JP5278170B2 - 電気スズめっき液および電子部品の製造方法 - Google Patents
電気スズめっき液および電子部品の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5278170B2 JP5278170B2 JP2009131486A JP2009131486A JP5278170B2 JP 5278170 B2 JP5278170 B2 JP 5278170B2 JP 2009131486 A JP2009131486 A JP 2009131486A JP 2009131486 A JP2009131486 A JP 2009131486A JP 5278170 B2 JP5278170 B2 JP 5278170B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating solution
- electronic component
- tin
- mol
- ceramic electronic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Description
図1は、本発明による電気めっき処理の対象となるセラミック電子部品の一例を示す斜視図である。図2は、図1のII−II線における断面図である。
本実施形態に係るめっき液は、上述したSn層7bのようなセラミック電子部品の電極の形成に好適に用いられる。以下、本実施形態に係るめっき液について説明する。
表2に示す主組成をもつ電気スズめっき液を調製した。めっき液の調製方法は次の通りである。0.11mol/Lのメタンスルホン酸スズ、0.55mol/Lのグルコン酸、0.93mol/Lのメタンスルホン酸を混ぜて、水酸化ナトリウムでpHを4.0に調整する。そして、主組成がチタン酸ストロンチウムでありZnを2%含有する素体2からなり、1.6×0.8×0.8mmのサイズのコンデンサチップの下地電極7の上に4μmのSn層7bを形成した。このチップ30個をランダムに30個抜き取り、140℃、6.3V、12時間の条件で高温負荷試験を行い、試験前後の絶縁抵抗(IR)を測定した。結果を図4に示す。めっき後に絶縁抵抗の低下したチップの割合は2/30であった。ここでチップの抵抗が5×108Ωを下回った場合に、抵抗が低下したと見なした。
つぎに比較例1のめっき液でNaをSrで置換した。めっき液の調製方法は次の通りである。比較例1と等量のメタンスルホン酸スズ、2倍量のグルコン酸、メタンスルホン酸を混ぜて、水酸化ストロンチウムでpHを4.0に調整した。Naの価数は1であるがSrの価数は2なのでキレート剤及び導電塩の量をモル数で同じにするためにはグルコン酸とメタンスルホン酸を2倍量入れる必要がある。主組成を表3に示す。当該めっき液を用いて、比較例1と同様の条件でコンデンサチップにSn層7bを形成した。そして比較例1と同様の方法で高温負荷試験を行ない、試験前後の絶縁抵抗を測定した。結果を図5に示す。めっき後に絶縁抵抗の低下したチップの割合は0/30であった。
つぎに比較例1のめっき液でNaをMgで置換した。めっき液の調製方法は次の通りである。比較例1と等量のメタンスルホン酸スズ、2倍量のグルコン酸、メタンスルホン酸を混ぜて、水酸化マグネシウムでpHを4.0に調整した。Naの価数は1であるがSrの価数は2なのでキレート剤及び導電塩の量をモル数で同じにするためにはグルコン酸とメタンスルホン酸を2倍量入れる必要がある。主組成を表4に示す。当該めっき液を用いて、比較例1と同様の条件でコンデンサチップにSn層7bを形成した。そして比較例1と同様の方法で高温負荷試験をおこない、試験前後の絶縁抵抗を測定した。結果を図6に示す。めっき後に絶縁抵抗の低下したチップの割合は0/30であった。
つぎに比較例1のめっき液でNaをLiで置換した。めっき液の調製方法は次の通りである。比較例1と等量のメタンスルホン酸スズ、グルコン酸、メタンスルホン酸を混ぜて、水酸化リチウムでpHを4.0に調整した。主組成を表5に示す。当該めっき液を用いて、比較例1と同様の条件でコンデンサチップにSn層7bを形成した。そして比較例1と同様の方法で高温負荷試験をおこない、試験前後の絶縁抵抗を比較した。結果を図7に示す。めっき後に絶縁抵抗の低下したチップの割合は1/30であった。
つぎに比較例1のめっき液でNaをNH4で置換した。めっき液の調製方法は次の通りである。比較例1と等量のメタンスルホン酸スズ、グルコン酸、メタンスルホン酸を混ぜて、アンモニアでpHを4.0に調整した。主組成を表6に示す。当該めっき液を用いて、比較例1と同様の条件でコンデンサチップにSn層7bを形成した。そして比較例1と同様の方法で高温負荷試験をおこない、試験前後の絶縁抵抗を比較した。結果を図8に示す。めっき後に絶縁抵抗の低下したチップの割合は4/30であった。
実施例2で部分的にNa、Li、NH4を添加した。めっき液の調製方法は所定量のNa、Li、NH4の水酸化物を添加後、水酸化マグネシウムでpHを4.0に調整した。300個のチップについて高温負荷試験前後の抵抗値を測定し、IRの低下したチップ数を表3に示す。水酸化物の溶解度が0.5mol/L以上のカチオンの量が、0.6mol/L以上含まれると絶縁不良が発生し、0.5mol/L以下であれば絶縁不良が発生しないことが判明した。
Claims (5)
- セラミック電子部品用の電気スズめっき液であって、
スズイオン、水に対する水酸化物の溶解度が0.5mol/L以上であるアルカリ金属イオンまたはアンモニウムイオン、アルカリ土類金属の塩からなるキレート剤、および導電性塩を含み、
pHが4以上8以下であり、
前記アルカリ金属イオンまたは前記アンモニウムイオンの濃度が0.5mol/L以下である、
電気スズめっき液。 - 前記キレート剤が、グルコン酸マグネシウム、クエン酸カルシウム、ピロリン酸ストロンチウム、およびグルコン酸ストロンチウムから選ばれる少なくとも1つである、
請求項1に記載の電気スズめっき液。 - 前記導電性塩が、メタンスルホン酸マグネシウム、硫酸ストロンチウム、およびメタンスルホン酸ストロンチウムから選ばれる少なくとも1つである、
請求項1に記載の電気スズめっき液。 - セラミック素子の下地電極上に電気スズめっきによりスズ層を形成する工程を備え、
前記工程においては、請求項1に記載の電気スズめっき液を用いる、
セラミック電子部品の製造方法。 - 前記セラミック素子は、Znを含有する、
