JPH1128592A - Laser beam machining device - Google Patents

Laser beam machining device

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JPH1128592A
JPH1128592A JP9196427A JP19642797A JPH1128592A JP H1128592 A JPH1128592 A JP H1128592A JP 9196427 A JP9196427 A JP 9196427A JP 19642797 A JP19642797 A JP 19642797A JP H1128592 A JPH1128592 A JP H1128592A
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JP
Japan
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wafer
processing
laser
temperature
temp
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JP9196427A
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Japanese (ja)
Inventor
Tatsuhiro Tsuda
樹宏 津田
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the lowering of machining precision caused by temp. variation of a material to be machined. SOLUTION: In a laser beam machining device, a temp. adjusting mechanism 18 for keeping the temp. at the constant, is arranged in a holder 2 for holding the material to be machined (wafer 1). Further, a temp. adjusting mechanism 19 for keeping the temp. at the constant, is arranged in a waiting part 14 for waiting the wafer before machining. Then, the temp. of the wafer 1 set to the holder 2 is adjusted to the setting temp. value. Consequently, the wafer is not gradually displaced caused by the temp. difference and the machining can be executed while keeping the precision.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
作り込まれたウェハの所定の位置にレーザを照射して微
細な加工を行うレーザ加工装置に関する。特には、被加
工物の温度変化に起因する加工精度低下を防止するため
の改良を加えたレーザ加工装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser processing apparatus for performing fine processing by irradiating a predetermined position on a wafer on which semiconductor devices are formed with a laser. In particular, the present invention relates to a laser processing apparatus improved to prevent a reduction in processing accuracy due to a change in temperature of a workpiece.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスにおけるヒューズ加工を
例にとって説明する。半導体デバイスにおいては、ヒュ
ーズと呼ばれるレーザ光切断を予定した配線部分が設け
られることがある。例えばDRAMにおいては、設計・
製造時に各メモリセル列にヒューズを付設しておくとと
もに予備のメモリセル列を配置しておき、検査時に不良
が判明したメモリセル列のヒューズを切断することによ
り該セル列をデバイス中で隔離するとともに、予備のメ
モリセル列を不良列のアドレスに指定するためのヒュー
ズを切断することにより予備列に代替させ、DRAMの
歩留り向上を図っている(特開平1−224189号参
照)。また、ゲートアレイにおいては、プログラムリン
クと呼ばれる回路中のヒューズの一部を切断し一部を選
択的に残すことにより、特定のプログラムをデバイス中
に造り込むことが行われている。前者をレーザリペア、
後者をレーザトリミングと呼ぶ。
2. Description of the Related Art An example of fuse processing in a semiconductor device will be described. In a semiconductor device, there is a case where a wiring portion called a fuse for cutting a laser beam is provided. For example, in DRAM,
A fuse is attached to each memory cell column at the time of manufacture, and a spare memory cell column is arranged. The fuse of the memory cell column that has been found defective during inspection is cut off to isolate the cell column in the device. At the same time, a spare memory cell column is replaced with a spare column by cutting a fuse for designating an address of a defective column, thereby improving the yield of DRAM (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-224189). In a gate array, a specific program is built into a device by cutting a part of a fuse in a circuit called a program link and selectively leaving a part of the fuse. Laser repair for the former,
The latter is called laser trimming.

【0003】このような半導体デバイス中のヒューズ
は、一般的に、ポリシリコンやアルミニウムからなる細
い線である。このヒューズにYAGレーザ等の加工レー
ザ光源からのレーザ光を集光させて照射し、ヒューズを
構成する物質を光エネルギによって昇温蒸発させて除去
することによりヒューズを切断する。なお、ヒューズ
は、通常、透明なSiO2 膜(0.2〜0.5μm )の
下に形成されている。切断すべきヒューズの位置データ
については、不良部分を検査する別装置であるテスター
からのデータが、オンライン通信やFDなどのメディア
を介してレーザリペア装置に入力される。レーザリペア
装置では、ウェハをX−Yテーブル上に載置して位置決
めし、切断すべきヒューズの位置をレーザ光の集光点に
自動的に位置合わせしながらヒューズを順次切断する。
A fuse in such a semiconductor device is generally a thin line made of polysilicon or aluminum. A laser beam from a processing laser light source such as a YAG laser is condensed and irradiated to the fuse, and the material constituting the fuse is heated and evaporated by light energy to remove the fuse, thereby cutting the fuse. The fuse is usually formed under a transparent SiO 2 film (0.2 to 0.5 μm). As for the position data of the fuse to be blown, data from a tester, which is another device for inspecting a defective portion, is input to the laser repair device via a medium such as online communication or FD. In the laser repair apparatus, the wafer is placed on an XY table and positioned, and the fuses are sequentially cut while automatically aligning the position of the fuse to be cut with the focal point of the laser beam.

【0004】このような半導体デバイス加工のレーザ加
工装置は、人体に有害なレーザ光を遮断するための囲い
の中に設置されている。そして、レーザ加工装置へのウ
ェハの出し入れは、前後に2重扉のあるキャリア室を介
して行う。このような密閉に近い構造のため、レーザ加
工装置機内に熱がこもり、機内の温度は外気よりも高く
なってしまう。その熱を逃がすため、機内には複数の排
気ファンが設けられ、機内の熱平衡を維持している。な
お、ここでいう外気とは、屋外の空気という意味ではな
くレーザ加工装置の囲いの外の、一般的には工場建屋内
の空気という意味である。
[0004] Such a laser processing apparatus for processing semiconductor devices is installed in an enclosure for blocking laser light harmful to the human body. The loading and unloading of the wafer into and out of the laser processing apparatus is performed through a carrier chamber having double doors at the front and rear. Due to such a closed structure, heat is trapped in the laser processing machine, and the temperature inside the machine becomes higher than outside air. In order to release the heat, a plurality of exhaust fans are provided inside the machine to maintain a thermal balance inside the machine. It should be noted that the outside air referred to here does not mean the air outside but the air outside the enclosure of the laser processing apparatus, generally inside the factory building.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】従来の構造では、機内
の熱平衡が維持できたとしても、機内温度は外気より高
めになって平衡になる。したがって、外気温の中で放置
されたウェハが機内に搬送され、レーザ加工を行った場
合、加工中にウェハが膨張することになる。その結果、
最初のアライメント測定で算出した加工位置座標が加工
中にずれてしまい、所定の位置に正確に加工を行なうこ
とができなくなるという問題があった。
In the conventional structure, even if the thermal equilibrium in the machine can be maintained, the temperature in the machine becomes higher than that in the outside air and becomes equilibrium. Therefore, when a wafer left at an outside air temperature is transferred into the machine and laser processing is performed, the wafer expands during the processing. as a result,
There has been a problem that the processing position coordinates calculated in the first alignment measurement are shifted during the processing, and it is not possible to accurately perform processing at a predetermined position.

【0006】特に、ウェハの大型化が著しい近年では、
例えば8インチ(200mm)ウェハの場合では、シリコ
ンの熱膨張率を2.6ppm とすると、8インチの最外周
では、1℃の温度変化で、0.2m×2.6ppm ×1℃
=0.5μm の変位が生じ、12インチ(300mm)ウ
ェハでは0.8μm 近くの変位が生じ、これがそのまま
加工精度の悪化につながっていた。
[0006] In particular, in recent years, the size of the wafer has been remarkably increased.
For example, in the case of an 8-inch (200 mm) wafer, assuming that the thermal expansion coefficient of silicon is 2.6 ppm, a temperature change of 1 ° C. at the outermost circumference of 8 inches results in 0.2 m × 2.6 ppm × 1 ° C.
= 0.5 .mu.m, and a displacement of about 0.8 .mu.m on a 12-inch (300 mm) wafer, directly leading to a deterioration in processing accuracy.

【0007】また、外気温が変動した場合、機内温度の
変化はすぐには追随しないため、機内温度との温度差の
大きくなったウェハを加工することになり、この加工精
度の悪化の不具合はさらに発生しやすくなっていた。さ
らに、レーザ加工には、ウェハ1枚当たり1時間ほどの
時間を要する場合もあり、この加工中に機内温度に影響
するような急激な温度変化があった場合も、精度劣化の
不具合を招いていた。
In addition, when the outside air temperature fluctuates, the change in the internal temperature does not immediately follow, so that a wafer having a large temperature difference from the internal temperature is processed, and the problem of deterioration of the processing accuracy is disadvantageous. It was more likely to occur. Further, the laser processing may require about one hour per wafer, and even if there is a sudden temperature change that affects the internal temperature during the processing, accuracy deterioration is caused. Was.

【0008】温度変化によるウェハの寸法変化をなくす
るため、機内に温度調整チャンバーを設置し、機内全体
の温度を制御する解決方法もあるが、温調機などの追加
機器のためコストアップになってしまうという問題があ
った。
In order to eliminate the dimensional change of the wafer due to the temperature change, there is a solution in which a temperature control chamber is installed in the apparatus and the temperature inside the apparatus is controlled, but the cost is increased due to additional equipment such as a temperature controller. There was a problem that would.

【0009】本発明は、このような従来の問題点に鑑み
てなされたもので、被加工物の温度変化に起因する加工
精度低下を防止することのできるレーザ加工装置を提供
することを目的とする。
The present invention has been made in view of such conventional problems, and has as its object to provide a laser processing apparatus capable of preventing a reduction in processing accuracy due to a temperature change of a workpiece. I do.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明のレーザ加工装置は、被加工物にレーザを照
射して加工するレーザ加工装置において; 被加工物を
保持するホルダに、温度を一定に維持する温調機構を設
けたことを特徴とする。あるいは、被加工物にレーザを
照射して加工するレーザ加工装置において;加工前の被
加工物を待機させる待機部に、温度を一定に維持する温
調機構を設けたことを特徴とする。
Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, a laser processing apparatus of the present invention is directed to a laser processing apparatus for irradiating a workpiece with a laser to process the workpiece; Is provided with a temperature control mechanism for keeping the temperature constant. Alternatively, in a laser processing apparatus that performs processing by irradiating a workpiece with a laser, a temperature control mechanism that maintains a constant temperature is provided in a standby unit that waits for the workpiece before processing.

【0011】すなわち、ウェハホルダ及び/又はウェハ
搬送中のウェハ待機部に温調機構を設け、そこに設置さ
れたウェハの温度を設定値の温度にするようにした。そ
のため、機内の温度差によって徐々にウェハが変位する
ことなしに、精度を保った加工が可能になる。温調機構
の具体例としては、温調された液体媒体を流路に流すも
のや、ペルチェ素子を用いたものを挙げることができ
る。
That is, a temperature control mechanism is provided in the wafer holder and / or the wafer standby section during wafer transfer, and the temperature of the wafer installed therein is set to a set value. Therefore, the processing can be performed with high accuracy without the wafer being gradually displaced by the temperature difference in the machine. Specific examples of the temperature control mechanism include a device in which a temperature-controlled liquid medium flows through a flow path and a device using a Peltier element.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ説明す
る。図1は、本発明の1実施例に係るレーザ加工装置及
びその周辺機器の全体配置を示す模式的側面図である。
図2は、図1の実施例のレーザ加工装置及びその周辺機
器の全体配置を示す模式的平面図である。この実施例の
レーザ加工装置本体は、被加工物1(この例ではウェ
ハ)を把持するウェハホルダ2を上に載せた水平面内で
移動可能なステージ3と、加工物1に加工レーザを射出
する加工光学系4から構成される。加工物1を把持した
ウェハホルダ2を積載したステージ3は、加工光学系4
の対物レンズ5直下に加工物1を移動させ、その位置
で、加工光学系4が加工ビームを射出してレーザ加工が
行われる。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic side view showing the overall arrangement of a laser processing apparatus and its peripheral devices according to one embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic plan view showing the overall arrangement of the laser processing apparatus of the embodiment of FIG. 1 and its peripheral devices. The laser processing apparatus main body of this embodiment includes a stage 3 movable in a horizontal plane on which a wafer holder 2 holding a workpiece 1 (a wafer in this example) is mounted, and a processing for injecting a processing laser to the workpiece 1. It comprises an optical system 4. The stage 3 on which the wafer holder 2 holding the workpiece 1 is mounted is a processing optical system 4
The workpiece 1 is moved directly below the objective lens 5, and at that position, the processing optical system 4 emits a processing beam to perform laser processing.

【0013】この加工を司るレーザは、高出力であるこ
とが要求され、放出されるレーザ光等が人体に対しての
害を与えないよう、レーザ加工装置及び周辺機器全体が
囲い6で遮蔽されている。レーザ加工機の囲い6は、開
口部をウェハキャリアの出し入れ部に限り、加工中はそ
の開口部を施錠してしまい、いわば密閉の状態にする構
造を採用している。図1と図2において、未加工のウェ
ハを収納したウェハキャリア7は、キャリア室8のウェ
ハキャリア台9に、オペレータによって載置される。そ
の後、オペレータがキャリア室8のキャリア扉10を閉
じ、加工開始指令を加工機に伝えた状態で、キャリア扉
10は施錠手段11により施錠される。この時点でレー
ザ光が照射されても、カバー外にレーザ光が漏れないよ
うになる。
The laser that performs this processing is required to have a high output, and the entire laser processing apparatus and peripheral equipment are shielded by an enclosure 6 so that emitted laser light and the like do not harm the human body. ing. The enclosure 6 of the laser beam machine has a structure in which the opening is limited to the opening and the exit of the wafer carrier, and the opening is locked during processing, so as to be in a closed state. 1 and 2, a wafer carrier 7 containing unprocessed wafers is placed on a wafer carrier table 9 in a carrier chamber 8 by an operator. Thereafter, the carrier door 10 is locked by the locking means 11 in a state where the operator closes the carrier door 10 of the carrier chamber 8 and transmits a processing start command to the processing machine. Even if the laser beam is irradiated at this time, the laser beam does not leak out of the cover.

【0014】ウェハ搬送装置12はウェハキャリア7か
らウェハを一枚ずつ抜き出し、ウェハホルダ2までウェ
ハを搬送する。次に、ウェハのアライメントを行い、ウ
ェハの設置位置を測定し、加工位置座標を算出して、レ
ーザ加工機は加工を開始する。ウェハキャリアからウェ
ハホルダまでのウェハ搬送のプロセスを具体的に説明す
る。ウェハキャリア7からウェハ搬送装置12によって
抜き取られたウェハは、プリアライメント部13に搬送
される。この場所で、ウェハは、例えばオリフラ位置を
所定の方向に位置させるなどのステージ設置前のアライ
メント、いわゆるプリアライメントを施される。その
後、ウェハ搬送装置12によってウェハホルダ2上に搬
送され、加工位置を精密に計測するためのファインアラ
イメントを実施する。
The wafer transfer device 12 extracts wafers one by one from the wafer carrier 7 and transfers the wafers to the wafer holder 2. Next, the wafer is aligned, the installation position of the wafer is measured, the processing position coordinates are calculated, and the laser processing machine starts processing. The process of transferring a wafer from a wafer carrier to a wafer holder will be specifically described. The wafer extracted from the wafer carrier 7 by the wafer transfer device 12 is transferred to the pre-alignment unit 13. At this location, the wafer is subjected to alignment before stage installation, such as positioning the orientation flat position in a predetermined direction, so-called pre-alignment. Thereafter, the wafer is transferred onto the wafer holder 2 by the wafer transfer device 12, and fine alignment for precisely measuring a processing position is performed.

【0015】ウェハ搬送においては、加工時間を短縮す
るため、加工終了したウェハとすぐに差し替えるように
している。このため、プリアライメント終了後のウェハ
を待機させる待機場所14を設けることもある。
In the transfer of the wafer, in order to reduce the processing time, the processed wafer is immediately replaced. For this reason, there may be a case where a waiting place 14 for waiting the wafer after the completion of the pre-alignment is provided.

【0016】加工中は前述のように、レーザが外部に漏
光しないような安全構造が確保されている。加工が終了
し、全ての加工済みウェハがウェハキャリア7に回収さ
れた段階で施錠は解放され、キャリア室8からウェハキ
ャリア7を取り出すことができる。仮に加工中にウェハ
キャリア7を取り出す必要が生じた場合は、オペレータ
はキャリアの途中取り出しの指令を加工機に送り、キャ
リア室8の施錠を解放する。このときは、キャリア室8
とウェハ搬送装置12の間にある開口部15に設けられ
たシャッタ16が閉じ、加工中にキャリア扉10を開け
てもレーザ光が漏れず、レーザ安全が損なわれることの
ないような構造になっている。
As described above, a safety structure is ensured so that the laser does not leak to the outside during processing. When the processing is completed and all the processed wafers have been collected in the wafer carrier 7, the lock is released and the wafer carrier 7 can be taken out from the carrier chamber 8. If it becomes necessary to take out the wafer carrier 7 during processing, the operator sends a command to take out the carrier halfway to the processing machine, and releases the lock of the carrier chamber 8. At this time, the carrier room 8
The shutter 16 provided in the opening 15 between the wafer transfer device 12 and the wafer carrier 12 is closed, so that the laser beam does not leak even if the carrier door 10 is opened during processing, so that the laser safety is not impaired. ing.

