JP5582684B2 - 半導体処理システムにガスを分配する装置及び半導体処理チャンバにガスを分配する装置 - Google Patents
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Description
本発明の実施態様は、概して、処理チャンバへのガスフローを制御する方法及び装置に関する。
ガスフローの正確な制御は、多くのマイクロエレクトロニックデバイス製造プロセスにとって欠かせない重要なプロセス制御属性である。半導体処理チャンバにおいて、基板と基板サポートの間にガスを提供することは、基板と基板サポートの間の熱伝達を改善するのに周知の方法であり、これによって、基板温度制御及び均一性の精密さが向上する。加えて、処理チャンバへの処理ガスフローの精密な制御は、所望の処理結果、特に、限界寸法及びフィルム厚さ収縮を達成するためには必要なことである。更に、処理チャンバ廃液流にガスを添加すると、基板処理の環境的な影響を緩和することができる。費用効率と適切な改善の両方を確保するには、廃液流に添加されたガスを良好に制御することが必要である。
記載したガス分配システムは、従来のシステムに勝る多くの利点を与える。システムのモジュール性に加えて、ガス分配システムを動作させると、プレフローパス、高速排気パス、制御された化学物質混合、化学物質のより効率的な使用、連続的に減少する充填排気時間、化学分配の精密調整のための閉鎖ループ制御及びフロー診断を提供することができる。
動作のあるモードにおいて、プレフローパスは、ガス分配システム100を通して画定され、1つ以上のバルブを通して、処理チャンバ114から分離された真空環境に、化学源(例えば、源102A〜F)の接続を行う(例えば、パージライン154を通して、フォアライン138)。ガスが処理チャンバ114で要求される前に、ガスを、ガス分配システム100のマニホルド134の適切なラインに供給してよい。これは、処理チャンバ114に流したようなガスの状態に実質的に適合する状態で行う。これによって、マニホルド134内のガスが、即時に定常状態に達し、ガスは、処理チャンバ114へ迂回する状態に実質的に維持される。プレフローパスによって、ガス分配システム100内のガスが、処理チャンバ114に迂回される前に、「プロセス状態」で安定化されるため、チャンバへのフローが始まると、分配システム100内のフロー状態は殆ど、又は全く変化しない。これは、典型的に、圧力降下や、フローレートの減少を招く従来のガス分配システムとは異なる。このように、処理チャンバにおけるガス分配の均一性が即時に確立される。プレフローパスが、ガスを処理チャンバに流したのと実質的に同じ抵抗とフロー状態を提供するためである。スロットルバルブ144を用いて、プレフローガスパスの状態を、処理チャンバ114のものと適合させてもよい。
他の動作モードにおいて、高速排気パスが、ガス分配システム100において画定されており、パージライン154を通して、マニホルド134からフォアライン138までの接続を提供する。高速排気パスは、1つ以上のバルブを通して、処理チャンバ分配パスを通して、化学分配源から、真空環境までの接続を提供する。真空環境は、処理チャンバ114からは分離されている(例えば、パージライン154を通して、フォアライン138)。高速排気パスは、各チャンバ接続部に結合されていて、2つのフロー制限部、例えば、フロー比コントローラ502、504、バルブ304A〜Fまたはその他フロー制限部間に、少なくとも1つの接続部がある。処理チャンバ114内の化学物質を変更する必要がある時は、真空環境に対して、遮断バルブ172及びバイパスバルブ108A〜Eを開いて、過剰のプロセス化学物質を、化学分配パスから除去する。
他の動作のモードにおいて、ガス分配システム100を用いて、化学物質混合を促進してもよい。一実施形態において、化学物質混合は、バルブ304A〜Fを用いて、又は、2つ以上の源102A〜Fを、単一ガス出口分配ライン232A〜Fに結合することにより、マニホルド134内で生じる。
他の動作のモードにおいて、ガス分配システム100は、化学物質の効率的な使用を促進する。例えば、バルブ204A〜F、172、108A〜E、262A〜Fの動作状態を変更するシーケンスを構成して、マニホルド134から、最も効率良く、ガスを除去し、ガスの混合が最少となるようにすると、応答時間が早くなり、処理時間を減らすことができる。このように、ガス交換中、ガスが分配パスから(例えば、出口ライン232A〜Fから)引かれ、パージライン154に入る速度を、スロットルバルブ156を用いて調節し、マニホルド134を通して、ガスを即時に進めてもよい。更に、パージライン154が、マニホルド134を通してガスを引いている間、次の処理シーケンスのために準備されたガス、例えば、新たに導入されるガス、パージガス及び/又はマニホルドに前に含有されていたガスの最後の残り等を含有するラインを、パージライン154から迂回させて、処理チャンバ114へ流してもよい。これによって、パージライン154に結合された残りのラインが、より迅速に排気される。一実施形態において、センサ190により行われた測定を利用して、パージライン154からチャンバ114への迂回を行うべき時を示してもよい。これは、例えば、ガスの組成、フローレート及び、又はライン内のガスの圧力の変更又は安定化によってなされる。
他の動作のモードにおいて、ガス分配システム100を利用して、較正回路144を用いて、システム内の成分のフローレートを診断することができる。例えば、システム100のバルブは、入口ポートのいずれかから、較正回路144までのフローを提供する。他の実施例において、システムのバルブにより分割されたフローの、分割されたフローの各分岐に沿ったフローレートを診断してもよい。
Claims (23)
- 半導体処理システムにガスを分配する装置であって、
入口ポートを夫々有する複数のガス入力ラインと、
出口ポートを夫々有する複数のガス出力ラインと、
各対のガス入力とガス出力ラインを夫々結合する複数の接続ラインと、
各接続ラインを流れるフローを制御するよう夫々配置された複数の接続バルブであって、各入口ポートは複数の接続バルブによって各出口ポートに選択的に結合される接続バルブと、
各入口ポートへのフローを制御するよう夫々配置された複数のマスガスフローコントローラと、
複数のガス出力ラインのうちの1つの出口ポートに結合され、処理チャンバのフロー状態と実質的に等しいフロー状態を提供するようなサイズのフロー制限部と、
前記フロー制限部を通して前記出口ポートの少なくとも1つに結合された較正回路を含む装置。 - 前記接続バルブが格子パターンで配置されていて、前記入口ポートが前記格子の第1の軸に沿って配置されていて、前記出口ポートが前記格子の第2の軸に沿って配置されている請求項1記載の装置。
- 前記複数の接続ラインが、1つの一体型部分として形体化されている請求項1記載の装置。
- 前記第1の一体型部分に結合された第2の一体型部分であって、格子パターンで配置された接続バルブを有する第2の一体型部分を含み、前記第2の一体型部分の入口ポートが前記格子の第1の軸に沿って配置され、前記第2の一体型部分の出口ポートが前記格子の第2の軸に沿って配置されている請求項3記載の装置。
- 前記ガス出力ライン、前記ガス入力ライン又は前記接続ラインのうち少なくとも1つとインタフェースする少なくとも1つのセンサを含み、前記少なくとも1つのセンサが、フロー、圧力又は化学物質の測定表示を提供するために配置されている請求項1記載の装置。
- 半導体処理システムにガスを分配する装置であって、
入口ポートを夫々有する複数のガス入力ラインと、
出口ポートを夫々有する複数のガス出力ラインと、
各対のガス入力とガス出力ラインを夫々結合する複数の接続ラインと、
各接続ラインを流れるフローを制御するよう夫々配置された複数の接続バルブであって、各入口ポートは複数の接続バルブによって各出口ポートに選択的に結合される接続バルブと、
各入口ポートへのフローを制御するよう夫々配置された複数のマスガスフローコントローラと、
複数のガス出力ラインのうちの1つの出口ポートに結合され、処理チャンバのフロー状態と実質的に等しいフロー状態を提供するようなサイズのフロー制限部と、
夫々が前記複数のガス出力ラインのうちの1つの出口ポートに結合され、各出口ポートを出るフローを分割するために構成された少なくとも2つの調節可能なバルブと、
臨界(超音速)フローを、前記バルブを通して、維持しながら、前記バルブを通るフローを測定することにより、前記調節可能なバルブの有効開口面積を較正するために構成された較正回路を含む装置。 - 前記出口ポートの少なくとも1つが、前記処理システムをバイパスすることにより、設備排気部に結合されている請求項1記載の装置。
- 前記出口ポートの少なくとも1つに結合された収容容器を含む請求項1記載の装置。
- 前記収容容器内のフロー、圧力又は化学物質の測定を行うように配置された少なくとも1つのセンサを含む請求項8記載の装置。
- 前記収容容器が、前記処理システムに結合された少なくとも1つの出口ポートと、第2の処理チャンバに接続された第2の出口ポートを含む請求項8記載の装置。
- 前記収容容器の少なくとも1つの出口ポートが、第2の格子パターンで配置された第2のグループの接続バルブを通して、前記処理システムに接続されており、前記第2の格子パターンの入口ポートが前記第2の格子パターンの第1の軸に沿って配置されており、前記第2の格子パターンの出口ポートが前記第2の格子パターンの第2の軸に沿って配置されている請求項8記載の装置。
- 前記収容容器と設備排気孔の間に流体結合された2つの位置バルブであって、完全に閉鎖、プリセット制限、完全に開放で切換可能なバルブを含む請求項8記載の装置。
- 前記収容容器の出口ポート及び前記ガス出力ラインの少なくとも1つの出口ポートは、前記半導体処理チャンバへの共通の入口ポートに接続されている請求項8記載の装置。
- 前記収容容器は少なくとも2つの半導体処理チャンバに接続されている請求項8記載の装置。
- 前記フロー制限部は、前記フロー制限部の下流圧力の測定に基づいて大きさを調節可能である請求項1記載の装置。
- 半導体処理チャンバにガスを分配する装置であって、
ガス源に夫々接続する複数のガス入口ポートと、
前記複数のガス入口ポートと前記処理チャンバの第1及び第2ガス入口に選択的に流体接続された複数のガス出口ポートと、
前記複数のガス出口ポートの内の1つの夫々が結合し、各出口ポートを出るフローを分割する少なくとも2つのフロー比コントローラと、
前記複数のガス出口ポートのうちの1つに結合され、前記処理チャンバの前記第1及び第2ガス入口のフロー状態と実質的に等しいフロー状態を提供するようなサイズのフロー制限部と、
前記フロー制限部を通して前記出口ポートの少なくとも1つに結合された較正回路を含む装置。 - 前記複数のガス入口ポートは、複数の可変接続バルブを通して前記複数のガス出口ポートに結合されている請求項16記載の装置。
- 前記第1ガス入口は、前記処理チャンバ内に配置された基板に向かって下方へガスを指向させ、前記第2ガス入口は、前記基板の周囲にガスを指向させる請求項16記載の装置。
- 前記少なくとも2つのフロー比コントローラは、前記第1ガス入口と前記第2ガス入口の間で調節可能な出力比を提供する請求項16記載の装置。
- 前記少なくとも2つのフロー比コントローラの前記出力と、前記複数のガス出口ポートのうちの少なくとも2つは、前記処理チャンバの前記第1及び第2ガス入口の上流に配置された夫々の共通の分配ラインに夫々合体する請求項16記載の装置。
- 前記少なくとも2つのフロー比コントローラは、前記少なくとも2つのフロー比コントローラの上流と下流の間の差圧が、前記少なくとも2つのフロー比コントローラを通る超音速フローを維持するのに十分なような出力比を提供する請求項16記載の装置。
- 前記フロー制限部は、前記フロー制限部の下流圧力の測定に基づいてサイズを調節可能である請求項16記載の装置。
- 半導体処理チャンバにガスを分配する装置であって、
ガス源に結合する少なくとも1つのガス入口ポートと、前記少なくとも1つのガス入口ポート及び前記処理チャンバに流体連通する少なくとも1つのガス出口ポートを有するメインガス分配部と、
前記少なくとも1つのガス出口ポートを出るガスフローを分割するように構成された2つのフロー比コントローラと、
前記少なくとも1つのガス出口ポートと前記2つのフロー比コントローラの間に配置され、前記2つのフロー比コントローラの上流の圧力を測定するための上流圧力センサと、
前記2つのフロー比コントローラと前記処理チャンバの間に配置され、前記2つのフロー比コントローラの下流の圧力を測定するための下流圧力センサと、
少なくとも1つのガス出口ポートに結合され、処理チャンバのフロー状態と実質的に等しいフロー状態を提供するようなサイズのフロー制限部と、
前記フロー制限部を通して前記出口ポートの少なくとも1つに結合された較正回路を含み、前記2つのフロー比コントローラは、前記2つのフロー比コントローラの上流と下流の間の差圧が、前記2つのフロー比コントローラを通る超音速フローを維持するのに十分なように制御される装置。
