JP2007055235A - 環状オレフィン共重合体を含んでなるインプリントスタンプ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第一工程では、テンプレート1表面のパターン2を、一種以上の環状オレフィン共重合体(COC)を含んでなる重合体材料3と接触させ、テンプレート1表面のパターン2と逆の構造化された表面を有する可撓性重合体レプリカを製造する。第二工程で、可撓性重合体レプリカをテンプレートから引き離した後、可撓性重合体レプリカの逆パターンを、基材上のレジスト層14中にプレスし、テンプレート表面のパターンのレプリカをインプリントする。
【選択図】図1
Description
・この材料から厚さ100〜1000マイクロメートルの薄い可撓性フィルムをロール加工できる能力。
・重合体材料から構成されたフィルムをインプリント製法で変形させることにより、あるいはこの材料から構成された顆粒または粒子から射出成形により、ナノ−および/またはマイクロ−パターン形成された表面を有するスタンプもしくはテンプレートのレプリカを製造できる能力。
・材料は、40mN/m(またはダイン/cm)未満、好ましくは37mN/m未満、さらには35mN/m未満の低い表面エネルギーを有するべきであるが、無論、その表面エネルギーは、以下に記載する粘着防止層を備えたテンプレート表面の表面エネルギーより高い必要がある。
・材料は、第二インプリント工程の際にインプリントされる有機材料(例えば重合体、オリゴマーおよび/またはモノマー材料)と混合すべきではない。
・材料は、100〜250℃の、明確に規定されたガラス転移温度を有するべきである。
・材料は、非常に高い透過率、すなわち300nmを超える波長に対して80%の透過率(試験方法ASTMD1003)を有するべきである。
・線熱膨脹率(CTE)60〜80×10−6m/(mK)(試験方法ASTMD696)、
・2%未満の低い成形収縮(試験方法ASTMD955)、
・鉛筆硬度3H〜HB(試験方法JISK5401)、
・屈折率1.4〜1.6、
・イソプロパノール、アセトンおよび硫酸に対する耐薬品性が、僅かに制限されるかまたは良好である。
σ固体(テンプレート材料)<σ液体(重合体材料)、かつ
σ固体(重合体材料)<σ液体(レジスト材料) (1)
σ固体−真空−σ固体−液体=σ液体−真空cos(ψ) (2)
を表す。
線線幅80nmおよび高さ90nmを有する線パターンを表面に示すニッケルテンプレートを、Zeonor ZF14フィルム中に、150℃、50バールで3分間インプリントした。Ni表面は、フッ素化SAM接着防止層で前処理し、20mN/m未満、好ましくは18mN/m未満の低表面張力を得た。Zeonorフィルムをテンプレート表面から、機械的に、テンプレートの表面にもレプリカの表面にも損傷を与えずに、除去した。このZeonorフィルムを新しいテンプレートとして使用し、厚さ100nmのSU8フィルムにインプリントした。SU8フィルムは、シリコン基材上に前もってスピンコーティングした20nmLORフィルム上にスピンコーティングした。表面のどれも、SU8フィルムとZeonorフィルムとの間の接着防止挙動を改良するための追加の被覆による処理は行わなかった。インプリントは、70℃、50バールで3分間行った。このSU8フィルムを、光学的に透明なZeonorフィルムを通してUV光に4秒間露出し、さらに2分間焼き付けた。インプリント工程全体にわたって、温度および圧力の両方を一定に、70℃および50バールにそれぞれ維持した。離型温度70℃で、ZeonorフィルムはSU8フィルムから、重合体テンプレートフィルムのパターンにも、レプリカフィルムのパターンにも損傷を与えずに、機械的に除去することができた。図2は、上記の製法により製造したが、Niスタンプ上の接着防止層を含まないシリコンウェハー上に堆積させたSU8フィルムで得たインプリントのAFM画像を示す。それでも、中間COC重合体スタンプを使用することにより、細かいパターンを再現できることは明らかである。
AFMにより試験して、高さ100nmおよび幅150nmの構造を有するブルーレイパターンを表面に示すニッケルテンプレートを、例1に記載するのと同じ方法および同じパラメータを使用し、Zeonor ZF14フィルム中にインプリントした。このZeonorフィルムを新しいテンプレートとして使用し、厚さ100nmのSU8フィルムにインプリントした。ここでも、例1に記載するのと同じ方法および同じパラメータを使用した。シリコンウェハー上に堆積させたSU8フィルムにおけるインプリント結果のAFM画像を図3に示す。
上記の例に記載するインプリント製法は、場合によりホスフェート系接着防止フィルムで被覆した、様々にパターン形成されたNiスタンプで、様々な処理パラメータを使用して行った。基材(2〜6インチシリコンウェハー)は、イソプロパノールおよびアセトンですすいで清浄にしてから、LORおよびSU8フィルムをスピンコーティングした。使用したスタンプのサイズは、2〜6インチである。インプリントは、UV−モジュールを備えたObducat-6-inch-NIL装置を使用して行った。
Claims (30)
- 表面上に構造化されたパターンが形成されている重合体フィルムを含んでなる、インプリント製法に使用する重合体スタンプであって、前記重合体フィルムが、一種以上の環状オレフィン共重合体(COC)を含んでなる材料から製造される、重合体スタンプ。
- 前記COC重合体フィルムの表面張力が28〜40mN/mである、請求項1に記載の重合体スタンプ。
- 前記COC重合体フィルムの表面張力が28〜37mN/mである、請求項1に記載の重合体スタンプ。
- 前記COC重合体フィルムの表面張力が30〜35mN/mである、請求項1に記載の重合体スタンプ。
- 前記COC重合体フィルムの厚さが50μm〜1mmである、請求項1に記載の重合体スタンプ。
- 前記COC重合体フィルムの厚さが75μm〜250μmである、請求項1に記載の重合体スタンプ。
- 前記COC重合体フィルムのガラス転移温度が100〜250℃である、請求項1に記載の重合体スタンプ。
- 前記COC重合体材料が、環状モノマーとエタンとから構成される共重合体である、請求項1に記載の重合体スタンプ。
- 前記COC重合体材料が、8,9,10−トリノルボルナ−2−エン(ノルボルネン)または、1,2,3,4,4a,5,8,8a−オクタヒドロ−1,4:5,8−ジメタノナフタレン(テトラシクロドデセン)と、エタンとから構成される共重合体である、請求項8に記載の重合体スタンプ。
- 一種以上の環状オレフィン共重合体(COC)を含んでなる成形可能な重合体組成物の、インプリント製法におけるスタンプとして使用するための、表面上に構造化されたパターンが形成されている重合体フィルムの構成成分としての使用。
- インプリント製法でテンプレートから物体にパターンを転写する方法であって、
テンプレート表面のパターンを、一種以上の環状オレフィン共重合体(COC)を含んでなる重合体材料と接触させ、前記テンプレート表面の前記パターンと逆のパターンで構造化された表面を有する可撓性重合体レプリカを製造する工程、
前記可撓性重合体レプリカを前記テンプレートから引き離す工程、および
前記可撓性重合体レプリカの逆パターンを物体の第二表面に押し付け、前記テンプレート表面の前記パターンのレプリカを前記第二表面にインプリントする工程
を含んでなる、方法。 - 前記可撓性重合体レプリカの表面張力が28〜40mN/mである、請求項11に記載の方法。
- 前記可撓性重合体レプリカの表面張力が28〜37mN/mである、請求項11に記載の方法。
- 前記可撓性重合体レプリカの表面張力が30〜35mN/mである、請求項11に記載の方法。
- 前記COC重合体材料が、環状モノマーとエタンとから構成される共重合体である、請求項11に記載の方法。
- 前記COC重合体材料が、8,9,10−トリノルボルナ−2−エン(ノルボルネン)または1,2,3,4,4a,5,8,8a−オクタヒドロ−1,4:5,8−ジメタノナフタレン(テトラシクロドデセン)と、エタンとから構成される共重合体である、請求項15に記載の方法。
- 前記テンプレートが、重合体、金属、石英、またはシリコンから製造される、請求項11に記載の方法。
- 前記テンプレート表面が、前記重合体レプリカの表面張力よりも低い表面張力を有する接着防止層を備える、請求項11に記載の方法。
- 前記テンプレート表面が、20mN/m以下の表面張力を有する接着防止層を備える、請求項11に記載の方法。
- 前記テンプレート表面が、18mN/m以下の表面張力を有する接着防止層を備える、請求項11に記載の方法。
- 前記テンプレート表面が、接着防止層として、自己集合した単層(SAM)を備える、請求項11に記載の方法。
- 前記テンプレート表面が、接着防止層として、フッ素化アルキルリン酸、フッ素化アルキルポリリン酸誘導体、PTFE、またはフッ素化アルキルシランを含んでなる、自己集合した単層(SAM)を備える、請求項11に記載の方法。
- 前記物体が、レジスト材料層を第二表面に支持している基材である、請求項11に記載の方法。
- 前記物体が、レジスト材料層を第二表面に支持している基材であり、前記レジスト材料が>40mN/mの表面張力を有する、請求項11に記載の方法。
- 前記物体が、レジスト材料層を第二表面に支持している基材であり、前記レジスト材料が、放射線架橋性材料であり、前記レジスト材料に、前記可撓性重合体レプリカを通してUV光を照射し、前記レジスト層を架橋させる工程を含んでなる、請求項11に記載の方法。
- 前記可撓性重合体レプリカが、
テンプレートを第一支持部材上に配置する工程、
第二支持部材を、前記第一支持部材からある間隔で、その第二支持表面と前記テンプレートの構造化された表面との間に空間を置いて配置する工程、
一種以上のCOCを含んでなる重合体材料を液体状態に加熱する工程、
前記液体COC重合体材料を前記空間中に加圧下で射出する工程、および
前記重合体材料を固化させ、前記テンプレート表面のパターンと逆のパターンで構造化された表面を有する可撓性重合体レプリカを製造する工程
を含んでなる射出成形方法により製造される、請求項11に記載の方法。 - 前記物体が半導体材料である、請求項11に記載の方法。
- 前記可撓性重合体レプリカの厚さが50μm〜1mmである、請求項11に記載の方法。
- 前記可撓性重合体レプリカの厚さが75μm〜250μmである、請求項11に記載の方法。
- 前記可撓性重合体レプリカのガラス転移温度が100〜250℃である、請求項11に記載の方法。
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