JP2001196331A - チップサイズパッケージの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウェーハ上へのバンプの形成から半導
体パッケージの完成までの製造工程を簡略にすると同時
に、回路基板と半導体チップとの間にウェーハの欠片が
はさまるチャンスを少なくする。 【解決手段】 半導体ウェーハ８上にバンプ２を形成す
る工程と、このウェーハ８をシート１０に貼り付けてダ
イシングする工程と、シート１０で保持された半導体チ
ップ１を一括して回路基板３上にダイボンドする工程
と、ダイボンドした半導体チップ１と回路基板３との間
を樹脂６で封止する工程と、樹脂封止した回路基板３を
樹脂６と共に半導体チップ１毎にダイシングする工程と
を備えるチップサイズパッケージの製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ
の製造方法に係り、特に超小型のチップサイズパッケー
ジの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、セット機器の小型化に伴なって半
導体パッケージの超小型化が益々進み、最近ではバンプ
接続技術を用いた所謂チップサイズパッケージ（ＣＳ
Ｐ）が開発されている。これは、例えば図２に示したよ
うに、半導体チップ１の下面に端子となるものや、単に
機械的接合のための複数のバンプ２を形成しておき、半
導体チップ１を、半導体チップ１と略同一形状の回路基
板３にバンプ２を接続して層状の半導体パッケージ４と
しておき、回路基板３の下面に設けた電極５をマザーボ
ードに接続するものである。なお、バンプ２によって形
成される半導体チップ１と回路基板３との隙間は樹脂６
によって封止されている。

【０００３】図３は、上述の構造からなるチップサイズ
パッケージ（ＣＳＰ）４の一製造工程図を示したもので
ある。 （１）この製造工程では先ずシリコン等のウェーハ上に
集積回路を形成して半導体ウェーハ８としたのち、半導
体ウェーハ８上に整列した多数のバンプ２を形成する。
（図３−Ａ参照） （２）次の工程では半導体ウェーハ８を半導体チップ１
毎にダイシングする。（図３−Ｂ参照） （３）更に半導体チップ１を一個ずつ吸着し易いよう
に、エキスパンド工程によって隣接する半導体チップ１
同士の間隔を空ける。（図３−Ｃ参照） （４）次の工程ではガラスエポキシ又はフィルム等によ
って形成され、多数のチップ搭載個所が行列状に形成さ
れた回路基板３の所定位置に上記エキスパンドした半導
体チップ１を吸着ノズルを用いて一個ずつ配置する。半
導体チップ１はバンプ２を下側に向けて回路基板３に配
列され、バンプ２を所定の電子回路上に設けたパッド上
にチップボンディングする。そしてリフロー工程でバン
プ２を溶融し、回路基板３上に接合する。（図３−Ｄ参
照） （５）次に、半導体チップ１と回路基板３との隙間を封
止するために、両者間に樹脂６が充填される。樹脂６は
キュア炉を通すことで硬化する。（図３−Ｅ参照） （６）最後に枡目状に切断し、一個ずつの半導体チップ
１とする。この時は回路基板３も半導体チップ１と一緒
にダイシングされて、直方体形状のＣＳＰ４が完成す
る。

【０００４】しかしながら、上記従来の製造方法にあっ
ては、半導体チップ１を一個ずつ回路基板３上に移送
し、各々について位置合わせしてからチップボンドしな
ければならないなど、作業時間が掛かってしまうといっ
た問題があった。そこで、特開平９−２３２２５６号公
報に提案がある。図４はその第１の例の製造工程を示し
たものである。 （１）先の例と同様、先ずシリコン等のウェーハ上に集
積回路を形成して半導体ウェーハ８とした後、半導体ウ
ェーハ８上に整列した多数のバンプ２を形成する。す
る。（図４−Ａ参照） （２）次に上記半導体ウェーハ８を裏返してバンプ２を
下側に向け、そのまま半導体ウェーハ８上のバンプ２の
配置に対応した位置関係でパッドが形成された回路基板
３の上に載置して上下左右の４箇所のポイント９ａ，９
ｂ，９ｃ，９ｄで位置決めを行なったのちチップボンド
（ウェーハボンド）する。次にこれをリフローに通して
バンプ２を溶融し、回路基板３上に接合する。（図４−
Ｃ参照） （３）次に、両者間の隙間に樹脂６を充填してバンプ２
を封止する。樹脂６はキュア炉に通すことで硬化する。
（図４−Ｄ参照） （４）次に、半導体ウェーハ８を枡目状に切断して半導
体チップ１毎に分割する。この時、回路基板３も半導体
チップ１と一緒にダイシングされ、直方体形状のＣＳＰ
４として完成する。

【０００５】この従来例では半導体ウェーハ８の状態で
回路基板３上に一括にチップボンド（ウェーハボンド）
するので、チップボンド工程における半導体ウェーハ８
の位置合わせ作業も極めて容易となり、短時間で行なえ
るとされている。

【０００６】また、第２の例として、図５に示す製法の
記載がある。この例では、半導体ウェーハ８上にバンプ
２を形成する工程、及び半導体ウェーハ８を回路基板３
上にウェーハボンドする工程は、前記第１の例と同様で
ある。（図５−Ａ，図５−Ｂ参照） （１）この例では回路基板３上にボンドされた半導体ウ
ェーハ８に対して、回路基板３をそのままにして半導体
ウェーハ８のみをチップ毎にダイシングして枡目状の半
導体チップ１とする。（図５−Ｃ参照） （２）次に、半導体ウェーハ８と回路基板３との隙間だ
けでなく、ダイシングした半導体チップ１同士の隙間に
も樹脂６が充填される。キュア炉で樹脂６を硬化させた
のち、再度半導体チップ１のダイシングラインに沿って
今度は回路基板３も一緒にダイシングし、直方体形状の
ＣＳＰ４ａを完成させる。

【０００７】この例では半導体ウェーハ８を回路基板３
上でダイシングして半導体チップ１にしてから樹脂を充
填しているので、樹脂封止がより一層確実になるといっ
た効果がある。また、回路基板３と一緒に切断する二回
目のダイシング幅を、半導体ウェーハ８だけを切断する
一回目のダイシング幅より狭くした場合には、半導体チ
ップ１の側面周囲に樹脂６を残すことができ、これによ
って半導体チップ１をより確実に保護できるといった効
果があるとされる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記特開平
９−２３２２５６号公報における第１の例による製造方
法によれば、ａ）ウェーハ状でボンディングするので、
ウェーハ８にそりがあったり、バンプ２の高さにバラツ
キがあったりして、チップボンドがかなり困難である。
ｂ）さらに、ウェーハ８と回路基板３との間に樹脂６を
充填するのがウェーハ８の径が大きくなるほどむずかし
く、未充填部分が生じるような不具合が生じ易い。ｃ）
さらに、ウェーハ８が不良の半導体チップ１を含んでい
ても、それも同時にボンディングし、しかもダイシング
前に樹脂６を充填するので良品の半導体チップ１と交換
することは不可能である。

【０００９】第２の例による製造方法によれば、ａ）ウ
ェーハ状でボンディングするので、ウェーハ８にそりが
あったり、バンプ２の高さにバラツキがあったりして、
チップボンドがかなり困難である点は同様である。ｂ）
樹脂６を未充填でウェーハ８のみをダイシングして個別
の半導体チップとする際に、ダイシングする部分は浮い
ているので、チッピングが生じたり、クラックが入り易
い。ｃ）そして、そのような欠片が半導体チップ１と回
路基板３との間に挟まると、樹脂充填に先立っての洗浄
作業等で除去するのが困難である。ｄ）さらに、ウェー
ハ８が不良の半導体チップ１を含んでいても、それも同
時にボンディングしてしまうので、良品の半導体チップ
１と交換することはかなり困難である。

【００１０】さらに、このようなＣＳＰにおいては厚み
を極力薄くすることが求められる場合がある。そのよう
な場合にはウェーハ８を極力薄くしなければならない
が、そうすると、取り扱いで割れ易く、薄くするには限
度がある。ウェーハ８の製造工程ではその工程に耐える
厚みのウェーハで流れ、出来るだけ後ろの工程で裏面を
研磨除去して薄くするが、例えば、バンプ２の形成前に
研磨工程を設ければ表面が平たいので真空吸着によるウ
ェーハの保持が可能で研磨作業自体はやり易いが、バン
プ形成工程以後の工程を薄いウェーハで行うので割れ易
く取り扱いがやっかいである。バンプ２の形成までを厚
いウェーハのまま行い、その後に裏面研磨を行おうとす
ると、バンプ２のために真空吸着が利用出来ず、基板に
貼り付けなければならない。そうすると、研磨後に薄く
なったウェーハ８を剥がすのが割れ易くやっかいであ
る。

