JP5275746B2 - 圧電素子 - Google Patents

圧電素子 Download PDF

Info

Publication number
JP5275746B2
JP5275746B2 JP2008271679A JP2008271679A JP5275746B2 JP 5275746 B2 JP5275746 B2 JP 5275746B2 JP 2008271679 A JP2008271679 A JP 2008271679A JP 2008271679 A JP2008271679 A JP 2008271679A JP 5275746 B2 JP5275746 B2 JP 5275746B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
piezoelectric element
piezoelectric
material body
internal electrode
piezoelectric material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008271679A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010103209A (ja
Inventor
富生 岩崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2008271679A priority Critical patent/JP5275746B2/ja
Priority to TW098129044A priority patent/TW201027815A/zh
Priority to CN200910204214XA priority patent/CN101814576B/zh
Priority to KR1020090099995A priority patent/KR101048922B1/ko
Priority to US12/582,723 priority patent/US7965022B2/en
Publication of JP2010103209A publication Critical patent/JP2010103209A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5275746B2 publication Critical patent/JP5275746B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/85Piezoelectric or electrostrictive active materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/50Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/85Piezoelectric or electrostrictive active materials
    • H10N30/853Ceramic compositions
    • H10N30/8536Alkaline earth metal based oxides, e.g. barium titanates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/87Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/871Single-layered electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices, e.g. internal electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/87Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/872Connection electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices, e.g. external electrodes

Description

本発明は、接着剤、コーティング剤等の塗布装置、インクジェット装置、内燃機関の燃料噴射装置等に用いられる高速かつ正確な吐出が可能なインジェクタのアクチュエータ等に用いられる圧電素子に関する。
圧電素子の各種産業分野への用途は広く、従来はそれぞれの用途にあった素子が開発されている。その中で、比較的大きな変位(ストローク)を実現できる圧電素子に関する従来技術として、圧電的不活性部を有する内部電極構造のサブユニットを複数個積み重ねた圧電素子が特許文献1に記載されている。
また、特許文献2に示されているように、圧電材料体と内部電極を有する圧電素子チップを複数積層したチップブロックを接合層を介して複数個接合した圧電素子であって、内部電極が前記圧電材料体の積層方向に垂直な断面を覆うように形成され、圧電素子の側面に露出した内部電極の端部に電気絶縁層が設けられた圧電素子がある。しかし、近年はこれらの構造面だけではなく環境負荷の少ない材料が必要とされ、従来から圧電材料として用いられていたチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)に替わる鉛を含まない材料が求められている。
鉛を含まない圧電材料として、例えば特許文献3に記載されているBaTi2O5が有望視されているが、BaTi2O5は単体では圧電性能が十分ではなく大きな変位を実現できないことがわかった。発明者らは、BaTi2O5を主構成材料とする圧電材料体と電圧印加電極とを有する圧電素子において、従来電極として用いていた白金あるいは銀-パラジウムが圧電材料であるBaTi2O5との格子整合性が悪く、これらの界面で原子配列が乱れてしまうために圧電性能、信頼性が十分得られないことを見出した。すなわちこれらの圧電素子では、電圧を印加したときに圧電材料体の十分な変位が得られない上に、時間とともに変位が減少してしまう。
特開平4−167580 号公報 特開2000−150977号公報 特開2004−231500号公報
本発明の目的は、圧電性能が高く、十分な変位を得られるとともに信頼性の高い新規な圧電素子を提供することにある。
発明者らは、電極材料に圧電材料体の主構成材料であるBaTi2O5との格子整合性が良いRuとRuO2の混合物を用いることにより、飛躍的に圧電素子の変位を大きくし、圧電素子の性能および信頼性を向上させることができることを見出した。
本発明は、BaTi2O5を主構成材料とする圧電材料体と、該圧電材料体に電圧を印加する内部電極とを有する圧電素子チップを複数積層して圧電素子チップブロックを構成し、該圧電素子チップブロックを接合層を介して複数個接合した圧電素子において、前記内部電極は前記圧電材料体の積層方向に垂直な断面を覆って形成され、前記圧電素子の一側面に露出した前記内部電極に設けられた電気絶縁層と、前記圧電素子の他の側面に露出した前記内部電極と接続する外部電極とを有し、かつ前記内部電極の主構成材料がRuとRuO2の混合物であることを特徴とする。
また、圧電材料体の主構成材料であるBaTi2O5は、BaTiO3とTiO2の混合物であることを特徴とする。
また、BaTiO3とTiO2の組成比、内部電極の主構成材料であるRuとRuO2の組成比が略1:1であることを特徴とする。
さらに、圧電材料体がルチル構造の結晶粒を含有し、前記内部電極中のRuO2がルチル構造の結晶を有し、前記圧電材料体の積層方向に垂直な断面と前記内部電極中のRu(001)面およびRuO2(001)面が略平行であることを特徴とする。圧電材料体におけるルチル構造の結晶粒はTiO2を有することを特徴とする。
さらに、圧電材料体がアナターゼ構造の結晶粒を含有し、前記内部電極中のRuO2がアナターゼ構造の結晶を有し、前記圧電材料体の積層方向に垂直な断面と前記内部電極中のRu(001)面およびRuO2(001)面が略平行であることを特徴とする。圧電材料体におけるアナターゼ構造の結晶粒はTiO2を有することを特徴とする。
加えて、接合層と前記圧電材料体との間に内部電極層を設け、前記接合層と内部電極層の一辺に電気絶縁層を設け、該電気絶縁層の存在しない他の辺で前記内部電極層および接合層と前記外部電極とを電気的に接合したことを特徴とする。
また、接合層として導電性材料を用いことを特徴とする。
本発明は、圧電材料体の主構成材料であるBaTi2O5との格子整合性が良い内部電極の主構成材料としてRuとRuO2の混合物を用い、圧電材料体がルチル構造またはアナターゼ構造の結晶粒を含有し、内部電極中のRuO2がルチル構造またはアナターゼ構造の結晶を有し、圧電材料体の積層方向に垂直な断面と前記内部電極中のRu(001)面およびRuO2(001)面が略平行であることにより、飛躍的に圧電素子の変位を大きくし、圧電素子の性能および信頼性を向上させることができる。
以下の実施の形態において、便宜上必要があるときは複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
また、以下の実施の形態において、要素の数値(個数、数値、量、範囲等を含む)に言
及する場合、特に明示しまたは原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素(要素ステップ等も含む)は、特に
明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、本発明に必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは
、特に明示した場合および原理的に明らかにそうではないと考えられる場合等を除き、実
質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値
および範囲についても同様である。
以下、本発明の実施の形態を図により詳細に説明する。本発明の第1の実施例を図1に示す。圧電素子1において、BaTi2O5を主構成材料とする圧電材料体2の積層方向と垂直な表面の全面を覆うように一対の内部電極3を形成して圧電素子チップTとする。なお、本実施例において主構成材料とは、成分全体に50%以上含まれる材料を意味し、本発明の効果を挙げるために、各成分は成分全体に50%以上含まれる必要がある。
BaTi2O5は、チタン酸バリウムBaTiO3と酸化チタンTiO2の混合物からなり、その組成比は1:1が最も圧電素子としての性能が高い。但し1:1以外の組成比、例えば0.7:1.0等でも本発明に使用可能な十分な圧電性能を得ることができる。
圧電作用を生じさせるために、圧電素子チップTは圧電材料体1を一対の内部電極2で挟む構造とする。内部電極3は、BaTi2O5と格子整合性の良い材料であるRuとRuO2の混合物を主構成材料とする。RuとRuO2の組成比は1:1が最も圧電素子としての性能が高い。但し圧電材料体と同じく1:1以外の組成比でも本発明に使用可能な十分な圧電性能を得ることができる。
ここでBaTiO3は六方格子結晶構造を持ち、同じく六方格子結晶構造を持つRuに対し圧電材料体2と内部電極3の界面の原子配列が規則的な安定状態となる。また六方格子結晶構造は緻密な原子間配列を持ち原子間引力が強く、印加される電界により大きな変位が発生する。さらに、使用回数を重ねる際に生じる圧電性能の経時的劣化に対しても安定している。
内部電極3は、圧電作用が半導体チップ断面にほぼ均等に生じる程度に圧電材料体1を被覆すれば良い。
本実施例の圧電素子1は、圧電材料体2と内部電極3からなる圧電素子チップTを複数積層して圧電素子チップブロックBを構成し、さらに2個の圧電素子チップブロックBを接合層7によって接合したものである。圧電素子チップブロックB内では、隣接する圧電素子チップで内部電極2を共用している。図1では圧電素子チップブロックB内に圧電素子チップは3個形成されており、圧電素子チップブロックBの最も外側の圧電材料体1は圧電作用を持たない。
また、内部電極3の端部には、外部電極5と絶縁するために電気絶縁層4を設けている。図1では、電気絶縁層4は内部電極3と上下の外部電極5との間に交互に形成される。電気絶縁層4が存在しない内部電極3の周囲の他の部分において内部電極3と外部電極5とを電気的に接合し、外部電極5にはさらにリード線6を設ける。
図2に圧電材料体と内部電極の各種組み合わせに対する最大変位量を示す。実施例1においては、圧電素子の最大変位量が0.07% 程度に達する。図2から、内部電極に従来用いられていた白金や銀-パラジウム合金に替えてRuとRuO2の混合物を内部電極として用いることで、圧電素子の最大変位量を飛躍的に大きくできることがわかる。
次に、アナターゼ構造の結晶粒としてTiO2を持つBaTi2O5を圧電材料体とし、内部電極中のRuO2をアナターゼ構造の結晶を持つものとし、前記圧電材料体の積層方向に垂直な断面と前記内部電極中のRu(001)面およびRuO2(001)面を略平行とした圧電素子を構成した。この場合には、圧電材料体と内部電極の界面における格子整合性が更に高くなり図2に示すように、実施例1の圧電材料体およびランダムな配向をもつ内部電極の組み合わせの場合よりもさらに最大変位量が大きくなる。
さらに、ルチル構造の結晶粒としてTiO2を持つBaTi2O5を圧電材料体とし、内部電極中のRuO2をルチル構造の結晶を持つものとし、前記圧電材料体の積層方向に垂直な断面と前記内部電極中のRu(001)面およびRuO2(001)面を平行とした圧電素子を構成した。この場合には、図2に示すように、圧電材料体と内部電極の界面における格子整合性が最も高くなり、実施例1、2に比べて最大変位量が最も大きくなった。
ここで、前述したアナターゼ結晶構造はルチル結晶構造が若干捩れて構成された準安定的結晶構造をもつ。
次に、図3に本発明による第4の実施例を示す。これは圧電素子10において、接合層11と圧電材料体13の間にも内部電極12を設け、接合層11の端部に電気絶縁層15を設け、電気絶縁層15の存在しない他端部において、内部電極12と外部電極14とを電気的に接合したものである。本実施例の場合、接合層11に隣接する圧電材料体13にも電場を形成することが可能であることから、図1の素子と同一長さで比べた場合にさらに大きな変位を得ることができる。
図4は、本発明による第5の実施例を示す。これは圧電素子20において、例えば導電性の接着剤等からなる導電性材料により接合層21を形成し、接合層21を介して圧電材料体23を接合し、電気絶縁層25と外部電極24とを形成したものである。この場合も実施例4と同様に圧電的に不活性な部分を少なくできることから、実施例4と同様に大きな変位を得ることができる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発
明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
本発明の実施例1の圧電素子の基本的構造を示す縦断面図である。 従来例と比較した本発明の実施例1乃至3の変位量を示すグラフである。 本発明の実施例4の圧電素子構造を示す縦断面図である。 本発明の実施例5の圧電素子構造を示す縦断面図である。
符号の説明
1、10、20…圧電素子、2、13、23…圧電材料体、3、12…内部電極、4、15、25…電気絶縁層、5、14、24…外部電極、6…リード線、7、11、21…接合層、T…圧電素子チップ、B…圧電素子チップブロック

Claims (10)

  1. BaTi2O5を主構成材料とする圧電材料体と、該圧電材料体に電圧を印加する内部電極とを有する圧電素子チップを複数積層して圧電素子チップブロックを構成し、該圧電素子チップブロックを接合層を介して複数個接合した圧電素子において、
    前記内部電極は前記圧電材料体の積層方向に垂直な断面を覆って形成され、前記圧電素子の一側面に露出した前記内部電極に設けられた電気絶縁層と、前記圧電素子の他の側面に露出した前記内部電極と接続する外部電極とを有し、かつ前記内部電極の主構成材料がRuとRuO2の混合物であり、前記圧電材料体がルチル構造の結晶粒を含有し、前記内部電極中のRuO2がルチル構造の結晶を有し、前記圧電材料体の積層方向に垂直な断面と前記内部電極中のRu(001)面およびRuO2(001)面が略平行であることを特徴とする圧電素子。
  2. 請求項1に記載された圧電素子において、前記圧電材料体の主構成材料であるBaTi2O5は、BaTiO3とTiO2の混合物であることを特徴とする圧電素子。
  3. 請求項2に記載された圧電素子において、BaTiO3とTiO2の組成比が略1:1であることを特徴とする圧電素子。
  4. 請求項1乃至3のいずれか1項に記載された圧電素子において、前記内部電極の主構成材料であるRuとRuO2の組成比が略1:1であることを特徴とする圧電素子。
  5. 請求項1乃至4のいずれか1項に記載された圧電素子において、前記圧電材料体におけるルチル構造の結晶粒はTiO2を有することを特徴とする圧電素子。
  6. BaTi2O5を主構成材料とする圧電材料体と、該圧電材料体に電圧を印加する内部電極とを有する圧電素子チップを複数積層して圧電素子チップブロックを構成し、該圧電素子チップブロックを接合層を介して複数個接合した圧電素子において、
    前記内部電極は前記圧電材料体の積層方向に垂直な断面を覆って形成され、前記圧電素子の一側面に露出した前記内部電極に設けられた電気絶縁層と、前記圧電素子の他の側面に露出した前記内部電極と接続する外部電極とを有し、かつ前記内部電極の主構成材料がRuとRuO2の混合物であり、前記圧電材料体がアナターゼ構造の結晶粒を含有し、前記内部電極中のRuO2がアナターゼ構造の結晶を有し、前記圧電材料体の積層方向に垂直な断面と前記内部電極中のRu(001)面およびRuO2(001)面が略平行であることを特徴とする圧電素子。
  7. 請求項に記載された圧電素子において、前記圧電材料体の主構成材料であるBaTi2O5は、BaTiO3とTiO2の混合物であることを特徴とする圧電素子。
  8. 請求項に記載された圧電素子において、BaTiO3とTiO2の組成比が略1:1であることを特徴とする圧電素子。
  9. 請求項6乃至8のいずれか1項に記載された圧電素子において、前記内部電極の主構成材料であるRuとRuO2の組成比が略1:1であることを特徴とする圧電素子。
  10. 請求項6乃至9のいずれか1項に記載された圧電素子において、前記圧電材料体におけるアナターゼ構造の結晶粒はTiO2を有することを特徴とする圧電素子。
JP2008271679A 2008-10-22 2008-10-22 圧電素子 Expired - Fee Related JP5275746B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008271679A JP5275746B2 (ja) 2008-10-22 2008-10-22 圧電素子
TW098129044A TW201027815A (en) 2008-10-22 2009-08-28 Piezoelectric element
CN200910204214XA CN101814576B (zh) 2008-10-22 2009-10-14 压电元件
KR1020090099995A KR101048922B1 (ko) 2008-10-22 2009-10-21 압전 소자
US12/582,723 US7965022B2 (en) 2008-10-22 2009-10-21 Piezoelectric element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008271679A JP5275746B2 (ja) 2008-10-22 2008-10-22 圧電素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010103209A JP2010103209A (ja) 2010-05-06
JP5275746B2 true JP5275746B2 (ja) 2013-08-28

Family

ID=42116788

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008271679A Expired - Fee Related JP5275746B2 (ja) 2008-10-22 2008-10-22 圧電素子

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7965022B2 (ja)
JP (1) JP5275746B2 (ja)
KR (1) KR101048922B1 (ja)
CN (1) CN101814576B (ja)
TW (1) TW201027815A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE44823E1 (en) 1998-10-15 2014-04-01 Masimo Corporation Universal modular pulse oximeter probe for use with reusable and disposable patient attachment devices
US8706179B2 (en) 1998-10-15 2014-04-22 Masimo Corporation Reusable pulse oximeter probe and disposable bandage apparatii
US8781543B2 (en) 1995-06-07 2014-07-15 Jpmorgan Chase Bank, National Association Manual and automatic probe calibration

