく、それぞれ水素原子、重水素原子、炭素数1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のヘテロ原子を含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。mおよびnは0以上の整数である。式(1)中の[M]は260℃におけるMFRの値を示す。）
（化９、化１０中のR1からR29は異なっていても同一でもよく、それぞれ水素原子、重水素原子、炭素数1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のヘテロ原子を含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。mおよびnは0以上の整数である。式(1)中の[M]は260℃におけるMFRの値を示す。）
ガラス転移温度Tg（℃）と260℃におけるMFRとの間に特定の相関を有する環状オレフィン系熱可塑性樹脂を用いることにより、低温・低圧での熱インプリントを可能にすることができるので、インプリント性（転写性、離型性等）の向上および生産性（スループット等）の改善を図ることができる。
また、ガラス転移温度Tg（℃）と260℃におけるMFRとの間に特定の相関を有する環状オレフィン系熱可塑性樹脂に適したインプリント条件（成型温度、成型圧力、離型温度等）を用いることにより、更に熱インプリント性（転写性、離型性等）の向上および生産性（スループット等）の改善を図ることができる。
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
本発明に用いられる環状オレフィン系熱可塑性樹脂は、環状オレフィン類とα-オレフィン類との共重合体、すなわち下記化１１で示される環状オレフィン類由来の繰り返し単位を含有するα-オレフィンとの共重合体、または下記化１２で示される環状オレフィン類の開環重合後に水素添加した重合体である。
化１１、化１２中のR1からR29は異なっていても同一でもよく、それぞれ水素原子、重水素原子、炭素数1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のヘテロ原子を含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。mおよびnは0以上の整数である。
該樹脂を構成する環状オレフィン単量体は化１３で示される構造を有しており、例えばビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン（ノルボルネン）、5-メチルビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン、7-メチルビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン、5-エチルビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン、5-プロピルビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン、5-n-ブチルビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン、5-イソブチルビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン、1,4-ジメチルビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン、5-ブロモビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン、5-クロロビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン、5-フルオロビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン、5,6-ジメチルビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン、ジシクロペンタジエン、トリシクロペンタジエン、テトラシクロ[4,4,0,12.5,17.10]-3-ドデセン、5,10-ジメチルテトラシクロ[4,4,0,12.5,17.10]-3-ドデセン、2,10-ジメチルテトラシクロ[4,4,0,12.5,17.10]-3-ドデセン、11,12-ジメチルテトラシクロ[4,4,0,12.5,17.10]-3-ドデセン、2,7,9-トリメチルテトラシクロ[4,4,0,12.5,17.10]-3-ドデセン、9-エチル-2,7-ジメチルテトラシクロ[4,4,0,12.5,17.10]-3-ドデセン、9-イソブチル-2,7-ジメチルテトラシクロ[4,4,0,12.5,17.10]-3-ドデセン、9,11,12-トリメチルテトラシクロ[4,4,0,12.5,17.10]-3-ドデセン、9-エチル-11,12-ジメチルテトラシクロ[4,4,0,12.5,17.10]-3-ドデセン、9-イソブチル-11,12-ジメチルテトラシクロ[4,4,0,12.5,17.10]-3-ドデセン、5,8,9,10-テトラメチルテトラシクロ[4,4,0,12.5,17.10]-3-ドデセン、8-ヘキシルテトラシクロ[4,4,0,12.5,17.10]-3-ドデセン、8-ステアリルテトラシクロ[4,4,0,12.5,17.10]-3-ドデセン、8-メチル-9-エチルテトラシクロ[4,4,0,12.5,17.10]-3-ドデセン、8-シクロヘキシルテトラシクロ[4,4,0,12.5,17.10]-3-ドデセン、8-エチリデンテトラシクロ[4,4,0,12.5,17.10]-3-ドデセン、8-クロロテトラシクロ[4,4,0,12.5,17.10]-3-ドデセン、8-ブロモテトラシクロ[4,4,0,12.5,17.10]-3-ドデセン、8-フルオロテトラシクロ[4,4,0,12.5,17.10]-3-ドデセン、8,9-ジクロロテトラシクロ[4,4,0,12.5,17.10]-3-ドデセン、ヘキサシクロ[6,6,1,13.6,110.13,02.7,09.14]-4-ヘプタデセン、12-メチルヘキサシクロ[6,6,1,13.6,110.13,02.7,09.14]-4-ヘプタデセン、12-エチルヘキサシクロ[6,6,1,13.6,110.13,02.7,09.14]-4-ヘプタデセン、12-イソブチルヘキサシクロ[6,6,1,13.6,110.13,02.7,09.14]-4-ヘプタデセン、1,6,10-トリメチル-12-イソブチルヘキサシクロ[6,6,1,13.6,110.13,02.7,09.14]-4-ヘプタデセン、5-メチル-5-フェニル-ビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン、5-エチル-5-フェニル-ビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン、5-n-プロピル-5-フェニル-ビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン、5-n-ブチル-5-フェニル-ビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン、5,6-ジメチル-5-フェニル-ビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン、5-メチル-6-エチル-5-フェニルビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン、5,6,6-トリメチル-5-フェニル-ビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン、1,4,5-トリメチルビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン、5,6-ジエチル-5-フェニルビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン、5-ブロモ-5-フェニル-ビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン、5-クロロ-5-フェニル-ビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン、5-フルオロ-5-フェニル-ビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン、5-メチル-5-(tert-ブチルフェニル)-ビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン、5-メチル-5-(ブロモフェニル)-ビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン、5-メチル-5-(クロロフェニル)-ビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン、5-メチル-5-(フルオロフェニル)-ビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン、5-メチル-5-(α-ナフチル)-ビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン、5-メチル-5-アントラセニル-ビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン、8-メチル-8-フェニル-テトラシクロ[4,4,0,12.5,17.10]-3-ドデセン、8-エチル-8-フェニル-テトラシクロ[4,4,0,12.5,17.10]-3-ドデセン、8-n-プロピル-8-フェニル-テトラシクロ[4,4,0,12.5,17.10]-3-ドデセン、8-n-ブチル-8-フェニル-テトラシクロ[4,4,0,12.5,17.10]-3-ドデセン、8-クロロ-8-フェニル-テトラシクロ[4,4,0,12.5,17.10]-3-ドデセン、11-メチル-11-フェニル-ヘキサシクロ[6,6,1,13.6,110.13,02.7,09.14]-4-ヘプタデセン、1,4-メタノ-4a,9,9-トリメチル-1,4,9a-トリヒドロフルオレン等が好適な単量体として例示することができる。これら種々の単量体は、基本的には該当するジエン類とオレフィン類との熱的なディールス・アルダー反応（Diels-Alder反応）により製造することができ、更に適宜水素添加等を実施して所望する単量体を製造することが可能である。
化１３中のR30からR48は異なっていても同一でもよく、それぞれ水素原子、重水素原子、炭素数1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のヘテロ原子を含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。mおよびnは0以上の整数である。
また、化１１で示される共重合体に好適に使用できるα-オレフィンとしては、炭素数2〜20、好ましくは炭素数2〜10のα-オレフィンであって、例えばエチレン、プロピレン、1-ブテン、1-ペンテン、3-メチル-1-ブテン、3-メチル-1-ペンテン、1-ヘキセン、1-オクテン、1-デセン等が示され、単独であるいは組み合わせて使用することができる。これらのうち、エチレンまたはプロピレンが好ましく、更には共重合性、経済性等、実用的な観点からするとエチレンが特に好ましい。
化１１で示される共重合体において、好ましい該α-オレフィンと該環状オレフィンとのモル比（α-オレフィン／該環状オレフィン）は10／90〜90／10の範囲であり、更に好ましくは30／70〜70／30の範囲である。共重合体中のモル比は13C-NMR（400MHz、温度：120℃／溶媒：1,2,4-トリクロロベンゼン／1,1,2,2-重水素化テトラクロロエタン混合系）により決定した。
また、本発明の熱インプリント用樹脂は、そのガラス転移温度Tg（℃）と260℃におけるMFRの値（[M]）とが下記式(1)を満たすように調整されるものである。
Tg（℃）＞219×log[M]−160 ・・・ 式(1)
ここで、化１１もしくは化１２で示される環状オレフィン系熱可塑性樹脂の重量平均分子量Mwは10,000〜1,000,000、好ましくは20,000〜500,000、更に好ましくは50,000〜300,000の範囲にあり、260℃におけるMFRの値[M]としては30以下、好ましくは20以下、更に好ましくは10以下の樹脂である。これにより樹脂の強度が高くなり、離型時に充填された樹脂が剥離、破損することを抑制でき、樹脂の流動性を損なわない範囲でインプリント性（転写性、離型性等）を向上することができる。
