JP5277717B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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そこで、半導体記憶装置、例えばDRAMの高集積化を実現するため、DRAMを構成するキャパシタ用の誘電体膜として、シリコン酸化物又はシリコン窒化物に代えて、強誘電体材料又は高誘電率材料を用いる技術が広く研究開発されている。
フラッシュメモリは、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(IGFET)のゲート絶縁膜中に埋め込まれるフローティングゲートを有しており、記憶情報を表わす電荷をフローティングゲートに蓄積することによって情報を記憶する。情報の書き込み、消去には絶縁膜を通過するトンネル電流を流す必要があり、比較的高い電圧を必要とする。
強誘電体メモリは、強誘電体膜を1対の電極間に挟んだ構造を有し、強誘電体のヒステリシス特性を利用して情報を記憶する。強誘電体膜は、電極間の印加電圧に応じて分極を生じ、印加電圧を取り去っても自発分極を有する。印加電圧の極性を反転すれば、自発分極の極性も反転する。従って、この自発分極の極性を検出すれば情報を読み出すことができる。
強誘電体メモリは、フラッシュメモリに比べて低電圧で動作し、省電力で高速の書き込みが可能である。そこで、ロジック技術に強誘電体メモリを取り入れたロジック混載システム・オン・チップ(SOC)が、ICカードなどの用途として検討されている。
また、強誘電体キャパシタの劣化を防止するために、キャパシタを例えばアルミナの保護絶縁膜で覆う構造が知られている。
別の観点によれば、半導体基板の上方に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上に第1導電膜、誘電体膜及び第2導電膜を順に形成する工程と、前記第2導電膜の上にマスクを形成する工程と、前記マスクから露出した前記第2導電膜を第1条件でエッチングする工程と、前記マスクから露出した前記第2導電膜の残りを第2条件でエッチングすることにより、前記半導体基板の上面に対する下部側面の第1の角度が上部側面の第2の角度よりも小さい側面を有するキャパシタ上部電極を形成する工程と、前記マスクを除去する工程と、前記誘電体膜をパターニングしてキャパシタ誘電体膜を形成する工程と、前記第1導電膜をパターニングしてキャパシタ下部電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
カバレッジ良く形成された保護絶縁膜は、キャパシタ保護機能が高くなるので、キャパシタの還元元素による劣化を防止して、キャパシタ特性を向上することができる。
図1A〜図1Qは、本発明の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。
図1Aに示す構造を形成するまでの工程を説明する。
素子分離絶縁層2として、シャロートレンチアイソレーション(STI)を形成する。STIは、シリコン基板1の素子分離領域に溝を形成し、その中に酸化シリコン等の絶縁膜を埋め込むことにより形成される。なお、素子分離絶縁層2は、STIに限られず、LOCOS法で形成した絶縁膜であってもよい。
続いて、シリコン基板1の上側全面に非晶質又は多結晶のシリコン膜を形成し、これらの膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることによりPウェル3上に2つのゲート電極5、6を形成する。
次いで、ゲート電極5、6をマスクに使用して、ゲート電極5、6のそれぞれの両側のPウェル3にn型不純物をイオン注入することによりn型のエクステンション領域7a、7b、7cを形成する。
続いて、絶縁性サイドウォール9とゲート電極5、6をマスクにして、Pウェル3内にn型不純物をイオン注入する。これにより、2つのゲート電極5、6の両側において、エクステンション領域7a、7b、7cに重なるn型不純物高濃度領域の第1、第2及び第3ソース/ドレイン領域8a、8b、8cを形成する。
次に、フォトリソグラフィによりカバー絶縁膜11及び第1層間絶縁膜12をパターニングすることにより、第1、第2、第3ソース/ドレイン領域8a、8b、8cの上に第1、第2、第3のコンタクトホール12a、12b、12cを形成する。第1、第2及び第3のコンタクトホール12a、12b、12cの径を例えば0.25μmとする。
次に、第1、第2及び第3のコンタクトホール12a、12b、12cのそれぞれの中に、密着膜(グルー膜)13aとして厚さ30nmのTi膜と厚さ20nmのTiN膜を順に形成する。続いて、密着膜13aの上にタングステン膜13bをCVD法により形成して第1、第2及び第3のコンタクトホール12a、12b、12c内に埋め込む。
まず、第1、第2及び第3の導電プラグ14,15、16及び第1層間絶縁膜12の上に第1の酸化防止膜17を形成する。第1の酸化防止膜17として、例えば、酸化窒化シリコン(SiON)膜をプラズマCVD法により例えば100nmの膜厚に形成する。
