JP5325484B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、特に縮合多環芳香族炭化水素化合物を含んでなる界面層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。

有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子は、電界を印加することにより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより発光層が発光する原理を利用した自発光素子である。
有機ＥＬ素子の進歩は目覚しく、また、有機ＥＬ素子は、低電圧駆動、高輝度、発光波長の多様性、高速応答性を備え、薄型で軽量な発光デバイスが作製可能であるため、広汎な用途への適用が期待されている。

有機ＥＬ素子としては、陽極と発光層の間に正孔注入層や正孔輸送層を、また陰極と発光層の間に電子注入層や電子輸送層を積層する積層構造がよく知られている。こうした積層構造型有機ＥＬ素子においては、注入された正孔と電子の再結合効率を高めるため、素子構造や各層の材料の工夫がなされている。さらに素子駆動に伴う輝度の低下、駆動電圧の上昇を抑制することは、素子の実用化技術にとって重要な課題の一つである。

例えば、特許文献１では、正孔輸送層に用いる材料に電子耐性を有するものを選択することで長寿命化が達成されると述べており、陽極と直接接する有機層に３個又は４個のベンゼン環が縮合した構造を含む特定構造の縮合多環芳香族化合物を含有する有機ＥＬ素子が開示されている。しかしながら、陽極界面での密着性を向上させる界面層としての効果は十分には認められない。
特許文献２には、正孔輸送層に縮合炭化水素化合物を含む有機ＥＬ素子が開示されているが、同様に十分な効果は得られていない。

発光層としては、単独物質を用いて発光を得る態様や、ホスト材料に少量のドーパント材料を加えて発光を得る態様が知られている。例えば、特許文献３にはドーパントとしてナフタセン誘導体が開示されている。しかしながら、この化合物を界面層に用いる技術の開示はない。

特開２００７−２５８３６２号公報 特開２０００−１８２７７５号公報 特開平４−３３５０８７号公報

本発明の目的は、長寿命で駆動電圧の上昇が抑制される有機ＥＬ素子を提供することである。

本発明者らは、有機ＥＬ素子において、通常発光層に使用される縮合多環芳香族炭化水素化合物を、陽極と正孔輸送層の間に設けた界面層の材料として用いたところ、陽極界面に化学的に安定で密着性に優れる層が形成され、素子寿命および駆動時の電圧上昇が改善されることを見出し、本発明を完成させた。
本発明によれば、以下の有機ＥＬ素子等が提供される。
１．陽極と陰極との間に、少なくとも界面層、正孔輸送層、発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記界面層は、陽極と正孔輸送層との間に存在する層であり、前記正孔輸送層は、窒素原子とアリール基との結合を有する化合物を含んでなり、
前記界面層が、ナフタセン骨格を有する化合物であって、少なくとも５，６，１１，１２位に１〜３の置換基を有する化合物、ペンタセン骨格を有する化合物であって、５，６，７，１２，１３，１４位に１〜５の置換基を有する化合物、クリセン骨格を有する化合物、ベンズアントラセン骨格を有する化合物から選択される１以上の化合物を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子。
２．前記ナフタセン骨格を有する化合物が下記式（１）で示される化合物である１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

（式（１）中、Ｑ^１〜Ｑ^１２は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜３０のアリール基、アミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜３０のアリーロキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルケニル基、置換もしくは無置換の核炭素数７〜３０のアラルキル基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜３０の複素環基を表す。）
３．前記式（１）で表されるナフタセン骨格を有する化合物におけるＱ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４の少なくとも１つが置換もしくは無置換の核炭素数６〜３０のアリール基である２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
４．前記式（１）で表されるナフタセン骨格を有する化合物が下記式（２）で表される２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

（式（２）中、Ｑ^３〜Ｑ^１２、Ｑ^１０１〜Ｑ^１０５、Ｑ^２０１〜Ｑ^２０５は、それぞれ独立に、前記式（１）のＱ^３〜Ｑ^１２と同じ基を表し、隣接する２個以上の基が互いに結合して環を形成してもよい。）
５．前記界面層と前記正孔輸送層の間に正孔注入層を含む１〜４のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
６．前記界面層の厚みが２０ｎｍ以下である１〜５のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
７．白色光を発する１〜６のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
８．１〜７のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を含んで構成される表示装置。

本発明によれば、長寿命で駆動電圧の上昇が抑制される有機ＥＬ素子が提供できる。

本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に、少なくとも界面層、正孔輸送層、発光層を含む。界面層は、陽極と正孔輸送層との間に存在する層であり、特定の縮合多環芳香族炭化水素化合物を主成分とする。
本発明では、特定の縮合多環芳香族炭化水素化合物を含む界面層を設けることにより、駆動電圧の上昇が抑制され、素子の長寿命化が達成される。

界面層を構成する縮合多環芳香族炭化水素化合物は、電気化学的安定性が高く、π共役平面と電極との相互作用により、陽極と界面層との密着性を向上させる。また、界面層と正孔輸送層等の有機層との密着性を向上させ、化学的に安定な層を形成する。ここで、無置換の直線状縮合多環芳香族炭化水素であるナフタセンを用いた場合、分子間の相互作用が強いため基板に対し垂直に配向する。その結果、π電子系と電極との接触は不完全になる。同時に結晶性が高くなり膜の平滑性が低下することで、陽極と界面層以外の層との短絡を生じる可能性が高くなり好ましくない。一方、ルブレンのようにナフタセン骨格の５，６，１１，１２位の全てに置換基を有し、π電子が疎に分散された面状構造の化合物は、置換基により分子間の相互作用を弱めることができ、結晶性を低下させることができるが、同時に電極との接触においても相互作用を弱めることになり、効率よくＥＬ素子を作動させることが難しい。
本発明で用いる縮合多環芳香族炭化水素化合物は、たとえばナフタセン骨格の５，６，１１，１２位の置換基の数を１〜３個とすることで、分子間の相互作用低下を制御することができ、それから形成される界面層は、電極との密着性を保持し、化学的安定性を有することができる。この置換基による効果はペンタセン、ベンズアントラセン、クリセン骨格に対しても同様に発現する。これらにより、陽極と有機層の界面における劣化を抑制することが可能となる。本発明においてはさらに、界面層が２０ｎｍ以下の薄膜でも上記の機能を有する。

本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の間に、少なくとも界面層、正孔輸送層、発光層を含んでいればよい。有機ＥＬ素子の構成の例として、
（１）陽極／界面層／正孔輸送層／発光層／陰極
（２）陽極／界面層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
（３）陽極／界面層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
（４）陽極／界面層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
（５）陽極／界面層／正孔輸送層／電子障壁層／発光層／陰極
（６）陽極／界面層／正孔注入層／電子障壁層／正孔輸送層／発光層／陰極
（７）陽極／界面層／正孔輸送層／発光層／付着改善層／陰極
（８）陽極／界面層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／付着改善層／陰極
（９）陽極／界面層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
（１０）陽極／界面層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
等を挙げることができるが、これらに限定されない。また、陽極と界面層の間に介在層を設けてもよい。

図１に本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成を示す。この有機ＥＬ素子は、陰極１０及び陽極２０と、その間に挟持されている、界面層３０、正孔輸送層３２、発光層３４、電子注入層３６からなる。界面層３０が縮合多環芳香族炭化水素化合物を含有する。

界面層の厚みは好ましくは２０ｎｍ以下であり、より好ましくは２〜１０ｎｍであり、さらに好ましくは２〜８ｎｍである。２０ｎｍを超えると、抵抗が上昇して電流が流れにくくなったり、正孔の移動度が低下したりする可能性がある。一方、２ｎｍ未満では、層が形成されない部分が生じる可能性があるため、好ましくない。

界面層に用いる縮合多環芳香族炭化水素化合物は、少なくとも５，６，１１，１２位に１〜３の置換基を有するナフタセン骨格を有する化合物、少なくとも５，６，７，１２，１３，１４位に１〜５の置換基を有するペンタセン骨格を有する化合物、フェナントリン骨格を有する化合物、クリセン骨格を有する化合物、ベンズアントラセン骨格を有する化合物である。

「５，６，１１，１２位に１〜３の置換基を有するナフタセン骨格」とは以下に示すナフタセン骨格において、５，６，１１，１２位から選択される１つから３つの位置に置換基を有する骨格である。より好ましくは２つから３つの位置、さらに好ましくは２つの位置に置換基を有する骨格である。
また、「５，６，７，１２，１３，１４位に１〜５の置換基を有するペンタセン骨格」とは以下に示すペンタセン骨格において、５，６，７，１２，１３，１４位から選択される１つから５つの位置に置換基を有する骨格である。より好ましくは２つから３つの位置、さらに好ましくは２つの位置に置換基を有する骨格である。

上記の化合物の中では、５，６，１１，１２位に１〜３の置換基を有するナフタセン骨格を有する化合物が、適度に発達したπ共役平面を有するため、電極との密着性が向上し、化学的に安定な層を形成する。置換基としては、例えば、後記する基において、水素原子以外の基を挙げることができる。

５，６，１１，１２位に１〜３の置換基を有するナフタセン骨格を有する化合物として、下記式（１）で示される化合物を好ましい化合物として例示することができる。

（式（１）中、Ｑ^１〜Ｑ^１２は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜３０のアリール基、アミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜３０のアリーロキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルケニル基、置換もしくは無置換の核炭素数７〜３０のアラルキル基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜３０の複素環基を表す。）
尚、この化合物は、５，６，１１，１２位に１〜３の置換基を有するのだから、Ｑ^１〜Ｑ^４のうち少なくとも１つは水素原子であるが、全ては水素原子ではない。
上記において、Ｑ^１，Ｑ^２，Ｑ^３及びＱ^４の少なくとも１以上がアリールであることが好ましい。

より好適な、５，６，１１，１２位に１〜３の置換基を有するナフタセン骨格を有する化合物として、下記式（２）で示される化合物を例示する。

（式（２）中、Ｑ^３〜Ｑ^１２、Ｑ^１０１〜Ｑ^１０５、Ｑ^２０１〜Ｑ^２０５は、それぞれ独立に、前記式（１）のＱ^３〜Ｑ^１２と同じ基を表し、これら隣接する２個以上が互いに結合して環を形成してもよい。）
尚、この化合物は、５，６，１１，１２位に１〜３の置換基を有するのだから、Ｑ^３、Ｑ^４のうち、少なくとも１つは水素原子である。

Ｑ^３〜Ｑ^１２、Ｑ^１０１〜Ｑ^１０５、Ｑ^２０１〜Ｑ^２０５における、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基は、−ＯＹ_１で表される基であり、Ｙ_１の例としては、上記のアルキル基と同様の例が挙げられる。
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基は、−ＳＹ_１で表される基であり、Ｙ_１の例としては、上記のアルキル基と同様の例が挙げられる。
置換もしくは無置換の炭素数２〜２０のアルケニル基の例としては、上記のアルキル基の例として挙げられた基であって二重結合を含む基が挙げられる。

置換もしくは無置換の核炭素数６〜２０のアリールの例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、フルオランテニル基等が挙げられる。フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基等がより好ましい。

置換もしくは無置換の核炭素数６〜２０のアリーロキシ基は、−ＯＹ_２で表される基であり、Ｙ_２の例としては、上記のアリール基と同様の例が挙げられる。
置換もしくは無置換の核炭素数６〜２０のアリールチオ基は、−ＳＹ_２で表される基であり、Ｙ_２の例としては、上記のアリール基と同様の例が挙げられる。
置換もしくは無置換の核炭素数７〜２０のアラルキル基の例としては、上記のアルキル基の例として挙げられた基と、上記のアリール基の例として挙げられた基を組み合わせた基が挙げられる。