請求項4に記載のセラミック電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009131486A JP5278170B2 (ja) | 2009-05-29 | 2009-05-29 | 電気スズめっき液および電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009131486A JP5278170B2 (ja) | 2009-05-29 | 2009-05-29 | 電気スズめっき液および電子部品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010275614A JP2010275614A (ja) | 2010-12-09 |
JP5278170B2 true JP5278170B2 (ja) | 2013-09-04 |
Family
ID=43422844
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009131486A Active JP5278170B2 (ja) | 2009-05-29 | 2009-05-29 | 電気スズめっき液および電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5278170B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5278169B2 (ja) * | 2009-05-29 | 2013-09-04 | Tdk株式会社 | 電気スズめっき液および電子部品の製造方法 |
US8927679B2 (en) * | 2013-01-15 | 2015-01-06 | Xerox Corporation | Tuning toner gloss with bio-based stabilizers |
US10174433B2 (en) * | 2013-12-05 | 2019-01-08 | Honeywell International Inc. | Stannous methanesulfonate solution with adjusted pH |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004211188A (ja) * | 2003-01-08 | 2004-07-29 | Murata Mfg Co Ltd | スズめっき浴、及び電子部品の製造方法 |
JP5141980B2 (ja) * | 2009-03-11 | 2013-02-13 | Tdk株式会社 | 電気ニッケルめっき液および電子部品の製造方法 |
JP5278169B2 (ja) * | 2009-05-29 | 2013-09-04 | Tdk株式会社 | 電気スズめっき液および電子部品の製造方法 |
-
2009
- 2009-05-29 JP JP2009131486A patent/JP5278170B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010275614A (ja) | 2010-12-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101004037B1 (ko) | 전자부품용 주석전해도금액, 전자부품의 주석전해도금방법및 주석전해도금 전자부품 | |
JP6070288B2 (ja) | セラミック積層電子部品 | |
JP2012253292A (ja) | 電子部品 | |
JP2007239076A (ja) | スズめっき皮膜、そのスズめっき皮膜形成用のスズめっき液、そのスズめっき皮膜形成方法、及びそのスズめっき皮膜で電極形成したチップ型電子部品 | |
JP2007051358A (ja) | 錫電気めっき液および錫電気めっき方法 | |
JP4539719B2 (ja) | セラミック電子部品の製造方法及びSnめっき浴 | |
JP2012237033A (ja) | 電子部品 | |
JP5278170B2 (ja) | 電気スズめっき液および電子部品の製造方法 | |
JP5278169B2 (ja) | 電気スズめっき液および電子部品の製造方法 | |
JP2014053551A (ja) | セラミック電子部品 | |
JP2013206898A (ja) | チップ型電子部品 | |
JP4986167B2 (ja) | 電気ニッケルめっき液およびめっき方法 | |
JP5141980B2 (ja) | 電気ニッケルめっき液および電子部品の製造方法 | |
US20160268709A1 (en) | Press-fit pin and coating method therefor | |
JP5974457B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
JP5585280B2 (ja) | 電気スズめっき液及びセラミック電子部品の製造方法 | |
JP5404123B2 (ja) | 銅被覆ポリイミド基板とその製造方法 | |
JP2006213946A (ja) | ニッケルめっき液、電子部品の製造方法、及び電子部品 | |
JP5835047B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
JP4666134B2 (ja) | ニッケルめっき浴、及び電子部品 | |
JP2007242715A (ja) | セラミック電子部品の製造方法 | |
JP5287816B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
JP4904853B2 (ja) | セラミック電子部品の製造方法 | |
JP6621169B2 (ja) | めっき品の製造方法 | |
JP4936210B2 (ja) | 電子部品の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100914 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121024 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121030 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121206 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130423 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130506 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5278170 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |