JP5308108B2 - Circuit device manufacturing method - Google Patents

Circuit device manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP5308108B2
JP5308108B2 JP2008233781A JP2008233781A JP5308108B2 JP 5308108 B2 JP5308108 B2 JP 5308108B2 JP 2008233781 A JP2008233781 A JP 2008233781A JP 2008233781 A JP2008233781 A JP 2008233781A JP 5308108 B2 JP5308108 B2 JP 5308108B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit board
resin
mold
sealing resin
resin sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008233781A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2010067852A (en
Inventor
昌巳 茂木
優 金久保
勝義 三野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Components Industries LLC
Original Assignee
Semiconductor Components Industries LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Components Industries LLC filed Critical Semiconductor Components Industries LLC
Priority to JP2008233781A priority Critical patent/JP5308108B2/en
Priority to US12/557,882 priority patent/US8084301B2/en
Publication of JP2010067852A publication Critical patent/JP2010067852A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5308108B2 publication Critical patent/JP5308108B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/2612Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate

Landscapes

  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

本発明は回路装置の製造方法に関し、特に、比較的大型の回路基板の下面も含めて樹脂封止する回路装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a circuit device, and more particularly, to a method for manufacturing a circuit device that is resin-sealed including the lower surface of a relatively large circuit board.

トランジスタやチップ素子から成る混成集積回路が上面に組み込まれた回路基板を封止する方法としては、ケース材を用いた封止方法と、樹脂により樹脂封止する方法が有る。   As a method for sealing a circuit board in which a hybrid integrated circuit including transistors and chip elements is incorporated on the upper surface, there are a sealing method using a case material and a resin sealing method using a resin.

ケース材を用いた場合では、中空部を備えた蓋状のケース材を回路基板に嵌合させることで、回路基板の上面に形成された混成集積回路を、ケース材の中空部に収納する。   In the case of using the case material, the hybrid integrated circuit formed on the upper surface of the circuit board is accommodated in the hollow part of the case material by fitting the lid-like case material provided with the hollow part to the circuit board.

樹脂封止が採用された場合は、金型を用いた射出成形により回路基板の上面に形成された混成集積回路が被覆される。図6(A)を参照して、樹脂封止された混成集積回路装置100の構成を説明する。混成集積回路100では、先ず、アルミニウム等の金属から成る回路基板101の上面が全面的に絶縁層102により被覆されている。そして、絶縁層102の上面に形成された導電パターン103に回路素子が接続されて所定の混成集積回路が構成されている。回路基板101の上面に配置される素子としては、金属細線107により接続された半導体素子105Aとチップ素子105Bが図示されている。回路基板101の端部では、パッド状の導電パターン103にリード104が固着されている。   When resin sealing is employed, the hybrid integrated circuit formed on the upper surface of the circuit board is covered by injection molding using a mold. With reference to FIG. 6A, the structure of the hybrid integrated circuit device 100 sealed with resin will be described. In the hybrid integrated circuit 100, first, the upper surface of the circuit board 101 made of a metal such as aluminum is entirely covered with the insulating layer 102. A circuit element is connected to the conductive pattern 103 formed on the upper surface of the insulating layer 102 to constitute a predetermined hybrid integrated circuit. As elements disposed on the upper surface of the circuit board 101, a semiconductor element 105A and a chip element 105B connected by a thin metal wire 107 are illustrated. A lead 104 is fixed to the pad-like conductive pattern 103 at the end of the circuit board 101.

封止樹脂106は熱可塑性樹脂であり、回路基板101の上面、側面および下面を被覆している。ここで、回路基板101の上面に形成された回路素子から発生した熱を、回路基板101を経由して良好に外部に放出させるためには、回路基板101の下面を被覆する封止樹脂106を薄くすることが有効である。しかしながら、回路基板101の下面を被覆する封止樹脂106の厚みを例えば0.5mm程度に薄く設定すると、回路基板101の下面が部分的に封止樹脂106により被覆されない問題が発生する。この理由は、金型を用いて封止樹脂106を射出成形する工程にて、回路基板101の下面と金型の内壁下面との間隙が狭くなり、この間隙に十分に封止樹脂が行き渡らなくなるからである。   The sealing resin 106 is a thermoplastic resin, and covers the upper surface, side surface, and lower surface of the circuit board 101. Here, in order to release heat generated from the circuit elements formed on the upper surface of the circuit board 101 to the outside through the circuit board 101, a sealing resin 106 that covers the lower surface of the circuit board 101 is used. Thinning is effective. However, if the thickness of the sealing resin 106 that covers the lower surface of the circuit board 101 is set to be as thin as, for example, about 0.5 mm, there arises a problem that the lower surface of the circuit board 101 is not partially covered with the sealing resin 106. This is because the gap between the lower surface of the circuit board 101 and the lower surface of the inner wall of the mold is narrowed in the step of injection molding the sealing resin 106 using a mold, and the sealing resin does not sufficiently reach the gap. Because.

この問題を回避するための方法を、図6(B)を参照して説明する(下記特許文献1)。ここでは、支持部材110により回路基板101を下面から支持した状態でインジェクションモールドを行っている。具体的には、支持部材101は熱可塑性樹脂から成り、内側の面は回路基板101の下面および側面の一部に当接するサイズである。また、支持部材101の外側の面は金型112の内壁下面および側面に接触する大きさとなっている。従って、支持部材110により支持された状態の回路基板101を金型112のキャビティ114に収納させると、回路基板101の下面と金型112の内壁下面との間隙に支持部材110が位置する。この状態で、熱可塑性樹脂をキャビティ114に注入することにより、回路基板101の樹脂封止が行われる。この方法によると、回路基板101の下面と金型112の内壁下面との間隙には支持部材110が位置しており、この間隙に液状の熱硬化性樹脂を注入する必要がないので、回路基板101の下面が部分的に被覆されないことによるボイドの発生が防止される。また、樹脂封止時の注入圧から金属細線等を保護するために、回路素子が被覆されるように回路基板101の上面にポッティング樹脂120が形成されている。
特許第3316449号公報
A method for avoiding this problem will be described with reference to FIG. 6B (Patent Document 1 below). Here, the injection molding is performed with the support member 110 supporting the circuit board 101 from the lower surface. Specifically, the support member 101 is made of a thermoplastic resin, and the inner surface has a size that comes into contact with the lower surface and part of the side surface of the circuit board 101. Further, the outer surface of the support member 101 is in contact with the inner wall lower surface and side surfaces of the mold 112. Therefore, when the circuit board 101 supported by the support member 110 is stored in the cavity 114 of the mold 112, the support member 110 is positioned in the gap between the lower surface of the circuit board 101 and the lower surface of the inner wall of the mold 112. In this state, the circuit board 101 is resin-sealed by injecting a thermoplastic resin into the cavity 114. According to this method, since the support member 110 is located in the gap between the lower surface of the circuit board 101 and the lower surface of the inner wall of the mold 112, it is not necessary to inject liquid thermosetting resin into the gap. Generation of voids due to the lower surface of 101 not being partially covered is prevented. In addition, a potting resin 120 is formed on the upper surface of the circuit board 101 so as to cover the circuit elements in order to protect the fine metal wires and the like from the injection pressure during resin sealing.
Japanese Patent No. 3316449

モールド金型を使用した封止樹脂の形成方法としては、上記したインジェクションモールドの他にもトランスファーモールドがあり、このトランスファーモールドではエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂により、回路基板101の上面、側面および下面が被覆される。近年に於いてはインジェクションモールドよりもトランスファーモールドの方が多用されている。その理由は、インジェクションモールドよりもトランスファーモールドの方が、低温且つ低圧にて樹脂封止を行うので、半導体素子等の回路素子に与える悪影響が小さいからである。   As a method for forming a sealing resin using a mold, there is a transfer mold in addition to the above-described injection mold. In this transfer mold, the upper surface, side surfaces and side surfaces of the circuit board 101 are formed by a thermosetting resin such as an epoxy resin. The lower surface is covered. In recent years, transfer molds are more frequently used than injection molds. The reason is that the transfer mold performs the resin sealing at a low temperature and a low pressure rather than the injection mold, and therefore has less adverse effect on circuit elements such as semiconductor elements.

トランスファーモールドも、図6(B)に示したような金型112を使用して樹脂封止を行う。従って、回路基板101の下面を被覆する封止樹脂を薄くすると、金型112の内壁下面と回路基板101の下面との間隙に封止樹脂が充填されない恐れがある。また、上記した特許文献1に記載された技術は、PPS(ポリフェニレンスルファイド)等の熱可塑性樹脂を用いたインジェクションモールドにより回路基板101を樹脂封止するためのものである。従って、インジェクションモールドに使用される熱可塑性樹脂と、トランスファーモールドに使用される熱硬化性樹脂とは性質が大きく異なるので、インジェクションモールドに関する特許文献1に記載された技術をトランスファーモールドに適用させることは困難である。   The transfer mold is also resin-sealed using a mold 112 as shown in FIG. Therefore, if the sealing resin that covers the lower surface of the circuit board 101 is made thinner, the gap between the inner wall lower surface of the mold 112 and the lower surface of the circuit board 101 may not be filled. The technique described in Patent Document 1 described above is for resin-sealing the circuit board 101 by an injection mold using a thermoplastic resin such as PPS (polyphenylene sulfide). Therefore, the thermoplastic resin used in the injection mold and the thermosetting resin used in the transfer mold are greatly different in nature, so that the technique described in Patent Document 1 relating to the injection mold can be applied to the transfer mold. Have difficulty.

本発明は上記した問題点を鑑みて成されたものであり、熱硬化性樹脂から成る封止樹脂により一体的に回路基板を封止し、更に、回路基板の下面を薄く封止樹脂により被覆する回路装置の製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-described problems. The circuit board is integrally sealed with a sealing resin made of a thermosetting resin, and the lower surface of the circuit board is thinly covered with the sealing resin. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a circuit device.

本発明の回路装置の製造方法は、導電パターンおよび回路素子から成る混成集積回路を回路基板の上面に組み込む工程と、前記回路基板をモールド金型のキャビティに収納させて、前記キャビティに封止樹脂を注入することで、前記回路基板の上面、側面および下面を、熱硬化性樹脂を含む封止樹脂により封止する工程と、を備え、前記封止する工程では、熱硬化性樹脂を含む樹脂シートを、前記回路基板と前記モールド金型の内壁下面との間に介在させ、溶融した前記樹脂シートにより前記回路基板の下面を被覆し、前記封止する工程では、前記回路基板の対向する側辺から導出されるリードを前記モールド金型で狭持することにより、前記樹脂シートが前記回路基板の下面に押圧された状態で固定され、溶融した前記樹脂シートから成る封止樹脂により前記回路基板の下面が被覆される厚さは、前記樹脂シートよりも薄いことを特徴とする。
The method of manufacturing a circuit device according to the present invention includes a step of incorporating a hybrid integrated circuit comprising a conductive pattern and a circuit element on the upper surface of a circuit board, and housing the circuit board in a cavity of a mold, and sealing resin in the cavity. Sealing the upper surface, the side surface, and the lower surface of the circuit board with a sealing resin containing a thermosetting resin, and in the sealing step, the resin containing the thermosetting resin In the step of interposing the sheet between the circuit board and the lower surface of the inner wall of the mold, covering the lower surface of the circuit board with the molten resin sheet, and sealing, the opposite side of the circuit board The resin sheet is fixed in a state of being pressed against the lower surface of the circuit board by sandwiching the lead led out from the side with the mold, and is composed of the molten resin sheet Thickness lower surface of the circuit board is covered by a sealing resin, characterized in that thinner than the resin sheet.

本発明によれば、熱硬化性樹脂を含む薄い樹脂シートを、回路基板の下面とモールド金型の内壁下面との間隙に介在させた状態で、トランスファーモールドを行っている。従って、回路基板の下面とモールド金型の内壁下面との間隙に、溶融して加熱硬化した樹脂シートが充填されるので、加熱硬化された樹脂シートにより回路基板の下面を薄く被覆することができる。   According to the present invention, transfer molding is performed in a state where a thin resin sheet containing a thermosetting resin is interposed in the gap between the lower surface of the circuit board and the lower surface of the inner wall of the mold. Therefore, the gap between the lower surface of the circuit board and the lower surface of the inner wall of the mold is filled with the molten and heat-cured resin sheet, so that the lower surface of the circuit board can be thinly covered with the heat-cured resin sheet. .

更に本発明は、モールドに使用される金型の形状を変更しないため、既存の金型をそのまま使用することができるので、本発明を採用することによるコスト増加は小さい。   Furthermore, since the present invention does not change the shape of the mold used for the mold, the existing mold can be used as it is, so that the cost increase by adopting the present invention is small.

図1を参照して、本発明の回路装置の製造方法により製造される混成集積回路装置10の構成を説明する。図1(A)は混成集積回路装置10の斜視図であり、図1(B)は図1(A)のX−X’線に於ける断面図であり、図1(C)は樹脂の構成を説明するための断面図である。   With reference to FIG. 1, the structure of the hybrid integrated circuit device 10 manufactured by the method for manufacturing a circuit device of the present invention will be described. 1A is a perspective view of the hybrid integrated circuit device 10, FIG. 1B is a sectional view taken along line XX ′ of FIG. 1A, and FIG. It is sectional drawing for demonstrating a structure.

図1(A)および図1(B)を参照して、混成集積回路装置10では、回路基板12の上面に、導電パターン16と回路素子から成る混成集積回路が構築され、この回路と接続されたリード17が外部に導出している。更に、回路基板12の上面に構築された混成集積回路、回路基板12の上面、側面および下面は、熱硬化性樹脂から成る封止樹脂14により一体的に被覆されている。   1A and 1B, in the hybrid integrated circuit device 10, a hybrid integrated circuit including a conductive pattern 16 and circuit elements is constructed on the upper surface of the circuit board 12, and is connected to this circuit. The lead 17 is led out to the outside. Furthermore, the hybrid integrated circuit constructed on the upper surface of the circuit board 12 and the upper surface, side surface and lower surface of the circuit board 12 are integrally covered with a sealing resin 14 made of a thermosetting resin.

回路基板12は、アルミニウムや銅等の金属から成る基板である。回路基板12の材料としてアルミニウムが採用されると、回路基板12の上面および下面は陽極酸化膜(アルマイト膜)により被覆される。回路基板12の具体的な大きさは、例えば縦×横×厚さ=61mm×42.5mm×1.5mm程度である。ここで、回路基板12の材料として金属以外が採用されても良く、例えば、セラミックや樹脂材料が回路基板12の材料として採用されても良い。   The circuit board 12 is a board made of a metal such as aluminum or copper. When aluminum is employed as the material of the circuit board 12, the upper and lower surfaces of the circuit board 12 are covered with an anodized film (alumite film). The specific size of the circuit board 12 is, for example, about vertical × horizontal × thickness = 61 mm × 42.5 mm × 1.5 mm. Here, a material other than metal may be employed as the material of the circuit board 12, and for example, ceramic or resin material may be employed as the material of the circuit board 12.

