JP5296978B2 - Solar cell panel manufacturing system and solar cell panel manufacturing method - Google Patents

Solar cell panel manufacturing system and solar cell panel manufacturing method Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the manufacturing system for solar cell panel free from film separation in manufacturing process, and provide the manufacturing method of the solar cell panel. <P>SOLUTION: A temperature difference among the average temperature of a substrate immediately before being supplied into a laser etching device for photoelectric conversion layer, cleaning water temperature in a substrate cleaner immediately before a laser etching device for transparent electrode layer and the cleaning water temperature of the substrate cleaner immediately before a laser etching device for a rear electrode layer is specified not to be larger than &plusmn;10&deg;C. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、太陽電池パネルの製造システム及び太陽電池パネルの製造方法に関する。   The present invention relates to a solar cell panel manufacturing system and a solar cell panel manufacturing method.

太陽電池パネルを製造する太陽電池パネル製造システムが知られている。その太陽電池パネル製造システムによって、透光性基板上に太陽電池膜が積層され、複数の発電セルにパターニングを行い、電気的に直列接続となるように集積化され、更にバックシートや端子箱を取り付けてパネル化されて太陽電池パネルが製造される。このような太陽電池パネル製造システムとしては、例えば、特許文献1に記載されたものを挙げることができる。特許文献1には、各工程機器を直列につなげた太陽電池パネル製造システムが開示されている。   A solar cell panel manufacturing system for manufacturing a solar cell panel is known. By the solar cell panel manufacturing system, a solar cell film is laminated on a translucent substrate, patterned into a plurality of power generation cells, integrated so as to be electrically connected in series, and further backsheets and terminal boxes are installed. A solar cell panel is manufactured by attaching to a panel. Examples of such a solar cell panel manufacturing system include those described in Patent Document 1. Patent Document 1 discloses a solar cell panel manufacturing system in which each process device is connected in series.

太陽電池パネル製造システムに対する要求の一つとして、基板上に積層された太陽電池膜が、製造過程において剥離しないこと、がある。   One of the requirements for the solar cell panel manufacturing system is that the solar cell film laminated on the substrate does not peel off during the manufacturing process.

膜剥離防止には、洗浄工程も重要である。太陽電池パネルは、多くの工程を経て製造される。各処理工程において、異物が被処理基板に付着していると、その部分が短絡欠陥となったり、後工程の製膜の下地に入り込んで剥離の原因となったりする事がある。従って、被処理基板の表面の異物を除去するために、製造途中で洗浄装置による被処理基板の洗浄が行われる。   A cleaning process is also important for preventing film peeling. Solar cell panels are manufactured through many processes. In each processing step, if foreign matter adheres to the substrate to be processed, the portion may become a short-circuit defect or may enter into the base of film formation in a subsequent step and cause peeling. Therefore, in order to remove foreign matter on the surface of the substrate to be processed, the substrate to be processed is cleaned by a cleaning device during the manufacturing process.

洗浄装置や洗浄方法に関する技術としては、特許文献2に記載のものが挙げられる。その特許文献2には、被処理基板を洗浄水に浸漬させるとともに、洗浄水に超音波振動を付与することが記載されている。   As a technique related to the cleaning apparatus and the cleaning method, one described in Patent Document 2 can be cited. Patent Document 2 describes that the substrate to be treated is immersed in cleaning water and that ultrasonic vibration is applied to the cleaning water.

また、特許文献3には、搬送洗浄中に、導電ブラシ機構によって、複数のセルのうちの正極側と負極側のセル又はそれらに近いセル及び周縁領域と摺擦して電気的に導通させることが記載されている。   Further, in Patent Document 3, during transport cleaning, the conductive brush mechanism is slidably electrically connected to the positive electrode side and negative electrode side cells of the plurality of cells or cells close to them and the peripheral region. Is described.

また、特許文献4には、基板上に透明導電膜を堆積して、この透明導電膜をレーザースクライブによって溶断した後に、洗浄を行う事が記載されている。   Patent Document 4 describes that a transparent conductive film is deposited on a substrate and the transparent conductive film is melted by laser scribing and then washed.

しかしながら、上述した洗浄方法を用いた場合、洗浄工程そのものにおいて、太陽電池膜が剥離してしまうことがあった。   However, when the above-described cleaning method is used, the solar cell film may be peeled off in the cleaning process itself.

また、太陽電池膜は、複数層の膜が積層されて形成される。この時、各層を積層する度にエッチングが行われる。ここで、エッチングされる位置が計画した位置からずれていたりすると、その部分では、上層に積層される膜が剥離してしまうことがあった。   The solar cell film is formed by laminating a plurality of layers. At this time, etching is performed each time the layers are stacked. Here, if the etching position deviates from the planned position, the film laminated on the upper layer may be peeled off at that portion.

位置ずれを防止するために、特許文献5には、スクライブ位置のずれ発生から、透明電極をスクライブする工程における基板温度と、半導体層をスクライブする工程における基板温度と、裏面電極をスクライブする工程における基板温度と、を設定値±10℃以内の範囲に調整することが記載されている。   In order to prevent misalignment, Patent Document 5 describes the substrate temperature in the process of scribing the transparent electrode, the substrate temperature in the process of scribing the semiconductor layer, and the process of scribing the back electrode from the occurrence of misalignment of the scribe position. It is described that the substrate temperature is adjusted to a range within a set value ± 10 ° C.

また、特許文献6には、レーザースクライビング加工時の温度を所望の温度にするための技術が記載されている。特許文献6には、レーザースクライビング加工時に、基板支持台に熱気空間形成器によって熱気空間を形成し、その熱気空間形成器中の気体に熱を供給して、基体の温度を規定される温度に加熱することが記載されている。   Patent Document 6 describes a technique for setting the temperature during laser scribing to a desired temperature. In Patent Document 6, a hot air space is formed by a hot air space forming device on a substrate support table during laser scribing, and heat is supplied to the gas in the hot air space forming device so that the temperature of the substrate is regulated. Heating is described.

特開2005−235916号 公報JP 2005-235916 A 特開2001−44466号 公報Japanese Patent Laid-Open No. 2001-44466 特開2001−44467号 公報Japanese Patent Laid-Open No. 2001-44467 特開平9−8337号 公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-8337 特開2000−353816号 公報JP 2000-353816 A 特開2005−203574号 公報JP 2005-203574 A

本発明の目的は、製造工程中の膜剥離が防止された太陽電池パネル製造システム、及び太陽電池パネル製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a solar cell panel manufacturing system and a solar cell panel manufacturing method in which film peeling during the manufacturing process is prevented.

その課題を解決するための手段が、下記のように表現される。その表現中に現れる技術的事項には、括弧()つきで、番号、記号等が添記されている。その番号、記号等は、本発明の実施の複数の形態又は複数の実施例のうちの少なくとも1つの実施の形態又は複数の実施例を構成する技術的事項、特に、その実施の形態又は実施例に対応する図面に表現されている技術的事項に付せられている参照番号、参照記号等に一致している。このような参照番号、参照記号は、請求項記載の技術的事項と実施の形態又は実施例の技術的事項との対応・橋渡しを明確にしている。このような対応・橋渡しは、請求項記載の技術的事項が実施の形態又は実施例の技術的事項に限定されて解釈されることを意味しない。   Means for solving the problem is expressed as follows. Technical matters appearing in the expression are appended with numbers, symbols, etc. in parentheses. The numbers, symbols, and the like are technical matters constituting at least one embodiment or a plurality of embodiments of the present invention or a plurality of embodiments, in particular, the embodiments or examples. This corresponds to the reference numbers, reference symbols, and the like attached to the technical matters expressed in the drawings corresponding to. Such reference numbers and reference symbols clarify the correspondence and bridging between the technical matters described in the claims and the technical matters of the embodiments or examples. Such correspondence or bridging does not mean that the technical matters described in the claims are interpreted as being limited to the technical matters of the embodiments or examples.

本発明にかかる太陽電池パネル製造システム(1)は、透光性基板(2)と、この基板(2)の主面上に形成され、セル分割ライン(3)によって複数の短冊状の発電セル(7)に分割され電気的に直列接続となるように集積化された太陽電池膜(4)と、を有する太陽電池パネル(5)を製造する太陽電池パネル製造システムである。基板(2)の主面上に透明導電層(41)を製膜する透明導電層製膜装置(6)と、透明導電層(41)を、発電セル(7)に対応させてレーザーエッチングする透明導電層用レーザーエッチング装置(8)と、透明導電層(41)上に光電変換層(42)を製膜する光電変換層製膜装置(9)と、光電変換層(42)を、発電セル(7)に対応させてレーザーエッチングする光電変換層用レーザーエッチング装置(10)と、光電変換層(42)上に裏面電極膜(43)を製膜する裏面電極膜製膜装置(11)と、裏面電極膜(43)を、発電セル(7)に対応させてレーザーエッチングする裏面電極用レーザーエッチング装置(12)と、洗浄水を吹き付けて基板を洗浄する複数の基板洗浄器(201)を有する基板洗浄部(20)と、を具備する。基板洗浄部(20)は、透明導電層製膜装置(6)と透明導電層用レーザーエッチング装置(8)との間に配置された第1基板洗浄器(21)と、裏面電極膜製膜装置(11)と裏面電極用レーザーエッチング装置(12)との間に配置された第2基板洗浄器(22)と、光電変換層を製膜後に、光電変換層用レーザーエッチング装置(10)に投入されるまでの間に基板を冷却する冷却部(33)と、各基板洗浄器(201)から搬出された基板(2)が、次の下流側の処理装置に搬入されるまでの間に、基板(2)を自然乾燥させるための自然乾燥区間(32)と、を有し、第1基板洗浄器と第2基板洗浄器は、搬送ローラーによって基板を、前記セル分割ラインの形成される方向と略平行となる方向を搬送方向として搬送する。光電変換層をレーザーエッチングする直前の基板温度を参考にして、第1基板洗浄器(21)の洗浄水温度と、第2基板洗浄器(22)の洗浄水温度を略一定になるように管理する。 A solar cell panel manufacturing system (1) according to the present invention includes a translucent substrate (2) and a plurality of strip-shaped power generation cells formed on a main surface of the substrate (2) and separated by a cell dividing line (3). A solar cell panel manufacturing system for manufacturing a solar cell panel (5) having a solar cell film (4) divided into (7) and integrated so as to be electrically connected in series. The transparent conductive layer forming apparatus (6) for forming the transparent conductive layer (41) on the main surface of the substrate (2) and the transparent conductive layer (41) are laser-etched corresponding to the power generation cell (7). A laser etching device for transparent conductive layer (8), a photoelectric conversion layer forming device (9) for forming a photoelectric conversion layer (42) on the transparent conductive layer (41), and a photoelectric conversion layer (42) Laser etching device for photoelectric conversion layer (10) that performs laser etching corresponding to cell (7), and back electrode film forming device (11) for forming back electrode film (43) on photoelectric conversion layer (42) A back electrode laser etching device (12) for laser etching the back electrode film (43) in correspondence with the power generation cell (7), and a plurality of substrate cleaners (201) for spraying cleaning water to clean the substrate A substrate cleaning section (20) having: Comprising. The substrate cleaning section (20) includes a first substrate cleaner (21) disposed between the transparent conductive layer deposition apparatus (6) and the transparent conductive layer laser etching apparatus (8), and a back electrode film deposition process. The second substrate cleaning device (22) disposed between the device (11) and the back surface electrode laser etching device (12) and the photoelectric conversion layer are formed, and then the photoelectric conversion layer laser etching device (10) is formed. The cooling unit (33) for cooling the substrate until it is put in and the substrate (2) carried out from each substrate cleaner (201) until it is carried into the next downstream processing apparatus. A natural drying section (32) for naturally drying the substrate (2) , and the first substrate cleaning device and the second substrate cleaning device are formed by the transfer roller to form the cell division line. A direction that is substantially parallel to the direction is transported as a transport direction. With reference to the substrate temperature immediately before laser etching of the photoelectric conversion layer, the cleaning water temperature of the first substrate cleaner (21) and the cleaning water temperature of the second substrate cleaner (22) are managed to be substantially constant. To do.

このような構成に依れば、光電変換層をレーザーエッチングする直前の基板温度を参考にして、第1基板洗浄器(21)と第2基板洗浄器(22)の洗浄水温度を管理する。光電変換層製膜装置から搬出される基板温度は外部基板搬送ラインのローラに損傷を与えないように約100℃以下へ冷却されていて、時間とともに自然放冷などにより室温へと近づいてゆくが、基板に十分な冷却時間をかけない限り、基板搬送を経由してこの後に光電変換層をレーザーエッチングする直前の基板温度は、略30℃〜略50℃であり室温より高い状況にある。
製造中の基板は、第1基板洗浄器(21)によって洗浄された際に、温度調整の成されたその洗浄水温度に近い温度になる。洗浄水温度に近い温度とされた基板は、第1基板洗浄器(21)から搬出され、透明導電層のレーザーエッチングが施される。即ち、透明導電層をレーザーエッチングする際の基板温度を、光電変換層をレーザーエッチングする直前に実測した基板温度に対して、温度差が少なくなるように洗浄水温度で管理しておくことで、レーザーエッチングする際の基板温度の温度差を少なくすることができる。同様に、第2基板洗浄器(21)を通過した際にも基板温度が管理されるので、裏面電極膜レーザーエッチング時の基板温度も、光電変換層レーザーエッチング時と基板温度差を少なくできる。これにより、光電変換層のレーザーエッチング時と、透明導電層のレーザーエッチング時と、裏面電極膜のレーザーエッチング時における基板温度の相互温度差を少なくすることができる。
According to such a configuration, the cleaning water temperatures of the first substrate cleaning device (21) and the second substrate cleaning device (22) are managed with reference to the substrate temperature immediately before laser-etching the photoelectric conversion layer. The substrate temperature unloaded from the photoelectric conversion layer deposition apparatus is cooled to about 100 ° C. or less so as not to damage the rollers of the external substrate transfer line, and approaches the room temperature due to natural cooling over time. Unless a sufficient cooling time is applied to the substrate, the substrate temperature immediately after laser etching of the photoelectric conversion layer via the substrate transport is about 30 ° C. to about 50 ° C., which is higher than room temperature.
When the substrate being manufactured is cleaned by the first substrate cleaner (21), the temperature becomes close to the temperature of the cleaning water whose temperature has been adjusted. The substrate having a temperature close to the cleaning water temperature is unloaded from the first substrate cleaner (21), and laser etching of the transparent conductive layer is performed. That is, by controlling the substrate temperature at the time of laser etching the transparent conductive layer with the washing water temperature so as to reduce the temperature difference with respect to the substrate temperature measured immediately before laser etching the photoelectric conversion layer, It is possible to reduce the temperature difference of the substrate temperature during laser etching. Similarly, since the substrate temperature is managed even when it passes through the second substrate cleaning device (21), the substrate temperature at the time of back electrode film laser etching can also reduce the substrate temperature difference from that at the time of photoelectric conversion layer laser etching. Thereby, the mutual temperature difference of the substrate temperature at the time of laser etching of the photoelectric conversion layer, at the time of laser etching of the transparent conductive layer, and at the time of laser etching of the back electrode film can be reduced.

透明電極層のレーザーエッチング時と、光電変換層のレーザーエッチング時と、裏面電極膜のレーザーエッチング時と、における基板温度に温度差が大きくある場合、各レーザーエッチング時における基板上に積層された太陽電池膜の間には、基板温度差による熱膨張で生じる相対位置の差により、実際にレーザーエッチングを行う位置が計画した位置とは異なる位置になってしまうことがある。このようなレーザーエッチング時の位置ずれは、膜剥離の原因となることがある。上述した構成によれば、各レーザーエッチング時の基板温度の相互温度差を少なくすることができるので、レーザーエッチング時の位置ずれを防止することができる。よって、膜剥離を防止することができる。
特に、一辺が1mを超える大型基板になると、基板温度差による各レーザーエッチング時の位置ずれが深刻になる。すなわち、基板の一辺の長さ:L(m)、熱膨張長さ:△L(m)、相対温度差:△T(℃)、基板の線膨張係数:α(=8.5×10−6、(/℃))とすると、
L=α×△T×L
となる。
ここで、L=0.5m(一辺:1mの基板の場合のセンタ中央を基準にする)、△L≦40μm(エッチング溝幅や溝位置設定を100μm程度とした場合の約半分以内の精度を最低確保する)と仮に設定すると
T≦(△L/α/L)=9.4(℃)
となる。
したがって、設計基準温度に対して±10℃以内とすることが必要になる。
また、大型基板においてレーザーエッチング溝位置のずれを30μm内に少なくすることが望ましく、この時には、この温度差(△T)を更に小さく、±7℃以内にすることが好適である。更にはレーザーエッチング溝位置のずれを20μm内に少なくすると更に望ましく±5℃以内にすることが更に好適である。
When there is a large temperature difference between the substrate temperature at the time of laser etching of the transparent electrode layer, at the time of laser etching of the photoelectric conversion layer, and at the time of laser etching of the back electrode film, the sun laminated on the substrate at the time of each laser etching Between battery films, the actual laser etching position may be different from the planned position due to the difference in relative position caused by thermal expansion due to the substrate temperature difference. Such misalignment during laser etching may cause film peeling. According to the above-described configuration, the mutual temperature difference between the substrate temperatures at the time of each laser etching can be reduced, so that a positional shift at the time of laser etching can be prevented. Therefore, film peeling can be prevented.
In particular, when a large substrate having a side exceeding 1 m is used, a positional shift during each laser etching due to a substrate temperature difference becomes serious. That is, the length of one side of the substrate: L (m), the thermal expansion length: ΔL (m), the relative temperature difference: ΔT (° C.), the linear expansion coefficient of the substrate: α (= 8.5 × 10 − 6 , (/ ° C))
L = α × ΔT × L
It becomes.
Here, L = 0.5 m (based on the center center in the case of a substrate of 1 m on one side), ΔL ≦ 40 μm (accuracy within about half when the etching groove width and groove position are set to about 100 μm) T ≤ (ΔL / α / L) = 9.4 (° C)
It becomes.
Therefore, it is necessary that the temperature is within ± 10 ° C. with respect to the design reference temperature.
Further, it is desirable to reduce the deviation of the laser etching groove position within 30 μm in a large substrate. At this time, it is preferable to further reduce this temperature difference (ΔT) to within ± 7 ° C. Furthermore, it is more preferable to set the laser etching groove position deviation within ± 5 ° C. if it is less than 20 μm.

上記の太陽電池パネル製造システム(1)において、光電変換層を製膜の後に光電変換層用レーザーエッチング装置(10)に投入されるまでの間に、製造中の基板を冷却する冷却部(33)、を具備する。
光電変換層を製膜の後に製造中の基板を自然放冷で室温近くまで冷却させるには非常に時間を必要とし、専用の冷却装置とタクトタイムの延長を伴い、量産に支障を発生する。このため、冷却部(33)は製造中の基板温度を約100℃の温度から室温より高い25℃から40℃程度へと短時間で簡易に冷却できるものであり、例えば空冷ファンによる強制冷却が例示ざれる。
製造中の基板は、搬送中は時間経過とともに基板温度が室温へと徐々に近づくので、冷却部(33)での基板冷却の目標温度は室温以上で室温に近い方が、レーザーエッチングする直前の温度が安定する。しかし室温に近づけるには大掛かりな冷却装置と冷却時間が必要になり望ましくない。このため略30℃から略40℃が冷却後の目標として好適になる。
基板洗浄部(20)は、透明導電層製膜装置(6)と透明導電層用レーザーエッチング装置(8)との間に配置された第1基板洗浄器(21)と、裏面電極膜製膜装置(11)と裏面電極用レーザーエッチング装置(12)との間に配置された第2基板洗浄器(22)と、第1基板洗浄器(21)の洗浄水温度と、第2基板洗浄器(22)の洗浄水温度を管理しているため、洗浄された基板温度も略洗浄水温度となる。即ち、光電変換層をレーザーエッチングする直前に実測した基板温度に対して、温度差が少なくなるように洗浄水温度で管理しておくことで、各レーザーエッチングする際の基板温度の温度差を少なくすることができる。
上述した構成によれば、光電変換層用レーザーエッチング装置(10)に投入される製造中の基板温度を、量産処理の期間において略一定温度に保つことができ、各レーザーエッチング時の基板温度の相互温度差を更に少なくすることができるので、レーザーエッチング時の位置ずれを更に防止することができる。よって、膜剥離を防止することができる。
また、光電変換層用レーザーエッチング装置(10)に投入される直前の基板温度を計測して、冷却装置(33)は制御装置(14)を用いて、基板温度をより一定値になるように制御すると製造中の基板温度を更に一定温度に保つことができるので好適である。
上述した構成によれば、各レーザーエッチング時の基板温度の相互温度差を少なくすることができるので、レーザーエッチング時の位置ずれを防止することができ、膜剥離を防止することができる。
In the solar cell panel manufacturing system (1), the cooling unit (33) that cools the substrate being manufactured before the photoelectric conversion layer is deposited and then introduced into the laser etching apparatus for photoelectric conversion layer (10). ).
After the photoelectric conversion layer is formed, it takes a very long time to cool the substrate being manufactured to near room temperature by natural cooling, which causes a problem with mass production with a dedicated cooling device and an extended tact time. For this reason, the cooling unit (33) can easily cool the substrate temperature during manufacture from a temperature of about 100 ° C. to about 25 ° C. to about 40 ° C., which is higher than room temperature. For example, forced cooling by an air cooling fan can be performed. Illustrated.
Since the substrate temperature of the substrate being manufactured gradually approaches the room temperature as time passes, the substrate cooling target temperature in the cooling unit (33) is higher than the room temperature and close to the room temperature. The temperature stabilizes. However, a large cooling device and cooling time are required to bring the temperature close to room temperature, which is not desirable. For this reason, approximately 30 ° C. to approximately 40 ° C. is suitable as a target after cooling.
The substrate cleaning section (20) includes a first substrate cleaner (21) disposed between the transparent conductive layer deposition apparatus (6) and the transparent conductive layer laser etching apparatus (8), and a back electrode film deposition process. A second substrate cleaner (22), a cleaning water temperature of the first substrate cleaner (21), and a second substrate cleaner disposed between the device (11) and the laser etching device (12) for the back electrode; Since the cleaning water temperature of (22) is managed, the cleaned substrate temperature is also substantially equal to the cleaning water temperature. That is, by controlling the cleaning water temperature so that the temperature difference is less than the substrate temperature measured immediately before laser etching of the photoelectric conversion layer, the temperature difference of the substrate temperature during each laser etching is reduced. can do.
According to the above-described configuration, the substrate temperature during manufacture put into the laser etching apparatus for photoelectric conversion layer (10) can be maintained at a substantially constant temperature during the mass production process, and the substrate temperature at the time of each laser etching can be maintained. Since the mutual temperature difference can be further reduced, it is possible to further prevent positional deviation during laser etching. Therefore, film peeling can be prevented.
Further, the substrate temperature immediately before being introduced into the photoelectric conversion layer laser etching device (10) is measured, and the cooling device (33) uses the control device (14) so that the substrate temperature becomes a more constant value. Control is preferable because the substrate temperature during manufacture can be kept at a constant temperature.
According to the above-described configuration, the mutual temperature difference between the substrate temperatures at the time of each laser etching can be reduced, so that a positional shift at the time of laser etching can be prevented and film peeling can be prevented.

上記の太陽電池パネル製造システム(1)において、基板洗浄部(20)は、透明導電層製膜装置(6)と透明導電層用レーザーエッチング装置(8)との間に配置された第1基板洗浄器(21)と、裏面電極膜製膜装置(11)と裏面電極用レーザーエッチング装置(12)との間に配置された第2基板洗浄器(22)と、光電変換層製膜装置(9)と光電変換層用レーザーエッチング装置(10)の間に配置された第3基板洗浄器(36)を、具備する。第1基板洗浄器(21)、第2基板洗浄器(22)、及び第3基板洗浄器(36)の洗浄水温度が、温度差が少なくなるように、管理することが好ましい。
光電変換層製膜装置(9)から搬出された製造基板は、光電変換層と裏面電極層との間の電気的コンタクト特性を維持させるために、洗浄工程を行わない場合がある。しかしながら、第3基板洗浄器(36)を設置した際に太陽電池発電特性に支障がない場合には、光電変換層用レーザーエッチング装置(10)において基板に付着していた異物によるエッチング不良の発生を抑制し、基板洗浄部の洗浄水による基板の温度の管理が可能になるので、好ましい。
上述した構成によれば、各レーザーエッチング時の基板温度の相互温度差をより少なくすることができるので、レーザーエッチング時の位置ずれを防止することができ、膜剥離を更に防止することができる。
In said solar cell panel manufacturing system (1), a board | substrate washing | cleaning part (20) is the 1st board | substrate arrange | positioned between the transparent conductive layer film forming apparatus (6) and the laser etching apparatus for transparent conductive layers (8). A cleaning device (21), a second substrate cleaning device (22) disposed between the back electrode film forming device (11) and the back electrode laser etching device (12), and a photoelectric conversion layer forming device ( 9) and a photoelectric conversion layer laser etching apparatus (10), and a third substrate cleaning device (36) is provided. It is preferable to manage the cleaning water temperatures of the first substrate cleaner (21), the second substrate cleaner (22), and the third substrate cleaner (36) so that the temperature difference is reduced.
The production substrate carried out from the photoelectric conversion layer deposition apparatus (9) may not be subjected to a cleaning step in order to maintain the electrical contact characteristics between the photoelectric conversion layer and the back electrode layer. However, if there is no problem in the solar cell power generation characteristics when the third substrate cleaning device (36) is installed, the generation of etching failure due to foreign matter adhering to the substrate in the laser etching apparatus for photoelectric conversion layer (10) is generated. This is preferable because the temperature of the substrate can be controlled by the cleaning water in the substrate cleaning section.
According to the above-described configuration, the mutual temperature difference between the substrate temperatures at the time of each laser etching can be further reduced, so that a positional shift at the time of laser etching can be prevented, and film peeling can be further prevented.

上記の太陽電池パネル製造システム(1)において、光電変換層用レーザーエッチング装置(10)に投入される直前の基板温度を測定する光電変換層エッチング用温度センサ(13)と、制御装置(14)と、を具備する。制御装置(14)は、第1基板洗浄器(21)及び第2基板洗浄器(22)の洗浄水温度が、光電変換層エッチング用温度センサ(13)の測定結果の温度と温度差が小さくなるように、第1温度コントローラ(23)と第2温度コントローラ(24)の動作を制御することが好ましい。
基板洗浄部(20)は、透明導電層製膜装置(6)と透明導電層用レーザーエッチング装置(8)との間に配置された第1基板洗浄器(21)と、裏面電極膜製膜装置(11)と裏面電極用レーザーエッチング装置(12)との間に配置された第2基板洗浄器(22)と、第1基板洗浄器(21)の洗浄水温度を管理する第1温度コントローラ(23)と、第2基板洗浄器(22)の洗浄水温度を管理する第2温度コントローラ(24)と、を有している。制御装置(14)は、光電変換層エッチング用温度センサ(13)の測定結果に基いて、第1温度コントローラ(23)と第2温度コントローラ(24)の動作を制御する。
上述した構成によれば、各レーザーエッチング時の基板温度の相互温度差をより厳密に少なくすることができるので、レーザーエッチング時の位置ずれを防止することができ、膜剥離を更に防止することができる。
In the solar cell panel manufacturing system (1), a photoelectric conversion layer etching temperature sensor (13) for measuring a substrate temperature immediately before being introduced into the photoelectric conversion layer laser etching device (10), and a control device (14). And. In the control device (14), the temperature of the cleaning water of the first substrate cleaner (21) and the second substrate cleaner (22) is small and the temperature difference between the measurement results of the photoelectric conversion layer etching temperature sensor (13) is small. It is preferable to control the operation of the first temperature controller (23) and the second temperature controller (24).
The substrate cleaning section (20) includes a first substrate cleaner (21) disposed between the transparent conductive layer deposition apparatus (6) and the transparent conductive layer laser etching apparatus (8), and a back electrode film deposition process. A first substrate controller (22) disposed between the device (11) and the back electrode laser etching device (12), and a first temperature controller for managing the cleaning water temperature of the first substrate cleaner (21) (23) and a second temperature controller (24) for managing the cleaning water temperature of the second substrate cleaner (22). The control device (14) controls the operations of the first temperature controller (23) and the second temperature controller (24) based on the measurement result of the photoelectric conversion layer etching temperature sensor (13).
According to the above-described configuration, the mutual temperature difference between the substrate temperatures at the time of each laser etching can be reduced more strictly, so that it is possible to prevent positional deviation at the time of laser etching and further prevent film peeling. it can.

上記の太陽電池パネル製造システム(1)において、光電変換層用レーザーエッチング装置(10)に投入される直前の基板温度を測定する光電変換層エッチング用温度センサ(13)と、制御装置(14)と、さらに光電変換層製膜装置(9)と光電変換層用レーザーエッチング装置(10)の間に配置された第3基板洗浄器(36)を具備する。
第3基板洗浄器(36)の洗浄水温度を管理する第3温度コントローラ(37)を有している。制御装置(14)は、光電変換層エッチング用温度センサ(13)の測定結果に基いて、第1温度コントローラ(23)と第2温度コントローラ(24)と第3温度コントローラ(37)との動作を制御することが好ましい。
上述した構成によれば、各レーザーエッチング時の基板温度の相互温度差をより厳密に少なくすることができるので、レーザーエッチング時の位置ずれを防止することができ、膜剥離を更に防止することができる。
In the solar cell panel manufacturing system (1), a photoelectric conversion layer etching temperature sensor (13) for measuring a substrate temperature immediately before being introduced into the photoelectric conversion layer laser etching device (10), and a control device (14). And a third substrate cleaning device (36) disposed between the photoelectric conversion layer forming device (9) and the photoelectric conversion layer laser etching device (10).
A third temperature controller (37) for managing the cleaning water temperature of the third substrate cleaner (36) is provided. The controller (14) operates the first temperature controller (23), the second temperature controller (24), and the third temperature controller (37) based on the measurement result of the photoelectric conversion layer etching temperature sensor (13). Is preferably controlled.
According to the above-described configuration, the mutual temperature difference between the substrate temperatures at the time of each laser etching can be reduced more strictly, so that it is possible to prevent positional deviation at the time of laser etching and further prevent film peeling. it can.

一方、太陽電池パネル製造システム(1)において、太陽電池パネル(5)の主面上の基板周辺部の少なくとも一部は、ラミネート処理工程前までに、太陽電池膜(4)の除去された除去領域(15)となっている。複数の基板洗浄器(201)の各々は、搬送ローラー(25)を有している。搬送ローラー(25)は、基板(2)を、セル分割ライン(3)の形成される方向と略平行方向を搬送方向として搬送する。搬送ローラー(25)は基板(2)を搬送するに際して、前記主面の反対面で接触するが、基板洗浄器(201)内部では基板と搬送ローラーが滑り易く、また洗浄処理中に基板が搬送ローラーから浮くことを抑制するために、基板(2)を挟むように基板(2)の主面側と主面の反対面側の双方に搬送ローラー(25)が設置されることが好ましい。このとき、基板の主面側の搬送ローラー(25)は、太陽電池膜(4)の除去された除去領域(15)または除去予定の領域で接触することとし、ラミネート工程処理後も太陽電池膜(4)の設けられる領域では接触しないことが好ましい。   On the other hand, in the solar cell panel manufacturing system (1), at least a part of the periphery of the substrate on the main surface of the solar cell panel (5) is removed by removing the solar cell film (4) before the laminating process. Region (15). Each of the plurality of substrate cleaners (201) has a transport roller (25). A conveyance roller (25) conveys a board | substrate (2) by making a substantially parallel direction with the direction in which a cell division | segmentation line (3) is formed into a conveyance direction. The transport roller (25) contacts the opposite surface of the main surface when transporting the substrate (2), but the substrate and the transport roller are slippery inside the substrate cleaner (201), and the substrate is transported during the cleaning process. In order to suppress floating from the roller, it is preferable that the transport roller (25) is installed on both the main surface side of the substrate (2) and the opposite surface side of the main surface so as to sandwich the substrate (2). At this time, the transport roller (25) on the main surface side of the substrate is in contact with the removed region (15) from which the solar cell film (4) has been removed or the region to be removed, and the solar cell film is also processed after the lamination process. It is preferable that no contact is made in the region provided with (4).

このような構成に依れば、搬送ローラー(25)が、太陽電池膜(4)と接触しないので、膜剥離が防止される。また、搬送方向をセル分割ライン(3)の形成方向と略平行にすることで、搬送ローラー(25)と洗浄処理中の基板の相対位置がずれてローラーが基板端付近の太陽電池膜(4)に接触したとしても、各セル分割ライン(3)の凹凸形状は基板搬送方向と略直角方向に存在するので、セル分割ライン(3)部分に膜を捲り上げて、直列接続が短絡するなどの不良化する不都合は抑制される。   According to such a structure, since a conveyance roller (25) does not contact a solar cell film (4), film | membrane peeling is prevented. Further, by making the transport direction substantially parallel to the formation direction of the cell division line (3), the relative position of the transport roller (25) and the substrate being cleaned is shifted, and the roller is a solar cell film (4 ), The concavo-convex shape of each cell division line (3) exists in a direction substantially perpendicular to the substrate transport direction, so that the film is rolled up on the cell division line (3) portion, and the series connection is short-circuited. The inconvenience of deteriorating is suppressed.

上記の太陽電池パネル製造システム(1)において、その各基板洗浄器(201)は、高圧水によって洗浄を行う高圧シャワー部(27)と、純水によって洗浄を行う直水リンス部(28)と、水きりを行うエアーナイフ部(29)と、を有している。高圧シャワー部(27)、直水リンス部(28)、エアーナイフ部(29)は、搬送の上流側からこの順で配置されている。
また、基板洗浄器(201)には、ロールブラシによって洗浄を行うロールブラシ部(26)がある場合がある。ロールブラシ部(26)は高圧シャワー部(27)の搬送の上流側に配置される。ロールブラシは、太陽電池膜(4)の構成膜への物理的損傷を与えない工程位置に配置された基板洗浄器(201)に設置することができる。
In the solar cell panel manufacturing system (1), each of the substrate cleaners (201) includes a high-pressure shower unit (27) that performs cleaning with high-pressure water, and a direct water rinse unit (28) that performs cleaning with pure water. And an air knife part (29) for draining water. The high pressure shower section (27), the direct water rinse section (28), and the air knife section (29) are arranged in this order from the upstream side of the conveyance.
Further, the substrate cleaner (201) may have a roll brush part (26) for cleaning with a roll brush. A roll brush part (26) is arrange | positioned in the upstream of conveyance of a high pressure shower part (27). The roll brush can be installed in a substrate cleaner (201) disposed at a process position that does not cause physical damage to the constituent films of the solar cell film (4).

上記の太陽電池パネル製造システム(1)において、高圧シャワー部(27)は、高圧シャワー用ノズル(30)を有している。高圧シャワー用ノズル(30)は、高圧水が搬送上流側に傾いた角度で基板(2)に吹き付けて、付着した異物を洗い流しやすいように設けられていることが好ましい。   In said solar cell panel manufacturing system (1), the high pressure shower part (27) has the nozzle (30) for high pressure showers. The high-pressure shower nozzle (30) is preferably provided so that high-pressure water is sprayed onto the substrate (2) at an angle inclined toward the upstream side of the conveyance, and the adhered foreign matter is easily washed away.

このように、搬送上流側に傾けた角度で高圧水を吹き付けることによって、洗浄水の基板表面の流速を増加させて、基板上に付着した異物をより効果的に洗い流し、基板面上から排出すことができる。   In this way, by spraying high-pressure water at an angle inclined toward the upstream side of the conveyance, the flow rate of the cleaning water on the substrate surface is increased, and foreign substances adhering to the substrate are more effectively washed away and discharged from the substrate surface. be able to.

上記の太陽電池パネル製造システム(1)において、高圧シャワー用ノズル(30)は、高圧水の噴射方向と、搬送方向に垂直な面とが成す角度が、10°以上30°以下となるように設けられていることが好ましい。
この角度が小さいと基板表面の流速を有効に増加させることができずに、付着異物へのせん断力が低下して、異物の除去効果が低下する。逆にこの角度が大きいと高圧シャワー用ノズルから噴射した洗浄水が重力に引かれて洗浄水が付着異物に衝突する力が低下して、、異物の除去効果が低下する。
In the above solar cell panel manufacturing system (1), the high-pressure shower nozzle (30) has an angle formed by the high-pressure water jetting direction and a plane perpendicular to the transport direction in a range of 10 ° to 30 °. It is preferable to be provided.
If this angle is small, the flow velocity on the substrate surface cannot be increased effectively, the shearing force to the adhered foreign matter is reduced, and the foreign matter removal effect is reduced. On the contrary, if this angle is large, the washing water sprayed from the high pressure shower nozzle is attracted by gravity and the force of the washing water colliding with the attached foreign matter is lowered, and the foreign matter removing effect is lowered.

上記の太陽電池パネル製造システム(1)において、制御装置(14)は、高圧シャワー用ノズル(30)を基板搬送方向に略直交方向へ揺動させることが好ましい。   In the solar cell panel manufacturing system (1), the control device (14) preferably swings the high pressure shower nozzle (30) in a direction substantially orthogonal to the substrate transport direction.

このように、高圧シャワー用ノズル(30)を揺動させることによって、基板全体に満遍なく洗浄水を吹き付け、より均一に付着異物を除去することができる。   In this way, by swinging the high pressure shower nozzle (30), the cleaning water can be sprayed evenly over the entire substrate, and the adhered foreign matter can be removed more uniformly.

上記の太陽電池パネル製造システム(1)において、各基板洗浄器(201)は、更に、ロールブラシ部(26)の上流側に設けられ、基板(2)を洗浄水のミスト雰囲気に曝すための助走部(31)を有することが好ましい。   In said solar cell panel manufacturing system (1), each board | substrate washing | cleaning device (201) is further provided in the upstream of a roll brush part (26), and exposes a board | substrate (2) to the mist atmosphere of washing water. It is preferable to have a running part (31).

このように、助走部(31)を設けておくことにより、ロールブラシ部(26)よりキャリオーバされた洗浄水のミストに基板が接触するので、基板洗浄器(201)が配置される工程において、基板の主面に形成済の太陽電池膜(4)を構成する膜は水膜に覆われた状態となる。ロールブラシ部(26)では、水膜に覆われた状態でロールブラシによる洗浄が行われる。太陽電池構成膜を覆う水膜により、ロールブラシが太陽電池構成膜に与える物理的なダメージが低減される。   In this way, since the substrate comes into contact with the mist of cleaning water carried over from the roll brush portion (26) by providing the running portion (31), in the step of arranging the substrate cleaner (201), The film constituting the solar cell film (4) formed on the main surface of the substrate is covered with a water film. In the roll brush part (26), cleaning with a roll brush is performed in a state of being covered with a water film. The physical damage that the roll brush gives to the solar cell constituent film is reduced by the water film covering the solar cell constituent film.

上記の太陽電池パネルの製造システム(1)において、助走部(31)は、基板1/2枚から2枚分のスペースを有していることが好ましい。
基板洗浄器の設置面積を大幅に増加することなく、太陽電池の構成膜が水膜に覆われた状態になるには、ミストと接触しているのに適した時間が必要であるためである。
In the above solar cell panel manufacturing system (1), it is preferable that the run-up section (31) has a space for ½ to two substrates.
This is because, in order for the constituent film of the solar cell to be covered with the water film without significantly increasing the installation area of the substrate cleaner, it is necessary to have a suitable time for contact with the mist.

上記の太陽電池パネルの製造システム(1)は、更に、自然乾燥区間(32)、を具備することが好ましい。自然乾燥区間(32)は、各基板洗浄器(201)から搬出された基板(2)が、次の下流側の装置に搬入されるまでの間に、基板を自然乾燥させるための区間である。   The solar cell panel manufacturing system (1) preferably further includes a natural drying section (32). The natural drying section (32) is a section for naturally drying the substrate until the substrate (2) unloaded from each substrate cleaner (201) is loaded into the next downstream apparatus. .

特に、セル分割ラインの溝は、基板洗浄器(201)のエアーナイフ部(29)で水切りを行ったあとでも、毛細管現象で水が表面張力で吸引されて水分が溜まり水分が十分に除去されにくい状況にある。この水分が溜まったまま製膜処理などの処理を行うと、処理時に水分は膜中成分に取り込まれて膜質を低下させたり、水分が急激に蒸発して、その蒸発の衝撃により膜剥離が起こることがある。上述のように、自然乾燥区間を設けておけば、次工程の処理までにセル分割ラインの溝に溜まった水分が蒸発するので、膜質の低下や急激な蒸発による膜剥離を防止することができる。
セル分割ラインの溝は狭いため、溝部分に溜まった水分量は少なく、水の蒸発速度(約0.2kg/m・hr)から換算すると、数分間で蒸発することが推察される。自然乾燥に必要とする時間は、各機器のタクトタイムと同程度の時間とすることで、製造時管を延長させることなく、効率的に溝部分に溜まった水分を乾燥させることができる。
In particular, the groove of the cell dividing line is sufficiently removed because water is sucked by surface tension due to capillary action even after draining with the air knife part (29) of the substrate cleaner (201). It is difficult. If a film forming process or the like is performed while the moisture is accumulated, the moisture is taken into the components in the film at the time of processing to deteriorate the film quality, or the moisture is rapidly evaporated, and the film is peeled off due to the impact of the evaporation. Sometimes. As described above, if the natural drying section is provided, the water accumulated in the groove of the cell dividing line is evaporated before the next process, so that it is possible to prevent film degradation due to deterioration of the film quality or rapid evaporation. .
Since the groove of the cell dividing line is narrow, the amount of water accumulated in the groove is small, and it is estimated that it evaporates within a few minutes when converted from the evaporation rate of water (about 0.2 kg / m 2 · hr). The time required for natural drying is set to the same time as the tact time of each device, so that the water accumulated in the groove portion can be efficiently dried without extending the production time tube.

本発明にかかる太陽電池パネル製造方法は、透光性基板(2)と、基板(2)の主面上に形成され、セル分割ライン(3)によって複数の短冊状の発電セル(7)に分割された太陽電池膜(4)と、を有する太陽電池パネル(5)を製造する太陽電池パネル製造方法である。その太陽電池パネル製造方法は、基板(2)の主面上に透明導電層(41)を製膜する透明導電層製膜ステップ(ステップS20)と、透明導電層(41)を、発電セル(7)に対応させてレーザーエッチングする透明導電層エッチングステップ(ステップS40)と、透明導電層(41)上に光電変換層(42)を製膜する光電変換層製膜ステップ(ステップS50)と、光電変換層(42)を、発電セル(7)に対応させてレーザーエッチングする光電変換層エッチングステップ(ステップS70)と、光電変換層(42)上に裏面電極膜(43)を製膜する裏面電極膜製膜ステップ(ステップS80)と、裏面電極膜(43)を、発電セル(7)に対応させてレーザーエッチングする裏面電極膜エッチングステップ(ステップS100)と、各ステップ間で洗浄水を吹き付けて基板(2)を洗浄する複数回の洗浄ステップ(ステップS10、30、90、130)と、を具備する。
光電変換層製膜後に洗浄ステップ(ステップS55)を設けても良い。光電変換層エッチングステップ(S70)の直前の基板温度を測定する基板温度測定ステップ(ステップS60)と、基板洗浄ステップ(S10、30、(55)、90、130)において吹き付けられる洗浄水の温度を管理する温度管理ステップ(ステップS61)と、を具備する場合があっても良い。複数回の洗浄ステップ(S10、30、(55)、90、130)は、透明導電層製膜ステップ(S20)と透明導電層エッチングステップ(S40)との間の基板を洗浄する第1洗浄ステップ(ステップS30)と、裏面電極膜製膜ステップ(S80)と裏面電極膜エッチングステップ(S100)との間の基板を洗浄する第2洗浄ステップ(S90)と、を有している。温度管理ステップ(S61)において、基板温度測定ステップ(S60)において測定された基板温度に基いて、第1洗浄ステップ(S20)と第2洗浄ステップ(S90)とにおいて吹き付けられる洗浄水の温度が管理される。光電変換層製膜ステップ(S50)と光電変換層エッチングステップ(S70)との間の基板を洗浄する第3洗浄ステップ(S55)があっても良い。この時は、上記に加えて、第3洗浄ステップ(S55)の吹き付けられる洗浄水の温度も追加して管理されることが好ましい。
The solar cell panel manufacturing method concerning this invention is formed on the translucent board | substrate (2) and the main surface of a board | substrate (2), and is formed in several strip-shaped electric power generation cells (7) by the cell division line (3). A solar cell panel manufacturing method for manufacturing a solar cell panel (5) having a divided solar cell film (4). In the solar cell panel manufacturing method, a transparent conductive layer forming step (step S20) for forming a transparent conductive layer (41) on the main surface of the substrate (2), and the transparent conductive layer (41) are converted into a power generation cell ( 7) a transparent conductive layer etching step (step S40) for laser etching corresponding to 7), a photoelectric conversion layer film forming step (step S50) for forming a photoelectric conversion layer (42) on the transparent conductive layer (41), A photoelectric conversion layer etching step (step S70) in which the photoelectric conversion layer (42) is laser-etched in correspondence with the power generation cell (7), and a back surface on which the back electrode film (43) is formed on the photoelectric conversion layer (42). Electrode film forming step (step S80) and back electrode film etching step (step S100) in which the back electrode film (43) is laser-etched corresponding to the power generation cell (7). When, comprising a plurality of cleaning steps for cleaning a substrate (2) by spraying washing water between each step (step S10,30,90,130), the.
A cleaning step (step S55) may be provided after the photoelectric conversion layer is formed. The temperature of the cleaning water sprayed in the substrate temperature measuring step (step S60) for measuring the substrate temperature immediately before the photoelectric conversion layer etching step (S70) and the substrate cleaning step (S10, 30, (55), 90, 130) is determined. And a temperature management step (step S61) to be managed. The plurality of cleaning steps (S10, 30, (55), 90, 130) is a first cleaning step for cleaning the substrate between the transparent conductive layer forming step (S20) and the transparent conductive layer etching step (S40). (Step S30) and a second cleaning step (S90) for cleaning the substrate between the back electrode film forming step (S80) and the back electrode film etching step (S100). In the temperature management step (S61), the temperature of the cleaning water sprayed in the first cleaning step (S20) and the second cleaning step (S90) is managed based on the substrate temperature measured in the substrate temperature measurement step (S60). Is done. There may be a third cleaning step (S55) for cleaning the substrate between the photoelectric conversion layer forming step (S50) and the photoelectric conversion layer etching step (S70). At this time, in addition to the above, it is preferable that the temperature of the cleaning water sprayed in the third cleaning step (S55) is additionally managed.

上記の太陽電池パネル製造方法では、温度管理ステップ(S61)において、第1洗浄ステップ(S30)及び第2洗浄ステップ(S90)において吹き付けられる洗浄水の温度が、基板温度測定ステップ(S60)において測定された温度と温度差が小さくなるように、管理することが好ましい。   In the solar cell panel manufacturing method, in the temperature management step (S61), the temperature of the cleaning water sprayed in the first cleaning step (S30) and the second cleaning step (S90) is measured in the substrate temperature measuring step (S60). It is preferable to manage the temperature so as to reduce the temperature difference.