ここで、化１１もしくは化１２で示される環状オレフィン系熱可塑性樹脂の重量平均分子量Mwは10,000〜1,000,000、好ましくは20,000〜500,000、更に好ましくは50,000〜300,000の範囲にあり、260℃におけるMFRの値[M]としては30以下、好ましくは20以下、更に好ましくは10以下の樹脂である。これにより樹脂の強度が高くなり、離型時に充填された樹脂が剥離、破損することを抑制でき、樹脂の流動性を損なわない範囲でインプリント性（転写性、離型性等）を向上することができる。
また、熱インプリントにより微細パターンが転写された樹脂の用途を考慮すると樹脂の耐熱性は高い方が好ましく、ガラス転移温度としては80℃以上、好ましくは90℃以上、更に好ましくは、実用性を考慮すると標準条件下での水の沸点より高い温度、すなわち100℃を越える温度が好ましい。
該樹脂を製造するための重合方法に特に制限はなく、チーグラーナッタ触媒（Ziegler-Natta触媒）やシングルサイト触媒（single-site触媒）を用いた配位重合、更には必要に応じて共重合体を水素添加する方法、メタセシス重合触媒を用いた開環重合の後に水素添加する方法等、公知の方法を用いることができる。水素添加する方法としても公知である方法が使用でき、例えばニッケル、パラジウム等金属成分を含有する触媒により好適に実施することができる。例えば化１１で示される共重合体を製造するために使用されるシングルサイト触媒（single-site触媒）としては種々のメタロセン化合物が使用可能であるが、例えば特開2003-82017に記載されているメチレン（シクロペンタジエニル）（テトラシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド等が好適に使用できる。重合反応に用いられる助触媒としては特に制限はないが、公知であるメチルアルミノキサン類が好適に使用でき、反応に応じて適宜他の有機アルミニウム化合物を共存させて重合してもよい。該重合反応は室温（25℃前後）〜200℃の範囲で好適に実施できるが、反応性および触媒の安定性を考慮すると40〜150℃の範囲で実施することが望ましい。また重合反応に使用する有機溶剤としては特に制限はなく、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族系溶剤、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、メチルシクロヘキサン、オクタン等の飽和炭化水素系溶剤、もしくはこれらの混合溶剤系が好適に使用できる。該樹脂を製造後、ラジカル反応により酸素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を適宜導入することも可能である。
該樹脂には必要に応じて酸化防止剤、耐熱安定剤、耐候安定剤、光安定剤、帯電防止剤、スリップ剤、アンチブロッキング剤、防曇剤、滑剤、染料、顔料、天然油、合成油、ワックスなどの添加剤を１以上添加、配合することができ、その配合割合は適宜設定することができる。添加剤（酸化防止剤、滑剤等）に特に制限はなく、公知の化合物を好適に使用することができる。
更にシートもしくはフィルムの表面粗さを小さくするために、フッ素系ノニオン界面活性剤、シリコーン系レベリング剤等、各種レベリング剤を適宜添加してもよい。
本発明において酸化防止剤の添加は、加熱時に樹脂が酸化し、樹脂の着色や樹脂分子鎖の架橋によるゲルの発生、樹脂分子鎖の切断による物性低下等を引き起こすのを防止することができる。
また、本発明において滑剤の添加は、インプリント後の離型性を改善し、インプリント製品の生産性（スループット）を向上することができる。また、該樹脂の成形加工時に型のパターンへの樹脂の入りが良くなる等の効果もある。
この他、インプリント製品の使用分野において要求される諸物性を損なわない範囲で、樹脂板の耐久性を改善するためにゴム成分を添加しても良く、公知の化合物を好適に使用できる。
インプリント製品の用途としては光導波路、導光板、回折格子等の光デバイス類、バイオチップ、マイクロ流路、マイクロリアクター等の流体デバイス、データ保存用メディア、回線基板の用途があげられる。
また、シートもしくはフィルムを製造する方法に特に制限はなく、溶融押出法、ディップ法、溶液キャスト法、スピンコート法等、公知の方法が適宜使用できる。厚さはインプリント製品の用途により任意に選択することができ、500μｍ以下の厚さであれば成形が可能である。ここで、本発明の熱インプリント用樹脂が用いられるシートもしくはフィルムはどのような形状でも良いが、好ましくは厚さ300μｍ以下、更に好ましくは厚さ150μｍ以下のものが好適である。
インプリントを行う装置としては種々の製品があり、適宜機種を選定することができる。本発明の熱インプリント用樹脂が用いられる転写パターンの大きさとしては、100μｍ以下、50μｍ以下、10μｍ以下、１μｍ以下、500ｎｍ以下、200ｎｍ以下等、種々の大きさがある。
次に、本発明の樹脂からなるシートもしくはフィルムにインプリントを行う方法について説明する。
インプリント性（パターンの転写性、離型性等）の改善されたプロセスを実現するためには、成型圧力を小さくし、成型時の保持時間を短くする方が好ましい。これは、インプリント時の成形圧力が高すぎたり圧力の保持時間が長過ぎると、樹脂と金型との密着により離型時にパターンが伸びたり欠損したりして、パターンの転写精度を低下させるためである。具体的には、本発明の樹脂からなるシートもしくはフィルムを使用し、インプリント時の成形圧力を3.0MPa以下、好ましくは2.5MPa以下にするのが良い。また、成形時の保持時間を1000s以下、好ましくは600s以下とするのが良い。
インプリントを実施するにあたり、基板上に直接シートもしくはフィルムを設置してインプリントを実施しても良いし、適宜別途基板を使用しても良い。別途使用できる基板としては、ポリカーボネート樹脂、ポリ（メタ）アクリル酸樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂基板、グラファイト、ステンレス等の基板を好適に使用することができる。樹脂基板を使用する際には耐熱性を考慮して、インプリント時の最高到達温度よりも高いガラス転移温度、軟化温度を有する樹脂を使用すれば、実質的な問題は生じない。また、フィルムをアルミニウムやシリコン等の基板上にキャスト法で製造した場合には、その基板のままインプリントを実施しても何ら支障は無い。
また、生産性（スループット等）の改善されたプロセスを実現するためには、型の温度を低くし、成型時の保持時間を短くする方が好ましい。これは、金型温度が低ければ冷却時間を短縮することができ、型とシートもしくはフィルムとを押圧する保持時間が短ければ成形時間を短縮することができるからである。
具体的には、本発明の樹脂からなるシートもしくはフィルムを使用し、成形時の型の温度が樹脂のガラス転移温度Tg＋80℃以下、更に好ましくはTg＋65℃以下の範囲にあるのが好ましい。また、離型時の型および射出成型体の温度は、Tg−40℃以上、更に好ましくはTg−25℃以上であることが好ましい。
以下に実施例により本発明を説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
尚、使用した樹脂の重量平均分子量（Mw）、数平均分子量（Mn）、および分子量分布（Mw／Mn）はゲルパーミエイションクロマトグラフィー法（GPC）により、Waters製GPC装置を使用し、カラム：Shodex製K-805L／K-806L、カラム温度：40℃、溶媒：クロロホルム、通液量：0.8mL／分の条件で測定した。また、使用した樹脂のガラス転移温度Tg（℃）はセイコー電子工業株式会社製の示差走査熱量分析計（型式EXSTAR6000、DSC6200）を用いて昇温時の吸熱ピークから得た。更に260℃におけるMFRの値[M]はTECHNOL SEVEN Co., LTD.製のMELT INDEXER（型式L248-2531）を使用し、荷重2.16kgfで測定した値を採用した。
シートもしくはフィルムの製造には、フィルム成形機としては東洋精機製ラボプラストミルD-2025、スピンコーターとしては株式会社イー・エッチ・シー製小型スピンナーSC-300を適宜使用した。また溶液キャスト法ではガラス基板上に樹脂溶液をアプリケーターを用いて塗布した後、焼成、乾燥、アニール処理を施して成形した。
インプリントの評価は、SCIVAX社のインプリント装置（VX-2000N-US）を使用し、30mm×30mmの金型を用いて、それぞれ実施例に記載の条件で実施した。表１に、樹脂の構造やガラス転移温度Tg（℃）と260℃におけるMFRとの間の相関（式(1)で示される）の有無によるインプリント性をまとめる。ここで、インプリント性は得られた微細な凹凸パターンを電子顕微鏡で観察し、金型と同様なパターンが良好に転写されているものを良好なパターン、樹脂が金型に接着して欠損、剥離が生じたもの、および伸びが発生しているもの、何らかの異常が認められるパターンを不良パターンとして評価した。
まず、本実施例および比較例に使用したシートもしくはフィルムの製造方法について示す。ここで、供試材１〜８は上述した式(1)を満たす樹脂からなる射出成型体であり、供試材９、１０は式(1)を満たさない樹脂からなる射出成型体である。なお、製造例で特に断らない限り、シートもしくはフィルム製造に供する重合体には原則として添加剤として酸化防止剤、および滑剤を含むものとする。
製造例１（シートもしくはフィルムの製造）
エチレン／ノルボルネン共重合体（Tg＝134℃、MFR＝11＠260℃）をフィルム成形機で成形し、厚さ100μｍの透明な成形体（供試材１）を製造した。
エチレン／ノルボルネン共重合体（Tg＝134℃、MFR＝11＠260℃）をフィルム成形機で成形し、厚さ100μｍの透明な成形体（供試材１）を製造した。
製造例２（シートもしくはフィルムの製造）
エチレン／ノルボルネン共重合体（Tg＝135℃、MFR＝10＠260℃）をフィルム成形機で成形し、厚さ90μｍの透明な成形体（供試材２）を製造した。
エチレン／ノルボルネン共重合体（Tg＝135℃、MFR＝10＠260℃）をフィルム成形機で成形し、厚さ90μｍの透明な成形体（供試材２）を製造した。
製造例３（シートもしくはフィルムの製造）
エチレン／ノルボルネン共重合体（Tg＝109℃、MFR＝16＠260℃）をフィルム成形機で成形し、厚さ100μｍの透明な成形体（供試材３）を製造した。
エチレン／ノルボルネン共重合体（Tg＝109℃、MFR＝16＠260℃）をフィルム成形機で成形し、厚さ100μｍの透明な成形体（供試材３）を製造した。
製造例４（シートもしくはフィルムの製造）
環状オレフィン系開環重合体の水添体（Tg＝138℃、MFR＝8＠260℃）をフィルム成形機で成形し、厚さ110μｍの透明な成形体（供試材４）を製造した。
環状オレフィン系開環重合体の水添体（Tg＝138℃、MFR＝8＠260℃）をフィルム成形機で成形し、厚さ110μｍの透明な成形体（供試材４）を製造した。
製造例５（シートもしくはフィルムの製造）
環状オレフィン系開環重合体の水添体（Tg＝136℃、MFR＝7＠260℃）をフィルム成形機で成形し、厚さ110μｍの透明な成形体（供試材５）を製造した。
環状オレフィン系開環重合体の水添体（Tg＝136℃、MFR＝7＠260℃）をフィルム成形機で成形し、厚さ110μｍの透明な成形体（供試材５）を製造した。
製造例６（シートもしくはフィルムの製造）
環状オレフィン系開環重合体の水添体（Tg＝105℃、MFR＝9＠260℃）をフィルム成形機で成形し、厚さ100μｍの透明な成形体（供試材６）を製造した。
環状オレフィン系開環重合体の水添体（Tg＝105℃、MFR＝9＠260℃）をフィルム成形機で成形し、厚さ100μｍの透明な成形体（供試材６）を製造した。
製造例７（シートもしくはフィルムの製造）
エチレン／ノルボルネン共重合体（Tg＝135℃、MFR＝10＠260℃）の15wt%ジエチルベンゼン溶液を調製し（添加剤無添加）、スピンコーターを用いてシリコンウェハー上でスピンコート（400rpm×5s、2000rpm×20s）した後、焼成（100℃×15min、150℃×30min）、アニール処理（110℃×30min）し、厚さ1.3μｍの成形体（供試材７）を製造した。
エチレン／ノルボルネン共重合体（Tg＝135℃、MFR＝10＠260℃）の15wt%ジエチルベンゼン溶液を調製し（添加剤無添加）、スピンコーターを用いてシリコンウェハー上でスピンコート（400rpm×5s、2000rpm×20s）した後、焼成（100℃×15min、150℃×30min）、アニール処理（110℃×30min）し、厚さ1.3μｍの成形体（供試材７）を製造した。
製造例８（シートもしくはフィルムの製造）
エチレン／ノルボルネン共重合体（Tg＝135℃、MFR＝59＠260℃）をフィルム成形機で成形し、厚さ100μｍの透明な成形体（供試材８）を製造した。
エチレン／ノルボルネン共重合体（Tg＝135℃、MFR＝59＠260℃）をフィルム成形機で成形し、厚さ100μｍの透明な成形体（供試材８）を製造した。
製造例９（シートもしくはフィルムの製造）
