JP5289667B2 - ワンチップ高電圧光電池の製造方法 - Google Patents
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Description
シリコンウエハーはその表面を個々のフォトダイオード素子を形成する複数の単位素子領域に区分し、その各単位素子領域には、前記p型拡散層とn型のシリコンウエハーとを貫通するSi基板スルーホールを形成し、前記n型のシリコンウエハーの裏面側の同一面には各単位素子領域毎に当該n型のシリコンウエハーのn層に電気的に導通するシリコンn層電極と、前記Si基板スルーホールを介して前記p型拡散層のp層に電気的に導通するシリコンp層電極とを間隔を介して形成し、
前記プリント基板はその表面に前記n型のシリコンウエハーの各フォトダイオード素子の単位素子領域が搭載する各搭載領域に前記シリコンn層電極とシリコンp層電極とにそれぞれ位置を対応させてスルーホール孔を形成し、前記プリント基板の裏面には互いに隣り合う一方の搭載領域のシリコンn層電極側位置に対応したスルーホール孔と隣り合う他方の搭載領域のシリコンp層電極側位置に対応したスルーホール孔とを導通する配線を施し、
前記スルーホール孔と配線を形成したプリント基板の表面に、前記Si基板スルーホールとシリコンn層電極とシリコンp層電極とを形成して成るn型のシリコンウエハーの裏面を、前記シリコンn層電極とシリコンp層電極とを対応する前記スルーホール孔に位置させて搭載し、
然る後に、各シリコンn層電極とシリコンp層電極とを対応する前記スルーホール孔にハンダ付け接合して、前記n型のシリコンウエハーと前記プリント基板とを前記シリコンn層電極とシリコンp層電極のハンダ付け接合のハンダのみによって固定し、
然る後に、各フォトダイオード素子の単位素子領域の境界線に沿って前記プリント基板は切断分離せずにp型拡散層とともにn型のシリコンウエハーをダイシングソーにより前記各単位素子領域毎に切断してプリント基板上に複数のフォトダイオード素子を単位の素子毎に分離形成するとともに、予め定めた個数のフォトダイオード素子群毎の境界線に沿ってp型拡散層とともにn型のシリコンウエハー及びプリント基板を切断して、切断した各ブロックをワンチップ高電圧光電池とした複数のワンチップ高電圧光電池を切り出し製造することをもって上記課題を解決する手段としている。
2 p型拡散層
3 シリコン基板スルーホール孔
4−1 シリコンn層電極
4−2 シリコンp層電極
5 プリント基板スルーホールハンダ
6 プリント基板
7 プリント基板上の銅配線(ジャンピング配線、引き出し電極等)
8 シリコン基板分離溝
9 シリコン基板及びプリント基板分離溝
10 シリコン基板内の位置決め用スルーホール孔
11 プリント基板上の位置決め用パターン
12 単位素子領域
13 単位素子群領域
Claims (3)
- 表面にp型拡散層を形成したn型のシリコンウエハーとプリント基板を用意し、
シリコンウエハーはその表面を個々のフォトダイオード素子を形成する複数の単位素子領域に区分し、その各単位素子領域には、前記p型拡散層とn型のシリコンウエハーとを貫通するSi基板スルーホールを形成し、前記n型のシリコンウエハーの裏面側の同一面には各単位素子領域毎に当該n型のシリコンウエハーのn層に電気的に導通するシリコンn層電極と、前記Si基板スルーホールを介して前記p型拡散層のp層に電気的に導通するシリコンp層電極とを間隔を介して形成し、
前記プリント基板はその表面に前記n型のシリコンウエハーの各フォトダイオード素子の単位素子領域が搭載する各搭載領域に前記シリコンn層電極とシリコンp層電極とにそれぞれ位置を対応させてスルーホール孔を形成し、前記プリント基板の裏面には互いに隣り合う一方の搭載領域のシリコンn層電極側位置に対応したスルーホール孔と隣り合う他方の搭載領域のシリコンp層電極側位置に対応したスルーホール孔とを導通する配線を施し、
前記スルーホール孔と配線を形成したプリント基板の表面に、前記Si基板スルーホールとシリコンn層電極とシリコンp層電極とを形成して成るn型のシリコンウエハーの裏面を、前記シリコンn層電極とシリコンp層電極とを対応する前記スルーホール孔に位置させて搭載し、
然る後に、各シリコンn層電極とシリコンp層電極とを対応する前記スルーホール孔にハンダ付け接合して、前記n型のシリコンウエハーと前記プリント基板とを前記シリコンn層電極とシリコンp層電極のハンダ付け接合のハンダのみによって固定し、
然る後に、各フォトダイオード素子の単位素子領域の境界線に沿って前記プリント基板は切断分離せずにp型拡散層とともにn型のシリコンウエハーをダイシングソーにより前記各単位素子領域毎に切断してプリント基板上に複数のフォトダイオード素子を単位の素子毎に分離形成するとともに、予め定めた個数のフォトダイオード素子群毎の境界線に沿ってp型拡散層とともにn型のシリコンウエハー及びプリント基板を切断して、切断した各ブロックをワンチップ高電圧光電池とした複数のワンチップ高電圧光電池を切り出し製造するワンチップ高電圧光電池の製造方法。 - シリコンウエハー表面に複数個の位置決め用スルーホール孔を開け、それらの各孔位置に対応するプリント基板の面位置に位置出し用パターンを設け、プリント基板にシリコンウエハーを搭載する際に前記位置出し用パターンと位置決め用スルーホールを合わせることでシリコンウエハーとプリント基板との位置出しを行う請求項1記載のワンチップ高電圧光電池の製造方法。
- シリコンn層電極とシリコンp層電極とをプリント基板の対応するスルーホール孔にハンダ付け実施し、シリコンウエハー側のSi基板スルーホールをX線透過することでハンダ付け実施時のハンダの溶け状態を観察することを特徴とする請求項1又は請求項2記載のワンチップ高電圧光電池の製造方法。
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