JP5268238B2 - X線コリメータ・アセンブリの製造方法 - Google Patents
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Description
12 第一の層の開口
13 第二の層の開口
14 第一の層の境界
15 第二の層の境界
16 外側エッジ
20 第二の層
22 通路
24 柱
26 物体
100 コリメータ・アセンブリ
200 CT検出器モジュール
202 X線
204 シンチレータ・アレイ
206 反射体
208 光学的結合体
210 フォトダイオード
212 シンチレータ光フォトン
Claims (8)
- 第一の層(10)及び第二の層(20)を含むX線コリメータ・アセンブリ(100)を製造する方法であって、
前記第一の層(10)に開口(12、13)を形成するステップと、
その後、前記第一の層(10)を前記第二の層(20)に付着させるステップであって、これにより全厚を画定し、前記第一の層(10)の厚みは前記全厚の約5%〜約10%にわたる、付着させるステップと、
該付着させるステップに続いて、前記第一の層(10)及び前記第二の層(20)に通路(22)を形成するステップと、
を備え、
前記第一の層(10)及び前記第二の層(20)は、モリブデン又は、モリブデンよりも大きい原子番号を持つ材料により作成され、
前記全厚は、シンチレータへのX線遮蔽に十分な厚さを有している、
X線コリメータ・アセンブリ(100)を製造する方法。 - 前記第一の層(10)はグリッドを含んでいる、請求項1に記載の方法。
- 前記付着させるステップの前に、前記第二の層(20)に開口(12、13)を形成するステップをさらに含んでいる請求項1に記載の方法。
- 前記第一の層(10)の前記開口(12、13)と前記第二の層(20)の前記開口(12、13)とを位置揃えするステップをさらに含んでいる請求項3に記載の方法。
- 前記通路(22)を形成するステップは、前記第一の層(10)の前記開口(12、13)を介して前記第二の層(20)の前記開口(12、13)内の材料を除去するステップを含んでいる、請求項3に記載の方法。
- 高エネルギ・イメージング・システムと共に用いられ、外側層及び内側層を含んでいるX線コリメータ・アセンブリ(100)を製造する方法であって、
前記外側層及び前記内側層に孔を構成するステップと、
該孔を構成するステップに続いて、前記外側層を前記内側層に接合するステップと、
該接合するステップに続いて、前記外側層の前記孔を介して前記内側層の一部を除去するステップであって、これにより前記外側層及び前記内側層に通路(22)を作製する除去するステップと、
を備え、
前記外側層を前記内側層に接合するステップは全厚を画定し、前記外側層は前記全厚の約5%〜約10%にわたる外側層厚みを含んでおり、
前記第一の層(10)及び前記第二の層(20)は、モリブデン又は、モリブデンよりも大きい原子番号を持つ材料により作成され、
前記全厚は、シンチレータへのX線遮蔽に十分な厚さを有している、
方法。 - 前記接合するステップは、1層よりも多い前記外側層、前記内側層又は両方の層を共に接合するステップと、
前記第一の層(10)の前記孔と前記第二の層(20)の前記孔とを位置揃えするステップとを含んでいる、請求項6に記載の方法。 - 第一の層(10)及び第二の層(20)を含むX線コリメータ・アセンブリ(100)を製造する方法であって、
前記第一の層(10)に開口(12、13)を形成するステップと、
前記第一の層(10)を前記第二の層(20)に付着させるステップであって、これにより全厚を画定し、前記第一の層(10)の厚みは前記全厚の約5%〜約10%にわたる、付着させるステップと、
該付着させるステップに続いて、前記第一の層(10)及び前記第二の層(20)に通路(22)を形成するステップであって、前記第一の層(10)を、前記第一の層(10)、前記第二の層(20)又は両方の層の材料を除去するマスクとして用いるステップを含んでいる形成するステップと、
前記付着させるステップの前に、前記第二の層(20)に開口(12、13)を形成するステップ
を備え、
前記第一の層(10)及び前記第二の層(20)は、モリブデン又は、モリブデンよりも大きい原子番号を持つ材料により作成され、
前記全厚は、シンチレータへのX線遮蔽に十分な厚さを有している、
たX線コリメータ・アセンブリ(100)を製造する方法。
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