エチレン／ノルボルネン共重合体（Tg＝132℃、MFR＝51＠260℃）をフィルム成形機で成形し、厚さ90μｍの透明な成形体（供試材９）を製造した。
エチレン／ノルボルネン共重合体（Tg＝132℃、MFR＝51＠260℃）をフィルム成形機で成形し、厚さ90μｍの透明な成形体（供試材９）を製造した。
実施例１（フィルムのインプリント評価）
供試材１をガラス転移温度Tg−23℃（111℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（164℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（111℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材１をガラス転移温度Tg−23℃（111℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（164℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（111℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例２（フィルムのインプリント評価）
供試材１をガラス転移温度Tg−23℃（111℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（164℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.75μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（111℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材１をガラス転移温度Tg−23℃（111℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（164℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.75μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（111℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例３（フィルムのインプリント評価）
供試材１をガラス転移温度Tg−23℃（111℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（164℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（111℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材１をガラス転移温度Tg−23℃（111℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（164℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（111℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例４（フィルムのインプリント評価）
供試材１をガラス転移温度Tg−23℃（111℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（164℃）に加熱した金型（パターン：ライン／スペース（L／S）＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（111℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材１をガラス転移温度Tg−23℃（111℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（164℃）に加熱した金型（パターン：ライン／スペース（L／S）＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（111℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例５（フィルムのインプリント評価）
供試材１をガラス転移温度Tg−23℃（111℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（169℃）に加熱した金型（パターン： L／S＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（111℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材１をガラス転移温度Tg−23℃（111℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（169℃）に加熱した金型（パターン： L／S＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（111℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例６（フィルムのインプリント評価）
供試材１をガラス転移温度Tg−23℃（111℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（169℃）に加熱した金型（パターン： L／S＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（111℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材１をガラス転移温度Tg−23℃（111℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（169℃）に加熱した金型（パターン： L／S＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（111℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例７（フィルムのインプリント評価）
供試材１をガラス転移温度Tg−23℃（111℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（164℃）に加熱した金型（パターン：ホール直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（111℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材１をガラス転移温度Tg−23℃（111℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（164℃）に加熱した金型（パターン：ホール直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（111℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例８（フィルムのインプリント評価）
供試材１をガラス転移温度Tg−23℃（111℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（169℃）に加熱した金型（パターン：ホール直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（111℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材１をガラス転移温度Tg−23℃（111℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（169℃）に加熱した金型（パターン：ホール直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（111℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例９（フィルムのインプリント評価）
供試材２をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材２をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例１０（フィルムのインプリント評価）
供試材２をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.75μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材２をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.75μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例１１（フィルムのインプリント評価）
供試材２をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材２をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例１２（フィルムのインプリント評価）
供試材２をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材２をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例１３（フィルムのインプリント評価）
供試材２をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.75μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材２をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.75μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例１４（フィルムのインプリント評価）
供試材２をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：L／S＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材２をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：L／S＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例１５（フィルムのインプリント評価）
供試材２をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：L／S＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材２をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：L／S＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例１６（フィルムのインプリント評価）
供試材２をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：L／S＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材２をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：L／S＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例１７（フィルムのインプリント評価）
供試材２をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：ホール直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材２をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：ホール直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例１８（フィルムのインプリント評価）
供試材２をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：ホール直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材２をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：ホール直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例１９（フィルムのインプリント評価）
供試材３をガラス転移温度Tg−23℃（86℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（144℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（86℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材３をガラス転移温度Tg−23℃（86℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（144℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（86℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例２０（フィルムのインプリント評価）
供試材３をガラス転移温度Tg−23℃（86℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（144℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（86℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材３をガラス転移温度Tg−23℃（86℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（144℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（86℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例２１（フィルムのインプリント評価）
供試材３をガラス転移温度Tg−5℃（104℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋65℃（174℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1500Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（104℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材３をガラス転移温度Tg−5℃（104℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋65℃（174℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1500Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（104℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例２２（フィルムのインプリント評価）
供試材３をガラス転移温度Tg−5℃（104℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋65℃（174℃）に加熱した金型（パターン：L／S＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1500Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（104℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材３をガラス転移温度Tg−5℃（104℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋65℃（174℃）に加熱した金型（パターン：L／S＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1500Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（104℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例２３（フィルムのインプリント評価）
供試材３をガラス転移温度Tg−5℃（104℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋65℃（174℃）に加熱した金型（パターン：ホール直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1500Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（104℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材３をガラス転移温度Tg−5℃（104℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋65℃（174℃）に加熱した金型（パターン：ホール直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1500Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（104℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例２４（フィルムのインプリント評価）
供試材４をガラス転移温度Tg−23℃（115℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（168℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（115℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材４をガラス転移温度Tg−23℃（115℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（168℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（115℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例２５（フィルムのインプリント評価）
供試材４をガラス転移温度Tg−23℃（115℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（168℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.75μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（115℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材４をガラス転移温度Tg−23℃（115℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（168℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.75μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（115℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例２６（フィルムのインプリント評価）
供試材４をガラス転移温度Tg−23℃（115℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（168℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（115℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材４をガラス転移温度Tg−23℃（115℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（168℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（115℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例２７（フィルムのインプリント評価）
供試材４をガラス転移温度Tg−23℃（115℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（173℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（115℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材４をガラス転移温度Tg−23℃（115℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（173℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（115℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例２８（フィルムのインプリント評価）
供試材４をガラス転移温度Tg−23℃（115℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（173℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.75μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（115℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材４をガラス転移温度Tg−23℃（115℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（173℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.75μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（115℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例２９（フィルムのインプリント評価）
供試材４をガラス転移温度Tg−23℃（115℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（173℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（115℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材４をガラス転移温度Tg−23℃（115℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（173℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（115℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例３０（フィルムのインプリント評価）
供試材４をガラス転移温度Tg−23℃（115℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（173℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（115℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材４をガラス転移温度Tg−23℃（115℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（173℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（115℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例３１（フィルムのインプリント評価）
供試材４をガラス転移温度Tg−23℃（115℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（173℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.75μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（115℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材４をガラス転移温度Tg−23℃（115℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（173℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.75μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（115℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例３２（フィルムのインプリント評価）
供試材４をガラス転移温度Tg−23℃（115℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋15℃（153℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で600秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（115℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材４をガラス転移温度Tg−23℃（115℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋15℃（153℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で600秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（115℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例３３（フィルムのインプリント評価）
供試材４をガラス転移温度Tg−23℃（115℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋15℃（153℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.75μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で600秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（115℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材４をガラス転移温度Tg−23℃（115℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋15℃（153℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.75μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で600秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（115℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例３４（フィルムのインプリント評価）
供試材４をガラス転移温度Tg−5℃（133℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋65℃（203℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（133℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた
供試材４をガラス転移温度Tg−5℃（133℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋65℃（203℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（133℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた
実施例３５（フィルムのインプリント評価）
供試材４をガラス転移温度Tg−5℃（133℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋65℃（203℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1500Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（133℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材４をガラス転移温度Tg−5℃（133℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋65℃（203℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1500Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（133℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例３６（フィルムのインプリント評価）
供試材４をガラス転移温度Tg−5℃（133℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋55℃（193℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1750Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（133℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材４をガラス転移温度Tg−5℃（133℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋55℃（193℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1750Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（133℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例３７（フィルムのインプリント評価）
供試材４をガラス転移温度Tg−23℃（115℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（168℃）に加熱した金型（パターン：L／S＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（115℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材４をガラス転移温度Tg−23℃（115℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（168℃）に加熱した金型（パターン：L／S＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（115℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例３８（フィルムのインプリント評価）
供試材４をガラス転移温度Tg−23℃（115℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（173℃）に加熱した金型（パターン：L／S＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（115℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材４をガラス転移温度Tg−23℃（115℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（173℃）に加熱した金型（パターン：L／S＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（115℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例３９（フィルムのインプリント評価）
供試材４をガラス転移温度Tg−5℃（133℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋65℃（203℃）に加熱した金型（パターン：L／S＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（133℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材４をガラス転移温度Tg−5℃（133℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋65℃（203℃）に加熱した金型（パターン：L／S＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（133℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例４０（フィルムのインプリント評価）
供試材４をガラス転移温度Tg−5℃（133℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋65℃（203℃）に加熱した金型（パターン：L／S＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1750Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（133℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材４をガラス転移温度Tg−5℃（133℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋65℃（203℃）に加熱した金型（パターン：L／S＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1750Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（133℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例４１（フィルムのインプリント評価）
供試材４をガラス転移温度Tg−5℃（133℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋55℃（193℃）に加熱した金型（パターン：L／S＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1500Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（133℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材４をガラス転移温度Tg−5℃（133℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋55℃（193℃）に加熱した金型（パターン：L／S＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1500Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（133℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例４２（フィルムのインプリント評価）
供試材４をガラス転移温度Tg−23℃（115℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（168℃）に加熱した金型（パターン：ホール直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（115℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材４をガラス転移温度Tg−23℃（115℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（168℃）に加熱した金型（パターン：ホール直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（115℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例４３（フィルムのインプリント評価）
供試材４をガラス転移温度Tg−23℃（115℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（173℃）に加熱した金型（パターン：ホール直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが750Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（115℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材４をガラス転移温度Tg−23℃（115℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（173℃）に加熱した金型（パターン：ホール直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが750Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（115℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例４４（フィルムのインプリント評価）
供試材４をガラス転移温度Tg−5℃（133℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋65℃（203℃）に加熱した金型（パターン：ホール直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（133℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材４をガラス転移温度Tg−5℃（133℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋65℃（203℃）に加熱した金型（パターン：ホール直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（133℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例４５（フィルムのインプリント評価）
供試材４をガラス転移温度Tg−5℃（133℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋65℃（203℃）に加熱した金型（パターン：ホール直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1500Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（133℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材４をガラス転移温度Tg−5℃（133℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋65℃（203℃）に加熱した金型（パターン：ホール直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1500Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（133℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例４６（フィルムのインプリント評価）
供試材４をガラス転移温度Tg−5℃（133℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋55℃（193℃）に加熱した金型（パターン：ホール直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1750Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（133℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材４をガラス転移温度Tg−5℃（133℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋55℃（193℃）に加熱した金型（パターン：ホール直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1750Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（133℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例４７（フィルムのインプリント評価）
供試材５をガラス転移温度Tg−5℃（131℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋65℃（201℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（131℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた
供試材５をガラス転移温度Tg−5℃（131℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋65℃（201℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（131℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた
実施例４８（フィルムのインプリント評価）
供試材６をガラス転移温度Tg−23℃（82℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（140℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（82℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材６をガラス転移温度Tg−23℃（82℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（140℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（82℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例４９（フィルムのインプリント評価）
供試材６をガラス転移温度Tg−23℃（82℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（140℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（82℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材６をガラス転移温度Tg−23℃（82℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（140℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（82℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例５０（フィルムのインプリント評価）
供試材６をガラス転移温度Tg−23℃（82℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋15℃（120℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で600秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（82℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材６をガラス転移温度Tg−23℃（82℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋15℃（120℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で600秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（82℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例５１（フィルムのインプリント評価）
供試材６をガラス転移温度Tg−5℃（100℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋55℃（160℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1750Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（100℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材６をガラス転移温度Tg−5℃（100℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋55℃（160℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1750Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（100℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例５２（フィルムのインプリント評価）
供試材６をガラス転移温度Tg−23℃（82℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（140℃）に加熱した金型（パターン：L／S＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（82℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材６をガラス転移温度Tg−23℃（82℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（140℃）に加熱した金型（パターン：L／S＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（82℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例５３（フィルムのインプリント評価）
供試材６をガラス転移温度Tg−5℃（100℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋55℃（160℃）に加熱した金型（パターン：L／S＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1750Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（100℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材６をガラス転移温度Tg−5℃（100℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋55℃（160℃）に加熱した金型（パターン：L／S＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1750Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（100℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例５４（フィルムのインプリント評価）
供試材６をガラス転移温度Tg−23℃（82℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（140℃）に加熱した金型（パターン：ホール直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（82℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材６をガラス転移温度Tg−23℃（82℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（140℃）に加熱した金型（パターン：ホール直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（82℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例５５（フィルムのインプリント評価）
供試材６をガラス転移温度Tg−5℃（100℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋55℃（160℃）に加熱した金型（パターン：ホール直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1750Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（100℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材６をガラス転移温度Tg−5℃（100℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋55℃（160℃）に加熱した金型（パターン：ホール直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1750Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（100℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
実施例５６（フィルムのインプリント評価）
供試材７をガラス転移温度Tg−15℃（120℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−15℃（120℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
供試材７をガラス転移温度Tg−15℃（120℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−15℃（120℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なパターンが転写されていた。
比較例１（フィルムのインプリント評価）
供試材８をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（165℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ、不良パターンとなっていた。
供試材８をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（165℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ、不良パターンとなっていた。
比較例２（フィルムのインプリント評価）
供試材８をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（165℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.75μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ、不良パターンとなっていた。
供試材８をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（165℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.75μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ、不良パターンとなっていた。
比較例３（フィルムのインプリント評価）
供試材８をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（165℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ、不良パターンとなっていた。
供試材８をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（165℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ、不良パターンとなっていた。
比較例４（フィルムのインプリント評価）
供試材８をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びおよび剥離が認められ、不良パターンとなっていた。
供試材８をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びおよび剥離が認められ、不良パターンとなっていた。
比較例５（フィルムのインプリント評価）
供試材８をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.75μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ、不良パターンとなっていた。
供試材８をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.75μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ、不良パターンとなっていた。
比較例６（フィルムのインプリント評価）
供試材８をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ、不良パターンとなっていた。
供試材８をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ、不良パターンとなっていた。
比較例７（フィルムのインプリント評価）
供試材８をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びおよび剥離が認められ、不良パターンとなっていた。
供試材８をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びおよび剥離が認められ、不良パターンとなっていた。
比較例８（フィルムのインプリント評価）
供試材８をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.75μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ、不良パターンとなっていた。
供試材８をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋35℃（170℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.75μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが500Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ、不良パターンとなっていた。
比較例９（フィルムのインプリント評価）
供試材８をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋15℃（150℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で600秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ、不良パターンとなっていた。
供試材８をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋15℃（150℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で600秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ、不良パターンとなっていた。
比較例１０（フィルムのインプリント評価）
供試材８をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋15℃（150℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.75μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で600秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ、不良パターンとなっていた。
供試材８をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋15℃（150℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.75μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で600秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ、不良パターンとなっていた。
比較例１１（フィルムのインプリント評価）
供試材８をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（165℃）に加熱した金型（パターン：L／S＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ、不良パターンとなっていた。
供試材８をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（165℃）に加熱した金型（パターン：L／S＝1μｍ／1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ、不良パターンとなっていた。
比較例１２（フィルムのインプリント評価）
供試材８をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（165℃）に加熱した金型（パターン：ホール直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ、不良パターンとなっていた。
供試材８をガラス転移温度Tg−23℃（112℃）に加熱した基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋30℃（165℃）に加熱した金型（パターン：ホール直径1μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で10秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−23℃（112℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ、不良パターンとなっていた。
比較例１３（フィルムのインプリント評価）
供試材９をガラス転移温度Tg−5℃（127℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋65℃（197℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（127℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びおよび剥離が認められ、不良パターンとなっていた。
供試材９をガラス転移温度Tg−5℃（127℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋65℃（197℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが2000Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（127℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びおよび剥離が認められ、不良パターンとなっていた。
比較例１４（フィルムのインプリント評価）
供試材９をガラス転移温度Tg−5℃（127℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋65℃（197℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1750Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（127℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びおよび剥離が認められ、不良パターンとなっていた。
供試材９をガラス転移温度Tg−5℃（127℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋65℃（197℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1750Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（127℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びおよび剥離が認められ、不良パターンとなっていた。
比較例１５（フィルムのインプリント評価）
供試材９をガラス転移温度Tg−5℃（127℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋65℃（197℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1500Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（127℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びおよび剥離が認められ、不良パターンとなっていた。
供試材９をガラス転移温度Tg−5℃（127℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋65℃（197℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1500Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（127℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びおよび剥離が認められ、不良パターンとなっていた。
比較例１６（フィルムのインプリント評価）
供試材９をガラス転移温度Tg−5℃（127℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋55℃（187℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1750Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（127℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びおよび剥離が認められ、不良パターンとなっていた。
供試材９をガラス転移温度Tg−5℃（127℃）に加熱したステンレス基板上に固定し、予め成型設定温度Tg＋55℃（187℃）に加熱した金型（パターン：ピラー直径0.5μｍ／深さ1μｍ）を100μｍ／秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが1750Nに達したところで、その荷重で300秒間保持した。その後、荷重を保持しながら、Tg−5℃（127℃）まで冷却し、冷却完了後、金型を10μｍ／秒の速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びおよび剥離が認められ、不良パターンとなっていた。
以上の結果を表１にまとめる。
以上の結果から、ガラス転移温度Tg（℃）と260℃におけるMFRとの間に特定の相関（式(1)で示される）を有する環状オレフィン系熱可塑性樹脂より製造されるフィルムは、より低温・低圧での熱インプリント性に優れ、良好な転写パターンを与えることが明らかになった。また、ガラス転移温度Tg（℃）と260℃におけるMFRとの間に特定の相関（式(1)で示される）を満たさない樹脂から製造されるフィルムは、伸びや剥離といった不良パターンを形成するのみで、良好なパターンは得られないことが明らかになった。
Claims (10)
- 下記化１で表される環状オレフィンとα-オレフィンとの共重合体、または前記環状オレフィンの開環重合の後に水素化することで製造される熱可塑性樹脂であって、樹脂のガラス転移温度Tg（℃）と260℃におけるMFRの値（[M]）とが下記式(1)を満たすと共に、[M]＜30である熱インプリント用樹脂からなるシート（射出成型体を除く）もしくはフィルム成型体（射出成型体を除く）に、当該熱インプリント用樹脂のガラス転移温度(Tg)＋65℃以下に加熱された型を押圧して、前記型のパターンを転写することを特徴とする熱インプリント方法。
Tg（℃）＞219×log[M]−160 ・・・ 式(1)
（化１中のR 30 からR 48 は異なっていても同一でもよく、それぞれ水素原子、重水素原子、炭素数1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のヘテロ原子を含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。mおよびnは0以上の整数である。式(1)中の[M]は260℃におけるMFRの値を示す。） - 下記化２で表される環状オレフィンとα-オレフィンとの共重合体、または前記環状オレフィンの開環重合の後に水素化することで製造される熱可塑性樹脂であって、樹脂のガラス転移温度Tg（℃）と260℃におけるMFRの値（[M]）とが下記式(1)を満たすと共に、[M]＜30である熱インプリント用樹脂からなるシート（射出成型体を除く）もしくはフィルム成型体（射出成型体を除く）に、型を押圧した後、当該熱インプリント用樹脂のガラス転移温度(Tg)−25℃以上の温度で前記型と前記熱インプリント用樹脂とを離型することを特徴とする熱インプリント方法。
Tg（℃）＞219×log[M]−160 ・・・ 式(1)
（化２中のR 30 からR 48 は異なっていても同一でもよく、それぞれ水素原子、重水素原子、炭素数1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のヘテロ原子を含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。mおよびnは0以上の整数である。式(1)中の[M]は260℃におけるMFRの値を示す。） - 下記化３で表される環状オレフィンとα-オレフィンとの共重合体、または前記環状オレフィンの開環重合の後に水素化することで製造される熱可塑性樹脂であって、樹脂のガラス転移温度Tg（℃）と260℃におけるMFRの値（[M]）とが下記式(1)を満たすと共に、[M]＜30である熱インプリント用樹脂からなるシート（射出成型体を除く）もしくはフィルム成型体（射出成型体を除く）に、型を2.5MPa以下で押圧して、前記型のパターンを転写することを特徴とする熱インプリント方法。
Tg（℃）＞219×log[M]−160 ・・・ 式(1)
（化３中のR 30 からR 48 は異なっていても同一でもよく、それぞれ水素原子、重水素原子、炭素数1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のヘテロ原子を含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。mおよびnは0以上の整数である。式(1)中の[M]は260℃におけるMFRの値を示す。） - 下記化４で表される環状オレフィンとα-オレフィンとの共重合体、または前記環状オレフィンの開環重合の後に水素化することで製造される熱可塑性樹脂であって、樹脂のガラス転移温度Tg（℃）と260℃におけるMFRの値（[M]）とが下記式(1)を満たすと共に、[M]＜20およびTg＞90℃である熱インプリント用樹脂からなるシート（射出成型体を除く）もしくはフィルム成型体（射出成型体を除く）に、当該熱インプリント用樹脂のガラス転移温度(Tg)＋65℃以下に加熱された型を押圧して、前記型のパターンを転写することを特徴とする熱インプリント方法。
Tg（℃）＞219×log[M]−160 ・・・ 式(1)
（化４中のR 30 からR 48 は異なっていても同一でもよく、それぞれ水素原子、重水素原子、炭素数1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のヘテロ原子を含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。mおよびnは0以上の整数である。式(1)中の[M]は260℃におけるMFRの値を示す。） - 下記化５で表される環状オレフィンとα-オレフィンとの共重合体、または前記環状オレフィンの開環重合の後に水素化することで製造される熱可塑性樹脂であって、樹脂のガラス転移温度Tg（℃）と260℃におけるMFRの値（[M]）とが下記式(1)を満たすと共に、[M]＜20およびTg＞90℃である熱インプリント用樹脂からなるシート（射出成型体を除く）もしくはフィルム成型体（射出成型体を除く）に、型を押圧した後、当該熱インプリント用樹脂のガラス転移温度(Tg)−25℃以上の温度で前記型と前記熱インプリント用樹脂とを離型することを特徴とする熱インプリント方法。
Tg（℃）＞219×log[M]−160 ・・・ 式(1)
（化５中のR 30 からR 48 は異なっていても同一でもよく、それぞれ水素原子、重水素原子、炭素数1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のヘテロ原子を含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。mおよびnは0以上の整数である。式(1)中の[M]は260℃におけるMFRの値を示す。） - 下記化６で表される環状オレフィンとα-オレフィンとの共重合体、または前記環状オレフィンの開環重合の後に水素化することで製造される熱可塑性樹脂であって、樹脂のガラス転移温度Tg（℃）と260℃におけるMFRの値（[M]）とが下記式(1)を満たすと共に、[M]＜20およびTg＞90℃である熱インプリント用樹脂からなるシート（射出成型体を除く）もしくはフィルム成型体（射出成型体を除く）に、型を2.5MPa以下で押圧して、前記型のパターンを転写することを特徴とする熱インプリント方法。
Tg（℃）＞219×log[M]−160 ・・・ 式(1)
（化６中のR 30 からR 48 は異なっていても同一でもよく、それぞれ水素原子、重水素原子、炭素数1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のヘテロ原子を含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。mおよびnは0以上の整数である。式(1)中の[M]は260℃におけるMFRの値を示す。） - １以上の添加物を含有することを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の熱インプリント方法。
- 前記添加物は、酸化防止剤および滑剤の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の熱インプリント方法。
- シート（射出成型体を除く）もしくはフィルム（射出成型体を除く）製造に供される、下記化７で表される環状オレフィンとα-オレフィンとの共重合体、または前記環状オレフィンの開環重合の後に水素化することで製造される環状オレフィン系熱可塑性樹脂であって、樹脂のガラス転移温度Tg（℃）と260℃におけるMFRの値（[M]）とが下記式(1)を満たすと共に、[M]＜30である環状オレフィン系熱可塑性樹脂のインプリントプロセスへの使用。
Tg（℃）＞219×log[M]−160 ・・・ 式(1)
（化７中のR 30 からR 48 は異なっていても同一でもよく、それぞれ水素原子、重水素原子、炭素数1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のヘテロ原子を含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。mおよびnは0以上の整数である。式(1)中の[M]は260℃におけるMFRの値を示す。） - シート（射出成型体を除く）もしくはフィルム（射出成型体を除く）製造に供される、下記化８で表される環状オレフィンとα-オレフィンとの共重合体、または前記環状オレフィンの開環重合の後に水素化することで製造される環状オレフィン系熱可塑性樹脂であって、樹脂のガラス転移温度Tg（℃）と260℃におけるMFRの値（[M]）とが下記式(1)を満たすと共に、[M]＜20およびTg＞90℃である環状オレフィン系熱可塑性樹脂のインプリントプロセスへの使用。
Tg（℃）＞219×log[M]−160 ・・・ 式(1)
（化８中のR 30 からR 48 は異なっていても同一でもよく、それぞれ水素原子、重水素原子、炭素数1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のヘテロ原子を含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。mおよびnは0以上の整数である。式(1)中の[M]は260℃におけるMFRの値を示す。）
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