回路基板12の側面は、ここでは上面に対して垂直な面を呈しているが、上面に対して傾斜した傾斜面でも良い。回路基板12の側面が傾斜面から成る場合は、回路基板の上面から連続して下方に傾斜する第1傾斜面と、回路基板の下面から連続して上方に傾斜する第2傾斜面が設けられる。   Here, the side surface of the circuit board 12 is a surface perpendicular to the upper surface, but may be an inclined surface inclined with respect to the upper surface. When the side surface of the circuit board 12 is an inclined surface, a first inclined surface that is continuously inclined downward from the upper surface of the circuit board and a second inclined surface that is continuously inclined upward from the lower surface of the circuit board are provided. .

絶縁層18は、回路基板12の表面全域を覆うように形成されている。絶縁層18は、フィラーが高充填されたエポキシ樹脂から成る。フィラーが充填されることにより、絶縁層18の熱抵抗が低減されているので、内蔵される回路素子から発生した熱は、絶縁層18を経由して良好に回路基板12に伝導される。   The insulating layer 18 is formed so as to cover the entire surface of the circuit board 12. The insulating layer 18 is made of an epoxy resin highly filled with a filler. Since the thermal resistance of the insulating layer 18 is reduced by filling the filler, the heat generated from the built-in circuit element is favorably conducted to the circuit board 12 via the insulating layer 18.

導電パターン16は厚みが50μm程度の銅等の金属膜から成り、所定の電気回路が実現されるように絶縁層18の表面に形成される。また、リード17が導出する辺に、導電パターン16からなるパッドが形成される。   The conductive pattern 16 is made of a metal film such as copper having a thickness of about 50 μm, and is formed on the surface of the insulating layer 18 so as to realize a predetermined electric circuit. A pad made of the conductive pattern 16 is formed on the side where the lead 17 is led out.

半導体素子20Aおよびチップ素子20Bの回路素子は、半田等の接合材を介して、導電パターン16の所定の箇所に固着されている。半導体素子20Aとしては、トランジスタ、LSIチップ、ダイオード等が採用される。ここでは、半導体素子20Aと導電パターン16とは、金属細線22を介して接続される。チップ素子20Bとしては、チップ抵抗やチップコンデンサ等が採用される。チップ素子20Bの両端の電極は、半田等の接合材を介して導電パターン16に固着されている。更にまた、樹脂封止型のパッケージ等も、回路素子として導電パターン16に固着することができる。   The circuit elements of the semiconductor element 20A and the chip element 20B are fixed to predetermined portions of the conductive pattern 16 through a bonding material such as solder. As the semiconductor element 20A, a transistor, an LSI chip, a diode, or the like is employed. Here, the semiconductor element 20 </ b> A and the conductive pattern 16 are connected via a fine metal wire 22. A chip resistor, a chip capacitor, or the like is employed as the chip element 20B. The electrodes at both ends of the chip element 20B are fixed to the conductive pattern 16 via a bonding material such as solder. Furthermore, a resin-sealed package or the like can be fixed to the conductive pattern 16 as a circuit element.

回路素子を接合させる接合材としては、半田または導電性ペースト等が採用される。ここで、半田としては、鉛共晶半田または鉛フリー半田を用いることができる。更にまた、採用される半田としては、封止樹脂14が形成される際の温度(例えば180℃)よりも融点が高い高温半田が採用される。導電性ペーストとしては、Agペースト、Cuペースト等が採用される。   As a bonding material for bonding circuit elements, solder, conductive paste, or the like is employed. Here, as the solder, lead eutectic solder or lead-free solder can be used. Furthermore, as the solder to be employed, high-temperature solder having a melting point higher than the temperature (for example, 180 ° C.) when the sealing resin 14 is formed is employed. As the conductive paste, Ag paste, Cu paste or the like is employed.

リード17は、回路基板12の周辺部に設けられたパッドに固着され、入力信号や出力信号が通過する外部接続端子として機能している。図1(B)を参照すると、回路基板12の対向する2つの辺に沿って多数個のリード17が設けられている。ここで、リード17は回路基板12の4辺から導出させることも可能であり、1つの辺から導出させることも可能である。   The lead 17 is fixed to a pad provided in the peripheral portion of the circuit board 12 and functions as an external connection terminal through which an input signal and an output signal pass. Referring to FIG. 1B, a large number of leads 17 are provided along two opposing sides of the circuit board 12. Here, the lead 17 can be derived from four sides of the circuit board 12 or can be derived from one side.

封止樹脂14は、熱硬化性樹脂を用いるトランスファーモールドにより形成される。図1(B)では、封止樹脂14により、導電パターン16、半導体素子20A、チップ素子20B、金属細線22が封止されている。そして、回路基板12の上面、側面および下面が封止樹脂14により被覆されている。封止樹脂14を構成する熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック・ビフェニール、ジシクロペンタジエン等が採用される。また、封止樹脂14には、熱抵抗の低減等を目的としてフィラーが混入されている。例えば、封止樹脂14に混入されるフィラーの割合は、70重量%以上90重量%以下である。そして、フィラーの種類としては、結晶シリカと破砕シリカの混合物が採用されているが、溶融シリカ、アルミナまたは窒化ケイ素が採用されても良い。更に、混入されるフィラーの平均粒径は、例えば、20μm以上30μm以下である。   The sealing resin 14 is formed by transfer molding using a thermosetting resin. In FIG. 1B, the conductive pattern 16, the semiconductor element 20 </ b> A, the chip element 20 </ b> B, and the metal thin wire 22 are sealed with the sealing resin 14. The upper surface, side surfaces, and lower surface of the circuit board 12 are covered with the sealing resin 14. As the thermosetting resin constituting the sealing resin 14, epoxy resin, orthocresol novolak biphenyl, dicyclopentadiene, or the like is employed. Further, a filler is mixed in the sealing resin 14 for the purpose of reducing thermal resistance or the like. For example, the ratio of the filler mixed in the sealing resin 14 is 70% by weight or more and 90% by weight or less. And as a kind of filler, although the mixture of crystalline silica and crushed silica is adopted, fused silica, alumina, or silicon nitride may be adopted. Furthermore, the average particle diameter of the filler to be mixed is, for example, 20 μm or more and 30 μm or less.

図1(C)を参照して、封止樹脂14に関して更に説明する。封止樹脂14は、第1封止樹脂14Aと、第2封止樹脂14Bとから成る。紙面では、第1封止樹脂14Aと第2封止樹脂14Bとの境界が描かれているが、実際の回路装置では両者は一体化している。詳細は下記するが、第1封止樹脂14Aは金型のキャビティに液状の樹脂を注入することで形成され、第2封止樹脂14Bは回路基板12の下面に配置された樹脂シートを溶融することで形成される。回路基板12の下面を被覆する第2封止樹脂14Bの厚みT1は、例えば0.1mm以上0.3mm以下であり非常に薄い。薄い第2封止樹脂14Bは熱抵抗も小さくなるので、半導体素子等の回路素子から放出された熱は、回路基板12および第2封止樹脂14Bを経由して良好に外部に放出される。   The sealing resin 14 will be further described with reference to FIG. The sealing resin 14 includes a first sealing resin 14A and a second sealing resin 14B. On the paper surface, the boundary between the first sealing resin 14A and the second sealing resin 14B is drawn, but both are integrated in an actual circuit device. As described in detail below, the first sealing resin 14A is formed by injecting a liquid resin into the cavity of the mold, and the second sealing resin 14B melts the resin sheet disposed on the lower surface of the circuit board 12. Is formed. The thickness T1 of the second sealing resin 14B that covers the lower surface of the circuit board 12 is, for example, 0.1 mm or more and 0.3 mm or less and is very thin. Since the thin second sealing resin 14B has a small thermal resistance, the heat released from the circuit element such as a semiconductor element is favorably released to the outside through the circuit board 12 and the second sealing resin 14B.