一方、太陽電池パネル製造方法において、太陽電池パネル(5)の主面上の基板端周辺部分の少なくとも一部は、ラミネート処理工程の前において太陽電池膜(4)の除去された除去領域(15)となっている。複数回の洗浄ステップ(S10、30、(55)、90、130)の各々において、基板をセル分割ライン(3)の形成される方向と略平行方向を搬送方向として、搬送ローラー(25)により搬送しながら洗浄する。各洗浄ステップ(S10、30、(55)、90、130)において基板(2)を搬送するに際し、搬送ローラー(25)が、除去領域(15)又は除去予定領域とその主面の反対面で接触し、太陽電池膜(4)の設けられた領域では接触しないように搬送することが好ましい。   On the other hand, in the solar cell panel manufacturing method, at least a part of the peripheral portion of the substrate end on the main surface of the solar cell panel (5) is the removed region (15) from which the solar cell film (4) has been removed before the laminating process. ). In each of the plurality of cleaning steps (S10, 30, (55), 90, 130), the substrate is moved by the transfer roller (25) with the direction substantially parallel to the direction in which the cell division line (3) is formed as the transfer direction. Wash while transporting. When transporting the substrate (2) in each cleaning step (S10, 30, (55), 90, 130), the transport roller (25) is placed on the removal region (15) or the region to be removed and the opposite surface of the main surface. It is preferable to carry so that it contacts and does not contact in the area | region in which the solar cell film (4) was provided.

上記の太陽電池パネル製造方法では、搬送ローラー(25)は、基板(2)を挟むように、基板(2)の主面側とその主面の反対面側の双方に配置されていることが好ましい。   In the above solar cell panel manufacturing method, the transport roller (25) may be arranged on both the main surface side of the substrate (2) and the opposite surface side of the main surface so as to sandwich the substrate (2). preferable.

上記の太陽電池パネル製造方法において、各洗浄ステップ(S10、30、(55)、90、130)は、高圧水によって洗浄を行う高圧シャワーステップ(ステップS3)と、純水によって洗浄を行う直水リンスステップ(ステップS4)と、水きりを行うエアーナイフステップ(ステップS5)と、を有している。高圧シャワーステップ(S3)、直水リンスステップ(S4)、エアーナイフステップ(S5)は、この順で実行される。洗浄ステップの中には、ロールブラシによって洗浄を行うロールブラシステップ(ステップS2)を高圧シャワーステップ(S3)の前に実行する場合がある。   In the solar cell panel manufacturing method, each cleaning step (S10, 30, (55), 90, 130) includes a high-pressure shower step (step S3) for cleaning with high-pressure water and direct water for cleaning with pure water. A rinsing step (step S4) and an air knife step (step S5) for draining water are provided. The high pressure shower step (S3), the direct water rinse step (S4), and the air knife step (S5) are executed in this order. In the cleaning step, a roll brush step (step S2) for cleaning with a roll brush may be executed before the high pressure shower step (S3).

上記の太陽電池パネル製造方法では、高圧シャワーステップ(S3)において、高圧水を、搬送上流側に傾いた角度で基板に吹き付けることが好ましい。   In the solar cell panel manufacturing method described above, in the high pressure shower step (S3), it is preferable to spray high pressure water on the substrate at an angle inclined toward the upstream side of conveyance.

上記の太陽電池パネル製造方法では、高圧シャワーステップ(S3)において、高圧水の噴射方向と、搬送方向に垂直な面とが成す角度が、10°以上30°以下となるように、高圧水を吹き付けることが好ましい。   In the solar cell panel manufacturing method, in the high pressure shower step (S3), the high pressure water is supplied so that the angle formed between the jet direction of the high pressure water and the plane perpendicular to the transport direction is 10 ° or more and 30 ° or less. It is preferable to spray.

上記の太陽電池パネル製造方法では、高圧シャワーステップ(S3)において、高圧水を基板搬送方向に略直交方向に揺動させながら吹き付けることが好ましい。   In the above solar cell panel manufacturing method, in the high pressure shower step (S3), the high pressure water is preferably sprayed while being swung in a direction substantially orthogonal to the substrate transport direction.

上記の太陽電池パネル製造方法において、各洗浄ステップ(S10、30、(55)、90、130)は、更に、ロールブラシステップ(S2)の前に実施され、基板を洗浄水のミスト雰囲気に曝す助走ステップ(ステップS1)、を有することが好ましい。   In the solar cell panel manufacturing method, each cleaning step (S10, 30, (55), 90, 130) is further performed before the roll brush step (S2), and the substrate is exposed to a mist atmosphere of cleaning water. It is preferable to have a running step (step S1).

上記の太陽電池パネルの製造方法は、更に、各洗浄ステップ(S10、30、(55)、90、130)において洗浄された基板を、自然乾燥させる自然乾燥ステップ(ステップS6)、を具備することが好ましい。   The method for manufacturing a solar cell panel further includes a natural drying step (step S6) for naturally drying the substrate cleaned in each cleaning step (S10, 30, (55), 90, 130). Is preferred.

本発明にかかる太陽電池パネルの製造方法は、透光性基板(2)と、基板(2)の主面上に形成され、セル分割ライン(3)によって複数の短冊状の発電セル(7)に分割された太陽電池膜(4)と、を有する太陽電池パネル(5)を製造する太陽電池パネル製造方法である。基板(2)の主面上に透明導電層(41)を製膜する透明導電層製膜ステップ(ステップS20)と、透明導電層(41)を、発電セル(7)に対応させてレーザーエッチングする透明導電層エッチングステップ(ステップS40)と、透明導電層(41)上に光電変換層(42)を製膜する光電変換層製膜ステップ(ステップS50)と、光電変換層(42)を、発電セル(7)に対応させてレーザーエッチングする光電変換層エッチングステップ(ステップS70)と、光電変換層(42)上に裏面電極膜(43)を製膜する裏面電極膜製膜ステップ(ステップS80)と、裏面電極膜(43)を、発電セル(7)に対応させて裏面電極膜エッチングステップ(ステップS100)と、各ステップ間で洗浄水を吹き付けて基板を洗浄する複数回の洗浄ステップ(ステップS10、30、90、130)と、を具備する。複数回の洗浄ステップ(ステップS10、30、90、130)は、透明導電層製膜ステップ(ステップS20)と透明導電層エッチングステップ(ステップS40)との間の基板を洗浄する第1洗浄ステップ(ステップS30)と、裏面電極膜製膜ステップ(S80)と裏面電極膜エッチングステップ(S100)との間の基板を洗浄する第2洗浄ステップ(S90)と、を有している。光電変換層エッチングステップ(ステップS70)前における基板温度を参考に、第1洗浄ステップの洗浄水温度と、第2洗浄ステップの洗浄水温度を管理する。光電変換層エッチングステップ(ステップS70)前における基板平均温度と、第1洗浄ステップの洗浄水温度と、第2洗浄ステップの洗浄水温度は±10℃以内が好ましい。   The manufacturing method of the solar cell panel concerning this invention is formed on the main surface of a translucent board | substrate (2) and a board | substrate (2), and several strip-shaped electric power generation cell (7) by a cell division line (3). It is a solar cell panel manufacturing method which manufactures the solar cell panel (5) which has a solar cell film (4) divided | segmented into (4). A transparent conductive layer forming step (step S20) for forming a transparent conductive layer (41) on the main surface of the substrate (2) and laser etching the transparent conductive layer (41) in correspondence with the power generation cell (7). A transparent conductive layer etching step (step S40), a photoelectric conversion layer forming step (step S50) for forming a photoelectric conversion layer (42) on the transparent conductive layer (41), and a photoelectric conversion layer (42), Photoelectric conversion layer etching step (step S70) for laser etching corresponding to the power generation cell (7), and back electrode film formation step (step S80) for forming the back electrode film (43) on the photoelectric conversion layer (42). ) And the back electrode film (43) corresponding to the power generation cell (7), the back electrode film etching step (step S100), and cleaning water is sprayed between the steps to clean the substrate. Several washing steps (step S10,30,90,130), comprises a. The plurality of cleaning steps (steps S10, 30, 90, and 130) include a first cleaning step (in which the substrate is cleaned between the transparent conductive layer forming step (step S20) and the transparent conductive layer etching step (step S40)). Step S30) and a second cleaning step (S90) for cleaning the substrate between the back electrode film forming step (S80) and the back electrode film etching step (S100). With reference to the substrate temperature before the photoelectric conversion layer etching step (step S70), the cleaning water temperature in the first cleaning step and the cleaning water temperature in the second cleaning step are managed. The average substrate temperature before the photoelectric conversion layer etching step (step S70), the cleaning water temperature in the first cleaning step, and the cleaning water temperature in the second cleaning step are preferably within ± 10 ° C.

上記の太陽電池パネルの製造方法は、透光性基板(2)と、基板(2)の主面上に形成され、セル分割ライン(3)によって複数の短冊状の発電セル(7)に分割された太陽電池膜(4)と、を有する太陽電池パネル(5)を製造する太陽電池パネル製造方法である。基板(2)の主面上に透明導電層(41)を製膜する透明導電層製膜ステップ(ステップS20)と、透明導電層(41)を、発電セル(7)に対応させてレーザーエッチングする透明導電層エッチングステップ(ステップS40)と、透明導電層(41)上に光電変換層(42)を製膜する光電変換層製膜ステップ(ステップS50)と、光電変換層(42)を、発電セル(7)に対応させてレーザーエッチングする光電変換層エッチングステップ(ステップS70)と、光電変換層(42)上に裏面電極膜(43)を製膜する裏面電極膜製膜ステップ(ステップS80)と、裏面電極膜(43)を、発電セル(7)に対応させて裏面電極膜エッチングステップ(ステップS100)と、各ステップ間で洗浄水を吹き付けて基板を洗浄する複数回の洗浄ステップ(ステップS10、30、90、130)と、光電変換層用レーザーエッチング装置に投入される前の基板を冷却する冷却ステップと、を具備する。複数回の洗浄ステップ(ステップS10、30、90、130)は、透明導電層製膜ステップ(ステップS20)と透明導電層エッチングステップ(ステップS40)との間の基板を洗浄する第1洗浄ステップ(ステップS30)と、裏面電極膜製膜ステップ(S80)と裏面電極膜エッチングステップ(S100)との間の基板を洗浄する第2洗浄ステップ(S90)と、を有している。その冷却ステップ後の基板温度を参考に、第1洗浄ステップの洗浄水温度と、第2洗浄ステップの洗浄水温度を管理する。   The manufacturing method of the solar cell panel is formed on the main surface of the translucent substrate (2) and the substrate (2), and is divided into a plurality of strip-shaped power generation cells (7) by the cell dividing line (3). A solar cell panel manufacturing method of manufacturing a solar cell panel (5) having a solar cell film (4). A transparent conductive layer forming step (step S20) for forming a transparent conductive layer (41) on the main surface of the substrate (2) and laser etching the transparent conductive layer (41) in correspondence with the power generation cell (7). A transparent conductive layer etching step (step S40), a photoelectric conversion layer forming step (step S50) for forming a photoelectric conversion layer (42) on the transparent conductive layer (41), and a photoelectric conversion layer (42), Photoelectric conversion layer etching step (step S70) for laser etching corresponding to the power generation cell (7), and back electrode film formation step (step S80) for forming the back electrode film (43) on the photoelectric conversion layer (42). ) And the back electrode film (43) corresponding to the power generation cell (7), the back electrode film etching step (step S100), and cleaning water is sprayed between the steps to clean the substrate. And several washing steps (step S10,30,90,130), comprising a cooling step of cooling before the substrate is introduced into the photoelectric conversion layer for laser etching device. The plurality of cleaning steps (steps S10, 30, 90, and 130) include a first cleaning step (in which the substrate is cleaned between the transparent conductive layer forming step (step S20) and the transparent conductive layer etching step (step S40)). Step S30) and a second cleaning step (S90) for cleaning the substrate between the back electrode film forming step (S80) and the back electrode film etching step (S100). The cleaning water temperature in the first cleaning step and the cleaning water temperature in the second cleaning step are managed with reference to the substrate temperature after the cooling step.

上記の太陽電池パネル製造方法は、冷却ステップにおいて、第1洗浄ステップ(S30)及び第2洗浄ステップ(S90)における洗浄水温度が、光電変換層用レーザーエッチング装置に投入される直前の基板平均温度に対して±10℃以内になるように、冷却動作を制御することが好ましい。   In the solar cell panel manufacturing method, in the cooling step, the cleaning water temperature in the first cleaning step (S30) and the second cleaning step (S90) is the substrate average temperature immediately before being introduced into the laser etching apparatus for photoelectric conversion layer. It is preferable to control the cooling operation so that the temperature is within ± 10 ° C.

上記の太陽電池パネルの製造方法は、透光性基板(2)と、基板(2)の主面上に形成され、セル分割ライン(3)によって複数の短冊状の発電セル(7)に分割された太陽電池膜(4)と、を有する太陽電池パネル(5)を製造する太陽電池パネル製造方法である。基板(2)の主面上に透明導電層(41)を製膜する透明導電層製膜ステップ(ステップS20)と、透明導電層(41)を、発電セル(7)に対応させてレーザーエッチングする透明導電層エッチングステップ(ステップS40)と、透明導電層(41)上に光電変換層(42)を製膜する光電変換層製膜ステップ(ステップS50)と、光電変換層(42)を、発電セル(7)に対応させてレーザーエッチングする光電変換層エッチングステップ(ステップS70)と、光電変換層(42)上に裏面電極膜(43)を製膜する裏面電極膜製膜ステップ(ステップS80)と、裏面電極膜(43)を、発電セル(7)に対応させて裏面電極膜エッチングステップ(ステップS100)と、各ステップ間で洗浄水を吹き付けて基板を洗浄する複数回の洗浄ステップ(ステップS10、30、55、90、130)と、を具備する。複数回の洗浄ステップ(ステップS10、30、55、90、130)は、透明導電層製膜ステップ(ステップS20)と透明導電層エッチングステップ(ステップS40)との間の基板を洗浄する第1洗浄ステップ(ステップS30)と、裏面電極膜製膜ステップ(S80)と裏面電極膜エッチングステップ(S100)との間の基板を洗浄する第2洗浄ステップ(S90)と、光電変換層製膜ステップ(S50)と光電変換層エッチングステップ(S70)との間の基板を洗浄する第3洗浄ステップ(S55)と、を有している。第1洗浄ステップの洗浄水温度と、第2洗浄ステップの洗浄水温度と第3洗浄ステップの洗浄水温度を管理する。   The manufacturing method of the solar cell panel is formed on the main surface of the translucent substrate (2) and the substrate (2), and is divided into a plurality of strip-shaped power generation cells (7) by the cell dividing line (3). A solar cell panel manufacturing method of manufacturing a solar cell panel (5) having a solar cell film (4). A transparent conductive layer forming step (step S20) for forming a transparent conductive layer (41) on the main surface of the substrate (2) and laser etching the transparent conductive layer (41) in correspondence with the power generation cell (7). A transparent conductive layer etching step (step S40), a photoelectric conversion layer forming step (step S50) for forming a photoelectric conversion layer (42) on the transparent conductive layer (41), and a photoelectric conversion layer (42), Photoelectric conversion layer etching step (step S70) for laser etching corresponding to the power generation cell (7), and back electrode film formation step (step S80) for forming the back electrode film (43) on the photoelectric conversion layer (42). ) And the back electrode film (43) corresponding to the power generation cell (7), the back electrode film etching step (step S100), and cleaning water is sprayed between the steps to clean the substrate. Several washing steps (step S10,30,55,90,130), comprises a. The plurality of cleaning steps (steps S10, 30, 55, 90, and 130) is a first cleaning that cleans the substrate between the transparent conductive layer forming step (step S20) and the transparent conductive layer etching step (step S40). A second cleaning step (S90) for cleaning the substrate between the step (step S30), the back electrode film forming step (S80) and the back electrode film etching step (S100), and the photoelectric conversion layer forming step (S50) ) And the photoelectric conversion layer etching step (S70), and a third cleaning step (S55) for cleaning the substrate. The cleaning water temperature of the first cleaning step, the cleaning water temperature of the second cleaning step, and the cleaning water temperature of the third cleaning step are managed.

上記の太陽電池パネルの製造方法は、透光性基板(2)と、基板(2)の主面上に形成され、セル分割ライン(3)によって複数の短冊状の発電セル(7)に分割された太陽電池膜(4)と、を有する太陽電池パネル(5)を製造する太陽電池パネル製造方法である。基板(2)の主面上に透明導電層(41)を製膜する透明導電層製膜ステップ(ステップS20)と、透明導電層(41)を、発電セル(7)に対応させてレーザーエッチングする透明導電層エッチングステップ(ステップS40)と、透明導電層(41)上に光電変換層(42)を製膜する光電変換層製膜ステップ(ステップS50)と、光電変換層(42)を、発電セル(7)に対応させてレーザーエッチングする光電変換層エッチングステップ(ステップS70)と、光電変換層(42)上に裏面電極膜(43)を製膜する裏面電極膜製膜ステップ(ステップS80)と、裏面電極膜(43)を、発電セル(7)に対応させて裏面電極膜エッチングステップ(ステップS100)と、各ステップ間で洗浄水を吹き付けて基板を洗浄する複数回の洗浄ステップ(ステップS10、30、90、130)と、光電変換層用レーザーエッチング装置に投入される直前の基板温度を計測する温度測定ステップ(ステップS60)と、を具備する。複数回の洗浄ステップ(ステップS10、30、90、130)は、透明導電層製膜ステップ(ステップS20)と透明導電層エッチングステップ(ステップS40)との間の基板を洗浄する第1洗浄ステップ(ステップS30)と、裏面電極膜製膜ステップ(S80)と裏面電極膜エッチングステップ(S100)との間の基板を洗浄する第2洗浄ステップ(S90)と、第1洗浄ステップにおける洗浄水温度を測定する第1温度測定ステップと、第2洗浄ステップにおける洗浄水温度を測定する第2温度測定ステップと、を有している。その温度測定ステップの基板温度にもとづいて、第1温度測定ステップ及び第2温度測定ステップにおいて測定された洗浄水温度の制御が行われる。   The manufacturing method of the solar cell panel is formed on the main surface of the translucent substrate (2) and the substrate (2), and is divided into a plurality of strip-shaped power generation cells (7) by the cell dividing line (3). A solar cell panel manufacturing method of manufacturing a solar cell panel (5) having a solar cell film (4). A transparent conductive layer forming step (step S20) for forming a transparent conductive layer (41) on the main surface of the substrate (2) and laser etching the transparent conductive layer (41) in correspondence with the power generation cell (7). A transparent conductive layer etching step (step S40), a photoelectric conversion layer forming step (step S50) for forming a photoelectric conversion layer (42) on the transparent conductive layer (41), and a photoelectric conversion layer (42), Photoelectric conversion layer etching step (step S70) for laser etching corresponding to the power generation cell (7), and back electrode film formation step (step S80) for forming the back electrode film (43) on the photoelectric conversion layer (42). ) And the back electrode film (43) corresponding to the power generation cell (7), the back electrode film etching step (step S100), and cleaning water is sprayed between the steps to clean the substrate. And several washing steps (step S10,30,90,130), it includes a temperature measuring step of measuring the substrate temperature immediately before it is put into the photoelectric conversion layer for laser etching device (step S60), the. The plurality of cleaning steps (steps S10, 30, 90, and 130) include a first cleaning step (in which the substrate is cleaned between the transparent conductive layer forming step (step S20) and the transparent conductive layer etching step (step S40)). Step S30), a second cleaning step (S90) for cleaning the substrate between the back electrode film forming step (S80) and the back electrode film etching step (S100), and the cleaning water temperature in the first cleaning step is measured. A first temperature measuring step, and a second temperature measuring step for measuring a cleaning water temperature in the second cleaning step. Based on the substrate temperature in the temperature measurement step, the cleaning water temperature measured in the first temperature measurement step and the second temperature measurement step is controlled.

上記の太陽電池パネルの製造方法は、透光性基板(2)と、基板(2)の主面上に形成され、セル分割ライン(3)によって複数の短冊状の発電セル(7)に分割された太陽電池膜(4)と、を有する太陽電池パネル(5)を製造する太陽電池パネル製造方法である。基板(2)の主面上に透明導電層(41)を製膜する透明導電層製膜ステップ(ステップS20)と、透明導電層(41)を、発電セル(7)に対応させてレーザーエッチングする透明導電層エッチングステップ(ステップS40)と、透明導電層(41)上に光電変換層(42)を製膜する光電変換層製膜ステップ(ステップS50)と、光電変換層(42)を、発電セル(7)に対応させてレーザーエッチングする光電変換層エッチングステップ(ステップS70)と、光電変換層(42)上に裏面電極膜(43)を製膜する裏面電極膜製膜ステップ(ステップS80)と、裏面電極膜(43)を、発電セル(7)に対応させて裏面電極膜エッチングステップ(ステップS100)と、各ステップ間で洗浄水を吹き付けて基板を洗浄する複数回の洗浄ステップ(ステップS10、30、55、90、130)と、光電変換層用レーザーエッチング装置に投入される前の基板を冷却する冷却ステップと、光電変換層用レーザーエッチング装置に投入される直前の基板温度を計測する温度測定ステップ(ステップS60)と、を具備する。複数回の洗浄ステップ(ステップS10、30、55、90、130)は、透明導電層製膜ステップ(ステップS20)と透明導電層エッチングステップ(ステップS40)との間の基板を洗浄する第1洗浄ステップ(ステップS30)と、裏面電極膜製膜ステップ(S80)と裏面電極膜エッチングステップ(S100)との間の基板を洗浄する第2洗浄ステップ(S90)と、第1洗浄ステップにおける洗浄水温度を測定する第1温度測定ステップと、第2洗浄ステップにおける洗浄水温度を測定する第2温度測定ステップと、光電変換層製膜ステップ(S50)と光電変換層エッチングステップ(S70)との間の基板を洗浄する第3洗浄ステップ(S55)と、を有している。その温度計測ステップにもとづいて、第1温度測定ステップと第2温度測定ステップ及び第3温度測定ステップにおいて測定された洗浄水温度の制御が行われる。   The manufacturing method of the solar cell panel is formed on the main surface of the translucent substrate (2) and the substrate (2), and is divided into a plurality of strip-shaped power generation cells (7) by the cell dividing line (3). A solar cell panel manufacturing method of manufacturing a solar cell panel (5) having a solar cell film (4). A transparent conductive layer forming step (step S20) for forming a transparent conductive layer (41) on the main surface of the substrate (2) and laser etching the transparent conductive layer (41) in correspondence with the power generation cell (7). A transparent conductive layer etching step (step S40), a photoelectric conversion layer forming step (step S50) for forming a photoelectric conversion layer (42) on the transparent conductive layer (41), and a photoelectric conversion layer (42), Photoelectric conversion layer etching step (step S70) for laser etching corresponding to the power generation cell (7), and back electrode film formation step (step S80) for forming the back electrode film (43) on the photoelectric conversion layer (42). ) And the back electrode film (43) corresponding to the power generation cell (7), the back electrode film etching step (step S100), and cleaning water is sprayed between the steps to clean the substrate. Several washing steps (steps S10, 30, 55, 90, 130), a cooling step for cooling the substrate before being put into the laser etching apparatus for photoelectric conversion layer, and a laser etching apparatus for photoelectric conversion layer And a temperature measuring step (step S60) for measuring the substrate temperature immediately before starting. The plurality of cleaning steps (steps S10, 30, 55, 90, and 130) is a first cleaning that cleans the substrate between the transparent conductive layer forming step (step S20) and the transparent conductive layer etching step (step S40). A second cleaning step (S90) for cleaning the substrate between the step (step S30), the back electrode film forming step (S80) and the back electrode film etching step (S100), and the cleaning water temperature in the first cleaning step Between the first temperature measuring step for measuring the temperature, the second temperature measuring step for measuring the temperature of the washing water in the second cleaning step, the photoelectric conversion layer deposition step (S50) and the photoelectric conversion layer etching step (S70). And a third cleaning step (S55) for cleaning the substrate. Based on the temperature measurement step, the cleaning water temperature measured in the first temperature measurement step, the second temperature measurement step, and the third temperature measurement step is controlled.

本発明にかかる太陽電池パネル製造システム(1)は、透光性基板(2)と、基板(2)の主面上に形成され、セル分割ライン(3)によって複数の短冊状の発電セル(7)に分割された太陽電池膜(4)と、基板(2)の主面上の少なくとも一部に設けられ、太陽電池膜(4)の除去された除去領域(15)と、を有する太陽電池パネル(5)を製造する太陽電池パネル製造システムである。その太陽電池パネル製造システム(1)は、製造過程中の基板に洗浄水を吹き付けて洗浄する基板洗浄器(201)を具備する。基板洗浄器(201)は、基板を搬送する搬送ローラー(25)を有している。搬送ローラー(25)は、基板を、セル分割ライン(3)の形成される方向と略平行方向を搬送方向として搬送する。搬送ローラー(25)は基板(2)を搬送するに際して、基板(2)を挟むように、基板(2)の主面側と主面の反対面側の双方に配置され、主面側では除去領域(15)又は除去予定の領域で接触し、太陽電池膜(4)の設けられた領域では接触しない。

A solar cell panel manufacturing system (1) according to the present invention is formed on a main surface of a translucent substrate (2) and a substrate (2), and a plurality of strip-shaped power generation cells (3) by a cell dividing line (3). A solar cell film (4) divided into 7) and a removal region (15) provided on at least a part of the main surface of the substrate (2) and from which the solar cell film (4) has been removed. It is a solar cell panel manufacturing system which manufactures a battery panel (5). The solar cell panel manufacturing system (1) includes a substrate cleaning device (201) for cleaning by spraying cleaning water onto a substrate being manufactured. The substrate cleaner (201) has a transport roller (25) for transporting the substrate. A conveyance roller (25) conveys a board | substrate by making a substantially parallel direction with the direction in which a cell division | segmentation line (3) is formed into a conveyance direction. The transport roller (25) is disposed on both the main surface side of the substrate (2) and the surface opposite to the main surface so as to sandwich the substrate (2) when transporting the substrate (2), and is removed on the main surface side. The contact is made in the region (15) or the region to be removed, but not in the region where the solar cell film (4) is provided.

上記の太陽電池パネル製造システム(1)において、基板洗浄器(201)は、搬送ローラー(25)は、基板を挟むように、基板の主面側とその主面の反対面側の双方に配置されていることが好ましい。   In the solar cell panel manufacturing system (1), the substrate cleaner (201) has the transport rollers (25) arranged on both the main surface side of the substrate and the opposite surface side of the main surface so as to sandwich the substrate. It is preferable that

上記の太陽電池パネル製造システム(1)において、基板洗浄器(201)は、高圧水によって洗浄を行う高圧シャワー部(27)と、純水によって洗浄を行う直水リンス部(28)と、水きりを行うエアーナイフ部(29)と、を有している。高圧シャワー部(27)、直水リンス部(28)、エアーナイフ部(29)は、搬送の上流側からこの順で配置されていることが好ましい。ロールブラシによって洗浄を行うロールブラシ部(26)が高圧シャワー部(27)より搬送の上流側に設置される場合もある。   In the solar cell panel manufacturing system (1), the substrate cleaner (201) includes a high-pressure shower unit (27) for cleaning with high-pressure water, a direct water rinse unit (28) for cleaning with pure water, And an air knife part (29) for performing The high-pressure shower part (27), the direct water rinse part (28), and the air knife part (29) are preferably arranged in this order from the upstream side of conveyance. In some cases, a roll brush part (26) for cleaning with a roll brush is installed on the upstream side of conveyance from the high pressure shower part (27).

上記の太陽電池パネル製造システム(1)において、高圧シャワー部(27)は、高圧シャワー用ノズル(30)を有している。高圧シャワー用ノズル(30)は、高圧水が、搬送上流側に傾いた角度で基板に吹き付けられるように設けられていることが好ましい。   In said solar cell panel manufacturing system (1), the high pressure shower part (27) has the nozzle (30) for high pressure showers. The high-pressure shower nozzle (30) is preferably provided so that high-pressure water is sprayed onto the substrate at an angle inclined toward the upstream side of conveyance.

上記の太陽電池パネル製造システム(1)において、高圧シャワー用ノズル(30)は、高圧水の噴射方向と、搬送方向に垂直な面とが成す角度が、10°以上30°以下となるように設けられていることが好ましい。   In the above solar cell panel manufacturing system (1), the high-pressure shower nozzle (30) has an angle formed by the high-pressure water jetting direction and a plane perpendicular to the transport direction in a range of 10 ° to 30 °. It is preferable to be provided.

上記の太陽電池パネル製造システム(1)において、高圧シャワー用ノズル(30)は、基板搬送方向に略直交方向へ揺動することが好ましい。   In the solar cell panel manufacturing system (1), the high pressure shower nozzle (30) preferably swings in a direction substantially orthogonal to the substrate transport direction.

上記の太陽電池パネル製造システム(1)において、基板洗浄器(201)は、更に、ロールブラシ部(26)の上流側に設けられ、基板を洗浄水のミスト雰囲気に曝すための助走部(31)、を有することが好ましい。   In the solar cell panel manufacturing system (1), the substrate cleaner (201) is further provided on the upstream side of the roll brush unit (26), and the runner (31) exposes the substrate to a mist atmosphere of cleaning water. ).

上記の太陽電池パネルの製造システム(1)において、助走部(31)は、基板1/2枚から2枚分のスペースを有していることが好ましい。   In the above solar cell panel manufacturing system (1), it is preferable that the run-up section (31) has a space for ½ to two substrates.

上記の太陽電池パネルの製造システム(1)は、更に、基板洗浄器(201)の各々から搬出された基板が、次の下流側の装置に搬入されるまでの間に、基板を自然乾燥させるための区間である自然乾燥区間(32)、を具備することが好ましい。   In the solar cell panel manufacturing system (1), the substrate unloaded from each of the substrate cleaners (201) is naturally dried before being loaded into the next downstream apparatus. It is preferable to provide a natural drying section (32) which is a section for the purpose.

本発明に依れば、製造過程における膜剥離の防止された太陽電池パネル製造システム、及び太陽電池パネル製造方法が提供される。   According to the present invention, a solar cell panel manufacturing system and a solar cell panel manufacturing method in which film peeling is prevented in the manufacturing process are provided.

以下に、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

(第1の実施形態)
図1は、本実施の形態にかかる太陽電池パネル製造システムによって製造される太陽電池パネル5の主要部の構造を示す図である。太陽電池パネル5は、透光性基板2と、基板2上に形成された太陽電池膜4と、を有している。尚、太陽電池膜4上には、接着シート、バックシート、端子箱などが取り付けられて太陽電池パネル5となっているが、図1では、基板2と太陽電池膜4のみ、即ちモジュール部分のみが描かれている。
(First embodiment)
FIG. 1 is a diagram showing a structure of a main part of a solar cell panel 5 manufactured by the solar cell panel manufacturing system according to the present embodiment. The solar cell panel 5 includes a translucent substrate 2 and a solar cell film 4 formed on the substrate 2. Note that an adhesive sheet, a back sheet, a terminal box, and the like are attached on the solar cell film 4 to form a solar cell panel 5. In FIG. 1, only the substrate 2 and the solar cell film 4, that is, only the module portion. Is drawn.

図1(a)に示されるように、太陽電池膜4は、基板2の中央部側に設けられている。基板2の周縁部は、太陽電池膜4の除去された除去領域14になっている。この除去領域14は、接着シートと健在な接着・シール面を確保するために設けられている。   As shown in FIG. 1A, the solar cell film 4 is provided on the center side of the substrate 2. The peripheral edge of the substrate 2 is a removal region 14 from which the solar cell film 4 has been removed. The removal region 14 is provided to ensure a healthy adhesive / seal surface with the adhesive sheet.

太陽電池膜4は、セル分割ライン3によって、複数の発電セル7に区切られている。複数の発電セル7の各々は、短冊状である。複数の発電セル7は、長辺同士を隣合せて配列されており、電気的に直列に接続されている。   The solar cell film 4 is divided into a plurality of power generation cells 7 by the cell dividing line 3. Each of the plurality of power generation cells 7 has a strip shape. The plurality of power generation cells 7 are arranged with their long sides adjacent to each other, and are electrically connected in series.

図1(b)は、発電セル7の長手方向の断面(YY’断面)を示す断面図である。図1(b)に示されるように、太陽電池膜4は、基板2側から、透明導電層41、光電変換層42、及び裏面電極層43が、この順で積層した構造を有している。また、太陽電池膜4には、各発電セル7の短辺方向に平行な辺に沿って絶縁溝16が設けられている。絶縁溝16部分では、太陽電池膜4が除去されており、内側と外側の太陽電池膜4を絶縁している。   FIG. 1B is a sectional view showing a longitudinal section (YY ′ section) of the power generation cell 7. As shown in FIG. 1B, the solar cell film 4 has a structure in which a transparent conductive layer 41, a photoelectric conversion layer 42, and a back electrode layer 43 are laminated in this order from the substrate 2 side. . Further, the solar cell film 4 is provided with an insulating groove 16 along a side parallel to the short side direction of each power generation cell 7. In the insulating groove 16 portion, the solar cell film 4 is removed, and the inner and outer solar cell films 4 are insulated.

図1(c)は、発電セル7の短辺方向の断面(XX’断面)を示す図である。発電セル7同士を分割するセル分割ライン3は、3本の溝から形成されている。即ち、透明導電膜41を区切る溝3−1と、光電変換層42を区切る溝3−2と、裏面電極膜43を区切る溝3−3である。溝3−1は、光電変換層42で埋めこまれている。溝3−2は、裏面電極膜43で埋めこまれている。溝3−2に埋め込まれた裏面電極膜43によって、隣接する発電セル7同士が電気的に直列に接続されるようになっている。また、複数の発電セル7のうち、両端に位置する発電セル7は、集電セルとなっている。図示されていないが、その集電セルには、外部取りだし用の配線が接続され、各発電セルで発電した電力が外部へ取り出される。   FIG. 1C is a view showing a cross section (XX ′ cross section) of the power generation cell 7 in the short side direction. The cell dividing line 3 that divides the power generation cells 7 is formed by three grooves. That is, the groove 3-1 for separating the transparent conductive film 41, the groove 3-2 for separating the photoelectric conversion layer 42, and the groove 3-3 for separating the back electrode film 43. The groove 3-1 is buried with the photoelectric conversion layer 42. The groove 3-2 is filled with the back electrode film 43. Adjacent power generation cells 7 are electrically connected in series by the back electrode film 43 embedded in the groove 3-2. In addition, among the plurality of power generation cells 7, the power generation cells 7 located at both ends are current collection cells. Although not shown in the figure, the current collection cell is connected to wiring for external extraction, and the electric power generated in each power generation cell is taken out to the outside.

このような構造を有する太陽電池パネル5は、図2に示されるような太陽電池パネル製造システム1によって製造される。図2は、太陽電池パネル製造システム1の装置構成のレイアウトを示す図である。太陽電池パネル製造システム1には、処理の上流側から、基板搬入装置、基板洗浄器201、透明電極製膜装置6、第1基板洗浄器21、透明電極用レーザーエッチング装置8、基板洗浄器201、光電変換層製膜装置9、光電変換層用レーザーエッチング装置10、裏面電極製膜装置11、第2基板洗浄器22、裏面電極用レーザーエッチング装置12、発電検査装置、基板バッファー装置、膜研磨装置、基板洗浄器201、レイアップ装置、ラミネータ装置、パネル化装置、端子箱取りつけ装置、発電検査装置、及び性能別仕分保管庫が、この順で配置されている。また、太陽電池パネル製造システム1には、各装置の動作を制御する制御装置14が設けられている。   The solar cell panel 5 having such a structure is manufactured by a solar cell panel manufacturing system 1 as shown in FIG. FIG. 2 is a diagram showing a layout of the device configuration of the solar cell panel manufacturing system 1. The solar cell panel manufacturing system 1 includes a substrate carry-in device, a substrate cleaning device 201, a transparent electrode film forming device 6, a first substrate cleaning device 21, a transparent electrode laser etching device 8, and a substrate cleaning device 201 from the upstream side of processing. , Photoelectric conversion layer forming apparatus 9, photoelectric conversion layer laser etching apparatus 10, back electrode film forming apparatus 11, second substrate cleaning device 22, back electrode laser etching apparatus 12, power generation inspection apparatus, substrate buffer apparatus, film polishing The apparatus, the substrate cleaner 201, the lay-up apparatus, the laminator apparatus, the paneling apparatus, the terminal box mounting apparatus, the power generation inspection apparatus, and the performance-specific sorting storage are arranged in this order. The solar cell panel manufacturing system 1 is provided with a control device 14 that controls the operation of each device.

尚、光電変換層42と裏面電極層43の間の界面特性に洗浄による影響が少ない場合には、光電変換層製膜装置9と光電変換層用レーザーエッチング装置10の間に第3基板洗浄器36を設けても良い。   When the interface characteristics between the photoelectric conversion layer 42 and the back electrode layer 43 are less affected by cleaning, a third substrate cleaner is provided between the photoelectric conversion layer forming apparatus 9 and the photoelectric conversion layer laser etching apparatus 10. 36 may be provided.

図3は、本実施形態にかかる太陽電池パネル製造方法のフローチャートである。太陽電池パネル5は、図3に示されるステップS10〜190の工程によって製造される。図4は、太陽電池パネル5の製造過程での構造を示す図である。図2、3、4を参照しつつ、各工程における処理について説明する。   FIG. 3 is a flowchart of the solar cell panel manufacturing method according to the present embodiment. The solar cell panel 5 is manufactured by steps S10 to 190 shown in FIG. FIG. 4 is a diagram showing a structure in the manufacturing process of the solar cell panel 5. Processing in each step will be described with reference to FIGS.

ステップS10;洗浄、図4A(1)
まず、基板2が基板搬入装置によって太陽電池パネル製造システム1内に搬入される。基板2としては、ソーダフロートガラス基板(1.4m×1.1m×板厚:4mm)を使用する。基板2は、破損防止にコーナー面取りやR面取り加工がされていることが好ましい。搬入された基板2は、基板洗浄器201によって洗浄される。
Step S10: Cleaning, FIG. 4A (1)
First, the board | substrate 2 is carried in in the solar cell panel manufacturing system 1 with a board | substrate carrying-in apparatus. As the substrate 2, a soda float glass substrate (1.4 m × 1.1 m × plate thickness: 4 mm) is used. The substrate 2 is preferably subjected to corner chamfering or R chamfering to prevent breakage. The loaded substrate 2 is cleaned by the substrate cleaner 201.

ステップS20;透明導電層の製膜、図4A(2)
透明電極製膜装置6によって、基板2の主面上に透明導電層41が製膜される。透明導電層2として酸化錫膜(SnO)を主成分とする透明電極膜を約500〜800nm、熱CVD装置(透明電極製膜装置6)にて約500℃で製膜処理する。この際、透明電極膜の表面は適当な凹凸のあるテクスチャーが形成される。透明導電層41として、透明電極膜に加えて、基板2と透明電極膜との間に、アルカリバリア膜(図示せず)を形成してもよい。アルカリバリア膜は、酸化シリコン膜(SiO)を50〜150nm、熱CVD装置にて約500℃で製膜処理することで形成させることができる。
Step S20: Formation of transparent conductive layer, FIG. 4A (2)
A transparent conductive layer 41 is formed on the main surface of the substrate 2 by the transparent electrode film forming apparatus 6. A transparent electrode film mainly composed of a tin oxide film (SnO 2 ) is formed as a transparent conductive layer 2 at a temperature of about 500 ° C. using a thermal CVD apparatus (transparent electrode film forming apparatus 6) at about 500 ° C. At this time, a texture with appropriate irregularities is formed on the surface of the transparent electrode film. As the transparent conductive layer 41, in addition to the transparent electrode film, an alkali barrier film (not shown) may be formed between the substrate 2 and the transparent electrode film. The alkali barrier film can be formed by forming a silicon oxide film (SiO 2 ) at a temperature of about 500 ° C. using a thermal CVD apparatus at 50 to 150 nm.

ステップS30;洗浄
透明電極製膜装置6による処理が終了した被処理基板は、第1基板洗浄器21によって洗浄される。
Step S30: Cleaning The substrate to be processed after the processing by the transparent electrode film forming apparatus 6 is cleaned by the first substrate cleaner 21.

ステップS40;レーザーエッチング、図4A(3)
続いて、被処理基板をX−Yテーブルに設置する。図4A(3)に示されるように、YAGレーザー(透明電極用レーザーエッチング装置8)の第1高調波(1064nm)を、図4(3)の矢印に示すように、透明電極膜の膜面側から入射させる。パルス発振:5〜20kHzとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整する。透明電極膜を、発電セル7の直列接続方向に対して垂直な方向に、幅約6〜10mmの短冊状に区切るように、レーザーエッチングする。これにより、透明電極膜を分割する溝3−1が形成される。レーザーエッチング装置8による処理が終了した被処理基板は、基板洗浄器によって洗浄される。
Step S40; laser etching, FIG. 4A (3)
Subsequently, the substrate to be processed is placed on an XY table. As shown in FIG. 4A (3), the first harmonic (1064 nm) of the YAG laser (transparent electrode laser etching apparatus 8) is applied to the film surface of the transparent electrode film as shown by the arrow in FIG. 4 (3). Incident from the side. Pulse oscillation: The laser power is adjusted to 5 to 20 kHz so as to be suitable for the processing speed. Laser etching is performed so that the transparent electrode film is divided into strips having a width of about 6 to 10 mm in a direction perpendicular to the series connection direction of the power generation cells 7. Thereby, the groove | channel 3-1 which divides | segments a transparent electrode film is formed. The substrate to be processed that has been processed by the laser etching apparatus 8 is cleaned by a substrate cleaner.

ステップS50;光電変換層の製膜、図4A(4)
図4A(4)に示されるように、プラズマCVD装置(光電変換層製膜装置9)により、減圧雰囲気:30〜150Pa、約200℃にて光電変換層42としてのアモルファスシリコン薄膜からなるp層膜/i層膜/n層膜を順次製膜する。光電変換層42は、SiHガスとHガスとを主原料に、透明導電層41の上に製膜される。太陽光の入射する側からp層、i層、n層がこの順で積層される。光電変換層42は本実施形態では、p層:BドープしたアモルファスSiCを主とし膜厚10〜30nm、i層:アモルファスSiを主とし膜厚250〜350nm、n層:pドープした微結晶Siを主とし膜厚30〜50nmである。またp層膜とi層膜との間には、界面特性の向上のためにバッファー層を設けてもよい。
Step S50: Film formation of photoelectric conversion layer, FIG. 4A (4)
As shown in FIG. 4A (4), a plasma CVD apparatus (photoelectric conversion layer forming apparatus 9) is used to form a p-layer made of an amorphous silicon thin film as a photoelectric conversion layer 42 in a reduced pressure atmosphere: 30 to 150 Pa at about 200 ° C. A film / i-layer film / n-layer film is sequentially formed. The photoelectric conversion layer 42 is formed on the transparent conductive layer 41 using SiH 4 gas and H 2 gas as main raw materials. The p-layer, i-layer, and n-layer are stacked in this order from the sunlight incident side. In this embodiment, the photoelectric conversion layer 42 is a p-layer: B-doped amorphous SiC and a film thickness of 10 to 30 nm, an i-layer: amorphous Si and a film thickness of 250-350 nm, and an n-layer: p-doped microcrystalline Si. The film thickness is 30 to 50 nm. Further, a buffer layer may be provided between the p layer film and the i layer film in order to improve the interface characteristics.

光電変換層製膜装置9からは、基板が約100℃で搬出されるが、搬送中に自然放冷などで温度が低下し、基板温度は長時間放置すれば室温に近くなる。しかし、量産工程において生産時間を多大にかけないためにある程度まで基板が冷却された時点で、光電変換層用レーザーエッチング装置へ基板を搬送する。   The substrate is unloaded from the photoelectric conversion layer deposition apparatus 9 at about 100 ° C., but the temperature drops due to natural cooling during the transfer, and the substrate temperature becomes close to room temperature if left for a long time. However, the substrate is transported to the photoelectric conversion layer laser etching apparatus when the substrate is cooled to some extent in order not to spend much production time in the mass production process.

ステップS70;レーザーエッチング、図4A(5)
続いて、基板がX−Yテーブルに設置される。図4A(5)に示されるように、レーザーダイオード励起YAGレーザー(光電変換層用レーザーエッチング装置10)の第2高調波(532nm)を、図4A(5)の矢印に示すように、光電変換層42の膜面側から入射させる。パルス発振:10〜20kHzとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明導電層41のレーザーエッチングライン(溝3−1)の約100μm〜150μmの横側をレーザーエッチングする。これにより、光電変換層42を分割する溝3−2が形成される。
Step S70; laser etching, FIG. 4A (5)
Subsequently, the substrate is placed on an XY table. As shown in FIG. 4A (5), the second harmonic (532 nm) of the laser diode-pumped YAG laser (photoelectric conversion layer laser etching apparatus 10) is photoelectrically converted as indicated by the arrow in FIG. 4A (5). The light is incident from the film surface side of the layer 42. Pulse oscillation: 10 to 20 kHz, the laser power is adjusted so as to be suitable for the processing speed, and the lateral side of about 100 μm to 150 μm of the laser etching line (groove 3-1) of the transparent conductive layer 41 is laser etched. Thereby, the groove | channel 3-2 which divides | segments the photoelectric converting layer 42 is formed.

ステップS80;裏面電極層製膜、図4A(6)
図4A(6)に示されるように、裏面電極層43として、Ag膜/Ti膜をスパッタリング装置(裏面電極製膜装置11)により減圧雰囲気、約150℃にて順次製膜する。裏面電極層43は本実施形態では、Ag膜:200〜500nm、これを保護するものとして防食効果の高いTi膜:10〜20nmをこの順に積層する。n層と裏面電極層43との接触抵抗低減と光反射向上を目的に、光電変換層42と裏面電極層43との間にGZO(GaドープZnO膜)を膜厚50〜100nm、スパッタリング装置により製膜して設けてもよい。
Step S80: Back electrode layer deposition, FIG. 4A (6)
As shown in FIG. 4A (6), as the back electrode layer 43, an Ag film / Ti film is sequentially formed at about 150 ° C. in a reduced pressure atmosphere by a sputtering apparatus (back electrode film forming apparatus 11). In this embodiment, the back electrode layer 43 is formed by stacking an Ag film: 200 to 500 nm and a Ti film having a high anticorrosion effect: 10 to 20 nm in this order as a protective film. For the purpose of reducing the contact resistance between the n layer and the back electrode layer 43 and improving the light reflection, a GZO (Ga doped ZnO film) is formed between the photoelectric conversion layer 42 and the back electrode layer 43 with a film thickness of 50 to 100 nm by a sputtering apparatus. A film may be formed.

ステップS90;洗浄
裏面電極製膜装置11による処理が終了した被処理基板は、第2基板洗浄器22によって洗浄される。
Step S90: Cleaning The substrate to be processed that has been processed by the back electrode film forming apparatus 11 is cleaned by the second substrate cleaner 22.

ステップS100;レーザーエッチング、図4A(7)、(8)
続いて、基板がX−Yテーブルに設置される。図4(7)に示されるように、レーザーダイオード励起YAGレーザー(裏面電極用レーザーエッチング装置12)の第2高調波(532nm)を、図4A(7)の矢印に示すように、基板2側から入射させることで、レーザー光が光電変換層42で吸収され、このとき発生する高いガス蒸気圧を利用して裏面電極層43が爆裂して除去される。パルス発振:1〜10kHzとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明導電層41のレーザーエッチングライン(溝3−1)の約250μmから400μmの横側を、レーザーエッチングする。これにより、裏面電極層43を分割する溝3−3が形成される。
Step S100; laser etching, FIG. 4A (7), (8)
Subsequently, the substrate is placed on an XY table. As shown in FIG. 4 (7), the second harmonic (532 nm) of the laser diode-pumped YAG laser (back surface electrode laser etching apparatus 12) is on the substrate 2 side as shown by the arrow in FIG. 4A (7). , The laser light is absorbed by the photoelectric conversion layer 42, and the back electrode layer 43 is exploded and removed using the high gas vapor pressure generated at this time. The laser power is adjusted so that the pulse oscillation is 1 to 10 kHz and the processing speed is appropriate, and the lateral side of the laser etching line (groove 3-1) of the transparent conductive layer 41 from about 250 μm to 400 μm is laser etched. Thereby, the groove | channel 3-3 which divides | segments the back surface electrode layer 43 is formed.

更に、図4A(8)に示されるように、被処理基板の端部から5〜15mmの位置をレーザーエッチングして、絶縁溝16を形成させる。この時、被処理基板の4辺のうち、対向する2辺に沿って絶縁溝16が形成される。他の2辺に対しては、絶縁溝を設けない。具体的には、まず被処理基板をX−Yテーブルに設置する。そして、レーザーダイオード励起YAGレーザー(レーザーエッチング装置12)の第2高調波(532nm)を、基板2側から入射させる。レーザーパワーを、パルス発振:1〜10kHzとして加工速度に適切となるように調整する。これにより、レーザー光が透明導電層41と光電変換層42で吸収される。この時発生する高いガス蒸気圧により、裏面電極層43が爆裂して除去される。   Further, as shown in FIG. 4A (8), the insulating groove 16 is formed by laser etching at a position of 5 to 15 mm from the end of the substrate to be processed. At this time, the insulating groove 16 is formed along two opposing sides of the four sides of the substrate to be processed. Insulating grooves are not provided for the other two sides. Specifically, first, the substrate to be processed is placed on an XY table. Then, the second harmonic (532 nm) of the laser diode pumped YAG laser (laser etching apparatus 12) is incident from the substrate 2 side. The laser power is adjusted to a pulse oscillation of 1 to 10 kHz so as to be appropriate for the processing speed. As a result, the laser light is absorbed by the transparent conductive layer 41 and the photoelectric conversion layer 42. Due to the high gas vapor pressure generated at this time, the back electrode layer 43 is exploded and removed.

以上のようにして、基板2上に複数の短冊状の発電セル7が形成された太陽電池モジュールが形成される。   As described above, a solar cell module in which a plurality of strip-shaped power generation cells 7 are formed on the substrate 2 is formed.

ステップS110;光電検査、図4B(1)
続いて、図4B(1)に示されるように、太陽電池モジュールの発電検査が行われる。太陽電池モジュールに、ソーラーシミュレータによって直達光が照射される。光の照射に応じて太陽電池モジュールが発電する。この時の発電特性(電流、電圧、出力など)が測定される。ここで、発電特性が規格内であった太陽電池モジュールは、次の工程へ搬送される。一方、規格外であった太陽電池モジュールは、次の工程へは送られず、不良品として処理される。又は、再生処理が施される。
Step S110: photoelectric inspection, FIG. 4B (1)
Subsequently, as shown in FIG. 4B (1), a power generation inspection of the solar cell module is performed. The solar cell module is irradiated with direct light by a solar simulator. The solar cell module generates power in response to light irradiation. The power generation characteristics (current, voltage, output, etc.) at this time are measured. Here, the solar cell module whose power generation characteristics are within the standard is conveyed to the next step. On the other hand, the solar cell module that was out of specification is not sent to the next step and is processed as a defective product. Alternatively, a reproduction process is performed.

ステップS120;膜研磨、図4B(2)
図4B(2)に示されるように、膜研磨装置によって、太陽電池パネルの外周部となる部分の太陽電池膜を除去する。これは、後工程でEVA(エチレン酢酸ビニル共重合体)等を介してバックシートを貼り付ける際に、健在な接着・シール面を確保するためである。被処理基板の端から5〜15mmで、絶縁溝16よりも被処理基板端側における太陽電池膜4をブラストや砥石研磨などを用いて研磨除去する。
Step S120; film polishing, FIG. 4B (2)
As shown in FIG. 4B (2), the solar cell film in the portion that becomes the outer peripheral portion of the solar cell panel is removed by the film polishing apparatus. This is to ensure a healthy adhesion / seal surface when the back sheet is pasted via EVA (ethylene vinyl acetate copolymer) or the like in a later step. The solar cell film 4 at 5 to 15 mm from the end of the substrate to be processed and closer to the substrate to be processed than the insulating groove 16 is polished and removed by blasting, grinding stone polishing, or the like.

ステップS130;洗浄
膜研磨装置による処理が終了した被処理基板は、基板洗浄器に201よって洗浄される。これにより、研磨屑や砥粒が除去される。
Step S130: Cleaning The substrate to be processed that has been processed by the film polishing apparatus is cleaned by the substrate cleaning device 201. Thereby, polishing scraps and abrasive grains are removed.

ステップS140、150、160;レイアップ、ラミネート、パネル化、図4B(3)
図4B(3)に示されるように、レイアップ装置、ラミネート装置、及びパネル化装置によって、EVAシート、及びカバーシートが被処理基板上に載せられる。更に、ラミネータ装置によって、被処理基板上に載せられたカバーシートがEVAシートを介して接着させられる。更に、パネル化される。
Steps S140, 150, 160; layup, lamination, panelization, FIG. 4B (3)
As shown in FIG. 4B (3), the EVA sheet and the cover sheet are placed on the substrate to be processed by the layup device, the laminating device, and the paneling device. Further, the cover sheet placed on the substrate to be processed is bonded via the EVA sheet by the laminator device. Furthermore, it is panelized.

ステップS170;端子台の取りつけ、図4B(4)、(5)
図4B(4)に示されるように、端子台取りつけ装置によって、端子台が取りつけられる。更に、図4B(5)に示されるように、端子箱内に封止剤が注入される。これにより、太陽電池パネル5となる。
Step S170: Terminal block installation, FIG. 4B (4), (5)
As shown in FIG. 4B (4), the terminal block is mounted by the terminal block mounting device. Further, as shown in FIG. 4B (5), a sealant is injected into the terminal box. Thereby, the solar cell panel 5 is obtained.

ステップS180;光電検査、図4B(6)
続いて、図4B(6)に示されるように、光電検査装置によって、太陽電池パネル5の発電特性が検査される。本ステップにおける検査は、太陽電池モジュールの発電検査(S110)の処理と同様である。即ち、ソーラーシミュレータにより発電の特性が検査される。
Step S180: photoelectric inspection, FIG. 4B (6)
Subsequently, as shown in FIG. 4B (6), the power generation characteristics of the solar cell panel 5 are inspected by the photoelectric inspection device. The inspection in this step is the same as the process of the power generation inspection (S110) of the solar cell module. That is, the characteristics of power generation are inspected by the solar simulator.

ステップS190;仕分け
発電検査(S180)の終了した太陽電池パネル5は、性能仕分け保管庫に搬送される。性能仕分け保管庫26において仕分けされる。
Step S190: Sorting The solar cell panel 5 for which the power generation inspection (S180) has been completed is transported to the performance sorting storage. Sorting is performed in the performance sorting storage 26.

以上のステップS10〜190の処理により、太陽電池パネル5が製造される。ここで、上記の各ステップのうち、透明電極膜をエッチングする直前の洗浄工程(S30)における洗浄水温度と、裏面電極膜をエッチングする直前の洗浄工程(S90)における洗浄水温度は、光電変換層をエッチング工程(S70)の直前における基板平均温度に対して、±10℃以内となるように工夫されている。   The solar cell panel 5 is manufactured by the processing of steps S10 to 190 described above. Here, among the above steps, the cleaning water temperature in the cleaning process (S30) immediately before etching the transparent electrode film and the cleaning water temperature in the cleaning process (S90) immediately before etching the back electrode film are photoelectric conversions. The layer is devised to be within ± 10 ° C. with respect to the substrate average temperature immediately before the etching step (S70).

また、通常、光電変換層がレーザーエッチングされる直前の基板温度は、光電変換層製膜時に約200℃に熱が加わっているために室温より高く、光電変換装置9から搬出され、光電変換層がレーザーエッチングされる直前の基板温度は例えば30℃から60℃程度である。一方、基板洗浄器に用いられる洗浄水は、通常、高圧洗浄のために2MPa程度の一定の圧力まで昇圧するので、水温も上昇する。昇圧の圧力は洗浄性能を維持するために管理されているので、洗浄水温度は季節変動を受けることなく、30℃以上の一定温度を維持することが容易にできる。また、光電変換層がレーザーエッチングされる直前の基板温度が30℃よりもさらに高い場合においても、洗浄水温度を補助ヒータなどを用いて昇温させることは、容易である。基板温度は各基板洗浄器の洗浄水温度に近い温度になるため、各レーザーエッチング工程の各基板の温度差を少なくすることが簡単に可能となる。ここで、基板温度を全てのレーザーエッチング工程前において室温レベルに揃えることは、光電変換層がレーザーエッチングされる直前の基板温度(例えば30℃から40℃程度)を更に室温レベルにまで冷却する必要があり、この冷却のために、製造タクトに許容された冷却時間に対応できる冷却能力の高い基板冷却手段を設ける必要がある。従って、光電変換層がレーザーエッチングされる直前の基板温度が略30℃〜略40℃において、上記洗浄水温度を30℃以上の一定温度を維持することは、非常に簡易な効率的な手段として有効である。   Further, the substrate temperature immediately before the photoelectric conversion layer is laser-etched is higher than room temperature because heat is applied to about 200 ° C. during the formation of the photoelectric conversion layer, and is carried out of the photoelectric conversion device 9 to be output from the photoelectric conversion layer. The substrate temperature immediately before laser etching is, for example, about 30 ° C. to 60 ° C. On the other hand, since the cleaning water used for the substrate cleaning device is usually pressurized to a constant pressure of about 2 MPa for high-pressure cleaning, the water temperature also rises. Since the pressure of the increased pressure is managed to maintain the cleaning performance, the cleaning water temperature can be easily maintained at a constant temperature of 30 ° C. or more without being subject to seasonal fluctuations. Even when the substrate temperature immediately before the photoelectric conversion layer is laser-etched is higher than 30 ° C., it is easy to raise the cleaning water temperature using an auxiliary heater or the like. Since the substrate temperature is close to the cleaning water temperature of each substrate cleaner, it is possible to easily reduce the temperature difference between the substrates in each laser etching step. Here, aligning the substrate temperature to the room temperature level before all laser etching steps requires that the substrate temperature (for example, about 30 ° C. to 40 ° C.) immediately before the photoelectric conversion layer is laser etched be further cooled to the room temperature level. For this cooling, it is necessary to provide a substrate cooling means having a high cooling capacity that can cope with the cooling time allowed for the manufacturing tact. Therefore, maintaining the cleaning water temperature at a constant temperature of 30 ° C. or more when the substrate temperature immediately before laser etching of the photoelectric conversion layer is about 30 ° C. to about 40 ° C. is a very simple and efficient means. It is valid.

更に光電変換層製膜装置9とレーザーエッチング装置10との間に第3基板洗浄器36を設けた場合には、この第1基板洗浄器、第2基板洗浄器、及び第3基板洗浄器36の洗浄水温度を±5℃以内にすることが好ましい。このようにすれば、各レーザーエッチング工程の各基板温度は全て洗浄水温度に近い温度になり、更に確実に各基板間の温度差を小さくすることが出来る。基板温度は各基板洗浄器の洗浄水温度に近い温度となるが、数℃以内の温度差が生じる場合もあり、各レーザーエッチング工程前の基板間の温度差を±10℃以内にするためには洗浄水温度を±5℃以内にすることが好ましい。   Further, when the third substrate cleaner 36 is provided between the photoelectric conversion layer deposition apparatus 9 and the laser etching apparatus 10, the first substrate cleaner, the second substrate cleaner, and the third substrate cleaner 36. The washing water temperature is preferably within ± 5 ° C. In this way, all the substrate temperatures in each laser etching step are close to the cleaning water temperature, and the temperature difference between the substrates can be reduced more reliably. The substrate temperature is close to the cleaning water temperature of each substrate cleaner, but there may be a temperature difference within several degrees Celsius, so that the temperature difference between the substrates before each laser etching process is within ± 10 ° C. The temperature of the washing water is preferably within ± 5 ° C.

続いて、位置ずれを防止することにより膜剥離を防止することのできる理由について、図5を参照して説明する。   Next, the reason why film peeling can be prevented by preventing misalignment will be described with reference to FIG.

図5は、(a)計画通りのエッチングが行われた場合、(b)透明導電層エッチング時(S40)で基板温度が計画よりも高かった場合、(c)光電変換層エッチング時(S70)において基板温度が計画よりも高かった場合、(d)裏面電極層エッチング時(S100)において基板温度が計画よりも高かった場合、の夫々について、太陽電池膜4部分の断面構造を示した図である。   FIG. 5 shows (a) when etching is performed as planned, (b) when the transparent conductive layer is etched (S40) when the substrate temperature is higher than planned, and (c) when the photoelectric conversion layer is etched (S70). FIG. 4 is a diagram showing a cross-sectional structure of the solar cell film 4 portion when the substrate temperature is higher than the plan at (d) when the substrate temperature is higher than the plan at the time of etching the back electrode layer (S100). is there.

図5(a)に示されるように、計画通りのエッチングが行われた場合、溝3−1、3−2、3−3は、互いに重ならないように設けられる。また、溝3−1と溝3−3との間に、溝3−2が設けられる。各溝の幅は、溝3−1が20μm〜50μm、溝3−2が100μm〜150μm、溝3−3が50μm〜100μmである。溝3−1から溝3−2までは、100μm〜150μmの距離が設けられている。溝3−1から溝3−3までは、250μm〜400μmの距離が設けられている。   As shown in FIG. 5A, when the etching is performed as planned, the grooves 3-1, 3-2, and 3-3 are provided so as not to overlap each other. A groove 3-2 is provided between the groove 3-1 and the groove 3-3. The width of each groove is 20 μm to 50 μm for the groove 3-1, 100 μm to 150 μm for the groove 3-2, and 50 μm to 100 μm for the groove 3-3. A distance of 100 μm to 150 μm is provided from the groove 3-1 to the groove 3-2. A distance of 250 μm to 400 μm is provided from the groove 3-1 to the groove 3-3.

一方、図5(b)に示されるように、透明導電層エッチング時に基板温度が計画よりも高かった場合、基板2が熱膨張のために大きくなっているために、透明導電層41を分割する溝3−1の位置が溝3−2側にずれてしまう。このように、溝3−1が溝3−2側にずれると、溝3−1と溝3−2が重なることがある。溝3−1と溝3−2との重なり部分では、裏面電極層43が不十分な状態で埋め込まれてしまう。即ち、僅かな隙間に裏面電極層43が部分的に隙間を生じながら埋め込まれた状態になる。このような隙間部分では、裏面電極層43の接着力が不安定となり、剥離し易い。   On the other hand, as shown in FIG. 5B, when the substrate temperature is higher than planned when the transparent conductive layer is etched, the transparent conductive layer 41 is divided because the substrate 2 is large due to thermal expansion. The position of the groove 3-1 is shifted to the groove 3-2 side. As described above, when the groove 3-1 is displaced toward the groove 3-2, the groove 3-1 and the groove 3-2 may overlap each other. In the overlapping part of the groove 3-1 and the groove 3-2, the back electrode layer 43 is buried in an insufficient state. That is, the back electrode layer 43 is embedded in a slight gap while partially creating a gap. In such a gap portion, the adhesive force of the back electrode layer 43 becomes unstable and easily peels off.

一方、図5(c)に示されるように、光電変換層42エッチング時に基板温度が計画より高かった場合には、光電変換層42を分割する溝3−2の位置が溝3−3側にずれる。このような場合、溝3−3では、光電変換層42及び裏面電極層43が除去されているので、裏面電極層43の埋めこまれる部分は、溝3−2のうち、溝3−3に重ならない部分のみとなる。本来、図5(a)に示されるように、溝3−2では50μm〜100μmの幅で裏面電極層43が透明導電層41に接続されていなければならないが、図5(c)の場合には、溝3−2に埋め込まれた裏面電極層43の幅が著しく小さくなる。また場合によっては裏面電極層43と透明導電層41の接続状態が不十分になる。このように、溝3−2を形成時にエッチングされずに残留した裏面電極層43の幅が小さくなるので、この部分での接着力が低下し、剥離が起こり易くなる。また電気抵抗増加で太陽電池パネルの出力が低下し易くなる。   On the other hand, as shown in FIG. 5C, when the substrate temperature is higher than the plan during etching of the photoelectric conversion layer 42, the position of the groove 3-2 dividing the photoelectric conversion layer 42 is on the groove 3-3 side. Shift. In such a case, since the photoelectric conversion layer 42 and the back electrode layer 43 are removed in the groove 3-3, the portion embedded in the back electrode layer 43 is in the groove 3-3 in the groove 3-2. Only the parts that do not overlap. Originally, as shown in FIG. 5A, the back electrode layer 43 must be connected to the transparent conductive layer 41 with a width of 50 μm to 100 μm in the groove 3-2, but in the case of FIG. The width of the back electrode layer 43 embedded in the groove 3-2 is remarkably reduced. In some cases, the connection state between the back electrode layer 43 and the transparent conductive layer 41 becomes insufficient. In this way, the width of the back electrode layer 43 that remains without being etched when the groove 3-2 is formed is reduced, so that the adhesive strength at this portion is reduced and peeling is likely to occur. Moreover, the output of the solar cell panel tends to decrease due to an increase in electrical resistance.

また、図5(d)に示されるように、裏面電極層43のエッチング時に基板温度が計画より高かった場合には、裏面電極層43を分割する溝3−3の位置が、溝3−2の反対側にずれることになる。このような場合、各層の接着力が低下することはないが、発電を行うことのできる面積が減少するので、太陽電池としての出力が低下してしまう。   Further, as shown in FIG. 5D, when the substrate temperature is higher than planned when the back electrode layer 43 is etched, the position of the groove 3-3 dividing the back electrode layer 43 is the groove 3-2. It will shift to the opposite side. In such a case, the adhesive strength of each layer does not decrease, but the area where power generation can be performed decreases, so the output as a solar cell decreases.

以上説明したように、本実施形態に依れば、透明導電層41をレーザーエッチングするステップ(S40)、光電変換層42をレーザーエッチングするステップ(S70)、及び裏面電極層43をレーザーエッチングするステップ(S100)において、各レーザーエッチング装置へ搬入する基板の温度差を小さくしてレーザーエッチングを行うことができるので、エッチングの位置ずれを防止することができる。エッチングの位置ずれを防止できるので、膜剥離を防止することができる。   As described above, according to the present embodiment, the step of laser-etching the transparent conductive layer 41 (S40), the step of laser-etching the photoelectric conversion layer 42 (S70), and the step of laser-etching the back electrode layer 43 In (S100), since the laser etching can be performed by reducing the temperature difference between the substrates carried into the respective laser etching apparatuses, it is possible to prevent the displacement of the etching. Etching displacement can be prevented, so that film peeling can be prevented.

(第2の実施形態)
第2の実施形態について説明する。図6は、本実施形態にかかる太陽電池パネル製造システム1のレイアウトを示す図である。本実施形態の太陽電池パネル製造システム1は、第1の実施形態に対して、更に、光電変換層製膜装置9と光電変換層用レーザーエッチング装置10の間には基板冷却部33が追加されて工夫されている。尚、冷却部33以外の構成については、第1の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
(Second Embodiment)
A second embodiment will be described. FIG. 6 is a diagram showing a layout of the solar cell panel manufacturing system 1 according to the present embodiment. In the solar cell panel manufacturing system 1 of the present embodiment, a substrate cooling unit 33 is further added between the photoelectric conversion layer forming apparatus 9 and the photoelectric conversion layer laser etching apparatus 10 as compared to the first embodiment. Have been devised. In addition, since it is the same as that of 1st Embodiment about structures other than the cooling part 33, description is abbreviate | omitted.

冷却部33としては、例えばファンが挙げられる。   An example of the cooling unit 33 is a fan.

図7は、本実施形態に係る太陽電池パネル製造方法のフローチャートを示している。第1の実施形態と比較して、冷却する工程(ステップS65)が追加されている。   FIG. 7 shows a flowchart of the solar cell panel manufacturing method according to the present embodiment. Compared with the first embodiment, a cooling process (step S65) is added.

冷却する工程(S65)においては、冷却部33が、光電変換層用レーザーエッチング装置10に投入される直前の基板の平均温度を、基板洗浄器21の洗浄水温度及び基板洗浄器22の洗浄水温度に対して±10℃以下となるように、管理する。   In the cooling step (S65), the cooling unit 33 sets the average temperature of the substrate immediately before being introduced into the photoelectric conversion layer laser etching apparatus 10 to the cleaning water temperature of the substrate cleaning device 21 and the cleaning water of the substrate cleaning device 22. The temperature is controlled to be ± 10 ° C. or lower.

光電変換層製膜時に約200℃に熱が加わっているために室温より高く、光電変換装置9からは約100℃で搬出され、光電変換層がレーザーエッチングされるまでの間に、空冷ファンなどを用いた強制冷却装置にて基板平均温度を30℃から40℃程度に冷却する。約25℃の室内空気をファンにより強制冷却して、基板平均温度を30℃から40℃程度まで冷却するには数分間で十分で、量産処理のタクトタイムへの影響はない。   Since heat is applied to about 200 ° C. during the formation of the photoelectric conversion layer, the temperature is higher than room temperature, and the air is cooled from the photoelectric conversion device 9 at about 100 ° C. until the photoelectric conversion layer is laser-etched. The substrate average temperature is cooled from about 30 ° C. to about 40 ° C. with a forced cooling device using A few minutes is enough to forcibly cool the room air of about 25 ° C. with a fan and cool the average substrate temperature from 30 ° C. to about 40 ° C., and there is no influence on the tact time of mass production processing.

また、基板温度は、室温(約25℃)に近づき冷却媒体との温度差が少なくなるので、約30℃から自然放冷によって室温まで基板温度が変化するには相当な長い時間を要する。このため約30℃まで冷却された基板温度は少なくともレーザーエッチング処理時間以上の比較的長い時間にわたり、温度変化が少なく安定している状況にある。   In addition, since the substrate temperature approaches room temperature (about 25 ° C.) and the temperature difference from the cooling medium decreases, it takes a considerable time for the substrate temperature to change from about 30 ° C. to room temperature by natural cooling. For this reason, the substrate temperature cooled to about 30 ° C. is stable with little temperature change over a relatively long period of time longer than the laser etching processing time.

一方、基板洗浄器に用いられる洗浄水は、通常、高圧洗浄のために2MPa程度の一定の管理した圧力まで昇圧するので、水温も上昇し、洗浄水温度は季節変動を受けることなく、約30℃の一定温度を維持することができる。また、光電変換層がレーザーエッチングされる直前の基板平均温度が30℃よりもさらに高く40℃に近い場合は、洗浄水温度を補助ヒータなどを用いて昇温させる。このため、各レーザーエッチング工程の基板の温度差を安定して少なくすることが可能となる。   On the other hand, since the cleaning water used for the substrate cleaning device is usually pressurized to a certain controlled pressure of about 2 MPa for high-pressure cleaning, the water temperature also rises, and the cleaning water temperature is not subject to seasonal fluctuations, and is about 30 A constant temperature of ° C can be maintained. When the average substrate temperature immediately before the photoelectric conversion layer is laser-etched is higher than 30 ° C. and close to 40 ° C., the cleaning water temperature is raised using an auxiliary heater or the like. For this reason, it is possible to stably reduce the temperature difference of the substrate in each laser etching step.

以上説明したように、本実施形態によれば、透明導電層41をレーザーエッチングするステップ(S40)、光電変換層42をレーザーエッチングするステップ(S70)、及び裏面電極層43をレーザーエッチングするステップ(S100)において、各レーザーエッチング装置へ搬入する基板の温度差を更に小さくしてレーザーエッチングを行うことができるので、エッチングの位置ずれを防止することができる。エッチングの位置ずれを防止できるので、膜剥離を防止することができる。   As described above, according to the present embodiment, the step of laser etching the transparent conductive layer 41 (S40), the step of laser etching the photoelectric conversion layer 42 (S70), and the step of laser etching the back electrode layer 43 ( In S100), the temperature difference between the substrates carried into the respective laser etching apparatuses can be further reduced to perform the laser etching, so that the etching misalignment can be prevented. Etching displacement can be prevented, so that film peeling can be prevented.

(第3の実施形態)
第3の実施形態について説明する。図8は、本実施形態に係る太陽電池パネル製造システム1のレイアウト図である。本実施形態の太陽電池パネル製造システム1は、第1の実施形態に対して、更に、光電変換層用レーザーエッチング装置10のすぐ上流側に、温度センサ13を設け、基板洗浄器の洗浄水温度について制御装置14が設けられて工夫されている。また、第1基板洗浄器の洗浄水温度を管理する第1温度コントローラ23、第2基板洗浄器の洗浄水温度を管理する第2温度コントローラ24が追加されている。尚、図8においては、第1温度コントローラ23、第2温度コントローラ24の図示は省略されている。
(Third embodiment)
A third embodiment will be described. FIG. 8 is a layout diagram of the solar cell panel manufacturing system 1 according to this embodiment. The solar cell panel manufacturing system 1 of the present embodiment is further provided with a temperature sensor 13 immediately upstream of the photoelectric conversion layer laser etching apparatus 10 with respect to the first embodiment, and the cleaning water temperature of the substrate cleaner A control device 14 is provided and devised. Further, a first temperature controller 23 for managing the cleaning water temperature of the first substrate cleaner and a second temperature controller 24 for managing the cleaning water temperature of the second substrate cleaner are added. In FIG. 8, the first temperature controller 23 and the second temperature controller 24 are not shown.

温度センサ13は、光電変換層用レーザーエッチング装置に投入される直前の基板温度を測定するものである。制御装置14は、例えば、CPUやメモリ等を有するコンピュータであり、予めインストールされたプログラムによりその機能を実現するものである。尚、上述の点以外の構成については、第1の実施形態と同様であるので、説明を省略する。   The temperature sensor 13 measures the substrate temperature immediately before being introduced into the photoelectric conversion layer laser etching apparatus. The control device 14 is, for example, a computer having a CPU, a memory, and the like, and realizes its function by a program installed in advance. In addition, since it is the same as that of 1st Embodiment about structures other than the above-mentioned point, description is abbreviate | omitted.

図9は、本実施の形態にかかる太陽電池パネル製造方法のフローチャートである。第1の実施形態に対して、温度測定を行う工程(ステップS60)と、温度管理を行う工程(ステップS61)とが追加されている。これ以外の工程は、第1の実施形態と同じである。   FIG. 9 is a flowchart of the solar cell panel manufacturing method according to the present embodiment. Compared to the first embodiment, a step of performing temperature measurement (step S60) and a step of performing temperature management (step S61) are added. The other steps are the same as those in the first embodiment.

ステップS60、61;温度測定、温度管理
図4A(4)に示されるように、プラズマCVD装置(光電変換層製膜装置9)により、光電変換層42の製膜に続いて、温度センサ13によって、基板温度の測定が行われる。この基板温度の測定は、次のレーザーエッチング工程の直前に行われる。温度センサ13は、基板温度を中央付近の代表点または基板内の複数点の測定結果を、制御装置14に通知する。制御装置14は、この測定結果に基づいて算出した基板平均温度に対して、第1基板洗浄器21、第2基板洗浄器22の洗浄水温度をコントロールして、温度センサ13の値と第1基板洗浄器21、第2基板洗浄器22の洗浄水温度の温度差を小さくするようにする。具体的には、基板平均温度と各洗浄水温度の温度差が±10℃以内になるように制御する。
Steps S60, 61; Temperature measurement, temperature management As shown in FIG. 4A (4), by the plasma CVD apparatus (photoelectric conversion layer film forming apparatus 9), following the film formation of the photoelectric conversion layer 42, by the temperature sensor 13. The substrate temperature is measured. The substrate temperature is measured immediately before the next laser etching process. The temperature sensor 13 notifies the control device 14 of the measurement result of a representative point near the center or a plurality of points in the substrate. The control device 14 controls the cleaning water temperature of the first substrate cleaner 21 and the second substrate cleaner 22 with respect to the average substrate temperature calculated based on the measurement result, and the value of the temperature sensor 13 and the first The temperature difference between the cleaning water temperatures of the substrate cleaner 21 and the second substrate cleaner 22 is reduced. Specifically, the temperature difference between the substrate average temperature and each cleaning water temperature is controlled to be within ± 10 ° C.

図10は、太陽電池パネル製造システム1の主要部の構成をブロック的に示す図である。図10に示されるように、第1基板洗浄器21には、洗浄水温度を管理する第1温度コントローラ23が接続されている。第2器板洗浄器22にも、洗浄水温度を管理する第2温度コントローラ24が接続されている。また、光電変換層用レーザーエッチング装置10の上流側には、基板の温度を測定する温度センサ13が設けられている。温度センサ13によって、光電変換層用レーザーエッチング装置10に搬入される直前の基板温度が測定される。計測は輻射熱をもとに計測する非接触式と、直接熱電対を発電特性に支障のない基板領域に押し当て接触させて計測することができる。測定された結果は、制御装置14に通知される。   FIG. 10 is a block diagram showing a configuration of a main part of the solar cell panel manufacturing system 1. As shown in FIG. 10, a first temperature controller 23 that manages the temperature of the cleaning water is connected to the first substrate cleaner 21. A second temperature controller 24 that manages the temperature of the cleaning water is also connected to the second plate cleaner 22. A temperature sensor 13 for measuring the temperature of the substrate is provided on the upstream side of the photoelectric conversion layer laser etching apparatus 10. The substrate temperature immediately before being carried into the photoelectric conversion layer laser etching apparatus 10 is measured by the temperature sensor 13. The measurement can be performed by a non-contact type measurement based on radiant heat or by directly contacting a thermocouple against a substrate region that does not interfere with power generation characteristics. The measured result is notified to the control device 14.

制御装置14は、温度センサ13から通知された基板温度に基いて、第1温度コントローラ23及び第2温度コントローラ24に対して指示を与える。そして、第1基板洗浄器21および第2基板洗浄器22の洗浄水温度が、通知された基板温度、即ち光電変換層がレーザーエッチングされる直前の基板温度と温度差が小さくなるように制御する。   The control device 14 gives an instruction to the first temperature controller 23 and the second temperature controller 24 based on the substrate temperature notified from the temperature sensor 13. Then, the cleaning water temperature of the first substrate cleaner 21 and the second substrate cleaner 22 is controlled so as to reduce the temperature difference from the notified substrate temperature, that is, the substrate temperature just before the photoelectric conversion layer is laser-etched. .

このように、第1基板洗浄器21及び第2基板洗浄器22の洗浄水温度を、光電変換層をレーザーエッチングする直前の基板温度付近にさせることによって、3回のレーザーエッチング工程(ステップS40、S70、S100)における基板温度をほぼ同じにすることができる。各レーザーエッチング工程での基板温度を略同じにすることにより、計画通りの位置をレーザーエッチングすることができる。位置ずれが防止されるので、太陽電池膜が剥離することも防止される。   As described above, the cleaning water temperature of the first substrate cleaning device 21 and the second substrate cleaning device 22 is set close to the substrate temperature just before laser etching the photoelectric conversion layer, thereby performing three laser etching steps (step S40, The substrate temperatures in S70 and S100) can be made substantially the same. By making the substrate temperature substantially the same in each laser etching step, the planned position can be laser etched. Since the displacement is prevented, the solar cell film is also prevented from peeling off.

また、各レーザーエッチング装置(8、10、12)に被処理基板が搬入されてから、X−Yテーブル上にて基板の温度調節が行われる場合と比較すると、本実施形態では、被処理基板の温度調節が、基板洗浄器から搬出された段階でなされているので、温度調節のために要する時間が短縮されているので、好ましい。   Further, in the present embodiment, the substrate to be processed is compared with the case where the substrate temperature is adjusted on the XY table after the substrate to be processed is carried into each laser etching apparatus (8, 10, 12). Since the temperature adjustment is performed at the stage when the substrate is unloaded from the substrate cleaner, the time required for temperature adjustment is shortened, which is preferable.

尚、光電変換層用レーザーエッチング装置10と光電変換層製膜装置9との間に、第3基板洗浄器36が設けられている場合には、光電変換層用レーザーエッチング装置10に搬入される被処理基板温度が、第3基板洗浄器36の洗浄水温度に近づき、各レーザーエッチングに搬入される各被処理基板温度の差は、更に少なくなるとともに安定化する。第3基板洗浄器36に接続された第3温度コントローラ(図示は省略)を追加して、第3基板洗浄器36の洗浄水温度も第1、第2基板洗浄器と同様に管理しても良い。また前記第3温度コントローラが無くても、少なくとも第1/第2/第3基板洗浄器の洗浄水温度が略同一であれば、各レーザーエッチング装置に搬入される被処理基板温度が略同一となり、相互温度差が少なくすることができる。
また、各洗浄水温度を各温度コントローラで加熱または冷却を行って、基板温度に対して更に適した温度となるように適宜設定することも可能である。例えば基板温度を室温付近に温度管理することも可能となる。この場合は、工程で連続処理される基板と基板ストッカーで一時保管され室温付近温度になっている基板の両方において、レーザーエッチング前の基板温度の差を少なく出来ること、レーザーエッチング工程中で基板が放冷による僅かではあるが温度変化が生じることを抑制可能なことの利点があり、更に高精度な加工が必要な場合に適する。
In addition, when the 3rd board | substrate washing | cleaning device 36 is provided between the laser etching apparatus 10 for photoelectric conversion layers, and the photoelectric converting layer film forming apparatus 9, it carries in to the laser etching apparatus 10 for photoelectric conversion layers. The temperature of the substrate to be processed approaches the cleaning water temperature of the third substrate cleaner 36, and the difference between the temperatures of the substrates to be processed that are carried into each laser etching is further reduced and stabilized. If a third temperature controller (not shown) connected to the third substrate cleaner 36 is added, the cleaning water temperature of the third substrate cleaner 36 can be managed in the same manner as the first and second substrate cleaners. good. Even if there is no third temperature controller, if at least the cleaning water temperatures of the first / second / third substrate cleaners are substantially the same, the temperature of the substrate to be processed carried into each laser etching apparatus will be substantially the same. The mutual temperature difference can be reduced.
It is also possible to set each cleaning water temperature appropriately by heating or cooling each temperature controller so that the temperature becomes more suitable for the substrate temperature. For example, the substrate temperature can be controlled near room temperature. In this case, the difference in substrate temperature before laser etching can be reduced in both the substrate that is continuously processed in the process and the substrate that is temporarily stored in the substrate stocker and is near room temperature. There is an advantage that it is possible to suppress a slight change in temperature due to cooling, and this method is suitable when high-precision processing is required.

(第4の実施形態)
本発明の第4の実施形態について説明する。本実施形態では、第1の実施形態と比較して、冷却部33が追加されている。また、第3の実施形態に示したような、第1温度コントローラ23、第2温度コントローラ24は特に必要無い。更に、制御装置14が処理する内容が異なっている。これら以外の点については、第1の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
(Fourth embodiment)
A fourth embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, a cooling unit 33 is added as compared with the first embodiment. Further, the first temperature controller 23 and the second temperature controller 24 as shown in the third embodiment are not particularly necessary. Further, the contents processed by the control device 14 are different. Since points other than these are the same as those in the first embodiment, description thereof will be omitted.

図11は、本実施形態に係る太陽電池パネル製造システム1の要部を示す構成図である。尚、第1の実施形態と同じ部分に関しては、図示を省略している。太陽電池パネル製造システム1には、光電変換層製膜装置9と、光電変換層用レーザーエッチング装置10との間に、冷却部33が配置されている。また、第1基板洗浄器21の洗浄水温度を測定する温度センサ34と、第2基板洗浄器22の洗浄水温度を測定する温度センサ35が設けられている。   FIG. 11 is a configuration diagram showing a main part of the solar cell panel manufacturing system 1 according to the present embodiment. In addition, illustration is abbreviate | omitted about the same part as 1st Embodiment. In the solar cell panel manufacturing system 1, a cooling unit 33 is disposed between the photoelectric conversion layer deposition apparatus 9 and the photoelectric conversion layer laser etching apparatus 10. Further, a temperature sensor 34 for measuring the cleaning water temperature of the first substrate cleaner 21 and a temperature sensor 35 for measuring the cleaning water temperature of the second substrate cleaner 22 are provided.

冷却部33は、空冷ファンなどによる強制冷却が例示される。冷却部33によって、光電変換層製膜装置9から搬出された被処理基板が所定の温度まで冷却され、光電変換層用レーザーエッチング装置9に搬入される。   The cooling unit 33 is exemplified by forced cooling by an air cooling fan or the like. The substrate to be processed carried out from the photoelectric conversion layer deposition apparatus 9 is cooled to a predetermined temperature by the cooling unit 33 and is carried into the photoelectric conversion layer laser etching apparatus 9.

温度センサ34は、第1基板洗浄器21の洗浄水温度を測定すると、その測定結果を制御装置14に通知する。温度センサ35も、第2基板洗浄器22の洗浄水温度を測定すると、その測定結果を制御装置14に通知する。   When the temperature sensor 34 measures the cleaning water temperature of the first substrate cleaner 21, the temperature sensor 34 notifies the control device 14 of the measurement result. When the temperature sensor 35 also measures the cleaning water temperature of the second substrate cleaner 22, the temperature sensor 35 notifies the control device 14 of the measurement result.

制御装置14は、温度センサ34、35から通知された温度測定結果のデータに基づいて、被処理基板が所定の温度まで冷却されるように、冷却部33の動作を制御する。例えば、動作の制御は空冷ファン回転速度や作動時間を制御することで行われ、制御装置14は、冷却部33によって、被処理基板の平均温度または基板中央付近の代表点温度が、温度センサ34と温度センサ35から通知された温度の平均値まで冷却されるように制御する。被処理基板が所定の温度まで冷却されたかどうかの判断は、例えば、光電変換層性膜装置9と光電変換層用レーザーエッチング装置10との間に図示しない温度センサを設けておき、この温度センサによって被処理基板の温度を測定して、制御装置14に測定結果をフィードバックさせる様にすることで行うことができる。   Based on the temperature measurement result data notified from the temperature sensors 34 and 35, the control device 14 controls the operation of the cooling unit 33 so that the substrate to be processed is cooled to a predetermined temperature. For example, the control of the operation is performed by controlling the rotational speed and operating time of the air cooling fan, and the control device 14 causes the cooling unit 33 to determine whether the average temperature of the substrate to be processed or the representative point temperature near the center of the substrate is the temperature sensor 34. The temperature is controlled to be cooled to the average value notified from the temperature sensor 35. For example, a temperature sensor (not shown) is provided between the photoelectric conversion layer film device 9 and the photoelectric conversion layer laser etching device 10 to determine whether the substrate to be processed has been cooled to a predetermined temperature. Thus, it is possible to measure the temperature of the substrate to be processed and feed back the measurement result to the control device 14.

上述した構成としても、第1の実施形態と同様、透明導電層用レーザーエッチング装置8、光電変換層用レーザーエッチング装置9、及び裏面電極用レーザーエッチング装置12による処理時の基板温度を、略同じにして各基板の温度差を小さくすることができる。よって、エッチング位置の位置ずれを防止し、膜剥離を防止することができる。   Even in the configuration described above, the substrate temperatures during the processing by the transparent conductive layer laser etching apparatus 8, the photoelectric conversion layer laser etching apparatus 9, and the back electrode laser etching apparatus 12 are substantially the same as in the first embodiment. Thus, the temperature difference between the substrates can be reduced. Therefore, the displacement of the etching position can be prevented and film peeling can be prevented.

(第5の実施形態)
第5の実施形態について説明する。本実施形態の太陽電池パネル製造システム1は、基板洗浄器201の構成が工夫されている。尚、基板洗浄器201以外の構成については、第1の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
(Fifth embodiment)
A fifth embodiment will be described. In the solar cell panel manufacturing system 1 of the present embodiment, the configuration of the substrate cleaner 201 is devised. Since the configuration other than the substrate cleaner 201 is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted.

図2で示したように、本実施形態に係る太陽電池パネル製造システム1は、複数の基板洗浄器201を有している。その複数の基板洗浄器201は、基板搬入装置と透明電極製膜装置6との間、透明電極製膜装置6と透明導電層用レーザーエッチング装置8の間(第1基板洗浄器21)、レーザーエッチング装置8と光電変換層製膜装置9の間、裏面電極製膜装置11と裏面電極用レーザーエッチング装置12の間(第2基板洗浄器22)、及び膜研磨装置とレイアップ装置の間、に配置されている。光電変換層42と裏面電極層43の間の界面特性に洗浄による影響が少ない場合には、光電変換層製膜装置9と光電変換層用レーザーエッチング装置10の間に第3基板洗浄器36を設けても良い。   As shown in FIG. 2, the solar cell panel manufacturing system 1 according to the present embodiment has a plurality of substrate cleaners 201. The plurality of substrate cleaners 201 are provided between the substrate carry-in device and the transparent electrode film forming device 6, between the transparent electrode film forming device 6 and the transparent conductive layer laser etching device 8 (first substrate cleaner 21), laser Between the etching apparatus 8 and the photoelectric conversion layer film forming apparatus 9, between the back electrode film forming apparatus 11 and the back electrode laser etching apparatus 12 (second substrate cleaner 22), and between the film polishing apparatus and the layup apparatus, Is arranged. When the interface property between the photoelectric conversion layer 42 and the back electrode layer 43 is less affected by the cleaning, the third substrate cleaner 36 is provided between the photoelectric conversion layer forming apparatus 9 and the photoelectric conversion layer laser etching apparatus 10. It may be provided.

以下に述べる基板洗浄器201に対しての工夫は、これらの複数の基板洗浄器201(第1基板洗浄器21、第2基板洗浄器22を含む)のうちの少なくとも一つに対して施されたものである。   A device for the substrate cleaner 201 described below is applied to at least one of the plurality of substrate cleaners 201 (including the first substrate cleaner 21 and the second substrate cleaner 22). It is a thing.

図12は、基板洗浄器201の構成を示す概略構成図である。基板洗浄器201は、基板を搬送する搬送ローラー25を有している。また、基板洗浄器201は、搬送方向上流側から、助走部31、ロールブラシ部26、高圧シャワー部27、直水リンス部28、エアーナイフ部29、に区切られている。全ての基板洗浄器201が同一の洗浄処理の構成をするわけではなく、洗浄効果と太陽電池構成膜の形成状態に則して、洗浄処理工程の構成を適切化する。特にロールブラシ部26は、第2基板洗浄器22より後の工程においては太陽電池膜4の保護のために使用しない場合がある。   FIG. 12 is a schematic configuration diagram showing the configuration of the substrate cleaner 201. The substrate cleaner 201 includes a transport roller 25 that transports the substrate. Further, the substrate cleaner 201 is partitioned from the upstream side in the transport direction into a run-up section 31, a roll brush section 26, a high-pressure shower section 27, a direct water rinse section 28, and an air knife section 29. Not all the substrate cleaners 201 have the same cleaning process configuration, and the configuration of the cleaning process is made appropriate in accordance with the cleaning effect and the formation state of the solar cell constituent film. In particular, the roll brush portion 26 may not be used for protecting the solar cell film 4 in a process subsequent to the second substrate cleaner 22.

図13は、搬送ローラー25によって被処理基板が搬送される様子を示す説明図である。搬送ローラー25は、搬送される基板に対して上側と下側とに設けられ、基板と搬送ローラー25がスリップしたり浮いたりしないように密着している。これにより、搬送ローラー25は、被処理基板を挟むようにして搬送する。被処理基板の下側は主面の反対側になり、製膜処理を行わないため、搬送ローラー25は、搬送ラインの幅方向に対して複数個が配置され、基板の重力によるソリが抑制されている。一方、上側は製膜処理を行う主面になり、上側の搬送ローラー25は、被処理基板の幅方向両端部に対応する位置にのみ配置されている。   FIG. 13 is an explanatory diagram illustrating a state in which the substrate to be processed is transported by the transport roller 25. The conveyance roller 25 is provided on the upper side and the lower side with respect to the substrate to be conveyed, and is in close contact with the substrate and the conveyance roller 25 so as not to slip or float. As a result, the transport roller 25 transports the substrate to be processed so as to sandwich the substrate to be processed. Since the lower side of the substrate to be processed is the opposite side of the main surface and no film forming process is performed, a plurality of transport rollers 25 are arranged in the width direction of the transport line, and warpage due to the gravity of the substrate is suppressed. ing. On the other hand, the upper side is a main surface on which a film forming process is performed, and the upper transport roller 25 is disposed only at positions corresponding to both ends in the width direction of the substrate to be processed.

再び、図12を参照する。助走部31には、搬送ローラー25が設けられているのみである。但し、助走部31の雰囲気は、周囲よりも湿度が高く、洗浄水のミストを多分に含んだミスト雰囲気となっている。助走部31は、被処理基板1/2枚から2枚分以上の長さを有していることが好ましい。   FIG. 12 will be referred to again. Only the conveyance roller 25 is provided in the run-up unit 31. However, the atmosphere of the run-up portion 31 is a mist atmosphere having a higher humidity than the surroundings and containing a mist of cleaning water. It is preferable that the run-up portion 31 has a length of at least two sheets from 1/2 the substrate to be processed.

ロールブラシ部26には、ロールブラシが設けられている。ロールブラシは、被処理基板に対して上下両側に設けられている。被処理基板に対してロールブラシが押し付けられ、被処理基板の表面を擦ることにより、被処理基板の表面が洗浄される。   The roll brush unit 26 is provided with a roll brush. The roll brush is provided on both upper and lower sides with respect to the substrate to be processed. A roll brush is pressed against the substrate to be processed and the surface of the substrate to be processed is rubbed to clean the surface of the substrate to be processed.

高圧シャワー部27には、高圧水を噴射するためのノズルが設けられている。そのノズルから、高圧水(例えば、0.2MPa〜1.0MPa)が被処理基板に対して噴射される。高圧シャワー部27では、このように、高圧で吹き付けられる水(高圧水)による洗浄が行われる。   The high pressure shower unit 27 is provided with a nozzle for jetting high pressure water. From the nozzle, high-pressure water (for example, 0.2 MPa to 1.0 MPa) is sprayed onto the substrate to be processed. In the high-pressure shower unit 27, washing with water sprayed at a high pressure (high-pressure water) is thus performed.

直水リンス部28では、純水を噴射させるためのノズルが設けられている。このノズルから、純水(比抵抗値10MΩ・cm以上)が被処理基板に対して噴射される。   In the direct water rinse section 28, a nozzle for injecting pure water is provided. From this nozzle, pure water (specific resistance value of 10 MΩ · cm or more) is sprayed onto the substrate to be processed.

エアーナイフ部29では、空気が被処理基板に対して吹き付けられる。これにより、被処理基板上の水が除去される。   In the air knife 29, air is blown against the substrate to be processed. Thereby, the water on a to-be-processed substrate is removed.

尚、第1の実施形態で説明した温度コントローラによる洗浄水温度の管理は、少なくとも直水リンス部28側の洗浄水に対して実施される事が好ましく、直水リンス部28及び高圧シャワー部29の双方の洗浄水(高圧水、純水)に対して実施されることがより好ましい。   The management of the cleaning water temperature by the temperature controller described in the first embodiment is preferably performed at least for the cleaning water on the direct water rinsing unit 28 side, and the direct water rinsing unit 28 and the high pressure shower unit 29 are used. More preferably, it is carried out for both of the cleaning waters (high pressure water, pure water).

続いて、基板洗浄器201によって被処理基板に対して施される処理動作について説明する。   Next, processing operations performed on the substrate to be processed by the substrate cleaner 201 will be described.

図13に示したように、搬送ローラー25によって搬送される被処理基板は、主面側(太陽電池膜の形成された面)を上向きとし、且つ、セル分割ライン3が搬送方向と平行になる向きで搬送される。尚、レーザーエッチング装置の上流側に配置された基板洗浄器では、洗浄される被処理基板にセル分割ライン3は未だ形成されていない。この場合、セル分割ライン3の形成予定ラインを、搬送方向と平行にした状態で搬送する。   As shown in FIG. 13, the substrate to be processed conveyed by the conveyance roller 25 has the main surface side (surface on which the solar cell film is formed) facing upward, and the cell division line 3 is parallel to the conveyance direction. It is conveyed in the direction. Note that in the substrate cleaner disposed on the upstream side of the laser etching apparatus, the cell division line 3 is not yet formed on the substrate to be cleaned. In this case, the formation line of the cell division line 3 is transported in a state parallel to the transport direction.

図14は、基板洗浄器201によって被処理基板に施される処理を示すフローチャートである。被処理基板は、搬送ローラー25により搬送されつつ、図14に示されるS1〜S5の処理を施される。   FIG. 14 is a flowchart showing processing performed on the substrate to be processed by the substrate cleaner 201. The substrate to be processed is subjected to the processing of S1 to S5 shown in FIG.

ステップS1;助走
まず助走部31において、被処理基板が洗浄水のミスト雰囲気に曝される。これにより、被処理基板の太陽電池膜4のうち製膜形成済の膜の表面は、薄い水膜に覆われた状態となる。
Step S1: Run-up First, in the run-up unit 31, the substrate to be processed is exposed to a mist atmosphere of cleaning water. Thereby, the surface of the film-formed film in the solar cell film 4 of the substrate to be processed is covered with a thin water film.

ステップS2;ロールブラシ洗浄
続いて、ロールブラシ部26において、ロールブラシによる洗浄が行われる。ここで、ロールブラシが太陽電池膜4のうち製膜形成済の膜に接触する。太陽電池膜4のうち製膜形成済の膜にロールブラシが接触することで、太陽電池膜4のうち製膜形成済の膜に対して衝撃が加わることになるが、助走部31によって太陽電池膜4のうち製膜形成済の膜が水膜で覆われているので、その衝撃が太陽電池膜4を剥離させる可能性は低くなっている。
Step S2; Roll Brush Cleaning Subsequently, the roll brush unit 26 performs cleaning with a roll brush. Here, the roll brush comes into contact with the film-formed film of the solar cell film 4. When the roll brush comes into contact with the film-formed film of the solar cell film 4, an impact is applied to the film-formed film of the solar cell film 4. Since the film-formed film of the film 4 is covered with the water film, the possibility that the impact peels off the solar cell film 4 is low.

ステップS3〜5;高圧シャワー
続いて、高圧シャワー部27によって高圧水による洗浄が行われ(ステップS3)、直水リンス部29によって純水による洗浄が行われ(ステップS4)、更にエアーナイフ部29によって水きりが行われる(ステップS5)。
Step S3-5: High Pressure Shower Subsequently, high pressure water is washed by the high pressure shower unit 27 (Step S3), pure water is washed by the direct water rinse unit 29 (Step S4), and the air knife unit 29 is further washed. To drain water (step S5).

続いて、本実施形態の作用効果について説明する。   Then, the effect of this embodiment is demonstrated.

本実施形態では、セル分割ライン3を、搬送方向に平行としているので、洗浄時の残留異物の影響を最小限に押さえる事ができる。図15は、洗浄時の異物の残留し易い位置を示す説明図である。エアーナイフ部29における乾燥時に、被処理基板の搬送方向上流側端部では、異物が残留し易い。これは、被処理基板上に残留した洗浄水が、エアーナイフにより、搬送方向上流側へ運ばれていくからである。これにより、搬送方向上流側では、洗浄水で押し流された異物が溜まり易くなる。   In the present embodiment, since the cell division line 3 is parallel to the transport direction, the influence of residual foreign matters during cleaning can be minimized. FIG. 15 is an explanatory diagram showing positions where foreign matters are likely to remain during cleaning. During drying in the air knife 29, foreign matter tends to remain at the upstream end of the substrate to be processed in the transport direction. This is because the cleaning water remaining on the substrate to be processed is transported upstream in the transport direction by the air knife. As a result, the foreign matter pushed away by the cleaning water tends to accumulate on the upstream side in the transport direction.

ここで、セル分割ライン3を、搬送方向と非平行にして搬送した場合には、一の発電セル7全体が異物の影響を受けてしまうことがある。即ち、一の発電セル7全体の出力が低下することがある。太陽電池モジュールでは、複数の発電セル7が直列に接続されているので、一の発電セル7全体の出力が低下すれば、太陽電池モジュール全体としても出力が低下してしまう。   Here, when the cell division line 3 is transported in a non-parallel manner with respect to the transport direction, the entire power generation cell 7 may be affected by foreign matter. That is, the output of the entire power generation cell 7 may decrease. In the solar cell module, since the plurality of power generation cells 7 are connected in series, if the output of one power generation cell 7 as a whole decreases, the output of the entire solar cell module also decreases.

これに対して本実施形態では、例え洗浄時に異物が残留したとしても、異物による影響を受ける箇所は、各発電セル7の端部のみとなる。一の発電セル7全体が異物の影響を受けるわけではないので、太陽電池モジュール全体に対する異物の影響を少なくすることができる。   On the other hand, in the present embodiment, even if foreign matter remains during cleaning, only the end portion of each power generation cell 7 is affected by the foreign matter. Since the entire power generation cell 7 is not affected by the foreign matter, the influence of the foreign matter on the entire solar cell module can be reduced.

また、図13で示したように、上側の搬送ローラー25が被処理基板と接触する位置は、太陽電池膜4が基板周辺の外周部分の膜を除去した、もしくは膜を除去予定の領域のみである。従って、基板周囲の膜除去後は搬送ローラー25の衝撃により、膜剥離が発生する可能性は低い。また基板周囲の膜除去前においては、この除去予定領域の膜が剥離しても、後工程で研磨除去するので太陽電池パネルの発電特性への影響はない。また、万が一、上側の搬送ローラー25が太陽電池膜4に接触したとしても、セル分割ライン3と搬送方向が略平行であるので、上側の搬送ローラー25が太陽電池膜4へ与える力は、基板最端部にある発電セル7の長手方向になる。発電セル7は矩形状であるので、短辺方向の力が加わると剥離し易いが、長手方向の力に対しては膜剥離の耐性が比較的高い。また端辺方向にはセル分割部分が凹凸形状をしており、搬送ローラー25により損傷を受けると、この部分の直列接続部分に短絡が生じて太陽電池パネルの発電特性が低下する。即ち、セル分割ライン3と搬送方向を略平行方向とすることで、万が一、搬送ローラー25が接触したとしても、膜剥離が発生する可能性は極めて低い。   In addition, as shown in FIG. 13, the position where the upper transport roller 25 contacts the substrate to be processed is only in the region where the solar cell film 4 has removed the film on the outer peripheral portion around the substrate or the film is scheduled to be removed. is there. Therefore, after the film around the substrate is removed, the possibility of film peeling due to the impact of the transport roller 25 is low. Further, even before the film around the substrate is removed, even if the film in the area to be removed is peeled off, it is removed by polishing in a subsequent process, so there is no influence on the power generation characteristics of the solar cell panel. Also, even if the upper transport roller 25 contacts the solar cell film 4, the cell dividing line 3 and the transport direction are substantially parallel, so the force that the upper transport roller 25 gives to the solar cell film 4 is the substrate. It becomes the longitudinal direction of the power generation cell 7 at the extreme end. Since the power generation cell 7 has a rectangular shape, it is easily peeled off when a force in the short side direction is applied, but has a relatively high resistance to film peeling against a force in the longitudinal direction. Moreover, the cell division | segmentation part has uneven | corrugated shape in the edge direction, and if it receives damage with the conveyance roller 25, a short circuit will arise in the serial connection part of this part, and the electric power generation characteristic of a solar cell panel will fall. That is, by setting the cell dividing line 3 and the transport direction to be substantially parallel, even if the transport roller 25 is in contact, the possibility of film peeling is extremely low.

(第6の実施形態)
第6の実施形態に係る太陽電池パネル製造システムについて説明する。本実施形態に係る太陽電池パネル製造システムは、第5の実施形態に対して、高圧シャワー部27の構成が工夫されている。高圧シャワー部27以外の構成、動作については、第5の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
(Sixth embodiment)
A solar cell panel manufacturing system according to the sixth embodiment will be described. In the solar cell panel manufacturing system according to this embodiment, the configuration of the high-pressure shower unit 27 is devised with respect to the fifth embodiment. Since the configuration and operation other than the high-pressure shower unit 27 are the same as those in the fifth embodiment, description thereof will be omitted.

図16は、高圧シャワー部27の構造を示す側面図である。高圧シャワー部27には、高圧シャワー用ノズル30が設けられている。高圧シャワー用ノズル30は、高圧水を被処理基板に向けて噴射する。ここで、高圧シャワー用ノズル30は、噴射方向が、搬送方向の上流側に傾くように設けられている。   FIG. 16 is a side view showing the structure of the high-pressure shower unit 27. The high-pressure shower unit 27 is provided with a high-pressure shower nozzle 30. The high-pressure shower nozzle 30 injects high-pressure water toward the substrate to be processed. Here, the high pressure shower nozzle 30 is provided such that the injection direction is inclined to the upstream side in the transport direction.

噴射方向を搬送方向上流側に傾けて高圧水を吹き付けることで、被処理基板表面を流れる水の流速が増大する。被処理基板上に付着した異物に洗浄水が衝突する際の剪断力効果が増し、異物が除去され易くなる。また、洗浄水の流速が速いので、剥離された異物は外部まで運ばれ易く、再び被処理基板に付着する可能性は低い。   The flow rate of water flowing on the surface of the substrate to be processed is increased by injecting the high-pressure water while inclining the injection direction toward the upstream side in the transport direction. The effect of shearing force when cleaning water collides with foreign matter adhering to the substrate to be processed is increased, and foreign matter is easily removed. Further, since the flow rate of the cleaning water is high, the separated foreign matter is easily carried to the outside, and the possibility that it will adhere to the substrate to be processed again is low.

噴射方向と、搬送方向に直交する面とが成す角度(θ)は、10°以上30°以下であることが好ましい。θが10°よりも小さいと、噴射された洗浄水の勢い(せん断力)が被処理基板に衝突した瞬間に減衰されて、基板表面の流速が十分に速くならないことがある。また、θが30°よりも大きいと、洗浄水の鉛直下方向への勢いが不十分となるとともに、高圧シャワー用ノズルから噴射した洗浄水が重力に引かれて洗浄水が付着異物に衝突する力が低下して、異物の除去効果が低下する。   The angle (θ) formed by the ejection direction and the plane orthogonal to the transport direction is preferably 10 ° or more and 30 ° or less. When θ is smaller than 10 °, the momentum (shearing force) of the jetted cleaning water is attenuated at the moment of collision with the substrate to be processed, and the flow velocity on the substrate surface may not be sufficiently high. When θ is larger than 30 °, the vertical downward force of the cleaning water becomes insufficient, and the cleaning water sprayed from the high pressure shower nozzle is attracted by gravity and the cleaning water collides with the adhered foreign matter. The force is reduced and the effect of removing foreign matter is reduced.

また、高圧水を噴射する際には、高圧シャワー用ノズル30を、搬送方向に略直交方向、すなわち搬送ラインの幅方向に揺動させる事が好ましい。高圧シャワー用ノズル30が揺動することにより、被処理基板の幅方向を満遍なく洗浄することができる。   Moreover, when injecting high-pressure water, it is preferable to swing the high-pressure shower nozzle 30 in a direction substantially orthogonal to the transport direction, that is, in the width direction of the transport line. By swinging the high-pressure shower nozzle 30, the width direction of the substrate to be processed can be uniformly cleaned.

上述した高圧シャワー部27の工夫は、特に強い洗浄力を必要とする工程にて行われることが好ましい。このような工程とは、透明導電層のレーザーエッチング後の洗浄工程や、外周部の膜が除去された後の洗浄工程、が挙げられる。即ち、図2において、レーザーエッチング装置8と光電変換層製膜装置9との間に配置された基板洗浄器201、膜研磨装置とレイアップ装置との間に配置された基板洗浄器201について、上述した工夫が施されていることが好ましい。   It is preferable that the above-described device for the high-pressure shower unit 27 is performed in a process that requires particularly strong cleaning power. Examples of such a process include a cleaning process after laser etching of the transparent conductive layer and a cleaning process after the outer peripheral film is removed. That is, in FIG. 2, about the substrate cleaning device 201 disposed between the laser etching device 8 and the photoelectric conversion layer deposition device 9, and the substrate cleaning device 201 disposed between the film polishing device and the layup device, It is preferable that the above-described device is applied.

(第7の実施形態)
続いて、第7の実施形態について説明する。本実施形態に係る太陽電池パネル製造システム1は、第5の実施形態に対して、更に、自然乾燥区間32が追加されている。自然乾燥区間32以外の構成については、第5の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
(Seventh embodiment)
Subsequently, a seventh embodiment will be described. In the solar cell panel manufacturing system 1 according to this embodiment, a natural drying section 32 is further added to the fifth embodiment. Since the configuration other than the natural drying section 32 is the same as that of the fifth embodiment, the description thereof is omitted.

図17は、本実施の形態に係る太陽電池パネル製造システム1において、基板洗浄器201から次工程の装置までの構成を示すブロック図である。図17に示されるように、基板洗浄器201と次工程の処理装置との間には、自然乾燥区間32が設けられている。この自然乾燥区間32は、複数設けられた基板洗浄器201(第1基板洗浄器21、第2基板洗浄器22も含む)のうちの少なくとも一つに設けられている。   FIG. 17 is a block diagram showing a configuration from the substrate cleaner 201 to the next process apparatus in the solar cell panel manufacturing system 1 according to the present embodiment. As shown in FIG. 17, a natural drying section 32 is provided between the substrate cleaner 201 and the processing device for the next process. The natural drying section 32 is provided in at least one of a plurality of substrate cleaners 201 (including the first substrate cleaner 21 and the second substrate cleaner 22).

自然乾燥区間32は、エアーナイフ部29において除去しきれなかった水を、自然乾燥により除去するための区間である。被処理基板上に残存した水分が自然乾燥すればよいだけであるので、特別な装置は必要ない。基板洗浄器201から次工程までの間の搬送ラインを、この自然乾燥区間32として用いてもよい。   The natural drying section 32 is a section for removing water that could not be removed by the air knife 29 by natural drying. Since the moisture remaining on the substrate to be processed only needs to be naturally dried, no special apparatus is required. A conveyance line from the substrate cleaner 201 to the next process may be used as the natural drying section 32.

このような構成において、基板洗浄器201から搬出された被処理基板は、自然乾燥区間32に搬入される。自然乾燥区間32にて、エアーナイフ部29にて除去されなかった水分が自然乾燥により除去される。   In such a configuration, the substrate to be processed carried out from the substrate cleaner 201 is carried into the natural drying section 32. In the natural drying section 32, the water that has not been removed by the air knife 29 is removed by natural drying.

エアーナイフ部29によって水きりが行われるといえども、被処理基板上には水分が残留することがある。特に、レーザーエッチングにより形成された溝部分(約50μm程度)では、表面張力により毛細管力が働き、溝の中で水分が凝集して残留し易い。被処理基板に水分が残留した状態で、製膜処理などの処理を行うと、水分が膜成分中に取り込まれて膜質を低下させたり、水分が急激に蒸発することがある。例えば、プラズマCVD装置等で光電変換層を製膜する場合には、ロードロック室において大気圧下から真空状態に減圧される。この時、残留した水分は急激に蒸発し易い。このような急激な蒸発が起こると、この蒸発をきっかけとして膜剥離が起こり易い。   Even if draining is performed by the air knife 29, moisture may remain on the substrate to be processed. In particular, in a groove portion (about 50 μm) formed by laser etching, a capillary force works due to surface tension, and moisture tends to aggregate and remain in the groove. When a film forming process or the like is performed in a state where moisture remains on the substrate to be processed, the moisture may be taken into the film component to deteriorate the film quality or the water may be rapidly evaporated. For example, when a photoelectric conversion layer is formed using a plasma CVD apparatus or the like, the pressure is reduced from atmospheric pressure to a vacuum state in the load lock chamber. At this time, the remaining water tends to evaporate rapidly. When such rapid evaporation occurs, film peeling is likely to occur due to this evaporation.

本実施形態に依れば、自然乾燥区間32において、残留した水分が除去されるので、製膜処理などの最中に水分の蒸発による膜剥離や膜質低下などが起こることを防止することができる。   According to the present embodiment, since the remaining moisture is removed in the natural drying section 32, it is possible to prevent film peeling or film quality degradation due to evaporation of moisture during film forming processing or the like. .

なお、レーザーエッチングにより形成されたセル分割ラインの溝は狭いため、溝部分に溜まった水分量は少なく、水の蒸発速度(約0.2kg/m・hr)から換算すると、数分間で蒸発することが推察される。被処理基板が自然乾燥されている時間は、2分以上〜3分以内であることが好ましい。自然乾燥されている時間が2分より短いと、乾燥が不十分になることがある。一方、3分より長いと、各処理装置のタクトタイムより長くなってしまい、生産性を落とすことがある。 In addition, since the groove of the cell dividing line formed by laser etching is narrow, the amount of water accumulated in the groove is small, and when converted from the evaporation rate of water (about 0.2 kg / m 2 · hr), it evaporates within a few minutes. It is inferred that The time during which the substrate to be processed is naturally dried is preferably 2 minutes to 3 minutes. If the time of natural drying is shorter than 2 minutes, drying may be insufficient. On the other hand, if it is longer than 3 minutes, it becomes longer than the tact time of each processing apparatus, which may reduce productivity.

以上、第1〜7の実施形態にかかる太陽電池パネル製造システムについて説明したが、これらの実施形態は矛盾の無い範囲内で組み合わせて使用することもできる。また、光電変換層として、単層アモルファスシリコン層を用いた場合について説明したが、必ずしも単層アモルファスシリコン層である必要は無い。例えば、本発明を、光電変換層が微結晶シリコン層である場合や、シリコンゲルマニウム層である場合や、微結晶シリコン層とアモルファスシリコン層とシリコンゲルマニウム層が複数層積層したタンデム型のものの場合がある。更にこれらのシリコン系の複数層を積層したタンデム型のものである場合、等についても適用できることは、当業者にとっては自明的である。   As mentioned above, although the solar cell panel manufacturing system concerning the 1st-7th embodiment was demonstrated, these embodiments can also be combined and used within a consistent range. Further, although the case where a single amorphous silicon layer is used as the photoelectric conversion layer has been described, it is not necessarily required to be a single amorphous silicon layer. For example, the present invention may be applied to a case where the photoelectric conversion layer is a microcrystalline silicon layer, a silicon germanium layer, or a tandem type in which a plurality of microcrystalline silicon layers, amorphous silicon layers, and silicon germanium layers are stacked. is there. Furthermore, it is obvious to those skilled in the art that the present invention can be applied to a tandem type in which a plurality of these silicon-based layers are laminated.

太陽電池モジュールの平面図である。It is a top view of a solar cell module. 第1の実施形態にかかる太陽電池パネル製造システムのレイアウト図である。It is a layout figure of the solar cell panel manufacturing system concerning a 1st embodiment. 第1の実施形態にかかる太陽電池パネル製造方法のフローチャートである。It is a flowchart of the solar cell panel manufacturing method concerning 1st Embodiment. 太陽電池パネル製造工程におけるパネル断面図である。It is panel sectional drawing in a solar cell panel manufacturing process. 太陽電池パネル製造工程におけるパネル模式図である。It is a panel schematic diagram in a solar cell panel manufacturing process. 基板温度差によるレーザーエッチング位置の相違を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the difference in the laser etching position by a substrate temperature difference. 第2の実施形態にかかる太陽電池パネル製造システムのレイアウト図である。It is a layout figure of the solar cell panel manufacturing system concerning 2nd Embodiment. 第2の実施形態にかかる太陽電池パネル製造方法のフローチャートである。It is a flowchart of the solar cell panel manufacturing method concerning 2nd Embodiment. 第3の実施形態にかかる太陽電池パネル製造システムのレイアウト図である。It is a layout figure of the solar cell panel manufacturing system concerning 3rd Embodiment. 第3の実施形態にかかる太陽電池パネル製造方法のフローチャートである。It is a flowchart of the solar cell panel manufacturing method concerning 3rd Embodiment. 第3の実施形態に係る太陽電池パネル製造システムの主要部を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the principal part of the solar cell panel manufacturing system which concerns on 3rd Embodiment. 第4の実施形態に係る太陽電池パネル製造システムの主要部を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the principal part of the solar cell panel manufacturing system which concerns on 4th Embodiment. 基板洗浄器の構成を概略的に示す側面図である。It is a side view which shows the structure of a board | substrate washing | cleaning apparatus schematically. 被処理基板の搬送方向を説明するための斜視図である。It is a perspective view for demonstrating the conveyance direction of a to-be-processed substrate. 洗浄工程におけるフローチャートである。It is a flowchart in a washing process. 異物の残留し易い領域を説明するための斜視図である。It is a perspective view for demonstrating the area | region where a foreign material tends to remain. 高圧シャワー部の構成を概略的に示す側面図である。It is a side view which shows the structure of a high pressure shower part roughly. 基板洗浄器から次の装置までの構成をブロック的に示す図である。It is a figure which shows the structure from a board | substrate washing | cleaning device to the next apparatus in a block form.

符号の説明Explanation of symbols

1 太陽電池パネル製造システム
2 基板
3 セル分割ライン
4 太陽電池膜
5 太陽電池パネル
6 透明電極膜製膜装置
7 発電セル
8 透明電極用レーザーエッチング装置
9 光電変換層製膜装置
10 光電変換層用レーザーエッチング装置
11 裏面電極膜製膜装置
12 裏面電極用レーザーエッチング装置
13 温度センサ
14 制御装置
15 除去領域
16 絶縁溝
20 基板洗浄部
21 第1基板洗浄器
22 第2基板洗浄器
23 第1温度コントローラ
24 第2温度コントローラ
25 搬送ローラー
26 ロールブラシ部
27 高圧シャワー部
28 直水リンス部
29 エアーナイフ部
30 高圧シャワー用ノズル
31 助走部
32 自然乾燥区間
33 冷却部
34 温度センサ
35 温度センサ
36 第3基板洗浄器
37 第3温度コントローラー
41 透明導電層
42 光電変換層
43 裏面電極層
201 基板洗浄器
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Solar cell panel manufacturing system 2 Board | substrate 3 Cell division line 4 Solar cell film 5 Solar cell panel 6 Transparent electrode film film-forming apparatus 7 Power generation cell 8 Laser etching apparatus for transparent electrodes 9 Photoelectric conversion layer film-forming apparatus 10 Laser for photoelectric conversion layers Etching device 11 Back electrode film deposition device 12 Laser etching device for back electrode 13 Temperature sensor 14 Control device 15 Removal region 16 Insulating groove 20 Substrate cleaning unit 21 First substrate cleaner 22 Second substrate cleaner 23 First temperature controller 24 Second temperature controller 25 Transport roller 26 Roll brush part 27 High pressure shower part 28 Direct water rinse part 29 Air knife part 30 High pressure shower nozzle 31 Run-up part 32 Natural drying zone 33 Cooling part 34 Temperature sensor 35 Temperature sensor 36 Third substrate cleaning 37 Third temperature controller 41 Transparent conductive layer 42 Photoelectric conversion layer 43 Back electrode layer 201 Substrate cleaner

Claims (14)

透光性基板と、前記基板の主面上に形成され、セル分割ラインによって複数の短冊状の発電セルに分割された太陽電池膜と、を有する太陽電池パネルを製造する太陽電池パネル製造システムであって、
前記基板の主面上に透明導電層を製膜する透明導電層製膜装置と、
前記透明導電層を、前記発電セルに対応させてレーザーエッチングする透明導電層用レーザーエッチング装置と、
前記透明導電層のレーザーエッチングされた基板上に光電変換層を製膜する光電変換層製膜装置と、
前記光電変換層を、前記発電セルに対応させてレーザーエッチングする光電変換層用レーザーエッチング装置と、
前記光電変換層のレーザーエッチングされた基板上に裏面電極膜を製膜する裏面電極膜製膜装置と、
前記裏面電極膜を、前記発電セルに対応させてレーザーエッチングする裏面電極用レーザーエッチング装置と、
洗浄水を吹き付けて基板を洗浄する複数の基板洗浄器を有する基板洗浄部と、
を具備し、
前記基板洗浄部は、
前記透明導電層製膜装置と前記透明導電層用レーザーエッチング装置との間に配置された第1基板洗浄器と、
前記裏面電極膜製膜装置と前記裏面電極用レーザーエッチング装置との間に配置された第2基板洗浄器と、
前記光電変換層を製膜後に、前記光電変換層用レーザーエッチング装置に投入されるまでの間に前記基板を冷却する冷却部と、
前記各基板洗浄器から搬出された前記基板が、次の下流側の処理装置に搬入されるまでの間に、前記基板を自然乾燥させるための自然乾燥区間と、
を有し、
前記第1基板洗浄器と前記第2基板洗浄器は、搬送ローラーによって基板を、前記セル分割ラインの形成される方向と略平行となる方向を搬送方向として搬送し、
前記光電変換層用レーザーエッチング装置に投入される直前の基板平均温度と、前記第1基板洗浄器の洗浄水温度と、前記第2基板洗浄器の洗浄水温度の温度差±10℃以下であり、かつ前記冷却部の後において、前記光電変換層用レーザーエッチング装置に投入される直前の前記基板平均温度が目標温度になるように管理する太陽電池パネル製造システム。
A solar cell panel manufacturing system for manufacturing a solar cell panel having a translucent substrate and a solar cell film formed on a main surface of the substrate and divided into a plurality of strip-shaped power generation cells by a cell dividing line There,
A transparent conductive layer forming apparatus for forming a transparent conductive layer on the main surface of the substrate;
A laser etching apparatus for a transparent conductive layer that performs laser etching of the transparent conductive layer in correspondence with the power generation cell;
A photoelectric conversion layer forming apparatus for forming a photoelectric conversion layer on the laser-etched substrate of the transparent conductive layer;
A laser etching device for a photoelectric conversion layer that performs laser etching of the photoelectric conversion layer in correspondence with the power generation cell;
A back electrode film forming apparatus for forming a back electrode film on the laser-etched substrate of the photoelectric conversion layer;
A laser etching device for a back electrode that performs laser etching of the back electrode film in correspondence with the power generation cell;
A substrate cleaning section having a plurality of substrate cleaners for cleaning the substrate by spraying cleaning water;
Comprising
The substrate cleaning unit
A first substrate cleaner disposed between the transparent conductive layer forming apparatus and the transparent conductive layer laser etching apparatus;
A second substrate cleaning device disposed between the back electrode film forming apparatus and the back electrode laser etching apparatus;
A cooling part for cooling the substrate after the photoelectric conversion layer is formed and before being introduced into the laser etching apparatus for photoelectric conversion layer;
A natural drying section for naturally drying the substrate before the substrate unloaded from each of the substrate cleaners is loaded into the next downstream processing apparatus;
Have
The first substrate cleaning device and the second substrate cleaning device transport a substrate by a transport roller, with a direction substantially parallel to a direction in which the cell division line is formed as a transport direction,
The temperature difference between the substrate average temperature immediately before being introduced into the photoelectric conversion layer laser etching apparatus, the cleaning water temperature of the first substrate cleaner, and the cleaning water temperature of the second substrate cleaner is ± 10 ° C. or less . And a solar cell panel manufacturing system that manages after the cooling unit so that the substrate average temperature immediately before being introduced into the photoelectric conversion layer laser etching apparatus becomes a target temperature .
請求項1に記載された太陽電池パネル製造システムであって
記第1基板洗浄器の洗浄水温度を測定する第1基板洗浄器用温度センサと、
前記第2基板洗浄器の洗浄水温度を測定する第2基板洗浄器用温度センサと、
制御装置と、
を具備し、
前記制御装置は、前記冷却部の後において、前記光電変換層用レーザーエッチング装置に投入される直前の前記基板平均温度と、前記第1基板洗浄器用温度センサによって測定された洗浄水温度と、前記第2基板洗浄器用温度センサによって測定された洗浄水温度との温度差を±10℃以下になるように、前記冷却部の前記基板温度を制御する太陽電池パネル製造システム。
A solar cell panel manufacturing system according to claim 1 ,
A first substrate cleaning dexterity temperature sensor for measuring a pre-Symbol wash water temperature of the first substrate cleaning apparatus,
A temperature sensor for a second substrate cleaning device for measuring a cleaning water temperature of the second substrate cleaning device;
A control device;
Comprising
The control device is, after the cooling unit, immediately before being introduced into the photoelectric conversion layer laser etching device, the cleaning water temperature measured by the first substrate cleaning device temperature sensor, The solar cell panel manufacturing system which controls the said substrate temperature of the said cooling part so that the temperature difference with the washing | cleaning water temperature measured by the temperature sensor for 2nd board | substrate washing | cleaning devices may be +/- 10 degreeC or less.
請求項1に記載された太陽電池パネル製造システムであって、
更に、
前記光電変換層用レーザーエッチング装置に投入される直前の基板温度を測定する光電変換層エッチング用温度センサと、
制御装置と、
を具備し、
前記基板洗浄部は、
前記第1基板洗浄器の洗浄水温度を管理する第1温度コントローラと、
前記第2基板洗浄器の洗浄水温度を管理する第2温度コントローラと、
を有し、
前記制御装置は、前記光電変換層エッチング用温度センサの測定結果に基いて、前記第1基板洗浄器及び前記第2基板洗浄器の洗浄水温度が、前記光電変換層エッチング用温度センサの測定結果の平均温度と±10℃以内になるように、前記第1温度コントローラと前記第2温度コントローラの動作を制御する太陽電池パネル製造システム。
A solar cell panel manufacturing system according to claim 1,
Furthermore,
A photoelectric conversion layer etching temperature sensor for measuring the substrate temperature immediately before being introduced into the photoelectric conversion layer laser etching device;
A control device;
Comprising
The substrate cleaning unit
A first temperature controller for managing a cleaning water temperature of the first substrate cleaner;
A second temperature controller for managing a cleaning water temperature of the second substrate cleaner;
Have
Based on the measurement result of the temperature sensor for photoelectric conversion layer etching, the control device is configured so that the cleaning water temperature of the first substrate cleaning device and the second substrate cleaning device is the measurement result of the temperature sensor for photoelectric conversion layer etching. The solar cell panel manufacturing system which controls operation | movement of the said 1st temperature controller and the said 2nd temperature controller so that it may become less than +/- 10 degreeC with the average temperature of.
請求項1に記載された太陽電池パネル製造システムであって、
前記基板洗浄部は、更に、
前記光電変換層製膜装置と前記光電変換層用レーザーエッチング装置との間に配置された第3基板洗浄器を有し、
前記第3基板洗浄器の洗浄水温度と、前記第1基板洗浄器の洗浄水温度と、前記第2基板洗浄器の洗浄水温度の温度差を±5℃以下になるようにした太陽電池パネル製造システム。
A solar cell panel manufacturing system according to claim 1,
The substrate cleaning unit further includes:
A third substrate cleaning device disposed between the photoelectric conversion layer deposition apparatus and the photoelectric conversion layer laser etching apparatus;
The solar cell panel in which the temperature difference between the cleaning water temperature of the third substrate cleaner, the cleaning water temperature of the first substrate cleaner, and the cleaning water temperature of the second substrate cleaner is ± 5 ° C. or less. Manufacturing system.
請求項に記載された太陽電池パネル製造システムであって、
前記光電変換層用レーザーエッチング装置に投入される直前の基板温度を測定する光電変換層エッチング用温度センサと、
制御装置と、
を具備し、
前記基板洗浄部は、
前記第1基板洗浄器の洗浄水温度を管理する第1温度コントローラと、
前記第2基板洗浄器の洗浄水温度を管理する第2温度コントローラと、
前記第3基板洗浄器の洗浄水温度を管理する第3温度コントローラと、
を有し、
前記制御装置は、前記光電変換層エッチング用温度センサの測定結果に基づいて、前記第1基板洗浄器と前記第2基板洗浄器及び前記第3基板洗浄器の洗浄水温度が、前記温度センサの測定結果の平均温度と±10℃以内になるように、前記第1温度コントローラと前記第2温度コントローラと前記第3温度コントローラとの動作を制御する太陽電池パネル製造システム。
A solar cell panel manufacturing system according to claim 4 ,
A photoelectric conversion layer etching temperature sensor for measuring the substrate temperature immediately before being introduced into the photoelectric conversion layer laser etching device;
A control device;
Comprising
The substrate cleaning unit
A first temperature controller for managing a cleaning water temperature of the first substrate cleaner;
A second temperature controller for managing a cleaning water temperature of the second substrate cleaner;
A third temperature controller for managing a cleaning water temperature of the third substrate cleaner;
Have
Based on the measurement result of the temperature sensor for photoelectric conversion layer etching, the control device is configured so that cleaning water temperatures of the first substrate cleaner, the second substrate cleaner, and the third substrate cleaner are A solar cell panel manufacturing system for controlling operations of the first temperature controller, the second temperature controller, and the third temperature controller so that the average temperature of the measurement results is within ± 10 ° C.
請求項1乃至のいずれかに記載された太陽電池パネル製造システムであって、
前記太陽電池パネルは前記太陽電池膜が前記透光性基板の主面上に形成され、前記主面上の基板端付近の周辺における少なくとも一部は、ラミネート処理工程の前までにおいて前記太陽電池膜の除去された除去領域となっており、
前記複数の基板洗浄器の各々は、搬送ローラーを有しており、
前記搬送ローラーは、基板を、前記セル分割ラインの形成される方向と略平行となる方向を搬送方向として搬送し、
前記搬送ローラーは、前記基板を搬送するに際して前記基板を挟むように、前記基板の主面側と前記主面の反対面側の双方に配置され、主面側では前記除去領域または前記除去予定の領域で接触し、前記太陽電池膜の設けられた領域では接触しない太陽電池パネル製造システム。
A solar cell panel manufacturing system according to any one of claims 1 to 5 ,
In the solar cell panel, the solar cell film is formed on the main surface of the translucent substrate, and at least part of the periphery of the substrate near the substrate end on the main surface is the solar cell film before the laminating process. It is a removed area of
Each of the plurality of substrate cleaners has a transport roller,
The transport roller transports the substrate as a transport direction in a direction substantially parallel to the direction in which the cell division line is formed,
The transport rollers are arranged on both the main surface side of the substrate and the opposite surface side of the main surface so as to sandwich the substrate when transporting the substrate, and on the main surface side the removal region or the removal scheduled A solar cell panel manufacturing system that contacts in a region and does not contact in a region where the solar cell film is provided.
請求項に記載された太陽電池パネル製造システムであって、
前記各基板洗浄器は、すくなくとも、
高圧水によって洗浄を行う高圧シャワー部と、
純水によって洗浄を行う直水リンス部と、
水きりを行うエアーナイフ部と、
を有し、
前記高圧シャワー部は、高圧シャワー用ノズルを有し、
前記高圧シャワー用ノズルは、高圧水が、搬送上流側に傾いた角度で基板に吹き付けられるように設けられており、
前記高圧シャワー用ノズルは、高圧水の噴射方向と、搬送方向に垂直な面とが成す角度が、10°以上30°以下となるように設けられている太陽電池パネル製造システム。
The solar cell panel manufacturing system according to claim 6 ,
Each of the substrate cleaners is at least
A high-pressure shower section for cleaning with high-pressure water;
A direct water rinse section for cleaning with pure water;
An air knife for draining water,
Have
The high-pressure shower unit has a high-pressure shower nozzle,
The high-pressure shower nozzle is provided such that high-pressure water is sprayed onto the substrate at an angle inclined toward the upstream side of conveyance,
The high-pressure shower nozzle is a solar cell panel manufacturing system provided so that an angle formed by a high-pressure water jetting direction and a plane perpendicular to the transport direction is 10 ° or more and 30 ° or less.
請求項に記載された太陽電池パネル製造システムであって、
前記制御装置は、前記高圧シャワー用ノズルを基板搬送方向と略直交する方向へ揺動させる太陽電池パネル製造システム。
A solar cell panel manufacturing system according to claim 7 ,
The control device is a solar cell panel manufacturing system in which the high-pressure shower nozzle is swung in a direction substantially perpendicular to the substrate transport direction.
請求項乃至のいずれかに記載された太陽電池パネル製造システムであって、
前記各基板洗浄器は、更に、
前記高圧シャワー部の前に、ロールブラシによって洗浄を行うロールブラシ部と、前記ロールブラシ部の上流側に設けられ、前記基板を洗浄水のミスト雰囲気に曝すための助走部と、
を有し、
前記助走部は、前記基板の搬送方向長さの1/2以上で2枚分以下のスペースを有している太陽電池パネル製造システム。
A solar cell panel manufacturing system according to any one of claims 6 to 8 ,
Each of the substrate cleaners further includes
Before the high-pressure shower unit, a roll brush unit that performs cleaning with a roll brush, an upstream unit that is provided on the upstream side of the roll brush unit, and exposes the substrate to a mist atmosphere of cleaning water,
Have
The said run-up part is a solar cell panel manufacturing system which has the space for 2 sheets or less by 1/2 or more of the conveyance direction length of the said board | substrate.
基板と、前記基板の主面上に形成され、セル分割ラインによって複数の短冊状の発電セルに分割された太陽電池膜と、を有する太陽電池パネルを製造する太陽電池パネル製造方法であって、
前記基板の主面上に透明導電層を製膜する透明導電層製膜ステップと、
前記透明導電層を、前記発電セルに対応させてレーザーエッチングする透明導電層エッチングステップと、
前記透明導電層上に光電変換層を製膜する光電変換層製膜ステップと、
前記光電変換層を、前記発電セルに対応させてレーザーエッチングする光電変換層エッチングステップと、
前記光電変換層製膜ステップと前記光電変換層エッチングステップとの間に実施され、前記基板を冷却する冷却ステップと、
前記光電変換層上に裏面電極膜を製膜する裏面電極膜製膜ステップと、
前記裏面電極膜を、前記発電セルに対応させてレーザーエッチングする裏面電極膜エッチングステップと、
各ステップ間で洗浄水を吹き付けて基板を洗浄する複数回の洗浄ステップと、
前記洗浄ステップを終えた前記基板が次の下流側の処理をされるまでの間に、前記基板を自然乾燥させる自然乾燥ステップと、
を具備し、
前記複数回の洗浄ステップは、
基板を、前記セル分割ラインの形成される方向と略平行となる方向を搬送方向として、前記透明導電層エッチングステップの直前に実施され、前記基板を洗浄する第1洗浄ステップと、
基板を、前記セル分割ラインの形成される方向と略平行となる方向を搬送方向として、前記裏面電極膜エッチングステップの直前に実施され、前記基板を洗浄する第2洗浄ステップと、
を有し、
前記冷却ステップは、前記光電変換層用レーザーエッチング装置に投入される直前の前記基板平均温度が目標温度になるとともに、前記基板平均温度と、前記第1洗浄ステップにおける洗浄水温度と、前記第2洗浄ステップにおける洗浄水温度との温度差が±10℃以下になるように、冷却する太陽電池パネル製造方法。
A solar cell panel manufacturing method for manufacturing a solar cell panel having a substrate and a solar cell film formed on a main surface of the substrate and divided into a plurality of strip-shaped power generation cells by a cell dividing line,
A transparent conductive layer forming step of forming a transparent conductive layer on the main surface of the substrate;
A transparent conductive layer etching step of laser etching the transparent conductive layer in correspondence with the power generation cell;
A photoelectric conversion layer forming step of forming a photoelectric conversion layer on the transparent conductive layer;
A photoelectric conversion layer etching step of performing laser etching on the photoelectric conversion layer in correspondence with the power generation cell;
A cooling step that is performed between the photoelectric conversion layer deposition step and the photoelectric conversion layer etching step, and cools the substrate;
A back electrode film forming step of forming a back electrode film on the photoelectric conversion layer;
A back electrode film etching step in which the back electrode film is laser-etched corresponding to the power generation cell;
A plurality of cleaning steps for cleaning the substrate by spraying cleaning water between each step;
A natural drying step of naturally drying the substrate before the substrate having undergone the cleaning step is subjected to the next downstream processing;
Comprising
The multiple washing steps include:
The substrate, the direction and a direction that is substantially parallel to the formation of the cell dividing line as the conveying direction, is carried out immediately before the transparent conductive layer etch step, a first cleaning step of cleaning the front Stories substrate,
The substrate, the direction and a direction that is substantially parallel to the formation of the cell dividing line as the conveying direction, is carried out just before the back electrode film etching step, a second cleaning step for cleaning the pre-Symbol substrate,
I have a,
In the cooling step, the substrate average temperature immediately before being introduced into the photoelectric conversion layer laser etching apparatus becomes a target temperature, the substrate average temperature, the cleaning water temperature in the first cleaning step, and the second A solar cell panel manufacturing method for cooling so that a temperature difference from a cleaning water temperature in a cleaning step is ± 10 ° C. or less .
請求項10に記載された太陽電池パネル製造方法であって、
前記太陽電池パネルは前記太陽電池膜が前記透光性基板の主面上に形成され、前記主面上の基板端付近の周辺における少なくとも一部は、ラミネート処理工程の前までにおいて前記太陽電池膜の除去された除去領域となっており、
前記複数回の洗浄ステップの各々において、基板を、前記セル分割ラインの形成される方向と略平行となる方向を搬送方向として、搬送ローラーにより搬送しながら洗浄し、
前記搬送ローラーは、前記基板を挟むように、前記基板の主面側と前記主面の反対面側の双方に配置されており、
前記各洗浄ステップにおいて基板を搬送するに際し、前記搬送ローラーが、前記除去領域又は前記主面の反対面で接触し、前記太陽電池膜の設けられた領域では接触しないように搬送する太陽電池パネル製造方法。
It is a solar cell panel manufacturing method described in Claim 10 ,
In the solar cell panel, the solar cell film is formed on the main surface of the translucent substrate, and at least part of the periphery of the substrate near the substrate end on the main surface is the solar cell film before the laminating process. It is a removed area of
In each of the plurality of cleaning steps, the substrate is cleaned while being transported by a transport roller, with the transport direction being a direction substantially parallel to the direction in which the cell division line is formed,
The transport rollers are arranged on both the main surface side of the substrate and the opposite surface side of the main surface so as to sandwich the substrate,
When transporting the substrate in each of the cleaning steps, the transport roller is in contact with the removal region or the surface opposite to the main surface and transports so as not to contact in the region where the solar cell film is provided. Method.
請求項10に記載された太陽電池パネル製造方法であって、
前記各洗浄ステップは、すくなくとも、
高圧水によって洗浄を行う高圧シャワーステップと、
純水によって洗浄を行う直水リンスステップと、
水きりを行うエアーナイフステップと、
を有し、
前記高圧シャワーステップにおいて高圧水を吹き付けるにあたり、高圧水の噴射方向を、搬送方向に垂直な面とが為す角度が10°以上30°以下になるように、搬送上流側に傾けて吹き付け、
洗浄水を吹き付けて基板を洗浄する複数の基板洗浄器の洗浄水温度を測定する洗浄器用温度測定ステップを具備する太陽電池パネル製造方法
It is a solar cell panel manufacturing method described in Claim 10,
At least each of the washing steps is
A high pressure shower step for washing with high pressure water;
A direct water rinse step for cleaning with pure water;
An air knife step to drain water,
Have
In spraying high-pressure water in the high-pressure shower step, the high-pressure water spray direction is inclined and sprayed to the upstream side of the conveyance so that the angle formed by the plane perpendicular to the conveyance direction is 10 ° or more and 30 ° or less,
A solar cell panel manufacturing method comprising: a temperature measuring step for a cleaning device that measures cleaning water temperatures of a plurality of substrate cleaning devices that spray a cleaning water to clean the substrate.
請求項12に記載された太陽電池パネル製造方法であって、
前記高圧シャワーステップは、高圧シャワー用ノズル基板搬送方向と略直交する方向に揺動する太陽電池パネル製造方法
It is a solar cell panel manufacturing method described in Claim 12 ,
The high-pressure shower step, the solar cell panel manufacturing method in which the nozzles for high pressure shower is swung in a direction substantially perpendicular to the substrate conveying direction.
請求項12又は13に記載された太陽電池パネル製造方法であって、
更に、
前記高圧シャワーステップの前に、ロールブラシによって洗浄を行うロールブラシステップと、
前記ロールブラシステップの上流側で行われ、前記基板を洗浄水のミスト雰囲気に曝すための助走ステップと、
を具備し、
前記助走ステップは、前記基板の搬送方向長さの1/2以上で2枚分以下のスペースで行われる太陽電池パネル製造方法
It is a solar cell panel manufacturing method according to claim 12 or 13 ,
Furthermore,
Before the high pressure shower step , a roll brush step for cleaning with a roll brush,
A run-up step performed upstream of the roll brush step to expose the substrate to a mist atmosphere of cleaning water;
Comprising
The said approach step is a solar cell panel manufacturing method performed in the space for 2 sheets or less by 1/2 or more of the conveyance direction length of the said board | substrate.
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