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Families Citing this family (39)
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JP5372353B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2013-12-18 | 株式会社フジキン | 半導体製造装置用ガス供給装置 |
US8066895B2 (en) * | 2008-02-28 | 2011-11-29 | Applied Materials, Inc. | Method to control uniformity using tri-zone showerhead |
US20090236447A1 (en) * | 2008-03-21 | 2009-09-24 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling gas injection in process chamber |
JP5216632B2 (ja) * | 2009-03-03 | 2013-06-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 流体制御装置 |
US8328980B2 (en) * | 2009-09-04 | 2012-12-11 | Lam Research Corporation | Apparatus and methods for enhanced fluid delivery on bevel etch applications |
US8707754B2 (en) * | 2010-04-30 | 2014-04-29 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for calibrating flow controllers in substrate processing systems |
SG186902A1 (en) * | 2010-07-05 | 2013-02-28 | Solvay | Purge box for fluorine supply |
CN101989068B (zh) * | 2010-11-05 | 2012-07-18 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 基于质量流量控制器的模拟工艺系统和方法 |
US8931512B2 (en) * | 2011-03-07 | 2015-01-13 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery system and method of use thereof |
TWI489054B (zh) * | 2011-06-21 | 2015-06-21 | Au Optronics Corp | 閥箱模組 |
JP5433660B2 (ja) * | 2011-10-12 | 2014-03-05 | Ckd株式会社 | ガス流量監視システム |
US9238865B2 (en) | 2012-02-06 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple vapor sources for vapor deposition |
CN102537661A (zh) * | 2012-02-27 | 2012-07-04 | 无锡超科食品有限公司 | 液态物料进料系统 |
US9004107B2 (en) * | 2012-08-21 | 2015-04-14 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for enhanced gas flow rate control |
CN104167345B (zh) * | 2013-05-17 | 2016-08-24 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子处理装置及其气体输送装置、气体切换方法 |
US9335768B2 (en) * | 2013-09-12 | 2016-05-10 | Lam Research Corporation | Cluster mass flow devices and multi-line mass flow devices incorporating the same |
US9478390B2 (en) * | 2014-06-30 | 2016-10-25 | Fei Company | Integrated light optics and gas delivery in a charged particle lens |
TW201634738A (zh) * | 2015-01-22 | 2016-10-01 | 應用材料股份有限公司 | 用於在空間上分離之原子層沉積腔室的經改良注射器 |
US11357966B2 (en) | 2015-04-23 | 2022-06-14 | B. Braun Medical Inc. | Compounding device, system, kit, software, and method |
US10957561B2 (en) * | 2015-07-30 | 2021-03-23 | Lam Research Corporation | Gas delivery system |
US10192751B2 (en) | 2015-10-15 | 2019-01-29 | Lam Research Corporation | Systems and methods for ultrahigh selective nitride etch |
US10825659B2 (en) | 2016-01-07 | 2020-11-03 | Lam Research Corporation | Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector |
US10256075B2 (en) * | 2016-01-22 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Gas splitting by time average injection into different zones by fast gas valves |
US10651015B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-05-12 | Lam Research Corporation | Variable depth edge ring for etch uniformity control |
US10699878B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-06-30 | Lam Research Corporation | Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring |
US10147588B2 (en) | 2016-02-12 | 2018-12-04 | Lam Research Corporation | System and method for increasing electron density levels in a plasma of a substrate processing system |
US10438833B2 (en) | 2016-02-16 | 2019-10-08 | Lam Research Corporation | Wafer lift ring system for wafer transfer |
US10410832B2 (en) | 2016-08-19 | 2019-09-10 | Lam Research Corporation | Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment |
CN108121370B (zh) * | 2017-12-23 | 2020-06-02 | 东北大学 | 一种真空环境气体流量的测控方法及测控系统 |
US11327510B2 (en) * | 2018-05-23 | 2022-05-10 | Hitachi Metals, Ltd. | Multi-chamber rate-of-change system for gas flow verification |
US11029297B2 (en) * | 2018-08-08 | 2021-06-08 | Applied Materials, Inc. | Method of gas composition determination, adjustment, and usage |
US20220139730A1 (en) * | 2019-01-31 | 2022-05-05 | Lam Research Corporation | Multi-channel liquid delivery system for advanced semiconductor applications |
US11788190B2 (en) | 2019-07-05 | 2023-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Liquid vaporizer |
US11946136B2 (en) | 2019-09-20 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing device |
EP4062250A1 (en) * | 2019-11-19 | 2022-09-28 | Linde GmbH | Smart gas mixer |
JP7200166B2 (ja) * | 2020-04-03 | 2023-01-06 | 大陽日酸株式会社 | 混合ガス供給装置及び方法 |
CN113867434B (zh) * | 2021-11-22 | 2024-01-12 | 北京七星华创流量计有限公司 | 气体质量流量控制器 |
CN115948727A (zh) * | 2023-01-10 | 2023-04-11 | 江苏微导纳米科技股份有限公司 | 气体流量校准装置及方法 |
US11940819B1 (en) * | 2023-01-20 | 2024-03-26 | Applied Materials, Inc. | Mass flow controller based fast gas exchange |
Family Cites Families (72)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5292788A (en) | 1976-01-30 | 1977-08-04 | Standard Technology | Gas diluting apparatus |
JPS61254242A (ja) * | 1985-05-01 | 1986-11-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 原料供給装置 |
US4590790A (en) | 1985-05-16 | 1986-05-27 | American Meter Company | Method for determining the accuracy of a gas measurement instrument |
US4687020A (en) | 1985-05-17 | 1987-08-18 | Doyle James H | Fluid mass flow controller |
JPS62143427A (ja) | 1985-12-18 | 1987-06-26 | Hitachi Ltd | 処理ガス供給装置 |
US4761269A (en) | 1986-06-12 | 1988-08-02 | Crystal Specialties, Inc. | Apparatus for depositing material on a substrate |
US4911101A (en) | 1988-07-20 | 1990-03-27 | General Electric Company | Metal organic molecular beam epitaxy (MOMBE) apparatus |
JP2888253B2 (ja) | 1989-07-20 | 1999-05-10 | 富士通株式会社 | 化学気相成長法およびその実施のための装置 |
JPH03156509A (ja) | 1989-11-14 | 1991-07-04 | Stec Kk | マスフローコントローラ |
US5062446A (en) | 1991-01-07 | 1991-11-05 | Sematech, Inc. | Intelligent mass flow controller |
US5141021A (en) | 1991-09-06 | 1992-08-25 | Stec Inc. | Mass flow meter and mass flow controller |
US5254210A (en) | 1992-04-27 | 1993-10-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method and apparatus for growing semiconductor heterostructures |
US5303731A (en) | 1992-06-30 | 1994-04-19 | Unit Instruments, Inc. | Liquid flow controller |
US5190068A (en) | 1992-07-02 | 1993-03-02 | Brian Philbin | Control apparatus and method for controlling fluid flows and pressures |
JPH06295862A (ja) * | 1992-11-20 | 1994-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | 化合物半導体製造装置及び有機金属材料容器 |
US5293778A (en) | 1993-05-27 | 1994-03-15 | General Electric Company | Fluid flow measuring system |
AU1678595A (en) | 1994-01-14 | 1995-08-01 | Unit Instruments, Inc. | Flow meter |
US5524084A (en) | 1994-12-30 | 1996-06-04 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for improved flow and pressure measurement and control |
US5653807A (en) | 1996-03-28 | 1997-08-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Low temperature vapor phase epitaxial system for depositing thin layers of silicon-germanium alloy |
US5662143A (en) | 1996-05-16 | 1997-09-02 | Gasonics International | Modular gas box system |
US5944048A (en) | 1996-10-04 | 1999-08-31 | Emerson Electric Co. | Method and apparatus for detecting and controlling mass flow |
US5911238A (en) | 1996-10-04 | 1999-06-15 | Emerson Electric Co. | Thermal mass flowmeter and mass flow controller, flowmetering system and method |
JPH10240356A (ja) | 1997-02-21 | 1998-09-11 | Anelva Corp | 基板処理装置の基板温度制御法と基板温度制御性判定法 |
KR100251645B1 (ko) | 1997-03-21 | 2000-04-15 | 윤종용 | 반도체 공정용 가스 평가장치에 결합되는 샘플가스 분배 장치 및 구동방법 |
US5966499A (en) | 1997-07-28 | 1999-10-12 | Mks Instruments, Inc. | System for delivering a substantially constant vapor flow to a chemical process reactor |
TW437017B (en) | 1998-02-05 | 2001-05-28 | Asm Japan Kk | Silicone polymer insulation film on semiconductor substrate and method for formation thereof |
US6269692B1 (en) | 1999-02-01 | 2001-08-07 | Dxl Usa Inc. | Mass flow measuring assembly having low pressure drop and fast response time |
WO2000063756A1 (fr) | 1999-04-16 | 2000-10-26 | Fujikin Incorporated | Dispositif d'alimentation en fluide du type derivation parallele, et procede et dispositif de commande du debit d'un systeme de pression du type a fluide variable utilise dans ledit dispositif |
US6210482B1 (en) | 1999-04-22 | 2001-04-03 | Fujikin Incorporated | Apparatus for feeding gases for use in semiconductor manufacturing |
US6733590B1 (en) | 1999-05-03 | 2004-05-11 | Seagate Technology Llc. | Method and apparatus for multilayer deposition utilizing a common beam source |
US6119710A (en) | 1999-05-26 | 2000-09-19 | Cyber Instrument Technologies Llc | Method for wide range gas flow system with real time flow measurement and correction |
US6343617B1 (en) | 1999-07-09 | 2002-02-05 | Millipore Corporation | System and method of operation of a digital mass flow controller |
US6389364B1 (en) | 1999-07-10 | 2002-05-14 | Mykrolis Corporation | System and method for a digital mass flow controller |
US6138708A (en) | 1999-07-28 | 2000-10-31 | Controls Corporation Of America | Mass flow controller having automatic pressure compensator |
US6799603B1 (en) * | 1999-09-20 | 2004-10-05 | Moore Epitaxial, Inc. | Gas flow controller system |
US6772781B2 (en) * | 2000-02-04 | 2004-08-10 | Air Liquide America, L.P. | Apparatus and method for mixing gases |
KR100332313B1 (ko) | 2000-06-24 | 2002-04-12 | 서성기 | Ald 박막증착장치 및 증착방법 |
AU2001288225A1 (en) | 2000-07-24 | 2002-02-05 | The University Of Maryland College Park | Spatially programmable microelectronics process equipment using segmented gas injection showerhead with exhaust gas recirculation |
AU2001286619A1 (en) | 2000-08-22 | 2002-03-04 | Fugasity Corporation | Fluid mass flow meter with substantial measurement range |
US6333272B1 (en) | 2000-10-06 | 2001-12-25 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
US6814096B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-11-09 | Nor-Cal Products, Inc. | Pressure controller and method |
US6800173B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-10-05 | Novellus Systems, Inc. | Variable gas conductance control for a process chamber |
US6439253B1 (en) | 2000-12-28 | 2002-08-27 | International Business Machines Corporation | System for and method of monitoring the flow of semiconductor process gases from a gas delivery system |
US20020173166A1 (en) * | 2001-04-11 | 2002-11-21 | Kurt Christenson | Method and apparatus to quickly increase the concentration of gas in a process chamber to a very high level |
WO2002086632A2 (en) | 2001-04-24 | 2002-10-31 | Unit Instruments, Inc. | System and method for configuring and asapting a mass flow controller |
JP2002349797A (ja) * | 2001-05-23 | 2002-12-04 | Fujikin Inc | 流体制御装置 |
US6752166B2 (en) * | 2001-05-24 | 2004-06-22 | Celerity Group, Inc. | Method and apparatus for providing a determined ratio of process fluids |
US20040025787A1 (en) | 2002-04-19 | 2004-02-12 | Selbrede Steven C. | System for depositing a film onto a substrate using a low pressure gas precursor |
US20040040664A1 (en) | 2002-06-03 | 2004-03-04 | Yang Jang Gyoo | Cathode pedestal for a plasma etch reactor |
US6712084B2 (en) | 2002-06-24 | 2004-03-30 | Mks Instruments, Inc. | Apparatus and method for pressure fluctuation insensitive mass flow control |
US7552015B2 (en) | 2002-06-24 | 2009-06-23 | Mks Instruments, Inc. | Apparatus and method for displaying mass flow controller pressure |
US6810308B2 (en) | 2002-06-24 | 2004-10-26 | Mks Instruments, Inc. | Apparatus and method for mass flow controller with network access to diagnostics |
US7004191B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-02-28 | Mks Instruments, Inc. | Apparatus and method for mass flow controller with embedded web server |
US7136767B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-11-14 | Mks Instruments, Inc. | Apparatus and method for calibration of mass flow controller |
US6821347B2 (en) | 2002-07-08 | 2004-11-23 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces |
KR20050031109A (ko) | 2002-07-19 | 2005-04-01 | 셀레리티 그룹 아이엔씨 | 질량 유량 제어기 내의 압력 보상을 위한 방법 및 장치 |
AU2003268315A1 (en) | 2002-08-28 | 2004-03-19 | Horiba Stec, Inc. | Higher accuracy pressure based flow controller |
US20040050326A1 (en) | 2002-09-12 | 2004-03-18 | Thilderkvist Karin Anna Lena | Apparatus and method for automatically controlling gas flow in a substrate processing system |
JP4502590B2 (ja) | 2002-11-15 | 2010-07-14 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体製造装置 |
US7169231B2 (en) | 2002-12-13 | 2007-01-30 | Lam Research Corporation | Gas distribution system with tuning gas |
US6898558B2 (en) | 2002-12-31 | 2005-05-24 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for monitoring a material processing system |
US20040163590A1 (en) | 2003-02-24 | 2004-08-26 | Applied Materials, Inc. | In-situ health check of liquid injection vaporizer |
US7137400B2 (en) * | 2003-09-30 | 2006-11-21 | Agere Systems Inc. | Bypass loop gas flow calibration |
US20050120805A1 (en) | 2003-12-04 | 2005-06-09 | John Lane | Method and apparatus for substrate temperature control |
US7418978B2 (en) * | 2004-01-30 | 2008-09-02 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for providing fluid to a semiconductor device processing apparatus |
US7072743B2 (en) | 2004-03-09 | 2006-07-04 | Mks Instruments, Inc. | Semiconductor manufacturing gas flow divider system and method |
US7708859B2 (en) | 2004-04-30 | 2010-05-04 | Lam Research Corporation | Gas distribution system having fast gas switching capabilities |
US20060068098A1 (en) | 2004-09-27 | 2006-03-30 | Tokyo Electron Limited | Deposition of ruthenium metal layers in a thermal chemical vapor deposition process |
US20060124169A1 (en) | 2004-12-09 | 2006-06-15 | Tokyo Electron Limited | Gas supply unit, substrate processing apparatus, and supply gas setting method |
US20070021935A1 (en) | 2005-07-12 | 2007-01-25 | Larson Dean J | Methods for verifying gas flow rates from a gas supply system into a plasma processing chamber |
US7743670B2 (en) * | 2006-08-14 | 2010-06-29 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for gas flow measurement |
US7775236B2 (en) * | 2007-02-26 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber |
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