JP5293376B2 - 弾性境界波装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1に示すように、本実施形態では、まず、ステップS1において、圧電基板ウエハ11(図3を参照)を準備する。この圧電基板ウエハ11は、複数の弾性境界波装置の圧電基板を形成するためのものであり、後の工程において切断されて複数の圧電基板となる。このため、圧電基板ウエハ11には、図2に示すように、各弾性境界波装置の圧電基板を構成する素子領域11aが複数形成されている。この複数の素子領域11aのそれぞれから各弾性境界波装置の圧電基板が形成される。
図7は、第2の実施形態における第2の誘電体膜が形成された積層体の一部分を表す略図的断面図である。図7に示すように、本実施形態では、図1に示すステップS4の厚み低減工程において、第1の誘電体膜13の境界B部分に厚み低減部を複数形成する。具体的には、第1の誘電体膜13の境界B部分に、境界Bの法線方向に沿って間隔をおいて配列された複数の溝13aを形成する。その後、図1に示すステップS7において第2の誘電体膜15を形成する。
直径10.16cm(4インチ)、厚さ0.5mmの円板状の25°カットLiNbO3ウエハからなる圧電基板ウエハの上に、Ti/Pt/Ti/AlCu/Ti/Pt/TiからなるIDT電極を形成し、さらに、第1の誘電体膜として、IDT電極を覆うように厚み2μmの酸化ケイ素膜をスパッタにより形成した。そして、上記の第1の実施形態のように、酸化ケイ素膜をドライエッッチング法によりエッチングすることにより、酸化ケイ素膜に溝幅5μmの、LiNbO3ウエハにまで達する溝を形成し、0.8mm×0.6mm角の素子領域を形成した。そして、第2の誘電体膜として、酸化ケイ素膜の上に厚み3μmの窒化珪素膜をスパッタにより形成した。その後、触針式形状測定器を用いてLiNbO3ウエハの反りを測定した。その結果、LiNbO3ウエハは、窒化珪素膜側に突出するように反っており、反り量は、331.0μmであった。
酸化ケイ素膜に溝を形成しないこと以外は、上記実験例1と同様にして積層体を形成し、LiNbO3ウエハの反り量を測定した。反り量は、556.1μmであった。
上記第2の実施形態のように、第1の誘電体膜に複数の溝を形成したこと以外は、上記実験例1と同様にして積層体を形成し、LiNbO3ウエハの反り量を測定した。反り量は、285.3μmであった。
11…圧電基板ウエハ
11a…素子領域
12…IDT電極
13…第1の誘電体膜
13a…溝
13b…貫通孔
14…ビアホール電極
15…第2の誘電体膜
16…弾性境界波装置
20…ダイシングプレート
Claims (6)
- 圧電基板と、前記圧電基板の上に形成されているIDT電極と、前記圧電基板の上に、前記IDT電極を覆うように形成されている第1の誘電体膜と、前記第1の誘電体膜の上に形成されており、前記第1の誘電体膜よりも音速が高い第2の誘電体膜とを備える弾性境界波装置の製造方法であって、
複数の素子領域が形成されており、前記複数の素子領域のそれぞれの上に前記IDT電極が形成されている圧電基板ウエハと、前記圧電基板ウエハの上に、前記IDT電極を覆うように形成されている前記第1の誘電体膜とを有する積層体を形成する工程と、
前記第1の誘電体膜の隣り合う前記素子領域の境界上に位置する部分の厚みを低減する厚み低減工程と、
前記第1の誘電体膜の上に、前記第2の誘電体膜を形成する工程と、
前記第2の誘電体膜が形成された前記積層体を、隣り合う前記素子領域の境界で切断することにより前記弾性境界波装置を複数形成する切断工程とを備え、
前記第1の誘電体膜を厚さ方向に貫通し、前記IDT電極に至る貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔に導体を埋設することにより前記IDT電極に接続されているビアホール電極を形成する工程とをさらに備え、
前記厚み低減工程は、前記貫通孔形成工程と同時に行われる、弾性境界波装置の製造方法。 - 前記厚み低減工程は、前記第1の誘電体膜の隣り合う前記素子領域の境界上に位置する部分を除去する工程である、請求項1に記載の弾性境界波装置の製造方法。
- 前記厚み低減工程は、ドライエッチング法またはウエットエッッチング法により、前記第1の誘電体膜の隣り合う前記素子領域の境界上に位置する部分をエッチングすることにより、当該部分の厚みを低減する工程である、請求項1または2に記載の弾性境界波装置の製造方法。
- 前記切断工程は、前記第2の誘電体膜が形成された前記積層体を、ダイシングプレートを用いて、隣り合う前記素子領域の境界上で切断する工程であり、前記厚み低減工程において前記第1の誘電体膜の厚みが低減された部分の幅は、前記ダイシングプレートの幅よりも大きい、請求項1〜3のいずれか一項に記載の弾性境界波装置の製造方法。
- 前記第1の誘電体膜は、酸化ケイ素からなり、前記第2の誘電体膜は窒化珪素からなる、請求項4に記載の弾性境界波装置の製造方法。
- 前記厚み低減工程において、前記第1の誘電体膜に厚みが低減された部分を複数形成する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の弾性境界波装置の製造方法。
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