JP5291112B2 - マルチビットプログラミングのための装置および方法 - Google Patents
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Description
第1ページ111は、複数の第1マルチビットセルを含み、第2ページ112は、複数の第2マルチビットセルを含む。
てもよい。
110 マルチビットセルアレイ
120 データ検出部
111 第1ページ
112 第2ページ
Claims (20)
- 第1マルチビットセルおよび第2マルチビットセルを含むマルチビットセルアレイと、
第1データを前記第1マルチビットセルにプログラミングして、第2データを前記第2マルチビットセルにプログラミングするプログラミング部と、
第1検証電圧を用いて、前記第1マルチビットセルに前記第1データがプログラミングされたか否かを検証し、第2検証電圧を用いて、前記第2マルチビットセルに前記第2データがプログラミングされたか否かを検証する検証部と、
を含むマルチビットプログラミング装置であって、
前記装置は、前記第1マルチビットセルおよび前記プログラミング部の空間的距離に基づいて前記第1検証電圧を決定し、前記第2マルチビットセルおよび前記プログラミング部の空間的距離に基づいて前記第2検証電圧を決定する、ことを特徴とするマルチビットプログラミング装置。 - 前記装置は、前記第1マルチビットセルが偶数回目のビット線に接続するか否かによって前記第1検証電圧を決定し、前記第2マルチビットセルが奇数回目のビット線に接続するか否かによって前記第2検証電圧を決定することを特徴とする請求項1に記載のマルチビットプログラミング装置。
- 前記装置は、前記第1マルチビットセルがプログラミングおよび消去された回数に基づいて前記第1検証電圧を決定し、前記第2マルチビットセルがプログラミングおよび消去された回数に基づいて前記第2検証電圧を決定することを特徴とする請求項1に記載のマルチビットプログラミング装置。
- 前記装置は、前記第1マルチビットセルおよび前記第2マルチビットセルのうち何れのマルチビットセルが先にプログラミングされるかによって、前記第1検証電圧および前記第2検証電圧を決定することを特徴とする請求項1に記載のマルチビットプログラミング装置。
- 前記プログラミング部は、前記第1マルチビットセルおよび前記第2マルチビットセルのゲート端子に高電圧を印加することによって、前記第1マルチビットセルおよび前記第2マルチビットセルに前記第1データおよび前記第2データをプログラミングすることを特徴とする請求項1に記載のマルチビットプログラミング装置。
- 前記装置は、前記第1マルチビットセルの第1データエラー統計に基づいて前記第1検証電圧を決定し、前記第2マルチビットセルの第2データエラー統計に基づいて前記第2検証電圧を決定することを特徴とする請求項1に記載のマルチビットプログラミング装置。
- 第1マルチビットセルおよび第2マルチビットセルを含むマルチビットセルアレイと、
第1検出電圧を用いて、前記第1マルチビットセルにプログラミングされた第1データを検出して、第2検出電圧を用いて、前記第2マルチビットセルにプログラミングされた第2データを検出するデータ検出部と、
を含むメモリデータ検出装置であって、
前記第1マルチビットセルまたは前記第2マルチビットセルにデータをプログラミングするプログラミング部をさらに含み、
前記装置は、前記第1マルチビットセルおよび前記プログラミング部の空間的距離に基づいて前記第1検出電圧を決定し、前記第2マルチビットセルおよび前記プログラミング部の空間的距離に基づいて前記第2検出電圧を決定する、ことを特徴とするメモリデータ検出装置。 - 前記装置は、前記第1マルチビットセルが偶数回目のビット線に接続するか否かによって前記第1検出電圧を決定し、前記第2マルチビットセルが奇数回目のビット線に接続するか否かによって前記第2検出電圧を決定することを特徴とする請求項7に記載のメモリデータ検出装置。
- 前記装置は、前記第1マルチビットセルがプログラミングおよび消去された回数に基づいて前記第1検出電圧を決定し、前記第2マルチビットセルがプログラミングおよび消去された回数に基づいて前記第2検出電圧を決定することを特徴とする請求項7に記載のメモリデータ検出装置。
- 前記装置は、
前記第1マルチビットセルおよび前記第2マルチビットセルのうち何れのマルチビットセルが先にプログラミングされるかによって、前記第1検出電圧および前記第2検出電圧を決定することを特徴とする請求項7に記載のメモリデータ検出装置。 - 前記プログラミング部は、前記第1マルチビットセルまたは前記第2マルチビットセルのゲート端子に高電圧を印加して、前記第1マルチビットセルまたは前記第2マルチビットセルにデータをプログラミングすることを特徴とする請求項7に記載のメモリデータ検出装置。
- 前記装置は、前記第1マルチビットセルの第1データエラー統計に基づいて前記第1検出電圧を決定し、前記第2マルチビットセルの第2データエラー統計に基づいて前記第2検出電圧を決定することを特徴とする請求項7に記載のメモリデータ検出装置。
- 前記第1データが前記第1マルチビットセルにプログラミングされた第1原本データに対応して、前記第2データが前記第2マルチビットセルにプログラミングされた第2原本データに対応するか否かを判定するエラー判定部をさらに含み、
前記装置は、前記エラー判定部の判定結果に基づいて前記第1および前記第2データエラー統計を生成することを特徴とする請求項12に記載のメモリデータ検出装置。 - マルチビットプログラミング装置において、第1マルチビットセルおよび第2マルチビットセルを含むマルチビットセルアレイにデータをプログラミングするマルチビットプログラミング方法であって、
第1データを前記第1マルチビットセルにプログラミングするステップと、
第2データを前記第2マルチビットセルにプログラミングするステップと、
第1検証電圧を用いて、前記第1マルチビットセルに前記第1データがプログラミングされたか否かを検証するステップと、
第2検証電圧を用いて、前記第2マルチビットセルに前記第2データがプログラミングされたか否かを検証するステップと、
を含み、
前記第1データおよび第2データは、前記マルチビットプログラミング装置のプログラミング部によってプログラムされ、
前記第1検証電圧は、前記第1マルチビットセルおよび前記プログラミング部の空間的距離に基づいて決定され、
前記第2検証電圧は、前記第2マルチビットセルおよび前記プログラミング部の空間的距離に基づいて決定されることを特徴とするマルチビットプログラミング方法。 - 前記第1検証電圧は、前記第1マルチビットセルの空間的位置に基づいて決定され、
前記第2検証電圧は、前記第2マルチビットセルの空間的位置に基づいて決定されることを特徴とする請求項14に記載のマルチビットプログラミング方法。 - 前記第1検証電圧は、前記第1マルチビットセルがプログラミングおよび消去された回数に基づいて決定され、
前記第2検証電圧は、前記第2マルチビットセルがプログラミングおよび消去された回数に基づいて決定されることを特徴とする請求項14に記載のマルチビットプログラミング方法。 - メモリデータ検出装置において、第1マルチビットセルおよび第2マルチビットセルを含むマルチビットセルアレイからデータを検出するメモリデータ検出方法であって、
第1検出電圧および第2検出電圧を設定するステップと、
前記第1検出電圧を用いて、前記第1マルチビットセルにプログラミングされた第1データを検出するステップと、
前記第2検出電圧を用いて、前記第2マルチビットセルにプログラミングされた第2データを検出するステップと、
を含み、
前記第1データおよび第2データは、前記メモリ検出装置のプログラミング部によってプログラムされ、
前記第1検出電圧および前記第2検出電圧を設定するステップは、前記第1マルチビットセルおよび前記プログラミング部の空間的距離に基づいて前記第1検出電圧を設定し、前記第2マルチビットセルおよび前記プログラミング部の空間的距離に基づいて前記第2検出電圧を設定する、ことを特徴とするメモリデータ検出方法。 - 前記第1検出電圧および前記第2検出電圧を設定するステップは、前記第1マルチビットセルの空間的位置に基づいて前記第1検出電圧を設定し、前記第2マルチビットセルの空間的位置に基づいて前記第2検出電圧を設定することを特徴とする請求項17に記載のメモリデータ検出方法。
- 前記第1マルチビットセルに第1原本データをプログラミングするステップと、
前記第2マルチビットセルに第2原本データをプログラミングするステップと、
前記第1データおよび前記第1原本データが一致するか否かを第1判定するステップと、
前記第2データおよび前記第2原本データが一致するか否かを第2判定するステップと、
前記第1判定の結果に基づいて前記第1マルチビットセルの第1データエラー統計を生成するステップと、
前記第2判定の結果に基づいて前記第2マルチビットセルの第2データエラー統計を生成するステップと、
をさらに含み、
前記第1検出電圧および前記第2検出電圧を設定するステップは、前記第1データエラー統計に基づいて前記第1検出電圧を設定し、前記第2データエラー統計に基づいて前記第2検出電圧を設定することを特徴とする請求項17に記載のメモリデータ検出方法。 - 請求項14または請求項19に記載の方法を実行するためのプログラムが記録されていることを特徴とするコンピュータ可読記録媒体。
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