【0017】ウェハホルダには温調手段18が設置され
ており、ウェハは常に一定温度に保たれた状態で加工が
行われる。次に加工するウェハは、プリアライメント部
13でプリアライメントを施された後、一枚目のウェハ
の加工終了まで待機場所14で待機する。この待機場所
14にも温調手段19が設置されており、ウェハホルダ
2へ搬送される前にウェハは既に設定温度状態となり、
一枚目のウェハの加工が終了したならば、この待機位置
14にあるウェハに差し替えられ、加工が実行される。
The wafer holder is provided with a temperature control means 18, and the wafer is processed while being constantly maintained at a constant temperature. After the wafer to be processed next is pre-aligned by the pre-alignment unit 13, it waits at the standby place 14 until the processing of the first wafer is completed. The temperature control means 19 is also installed in the standby place 14, and the wafer is already at the set temperature before being transferred to the wafer holder 2,
When the processing of the first wafer is completed, the wafer is replaced with the wafer at the standby position 14 and the processing is executed.

【0018】[0018]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、ウェハの温度を常に温調手段で一定にして加
工を行うので、ウェハが温度の異なる外気中から加工機
内に搬送され、ウェハが加工中に膨張又は伸縮すること
に起因する加工誤差が発生することがなく、高精度の加
工が行われる。また、長時間の加工で外気温が変動した
場合においても、温調手段により、ウェハ温度は一定に
保たれるので温度による加工誤差が発生することなく加
工が行われる。さらに、機内温度全体を制御する温調機
を必要としないため、レーザ加工装置全体のコストダウ
ンの効果も期待できる。
As is apparent from the above description, according to the present invention, since the processing is performed while the temperature of the wafer is always kept constant by the temperature control means, the wafer is transferred from the outside air having different temperatures into the processing machine. In addition, a processing error due to expansion or contraction of the wafer during processing does not occur, and high-precision processing is performed. Further, even when the outside air temperature fluctuates due to long-time processing, since the wafer temperature is kept constant by the temperature control means, the processing is performed without generating a processing error due to the temperature. Further, since a temperature controller for controlling the entire internal temperature is not required, an effect of reducing the cost of the entire laser processing apparatus can be expected.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の1実施例に係るレーザ加工装置及びそ
の周辺機器の全体配置を示す模式的側面図である。
FIG. 1 is a schematic side view showing an overall arrangement of a laser processing apparatus and peripheral devices according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の実施例のレーザ加工装置及びその周辺機
器の全体配置を示す模式的平面図である。
FIG. 2 is a schematic plan view showing the overall arrangement of the laser processing apparatus and its peripheral devices according to the embodiment shown in FIG. 1;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ウェハ 2 ウェハホルダ 3 ステージ 4 光学系 5 対物レンズ 6 囲い 7 ウェハキャリア 8 キャリア室 9 キャリア台 10 扉 11 施錠手段 12 ウェハ搬送
装置 13 プリアライメント部 14 待機場所 15 開口部 16 シャッタ 17 ファン 18、19 温調
手段
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer 2 Wafer holder 3 Stage 4 Optical system 5 Objective lens 6 Enclosure 7 Wafer carrier 8 Carrier chamber 9 Carrier table 10 Door 11 Locking means 12 Wafer transfer device 13 Prealignment unit 14 Standby place 15 Opening 16 Shutter 17 Fan 18, 19 Temperature Adjusting means

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI // B23K 31/00 B23K 31/00 J ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI // B23K 31/00 B23K 31/00 J

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被加工物にレーザを照射して加工するレ
ーザ加工装置において;被加工物を保持するホルダに、
温度を一定に維持する温調機構を設けたことを特徴とす
るレーザ加工装置。
1. A laser processing apparatus for processing a workpiece by irradiating the workpiece with a laser; a holder for holding the workpiece;
A laser processing apparatus provided with a temperature control mechanism for maintaining a constant temperature.
【請求項2】 被加工物にレーザを照射して加工するレ
ーザ加工装置において;加工前の被加工物を待機させる
待機部に、温度を一定に維持する温調機構を設けたこと
を特徴とするレーザ加工装置。
2. A laser processing apparatus for processing a workpiece by irradiating a laser with a laser, wherein a temperature control mechanism for maintaining a constant temperature is provided in a standby unit for waiting the workpiece before processing. Laser processing equipment.
【請求項3】 さらに、加工前の被加工物を待機させる
待機部に、温度を一定に維持する温調機構を設けたこと
を特徴とする請求項1記載のレーザ加工装置。
3. The laser processing apparatus according to claim 1, wherein a temperature control mechanism for maintaining a constant temperature is provided in a standby unit for waiting a workpiece before processing.
JP9196427A 1997-07-08 1997-07-08 Laser beam machining device Pending JPH1128592A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001062431A3 (en) * 2000-02-28 2002-01-31 Amada Co Ltd Laser beam machining system and laser beam machining method using the same
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