置換もしくは無置換の核原子数５〜２０の複素環基の例としては、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられる。

式（２）で示される化合物は、好ましくは、Ｑ^３〜Ｑ^１２は水素原子、又は１又は２のベンゼン環から形成される基である。好ましくは、Ｑ^１０１〜Ｑ^１０５、Ｑ^２０１〜Ｑ^２０５は水素原子、又は１又は２のベンゼン環から形成される基である。より好ましくは、Ｑ^３〜Ｑ^１２は水素原子である。より好ましくは、Ｑ^１０１〜Ｑ^１０５、Ｑ^２０１〜Ｑ^２０５は水素原子又はフェニル基である。これらの基は、炭素数１〜６のアルキル基、アリール基等で置換されていてもよい。具体的には、例えば、後記する式（Ｂ）の説明において示された、アリール基に置換する好ましい置換基を挙げることができる。

具体的なナフタセン骨格を有する化合物を以下に例示する。

ペンタセン骨格を有する化合物の例としては、上記の化合物において、ナフタセン骨格をペンタセン骨格に変えた化合物を挙げることができる。クリセン骨格を有する化合物及びベンズアントラセン骨格を有する化合物についても同様である。

すなわち、クリセン骨格を有する化合物においては、その１，４，６，７，１０，１２位に１〜５の置換基を有する化合物が、適度に発達したπ共役平面を有するため、陽極との密着性が向上し、化学的に安定な層を形成するので好ましい。より好ましくは２つから３つの位置、さらに好ましくは２つの位置に置換基を有する骨格である。置換基としては、例えば、前記したナフタセン骨格を有する化合物の説明で挙げた基を挙げることができる。置換位置としては、６，１２位が好ましい。
ベンズアントラセン骨格を有する化合物、特にベンゾ［ａ］アントラセン骨格を有する化合物において、その７，１２位に１〜２の置換基を有する化合物が、適度に発達したπ共役平面を有するため、陽極との密着性が向上し、化学的に安定な層を形成するので好ましい。より好ましくは２つの位置に置換基を有する骨格である。置換基としては、例えば、前記したナフタセン骨格を有する化合物の説明で挙げた基を挙げることができる。

本発明の界面層に用いる縮合多環芳香族炭化水素化合物は、π共役平面を有し、電子、正孔、及び酸素への耐性を有する。このため、陽極側領域、例えば、陽極、正孔注入層、正孔輸送層及びそれらの界面の安定性が向上すると考えられる。その結果、駆動電圧の上昇が抑制されると考えられる。

本発明の有機ＥＬ素子の発光色は、白色、青色、緑色、赤色等、何色でもよく特に限定されない。

本発明の有機ＥＬ素子は、界面層以外は、従来の部材を用いることができるが、以下他の部材について説明する。
有機ＥＬ素子は、通常有機ＥＬ素子を支持する基板上に作製される。この場合、平滑な基板を用いるのが好ましい。この基板を通して光を取り出すときは、基板は透光性を有し、波長４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上であるものが望ましい。
このような透光性基板としては、例えば、ガラス板、合成樹脂板等が好適に用いられる。ガラス板としては、ソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等の板が挙げられる。また、合成樹脂板としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエーテルスルフィド樹脂、ポリスルホン樹脂等の板が挙げられる。

陽極は、正孔を正孔注入層、正孔輸送層又は発光層に注入し、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウムと酸化亜鉛の混合物、ＩＴＯと酸化セリウムの混合物（ＩＴＣＯ）、酸化インジウムと酸化亜鉛の混合物（ＩＺＯ 登録商標）、酸化インジウムと酸化亜鉛の混合物と酸化セリウムの混合物（ＩＺＣＯ）、酸化インジウムと酸化セリウムの混合物（ＩＣＯ）、酸化亜鉛と酸化アルミニウムの混合物（ＡＺＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、金、銀、白金、銅等が挙げられる。
陽極はこれらの電極物質から蒸着法やスパッタリング法等で形成できる。
発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率を１０％より大きくすることが好ましい。また陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍである。陽極上に、更に介在層を積層してもよい。介在層に使用する材料としては、具体的には、アモルファスカーボン、フルオロカーボン、導電性高分子、無機半導体化合物などが挙げられる。
介在層を設ける場合、通常は、陽極、介在層、界面層の順に積層する。この場合、界面層は、介在層との密着性向上に寄与する。また、介在層に用いられる上記の物質と比較して、本発明において界面層に使用される化合物は、塗布法等の他、蒸着法によっても陽極上や導電体層上に成膜できる等、幅広い製造方法が採用できる。

発光層は、以下の機能を有する。
（ｉ）注入機能；電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能
（ｉｉ）輸送機能；注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能
（ｉｉｉ）発光機能；電子と正孔の再結合させ、これを発光につなげる機能

発光層を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法等の公知の方法を適用することができる。発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。
また樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。

発光層に使用できる発光材料又はドーピング材料（ドーパント）としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリドン、ルブレン及びこれらの誘導体や蛍光色素等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

発光層に使用できるホスト材料の具体例としては、下記（ｉ）〜（ｉｘ）で表される化合物が挙げられる。
下記式（ｉ）で表される非対称アントラセン。

（式中、Ａｒ^００１は置換もしくは無置換の核炭素数１０〜５０の縮合芳香族基である。Ａｒ^００２は置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基である。Ｘ^００１〜Ｘ^００３は、それぞれ独立に置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基である。ａ、ｂ及びｃは、それぞれ０〜４の整数である。ｎは１〜３の整数である。また、ｎが２以上の場合は、［ ］内は、同じでも異なっていてもよい。）上記式において、各基の例として、前記の基を挙げることができる。

下記式（ｉｉ）で表される非対称モノアントラセン誘導体。

（式中、Ａｒ^００３及びＡｒ^００４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環基であり、ｍ及びｎは、それぞれ１〜４の整数である。ただし、ｍ＝ｎ＝１でかつＡｒ^００３とＡｒ^００４のベンゼン環への結合位置が左右対称型の場合には、Ａｒ^００３とＡｒ^００４は同一ではなく、ｍ又はｎが２〜４の整数の場合にはｍとｎは異なる整数である。
Ｒ^００１〜Ｒ^０１０は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基である。）上記式において、各基の例として、前記の基を挙げることができる。
上記式（ｉｉ）において、Ｒ^００１とＲ^００８、あるいはＲ^００４とＲ^００５が結合して環を形成した態様、すなわち、モノナフタセン誘導体においては、非対称である必要はない。

下記式（ｉｉｉ）で表される非対称ピレン誘導体。

［式中、Ａｒ^００５及びＡｒ^００６は、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基である。Ｌ^００１及びＬ^００２は、それぞれ置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基又は置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基である。
ｍは０〜２の整数、ｎは１〜４の整数、ｓは０〜２の整数、ｔは０〜４の整数である。
また、Ｌ^００１又はＡｒ^００５は、ピレンの１〜５位のいずれかに結合し、Ｌ^００２又はＡｒ^００６は、ピレンの６〜１０位のいずれかに結合する。ただし、ｎ＋ｔが偶数の時、Ａｒ^００５，Ａｒ^００６，Ｌ^００１，Ｌ^００２は下記（１）又は（２）を満たす。
（１） Ａｒ^００５≠Ａｒ^００６及び／又はＬ^００１≠Ｌ^００２（ここで≠は、異なる構造の基であることを示す。）
（２） Ａｒ^００５＝Ａｒ^００６かつＬ^００１＝Ｌ^００２の時
（２−１） ｍ≠ｓ及び／又はｎ≠ｔ、又は
（２−２） ｍ＝ｓかつｎ＝ｔの時、
（２−２−１） Ｌ^００１及びＬ^００２、又はピレンが、それぞれＡｒ^００５及びＡｒ^００６上の異なる結合位置に結合しているか、（２−２−２） Ｌ^００１及びＬ^００２、又はピレンが、Ａｒ^００５及びＡｒ^００６上の同じ結合位置で結合している場合、Ｌ^００１及びＬ^００２又はＡｒ^００５及びＡｒ^００６のピレンにおける置換位置が１位と６位、又は２位と７位である場合はない。］上記式において、Ａｒ^００５及びＡｒ^００６の例として、前記の基を挙げることができる

下記式（ｉｖ）で表される非対称アントラセン誘導体。

（式中、Ａ^００１及びＡ^００２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数１０〜２０の縮合芳香族環基である。
Ａｒ^００７及びＡｒ^００８は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環基である。
Ｒ^０１１〜Ｒ^０２０は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシ基である。
Ａｒ^００７、Ａｒ^００８、Ｒ^０１９及びＲ^０２０は、それぞれ複数であってもよく、隣接するもの同士で飽和もしくは不飽和の環状構造を形成していてもよい。
ただし、式（ｉｖ）において、中心のアントラセンの９位及び１０位に、該アントラセン上に示すＸ−Ｙ軸に対して対称型となる基が結合する場合はない。）上記式において、各基の例として、前記の基を挙げることができる。

下記式（ｖ）で表されるアントラセン誘導体。

（式中、Ｒ^０２１〜Ｒ^０３０は、それぞれ独立に水素原子，アルキル基，シクロアルキル基，置換してもよいアリール基，アルコキシル基，アリーロキシ基，アルキルアミノ基，アルケニル基，アリールアミノ基又は置換してもよい複素環式基を示し、ａ及びｂは、それぞれ１〜５の整数を示し、それらが２以上の場合、Ｒ^０２１同士又はＲ^０２２同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよく、また、Ｒ^０２１同士又はＲ^０２２同士が結合して環を形成していてもよいし、Ｒ^０２３とＲ^０２４，Ｒ^０２５とＲ^０２６，Ｒ^０２７とＲ^０２８，Ｒ^０２９とＲ^０３０がたがいに結合して環を形成していてもよい。Ｌ^００３は単結合、−Ｏ−，−Ｓ−，−Ｎ（Ｒ）−（Ｒはアルキル基又は置換してもよいアリール基である）、アルキレン基又はアリーレン基を示す。）上記式において、各基の例として、前記の基を挙げることができる。

下記式（ｖｉ）で表されるアントラセン誘導体。

（式中、Ｒ^０３１〜Ｒ^０４０は、それぞれ独立に水素原子，アルキル基，シクロアルキル基，アリール基，アルコキシル基，アリーロキシ基，アルキルアミノ基，アリールアミノ基又は置換してもよい複数環式基を示し、ｃ，ｄ，ｅ及びｆは、それぞれ１〜５の整数を示し、それらが２以上の場合、Ｒ^０３１同士，Ｒ^０３２同士，Ｒ^０３６同士又はＲ^０３７同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよく、またＲ^０３１同士，Ｒ^０３２同士，Ｒ^０３３同士又はＲ^０３７同士が結合して環を形成していてもよいし、Ｒ^０３３とＲ^０３４，Ｒ^０３９とＲ^０４０がたがいに結合して環を形成していてもよい。Ｌ^００４は単結合、−Ｏ−，−Ｓ−，−Ｎ（Ｒ）−（Ｒはアルキル基又は置換してもよいアリール基である）、アルキレン基又はアリーレン基を示す。）上記式において、各基の例として、前記の基を挙げることができる。

下記式（ｖｉｉ）で表されるスピロフルオレン誘導体。

（式中、Ａ^００５〜Ａ^００８は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のビフェニリル基又は置換もしくは無置換のナフチル基である。）上記式において、各基の例として、前記の基を挙げることができる。

下記式（ｖｉｉｉ）で表される縮合環含有化合物。

（式中、Ａ^０１１〜Ａ^０１３は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリーレン基である。Ａ^０１４〜Ａ^０１６は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基である。Ｒ^０４１〜Ｒ^０４３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシル基、炭素数５〜１８のアリールオキシ基、炭素数７〜１８のアラルキルオキシ基、炭素数５〜１６のアリールアミノ基、ニトロ基、シアノ基、炭素数１〜６のエステル基又はハロゲン原子を示し、Ａ^０１１〜Ａ^０１６のうち少なくとも１つは３環以上の縮合芳香族環を有する基である。）上記式において、各基の例として、前記の基を挙げることができる。

下記式（ｉｘ）で表されるフルオレン化合物。

（式中、Ｒ^０５１及びＲ^０５２は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基，置換あるいは無置換の複素環基、置換アミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表わす。異なるフルオレン基に結合するＲ^０５１同士、Ｒ^０５２同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ^０５１及びＲ^０５２は、同じであっても異なっていてもよい。Ｒ^０５３及びＲ^０５４は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基または置換あるいは無置換の複素環基を表わし、異なるフルオレン基に結合するＲ^０５３同士、Ｒ^０５４同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ^０５３及びＲ^０５４は、同じであっても異なっていてもよい。Ａｒ^０１１及びＡｒ^０１２は、ベンゼン環の合計が３個以上の置換あるいは無置換の縮合多環芳香族基またはベンゼン環と複素環の合計が３個以上の置換あるいは無置換の炭素でフルオレン基に結合する縮合多環複素環基を表わし、Ａｒ^０１１及びＡｒ^０１２は、同じであっても異なっていてもよい。ｎは、１乃至１０の整数を表す。）上記式において、各基の例として、前記の基を挙げることができる。

本発明においては、式（ｉ）〜式（ｖｉ）で表される化合物の他、多環式縮合芳香族骨格を有する化合物（多環式縮合芳香族骨格含有化合物）及びカルバゾール誘導体を、燐光発光層又は蛍光発光層に含有させるホスト材料として用いることができる。

多環式縮合芳香族骨格の核炭素数は１０〜３０が好ましい。

置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換もしくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換のアラルキル基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基又はカルボキシル基が挙げられる。多環式縮合芳香族骨格が複数の置換基を有する場合、それらの２つ以上が環を形成していてもよい。

ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。

置換もしくは無置換のアミノ基は−ＮＸ^１Ｘ^２と表され、Ｘ^１、Ｘ^２の例としてはそれぞれ、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、４−スチリルフェニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル−１−インドリル基、４−ｔ−ブチル−１−インドリル基、２−ｔ−ブチル−３−インドリル基、４−ｔ−ブチル−３−インドリル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換のアルキル基の例としては、上記インデリペリレン誘導体のＲ^１〜Ｒ^２０で例示した基を挙げることができる。

置換もしくは無置換のアルケニル基の例としては、ビニル基、アリル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、１，３−ブタンジエニル基、１−メチルビニル基、スチリル基、４−ジフェニルアミノスチリル基、４−ジ−ｐ−トリルアミノスチリル基、４−ジ−ｍ−トリルアミノスチリル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２−ジフェニルビニル基、１−メチルアリル基、１，１−ジメチルアリル基、２−メチルアリル基、１−フェニルアリル基、２−フェニルアリル基、３−フェニルアリル基、３，３−ジフェニルアリル基、１，２−ジメチルアリル基、１−フェニル−１−ブテニル基、３−フェニル−１−ブテニル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換のシクロアルキル基の例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換のアルコキシ基は、−ＯＹで表される基であり、Ｙの例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基の例としては、上記インデリペリレン誘導体のＲ^１〜Ｒ^２０で例示した基を挙げることができる。

置換もしくは無置換の芳香族複素環基の例としては、上記インデリペリレン誘導体のＲ^１〜Ｒ^２０で例示した基を挙げることができる。

置換もしくは無置換のアラルキル基の例としては、ベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基、１−ピロリルメチル基、２−（１−ピロリル）エチル基、ｐ−メチルベンジル基、ｍ−メチルベンジル基、ｏ−メチルベンジル基、ｐ−クロロベンジル基、ｍ−クロロベンジル基、ｏ−クロロベンジル基、ｐ−ブロモベンジル基、ｍ−ブロモベンジル基、ｏ−ブロモベンジル基、ｐ−ヨードベンジル基、ｍ−ヨードベンジル基、ｏ−ヨードベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｍ−ヒドロキシベンジル基、ｏ−ヒドロキシベンジル基、ｐ−アミノベンジル基、ｍ−アミノベンジル基、ｏ−アミノベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル基、１−ヒドロキシ−２−フェニルイソプロピル基、１−クロロ−２−フェニルイソプロピル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換のアリールオキシ基は、−ＯＺと表され、Ｚの例としてはフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル−１−インドリル基、４−ｔ−ブチル−１−インドリル基、２−ｔ−ブチル−３−インドリル基、４−ｔ−ブチル−３−インドリル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基は−ＣＯＯＹと表され、Ｙの例は、上記の置換もしくは無置換のアルコキシ基のＹと同じである。

多環式縮合芳香族骨格含有化合物の置換基は、置換もしくは無置換のアリール基又はヘテロアリール基であることが好ましい。アリール基やヘテロアリール基を置換基として導入することにより、エネルギーギャップの調整や分子会合の防止による有機ＥＬ素子の長寿命化を図ることができる。

多環式縮合芳香族骨格は、下記式（１）〜式（４）のいずれかで表されることが好ましい。これらの骨格は置換されていてもよい。

式（１）〜（３）中、Ａｒ^１〜Ａｒ^４は、それぞれ、核炭素数４〜１０の単環構造あるいは縮合環構造を表す。

式（４）中、Ｎｐは、ナフタレンを示す。Ａｒ^５及びＡｒ^６は、Ｎｐの置換基であり、それぞれ、炭素数５〜１４の置換もしくは無置換のアリール基の、単独又は複数の組み合わせで構成される置換基を示す。ただし。Ａｒ^５及びＡｒ^６は、それぞれアントラセンを含まない。

式（１）で表される骨格を含む化合物としては、例えば、置換もしくは無置換のフェナントレン、クリセン等が挙げられる。

式（２）で表される骨格を含む化合物としては、例えば、置換もしくは無置換のアセナフチレン、アセナフテン、フルオランテン等が挙げられる。

式（３）で表される骨格を含む化合物としては、例えば、置換もしくは無置換のベンゾフルオランテン等が挙げられる。

多環式縮合芳香族骨格含有化合物は、下記式（１０）で表されるフェナントレンを骨格として含むフェナントレン及びその誘導体が好ましい。

フェナントレン誘導体の置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカン、ハロアルケン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒド基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサニル基が挙げられる。

フェナントレン誘導体としては、例えば、下記のものが挙げられる。

また、多環式縮合芳香族骨格含有化合物は、下記式（１１）で表されるクリセンを骨格として含むクリセン及びその誘導体が好ましい。

クリセン誘導体としては、例えば、下記のものが挙げられる。

また、多環式縮合芳香族骨格含有化合物は、下記式（１２）で表される骨格（ベンゾ［ｃ］フェナントレン）を含むベンゾ［ｃ］フェナントレン及びその誘導体が好ましい。

ベンゾ［ｃ］フェナントレン誘導体としては、例えば、下記のものが挙げられる。

多環式縮合芳香族骨格含有化合物は、下記式（１３）で表される骨格（ベンゾ［ｃ］クリセン）を含むベンゾ［ｃ］クリセン及びその誘導体が好ましい。

ベンゾ［ｃ］クリセン誘導体としては、例えば、下記のものが挙げられる。

多環式縮合芳香族骨格含有化合物は、下記式（１４）で表される骨格（ジベンゾ［ｃ，ｇ］フェナントレン）を含むジベンゾ［ｃ，ｇ］フェナントレン及びその誘導体が好ましい。

ジベンゾ［ｃ，ｇ］フェナントレン誘導体としては、例えば、下記のものが挙げられる。

多環式縮合芳香族骨格含有化合物は、下記式（１５）で表されるフルオランテンを骨格として含むフルオランテン及びその誘導体が好ましい。

フルオランテン誘導体としては、例えば、下記のものが挙げられる。

置換もしくは無置換のベンゾフルオランテンとしては、例えば、下記式（１５１）で表されるベンゾ［ｂ］フルオランテン誘導体や、式（１５２）で表されるベンゾ［ｋ］フルオランテン誘導体が挙げられる。

式（１５１）及び式（１５２）中、Ｘ^１〜Ｘ^２４は、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、直鎖、分岐もしくは環状のアルコキシ基、又は置換もしくは無置換のアリール基を表す。

なお、アリール基とは、例えば、フェニル基、ナフチル基等の炭素環式芳香族基、例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基等の複素環式芳香族基を表す。

Ｘ^１〜Ｘ^２４は、好ましくは、水素原子、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子）、炭素数１〜１６の直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基（例えば、前記の基が挙げられる。）、炭素数１〜１６の直鎖、分岐もしくは環状のアルコキシ基（例えば、前記の基が挙げられる。）、又は炭素数４〜１６の置換もしくは無置換のアリール基（例えば、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−イソペンチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ペンチルフェニル基、４−ｎ−ヘキシルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−ｎ−オクチルフェニル基、４−ｎ−デシルフェニル基、２，３−ジメチルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、２，５−ジメチルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、５−インダニル基、１，２，３，４−テトラヒドロ−５−ナフチル基、１，２，３，４−テトラヒドロ−６−ナフチル基、２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−エトキシフェニル基、４−エトキシフェニル基、４−ｎ−プロポキシフェニル基、４−イソプロポキシフェニル基、４−ｎ−ブトキシフェニル基、４−ｎ−ペンチルオキシフェニル基、４−ｎ−ヘキシルオキシフェニル基、４−シクロヘキシルオキシフェニル基、４−ｎ−ヘプチルオキシフェニル基、４−ｎ−オクチルオキシフェニル基、４−ｎ−デシルオキシフェニル基、２，３−ジメトキシフェニル基、２，５−ジメトキシフェニル基、３，４−ジメトキシフェニル基、２−メトキシ−５−メチルフェニル基、３−メチル−４−メトキシフェニル基、２−フルオロフェニル基、３−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル基、２−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、４−クロロフェニル基、４−ブロモフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、３，４−ジクロロフェニル基、２−メチル−４−クロロフェニル基、２−クロロ−４−メチルフェニル基、３−クロロ−４−メチルフェニル基、２−クロロ−４−メトキシフェニル基、４−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、４−（４’−メチルフェニル）フェニル基、４−（４’−メトキシフェニル）フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、４−エトキシ−１−ナフチル基、６−メトキシ−２−ナフチル基、７−エトキシ−２−ナフチル基、２−フリル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基等）であり、より好ましくは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基又は炭素数６〜１２のアリール基であり、さらに好ましくは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基又は炭素数６〜１０の炭素環式芳香族基である。

式（１５１）で表されるベンゾ［ｂ］フルオランテン誘導体としては、例えば、下記のものが挙げられる。

式（１５２）で表されるベンゾ［ｋ］フルオランテン誘導体としては、例えば、下記のものが挙げられる。

さらに、多環式縮合芳香族骨格含有化合物は、下記式（１６）で表されるトリフェニレンを骨格として含むトリフェニレン及びその誘導体が好ましい。骨格の炭素の一部は窒素であってもよい。