続いて、第1の酸化防止膜17の上に第2層間絶縁膜18を形成する。第2層間絶縁膜18として、例えばTEOS含有ガスを使用するプラズマCVD法によりシリコン酸化膜を約130nmの膜厚に形成する。
次にキャパシタ形成用の多層膜を形成するが、その前に、多層膜の一層目の配向性を向上するために、アルミナからなる第2の酸化防止膜19に対して酸素雰囲気で1分、642℃の条件でアニール処理を行なう。
なお、下側導電膜20として、イリジウム膜、ルテニウム膜、酸化ルテニウム膜、ストロンチウム・ルテニウム酸素等の単層膜、或いはそれらから選択した積層膜を採用してもよい。
次に、下側導電膜20上に強誘電体膜21を形成する。強誘電体膜21は、例えば以下のような2ステップで成膜されてもよい。
なお、第1強誘電体膜21aは、ゾル・ゲル法、MOCVD法等により形成してもよい。但し、MOCVD法により形成する場合には結晶化用のRTAは不要である。
なお、第1強誘電体膜21a、第2強誘電体膜21bの材料は、PZT膜に限定されるものではなく、PZTにカルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、ランタン(La)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、イリジウム(Ir)、タングステン(W)のいずれかを添加した材料、或いは、SrBi2Ta2O9、SrBi4Ti4O15、(Bi,La)4Ti3O12、BiFeO3等のビスマス(Bi)層状構造化合物等であってもよい。
まず、強誘電体膜21上に、第1酸化物導電膜22aとして成膜の時点で結晶化するIrOx膜をスパッタ法により例えば25nmの厚さに形成する。IrOx膜の形成条件として、例えば、圧力を2Pa、基板温度を300℃に設定し、イリジウムターゲットを使用し、反応ガスとしてAr及びO2を用い、スパッタパワーを例えば1kW〜2kW程度とする。この場合、ArとO2の流量を例えば100対56の割合とする。
その後に、シリコン基板1を背面洗浄する。
まず、上側導電膜22上にマスク材料膜23、例えば窒化チタン膜をスパッタ法により20nm〜50nm程度の厚さに形成する。
続いて、マスク材料膜23上にフォトレジストを塗布し、これを露光、現像することにより、上部電極用のレジストパターン24を形成する。レジストパターン24は、上側導電膜22上で縦横に間隔をおいて複数形成される。
エッチング条件としては、エッチングガスとして塩素(Cl2)とArの混合ガスをそれぞれ流量、80sccm、80sccmでエッチング雰囲気に導入する。圧力0.7Pa、周波数13.56MHzのソースパワーを800Wとし、周波数450kHzのバイアスパワーを100Wとする。
一方、初期の角度は、エッチングが進むにつれて下側に転写されるので、上側導電膜22の下部側面の第1の角度θ1が緩やかになる。従って、上部側面の第2の角度θ2は、第2ステップのエッチング条件が反映されて第1角度θ1よりも大きくなる。
なお、図1Fは、図3AのI−I線断面図である。
まず、キャパシタ誘電体膜21q、キャパシタ上部電極22q及び第1導電膜21の上に、第1保護絶縁膜26として、例えばアルミナ膜をスパッタ法により約50nmの厚さに形成する。
従って、キャパシタ上部電極22qの側面のうち少なくともキャパシタ誘電体膜21qの短辺に平行な部分及びその周囲における第1保護絶縁膜26のカバレッジは良好である。
なお、図4Aは、キャパシタ誘電体膜21qを形成する前の図3AのII−II線から見た断面図を示している。
また、プレートライン20qの長辺に平行な強誘電体キャパシタQの側面は、短辺に平行な側面のように階段状ではなく、ほぼ連続した形状を有している。
なお、図3B、図5では、第1保護絶縁膜26及びレジストパターン27を省略した状態で強誘電体キャパシタQを示している。
その後、図1Kに示すようにレジストパターン27を除去する。
次に、図1L、図4Cに示すように、キャパシタQ、第2層間絶縁膜18の上に、第2保護絶縁膜28としてスパッタ法によりアルミナ膜を形成する。
まず、プレートライン20qの短辺に平行なキャパシタ上部電極22qでは、図2Aに示すように、第1酸化導電膜22aの側面は第2酸化導電膜22bの側面よりもテーパー角度が小さく、緩やかになっている。これは、上述したように、キャパシタ上部電極22qを構成する上側導電膜22のエッチング条件を2ステップに設定したからである。
一方、プレートライン20qの長辺に平行なキャパシタ上部電極22qの側面では、図2Bに示すように、シリコン基板1の上面に対する下部側面の第3の角度θ3は、上部側面の第4の角度θ4より大きい。第3の角度θ3は例えば60度〜80度であり、また、第4の角度θ4は例えば30度〜60度である。なお、図2Bの左右では、キャパシタ上部電極22q、キャパシタ誘電体膜21q及び下部電極20qの側面が連続している。
なお、キャパシタ上部電極22qのうち図2A、図2Bに示した2つの側面は互いに隣接している。
例えば、本実施形態では、シリコン基板1を炉内に置いて、基板温度550℃〜700℃を条件にして行われる。また、キャパシタ誘電体膜21qがPZTから構成されている場合には、例えば、酸素雰囲気中で650℃、60分の条件でアニールを行うことが望ましい。
まず、第2保護絶縁膜28の上に第3層間絶縁膜29を形成する。第3層間絶縁膜29としてシリコン酸化膜を形成する場合には、原料ガスとして、例えば、TEOSと酸素とヘリウムの混合ガスを用いてプラズマCVD法により約1400nmの厚さに形成する。なお、第3層間絶縁膜29として、例えば、絶縁性を有する無機膜等を形成してもよい。
さらに、N2Oガス又はN2ガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気にシリコン基板1を置き、熱処理を行う。熱処理の結果、第3層間絶縁膜29等の中の水分が除去されるとともに、第3層間絶縁膜29等の膜質が変化し、第3層間絶縁膜29等中に水分が入りにくくなる。
次に、図1Nに示すように、第1、第2保護絶縁膜26、28、第3、第4層間絶縁膜29、31及びバリア膜30をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、キャパシタ上部電極22qへ到達する深さのコンタクトホール31aを形成する。
キャパシタ上部電極22q上にコンタクトホール31aを形成する際には、同時に、図5の平面図に示すキャパシタ下部電極20qのコンタクト領域20c上にコンタクトホール31bを形成する。従って、キャパシタ下部電極20qのコンタクトホール31bでも煙突効果が生じる。
まず、コンタクトホール30a〜30c、31a、31bの内面に導電性の密着膜32aとしてTiN膜を単層で形成する。密着膜32aとしてTi膜が一般に用いられるが、Tiは上側導電膜22を構成する酸化イリジウムの酸素と結合して酸化チタンを形成し、コンタクト抵抗を増大させるおそれがある。従って、この工程では、酸化イリジウム膜と接触する密着膜32aとしてTiN膜を用いるのが最適である。
続いて、第4層間絶縁膜31の上面からタングステン膜32b、TiN膜32aをCMP法により除去する。これにより、コンタクトホール30a〜30c、31a、31b内に残されたタングステン膜32b及び密着膜32aを導電プラグ33、34a、34b、34cとして使用する。
まず、第4層間絶縁膜31及び導電プラグ33、34a、34b、34cの上に、積層構造導電膜を形成する。積層構造導電膜として、例えば、厚さ60nmのTi膜、厚さ30nmのTiN膜、厚さ360nmのAlCu合金膜、厚さ5nmのTi膜、及び厚さ70nmのTiN膜を順にスパッタ法により形成する。
その後、図示しないが、層間絶縁膜の形成、コンタクトプラグの形成及び2層目〜5層目の配線の形成等を行って半導体装置のメモリセル領域を完成させる。
これにより、図4A、図4Cに示すように、キャパシタ上部電極22q及びキャパシタ誘電体膜21qを覆う第1、第2保護絶縁膜26、28のカバレッジを向上させることができる。
従って、第3層間絶縁膜29のうちキャパシタ上部電極22rの上にコンタクトホール31aを形成した後に行う酸素雰囲気中での回復アニールでは、コンタクトホール31aを通して高温、例えば500℃で酸素をキャパシタ誘電体膜21qに供給する必要が生じている。
図9によれば、基板温度を500℃に設定して酸素含有雰囲気で60分間回復アニールをしたところ、強誘電体キャパシタのスイッチング電荷量が小さく、しかも、ウェハ中央位置とウェハ端部のスイッチング電荷量の差が大きくなった。
以上のことから、本実施形態のようにキャパシタ誘電体膜21qを覆う保護絶縁膜28のカバレッジを向上させると、回復アニールの温度を例えば450℃に低くしても強誘電体キャパシタQのスイッチング電荷量を向上することが可能になる。
ところで、プレートライン領域PLの長辺に平行なキャパシタ上部電極22qの側面においては、図2Bに示したように、キャパシタ上部電極22qの上部側面のテーパー角度θ4を小さくしたので、強誘電体キャパシタQの側面に第2保護幕28の構成材料が付着しやすくなり、第2保護絶縁膜28のカバレッジを向上させることができる。
(付記1)
半導体基板の上方に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に形成されるキャパシタ下部電極と、前記キャパシタ下部電極の上に形成される誘電体膜と、前記誘電体膜の上に形成され、前記半導体基板の上面に対する下部側面の第1の角度が上部側面の第2の角度よりも小さい第1側面を有するキャパシタ上部電極と、を有することを特徴とする半導体装置。
(付記2)
前記第1の角度は10度〜50度であり、また、第2の角度は60度〜75度であることを特徴とする付記1に記載の半導体装置。
(付記3)
前記キャパシタ上部電極において、前記半導体基板の前記上面に対する下部側面の第3の角度が上部側面の第4の角度よりも大きい第2側面が前記第1側面に隣接していることを特徴とする付記1又は付記2に記載の半導体装置。
(付記4)
前記第3の角度は60度〜80度であり、また、第4の角度は30度〜60度であることを特徴とする付記3に記載の半導体装置。
(付記5)
前記誘電体膜の上には、前記キャパシタ上部電極が間隔をおいて複数形成されていることを特徴とする付記1乃至付記4のいずれかに記載の半導体装置。
(付記6)
前記キャパシタ上部電極、前記誘電体膜及び前記キャパシタ下部電極を覆う保護絶縁膜を有することを特徴とする付記1乃至付記5のいずれかに記載の半導体装置。
(付記7)
半導体基板の上方に第1絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上に導電膜、誘電体膜及び第2導電膜を順に形成する工程と、前記第2導電膜の上にマスクを形成する工程と、前記マスクから露出した前記第2導電膜を第1条件でエッチングする工程と、
前記マスクから露出した前記第2導電膜の残りを前記第1条件とは異なる第2条件でエッチングすることによりキャパシタ上部電極を形成する工程と、前記マスクを除去する工程と、前記誘電体膜をパターニングしてキャパシタ誘電体膜を形成する工程と、前記第1導電膜をパターニングしてキャパシタ下部電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記8)
前記キャパシタ上部電極は、前記半導体基板の上面に対する下部側面の第1の角度が上部側面の第2の角度よりも小さい側面を有することを特徴とする付記7に記載の半導体装置の製造方法。
(付記9)
前記キャパシタ上部電極、前記キャパシタ誘電体膜及び前記キャパシタ下部電極の表面に保護絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする付記7又は付記8に記載の半導体装置の製造方法。
(付記10)
前記保護絶縁膜の上に第2絶縁膜を形成する工程と、前記第2絶縁膜及び前記保護絶縁膜をパターニングすることにより、前記キャパシタ上部電極の上にホールを形成する工程と、前記キャパシタ上部電極、前記キャパシタ誘電体膜及び前記キャパシタ下部電極を酸素含有雰囲気において500℃よりも低い温度で加熱する工程と、前記ホール内に導電材を充填する工程と、を有することを特徴とする付記9に記載の半導体装置の製造方法。
2 素子分離絶縁膜
3 Pウェル
4 ゲート絶縁膜
5、6 ゲート電極
11 カバー膜
12、18、29、31 層間絶縁膜
17、19 酸化防止膜
20 下側導電膜
20q キャパシタ下部電極
21 強誘電体膜
21q キャパシタ誘電体膜
22a、22b 酸化物導電膜
22 上側導電膜
22q キャパシタ上部電極
26、28 保護絶縁膜
30 バリア膜
31a コンタクトホール
33 導電プラグ
Claims (4)
- 半導体基板の上方に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に形成されるキャパシタ下部電極と、
前記キャパシタ下部電極の上に形成される誘電体膜と、
前記誘電体膜の上に形成され、前記半導体基板の上面に対する下部側面の第1の角度が上部側面の第2の角度よりも小さい第1側面と、前記第1側面に隣接して、前記半導体基板の前記上面に対する下部側面の第3の角度が上部側面の第4の角度よりも大きい第2側面とを有するキャパシタ上部電極と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の角度は10度〜50度であり、また、前記第2の角度は60度〜75度であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第3の角度は60度〜80度であり、また、前記第4の角度は30度〜60度であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。
- 半導体基板の上方に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上に第1導電膜、誘電体膜及び第2導電膜を順に形成する工程と、
前記第2導電膜の上にマスクを形成する工程と、
前記マスクから露出した前記第2導電膜を第1条件でエッチングする工程と、
前記マスクから露出した前記第2導電膜の残りを前記第1条件とは異なる第2条件でエッチングすることにより、前記半導体基板の上面に対する下部側面の第1の角度が上部側面の第2の角度よりも小さい側面を有するキャパシタ上部電極を形成する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
前記誘電体膜をパターニングしてキャパシタ誘電体膜を形成する工程と、
前記第1導電膜をパターニングしてキャパシタ下部電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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