本実施の形態では、第2封止樹脂14Bに含まれるフィラーは、第1封止樹脂14Aに含まれるフィラーよりも均一に分散した状態となっている。具体的には、第1封止樹脂14Aは、金型のキャビティに液状の樹脂を注入することにより形成される。従って、液状の熱硬化性樹脂の流動が阻まれる領域では、フィラーが滞留して比較的密な状態となる。例えば、チップ素子20Bや半導体素子20Aが配置された領域A1では、液状の封止樹脂の流動がこれらの素子により阻まれて、フィラーが密な状態となる。一方、半導体素子等の回路素子が配置されていない領域A2では、封止樹脂の流動が良好であるので、領域A1よりも比較的疎にフィラーが配置される。   In the present embodiment, the filler contained in the second sealing resin 14B is in a state of being more uniformly dispersed than the filler contained in the first sealing resin 14A. Specifically, the first sealing resin 14A is formed by injecting a liquid resin into the mold cavity. Accordingly, in the region where the flow of the liquid thermosetting resin is blocked, the filler stays and becomes relatively dense. For example, in the region A1 where the chip element 20B and the semiconductor element 20A are disposed, the flow of the liquid sealing resin is blocked by these elements, and the filler is in a dense state. On the other hand, in the area A2 where circuit elements such as semiconductor elements are not arranged, the flow of the sealing resin is good, and therefore the filler is arranged relatively sparser than the area A1.

一方、回路基板12の下面を被覆する第2封止樹脂14Bは、射出成形により形成されるのではなく、回路基板12の下面に配置された樹脂シートを溶融して加熱硬化することで形成される。従って、第2封止樹脂14Bは樹脂封止の工程にて基本的には流動しないので、第2封止樹脂14B全域にわたり比較的均一にフィラーが充填される。このことにより、第2封止樹脂14Bの熱抵抗が全体にわたり均一となるので、回路基板12下面からの放熱が全体的に良好となる。   On the other hand, the second sealing resin 14B that covers the lower surface of the circuit board 12 is not formed by injection molding, but is formed by melting and heat-curing a resin sheet disposed on the lower surface of the circuit board 12. The Accordingly, the second sealing resin 14B basically does not flow in the resin sealing step, and therefore the filler is filled relatively uniformly over the entire area of the second sealing resin 14B. As a result, the thermal resistance of the second sealing resin 14B is uniform over the entire area, so that heat dissipation from the lower surface of the circuit board 12 is improved overall.

図1(C)を参照すると、回路基板12の下面全面と側面の下部の一部が、第2封止樹脂14Bにより被覆されているが、回路基板12の下面のみが第2封止樹脂14Bにより被覆され、回路基板12の側面および上面は第1封止樹脂14Aにより被覆されても良い。更には、回路基板12の下面の中心部付近が第2封止樹脂14Bにより被覆され、回路基板12の上面、側面及び下面の周辺部が第1封止樹脂14Aにより被覆されても良い。   Referring to FIG. 1C, the entire lower surface of the circuit board 12 and a part of the lower part of the side surface are covered with the second sealing resin 14B, but only the lower surface of the circuit board 12 is the second sealing resin 14B. The side surface and the upper surface of the circuit board 12 may be covered with the first sealing resin 14A. Furthermore, the vicinity of the center portion of the lower surface of the circuit board 12 may be covered with the second sealing resin 14B, and the peripheral portions of the upper surface, the side surface, and the lower surface of the circuit board 12 may be covered with the first sealing resin 14A.

図2から図5を参照して、上記した構成の混成集積回路装置の製造方法を説明する。   A method of manufacturing the hybrid integrated circuit device having the above configuration will be described with reference to FIGS.

図2を参照して、先ず、上面に混成集積回路が組み込まれた回路基板12を金型30のキャビティ36の内部に収納させる。図2(A)は本工程を示す平面図であり、図2(B)は図2(A)のB−B’線に於ける断面図であり、図2(C)は図2(A)のC−C’線における断面図である。   With reference to FIG. 2, first, the circuit board 12 in which the hybrid integrated circuit is incorporated on the upper surface is accommodated in the cavity 36 of the mold 30. 2A is a plan view showing this step, FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG. 2A, and FIG. 2C is FIG. Is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of FIG.

図2(A)および図2(B)を参照して、アルミニウム等の金属から成る矩形形状の回路基板12の上面には、エッチングにより所定形状とされた導電パターン16が形成されている。そして、導電パターン16の所定位置に、半導体素子20Aおよびチップ素子20Bを固着して混成集積回路が形成されている。また、図2(A)に示すように、回路基板12の上下側辺に沿って、パッド状の導電パターンに複数個のリード17が固着されている。   2A and 2B, a conductive pattern 16 having a predetermined shape is formed by etching on the upper surface of a rectangular circuit board 12 made of a metal such as aluminum. Then, a hybrid integrated circuit is formed by fixing the semiconductor element 20 </ b> A and the chip element 20 </ b> B at predetermined positions of the conductive pattern 16. Further, as shown in FIG. 2A, a plurality of leads 17 are fixed to the pad-like conductive pattern along the upper and lower sides of the circuit board 12.

図2(B)を参照して、ここでは、樹脂シート42を下金型34に載置した後に、この樹脂シート42の上面に回路基板12を載置している。そして、上金型32と下金型34とを当接させることで、キャビティ36の内部に回路基板12が収納される。また、回路基板12の両側辺から導出するリード17は、上金型32と下金型34に狭持されて固定されている。この様に上下金型によりリード17が狭持されることにより、キャビティ36の内部における回路基板12の上下方向および左右方向の位置が固定されている。尚、この工程の初期段階に於いては、樹脂シート42は、粒状の熱硬化性樹脂が加圧加工された固体の状態である。また、金型30には不図示のヒータが装備されており、樹脂シート42が溶融して加熱硬化する温度(例えば170℃以上)に金型30は加熱されている。この金型30の加熱は、樹脂シート42を載置する前から開始しても良いし、樹脂シート42を載置して後から開始しても良い。   Referring to FIG. 2B, here, after the resin sheet 42 is placed on the lower mold 34, the circuit board 12 is placed on the upper surface of the resin sheet 42. The circuit board 12 is accommodated in the cavity 36 by bringing the upper mold 32 and the lower mold 34 into contact with each other. Further, the leads 17 led out from both sides of the circuit board 12 are sandwiched and fixed between the upper mold 32 and the lower mold 34. In this manner, the leads 17 are held between the upper and lower molds, so that the vertical and horizontal positions of the circuit board 12 in the cavity 36 are fixed. In the initial stage of this process, the resin sheet 42 is in a solid state in which a granular thermosetting resin is pressed. The mold 30 is equipped with a heater (not shown), and the mold 30 is heated to a temperature (for example, 170 ° C. or higher) at which the resin sheet 42 is melted and heat-cured. The heating of the mold 30 may be started before the resin sheet 42 is placed, or may be started after the resin sheet 42 is placed.

図2(A)を参照して、金型30の構成を説明する。金型30は、キャビティ36にランナー38を経由して複数のポッドが連通した構成と成っている。ここでは、1つのキャビティ36に、ランナー38を経由して3つのポッド40A、40B、40Cが直列に連通している。ポッド40A、40B、40Cは、円柱状の熱硬化性樹脂から成るペレットが収納される空間である。ランナー38は、ペレットが溶融された液状の封止樹脂がポッドからキャビティ36のゲート44に輸送される経路である。封止樹脂の注入口であるゲート44に対向するキャビティ36の側壁にはエアベント46が2つ設けられている。エアベント46は、ゲート44から封止樹脂がキャビティ36に注入されたときに、キャビティ36の空気を外部に逃がす経路である。   With reference to FIG. 2 (A), the structure of the metal mold | die 30 is demonstrated. The mold 30 has a configuration in which a plurality of pods communicate with a cavity 36 via a runner 38. Here, three pods 40 </ b> A, 40 </ b> B, 40 </ b> C communicate with one cavity 36 in series via a runner 38. The pods 40A, 40B, and 40C are spaces in which pellets made of a columnar thermosetting resin are stored. The runner 38 is a path through which the liquid sealing resin in which the pellets are melted is transported from the pod to the gate 44 of the cavity 36. Two air vents 46 are provided on the side wall of the cavity 36 facing the gate 44 which is an inlet for the sealing resin. The air vent 46 is a path for releasing the air in the cavity 36 to the outside when the sealing resin is injected from the gate 44 into the cavity 36.

図2(C)を参照すると、下金型34の一部を空洞化させることでポッド40Aが設けられており、この構成はポッド40B、40Cも同様である。ここで、ポッド40A等は上金型32に設けられても良い。   Referring to FIG. 2C, a pod 40A is provided by hollowing a part of the lower mold 34, and this configuration is the same for the pods 40B and 40C. Here, the pod 40 </ b> A and the like may be provided in the upper mold 32.

図3を参照して、次に、樹脂シート42を溶融させて回路基板12の下面を薄く封止樹脂により被覆する。図3(A)は本工程を示す断面図であり、図3(B)は樹脂シート42が溶融する前の状態を示す拡大断面図であり、図3(C)は樹脂シート42が溶融した後の状態を示す拡大断面図である。   Referring to FIG. 3, next, the resin sheet 42 is melted, and the lower surface of the circuit board 12 is thinly covered with a sealing resin. FIG. 3A is a cross-sectional view showing this process, FIG. 3B is an enlarged cross-sectional view showing a state before the resin sheet 42 is melted, and FIG. 3C is a view when the resin sheet 42 is melted. It is an expanded sectional view showing a back state.

ここで、回路基板12の下面を被覆する樹脂シート42に関して説明する。樹脂シート42は、溶融して加熱硬化されることで、回路基板12を被覆する封止樹脂の一部を成すものである。具体的には、樹脂シート42は、フィラーや硬化剤等が添加された粉末状の熱硬化性樹脂を所定形状のシート状に加圧成型されている。樹脂シート42の組成としては、金型のキャビティ36に注入される封止樹脂と同様でも良いし、異なっても良い。樹脂シート42の具体的な組成としては、上記した封止樹脂と同様であり、フィラーや硬化剤等が添加された熱硬化性樹脂が粒状に成形されたものである。ここで、熱硬化性樹脂は直径が1mm以下の粒状とされている。   Here, the resin sheet 42 that covers the lower surface of the circuit board 12 will be described. The resin sheet 42 forms part of the sealing resin that covers the circuit board 12 by being melted and heat-cured. Specifically, the resin sheet 42 is pressure-molded into a sheet shape having a predetermined shape by using a powdery thermosetting resin to which a filler, a curing agent, or the like is added. The composition of the resin sheet 42 may be the same as or different from the sealing resin injected into the mold cavity 36. The specific composition of the resin sheet 42 is the same as that of the sealing resin described above, and is formed by granulating a thermosetting resin to which a filler, a curing agent, or the like is added. Here, the thermosetting resin is granular with a diameter of 1 mm or less.

また、樹脂シート42は極めて高い圧力にて常温で加圧成形されるので、充填率(樹脂シート42の全体に対して樹脂粉等の構成要素が占める体積割合)は99%程度であり、後に説明するタブレットよりも高い。従って、樹脂シート42に含まれる空気は極めて少量であるので、この樹脂シート42を被覆する封止樹脂にボイドが発生することが抑止される。   In addition, since the resin sheet 42 is pressure-molded at a normal temperature at an extremely high pressure, the filling rate (volume ratio occupied by components such as resin powder with respect to the entire resin sheet 42) is about 99%. Higher than the tablet described. Therefore, since the air contained in the resin sheet 42 is very small, generation of voids in the sealing resin that covers the resin sheet 42 is suppressed.

図3(B)を参照して、樹脂シート42の厚みT2は、製造される混成集積回路装置10にて回路基板12の下面を被覆する封止樹脂の厚み(図1(C)に示したT1)よりも厚く形成されている。具体的には、図1(C)に示した封止樹脂の厚みT1が0.1mm以上0.3mm以下の場合は、樹脂シート42の厚さT2は0.5mm以上0.6mm以下に設定される。一方、上記したように、キャビティ36の内部に於ける回路基板12の位置は、金型によりリード17が狭持されることで固定される。従って、リード17の形状および位置は、回路基板12の下面と下金型34の内壁上面との距離が、T1(図1(C)参照)と成るように設定されている。このことから、下金型34に樹脂シート42と回路基板12とを重畳して載置して、金型30によりリード17を狭持すると、上方から下方に押し曲げる応力によりリード17が弾性変形し、結果的に回路基板12の下面により樹脂シート42が下金型34に押しつけられて固定される。この図では、金型により狭持されることで、弾性変形したリード17の状態を示している。   Referring to FIG. 3B, the thickness T2 of the resin sheet 42 is the thickness of the sealing resin that covers the lower surface of the circuit board 12 in the manufactured hybrid integrated circuit device 10 (shown in FIG. 1C). It is formed thicker than T1). Specifically, when the thickness T1 of the sealing resin shown in FIG. 1C is 0.1 mm to 0.3 mm, the thickness T2 of the resin sheet 42 is set to 0.5 mm to 0.6 mm. Is done. On the other hand, as described above, the position of the circuit board 12 inside the cavity 36 is fixed by holding the leads 17 by the mold. Accordingly, the shape and position of the lead 17 are set such that the distance between the lower surface of the circuit board 12 and the upper surface of the inner wall of the lower mold 34 is T1 (see FIG. 1C). For this reason, when the resin sheet 42 and the circuit board 12 are placed on the lower mold 34 so as to overlap each other and the lead 17 is clamped by the mold 30, the lead 17 is elastically deformed by a stress that pushes and bends downward from above. As a result, the resin sheet 42 is pressed against and fixed to the lower mold 34 by the lower surface of the circuit board 12. In this figure, the state of the lead 17 that is elastically deformed by being held by the mold is shown.

金型30は上記したように加熱されているので、時間の経過と共に樹脂シート42は溶融して軟化し、液状又は半固形状の樹脂シート42により回路基板12の下面は被覆される。   Since the mold 30 is heated as described above, the resin sheet 42 is melted and softened over time, and the lower surface of the circuit board 12 is covered with the liquid or semi-solid resin sheet 42.

また、図3(C)を参照して、上記したようにリード17は弾性変形した状態で金型に狭持されているので、樹脂シート42が軟化して支持力を失うと、リード17の形状が元に戻り、回路基板12が下方に沈み込む。そして、回路基板12の沈み込みと共に、軟化した樹脂シート42の一部分は回路基板12の下方から側方へ移動し、回路基板12の側面の下端付近を被覆する。この様に、沈み込んだ回路基板12の下面を被覆する樹脂シート42の厚みT3は、例えば0.1mm以上0.3mm以下であり、図1(C)に示す封止樹脂の厚みT1と同等である。   Further, referring to FIG. 3C, since the lead 17 is elastically deformed and held between the molds as described above, if the resin sheet 42 is softened and loses its supporting force, the lead 17 The shape returns to its original shape, and the circuit board 12 sinks downward. Along with the sinking of the circuit board 12, a part of the softened resin sheet 42 moves from the lower side to the side of the circuit board 12 to cover the vicinity of the lower end of the side surface of the circuit board 12. Thus, the thickness T3 of the resin sheet 42 covering the lower surface of the circuit board 12 that has been sunk is, for example, not less than 0.1 mm and not more than 0.3 mm, and is equal to the thickness T1 of the sealing resin shown in FIG. It is.

また、図3(A)を参照すると、樹脂シート42の平面的な大きさは回路基板12よりも大きく形成され、樹脂シート42の周辺部は回路基板12から側方にはみ出ている。この様に樹脂シート42を回路基板12よりも平面的に大きく形成することで、溶融した樹脂シート42により回路基板12の下面が全面的に被覆されると共に、回路基板12の側面も含めて被覆される。   3A, the planar size of the resin sheet 42 is larger than that of the circuit board 12, and the peripheral portion of the resin sheet 42 protrudes from the circuit board 12 to the side. In this way, the resin sheet 42 is formed to be larger than the circuit board 12 in a plan view so that the lower surface of the circuit board 12 is entirely covered with the molten resin sheet 42 and the side face of the circuit board 12 is also covered. Is done.

ここで、樹脂シート42の平面的な大きさは、樹脂シート42と同等でも良いし、樹脂シート42よりも若干小さくても良い。樹脂シート42が回路基板12よりも小さい場合は、回路基板12の中心部付近が樹脂シート42により被覆され、回路基板12の下面は下金型34から離間された状態となり、後の工程にて注入される樹脂により被覆される。   Here, the planar size of the resin sheet 42 may be equal to the resin sheet 42 or slightly smaller than the resin sheet 42. When the resin sheet 42 is smaller than the circuit board 12, the vicinity of the center portion of the circuit board 12 is covered with the resin sheet 42, and the lower surface of the circuit board 12 is separated from the lower mold 34. It is covered with the injected resin.

図4(A)を参照して、次に、キャビティ36に封止樹脂を注入する。具体的には、下金型34に設けたポッド40Aに、タブレット48を投入して加熱溶融した後に、プランジャー50にてタブレット48を加圧する。タブレット48は、上記した樹脂シート42と同様の組成であり、フィラー等の添加物が混入された粉状の熱硬化性樹脂を筒状に加圧成型したものである。上記したように、金型は170℃程度以上に加熱されているので、ポッド40Aにタブレット48を投入すると、タブレット48は徐々に溶融する。溶融して液状または半固形状の状態となった封止樹脂がランナー38を流通してゲート44を通過した後に、キャビティ36に供給される。以下の説明では、ゲート44から供給される封止樹脂を第1封止樹脂14Aと称し、溶融した樹脂シート42から成る封止樹脂を第2封止樹脂14Bと称する。   Next, referring to FIG. 4A, a sealing resin is injected into the cavity 36. Specifically, the tablet 48 is put into the pod 40 </ b> A provided in the lower mold 34 and heated and melted, and then the tablet 48 is pressurized by the plunger 50. The tablet 48 has the same composition as the resin sheet 42 described above, and is obtained by pressure-molding a powdery thermosetting resin mixed with additives such as a filler into a cylindrical shape. As described above, since the mold is heated to about 170 ° C. or more, when the tablet 48 is put into the pod 40A, the tablet 48 is gradually melted. The sealing resin that has been melted into a liquid or semi-solid state flows through the runner 38 and passes through the gate 44, and then is supplied to the cavity 36. In the following description, the sealing resin supplied from the gate 44 is referred to as a first sealing resin 14A, and the sealing resin composed of the molten resin sheet 42 is referred to as a second sealing resin 14B.

また、図2(A)に示したように、金型には複数個のポッド40A、40B、40Cが設けられており、これら全てのポッドに対して、同時にタブレット48が投入されプランジャー50により加圧される。そして、ポッド40A、40B、40Cからランナー38を経由して第1封止樹脂14Aがキャビティ36に供給される。ゲート44から第1封止樹脂14Aが注入されるに伴い、キャビティ36内部の空気は、エアベント46から外部に放出される。また、回路基板12の上面に配置された導電パターンおよび回路素子は、第1封止樹脂14Aにより被覆される。   Further, as shown in FIG. 2A, the mold is provided with a plurality of pods 40A, 40B, and 40C. A tablet 48 is inserted into all the pods at the same time by the plunger 50. Pressurized. Then, the first sealing resin 14 </ b> A is supplied to the cavity 36 from the pods 40 </ b> A, 40 </ b> B, 40 </ b> C via the runner 38. As the first sealing resin 14 </ b> A is injected from the gate 44, the air inside the cavity 36 is discharged from the air vent 46 to the outside. Further, the conductive pattern and the circuit element arranged on the upper surface of the circuit board 12 are covered with the first sealing resin 14A.

図4(B)を参照して、注入された液状の第1封止樹脂14Aは、キャビティ36に充填される。ここで、金型の温度は、第1封止樹脂14Aが加熱硬化する温度よりも高温となっているので、キャビティ36に充填された第1封止樹脂14Aは時間の経過と共に重合して硬化する。図に示すように、樹脂シート42から成る第2封止樹脂14Bにより回路基板12の下面と側面の下部が被覆されている場合は、回路基板12の上面および側面の上部が第2封止樹脂14Bにより被覆される。一方、第2封止樹脂14Bにより回路基板12の下面のみが被覆される場合は、回路基板12の上面と側面が全面的に第1封止樹脂14Aにより被覆される。また、第2封止樹脂14Bにより回路基板12の中心部付近のみが部分的に被覆される場合は、回路基板12の上面、側面および下面の周辺部が第1封止樹脂14Aにより被覆される。   With reference to FIG. 4B, the injected liquid first sealing resin 14 </ b> A fills the cavity 36. Here, since the temperature of the mold is higher than the temperature at which the first sealing resin 14A is heated and cured, the first sealing resin 14A filled in the cavity 36 is polymerized and cured over time. To do. As shown in the figure, when the lower surface of the circuit board 12 and the lower part of the side surface are covered with the second sealing resin 14B made of the resin sheet 42, the upper surface and the upper part of the side surface of the circuit board 12 are the second sealing resin. 14B. On the other hand, when only the lower surface of the circuit board 12 is covered with the second sealing resin 14B, the upper surface and side surfaces of the circuit board 12 are entirely covered with the first sealing resin 14A. In addition, when only the vicinity of the center portion of the circuit board 12 is partially covered with the second sealing resin 14B, the peripheral portions of the upper surface, the side surface, and the lower surface of the circuit board 12 are covered with the first sealing resin 14A. .

金型にて加熱することにより、第1封止樹脂14Aおよび第2封止樹脂14Bの両方が十分に重合して加熱硬化したら、上金型32と下金型34とを離間させ、成型品である混成集積回路装置を取り出す。その後に、エアベント46およびランナー38に充填された部分の封止樹脂14を、封止樹脂14本体から分離する。   When both the first sealing resin 14A and the second sealing resin 14B are sufficiently polymerized and heated and cured by heating with the mold, the upper mold 32 and the lower mold 34 are separated from each other, and a molded product is obtained. Take out the hybrid integrated circuit device. Thereafter, the portion of the sealing resin 14 filled in the air vent 46 and the runner 38 is separated from the main body of the sealing resin 14.

図4(B)を参照すると、第1封止樹脂14Aと第2封止樹脂との境界が示されている。しかしながら、回路基板12の下面に充填された第2封止樹脂14Bと、ゲート44から注入される第1封止樹脂14Aとは、液状または半固形状の状態で混合されるので、両者は一体化して形成されている。ここで、第1封止樹脂14Aおよび第2封止樹脂14Bが、溶融されてから硬化するまでに必要とされる時間は10秒〜20秒程度である。   Referring to FIG. 4B, the boundary between the first sealing resin 14A and the second sealing resin is shown. However, since the second sealing resin 14B filled in the lower surface of the circuit board 12 and the first sealing resin 14A injected from the gate 44 are mixed in a liquid or semi-solid state, both are integrated. Formed. Here, the time required for the first sealing resin 14A and the second sealing resin 14B to be cured after being melted is approximately 10 seconds to 20 seconds.

本工程では、樹脂シート42を溶融させた第2封止樹脂14Bを、ゲート44から注入される第1封止樹脂14Aよりも先に加熱硬化させている。この様にすることで、回路基板12の大部分を被覆する第1封止樹脂14Aの硬化収縮により、第1封止樹脂14Aと第2封止樹脂14Bとの境界部分に加圧力を加え、この部分の耐湿性を確保することができる。一方、第2封止樹脂14Bが第1封止樹脂14Aよりも後に硬化収縮してしまうと、第2封止樹脂14Bに作用する硬化収縮により、前記境界部分にクラックが発生して耐湿性が劣化してしまう恐れがある。   In this step, the second sealing resin 14B in which the resin sheet 42 is melted is heat-cured before the first sealing resin 14A injected from the gate 44. By doing in this way, pressure is applied to the boundary portion between the first sealing resin 14A and the second sealing resin 14B due to the curing shrinkage of the first sealing resin 14A covering most of the circuit board 12, The moisture resistance of this part can be ensured. On the other hand, if the second sealing resin 14B is cured and contracted after the first sealing resin 14A, cracks are generated in the boundary portion due to the curing contraction acting on the second sealing resin 14B, and moisture resistance is improved. There is a risk of deterioration.

第2封止樹脂14Bを第1封止樹脂14Aよりも先に硬化させる方法としては、これらの樹脂を加熱する時間を調整する方法と、樹脂の組成を調整する方法がある。上記した実施の形態では、第2封止樹脂14Bと成る樹脂シート42を先にキャビティ36の内部にて加熱し、その後に、第1封止樹脂14Aとなるタブレット48をポッド40Aに投入している。また、樹脂の組成を調整する場合は、樹脂シート42に含まれる熱硬化性樹脂として、タブレット48に含まれる熱硬化性樹脂よりも、加熱硬化に必要とされる時間が短いものを採用する。この場合は、樹脂シート42とタブレット48とが加熱され始めるタイミングを同時にしても良い。   As a method of curing the second sealing resin 14B before the first sealing resin 14A, there are a method of adjusting the time for heating these resins and a method of adjusting the composition of the resin. In the above-described embodiment, the resin sheet 42 to be the second sealing resin 14B is first heated inside the cavity 36, and then the tablet 48 to be the first sealing resin 14A is put into the pod 40A. Yes. When adjusting the composition of the resin, a thermosetting resin included in the resin sheet 42 is used that has a shorter time required for heat curing than the thermosetting resin included in the tablet 48. In this case, the timing when the resin sheet 42 and the tablet 48 start to be heated may be simultaneously performed.

図5を参照して、回路基板12を樹脂封止する他の方法を説明する。ここでは、回路基板12の右側の側辺のみに沿ってリード17が固着される回路装置を樹脂封止する方法を説明する。同図を参照して、紙面上にて右側の側面に沿ってリード17が固着されているので、図2(B)を参照して上記したように、リード17を金型30により狭持することで回路基板12の位置を固定することは困難である。ここでは、上金型32の内壁に当接ピン52を設け、この当接ピン52にて回路基板12の上面の左端付近を下方に押圧することにより、回路基板12の位置を固定している。この当接ピン52は、上金型32の内壁に固定されても良いし、上下方向に移動する可動式でもよい。更には、回路基板12の下方に載置された樹脂シート42も、リード17および当接ピン52の押圧力により固定されている。尚、回路基板12を固定する方法以外は、図2から図4を参照した製造方法と同一である。   With reference to FIG. 5, another method for resin-sealing the circuit board 12 will be described. Here, a method of resin-sealing a circuit device to which the leads 17 are fixed only along the right side of the circuit board 12 will be described. Referring to FIG. 2, since lead 17 is fixed along the right side surface on the paper surface, lead 17 is held by mold 30 as described above with reference to FIG. Thus, it is difficult to fix the position of the circuit board 12. Here, a contact pin 52 is provided on the inner wall of the upper mold 32, and the position of the circuit board 12 is fixed by pressing the vicinity of the left end of the upper surface of the circuit board 12 downward with the contact pin 52. . The contact pin 52 may be fixed to the inner wall of the upper mold 32, or may be movable so as to move in the vertical direction. Furthermore, the resin sheet 42 placed below the circuit board 12 is also fixed by the pressing force of the leads 17 and the contact pins 52. The manufacturing method is the same as that shown in FIGS. 2 to 4 except for the method of fixing the circuit board 12.

本発明の回路装置の製造方法により製造される混成集積回路装置を示す図であり、(A)は斜視図であり、(B)および(C)は断面図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows the hybrid integrated circuit device manufactured by the manufacturing method of the circuit device of this invention, (A) is a perspective view, (B) and (C) are sectional drawings. 本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、(A)は平面図であり、(B)および(C)は断面図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the circuit apparatus of this invention, (A) is a top view, (B) and (C) are sectional drawings. 本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、(A)は断面図であり、(B)および(C)は拡大された断面図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the circuit apparatus of this invention, (A) is sectional drawing, (B) And (C) is expanded sectional drawing. 本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、(A)および(B)は断面図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the circuit apparatus of this invention, (A) And (B) is sectional drawing. 本発明の回路装置の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the circuit apparatus of this invention. 従来の混成集積回路装置を示す図であり、(A)および(B)は断面図である。It is a figure which shows the conventional hybrid integrated circuit device, (A) And (B) is sectional drawing.

符号の説明Explanation of symbols

10 混成集積回路装置
12 回路基板
14 封止樹脂
14A 第1封止樹脂
14B 第2封止樹脂
16 導電パターン
17 リード
18 絶縁層
20A 半導体素子
20B チップ素子
22 金属細線
30 金型
32 上金型
34 下金型
36 キャビティ
38 ランナー
40,40A,40B,40C ポッド
42 樹脂シート
44 ゲート
46 エアベント
48 タブレット
50 プランジャー
52 当接ピン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Hybrid integrated circuit device 12 Circuit board 14 Sealing resin 14A First sealing resin 14B Second sealing resin 16 Conductive pattern 17 Lead 18 Insulating layer 20A Semiconductor element 20B Chip element 22 Metal fine wire 30 Mold 32 Upper mold 34 Below Mold 36 Cavity 38 Runner 40, 40A, 40B, 40C Pod 42 Resin sheet 44 Gate 46 Air vent 48 Tablet 50 Plunger 52 Contact pin

Claims (6)

導電パターンおよび回路素子から成る混成集積回路を回路基板の上面に組み込む工程と、
前記回路基板をモールド金型のキャビティに収納させて、前記キャビティに封止樹脂を注入することで、前記回路基板の上面、側面および下面を、熱硬化性樹脂を含む封止樹脂により封止する工程と、を備え、
前記封止する工程では、熱硬化性樹脂を含む樹脂シートを、前記回路基板と前記モールド金型の内壁下面との間に介在させ、溶融した前記樹脂シートにより前記回路基板の下面を被覆し、
前記回路基板の対向する側辺から導出されるリードを前記モールド金型で狭持することにより、前記樹脂シートが前記回路基板の下面に押圧された状態で固定され、
溶融した前記樹脂シートから成る封止樹脂により前記回路基板の下面が被覆される厚さは、前記樹脂シートよりも薄いことを特徴とする回路装置の製造方法。
Incorporating a hybrid integrated circuit comprising conductive patterns and circuit elements on the upper surface of the circuit board;
The circuit board is housed in a cavity of a mold, and a sealing resin is injected into the cavity, thereby sealing the upper surface, the side surface, and the lower surface of the circuit board with a sealing resin containing a thermosetting resin. A process,
In the sealing step, a resin sheet containing a thermosetting resin is interposed between the circuit board and the lower surface of the inner wall of the mold, and the lower surface of the circuit board is covered with the molten resin sheet,
By sandwiching the lead led out from the opposite side of the circuit board with the mold, the resin sheet is fixed in a pressed state on the lower surface of the circuit board,
A method of manufacturing a circuit device, wherein a thickness of a lower surface of the circuit board covered with a sealing resin made of the molten resin sheet is thinner than the resin sheet.
前記封止する工程では、前記樹脂シートを溶融させた後に、前記モールド金型のゲートから前記キャビティに液状の封止樹脂を注入し、
前記樹脂シートを、前記注入される前記封止樹脂よりも先に加熱硬化させることを特徴とする請求項1に記載の回路装置の製造方法。
In the sealing step, after melting the resin sheet, a liquid sealing resin is injected into the cavity from the gate of the mold,
The method for manufacturing a circuit device according to claim 1, wherein the resin sheet is heated and cured before the sealing resin to be injected.
前記樹脂シートは、加熱硬化する前の粉体の前記熱硬化性樹脂を加圧して成形されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の回路装置の製造方法。   The method for manufacturing a circuit device according to claim 1, wherein the resin sheet is formed by pressurizing the thermosetting resin of powder before being heat-cured. 前記モールド金型のゲートから前記キャビティに注入される樹脂と、前記樹脂シートとは組成が同じであることを特徴とする請求項1から請求項3の何れかに記載の回路装置の製造方法。   4. The method of manufacturing a circuit device according to claim 1, wherein the resin injected into the cavity from the gate of the mold and the resin sheet have the same composition. 前記樹脂シートの大きさを前記回路基板よりも大きく形成し、前記回路基板の下面全域を前記樹脂シートにより被覆することを特徴とする請求項1から請求項4の何れかに記載の回路装置の製造方法。   5. The circuit device according to claim 1, wherein a size of the resin sheet is formed larger than that of the circuit board, and an entire lower surface of the circuit board is covered with the resin sheet. Production method. 溶融した前記樹脂シートから成り前記回路基板の下面を被覆する前記封止樹脂に含まれるフィラーは、前記モールド金型のゲートから注入されて前記回路基板の上面を被覆する前記封止樹脂に含まれるフィラーよりも、均一に分散した状態であることを特徴とする請求項1から請求項5の何れかに記載の回路装置の製造方法。
The filler contained in the sealing resin that is made of the molten resin sheet and covers the lower surface of the circuit board is injected from the gate of the mold and is included in the sealing resin that covers the upper surface of the circuit board. 6. The method of manufacturing a circuit device according to claim 1, wherein the circuit device is more uniformly dispersed than the filler.
JP2008233781A 2008-09-11 2008-09-11 Circuit device manufacturing method Active JP5308108B2 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008233781A JP5308108B2 (en) 2008-09-11 2008-09-11 Circuit device manufacturing method
US12/557,882 US8084301B2 (en) 2008-09-11 2009-09-11 Resin sheet, circuit device and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008233781A JP5308108B2 (en) 2008-09-11 2008-09-11 Circuit device manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010067852A JP2010067852A (en) 2010-03-25
JP5308108B2 true JP5308108B2 (en) 2013-10-09

Family

ID=42193172

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008233781A Active JP5308108B2 (en) 2008-09-11 2008-09-11 Circuit device manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5308108B2 (en)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012004435A (en) * 2010-06-18 2012-01-05 On Semiconductor Trading Ltd Method for manufacturing circuit device and resin sealing device
JP5563917B2 (en) 2010-07-22 2014-07-30 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー Circuit device and manufacturing method thereof
JP5607447B2 (en) 2010-07-22 2014-10-15 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー Circuit equipment
KR20130138010A (en) * 2012-06-08 2013-12-18 현대모비스 주식회사 Portable electronic communicating apparatus and method for preparing the same
JP2015215061A (en) * 2014-05-12 2015-12-03 日本精工株式会社 Rolling bearing
CN117334644B (en) * 2023-11-29 2024-02-13 四川弘智远大科技有限公司 Real-time solidification structure of integrated circuit encapsulation

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05102216A (en) * 1991-10-09 1993-04-23 Hitachi Ltd Semiconductor device
JP2781689B2 (en) * 1992-01-22 1998-07-30 九州日本電気株式会社 Method for manufacturing semiconductor device
JP2758769B2 (en) * 1992-02-28 1998-05-28 九州日本電気株式会社 Semiconductor device manufacturing method
JP3455116B2 (en) * 1998-09-30 2003-10-14 株式会社三井ハイテック Method for manufacturing semiconductor device
JP4623871B2 (en) * 2001-06-28 2011-02-02 三洋電機株式会社 Hybrid integrated circuit device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010067852A (en) 2010-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI260036B (en) Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, resin molding die, and semiconductor manufacturing system
KR101316289B1 (en) Circuit apparatus and method for manufacturing the same
US8084301B2 (en) Resin sheet, circuit device and method of manufacturing the same
US8481367B2 (en) Method of manufacturing circuit device
JP5308108B2 (en) Circuit device manufacturing method
KR101323978B1 (en) High thermal performance packaging for circuit dies
JP2004133516A (en) Ic card and its manufacturing method
JP5542318B2 (en) Resin sheet and circuit device manufacturing method using the same
KR20040030659A (en) Chip lead frames
JP5308107B2 (en) Circuit device manufacturing method
JP2011114134A (en) Method of manufacturing circuit device
KR101316273B1 (en) Circuit apparatus
JP3711333B2 (en) Semiconductor device manufacturing method and resin sealing device
JP5313047B2 (en) Mold for resin sealing of electronic parts and resin sealing method
JP2006086337A (en) Resin-sealed electronic device and manufacturing method thereof
JP2010086996A (en) Method of manufacturing circuit device
WO2013061603A1 (en) Circuit device manufacturing method
WO2013076932A1 (en) Production method for circuit device
JP2013105759A (en) Circuit device
JP2013105758A (en) Circuit device and manufacturing method thereof
JP6171920B2 (en) Mold package
CN115335987A (en) Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP2013120914A (en) Manufacturing method of circuit device
JP2010086991A (en) Circuit arrangement and manufacturing method thereof
JP2002083833A (en) Semiconductor device and its manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20110609

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110905

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120725

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120731

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121023

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121128

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130213

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20130215

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130405

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130604

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130628

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5308108

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D04

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250