トリフェニレン誘導体としては、例えば、下記のものが挙げられる。

なお、多環式縮合芳香族骨格には、窒素原子が含まれていてもよい。例えば、多環式縮合芳香族骨格含有化合物は下記のものであってもよい。

式（４）の骨格を含む化合物としては、例えば、下記式（４１）〜式（４８）で表される化合物が挙げられる。

式（４１）中、Ｎｐは、置換もしくは無置換のナフタレンを示し、ｎは０〜３の整数である。

式（４２）中、Ａｒ_１及びＡｒ_２はそれぞれ置換されてもよいナフタレン又は置換されてもよいフェナントレンを示す。Ａｒ_３は置換されてもよい核炭素数６〜３０のアリーレニル基を示す。

ただし、Ａｒ_１、Ａｒ_２、及びＡｒ_３のうち少なくとも一つは、ナフタレンである。Ｒ_１、Ｒ_７、Ｒ_８はそれぞれ水素原子又は置喚基を示す。ａ、ｂ、及びｃは、それぞれ１〜３の整数である。

ｋは１〜４の整数であり、ｋが２以上のときＲ_１は同じでも異なってもよい。

式（４３）中、Ａｒ_３は核炭素数６〜３０のアリーレニル基を示し、Ｒ_１、Ｒ_８、Ｒ_１１〜Ｒ_２３はそれぞれ水素原子又は置喚基を示す。

ｋは１〜４の整数であり、ｋが２以上のときＲ_１は同じでも異なってもよい。

式（４４）中、Ａｒ_３は核炭素数６〜３０のアリーレニル基を示し、Ｒ_１、Ｒ_８、Ｒ_１１〜Ｒ_１９、Ｒ_２１〜Ｒ_３０はそれぞれ水素原子又は置喚基を示す。

ｋは１〜４の整数であり、ｋが２以上のときＲ_１は同じでも異なってもよい。

式（４５）中、Ａｒ_３は核炭素数６〜３０のアリーレニル基を示し、Ｒ_１、Ｒ_８、Ｒ_１７〜Ｒ_１９、Ｒ_２１〜Ｒ_３６はそれぞれ水素原子又は置喚基を示す。

ｋは１〜４の整数であり、ｋが２以上のときＲ_１は同じでも異なってもよい。

式（４６）中、Ａｒ_３は核炭素数６〜３０のアリーレニル基を示し、Ｒ_１、Ｒ_８、Ｒ_３１〜Ｒ_４３はそれぞれ水素原子又は置喚基を示す。

ｋは１〜４の整数であり、ｋが２以上のときＲ_１は同じでも異なってもよい。

式（４７）中、Ａｒ_３は核炭素数６〜３０のアリーレニル基を示し、Ｒ_１、Ｒ_８、Ｒ_５１〜Ｒ_６５はそれぞれ水素原子又は置喚基を示す。

ｋは１〜４の整数であり、ｋが２以上のときＲ_１は同じでも異なってもよい。

式（４８）中、Ａｒ_３は核炭素数６〜３０のアリーレニル基を示し、Ｒ_１、Ｒ_８、Ｒ_５１〜Ｒ_５８、Ｒ_７０〜Ｒ_７４はそれぞれ水素原子又は置喚基を示す。

ｋは１〜４の整数であり、ｋが２以上のときＲ_１は同じでも異なってもよい。

具体的な化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。

さらに、多環式縮合芳香族骨格含有化合物としては、例えば、下記式（４９）で表されるオリゴナフタレン誘導体を挙げることができる。

（式中、ｎは１又は２であり、Ａｒ^１は、式（５０）又は式（５１）で表される置換基であり、Ａｒ^２は式（５２）又は式（５３）で表される基であり、Ａｒ^３は式（５４）又は式（５５）で表される置換基であり、Ｒ^１〜Ｒ^３は、それぞれ、水素原子、炭素数６以下の直鎖もしくは分岐アルキル基、脂環式アルキル基、置換もしくは無置換の芳香環、置換もしくは無置換のヘテロ芳香環、アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）

また、オリゴナフタレン誘導体は、式（５６）で示される化合物でもよい。

（式中、ｎは１又は２であり、Ａｒ^１は、式（５７）又は式（５８）で表される置換基であり、Ａｒ^２は式（５９）で表される基であり、Ａｒ^３は式（６０）又は式（６１）で表される置換基であり、Ｒ^１〜Ｒ^３は、それぞれ、水素原子、炭素数６以下の直鎖もしくは分岐アルキル基、脂環式アルキル基、置換もしくは無置換の芳香環、置換もしくは無置換のヘテロ芳香環、アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）

より具体的には、オリゴナフタレン誘導体として、式（６２）で示される化合物が挙げられる。

（式中、ｎは１又は２であり、Ａｒ^１は、式（６３）又は式（６４）で表される置換基であり、Ａｒ^３は式（６５）又は式（６６）で表される置換基であり、Ｒ^１及びＲ^３は、それぞれ、水素原子、炭素数６以下の直鎖もしくは分岐アルキル基、脂環式アルキル基、置換もしくは無置換の芳香環、置換もしくは無置換のヘテロ芳香環、アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）

また、オリゴナフタレン誘導体は、式（６７）で示される化合物でもよい。

（式中、ｎは１又は２であり、Ａｒ^１は、式（６８）又は式（６９）で表される置換基であり、Ａｒ^３は式（７０）又は式（７１）で表される置換基であり、Ｒ^１及びＲ^３は、それぞれ、水素原子、炭素数６以下の直鎖もしくは分岐アルキル基、脂環式アルキル基、置換もしくは無置換の芳香環、置換もしくは無置換のヘテロ芳香環、アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）

特に、式（７２）で示される化合物が好ましい。

（式中、ｎは１又は２であり、Ａｒ^１は、式（７３）又は式（７４）で表される置換基であり、Ａｒ^３は式（７５）又は式（７６）で表される置換基であり、Ｒ^１及びＲ^３は、それぞれ、水素原子、炭素数６以下の直鎖もしくは分岐アルキル基、脂環式アルキル基、置換もしくは無置換の芳香環、置換もしくは無置換のヘテロ芳香環、アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）

さらに、式（７７）で示される化合物が好ましい。

（式中、ｎは１又は２であり、Ａｒ^１は、式（７８）又は式（７９）で表される置換基であり、Ａｒ^３は式（８０）又は式（８１）で表される置換基であり、Ｒ^１及びＲ^３は、それぞれ、水素原子、炭素数６以下の直鎖もしくは分岐アルキル基、脂環式アルキル基、置換もしくは無置換の芳香環、置換もしくは無置換のヘテロ芳香環、アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）

炭素数６以下のアルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等が挙げられる。

脂環式アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換の芳香環としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、ピレニル基、スピロフルオレニル基等が挙げられる。

無置換又は置換を有するヘテロ芳香環としては、ピリジル基、インドリル基、カルバゾリル基、チエニル基、フリル基等が挙げられる。

式（４９）で示されるオリゴナフタレン誘導体の具体例としては、下記式に示されるオリゴナフタレン誘導体を挙げることができる。

本明細書において、Ｍｅはメチル、Ｂｕはブチルを表す。

また、オリゴナフタレン誘導体として、下記の式（８２）で示されるものを挙げることができる。

（式中Ｒ^１〜Ｒ^６は、それぞれ、水素、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のアルキル基、又は置換もしくは無置換のアミノ基であり、ｎは２〜４の整数である。）

このようなオリゴナフタレン化合物としては、例えば下記に表されるものが挙げられる。

他の多環式縮合芳香族骨格含有化合物として、下記式（２１）〜（２４）に示す化合物が挙げられる。
Ｒ^１ａ−Ａｒ^１１−Ａｒ^１２−Ａｒ^１３−Ｒ^１ｂ …（２１）

式（２１）中、Ｒ^１ａ，Ｒ^１ｂ，Ａｒ^１１，Ａｒ^１２及びＡｒ^１３は、それぞれ、置換もしくは無置換のベンゼン環、又は、置換もしくは無置換の、ナフタレン環、クリセン環、フルオランテン環、トリフェニレン環、フェナントレン環、ベンゾフェナントレン環、ジベンゾフェナントレン環、ベンゾトリフェニレン環、ベンゾ［ｂ］フルオランテン環、ベンゾクリセン環及びピセン環から選択される縮合芳香族炭化水素環を表す。

Ａｒ^１２が、置換もしくは無置換のベンゼン環、又は置換もしくは無置換の２，７−フェナントレンジイル基又はトリフェニレン基の場合、［Ｒ^１ａ−Ａｒ^１１−］と［Ｒ^１ｂ−Ａｒ^１３−］とは、互いに異なる構造を有する基である。

Ｒ^２ａ−Ａｒ^２１−Ａｒ^２２−Ｒ^２ｂ …（２２）

式（２２）中、Ｒ^２ａ、Ａｒ^２１は、それぞれ、置換もしくは無置換のナフタレン環である。

Ｒ^２ｂは、置換もしくは無置換の、フェナントレン環、トリフェニレン環、ベンゾフェナントレン環、ジベンゾフェナントレン環、ベンゾトリフェニレン環、フルオランテン環、ベンゾクリセン環及びピセン環から選択される縮合芳香族炭化水素基を表す。

Ａｒ^２２は、置換もしくは無置換の、ベンゼン環、ナフタレン環、クリセン環、フルオランテン環、トリフェニレン環、ベンゾフェナントレン環、ジベンゾフェナントレン環、ベンゾトリフェニレン環、ベンゾクリセン環、ベンゾ［ｂ］フルオランテン環及びピセン環から選択される縮合芳香族炭化水素基を表す。

また、Ｒ^２ａ，Ｒ^２ｂの置換基はアリール基でなく、Ａｒ^２１又はＡｒ^２２がナフタレン環の場合はＡｒ^２１及びＡｒ^２２の置換基はアリール基でない。

式（２２−１）中、Ｒ^２ａ，Ｒ^２ｂは、それぞれ、置換もしくは無置換の、フェナントレン環、トリフェニレン環、ベンゾフェナントレン環、ジベンゾフェナントレン環、ベンゾトリフェニレン環、ベンゾ［ｂ］フルオランテン環、フルオランテン環、ベンゾクリセン環及びピセン環から選択される縮合芳香族炭化水素基を表す。

また、Ｒ^２ａ，Ｒ^２ｂの置換基はアリール基でない。

式（２３）中、Ａｒ^３１，Ａｒ^３２，Ａｒ^３３，Ｂ^３１，Ｂ^３２，Ｂ^３３，Ｂ^３４は、それぞれ、置換もしくは無置換のベンゼン環、又は、置換もしくは無置換の、ナフタレン環、クリセン環、フルオランテン環、トリフェニレン環、フェナントレン環、ベンゾフェナントレン環、ジベンゾフェナントレン環、ベンゾトリフェニレン環、ベンゾ［ｂ］フルオランテン環、ベンゾクリセン環及びピセン環から選択される縮合芳香族炭化水素環であり、ｐは０または１である。Ａｒ^３１，Ａｒ^３２，Ａｒ^３３，Ｂ^３１，Ｂ^３２，Ｂ^３３，Ｂ^３４は、１又は複数の置換基を有してもよい。

Ａｒ^３１，Ａｒ^３２，Ａｒ^３３，Ｂ^３１，Ｂ^３２，Ｂ^３３，Ｂ^３４が１又は複数の置換基を有する場合、置換基は、置換もしくは無置換の、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロアルキル基、炭素数５〜１８のシクロアルキル基、炭素数３〜２０のシリル基、シアノ基又はハロゲン原子であることが好ましい。Ａｒ^３２の置換基はさらに炭素数６〜２２のアリール基でもよい。

置換基が窒素原子を有さないので、ホスト材料の安定性を高くし素子寿命を長くすることができる。

なお、Ａｒ^３２が置換基としてアリール基を有する場合、その数は好ましくは２つ以下であり、１つ以下がより好ましい。

置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ネオペンチル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−ペンチルヘキシル基、１−ブチルペンチル基、１−ヘプチルオクチル基、３−メチルペンチル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のハロアルキル基としては、例えば、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換の炭素数５〜１８のシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、３，５−テトラメチルシクロヘキシル基等が挙げられ、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、３，５−テトラメチルシクロヘキシル基等が挙げられる。

置換もしくは無置換の炭素数３〜２０のシリル基としては、例えば、アルキルシリル基、アリールシリル基、又は、アラルキルシリル基が好ましく、例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリブチルシリル基、トリオクチルシリル基、トリイソブチルシリル基、ジメチルエチルシリル基、ジメチルイソプロイルシリル基、ジメチルプロピルシリル基、ジメチルブチルシリル基、ジメチルターシャリーブチルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、フェニルジメチルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ジフェニルターシャリーブチルシリル基、トリフェニルシリル基等があげられる。

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

置換もしくは無置換の炭素数６〜２２のアリール基の例としては、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、クリセニル基、フルオランテニル基、９，１０−ジアルキルフルオレニル基、９，１０−ジアリールフルオレニル基、トリフェニレニル基、フェナントレニル基、ベンゾフェナントレニル基、ジベンゾフェナントレニル基、ベンゾトリフェニレニル基、ベンゾクリセニル基、ジベンゾフラニル基が好ましく、より好ましくは炭素数６〜１８のフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、クリセニル基、フルオランテニル基、９，１０−ジメチルフルオレニル基、トリフェニレニル基、フェナントレニル基、ベンゾフェナントレニル基、ジベンゾフラニル基であり、さらにより好ましくは炭素数６〜１４のフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントレニル基、ジベンゾフラニル基である。

Ｒ^４ａ−Ａｒ^４１−Ｒ^４ｂ …（２４）

式（２４）中、Ｒ^４ａ、Ｒ^４ｂ、Ａｒ^４１は、それぞれ、置換もしくは無置換のベンゼン環、又は、置換もしくは無置換の、ナフタレン環、クリセン環、フルオランテン環、トリフェニレン環、フェナントレン環、ベンゾフェナントレン環、ジベンゾフェナントレン環、ベンゾトリフェニレン環、ベンゾ［ｂ］フルオランテン環、ベンゾクリセン環及びピセン環から選択される縮合芳香族炭化水素環である。Ｒ^４ａ、Ｒ^４ｂ、Ａｒ^４１は、１又は複数の置換基を有してもよい。

Ｒ^４ａ、Ｒ^４ｂ、Ａｒ^４１が１つ又は複数の置換基を有する場合、置換基は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロアルキル基、炭素数５〜１８のシクロアルキル基、炭素数３〜２０のシリル基、シアノ基又はハロゲン原子であることが好ましい。Ａｒ^４１の置換基はさらに炭素数６〜２２のアリール基でもよい。

置換基が窒素原子を有さないので、ホスト材料の安定性を高くし素子寿命を長くすることができる。

なお、Ａｒ^４１が置換基としてアリール基を有する場合、その数は好ましくは２つ以下であり、１つ以下がより好ましい。

Ｒ^４ａ、Ｒ^４ｂ、Ａｒ^４１の置換基の例は式（２３）の置換基と同じである。

りん光性ドーパントを使用する際のホスト化合物の具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。ホスト化合物は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

カルバゾール誘導体として、次のような化合物を挙げることができる。
例えば、下記式（１０１）〜（１０５）のいずれかにより表されるカルバゾール誘導体等が挙げられる。

特に、上記式（１０１）又は（１０５）で表される化合物が燐光ホストとして好適に用いられる。
式（１０１）で示される化合物の例として、下記化合物が挙げられる。

式（１０３）で示される化合物の例として、下記化合物が挙げられる。

式（１０１’）又は（１０３’）で表される化合物が好ましい。

式（１０１）〜（１０４）中、Ｒ^１〜Ｒ^７は、は、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよい炭素数１〜４０（好ましくは炭素数１〜３０）のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数３〜３０（好ましくは炭素数３〜２０）の複素環基、置換基を有してもよい炭素数１〜４０（好ましくは炭素数１〜３０）のアルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数６〜４０（好ましくは炭素数６〜３０）のアリール基、置換基を有してもよい炭素数６〜４０（好ましくは炭素数６〜３０）のアリールオキシ基、置換基を有してもよい炭素数７〜４０（好ましくは炭素数７〜３０）のアラルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜４０（好ましくは炭素数２〜３０）のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数１〜８０（好ましくは炭素数１〜６０）のアルキルアミノ基、置換基を有してもよい炭素数６〜８０（好ましくは炭素数６〜６０）のアリールアミノ基、置換基を有してもよい炭素数７〜８０（好ましくは炭素数７〜６０）のアラルキルアミノ基、置換基を有してもよい炭素数３〜１０（好ましくは炭素数３〜９）のアルキルシリル基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールシリル基（好ましくは炭素数８〜２０）又はシアノ基である。Ｒ^１〜Ｒ^７は、それぞれ複数であってもよく、隣接するもの同士で飽和もしくは不飽和の環状構造を形成していてもよい。

Ｒ^１〜Ｒ^７のハロゲン原子としては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
Ｒ^１〜Ｒ^７の置換基を有してもよい炭素数１〜４０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ネオペンチル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−ペンチルヘキシル基、１−ブチルペンチル基、１−ヘプチルオクチル基、３−メチルペンチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、１，２−ジニトロエチル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、３，５−テトラメチルシクロヘキシル基等が挙げられる。

これらの中でも好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ネオペンチル基、１−メチルペンチル基、１−ペンチルヘキシル基、１−ブチルペンチル基、１−ヘプチルオクチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、３，５−テトラメチルシクロヘキシル基等が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^７の置換基を有してもよい炭素数３〜３０の複素環基の例示は、上記インデリペリレン誘導体で例示したものと同じである。

好ましくは、２−ピリジニル基、１−インドリジニル基、２−インドリジニル基、３−インドリジニル基、５−インドリジニル基、６−インドリジニル基、７−インドリジニル基、８−インドリジニル基、２−イミダゾピリジニル基、３−イミダゾピリジニル基、５−イミダゾピリジニル基、６−イミダゾピリジニル基、７−イミダゾピリジニル基、８−イミダゾピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６ −イソインドリル基、７−イソインドリル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基等である。

Ｒ^１〜Ｒ^７の置換基を有してもよい炭素数１〜４０のアルコキシ基は−ＯＹと表される基であり、Ｙの具体例としては、前記アルキル基で説明したものと同様のものが挙げられ、好ましい例も同様である。

Ｒ^１〜Ｒ^７の置換基を有してもよい炭素数６〜４０のアリール基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｏ−クメニル基、ｍ−クメニル基、ｐ−クメニル基、２，３−キシリル基、３，４−キシリル基、２，５−キシリル基、メシチル基等が挙げられる。

これらの中でも好ましくは、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−フェナントリル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−トリル基、３，４−キシリル基等が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^７の置換基を有してもよい炭素数６〜４０のアリールオキシ基は−ＯＡｒと表される基であり、Ａｒの具体例としては、前記アリール基で説明したものと同様のものが挙げられ、好ましい例も同様である。

Ｒ^１〜Ｒ^７の置換基を有してもよい炭素数７〜４０のアラルキル基としては、多環式縮合芳香族骨格含有化合物の置換基で例示したものと同じである。

好ましくは、ベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基等である。

Ｒ^１〜Ｒ^７の置換基を有してもよい炭素数２〜４０のアルケニル基としては、多環式縮合芳香族骨格含有化合物の置換基で例示したものと同じである。
好ましくは、スチリル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２−ジフェニルビニル基等である。

Ｒ^１〜Ｒ^７の置換基を有してもよい炭素数１〜８０のアルキルアミノ基、置換基を有してもよい炭素数６〜８０のアリールアミノ基、置換基を有してもよい炭素数７〜８０のアラルキルアミノ基としては−ＮＱ^１Ｑ^２と表され、Ｑ^１、Ｑ^２の具体例としては、それぞれ、前記アルキル基、前記アリール基、前記アラルキル基で説明したものと同様のものが挙げられ、好ましい例も同様である。

Ｒ^１〜Ｒ^７の置換基を有してもよい炭素数３〜１０のアルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基等が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^７の置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールシリル基としては、トリフェニルシリル基、フェニルジメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基等が挙げられる。

また、Ｒ^１〜Ｒ^７が複数あった場合に形成される環状構造としては、ベンゼン環等の不飽和６員環の他、飽和もしくは不飽和の５員環又は７員環構造等が挙げられる。

式（１０１）〜（１０４）中、Ｘは、下記式（１１１）〜（１１６）のいずれかで表される基である。

式（１１１）〜（１１６）中、Ｒ^８〜Ｒ^１７は、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよい炭素数１〜４０（好ましくは炭素数１〜３０）のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数３〜３０（好ましくは炭素数３〜２０）の複素環基、置換基を有してもよい炭素数１〜４０（ 好ましくは炭素数１〜３０）のアルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数６〜４０（好ましくは炭素数６〜３０）のアリール基、置換基を有してもよい炭素数６〜４０（ 好ましくは炭素数６〜３０）のアリールオキシ基、置換基を有してもよい炭素数７〜４０（好ましくは炭素数７〜３０）のアラルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜４０（好ましくは炭素数２〜３０）のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数１〜８０（好ましくは炭素数１〜６０）のアルキルアミノ基、置換基を有してもよい炭素数６〜８０（好ましくは炭素数６〜６０）のアリールアミノ基、置換基を有してもよい炭素数７〜８０（好ましくは炭素数７〜６０）のアラルキルアミノ基、置換基を有してもよい炭素数３〜１０（好ましくは炭素数３〜９）のアルキルシリル基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールシリル基（好ましくは炭素数８〜２０）又はシアノ基である。Ｒ^８〜Ｒ^１７は、それぞれ複数であってもよく、隣接するもの同士で飽和もしくは不飽和の環状構造を形成していてもよい。

Ｒ^８〜Ｒ^１７の示す各基の具体例としては、前記Ｒ^１〜Ｒ^７で説明したものと同様のものが挙げられ、好ましい例も同様である。

式（１１１）〜（１１４）中、Ｙ^１〜Ｙ^３は、それぞれ、−Ｃ（Ｒ）−（Ｒは、水素原子、式（１０１）〜（１０４）においてＸに結合している基又は前記Ｒ^８，Ｒ^９，Ｒ^１０，Ｒ^１２，Ｒ^１３，Ｒ^１４のいずれかである。）又は窒素原子である。窒素原子である場合は、Ｙ^１〜Ｙ^３の少なくとも２つは窒素原子である。Ｃｚは下記と同じである。

式（１１６）において、ｔは０〜１の整数である。

式（１１１）で表される基としては、下記構造のうちのいずれかであると好ましい。

式（１１２）で表される基としては、下記構造のうちのいずれかであると好ましい。

式（１１３）で表される基としては、下記構造のうちのいずれかであると好ましい。

式（１１４）で表される基としては、下記構造のうちのいずれかであると好ましい。

式（１１５）で表される基としては、下記構造のうちのいずれかであると好ましい。

式（１１６）で表される基としては、下記構造のうちのいずれかであると好ましい。

式（１０５）中、Ｗは、下記式（１２１）〜（１２５）のいずれかで表される基である。

式（１２１）〜（１２５）中、Ｒ^１８〜Ｒ^２５は、式（１１１）〜（１１４）のＲ^８〜Ｒ^１７と同様の基である。Ｙ^１〜Ｙ^３は、式（１１１）〜（１１４）のＹ^１〜Ｙ^３と同様である。

Ｒ^１８〜Ｒ^２５の示す各基の具体例としては、前記Ｒ^１〜Ｒ^７で説明したものと同様のものが挙げられ、好ましい例も同様である。

式（１０１）〜（１０５）中、Ｃｚは下記式（１３１）又は（１３２）で表される基である。

式（１３１）及び（１３２）中、Ａは、単結合、−ＳｉＲ^２６Ｒ^２７−、−ＮＲ^２８−、−Ｏ−、−（ＣＲ^２９Ｒ^３０）_ｎ−（ｎは１〜３の整数）又は−Ｓ−を表し、Ｒ^２６とＲ^２７、Ｒ^２９とＲ^３０は互いに結合して飽和もしくは不飽和の環状構造を形成してもよい。Ｒ^２４〜Ｒ^３０は、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよい炭素数１〜４０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数３〜３０の複素環基、置換基を有してもよい炭素数１〜４０のアルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数６〜４０のアリール基、置換基を有してもよい炭素数６〜４０のアリールオキシ基、置換基を有してもよい炭素数７〜４０のアラルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜４０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数１〜８０のアルキルアミノ基、置換基を有してもよい炭素数６〜８０のアリールアミノ基、置換基を有してもよい炭素数７〜８０のアラルキルアミノ基、置換基を有してもよい炭素数３〜１０のアルキルシリル基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールシリル基又はシアノ基である。Ｒ^２４〜Ｒ^２５は、それぞれ複数であってもよく、隣接するもの同士で飽和もしくは不飽和の環状構造を形成していてもよい。

式（１３２）中、Ｚは、置換してもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換してもよい炭素数６〜１８のアリール基、又は置換基を有してもよい炭素数７〜４０のアラルキル基を表す。

Ｚの炭素数１〜２０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ネオペンチル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−ペンチルヘキシル基、１−ブチルペンチル基、１−ヘプチルオクチル基、３−メチルペンチル基等が挙げられ、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基等が挙げられる。

Ｚのアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、トリル基、ビフェニル基、ターフェニル基等が挙げられ、好ましくは、フェニル基、ビフェニル基、トリル基等が挙げられる。

Ｚのアラルキル基としては、例えば、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β− ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基、ベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ −シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基等が挙げられ、好ましくは、ベンジル基、ｐ−シアノベンジル基等が挙げられる。

Ｃｚの好ましい構造を以下に示す。

Ｃｚのさらに好ましい構造を以下に示す。

また、Ｃｚが、置換基を有していてもよいカルバゾリル基、又は置換基を有していてもよいアリールカルバゾリル基であると特に好ましい。

式（１０１）〜（１０５）において例示した各基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アラルキル基、アリールオキシ基、アルコシキカルボニル基等が挙げられる。

式（１０１）〜（１０５）で表される化合物の具体例を以下に示す。

本発明の有機ＥＬ素子においては、発光層に、りん光性ドーパント及び／又は蛍光性ドーパントを含有してもよい。

りん光性ドーパントは三重項励起子から発光することのできる化合物である。三重項励起子から発光する限り特に限定されないが、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｏｓ及びＲｅからなる群から選択される少なくとも一つの金属を含む金属錯体であることが好ましく、ポルフィリン金属錯体又はオルトメタル化金属錯体が好ましい。りん光性化合物は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

ポルフィリン金属錯体としては、ポルフィリン白金錯体が好ましい。

オルトメタル化金属錯体を形成する配位子としては種々のものがあるが、好ましい配位子としては、フェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格又はフェナントロリン骨格を有する化合物、又は２−フェニルピリジン誘導体、７，８−ベンゾキノリン誘導体、２−（２−チエニル）ピリジン誘導体、２−（１−ナフチル）ピリジン誘導体、２−フェニルキノリン誘導体等が挙げられる。これらの配位子は必要に応じて置換基を有してもよい。特に、フッ素化物、トリフルオロメチル基を導入したものが、青色系ドーパントとしては好ましい。さらに補助配位子としてアセチルアセトナート、ピクリン酸等の上記配位子以外の配位子を有していてもよい。

このような金属錯体の具体例は、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、トリス（２−フェニルピリジン）ルテニウム、トリス（２−フェニルピリジン）パラジウム、ビス（２−フェニルピリジン）白金、トリス（２−フェニルピリジン）オスミウム、トリス（２−フェニルピリジン）レニウム、オクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等が挙げられる。

また、金属錯体の具体例としてさらに、例えば、ＰＱＩｒ（ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ）ｂｉｓ（２−ｐｈｅｎｙｌ ｑｕｉｎｏｌｙｌ−Ｎ，Ｃ２’） ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）等、下記の化合物が挙げられる。

金属錯体は上記具体例に限定されず、要求される発光色、素子性能、使用するホスト化合物により適切な錯体が選ばれる。

本発明の有機ＥＬ素子においては、発光層に、りん光性ドーパント及び／又は蛍光性ドーパントを含有してもよい。

りん光性ドーパントは三重項励起子から発光することのできる化合物である。三重項励起子から発光する限り特に限定されないが、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｏｓ及びＲｅからなる群から選択される少なくとも一つの金属を含む金属錯体であることが好ましく、ポルフィリン金属錯体又はオルトメタル化金属錯体が好ましい。りん光性ドーパントは単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

ポルフィリン金属錯体としては、ポルフィリン白金錯体が好ましい。
オルトメタル化金属錯体を形成する配位子としては種々のものがあるが、好ましい配位子としては、フェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格又はフェナントロリン骨格を有する化合物、又は２−フェニルピリジン誘導体、７，８−ベンゾキノリン誘導体、２−（２−チエニル）ピリジン誘導体、２−（１−ナフチル）ピリジン誘導体、２−フェニルキノリン誘導体等が挙げられる。これらの配位子は必要に応じて置換基を有してもよい。特に、フッ素化物、トリフルオロメチル基を導入したものが、青色系ドーパントとしては好ましい。さらに補助配位子としてアセチルアセトナート、ピクリン酸等の上記配位子以外の配位子を有していてもよい。

このような金属錯体の具体例は、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、トリス（２−フェニルピリジン）ルテニウム、トリス（２−フェニルピリジン）パラジウム、ビス（２−フェニルピリジン）白金、トリス（２−フェニルピリジン）オスミウム、トリス（２−フェニルピリジン）レニウム、オクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等が挙げられるが、これらに限定されず、要求される発光色、素子性能、使用するホスト化合物により適切な錯体が選ばれる。

りん光性ドーパントの発光層における含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、０．１〜７０質量％であり、１〜３０質量％が好ましい。りん光性化合物の含有量が０．１質量％未満では発光が微弱でありその含有効果が十分に発揮されない恐れがあり、７０質量％を超える場合は、濃度消光と言われる現象が顕著になり素子性能が低下する恐れがある。

蛍光性ドーパントとしては、アミン系化合物、芳香族化合物、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体等のキレート錯体、クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ビススチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体等から、要求される発光色に合わせて化合物を選択することが好ましく、スチリルアミン化合物、スチリルジアミン化合物、アリールアミン化合物、アリールジアミン化合物がさらに好ましい。また、アミン化合物ではない縮合多環芳香族化合物も好ましい。これらの蛍光性ドーパントは単独でもまた複数組み合わせて使用してもよい。

スチリルアミン化合物及びスチリルジアミン化合物としては、下記式（Ａ）で表されるものが好ましい。

（式中、Ａｒ^１０１はｐ価の基であり、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、スチルベニル基、ジスチリルアリール基の対応するｐ価の基であり、Ａｒ^１０２及びＡｒ^１０３はそれぞれ炭素数が６〜２０の芳香族炭化水素基であり、Ａｒ^１０１、Ａｒ^１０２及びＡｒ^１０３は置換されていてもよい。Ａｒ^１０１〜Ａｒ^１０３のいずれか一つはスチリル基で置換されている。さらに好ましくはＡｒ^１０２又はＡｒ^１０３の少なくとも一方はスチリル基で置換されている。ｐは１〜４の整数であり、好ましくは１〜２の整数である。）
ここで、炭素数が６〜２０の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ターフェニル基等が挙げられる。

アリールアミン化合物及びアリールジアミン化合物としては、下記式（Ｂ）で表されるものが好ましい。

（式中、Ａｒ^１１１はｑ価の置換もしくは無置換の核炭素数５〜４０の芳香族基であり、Ａｒ^１１２，Ａｒ^１１３はそれぞれ置換もしくは無置換の核炭素数５〜４０のアリール基である。ｑは１〜４の整数であり、好ましくは１〜２の整数である。）
ここで、核炭素数が５〜４０のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ピレニル基、コロニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ピローリル基、フラニル基、チオフェニル基、ベンゾチオフェニル基、オキサジアゾリル基、ジフェニルアントラニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ピリジル基、ベンゾキノリル基、フルオランテニル基、アセナフトフルオランテニル基、スチルベン基、ペリレニル基、クリセニル基、ピセニル基、トリフェニレニル基、ルビセニル基、ベンゾアントラセニル基、フェニルアントラニル基、ビスアントラセニル基等が挙げられ、ナフチル基、アントラニル基、クリセニル基、ピレニル基が好ましい。

Ａｒ^１１１は上記ｑ価の基が好ましく、特に２価であることが好ましい。

なお、前記アリール基に置換する好ましい置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基（エチル基、メチル基、ｉ−プロピル基、ｎ−プロピル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、炭素数１〜６のアルコキシ基（エトキシ基、メトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロペントキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、核炭素数５〜４０のアリール基、核炭素数５〜４０のアリール基で置換されたアミノ基、核炭素数５〜４０のアリール基を有するエステル基、炭素数１〜６のアルキル基を有するエステル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子等が挙げられる。

発光層は、必要に応じて正孔輸送材、電子輸送材、ポリマーバインダーを含有してもよい。
発光層の膜厚は、好ましくは５〜５０ｎｍ、より好ましくは７〜５０ｎｍ、最も好ましくは１０〜５０ｎｍである。５ｎｍ未満では発光層形成が困難となり、色度の調整が困難となる恐れがあり、５０ｎｍを超えると駆動電圧が上昇する恐れがある。

正孔注入層及び正孔輸送層は、発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．５ｅＶ以下と小さい。このような正孔注入層及び正孔輸送層の材料としてはより低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば１０^４〜１０^６Ｖ／ｃｍの電界印加時に、１０^−４ｃｍ^２／Ｖ・秒以上であれば好ましい。
正孔注入層及び正孔輸送層の材料としては、窒素原子とアリール基との結合を有する化合物である必要がある。このような化合物としては特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機ＥＬ素子の正孔注入層及び正孔輸送層に使用されている公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
ここで、陽極と発光層との間に、本発明における界面層のみを介在させた有機ＥＬ素子の場合、発光効率が低下したり、駆動電圧が上昇したりするため、好ましくない。

正孔注入層及び正孔輸送層には、好適には、窒素原子とアリール基との結合を有するヘテロ原子含有化合物が用いられる。
正孔輸送層や正孔輸送層に含まれる材料（正孔輸送材、正孔注入材）は、２個又は３個のアリール基と窒素原子が結合した構造を有する化合物が好ましい。
このような化合物は、後記する比較例１に示すように、直接陽極と接触させる構成にした場合、駆動電圧の経時上昇が認められる。しかし、２個又は３個のアリール基と窒素原子が結合した構造を有する化合物は、正孔輸送性に優れるため、界面層との併用により、素子の駆動電圧を低電圧化すると共に、駆動電圧の経時上昇を抑制することができる。カルバゾリル基を構成する窒素と他の基が結合した化合物であってもよい。
このような正孔輸送材、正孔注入材としては、窒素原子を１〜８個を有する化合物が挙げられる。また、アリール基としては、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フェナントリル基、フルオレニル基、スピロフルオレニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基が挙げられる。これらのアリール基は、更にアルキル基やアリール基で置換されていてもよい。このような置換基としては、前記式（Ｂ）の説明において示された、アリール基に置換する好ましい置換基について列記された基が挙げられる。
本発明においては、例えば、下記式で表される芳香族アミン誘導体が使用できる。

Ａｒ^２１１〜Ａｒ^２１３、Ａｒ^２２１〜Ａｒ^２２３及びＡｒ^２０３〜Ａｒ^２０８はそれぞれ置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基である。ａ〜ｃ及びｐ〜ｒはそれぞれ０〜３の整数である。Ａｒ^２０３とＡｒ^２０４、Ａｒ^２０５とＡｒ^２０６、Ａｒ^２０７とＡｒ^２０８はそれぞれ互いに連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。

置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基及び置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基の具体例としては、式（１）のＱ^１〜Ｑ^１２と同じである。

さらに、正孔注入層及び正孔輸送層に、下記式で表される化合物が使用できる。

Ａｒ^２３１〜Ａｒ^２３４はそれぞれ置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基である。Ｌは連結基であり、単結合、もしくは置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基である。ｘは０〜５の整数である。Ａｒ^２３２とＡｒ^２３３は互いに連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。ここで置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、及び置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基の具体例としては、前記と同様のものがあげられる。

さらに、正孔注入層及び正孔輸送層の材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、編みの置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー（特にチオフェンオリゴマー）等を併用することができる。

正孔注入層及び正孔輸送層の材料としては上記のものを使用することができるが、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。

また２個の縮合芳香族環を分子内に有する化合物、例えば、４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（以下ＮＰＤと略記する）や、トリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（以下ＭＴＤＡＴＡと略記する）等を用いることが好ましい。また、実施例で用いた化合物も好適に使用できる。

ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入層及び正孔輸送層の材料として併用することができる。
正孔注入層及び正孔輸送層は上述した化合物を、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜化することにより形成することができる。正孔注入層及び正孔輸送層の膜厚は特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。正孔注入層及び正孔輸送層は上述した材料の一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよいし、異なる化合物からなる複数の正孔注入層及び正孔輸送層を積層したものであってもよい。

発光層に隣接して有機半導体層を設置してもよい。有機半導体層は発光層への正孔注入又は電子注入を助ける層であって、その材料としては、１０^−１０Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや含アリールアミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等を用いることができる。

電子注入層及び電子輸送層は、発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、電子移動度が大きい。また付着改善層は、特に陰極との付着が良い材料からなる電子注入層の一種である。
電子輸送層は５ｎｍ〜５μｍの膜厚で適宜選ばれるが、特に膜厚が厚いとき、電圧上昇を避けるために、１０^４〜１０^６Ｖ／ｃｍの電界印加時に電子移動度が１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ以上であることが好ましい。

電子注入層及び電子輸送層に用いられる材料としては、８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体やオキサジアゾール誘導体が好適である。８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般に８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウムを挙げることができる。

オキサジアゾール誘導体としては、以下の式で表される電子伝達化合物が挙げられる。

（式中、Ａｒ^３０１、Ａｒ^３０２、Ａｒ^３０３、Ａｒ^３０５、Ａｒ^３０６、及びＡｒ^３０９はそれぞれ置換又は無置換のアリール基を示す。またＡｒ^３０４、Ａｒ^３０７、Ａｒ^３０８はそれぞれ置換又は無置換のアリーレン基を示す。）

ここでアリール基としてはフェニル基、ビフェニル基、アントラニル基、ペリレニル基、ピレニル基等が挙げられる。また、アリーレン基としてはフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントラニレン基、ペリレニレン基、ピレニレ基等が挙げられる。また、置換基としては炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基又はシアノ基等が挙げられる。この電子伝達化合物は薄膜形成性のものが好ましい。

上記電子伝達性化合物の具体例としては下記のものを挙げることができる。

（Ｍｅはメチル基、ｔＢｕはｔブチル基を示す。）

さらに、電子注入層及び電子輸送層に用いられる材料として、下記式（Ｅ）〜（Ｊ）で表されるものも用いることができる。

（式（Ｅ）及び（Ｆ）中、Ａ^３１１〜Ａ^３１３は、それぞれ窒素原子又は炭素原子である。
Ａｒ^３１１は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、又は置換もしくは無置換の核原子数３〜６０のヘテロアリール基であり、Ａｒ^３１１’は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリーレン基又は置換もしくは無置換の核原子数３〜６０のヘテロアリーレン基であり、Ａｒ^３１２は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数３〜６０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基である。ただし、Ａｒ^３１１及びＡｒ^３１２のいずれか一方は、置換もしくは無置換の核炭素数１０〜６０の縮合環基、又は置換もしくは無置換の核原子数３〜６０のモノヘテロ縮合環基である。
Ｌ^３１１、Ｌ^３１２及びＬ^３１３は、それぞれ、単結合、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリーレン基、置換もしくは無置換の核原子数３〜６０のヘテロアリーレン基、又は置換もしくは無置換のフルオレニレン基である。
Ｒ及びＲ^３１１は、それぞれ水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数３〜６０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、ｎは０〜５の整数であり、ｎが２以上の場合、複数のＲは同一でも異なっていてもよく、また、隣接するＲ基同士で結合して、炭素環式脂肪族環又は炭素環式芳香族環を形成していてもよい。）で表される含窒素複素環誘導体。

ＨＡｒ−Ｌ^３１４−Ａｒ^３２１−Ａｒ^３２２ （Ｇ）
（式中、ＨＡｒは、置換基を有していてもよい炭素数３〜４０の含窒素複素環であり、Ｌ^３１４は、単結合、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリーレン基、置換基を有していてもよい核原子数３〜６０のヘテロアリーレン基又は置換基を有していてもよいフルオレニレン基であり、Ａｒ^３２１は、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０の２価の芳香族炭化水素基であり、Ａｒ^３２２は、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリール基又は置換基を有していてもよい核原子数３〜６０のヘテロアリール基である。）で表される含窒素複素環誘導体。

（式中、Ｘ^３０１及びＹ^３０１は、それぞれ炭素数１〜６の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、ヒドロキシ基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロ環又はＸとＹが結合して飽和又は不飽和の環を形成した構造であり、Ｒ^３０１〜Ｒ^３０４は、それぞれ、水素、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、アミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、カルバモイル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基又はシアノ基である。これらの基は置換されていてもよい。また、隣接した基が置換若しくは無置換の縮合環を形成してもよい。）で表されるシラシクロペンタジエン誘導体。

（式中、Ｒ^３２１〜Ｒ^３２８及びＺ^３２２は、それぞれ、水素原子、飽和もしくは不飽和の炭化水素基、芳香族炭化水素基、ヘテロ環基、置換アミノ基、置換ボリル基、アルコキシ基又はアリールオキシ基を示し、Ｘ^３０２、Ｙ^３０２及びＺ^３２１は、それぞれ、飽和もしくは不飽和の炭化水素基、芳香族炭化水素基、ヘテロ環基、置換アミノ基、アルコキシ基又はアリールオキシ基を示し、Ｚ^３２１とＺ^３２２は相互に結合して縮合環を形成してもよく、ｎは１〜３の整数を示し、ｎ又は（３−ｎ）が２以上の場合、Ｒ^３２１〜Ｒ^３２８、Ｘ^３０２、Ｙ^３０２、Ｚ^３２２及びＺ^３２１は同一でも異なってもよい。但し、ｎが１、Ｘ^３０２、Ｙ^３０２及びＲ^３２２がメチル基でＲ^３２８が水素原子又は置換ボリル基の化合物、及びｎが３でＺ^３２１がメチル基の化合物を含まない。）で表されるボラン誘導体。

［式中、Ｑ^３０１及びＱ^３０２は、それぞれ、下記式（Ｋ）で示される配位子を表し、Ｌ^３１５は、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基、−ＯＲ（Ｒは、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基である。）又は−Ｏ−Ｇａ−Ｑ^３０３（Ｑ^３０４）（Ｑ^３０３及びＱ^３０４は、Ｑ^３０１及びＱ^３０２と同じ）で示される配位子を表す。］で表されるガリウム錯体。

［式中、環Ａ^３０１及びＡ^３０２は、それぞれ置換基を有してよい互いに縮合した６員アリール環構造である。］で表される金属錯体。

この金属錯体は、ｎ型半導体としての性質が強く、電子注入能力が大きい。さらには、錯体形成時の生成エネルギーも低いために、形成した金属錯体の金属と配位子との結合性も強固になり、発光材料としての蛍光量子効率も大きい。
式（Ｋ）の配位子を形成する環Ａ^３０１及びＡ^３０２の置換基の具体的な例を挙げると、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素のハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基等の置換もしくは無置換のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラニル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基、３−メチルフェニル基、３−メトキシフェニル基、３−フルオロフェニル基、３−トリクロロメチルフェニル基、３−トリフルオロメチルフェニル基、３−ニトロフェニル基等の置換もしくは無置換のアリール基、メトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、トリクロロメトキシ基、トリフルオロエトキシ基、ペンタフルオロプロポキシ基、２，２，３，３−テトラフルオロプロポキシ基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロポキシ基、６−（パーフルオロエチル）ヘキシルオキシ基等の置換もしくは無置換のアルコキシ基、フェノキシ基、ｐ−ニトロフェノキシ基、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシ基、３−フルオロフェノキシ基、ペンタフルオロフェニル基、３−トリフルオロメチルフェノキシ基等の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−ニトロフェニルチオ基、ｐ−ｔ−ブチルフェニルチオ基、３−フルオロフェニルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、３−トリフルオロメチルフェニルチオ基等の置換もしくは無置換のアリールチオ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等のモノ又はジ置換アミノ基、ビス（アセトキシメチル）アミノ基、ビス（アセトキシエチル）アミノ基、ビス（アセトキシプロピル）アミノ基、ビス（アセトキシブチル）アミノ基等のアシルアミノ基、水酸基、シロキシ基、アシル基、カルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、エチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、プロイピルカルバモイル基、ブチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基等の置換もしくは無置換のカルバモイル基、カルボン酸基、スルフォン酸基、イミド基、シクロペンタン基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、ピリジニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、インドリニル基、キノリニル基、アクリジニル基、ピロリジニル基、ジオキサニル基、ピペリジニル基、モルフォリジニル基、ピペラジニル基、カルバゾリル基、フラニル基、チオフェニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、トリアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基等の複素環基等がある。また、以上の置換基同士が結合してさらなる６員アリール環もしくは複素環を形成してもよい。

有機ＥＬ素子の好ましい形態では、電子を輸送する領域又は陰極と有機層の界面領域に、還元性ドーパントを含有する。ここで、還元性ドーパントとは、電子輸送性化合物を還元ができる物質と定義される。したがって、一定の還元性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物又は希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の炭酸塩、アルカリ土類金属の炭酸塩、希土類金属の炭酸塩、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも一つの物質を好適に使用することができる。

また、具体的に、好ましい還元性ドーパントとしては、Ｎａ（仕事関数：２．３６ｅＶ）、Ｋ（仕事関数：２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（仕事関数：２．１６ｅＶ）及びＣｓ（仕事関数：１．９５ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属や、Ｃａ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数：２．０〜２．５ｅＶ）、及びＢａ（仕事関数：２．５２ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ土類金属が挙げられる。仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、Ｒｂ又はＣｓであり、最も好ましくは、Ｃｓである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が２．９ｅＶ以下の還元性ドーパントとして、これら２種以上のアルカリ金属の組合わせも好ましく、特に、Ｃｓを含んだ組み合わせ、例えば、ＣｓとＮａ、ＣｓとＫ、ＣｓとＲｂあるいはＣｓとＮａとＫとの組み合わせであることが好ましい。Ｃｓを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子注入域への添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。

陰極と有機層の間に絶縁体や半導体で構成される電子注入層をさらに設けてもよい。このような層により、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。電子注入層が絶縁性薄膜であれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。

絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲニド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができ好ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲニドとしては、例えば、Ｌｉ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｓ、Ｎａ_２Ｓｅ及びＮａ_２Ｏが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲニドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、及びＣａＳｅが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＣｓＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ及びＮａＣｌ等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、ＳｒＦ_２、ＭｇＦ_２及びＢｅＦ_２といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。

また、電子注入層を構成する半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子注入層を構成する無機化合物は、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。

陰極としては、仕事関数の小さい（例えば、４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、セシウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム／酸化アルミニウム、Ａｌ／Ｌｉ_２Ｏ、Ａｌ／ＬｉＯ、Ａｌ／ＬｉＦ、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属等が挙げられる。

陰極はこれらの電極物質から蒸着やスパッタリング等により作製できる。
発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、さらに、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。

一般に、有機ＥＬ素子は、超薄膜に電界を印加するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入してもよい。
絶縁性の薄膜層に用いる材料としては、例えば、酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。これらの混合物や積層物を用いてもよい。

白色発光等を得る目的で２以上の発光層を備える有機ＥＬ素子において、各発光層からの発光量を調整するために、発光層の間に電荷障壁層を設けてもよい。後記する実施例においては、陽極側から、赤色発光層、電荷障壁層、青色発光層の順に配置されている。この態様において、電荷障壁層は電子障壁層として機能する。このため、電子障壁層として機能する材料を用いている。このような配置を行うと、電子障壁層の陰極側に配置された青色発光層で励起子を生成し、よく光る青色発光が得られる。また、青色発光層に含有されるホスト材料のエネルギーギャップは広いため、そのエネルギーを赤色発光層に移動させることで、赤色発光層の発光にも寄与する。

発光層の陰極側、例えば、発光層と電子輸送層の間にホールブロッキング層（正孔障壁層）を設けてもよい。特に、燐光発光層の陰極側にこの層を設けると、発光効率の向上への寄与が大きい。燐光ホストは、一重項エネルギーギャップが大きく、発光層内での電荷の閉じ込めが難しい。このため、電荷及び励起エネルギーを発光層内に閉じ込める機能を有する、ホールブロッキング層を設けることが好ましい。ホールブロッキング層を構成する材料としては、例えば、実施例で使用したようなカルバゾール誘導体を挙げることができる。

以下、実施例を説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されない。有機ＥＬ素子の特性の測定方法は下記の通りである。
（１）初期性能：作製した有機ＥＬ素子について、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２における駆動電圧（Ｖ）を測定し、同時に輝度計（ミノルタ社製分光輝度放射計ＣＳ−１０００）で発光輝度値とＣＩＥ１９３１色度座標を測定し評価した。
（２）寿命：直流電流４０ｍＡ/ｃｍ^２で定電流駆動し、輝度の半減期（ＬＴ５０）で評価した。なお、実施例７〜１０においては、初期輝度１００００ｎｉｔからの輝度の半減期で寿命を評価した。
（３）駆動電圧の変化：直流電流４０ｍＡ/ｃｍ^２で定電流駆動し、初期の駆動電圧と１０００時間経過後の駆動電圧の差で評価した。

実施例及び比較例で使用した化合物は以下の通りである。

実施例１
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）ライン付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして、界面層として膜厚３ｎｍの化合物Ｂ１を製膜レート０．１Å／ｓにて成膜した。この化合物Ｂ１膜上に、正孔輸送層として、膜厚４２ｎｍの化合物Ｈ１を１Å／ｓにて成膜した。
さらに、この化合物Ｈ１膜上に膜厚２０ｎｍで化合物Ｌ１と化合物Ｌ２をＬ２が１０ｗｔ％と成るように成膜し青色系発光層とした。製膜レートはそれぞれ１Å／ｓ、０．１１Å／ｓとした。
この膜上に電子輸送層として膜厚３０ｎｍで化合物Ｅ１を製膜レート０．１Å／ｓにて成膜した。この後、ＬｉＦを膜厚０．５ｎｍ、製膜レート０．１Å／ｓで成膜した。このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを製膜レート１Å／ｓにて１００ｎｍ蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ発光素子を形成した。

実施例２
界面層としてＢ２を用いた以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。

実施例３
界面層としてＢ３を用いた以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。

実施例４
界面層としてＢ４を用いた以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。

比較例１
界面層を用いず、正孔輸送層として、化合物Ｈ１を膜厚４５ｎｍ積層した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。

比較例２
界面層としてルブレンを用いた以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。

比較例３
正孔輸送層を用いず、界面層として化合物ルブレンを膜厚４５ｎｍ蒸着した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。

実施例１〜４及び比較例１〜３で得られた有機ＥＬ素子について色度、輝度の半減期、駆動電圧の変化を測定した。結果を表１に示す。表から、実施例の有機ＥＬ素子は、輝度の半減期が長く、駆動電圧の上昇が抑えられていることが分かる。

実施例５
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）ライン付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして、界面層として膜厚３ｎｍの化合物Ｂ１を製膜レート０．１Å／ｓにて成膜した。この化合物Ｂ１膜上に、正孔輸送層として、膜厚７２ｎｍの化合物Ｈ１を１Å／ｓにて成膜した。

さらに、Ｈ１膜の成膜に続けて、膜厚５ｎｍにてＢ１とＬ３を、Ｌ３が０．５重量％となるように、蒸着し成膜し、第１発光層とした。この第１発光層は赤色発光する。次いで、電荷障壁層として、膜厚５ｎｍのＨ１膜を成膜した。電荷障壁層上にＬ１とＬ２を、Ｌ２が７．５重量％となるように蒸着し成膜し、膜厚が１０ｎｍの青色発光層（第２発光層）とした。

さらに第３発光層として、膜厚３０ｎｍにてＬ１とＬ４を、Ｌ４が１０重量％となるように、蒸着し成膜し、緑色発光層とした後、この膜上に、電子輸送層として膜厚２０ｎｍのＥ１を成膜した。この後、電子注入層としてＬｉＦ膜を１．６ｎｍ形成した。このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを１５０ｎｍ蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ発光素子を形成した。

実施例６
界面層として、化合物Ｂ1の膜厚を１０ｎｍ、また正孔輸送層Ｈ１の膜厚を６５ｎｍとした以外は、実施例５と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。

実施例５及び６で得られた有機ＥＬ素子の評価結果を表２に示す。表から、実施例の有機ＥＬ素子は、白色素子においても、輝度の半減期が長く、駆動電圧の上昇が抑えられていることが分かる。

実施例７
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）ライン付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして、界面層として膜厚３ｎｍの化合物Ｂ１を製膜レート０．１Å／ｓにて成膜した。この化合物Ｂ１膜上に、正孔輸送層として、膜厚１７ｎｍの化合物Ｈ１を１Å／ｓにて成膜した。
さらに、この化合物Ｈ１膜上に膜厚４０ｎｍで化合物（ａ）とＩｒ（Ｐｈ−ｐｐｙ）３を、Ｉｒ（Ｐｈ−ｐｐｙ）３が１０重量％となるように成膜し緑色系発光層とした。
この膜上に、正孔ブロッキング層として膜厚１０ｎｍで化合物（２）を、さらに、電子輸送層として膜厚４０ｎｍで化合物Ｅ１を成膜した。この後、ＬｉＦを膜厚０．５ｎｍ、製膜レート０．１Å／ｓで成膜した。このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを製膜レート１Å／ｓにて１００ｎｍ蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ発光素子を形成した。この有機ＥＬ素子の評価結果を表３に示す。

実施例８
緑色系発光層として、化合物（ｂ）とＩｒ（Ｐｈ−ｐｐｙ）３を用いた以外は、実施例７と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。評価結果を表３に示す。

実施例９
緑色系発光層として、化合物（ｃ）とＩｒ（Ｐｈ−ｐｐｙ）３を用いた以外は、実施例７と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。評価結果を表３に示す。

実施例１０
赤色系発光層として、化合物（ｄ）とＩｒ（ｐｉｑ）３を用いた以外は、実施例７と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。評価結果を表３に示す。

本発明の有機ＥＬ素子は、平面発光体やディスプレイのバックライト等の光源、携帯電話、ＰＤＡ、カーナビゲーション、車のインパネ等の表示部、照明等に好適に使用できる。

本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子の概略断面図である。

符号の説明

１０ 陽極
２０ 陰極
３０ 界面層
３２ 正孔輸送層
３４ 発光層
３６ 電子注入層

Claims (8)

1. 陽極と陰極との間に、少なくとも界面層、正孔輸送層、発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
   前記界面層は、陽極と正孔輸送層との間に存在する層であり、前記正孔輸送層は、窒素原子とアリール基との結合を有する化合物を含んでなり、
   前記界面層が、ナフタセン骨格を有する化合物であって、少なくとも５，６，１１，１２位に１〜３の置換基を有する化合物、ペンタセン骨格を有する化合物であって、５，６，７，１２，１３，１４位に１〜５の置換基を有する化合物、クリセン骨格を有する化合物、ベンズアントラセン骨格を有する化合物から選択される１以上の化合物を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子。
2. 前記ナフタセン骨格を有する化合物が下記式（１）で示される化合物である請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   

   

   （式（１）中、Ｑ^１〜Ｑ^１２は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜３０のアリール基、アミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜３０のアリーロキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルケニル基、置換もしくは無置換の核炭素数７〜３０のアラルキル基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜３０の複素環基を表す。）
3. 前記式（１）で表されるナフタセン骨格を有する化合物におけるＱ^１、Ｑ^２、Ｑ^３及びＱ^４の少なくとも１つが置換もしくは無置換の核炭素数６〜３０のアリール基である請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
4. 前記式（１）で表されるナフタセン骨格を有する化合物が下記式（２）で表される請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   

   

   （式（２）中、Ｑ^３〜Ｑ^１２、Ｑ^１０１〜Ｑ^１０５、Ｑ^２０１〜Ｑ^２０５は、それぞれ独立に、前記式（１）のＱ^３〜Ｑ^１２と同じ基を表し、隣接する２個以上の基が互いに結合して環を形成してもよい。）
5. 前記界面層と前記正孔輸送層の間に正孔注入層を含む請求項１〜４のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
6. 前記界面層の厚みが２０ｎｍ以下である請求項１〜５のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
7. 白色光を発する請求項１〜６のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
8. 請求項１〜７のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を含んで構成される表示装置。

Images