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5660947B2 (ja) * 2011-03-22 2015-01-28 セイコーインスツル株式会社 BaTi2O5系複合酸化物の製造方法
CN102368534A (zh) * 2011-11-03 2012-03-07 河南科技大学 一种基于多层高介电材料的超小型介电陶瓷变压器
JP6091881B2 (ja) * 2012-03-19 2017-03-08 セイコーインスツル株式会社 BaTi2O5系複合酸化物の製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04167580A (ja) 1990-10-31 1992-06-15 Brother Ind Ltd 積層圧電アクチュエータ素子
JPH0788370A (ja) * 1993-09-24 1995-04-04 Yasunobu Inoue 光触媒および光触媒の製造方法
JP2000150977A (ja) * 1998-11-05 2000-05-30 Hitachi Ltd 圧電素子およびその製造方法
JP3716783B2 (ja) * 2001-11-22 2005-11-16 株式会社村田製作所 セラミック多層基板の製造方法及び半導体装置
JP2003188673A (ja) * 2001-12-20 2003-07-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表面弾性波フィルタおよびその製造方法
JP4049315B2 (ja) * 2003-01-06 2008-02-20 関西電力株式会社 高誘電率を有する誘電体およびその製造方法
JP4051437B2 (ja) * 2003-02-03 2008-02-27 国立大学法人島根大学 チタン酸バリウム結晶、コンデンサ、光スイッチおよびfram
JP4878111B2 (ja) * 2003-10-30 2012-02-15 日本碍子株式会社 セル駆動型圧電/電歪アクチュエータ及びその製造方法
JP4709115B2 (ja) * 2005-10-12 2011-06-22 財団法人ソウル大学校産学協力財団 ルテニウム電極と二酸化チタン誘電膜とを利用する半導体素子のキャパシタ及びその製造方法
TW200742851A (en) * 2006-05-09 2007-11-16 Univ Nat Yunlin Sci & Tech Penicillin G biosensors and fabrication method thereof and sensing systems comprising the same
JP2008195555A (ja) * 2007-02-09 2008-08-28 Seiko Epson Corp 圧電材料組成物およびその製造方法、並びに圧電素子
JP4582178B2 (ja) * 2008-03-31 2010-11-17 Tdk株式会社 複合酸化物粒子の製造方法および誘電体粒子の製造方法
JP2010123590A (ja) * 2008-11-17 2010-06-03 Toshiba Corp 半導体記憶装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8781543B2 (en) 1995-06-07 2014-07-15 Jpmorgan Chase Bank, National Association Manual and automatic probe calibration
USRE44823E1 (en) 1998-10-15 2014-04-01 Masimo Corporation Universal modular pulse oximeter probe for use with reusable and disposable patient attachment devices
US8706179B2 (en) 1998-10-15 2014-04-22 Masimo Corporation Reusable pulse oximeter probe and disposable bandage apparatii

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010103209A (ja) 2010-05-06
CN101814576A (zh) 2010-08-25
KR20100044709A (ko) 2010-04-30
TW201027815A (en) 2010-07-16
US7965022B2 (en) 2011-06-21
CN101814576B (zh) 2012-08-01
US20100102680A1 (en) 2010-04-29
TWI379446B (ja) 2012-12-11
KR101048922B1 (ko) 2011-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5275746B2 (ja) 圧電素子
JP5040649B2 (ja) 圧電素子
US20200243745A1 (en) Multilayer piezoelectric element
US8258677B2 (en) Piezoelectric component with directly structured external contacting, method for manufacturing the component and use of said component
US7579756B2 (en) Piezoactuator with low stray capacitance
KR20160026499A (ko) 압전 소자 및 이를 포함하는 압전 진동 모듈
JP5974598B2 (ja) 圧電素子ユニット
JP2005005680A (ja) 圧電アクチュエータ
JP2012504858A (ja) 外部電極を有する圧電アクチュエータ
WO2009096381A1 (ja) 積層型圧電素子、これを備えた噴射装置及び燃料噴射システム
JP2013518422A (ja) 圧電素子
JP5153093B2 (ja) 積層型圧電素子
JP2015122438A (ja) 圧電素子、圧電アクチュエータおよび圧電素子の製造方法
JP2004274029A (ja) 圧電アクチュエータ
JP7367290B2 (ja) 積層型圧電素子
JP5437248B2 (ja) 電気的多層構成要素
JPS63288075A (ja) 電歪効果素子
JP2010283141A (ja) 積層型圧電素子
WO2021070868A1 (ja) 積層型圧電素子
JP2013211432A (ja) 積層型圧電素子
US20200313069A1 (en) Multilayer piezoelectric element
JP2005045086A (ja) インジェクタ装置用積層型圧電素子
JP2008034542A (ja) 積層型圧電素子およびこれを用いた噴射装置
JP2004063886A (ja) 積層型圧電セラミック素子
JP4997942B2 (ja) 圧電素子

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110214

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130226

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130419

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130514

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130516

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees