JP5330709B2 - 処理チャンバへのガスフローを制御する方法及び装置 - Google Patents
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Description
本発明の実施態様は、概して、処理チャンバへのガスフローを制御する方法及び装置に関する。
ガスフローの正確な制御は、多くのマイクロエレクトロニックデバイス製造プロセスにとって欠かせない重要なプロセス制御属性である。半導体処理チャンバにおいて、基板と基板サポートの間にガスを提供することは、基板と基板サポートの間の熱伝達を改善するのに周知の方法であり、これによって、基板温度制御及び均一性の精密さが向上する。加えて、処理チャンバへの処理ガスフローの精密な制御は、所望の処理結果、特に、限界寸法及びフィルム厚さ収縮を達成するためには必要なことである。更に、処理チャンバ廃液流にガスを添加すると、基板処理の環境的な影響を緩和することができる。費用効率と適切な改善の両方を確保するには、廃液流に添加されたガスを良好に制御することが必要である。
記載したガス分配システムは、従来のシステムに勝る多くの利点を与える。システムのモジュール性に加えて、ガス分配システムを動作させると、プレフローパス、高速排気パス、制御された化学物質混合、化学物質のより効率的な使用、連続的に減少する充填排気時間、化学分配の精密調整のための閉鎖ループ制御及びフロー診断を提供することができる。
動作のあるモードにおいて、プレフローパスは、ガス分配システム100を通して画定され、1つ以上のバルブを通して、処理チャンバ114から分離された真空環境に、化学源(例えば、源102A〜F)の接続を行う(例えば、パージライン154を通して、フォアライン138)。ガスが処理チャンバ114で要求される前に、ガスを、ガス分配システム100のマニホルド134の適切なラインに供給してよい。これは、処理チャンバ114に流したようなガスの状態に実質的に適合する状態で行う。これによって、マニホルド134内のガスが、即時に定常状態に達し、ガスは、処理チャンバ114へ迂回する状態に実質的に維持される。プレフローパスによって、ガス分配システム100内のガスが、処理チャンバ114に迂回される前に、「プロセス状態」で安定化されるため、チャンバへのフローが始まると、分配システム100内のフロー状態は殆ど、又は全く変化しない。これは、典型的に、圧力降下や、フローレートの減少を招く従来のガス分配システムとは異なる。このように、処理チャンバにおけるガス分配の均一性が即時に確立される。プレフローパスが、ガスを処理チャンバに流したのと実質的に同じ抵抗とフロー状態を提供するためである。スロットルバルブ144を用いて、プレフローガスパスの状態を、処理チャンバ114のものと適合させてもよい。
他の動作モードにおいて、高速排気パスが、ガス分配システム100において画定されており、パージライン154を通して、マニホルド134からフォアライン138までの接続を提供する。高速排気パスは、1つ以上のバルブを通して、処理チャンバ分配パスを通して、化学分配源から、真空環境までの接続を提供する。真空環境は、処理チャンバ114からは分離されている(例えば、パージライン154を通して、フォアライン138)。高速排気パスは、各チャンバ接続部に結合されていて、2つのフロー制限部、例えば、フロー比コントローラ502、504、バルブ304A〜Fまたはその他フロー制限部間に、少なくとも1つの接続部がある。処理チャンバ114内の化学物質を変更する必要がある時は、真空環境に対して、遮断バルブ172及びバイパスバルブ108A〜Eを開いて、過剰のプロセス化学物質を、化学分配パスから除去する。
他の動作のモードにおいて、ガス分配システム100を用いて、化学物質混合を促進してもよい。一実施形態において、化学物質混合は、バルブ304A〜Fを用いて、又は、2つ以上の源102A〜Fを、単一ガス出口分配ライン232A〜Fに結合することにより、マニホルド134内で生じる。
他の動作のモードにおいて、ガス分配システム100は、化学物質の効率的な使用を促進する。例えば、バルブ204A〜F、172、108A〜E、262A〜Fの動作状態を変更するシーケンスを構成して、マニホルド134から、最も効率良く、ガスを除去し、ガスの混合が最少となるようにすると、応答時間が早くなり、処理時間を減らすことができる。このように、ガス交換中、ガスが分配パスから(例えば、出口ライン232A〜Fから)引かれ、パージライン154に入る速度を、スロットルバルブ156を用いて調節し、マニホルド134を通して、ガスを即時に進めてもよい。更に、パージライン154が、マニホルド134を通してガスを引いている間、次の処理シーケンスのために準備されたガス、例えば、新たに導入されるガス、パージガス及び/又はマニホルドに前に含有されていたガスの最後の残り等を含有するラインを、パージライン154から迂回させて、処理チャンバ114へ流してもよい。これによって、パージライン154に結合された残りのラインが、より迅速に排気される。一実施形態において、センサ190により行われた測定を利用して、パージライン154からチャンバ114への迂回を行うべき時を示してもよい。これは、例えば、ガスの組成、フローレート及び、又はライン内のガスの圧力の変更又は安定化によってなされる。
他の動作のモードにおいて、ガス分配システム100を利用して、較正回路144を用いて、システム内の成分のフローレートを診断することができる。例えば、システム100のバルブは、入口ポートのいずれかから、較正回路144までのフローを提供する。他の実施例において、システムのバルブにより分割されたフローの、分割されたフローの各分岐に沿ったフローレートを診断してもよい。
Claims (21)
- フォアラインを通して、設備排気部に結合された処理チャンバを含む処理システムへのガスフローを制御する方法であって、
第1の出口ポート、第2の出口ポート、第3の出口ポート及び第4の出口ポートを少なくとも有するマニホルドへ第1のガス源から第1のガスを流す工程であって、前記第1の出口ポートは、遮断バルブ及びパージラインを含む排気パスを介して前記フォアラインに結合され、前記第2及び第3の出口ポートの夫々は、夫々の最終バルブを介して前記処理チャンバに接続され、前記第2及び第3の出口ポートの夫々は、夫々のバイパスバルブを介してプレフローパスに接続され、前記プレフローパスは、前記パージラインの上流のスロットルバルブと、前記フォアラインの上流の前記パージラインを含む工程と、
前記マニホルドへ、第2のガス源から第2のガスを流す工程と、
前記マニホルド内のバルブの動作状態を選択して、処理モードにありながら、前記第1及び第2のガスを前記第2又は第3の出口ポートのうち少なくとも1つを通して出す工程と、
前記マニホルド内の前記ガスの所定の状態が得られるまで、前記第1及び第2のガスを、前記マニホルドの前記第2又は第3の出口ポートのうち少なくとも1つを通して、前記プレフローパスを通して前記処理チャンバをバイパスする前記フォアラインへ流す工程であって、前記所定の状態は、前記スロットルバルブを使用して、前記プレフローパス内の状態を前記処理チャンバの状態と適合させることによって得られる工程と、
前記所定の状態が得られた後、前記マニホルドを出て、前記第2又は第3の出口ポートのうち少なくとも1つを通して、前記処理チャンバへ前記第1及び第2のガスを指向させる工程と、
前記処理チャンバ内で基板を処理する工程とを含む方法。 - 基板処理が完了した後、前記第1及び第2のガスを、前記マニホルドを通して、前記処理チャンバをバイパスする前記フォアラインへ流す工程を更に含む請求項1記載の方法。
- 前記マニホルド中の前記第1及び第2のガスのうち少なくとも1つを、第3のガス源から前記マニホルドへ提供された第3のガスと交換する工程を更に含む請求項2記載の方法。
- 前記マニホルドから出る前記第3のガスが、前記フォアラインに入るのを防ぐ工程と、
前記第3のガスが、前記マニホルドを出ていく間、前記第1又は第2のガスのうち少なくとも1つを前記フォアラインへ引き続ける工程とを更に含む請求項3記載の方法。 - 前記第3のガスが、前記フォアラインに入るのを防ぐ工程が、前記第3のガスのフローを停止する工程、又は前記第3のガスを前記処理チャンバへ流す工程を含む請求項4記載の方法。
- 前記第3のガスが、前記フォアラインに入るのを防ぐ工程が、前記第3のガスが前記フォアラインから前記マニホルドを出る、前記出口ポートを分断する工程を含む請求項4記載の方法。
- 前記マニホルドにおいて、少なくとも1つのバルブの前記動作状態を調節して、少なくとも2つの出口ポートを通る1つのガス源からのフローの比を得る工程を更に含む請求項1記載の方法。
- 前記マニホルドにおいて、少なくとも1つのバルブの前記動作状態を調節する工程が、
前記マニホルドを出る前記ガスの測定をセンシングする工程と、
前記マニホルドにおいて、少なくとも1つのバルブの前記動作状態を調節して、前記少なくとも2つの出口ポートを通る1つのガス源からのフローの比を変更する工程とを更に含む請求項7記載の方法。 - 前記マニホルドを出る前記ガスの測定をセンシングする工程と、
前記センシングされた測定に応答して、前記マニホルドに入る前記1つのガス源のフロー、少なくとも1つのフロー比コントローラ、前記チャンバに入る前記ガスの組成、又は前記チャンバに入る前記ガスの圧力のうちの1つを調節する工程を更に含む請求項1記載の方法。 - 前記マニホルド内の前記バルブの動作状態を選択して、前記第1及び第2のガスのうち少なくとも1つを、前記第4の出口ポートを通して出し、較正回路へと送る工程を更に含む請求項1記載の方法。
- オリフィスを使用して前記較正回路内で固定フロー状態を提供する工程であって、前記オリフィスは、前記処理チャンバの制限と等しい制限を与えるサイズである工程を更に含む請求項10記載の方法。
- 前記遮断バルブを開くことによって前記マニホルドを排気して、前記第1の出口ポート及び前記排気パスを通して前記マニホルドから前記第1及び第2のガスを除去する工程を更に含む請求項1記載の方法。
- 前記マニホルドを排気する工程は、前記スロットルバルブを用いて、前記マニホルドから前記パージラインまでの前記ガスのフローを制御する工程を更に含む請求項12記載の方法。
- 前記マニホルドを排気する工程は、前記第2及び第3の出口ポートに結合される前記バイパスバルブを開いて、前記第2及び第3の出口ポートを出たガスを、前記処理チャンバをバイパスする前記パージラインへ指向させる工程を更に含む請求項13記載の方法。
- フォアラインを通して、設備排気部に結合された処理チャンバを含む処理システムへのガスフローを制御する方法であって、
第1、第2、第3及び第4の出口ポートのうち少なくとも1つに選択的に結合されていてもよい少なくとも第1、第2、第3及び第4の入口を有するマニホルドを提供する工程であって、前記第1の出口ポートは、遮断バルブ及びパージラインを含む排気パスを介して前記フォアラインに結合され、前記第2及び第3の出口ポートの夫々は、夫々の最終バルブを介して前記処理チャンバに接続され、前記第2及び第3の出口ポートの夫々は、夫々のバイパスバルブを介してプレフローパスに接続され、前記プレフローパスは、前記パージラインの上流のスロットルバルブと、前記フォアラインの上流の前記パージラインを含む工程と、
処理前に前記処理チャンバをバイパスする前記プレフローパスへ、又は較正回路へ、前記マニホルドを通して、1種類以上のガスを流す工程であって、前記プレフローパス内の状態を前記処理チャンバの状態と適合させるために、前記プレフローパス内の前記スロットルバルブを調整する工程と、
基板処理中、前記1種類以上のガスを前記処理チャンバへ流す工程とを含む方法。 - 真空環境に、前記マニホルドを通して、1種類以上のガスを流す工程が、前記1種類以上のガスのフローを前記処理チャンバへ迂回する前に、前記1種類以上のガスのフローが、所定の基準に適合するまで待つ工程を更に含む請求項15記載の方法。
- 前記所定の基準は、フローレート、圧力、又はガス組成のうちの少なくとも1つである請求項16記載の方法。
- 処理チャンバを含む処理システムへのガスフローを制御する方法であって、
第1の出口ポート、第2の出口ポート、第3の出口ポート及び第4の出口ポートを少なくとも有するマニホルドへ第1のガス源から第1のガスを流す工程であって、少なくとも前記第2及び第3の出口ポートは、処理チャンバに結合され、前記処理チャンバは、フォアラインを介して設備排気部に結合され、前記第1の出口ポートは、遮断バルブ及びパージラインを含む排気パスを介して前記フォアラインに結合され、前記第2及び第3の出口ポートの夫々は、夫々のバイパスバルブを介してプレフローパスに接続され、前記プレフローパスは、前記パージラインの上流のスロットルバルブと、前記フォアラインの上流の前記パージラインを含む工程と、
前記マニホルド内のバルブの動作状態を選択して、前記第1のガスを前記第2及び第3の出口ポートを通して同時に流す工程と、
前記マニホルド内の前記第1のガスの所定の状態が得られるまで、前記第1のガスを、前記マニホルドの前記第2又は第3の出口ポートのうち少なくとも1つを通して、前記プレフローパスを通して前記処理チャンバをバイパスする前記フォアラインへ流す工程であって、前記所定の状態は、前記スロットルバルブを使用して、前記プレフローパス内の状態を前記処理チャンバの状態と適合させることによって得られる工程とを含む方法。 - 前記第1のガスのフローを示す測定をセンシングする工程と、
前記センシングされた測定に応答して、前記第1及び第2の出口ポートの間の前記第1のガスのフローの比を制御する工程とを更に含む請求項18記載の方法。 - センシングする工程は、前記第1のガスの、化学物質、圧力、又は夫々のフロー分割レートのうちの少なくとも1つをセンシングする工程を更に含む請求項19記載の方法。
- センシングされた測定を使用して、前記夫々のフロー分割レートが所定の基準に適合していることを診断する工程を更に含む請求項20記載の方法。
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---|---|
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Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8088223B2 (en) * | 2005-03-10 | 2012-01-03 | Asm America, Inc. | System for control of gas injectors |
US7743670B2 (en) * | 2006-08-14 | 2010-06-29 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for gas flow measurement |
JP5372353B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2013-12-18 | 株式会社フジキン | 半導体製造装置用ガス供給装置 |
US20090236447A1 (en) * | 2008-03-21 | 2009-09-24 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling gas injection in process chamber |
US8623141B2 (en) * | 2009-05-18 | 2014-01-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Piping system and control for semiconductor processing |
US8747762B2 (en) | 2009-12-03 | 2014-06-10 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for treating exhaust gas in a processing system |
CN101989068B (zh) * | 2010-11-05 | 2012-07-18 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 基于质量流量控制器的模拟工艺系统和方法 |
JP2012195565A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-10-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
US9175808B2 (en) * | 2011-06-17 | 2015-11-03 | Lam Research Corporation | System and method for decreasing scrubber exhaust from gas delivery panels |
JP6068462B2 (ja) * | 2011-06-30 | 2017-01-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 高速ガス交換、高速ガス切換、及びプログラミング可能なガス送出のための方法及び装置 |
CN103177923B (zh) * | 2011-12-20 | 2016-05-11 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种应用于等离子处理装置的气体分布系统及验证方法 |
US9238865B2 (en) | 2012-02-06 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple vapor sources for vapor deposition |
US20130255784A1 (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery systems and methods of use thereof |
US9410244B2 (en) * | 2012-09-04 | 2016-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus including a plurality of reactors, and method for providing the same with process gas |
US20140137961A1 (en) * | 2012-11-19 | 2014-05-22 | Applied Materials, Inc. | Modular chemical delivery system |
US8893923B2 (en) * | 2012-11-28 | 2014-11-25 | Intermolecular, Inc. | Methods and systems for dispensing different liquids for high productivity combinatorial processing |
US9488315B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-11-08 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution apparatus for directional and proportional delivery of process gas to a process chamber |
JP6336719B2 (ja) * | 2013-07-16 | 2018-06-06 | 株式会社ディスコ | プラズマエッチング装置 |
US9632516B2 (en) * | 2013-12-19 | 2017-04-25 | Tawan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Gas-supply system and method |
US10161060B2 (en) | 2013-12-19 | 2018-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Gas-supply system and method |
JP2016081945A (ja) * | 2014-10-09 | 2016-05-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置および気相成長方法 |
TW201634738A (zh) * | 2015-01-22 | 2016-10-01 | 應用材料股份有限公司 | 用於在空間上分離之原子層沉積腔室的經改良注射器 |
CN106025158B (zh) * | 2015-03-27 | 2020-08-11 | 株式会社杰士汤浅国际 | 蓄电元件 |
US10957561B2 (en) * | 2015-07-30 | 2021-03-23 | Lam Research Corporation | Gas delivery system |
US10192751B2 (en) | 2015-10-15 | 2019-01-29 | Lam Research Corporation | Systems and methods for ultrahigh selective nitride etch |
US10825659B2 (en) | 2016-01-07 | 2020-11-03 | Lam Research Corporation | Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector |
US10256075B2 (en) * | 2016-01-22 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Gas splitting by time average injection into different zones by fast gas valves |
US10651015B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-05-12 | Lam Research Corporation | Variable depth edge ring for etch uniformity control |
US10699878B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-06-30 | Lam Research Corporation | Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring |
US10147588B2 (en) | 2016-02-12 | 2018-12-04 | Lam Research Corporation | System and method for increasing electron density levels in a plasma of a substrate processing system |
US10438833B2 (en) | 2016-02-16 | 2019-10-08 | Lam Research Corporation | Wafer lift ring system for wafer transfer |
US10269600B2 (en) * | 2016-03-15 | 2019-04-23 | Applied Materials, Inc. | Methods and assemblies for gas flow ratio control |
US10453721B2 (en) | 2016-03-15 | 2019-10-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and assemblies for gas flow ratio control |
US10410832B2 (en) | 2016-08-19 | 2019-09-10 | Lam Research Corporation | Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment |
US10604841B2 (en) | 2016-12-14 | 2020-03-31 | Lam Research Corporation | Integrated showerhead with thermal control for delivering radical and precursor gas to a downstream chamber to enable remote plasma film deposition |
CN108231620B (zh) * | 2016-12-15 | 2021-01-19 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种气体流量控制装置及其气体流量控制方法 |
GB2557670B (en) * | 2016-12-15 | 2020-04-15 | Thermo Fisher Scient Bremen Gmbh | Improved gas flow control |
CN114797403A (zh) | 2017-02-09 | 2022-07-29 | 应用材料公司 | 利用水蒸气和氧试剂的等离子体减量技术 |
CN109104875B (zh) * | 2017-04-20 | 2021-07-02 | 株式会社V泰克斯 | 真空容器内压力多控制装置与真空容器内压力多控制方法 |
SG11202002686YA (en) | 2017-09-26 | 2020-04-29 | Lam Res Corp | Systems and methods for pulse width modulated dose control |
KR20200106090A (ko) * | 2018-01-31 | 2020-09-10 | 램 리써치 코포레이션 | 복수의 전구체들을 위한 매니폴드 밸브 |
AT521586B1 (de) * | 2018-08-28 | 2020-12-15 | Avl List Gmbh | Gasmischvorrichtung zur Linearisierung oder Kalibrierung von Gasanalysatoren |
CN109884255A (zh) * | 2019-03-26 | 2019-06-14 | 翼捷安全设备(昆山)有限公司 | 高精度全自动配气系统及方法 |
US11788190B2 (en) | 2019-07-05 | 2023-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Liquid vaporizer |
US11946136B2 (en) | 2019-09-20 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing device |
TW202128273A (zh) * | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法 |
JP7296854B2 (ja) * | 2019-11-07 | 2023-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給方法及び基板処理装置 |
JP2024512898A (ja) * | 2021-03-03 | 2024-03-21 | アイコール・システムズ・インク | マニホールドアセンブリを備える流体流れ制御システム |
TW202309974A (zh) * | 2021-05-21 | 2023-03-01 | 美商蘭姆研究公司 | 高深寬比3d nand架構中的鎢字元線填充 |
US11940819B1 (en) * | 2023-01-20 | 2024-03-26 | Applied Materials, Inc. | Mass flow controller based fast gas exchange |
Family Cites Families (74)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5292788A (en) * | 1976-01-30 | 1977-08-04 | Standard Technology | Gas diluting apparatus |
US4887020A (en) * | 1984-07-23 | 1989-12-12 | U.S. Philips Corporation | Self-compensating brushless alternator |
US4590790A (en) * | 1985-05-16 | 1986-05-27 | American Meter Company | Method for determining the accuracy of a gas measurement instrument |
US4687020A (en) | 1985-05-17 | 1987-08-18 | Doyle James H | Fluid mass flow controller |
US4761269A (en) * | 1986-06-12 | 1988-08-02 | Crystal Specialties, Inc. | Apparatus for depositing material on a substrate |
US4911101A (en) * | 1988-07-20 | 1990-03-27 | General Electric Company | Metal organic molecular beam epitaxy (MOMBE) apparatus |
JP2888253B2 (ja) * | 1989-07-20 | 1999-05-10 | 富士通株式会社 | 化学気相成長法およびその実施のための装置 |
JPH03156509A (ja) * | 1989-11-14 | 1991-07-04 | Stec Kk | マスフローコントローラ |
US5062446A (en) * | 1991-01-07 | 1991-11-05 | Sematech, Inc. | Intelligent mass flow controller |
US5190058A (en) * | 1991-05-22 | 1993-03-02 | Medtronic, Inc. | Method of using a temporary stent catheter |
US5141021A (en) * | 1991-09-06 | 1992-08-25 | Stec Inc. | Mass flow meter and mass flow controller |
US5254210A (en) * | 1992-04-27 | 1993-10-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method and apparatus for growing semiconductor heterostructures |
US5303731A (en) * | 1992-06-30 | 1994-04-19 | Unit Instruments, Inc. | Liquid flow controller |
US5190068A (en) | 1992-07-02 | 1993-03-02 | Brian Philbin | Control apparatus and method for controlling fluid flows and pressures |
JPH06295862A (ja) * | 1992-11-20 | 1994-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | 化合物半導体製造装置及び有機金属材料容器 |
US5293778A (en) * | 1993-05-27 | 1994-03-15 | General Electric Company | Fluid flow measuring system |
AU1678595A (en) * | 1994-01-14 | 1995-08-01 | Unit Instruments, Inc. | Flow meter |
US5524084A (en) | 1994-12-30 | 1996-06-04 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for improved flow and pressure measurement and control |
US5653807A (en) * | 1996-03-28 | 1997-08-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Low temperature vapor phase epitaxial system for depositing thin layers of silicon-germanium alloy |
US5662143A (en) * | 1996-05-16 | 1997-09-02 | Gasonics International | Modular gas box system |
US5944048A (en) * | 1996-10-04 | 1999-08-31 | Emerson Electric Co. | Method and apparatus for detecting and controlling mass flow |
US5911238A (en) * | 1996-10-04 | 1999-06-15 | Emerson Electric Co. | Thermal mass flowmeter and mass flow controller, flowmetering system and method |
US6937366B2 (en) * | 1996-12-26 | 2005-08-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Data communication system |
JPH10240356A (ja) * | 1997-02-21 | 1998-09-11 | Anelva Corp | 基板処理装置の基板温度制御法と基板温度制御性判定法 |
KR100251645B1 (ko) * | 1997-03-21 | 2000-04-15 | 윤종용 | 반도체 공정용 가스 평가장치에 결합되는 샘플가스 분배 장치 및 구동방법 |
US5865205A (en) * | 1997-04-17 | 1999-02-02 | Applied Materials, Inc. | Dynamic gas flow controller |
US5966499A (en) * | 1997-07-28 | 1999-10-12 | Mks Instruments, Inc. | System for delivering a substantially constant vapor flow to a chemical process reactor |
KR100269315B1 (ko) * | 1997-11-24 | 2000-11-01 | 윤종용 | 램프가열방식의매엽식장비를이용한반도체장치의제조방법 |
TW437017B (en) * | 1998-02-05 | 2001-05-28 | Asm Japan Kk | Silicone polymer insulation film on semiconductor substrate and method for formation thereof |
US6269692B1 (en) * | 1999-02-01 | 2001-08-07 | Dxl Usa Inc. | Mass flow measuring assembly having low pressure drop and fast response time |
WO2000063756A1 (fr) * | 1999-04-16 | 2000-10-26 | Fujikin Incorporated | Dispositif d'alimentation en fluide du type derivation parallele, et procede et dispositif de commande du debit d'un systeme de pression du type a fluide variable utilise dans ledit dispositif |
US6210482B1 (en) | 1999-04-22 | 2001-04-03 | Fujikin Incorporated | Apparatus for feeding gases for use in semiconductor manufacturing |
US6733590B1 (en) * | 1999-05-03 | 2004-05-11 | Seagate Technology Llc. | Method and apparatus for multilayer deposition utilizing a common beam source |
US6119710A (en) * | 1999-05-26 | 2000-09-19 | Cyber Instrument Technologies Llc | Method for wide range gas flow system with real time flow measurement and correction |
US6343617B1 (en) * | 1999-07-09 | 2002-02-05 | Millipore Corporation | System and method of operation of a digital mass flow controller |
US6389364B1 (en) * | 1999-07-10 | 2002-05-14 | Mykrolis Corporation | System and method for a digital mass flow controller |
US6138708A (en) * | 1999-07-28 | 2000-10-31 | Controls Corporation Of America | Mass flow controller having automatic pressure compensator |
US6799603B1 (en) * | 1999-09-20 | 2004-10-05 | Moore Epitaxial, Inc. | Gas flow controller system |
JP2001185542A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びそれを用いたプラズマ処理方法 |
US6772781B2 (en) * | 2000-02-04 | 2004-08-10 | Air Liquide America, L.P. | Apparatus and method for mixing gases |
KR100332313B1 (ko) * | 2000-06-24 | 2002-04-12 | 서성기 | Ald 박막증착장치 및 증착방법 |
AU2001288225A1 (en) | 2000-07-24 | 2002-02-05 | The University Of Maryland College Park | Spatially programmable microelectronics process equipment using segmented gas injection showerhead with exhaust gas recirculation |
AU2001286619A1 (en) | 2000-08-22 | 2002-03-04 | Fugasity Corporation | Fluid mass flow meter with substantial measurement range |
US6333272B1 (en) * | 2000-10-06 | 2001-12-25 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
DE10051973A1 (de) * | 2000-10-20 | 2002-05-02 | Bosch Gmbh Robert | Mikromechanisches Bauelement |
US6814096B2 (en) * | 2000-12-15 | 2004-11-09 | Nor-Cal Products, Inc. | Pressure controller and method |
US6800173B2 (en) * | 2000-12-15 | 2004-10-05 | Novellus Systems, Inc. | Variable gas conductance control for a process chamber |
US6439253B1 (en) | 2000-12-28 | 2002-08-27 | International Business Machines Corporation | System for and method of monitoring the flow of semiconductor process gases from a gas delivery system |
WO2002086632A2 (en) | 2001-04-24 | 2002-10-31 | Unit Instruments, Inc. | System and method for configuring and asapting a mass flow controller |
US6752166B2 (en) * | 2001-05-24 | 2004-06-22 | Celerity Group, Inc. | Method and apparatus for providing a determined ratio of process fluids |
US20030070620A1 (en) * | 2001-10-15 | 2003-04-17 | Cooperberg David J. | Tunable multi-zone gas injection system |
US20040025787A1 (en) | 2002-04-19 | 2004-02-12 | Selbrede Steven C. | System for depositing a film onto a substrate using a low pressure gas precursor |
US20040040664A1 (en) * | 2002-06-03 | 2004-03-04 | Yang Jang Gyoo | Cathode pedestal for a plasma etch reactor |
US7552015B2 (en) * | 2002-06-24 | 2009-06-23 | Mks Instruments, Inc. | Apparatus and method for displaying mass flow controller pressure |
US6712084B2 (en) * | 2002-06-24 | 2004-03-30 | Mks Instruments, Inc. | Apparatus and method for pressure fluctuation insensitive mass flow control |
US6810308B2 (en) * | 2002-06-24 | 2004-10-26 | Mks Instruments, Inc. | Apparatus and method for mass flow controller with network access to diagnostics |
US7004191B2 (en) * | 2002-06-24 | 2006-02-28 | Mks Instruments, Inc. | Apparatus and method for mass flow controller with embedded web server |
US7136767B2 (en) * | 2002-06-24 | 2006-11-14 | Mks Instruments, Inc. | Apparatus and method for calibration of mass flow controller |
US6821347B2 (en) * | 2002-07-08 | 2004-11-23 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces |
KR20050031109A (ko) * | 2002-07-19 | 2005-04-01 | 셀레리티 그룹 아이엔씨 | 질량 유량 제어기 내의 압력 보상을 위한 방법 및 장치 |
AU2003268315A1 (en) * | 2002-08-28 | 2004-03-19 | Horiba Stec, Inc. | Higher accuracy pressure based flow controller |
US20040050326A1 (en) * | 2002-09-12 | 2004-03-18 | Thilderkvist Karin Anna Lena | Apparatus and method for automatically controlling gas flow in a substrate processing system |
US7169231B2 (en) | 2002-12-13 | 2007-01-30 | Lam Research Corporation | Gas distribution system with tuning gas |
US6898558B2 (en) * | 2002-12-31 | 2005-05-24 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for monitoring a material processing system |
US20040163590A1 (en) * | 2003-02-24 | 2004-08-26 | Applied Materials, Inc. | In-situ health check of liquid injection vaporizer |
US20050120805A1 (en) * | 2003-12-04 | 2005-06-09 | John Lane | Method and apparatus for substrate temperature control |
US7072743B2 (en) * | 2004-03-09 | 2006-07-04 | Mks Instruments, Inc. | Semiconductor manufacturing gas flow divider system and method |
US7708859B2 (en) * | 2004-04-30 | 2010-05-04 | Lam Research Corporation | Gas distribution system having fast gas switching capabilities |
US7408772B2 (en) * | 2004-05-14 | 2008-08-05 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fan tray electronics enclosure |
US7412986B2 (en) * | 2004-07-09 | 2008-08-19 | Celerity, Inc. | Method and system for flow measurement and validation of a mass flow controller |
US20060068098A1 (en) * | 2004-09-27 | 2006-03-30 | Tokyo Electron Limited | Deposition of ruthenium metal layers in a thermal chemical vapor deposition process |
US20060124169A1 (en) * | 2004-12-09 | 2006-06-15 | Tokyo Electron Limited | Gas supply unit, substrate processing apparatus, and supply gas setting method |
US7174263B2 (en) * | 2005-03-25 | 2007-02-06 | Mks Instruments, Inc. | External volume insensitive flow verification |
US20070021935A1 (en) | 2005-07-12 | 2007-01-25 | Larson Dean J | Methods for verifying gas flow rates from a gas supply system into a plasma processing chamber |
-
2007
- 2007-02-26 US US11/678,623 patent/US7846497B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
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