【００１１】そこで、本発明は、ウェーハ規模で一括ボ
ンディングするにもかかわらずボンディングを容易と
し、さらに、半導体チップと回路基板との間に半導体ウ
ェーハの欠片が挟まるチャンスを大幅に減らし、必要な
らば、不良の半導体チップをボンディングせずに代わり
に良品の半導体チップをボンディングすることが容易な
製造方法を提供する。

【００１２】さらに、厚みの薄いＣＳＰを比較的容易に
作り得る製造方法を提供する。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明に係るチップサイズパッケージの製造方法
は、 半導体ウェーハ上に形成した複数の半導体チップ
それぞれにバンプを形成する工程と、前記半導体ウェー
ハの裏面をフレキシブルな基材に貼り付けて半導体チッ
プ毎にダイシングする工程と、前記半導体ウェーハ上の
前記半導体チップの配置に対応した位置関係で配置され
ると共に、前記バンプの配置に対応した位置関係のパッ
ドを備えるチップ搭載個所を備える回路基板を準備する
工程と、前記回路基板にフレキシブルな基材に貼り付け
られて保持されている複数の半導体チップを一括にチッ
プボンドする工程と、チップボンドした半導体チップと
回路基板との間を樹脂封止する工程と、樹脂封止した回
路基板を封止樹脂と共にダイシングする工程とを、備え
ることを特徴とする。この製法によれば、複数の半導体
チップをフレキシブルな基材に貼り付けて保持して一括
にチップボンドするので、手間や時間が掛からずに製造
できる。そして、半導体チップと回路基板との間を樹脂
封止する際は、半導体チップはすでに個別に分割され
て、しかも、ダイシングラインが間隔をあけているの
で、樹脂の充填が容易である。そして、半導体ウェーハ
の裏面をフレキシブルな基材に貼り付けて半導体チップ
毎にダイシングするので、要すれば、チップボンディン
グ工程の前に、フレキシブルな基材に複数の半導体チッ
プが貼り付けられて保持されている状態で、ダイシング
屑を除去する洗浄工程を備えることにより、ウェーハの
屑が回路基板と半導体チップとの間に挟まるのを防止す
ることも容易である。そして、フレキシブルな基材に貼
り付けられて保持されている複数の半導体チップが不良
を含んでいる場合には、一括にチップボンドする前に不
良品を取り除き、良品の半導体チップを代わりに配置す
るとか、不良品を取り除いて良品のみ一括にチップボン
ディングした後に、半導体チップが載っていない場所に
個別に良品の半導体チップをチップボンディングするこ
とは容易である。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
るチップサイズパッケージの製造方法を詳細に説明す
る。図１は本発明の一実施例の製造工程を示したもので
ある。 （１）先ずシリコン等のウェーハ上に半導体素子とか集
積回路でなる半導体チップ１を形成して半導体ウェーハ
８としたのち、各半導体チップ１のバンプ２を形成す
る。バンプ２は通常半導体チップ１の外部端子となるも
のであるが、ディスクリート半導体素子の場合にように
外部端子が少ない場合には単なる機械的な接続のために
設けるものであって良い。バンプ１はボンディングの方
式に対応して種々の材料が用いられるが、この実施例の
場合には例えばＡｇメッキの盛り上げが使用出来る。
（図１−Ａ参照） （２）次に、半導体ウェーハ８の裏面に透光性のフレキ
シブルな基材に紫外線照射により接着力を失う粘着糊が
塗布されたシート１０を貼り付け、シート１０は出来る
だけ切らないようにして、ウェーハ８をスルーカットし
て、半導体チップ１毎にダイシングする。そうすると各
半導体チップ１はシート１０に保持されて元の位置関係
を維持する。その状態で、エアーブローとか純水による
洗浄により、ダイシングの際に生じた欠片等を極力除去
するするのが好ましい。そして、不良の半導体チップを
除去して代わりに良品を貼り付けておくことが出来る。
（図１−Ｂ参照） （３）そして、もう一方の部品回路基板３を予め準備し
ておく。回路基板３はガラスエポキシ又はフィルム等に
よって形成され、多数のチップ搭載個所がウェーハ８に
おける半導体チップ１の配置に対応した位置にそれぞれ
行列状に形成され、そこには、半導体チップ１の各バン
プ２の位置に対応した位置にパッド（図示せず）が設け
られている。それらのパッド（図示せず）は回路基板３
内の回路（図示せず）につながり、回路基板３内の回路
（図示せず）は回路基板３の下面側の電極（図示せず）
につながっている。 （４）そして、次の工程では回路基板３にシート１０に
貼り付けられて、その配置が保持された複数の半導体チ
ップ１を一括にチップボンディングする。その方法とし
ては、例えば、回路基板３のパッド（図示せず）上に例
えばスクリーン印刷方により、銀ペーストを載せ、半導
体チップ１を下向けにしたシート１０をその上方に位置
させて、ＸＹθに位置合わせを行った後にシート１０の
裏面側を例えばゴム板のような弾性体で押さえて貼り付
ける。そうすると、バンプ２が銀ペースト（図示せず）
により接着される。その状態で、シート１０の裏面側よ
り紫外線を照射して、粘着糊の機能を失わせる。その
後、シート１０を剥がし、キュア炉を通して銀ペースト
を硬化させてチップボンディングが完了する。（図１−
Ｃ参照） （５）次に、半導体チップ１と回路基板３との隙間を封
止するために、両者間に樹脂６が充填される。この際、
半導体チップ１間はダイシングラインがあり、開いてい
るので樹脂の流れが良く、良好に充填出来る。そして、
樹脂６はキュア炉を通すことで硬化する。（図１−Ｅ参
照） （６）最後に、ウェーハ８のダイシングラインに合わせ
て樹脂６と共に回路基板３を枡目状に切断し、一個ずつ
の直方体形状のＣＳＰ４が完成する。

【００１５】上記の説明では半導体チップ１の裏面や側
面を封止樹脂から露出するものとして説明したが、樹脂
で覆って絶縁した構造とする場合は、半導体ウェーハ８
を半導体チップ１毎にダイシングする際のブレードを比
較的幅広にして半導体チップ１間の間隔を広くし、回路
基板を封止樹脂と共にダイシングする際に比較的幅狭の
ブレードを用いて、半導体チップ１の側面に封止樹脂６
を残すようにすると共に、チップボンドした半導体チッ
プと回路基板との間を樹脂封止する際に、半導体チップ
の裏面も樹脂６で覆うように変更すれば良い。

【００１６】次に、特に薄形のパッケージとする場合を
第２の実施例として説明する。図面は必要により第１の
実施例を説明する図１を流用する。 （１）先ずシリコン等のウェーハ上に半導体素子とか集
積回路でなる半導体チップ１を形成して半導体ウェーハ
８としたのち、各半導体チップ１のバンプ２を形成する
点は第１の実施例と同様である。但し、薄形のパッケー
ジとして仕上げるものであるのにかかわらず、半導体ウ
ェーハ８の厚みは薄くする必要はない。 （２）次に、第１の実施例と同様に半導体ウェーハ８の
裏面にフレキシブルな基材を貼り付け、基材は出来るだ
け切らないようにして、ウェーハ８をスルーカットし
て、半導体チップ１毎にダイシングする。そして、各半
導体チップ１を基材に保持した状態で、エアーブローと
か純水による洗浄により、ダイシングの際に生じた欠片
等を極力除去するするのが好ましい。 （３）そして、もう１方の部品回路基板３を予め準備し
ておくことも勿論第１の実施例と同様である。 （４）そして、次の工程では回路基板３に基材に貼り付
けられて、その配置が保持された複数の半導体チップ１
を一括にチップボンディングするのも第１の実施例と同
様である。 （５）次に、半導体チップ１と回路基板３との隙間を封
止するために、両者間に樹脂６が充填されるのも第１の
実施例と同様である。 （６）次に、半導体チップ１の裏面側を半導体チップ１
間を埋めている封止樹脂６と共に所定量研磨除去して所
定の厚みに薄くする。この際は、回路基板３の下面は略
平坦なので真空吸着が使用出来て研磨作業が楽である。 （７）最後に、ウェーハ８のダイシングラインに合わせ
て樹脂６と共に回路基板３を枡目状に切断し、一個ずつ
の直方体形状のＣＳＰ４が完成する。

【００１７】上記の説明では半導体チップ１の裏面や側
面を封止樹脂から露出するものとして説明したが、樹脂
で覆って絶縁した構造とする場合は、半導体ウェーハ８
を半導体チップ１毎にダイシングする際のブレードを比
較的幅広にして半導体チップ１間の間隔を広くし、回路
基板３を封止樹脂６と共にダイシングする際に比較的幅
狭のブレードを用いて、半導体チップ１の側面に封止樹
脂６を残すようにすると共に、研磨工程のあとに、半導
体チップの裏面を樹脂で覆う工程を追加し、その後に回
路基板３を樹脂と共にダイシングするように変更すれば
良い。

【００１８】上記各実施例においては、記半導体ウェー
ハの裏面に貼るフレキシブルな基材として、透光性のフ
レキシブルな基材に紫外線照射により接着力を失う粘着
糊が塗布されたシートを用いたが、基材をフレキシブル
とするのは半導体チップを一括にボンディングする際に
各半導体チップに独立に押圧をかけるためであり、紫外
線照射により接着力を失う粘着糊は、ダイシングの際は
ウェーハ（半導体チップ）に強固に貼りついて保持し、
ボンディング後には簡単に剥離出来るようにするためで
あり、これに限るものではない。例えばワックスのたぐ
いであればボンディング後に溶剤で洗浄して剥離するこ
とも出来、その場合は基材は透光性である必要は無い。

【００１９】また、チップボンドは回路基板側に銀ペー
ストを載せ、半導体ペレットのバンプを銀ペーストに接
着させる方式としたが、これに限定されるものではな
く、例えば、半導体チップ側を半田バンプとし、回路基
板側に粘着剤としてフラックスを載せておき、押圧によ
り仮接着して、リフローにより接合する方式でも良い。
この場合はダイシングの際に貼り付ける基材はリフロー
工程でも残す必要があるので耐熱性のある材料とする必
要がある。

【００２０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るチッ
プサイズパッケージの製造方法によれば、半導体ウェー
ハ規模で回路基板上にチップボンドするので、チップボ
ンドする際の手間や時間がかからない。そして、個別の
半導体チップに分割してからチップボンドするので、ウ
ェーハ状態で貼り付けるのに比較して個々の半導体チッ
プが確実に押圧されて確実にチップボンドできる。そし
て、ウェーハのまま回路基板にチップボンド（ウェーハ
ボンド）した後にウェーハのみダイシングして樹脂充填
する方法のようにウェーハの欠片が回路基板と半導体チ
ップの間に挟まって除去しずらい状態になるチャンスが
減少する。

【００２１】又、回路基板上へ半導体チップをチップボ
ンドして、樹脂充填の後に研磨して薄形のパッケージと
する本発明の製造方法によれば、厚いウェーハでの取り
扱いで良いので割れの発生が少ない等取り扱いが容易で
あるとともに、回路基板の下面が平たい場合は研磨作業
が楽である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第一実施例に係るチップサイズパッ
ケージの製造工程図である。

【図２】 チップサイズパッケージの断面図である。

【図３】 従来のチップサイズパッケージの製造工程図
である。

【図４】 特開平９−２３２２５６号公報に提案された
チップサイズパッケージの製造工程図である。

【図５】 特開平９−２３２２５６号公報に提案された
他のチップサイズパッケージの製造工程図である。

【符号の説明】

１ 半導体チップ ２ バンプ ３ 回路基板 ４ ＣＳＰ（チップサイズパッケージ） ６ 樹脂 ８ 半導体ウェーハ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体ウェーハ上に形成した複数の半導体
   チップそれぞれにバンプを形成する工程と、 前記半導体ウェーハの裏面をフレキシブルな基材に貼り
   付けて半導体チップ毎にダイシングする工程と、 前記半導体ウェーハ上の前記半導体チップの配置に対応
   した位置関係で配置されると共に、前記バンプの配置に
   対応した位置関係のパッドを備えるチップ搭載個所を備
   える回路基板を準備する工程と、 前記回路基板にフレキシブルな基材に貼り付けられて保
   持されている複数の半導体チップを一括にチップボンド
   する工程と、 チップボンドした半導体チップと回路基板との間を樹脂
   封止する工程と、 樹脂封止した回路基板を封止樹脂と共にダイシングする
   工程とを、備えることを特徴とするチップサイズパッケ
   ージの製造方法。
2. 【請求項２】半導体ウェーハ上に形成した複数の半導体
   チップそれぞれにバンプを形成する工程と、 前記半導体ウェーハの裏面をフレキシブルな基材に貼り
   付けて半導体チップ毎に比較的幅広のブレードでダイシ
   ングする工程と、 前記半導体ウェーハ上の前記半導体チップの配置に対応
   した位置関係で配置されると共に、前記バンプの配置に
   対応した位置関係のパッドを備えるチップ搭載個所を備
   える回路基板を準備する工程と、 前記回路基板にフレキシブルな基材に貼り付けられて保
   持されている複数の半導体チップを一括にチップボンド
   する工程と、 チップボンドした半導体チップと回路基板との間を樹脂
   封止すると共に、半導体チップの裏面を樹脂で覆う工程
   と、 その後、比較的幅狭のブレードを用いて、前記半導体チ
   ップの側面に封止樹脂を残すように、回路基板を封止樹
   脂と共にダイシングする工程とを、備えることを特徴と
   するチップサイズパッケージの製造方法。
3. 【請求項３】半導体ウェーハ上に形成した複数の半導体
   チップそれぞれにバンプを形成する工程と、 前記半導体ウェーハの裏面をフレキシブルな基材に貼り
   付けて半導体チップ毎にダイシングする工程と、 前記半導体ウェーハ上の前記半導体チップの配置に対応
   した位置関係で配置されると共に、前記バンプの配置に
   対応した位置関係のパッドを備えるチップ搭載個所を備
   える回路基板を準備する工程と、 前記回路基板にフレキシブルな基材に貼り付けられて保
   持されている複数の半導体チップを一括にチップボンド
   する工程と、 チップボンドした半導体チップと回路基板との間を樹脂
   封止する工程と、 樹脂封止した半導体チップの裏面側を封止樹脂と共に研
   磨して薄くする工程と、 その後、回路基板を封止樹脂と共にダイシングする工程
   とを、備えることを特徴とするチップサイズパッケージ
   の製造方法。
4. 【請求項４】半導体ウェーハ上に形成した複数の半導体
   チップそれぞれにバンプを形成する工程と、 前記半導体ウェーハの裏面をフレキシブルな基材に貼り
   付けて、比較的幅広のブレードで半導体チップ毎にダイ
   シングする工程と、 前記半導体ウェーハ上の前記半導体チップの配置に対応
   した位置関係で配置されると共に、前記バンプの配置に
   対応した位置関係のパッドを備えるチップ搭載個所を備
   える回路基板を準備する工程と、 前記回路基板にフレキシブルな基材に貼り付けられて保
   持されている複数の半導体チップを一括にチップボンド
   する工程と、 チップボンドした半導体チップと回路基板との間を樹脂
   封止する工程と、 樹脂封止した半導体チップの裏面側を封止樹脂と共に研
   磨して薄くする工程と、 その後、前記半導体チップの裏面を樹脂で覆う工程と、 その後、比較的幅狭のブレードを用いて、前記半導体チ
   ップの側面に封止樹脂を残すように、回路基板を封止樹
   脂と共にダイシングする工程とを、備えることを特徴と
   するチップサイズパッケージの製造方法。
5. 【請求項５】半導体ウェーハを半導体チップ毎にダイシ
   ングする前記工程と、複数の半導体チップを一括にチッ
   プボンドする前記工程との間に、フレキシブルな基材に
   複数の半導体チップが貼り付けられて保持されている状
   態で、ダイシング屑を除去する洗浄工程を備えることを
   特徴とする請求項１，２，３又は４に記載のチップサイ
   ズパッケージの製造方法。